TW594227B - Substrate with ITO coating film and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

594227 ⑴ 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明） 技術領域 本發明係關於一種附有氧化銦錫（以下稱為「I τ〇」）被 覆膜之基板及其製造方法，特別關於可作為彩色液晶顯示 器之液晶顯示元件使用之附有ITO被覆膜之基板及其製 造方法。 先前技藝 附有氧化銦錫（以下稱為「IT 0」）被覆膜之基板，一直 以來被作為用於彩色液晶面板等之液晶顯示元件。 附有ITO被覆膜之基板，一般來說係採取自玻璃基板之 表面由下而上順序積層彩色濾光片、有機保護膜、及ITO 被覆膜之構造。 層積於基板表面的I το被覆膜係作為基板電極之功能 ，其電極圖案通常是由光蝕刻法所形成。光蝕刻法係於基 板上之ITO被覆膜上用強酸對電極圖案進行圖案形成，其 後，因有將於圖案形成時使用過之光阻劑用強鹼剥離之必 要，為了能夠防止ITO被覆膜被此兩工序中所使用之強酸 及強鹼從基板剥離，故需要求基板之耐藥性及密著性。因 此，過去為提升ITO被覆膜與有機保護膜之密著性，於ITO 被覆膜及有機保護膜之間，藉由高頻濺鍍法形成Si〇2膜作 為中間層。 進一步，過去利用S i〇2膜形成中間層之基板，具有耐藥 性、特別是耐鹼性低的問題，而作為解決此問題點之成膜 方法，係將SiNx等金屬氮化物膜隔在IT〇被覆膜與有機保 594227 (2) 發明說明績頁 護膜之間，再將Si〇x等金屬氮化物膜隔在IT〇被覆膜與金 屬氮化物膜間之方法，揭示於特開平6 - 1 4 8 6 1 8號公報中。 然而，揭示於特開平6 - 1 4 8 6 1 8號公報中之方法，確實為 可以提升基板的耐鹼性表，但唯有利用以S i作為標靶，以 〇2作為導入氣體之反應性濺鍍法，形成做為中間層之S丨〇、 膜才是有效的手法，過去以來所利用之高頻濺鍍法形成 S i〇2膜作為中間層並非有效的手法。如此，此過去之方法 ，一般上無法使用能夠形成較反應性濺鍍法為高密著性之 膜的高頻濺鍍法。因此，與過去被作為中間層之S i〇2膜相 比，具有密著性變差的問題。 又，藉由此過去之成膜方法得來之基板的耐鹼性，也 說不上可充分滿足上述所要求之特性。 本發明的目的係，提供耐鹼性及密著性佳之附有ITO被 覆膜之基板及其製造方法。 發明之揭示 為達成上述目的，本發明之第1種形態之附有IT〇被覆 膜之基板其特徵在於包含：玻璃基板；彩色濾光片，其係 成膜於前述玻璃基板表面者；有機保護膜，其係成膜於前 述彩色濾光片表面者；中間層，其係成膜於前述有機保護 膜表面者；及ΙΤ〇被覆膜，其係成膜於前述中間層表面者 。其中前述中間層係包含：第1中間層，其係於前述有機 保護膜表面，使用Ar為導入氣體之高頻濺鍍法成膜，且 包含難溶於鹼之金屬氧化物者；及第2中間層，其係成膜 於前述第1中間層表面，且包含難溶於鹼之金屬氧化物或 594227 (3) 發明說明續頁' 金屬氮化物者。 第1種形態之附有ITO被覆膜之基板中，前述第1中間層 之金屬氧化物以S i〇2為佳。 或者，前述第1中間層之金屬氧化物以Ta2〇5為佳。 第1種形態之附有1丁〇被覆膜之基板中，前述第2中間層 之金屬氧化物以S i〇x為佳。 或者，前述第2中間層之金屬氧化物以Ta2〇5為佳。 或者，前述第2中間層之金屬氮化物以SiNx為佳。 為達成上述目的，本發明之第2種形態之附有ITO被覆 膜之基板其特徵在於包含，玻璃基板；彩色濾光片，其係 成膜於前述玻璃基板表面者；有機保護膜，其係成膜於前 述彩色濾光片表面者；中間層，其係成膜於前述有機保護 膜表面者；及1丁〇被覆膜，其係成膜於前述中間層表面者 。其中前述中間層係於前述有機保護膜之表面，使用Ar 為導入氣體之高頻濺鍍法成膜，且包含難溶於鹼之金屬氧 化物者。 第2的形態之附有ITO被覆膜之基板中，前述中間層之 金屬氧化物以Si02為佳。 或者，前述中間層之金屬氧化物以Ta2〇5為佳。 為達成上述目的，本發明之第1種形態之附有ITO被覆 膜之基板之製造方法，其特徵在於包含：玻璃基板；彩色 濾光片成膜工序，其係將彩色濾光片成膜於該玻璃基板之 表面者；有機保護膜成膜工序，其係將有機保護膜成膜於 前述彩色濾光片之表面者；中間層成膜工序，其係將中間 594227 (4) 層成膜於前述有機保護膜表面者；及ιτ〇被覆膜成膜工序 ，其係將ΙΤ〇被覆膜成膜於前述中間層表面者。其中前述 中間層成膜工序係包含：第1中間層成膜工序，其係於前 述有機保護膜表面，使用Ar為導入氣體之高頻濺鍍法成 膜第1中間層，且包含難溶於鹼之金屬氧化物者；及第2 中間層成膜工序，其係於前述第1中間層之表面，使用其 他之高頻濺鍍法成膜第2中間層，且包含難溶於鹼之金屬 氧化物或金屬氮化物者。 第1種形態之製造方法中，前述高頻濺鍍法之特徵係使 用Si02做為靶。 或者，前述高頻濺鍍法使用Ta205作為靶為佳。 第1種形態之製造方法中，前述之其他的高頻濺鍍法， 係用Si做為靶，用N2做為導入氣體之反應性濺鍍法為佳。 或者，前述之其他的高頻濺鍍法，以用S i做為靶，用 〇2做為導入氣體之反應性濺鍍法為佳。 再或者，前述之其他的高頻濺鍍法，以用Ta2〇5做為靶 ，用Ar做為導入氣體為佳。 為達成上述目的，本發明之第2種形態之附有ITO被覆 膜之基板之製造方法，其特徵在於包含，彩色濾光片成膜 工序，其係將彩色濾光片成膜於該玻璃基板之表面者；有 機保護膜成膜工序，其係將有機保護膜成膜於前述彩色濾 光片之表面者；中間層成膜工序，其係將_間層成膜於前 述有機保護膜表面者；及ITO被覆膜成膜工序，其係將IT〇 被覆膜成膜於前述t間層表面者。其中前述中間層成膜工 594227

發明說、明績頁; 序係於前述有機保護膜之表面，使用A r為導入氣體之高 頻濺鍍法成膜中間層，且包含難溶於鹼之金屬氧化物者。 第2種形態之製造方法中，前述之高頻濺鍍法，係用S i〇2 做為革巴為佳。 或者，前述之高頻濺鍍法，用Ta2〇5做為靶為佳。 圖式之簡要說明 / 圖1係本發明實施形態之附有1丁〇被覆膜之基板的剖面

圖。 圖2係圖1之附有ITO被覆膜之基板100之製造方法的流 程圖。 圖3 A至圖3 F係圖2之程序P 1 0 5之電極圖案的圖案形成 方法之說明圖，及各工程之附有1丁〇被覆膜基板1 0 0的剖

圖4A至圖4C係表示圖1之附有IT〇被覆膜之基板100的 耐鹼性低下原因之說明圖；圖4Α·係表示於1丁〇被覆膜105 與中間層1 0 4的介面附近，中間層1 0 4溶解於鹼之情形；圖 4Β係表示中間層104與有機保護膜103的介面附近，有機 保護膜1 0 3溶解於鹼之情形；圖4 C係表示中間層1 0 4與有 機保護膜1 0 3的介面附近，有機保護膜1 0 3溶解於鹼之情 形。 圖5係，本發明實施形態之附有1丁〇被覆膜之基板100的 變形例的剖面圖。 為實施發明之最佳形態 本發明者為達成上述目的銳意檢討的結果，為提升附 -10 - 594227 (6) 發明說，明續頁、 有I τ〇被覆膜之基板的耐鹼性及密著性，故著眼於介於 ιτ〇被覆膜與有機保護膜間之中間層。

亦即，本發明者係發現，一種附有ΙΤΟ被覆膜之基板， 其特徵在於包含：彩色濾光片，其係成膜於玻璃基板表面 者\有機保護膜，其係成膜於前述彩色濾光片表面者；中 間層，其係成膜於前述有機保護膜表面者；及ΙΤΟ被覆膜 ，其係成膜於前述中間層表面者。其中前述中間層係包含 :第1中間層，其係於前述有機保護膜表面，使用Ar為導 入氣體之高頻濺鍍法成膜，且包含難溶於鹼之金屬氧化才勿 者；及第2中間層，其係成膜於前述第1中間層表面，且包 含難溶於鹼之金屬氧化物或金屬氮化物者。由於第1中間 層係於有機保護膜的表面以使用Ar之高頻濺鍍法成膜的 原故，有機保護膜的表面變成了極性低的C - C結合，因此 能夠成膜難以溶解於鹼之有機保護膜，又，於此成膜時所 發生之電漿，係為不易產生因電漿造成之有機保護膜分解 之Ar電漿之故，有機保護膜的削減量變小，於第1中間層 ，碳素等之有機保護膜的成分被吸收，使得易於遭鹼侵蝕 的情形得以防止，進一步，由於第1中間層係包含難以溶 解於鹼之金屬氧化物，且第2中間層係包含難以溶解於鹼 之金屬氧化物或金屬氮化物之故，中間層自然變得難以被 鹼溶解，由於鹼變得難以浸透中間層，故防止了有機保護 膜被鹼侵蝕，此般結果，可以得到耐鹼性及密著性佳之基 板。 進一步，本發明者亦發現了 ，即使將2層構造之卡間層 -11 - 594227

⑺ 做成1層構造，亦可以得到較高耐鹼性及密著性之附有 1丁〇被覆膜之基板。 又，本發明者發現了，一種附有IT〇被覆膜之基板的製 造方法，其係包含，彩色濾光片成膜工序，其係將彩色 濾光片成膜於該玻璃基板之表面者；有機保護膜成膜工 序，其係將有機保護膜成膜於前述彩色濾光片之表面者 :中間層成膜工序，其係將中間層成膜於前述有機保護 膜表面者；及ITO被覆膜成膜工序，其係將ITO被覆膜成 膜於前述中間層表面者。其中前述中間層成膜工序係包 含：第1中間層成膜工序，其係於前述有機保護膜表面， 使用Ar為導入氣體之高頻濺鍍法成膜第1中間層，且包含 難溶於鹼之金屬氧化物者；及第2中間層成膜工序，其係 於前述第1中間層之表面，使用其他之高頻濺鍍法成膜第 2中間層，且包含難溶於鹼之金屬氧化物或金屬氮化物者 。因此能夠製造出耐鹼性及密著性佳之附有ITO被覆膜之 基板。 進一步，本發明者亦發現在中間層為1層構造而非2層 構造之情形下，亦能夠製造出具有較高耐鹼性的附有IT〇 被覆膜之基板。 以下，參照圖面說明本發明實施形態之附有ιτ〇被覆膜 之基板的構成。 圖1係，本發明實施形態之附有ΙΤΟ被覆膜之基板的剖 面圖。 圖1中，附有ΙΤΟ被覆膜之基板100係包含，玻璃基板101 594227 (8) 、包含RGB(紅、綠、藍）3個像素之彩色濾光片102、將彩 色渡光片1 0 2之像素所產生之凹凸平坦化，並保護彩色濾 光片1 0 2表面之有機保護膜1 〇 3、包含中間層1 〇 4 &，1 〇 4 b 之中間層104、以及藉由後述之圖3A至圖3F之方法圖案形 成電極圖案之ITO被覆膜1 〇 5，上述諸項，係採取由下而 上依序為’玻璃基板1 (H、彩色濾光片丨〇 2、有機保護膜i 〇 3 、中間層104 '及IT0被覆膜ι〇5之構造層積。

圖2係’圖1之附有ΙΤ〇被覆膜之基板ι〇〇之製造工程的 流程圖。 首先’於玻璃基板1〇1的表面成膜彩色濾光片1〇2(工序 Ρ 1 〇 〇)’其次’於彩色濾光片i 〇 2的表面成膜有機保護膜 103(工序 P101) 〇 其後’藉由後述方法，首先於有機保護膜103之表面成 膜中間層104a(工序P102)，其次於中間層l〇4a之表面成膜 中間層104b(工序P103)，形成2層構造之中間層104。

最後，於中間層l〇4b之表面成膜ITO被覆膜105(工序 P104)，將後述之圖3A至圖3F的電極圖案於1丁〇被覆膜105 進行圖案形成（工序P 1 0 5 )，結束本處理。 圖3A乃至圖3F係，圖2之工序P105中的1丁〇被覆膜105 之電極圖案的圖案形成方法之說明圖，亦係各工序之附有 IT〇被覆膜之基板1 〇 〇的剖面圖。 IT〇被覆膜1 〇 5之電極圖案係，藉由以下之光蝕刻法所 形成。 . 首先，於圖1之基板100(圖3Α)的ΙΤΟ被覆膜105塗上光 • 13 - 594227 (9) 阻劑1 Ο 6後（圖3 B )，於所塗之光阻劑1 Ο 6表面用光罩1 Ο 7將 電極圖案遮蓋後，用光（hv)加以曝光（圖3C)。 藉由將基板1 0 0浸泡入顯像液，剥離光阻劑1 〇 6的感光 部分（圖3 D )，用強酸將於光阻劑1 0 6被圖案形成之電極圖 案，於ITO被覆膜105進行圖案形成（圖3E)。 其後，將基板1 〇 〇以強鹼浸泡，剥離塗布於I TO被覆膜 1 0 5表面之光阻劑1 0 6 (光阻劑剥離工程）（圖3 F )。

由經驗上可得知，於光阻劑剥離工程中用鹼液浸泡基 板100時，會造成基板100之耐鹼性降低，使得ITO被覆膜 105容易從基板100剥離（密著性降低）。

基板1 0 0浸泡於鹼時，基板1 0 0之耐鹼性降低的原因， 係因於1丁〇被覆膜105與中間層104之介面附近的中間層 104溶解於鹼液（圖4A)，或由於鹼液浸透入中間層104，使 得於中間層104與有機保護膜10 3之介面附近之中間層104 溶解（圖4B)，或由於鹼液浸透入中間層104，使得於中間 層1 〇 4與有機保護膜1 0 3之介面附近之有機保護膜1 0 3溶解 於鹼液（圖4C)，或上述諸項原因之複合所造成。 為防止此般基板1 0 0之耐鹼性低下原因的發生，層積於 IT〇被覆膜105與有機保護膜103間之中間層104a、104b， 最好依如下的成膜要件濺鍍。以下，說明中間層1 0 4 a、1 0 4 b 之理想成膜條件。 1)中間層1 0 4 a的成膜條件 1) - 1 有機保護膜1 〇 3表面成為難以溶解於鹼液之結合 中間層104a成膜後的有機保護膜103表面，依上述結合 -14- 594227

發明說明續頁 之不同其對鹼液之溶解性亦有所不同，c - C結合、C - N結 合、C -〇結合，其依極性由小到大的順序，亦即難以溶解 於鹼液之順序為C - C結合> C - N結合> C -〇結合。 將有機保護膜1 0 3之表面的結合加以說明，於成膜後除 去中間層1 0 4 a，並用X光光電子發射能譜鑑定術（X P S )評 估有機保護膜1 0 3表面的結果後可以得知，用Ar*做為進行 濺鍍時之導入氣體時，由於會產生Ar電漿之故，故造成 有機保護膜1 0 3之表面的C - C結合增多；使用Ν2做為導入 氣體時，由於會產生Ν2電漿之故，故造成有機保護膜1 Q3 之表面的C-N結合增多；使用〇2做為導入氣體時，由於會 產生〇2電漿之故，故造成有機保護膜1 〇 3之表面的C -〇結 合增多。因而，於中間層第1層之成膜時，最好是使用Ar* 做為導入氣體。 1)-2 中間層104a成膜時之有機保護膜103的削減量小 於有機保護膜103表面成膜時，有機保護膜103會因電 漿而遭分解，由於分解而使得有機保護膜1 0 3之削減量變 大後，於已成膜之中間層l〇4a中許多包含碳等有機保護膜 1 0 3之成份被吸收，而變得易於遭鹼侵蝕。A r、N 2、〇2電 漿中，有機保護膜1 03之削減量會於使用N2、〇2電漿的情 形下變大，於使用Ar電漿的情形下變小。因而，於中間 層104a之成膜時，最好是使用Ar電漿。 1) - 3 中間層1 0 4 a包含難溶於鹼之材料 中間層1 0 4 a變得難溶於鹼是當然之事，又因為鹼變得 難以浸透中間層1 0 4 a，故能夠防止有機保護膜1 0 3遭鹼侵 594227 (ii) I虫。 最好使用擁有比一般做為中間層材料使用的S丨N x + Si Ox、Ti〇2更加難溶於鹼特性之材料。具體的說即最好是 使用Si〇2、Ta2〇5等的材料。 1 ) - 4 做為中間層1 0 4 a成膜於基板1 0 0之膜為氧化矽膜。 由於氧化矽（Si〇x)膜的Si係具有與有機保護膜103之主 要構成元素碳素相近的化學性質，因而容易與有機保護膜

1 0 3作出較強的結合。從而，如於中間層1 0 4 a使用氧化矽 膜的話，可得到較強的密著性。 1) -5 其他 例如’於錯由利用以T a 2〇5為乾’以A r做為導入氣體之 高頻濺鍍法成膜之Ta2〇5膜做為中間層104a的情形下，由 於滿足了 1) -1至1) - 3的特性，因而能夠得到具有較高耐鹼 性及密著性之基板1 0 0。 2) 於中間層104a上成膜之中間層104b的成膜條件

2 ) -1 中間層1 0 4 b包含難以溶解於鹼之材料 中間層1 0 4 b變得難以溶解於鹼是當然之事，又因為鹼 變得難以浸透中間層1 0 4 b，故能夠防止中間層1 0 4 a及有機 保護膜1 0 3等遭鹼侵蝕。 最好使用具有比一般所用SiNx + SiOx、Ti〇2更加難溶於 鹼特性之材料。具體的說即最好是使用Si〇x、SiNx、Ta2〇5 等的材料。 2)-2 做為中間層104b成膜於基板100之膜的成分，具有與 IT〇被覆膜105相近之化學性質。 -16 - 594227

如考慮到中間層l〇4b與ΙΤ〇被覆膜105之密著性，其最 好為於化學上具有相近性質之物質。又，中間層1 〇 4 b係成 膜於中間層1 0 4 a上之故，故沒有必要考慮其對有機保護膜 1 0 3產生之作用。

為滿足以上條件，於圖2之工序P 1 0 2中，於有機保護膜 103之表面，藉由使用以Ar為導入氣體，以Si〇2及Ta2〇5 等為靶之高頻濺鍍法，成膜包含Si〇2及Ta2〇5等難溶於鹼 之金屬氧化物之中間層1 〇 4 a。 又，於圖2之工序P103中，於中間層104a表面，藉由以 N2及〇2等為導入氣體，以Si為靶之反應性濺鍍法，成膜包 含SiNx&Si〇x等難溶於鹼之金屬氧化物或金屬氮化物之 中間層104b，亦或於中間層104a之表面，藉由利用Ar為導 入氣體，Ta2〇5等為靶之高頻濺鍍法，成膜包含Ta2〇5等難 溶於鹼之金屬氧化物之中間層1 0 4 b。

又，本實施形態之中間層1 〇 4雖係2層構造，然，於具 有上述特性，亦即，於具有能夠防止耐鹼性及密著性降低 原因發生之特性的情形下，即使是1層構造亦可。 以下，敘述於中間層為1層構造的情況下之本發明實施 形態中之，附有ITO被覆膜之基板的變形例。 圖5係，本變形例之附有ITO被覆膜之基板100的剖面圖。 圖5中，本變形例之附有ITO被覆膜之基板丨0(Τ，係包含 玻璃基板1 0 1、包含RGB 3個像素之彩色濾光片1 0 2、將彩 色濾光片102所產生之凹凸平坦化，並保護彩色濾光片102 表面之有機保護膜103、中間層10^、以及藉由圖3之方法 -17- 594227

(13) 圖案形成電極圖案之IT〇被覆膜105。 基板100’係，於玻璃基板101之表面，採取由下而上依 序為彩色濾光片102、有機保護膜103、中間層104'、及ITO 被覆膜105之層積構造。

圖5之附有IT〇被覆膜之基板10Γ的製造工序，係以圖2 之製造工序為準。但，工序P 1 〇 2、P 1 0 3係由，於有機保 護膜1 0 3之表面藉由使用以Ar為導入氣體之高頻濺鍍法 ，成膜包含難溶於鹼之金屬氧化物的中間層104'之工序所 替代。 由此，中間層即使形成1層構造而非2層構造的情形下 ，亦可製造出具有較高耐鹼性及密著性之附有1丁〇被覆膜 之基板。 實施例 ’ 其次，將本發明實施形態之實施例加以具體說明。

於玻璃基板101上形成包含RGB3個像素之彩色濾光片 1 0 2，於其上覆蓋著丙烯樹脂製的有機保護膜1 0 3，以此做 為用作試樣的基板。 將此基板於浸泡式的超音波洗淨機中用鹼洗務劑清洗 ，再以溫風乾燥之。其次，投入線列（i η -1 i n e)型真空成膜 裝置中，於1.3 X 1(T8 Pa下加熱排氣至達到約220°C後，將 用非活性氣體（Ar)做為導入氣體之濺鍍靶，又將用反應性 氣體（N2或02)做為導入氣體濺鍍靶與用反應性氣體之化 合物，而於各基板成膜1個或2個中間層。 其次，不將已成膜中間層之基板暴露於大氣中，而緊 -18- 594227 (14) 舍感 接著用離子喷鍍法於基板上成膜150 n m之IT〇被覆膜105。 其後，用光蝕刻法，藉由於ΙΤΟ被覆膜105使線路（line)/ 間隔（space)成70 μηι/20 μηι般圖案形成電極圖案，做成表 1所示實施例1至7及比較例1至6之各種試樣。 表1 s

T

Tao5

Tao5 β sip

Si〇2

Tao5 sip 02

Na 02 22

AT

Ar

Ar

Ar

Ar ts.i®loi4a

Tao5

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Tao5 N2 02 N2 02 N2

Ar 華雜 +55^ 104b t

Sip(5i)/Ta205(5nm) 5δ,(5η3)/5ί>?(5ηιη) siNH(5i)/sip(5i) sio,(10nm) siNX(snm)

Tao5(5 i)/s ip(5 nm)

Tao5(5nm)/si>?(5i) so2(5nm)/si>p(5nm) so2(5nm)/siN,(5nm) S 52(5 i)/Ta205(5p3)

Tao5(10i)

Sio2(loi) tsi®. 61nm 56nm 48i 62nm 59i 53nm 34nm 28i 32nm 33nm 30nm 27nm 32nm $ $ § 0f> $ 60Φ 100^> 5¾ ιοδ $ $ 50^

Ji.^^· n—o nlo n—z nlo c—o nlz nln

CIO nln nln nln n—c

CIC 撕亥桊銖¾ ^ais^:^ -)9- 594227 (15) 對於如以上之試樣，進行對以下所示之各種特性的評 估試驗。 1 . 耐驗性 將4質量％的氫氧化鉀（KOH)溶液保持在55°c後，將各 試樣浸於此溶液中，只要見到ITO被覆膜1 0 5的圖案邊緣 有些許剥離狀態，即當作是ITO被覆膜105的異常狀態， 測量至異常發生為止的時間。剥離的評估，係以光學顯微 鏡進行觀察。 2.削減量 除去各試料的中間層，測定中間層成膜時的有機保護 膜1 0 3之削減量。測定，係以觸針式的段差計進行。 3 .有機保護膜1 0 3表面的結合 除去成膜後的中間層l〇4a，以X光光電子發射能譜鑑定 術（XPS)調查有機保護膜103表面的結合狀態。 於實施例1中，用Si02為靶，Ar為導入氣體，將壓力調 整至0.4 Pa，僅以3丨02構成中間層成膜10 nm。調查耐驗 性的結果，ITO被覆膜105於50分鐘後發生異常。又，中 間層成膜時之有機保護膜1 〇 3之削減量為3 2 n m，於有機 保護膜103表面所見最多之結合為C-C結合。 於實施例2中，用Ta2〇5為靶，Ar為導入氣體，將壓力 調整至0.7 Pa，僅以Ta205構成中間層成膜10 nm。調查耐 鹼性的結果，ITO被覆膜105於70分鐘後發生異常。又， 中間層成膜時之有機保護膜103之削減量為27 nm，於有 機保護膜1 0 3表面所見最多之結合為C - C結合。 -20- 594227 (16)

於實施例3中，首先最初用S i〇2為靶，A r為導入氣體， 將壓力調整至0.4?&，成膜3丨〇2至5[1111，其次用丁22〇5為目 標，Ar為導入氣體，成膜Ta2〇5至5 nm，藉此做成2層構造 之中間層。調查耐鹼性的結果，ITO被覆膜105於70分鐘 後發生異常。又，中間層成膜時之有機保護膜1 〇 3之削減 量為30 nm，於有機保護膜103表面所見最多之結合為C-C 結合。

於實施例4中，首先最初用Si〇2為靶，Ar為導入氣體， 將壓力調整至0.4 Pa，成膜Si〇2至5 nm，其次用Si為目標 ，N2為導入氣體，成膜SiNxS 5 nm，藉此做成2層構造之 中間層。調查耐鹼性的結果，ITO被覆膜105於100分鐘後 發生異常。又，中間層成膜時之有機保護膜1 03之削減量 為3 3 n m，於有機保護膜1 0 3表面所見最多之結合為C - C結 合0

於實施例5中，首先最初用Si〇2為靶，Ar為導入氣體， 將壓力調整至0.4 Pa，成膜Si〇2至5 nm，其次用Si為目標 ，〇2為導入氣體，成膜Si〇xS 5 nm，藉此做成2層構造之 中間層。調查耐鹼性的結果，ITO被覆膜1 0 5於5 0分鐘後 發生異常。又，中間層成膜時之有機保護膜1 〇 3之削減量 為32nm，於有機保護膜103表面所見最多之結合為C-C結 合0 於實施例6中，首先最初用Ta2〇5為靶，Ar為導入氣體 ，將壓力調整至0.7 Pa，成膜Ta2〇5至5 nm，其次用Si為目 標，N2為導入氣體，成膜3丨^至5 nm，藉此做成2層構造 -21 - 594227

發明說明續頁 之中間層。調查耐鹼性的結果，ITO被覆膜105於100分鐘 後發生異常。又，中間層成膜時之有機保護膜I 〇 3之削減 量為28nm，於有機保護膜103表面所見最多之結合為C-C 結合。 於實施例7中，首先最初用Ta2〇5為靶，Ar為導入氣體 ，將壓力調整至〇.7Pa，成膜Ta2〇5至5nm，其次用Si為靶 ，〇2為導入氣體，成膜Si〇xS 5 nm，藉此做成2層構造之 中間層。調查耐鹼性的結果，ITO被覆膜1 0 5於6 0分鐘後 發生異常。又，中間層成膜時之有機保護膜1 0 3之削減量 為34 nm，於有機保護膜103表面所見最多之結合為C-C結 合。 於比較例1中，用S i為乾，N 2為導入氣體，將壓力調整 至0.5 Pa，僅以SiNJt成中間層成膜10 nm。調查耐鹼性 的結果，1丁〇被覆膜105於10分鐘後發生異常。又，中間 層成膜時之有機保護膜1 〇 3之削減量為5 3 nm，於有機保 護膜1 03表面所見最多之結合為C-N結合。 於比較例2中，用S i為靶，〇2為導入氣體，將壓力調整 至0.5 Pa，僅以Si〇j.成中間層成膜10 nm。不必調查耐 鹼性，於光阻劑剥離程序（圖3F)，ITO被覆膜105發生異常 。又，中間層成膜時之有機保護膜1 0 3之削減量為5 9 n m ，於有機保護膜1 〇 3表面所見最多之結合為C -〇結合。 於比較例3中，用Ti為靶，〇2為導入氣體，將壓力調整 至0.5 P a，僅以Ti〇x構成中間層成膜1 0 n m。不必調查耐 鹼性，於光阻劑剥離工序（圖3 F )，ITO被覆膜1 0 5發生異常 -22- 594227

發明說明續頁 。又，中間層成膜時之有機保護膜1 0 3之削減量為6 2 n m ，於有機保護膜1 〇 3表面所見最多之結合為C -〇結合。 於比較例4中，首先最初用S i為靶，N2為導入氣體，將 壓力調整至0.5?3，成膜3丨]^至511111，其次用3丨為|&，〇2 為導入氣體，成膜Si〇<至5 nm，藉此做成2層構造之中間 層。調查耐鹼性的結果，1丁〇被覆膜1 0 5於1 0分鐘後發生 異常。又，中間層成膜時之有機保護膜1 0 3之削減量為4 8 nm，於有機保護膜103表面所見最多之結合為C-N結合。 於比較例5中，首先最初用Si為靶，〇2為導入氣體，將 壓力調整至0.5?&，成膜3丨〇?(至5 11111，其次用3丨為靶，>12 為導入氣體，成膜3丨1至5 nm，藉此做成2層構造之中間 層。不必調查耐鹼性，於光阻劑剥離工序（圖3F)，IT〇被 覆膜1 0 5發生異常。又，中間層成膜時之有機保護膜1 0 3 之削減量為5 6 n m，於有機保護膜1 0 3表面所見最多之結 合為C -〇結合。 於比較例6中，首先最初用S i為靶，〇2為導入氣體，將 壓力調整至〇.5Pa，成膜Si〇xS5nm，其次用Ta2〇5為目標 ，Ar為導入氣體，成膜Ta2〇5至5nm，藉此做成2層構造之 中間層。不必調查耐鹼性，於光阻劑剥離工序（圖3 F)，1丁〇 被覆膜1 0 5發生異常。又，中間層成膜時之有機保護膜1 0 3 之削減量為6 1 nm，於有機保護膜1 03表面所見最多之結 合為C -〇結合。 以上的比較例1〜6的結果表示，於中間層成膜時之有 機保護膜1 0 3的削減量大，又，於有機保護膜1 0 3表面變成 -23 -

594227 C-Ν結合或者C-〇結合之情形下，耐鹼性低，容易發生ΙΤ〇 被覆膜1 〇 5之剥離。 表1顯示了上述本實施例1〜4及比較例1〜4的結果。 由以上之實施例1〜7的結果可以明白，於做成2層構造 之中間層的情形下，藉由將第1層之中間層（中間層l〇4a) 用Ar為導入氣體濺鍍，使得有機保護膜1 0 3表面之結合成 為C - C結合，並使中間層成膜時之有機保護膜1 0 3的削減 量減少時，可使耐鹼性提升，並防止ITO被覆膜1 05的剥 離。特別是，於第2層中間層（中間層104b)成膜耐鹼性高 之金屬氧化物或金屬氮化物的情形下，能夠得到非常佳的 耐鹼性。又，從實施例1及實施例2的結果來看，即使於中 間層僅有1層的情形下，當有機保護膜1 03表面變成難溶於 鹼之C - C結合般之結合，中間層成膜時之有機保護膜1 0 3 的削減量為小，中間層為難溶於鹼之材料的情形下，亦 可得到具有較高耐鹼性及密著性之附有ITO被覆膜之基 板。 產業上之利用性 如以上所詳細說明的，藉由本發明之第1種形態之附有 ITO被覆膜之基板及其製造方法，由於第1中間層係於有 機保護膜的表面藉由使用Ar之高頻濺鍍法成膜的原故， 有機保護膜的表面變成了極性低的C - C結合，因此能夠形 成難以溶解於鹼之有機保護膜，又，於此成膜時所發生之 電漿，係為不易產生因電漿造成之有機保護膜分解之Ar 電漿之故，有機保護膜的削減量變小，於第1中間層，碳 -24- 594227 (20) 蚕明說明績F: 素等之有機保護膜的成分被吸收，使得易於遭鹼侵蝕的情 形得以防止，進一步，由於第1中間層係包含難以溶解於 鹼之金屬氧化物，並且第2中間層係包含難以溶解於鹼之 金屬氧化物或金屬氮化物之故，自然中間層變得難以被鹼 溶解，由於鹼變得難以浸透中間層，故防止了有機保護膜 被驗侵#，此般結果，可以得到对鹼性及密著性佳之基 板0

於第1種形態之附有ITO被覆膜之基板及其製造方法中 ，使用Ta2〇5做為第1中間層的金屬氧化物後，能夠確實地 使第1中間層難溶於鹼。又，由於第1中間層之構成元素 S i與有機保護膜之主要構成元素碳等具有相近之化學性 質，故容易做成強的結合，其結果使得第1中間層與有機 保護膜之密著性得以提升。 於第1種形態之附有1丁〇被覆膜之基板及其製造方法中 ，使用Ta2〇5做為第1中間層的金屬氧化物後，能夠確實地

使第1中間層難溶於鹼。 於第1種形態之附有1丁〇被覆膜之基板及其製造方法中 ，使用Si〇x做為第2中間層的金屬氧化物後，能夠確實地 使第2中間層難溶於鹼。 於第1種形態之附有IT 0被覆膜之基板及其製造方法中 ，使用Ta2〇5做為第2中間層的金屬氧化物後，能夠確實地 使第2中間層難溶於鹼。 於第1種形態之附有ITO被覆膜之基板及其製造方法中 ，使用SiNx做為第2中間層的金屬氮化物後，能夠確實地 -25 - 594227

奈曰月說外續頁: »、·*»、、·0、'、、、、、 使第2中間層難溶於鹼。 如藉由本發明之第2種形態之附有ITO被覆 其製造方法，由於中間層係於有機保護膜之 A r之高頻濺鍍法成膜的原故，有機保護膜的 極性低的C - C結合，因此能夠成膜難以溶解於 護膜，又，於此成膜時所發生之電漿，係為不 漿造成之有機保護膜分解之Ar電漿之故，有 削減量變小，於中間層，碳素等之有機保護膜 收，使得易於遭鹼侵蝕的情形得以防止，進一 間層係包含難以溶解於鹼之金屬氧化物，自然 難以被鹼溶解，由於鹼變得難以浸透中間層， 機保護膜被鹼侵蝕，此般結果，即使於所形成 為1層構造而非2層構造之情形下，亦可得到具 性及密著性之附有ITO被覆膜之基板。 於第2種形態之附有ITO被覆膜之基板及其 ，使用Si〇2做為第1中間層的金屬氧化物後， 使中間層難溶於鹼。又，由於中間層之構成元 保護膜之主要構成元素碳等具有相近之化學h 做成強的結合，其結果使得中間層與有機保護 得以提升。 於第2種形態之附有ITO被覆膜之基板及其 ，使用Ta2〇5做為中間層的金屬氧化物後，能 中間層難溶於鹼。 膜之基板及 表面以使用 表面變成了 鹼之有機保 易產生因電 機保護膜的 的成分被吸 步，由於中 中間層變得 故防止了有 之中間層僅 有較高耐鹼 製造方法中 能夠確實地 素Si與有機 L質，故容易 膜之密著性 製造方法中 夠確實地使 -26-

Claims (1)

1. 594227 ..........-第稱weyo號專利申請案 中文申請j1 h

   莉麗圍替換'利 公 本I 4月） 拾、申讀專朴箭箭 1. 一種附有ΙΤΟ被覆膜之基板，其係包含：玻璃基板；彩 色濾光片，其係成膜於前述玻璃基板表面者；有機保 護膜，其係成膜於前述彩色濾、光片表面者；中間層， 其係成膜於前述有機保護膜表面者；及ΙΤΟ被覆膜，其 係成膜於前述中間層表面者， 其特徵在於前述中間層係包含： 第1中間層，其係於前述有機保護膜表面，藉由使用 馨 Ar為導入氣體之高頻濺鍍法成膜，且包含難溶於鹼之 金屬氧化物者；及 第2中間層，其係成膜於前述第1中間層表面，且包 含難溶於驗之金屬氧化物或金屬氮化物者。 2·如申請專利範圍第1項之附有ITO被覆膜之基板，其中 前述第1中間層之金屬氧化物係Si02。 3·如申請專利範圍第1項之附有ITO被覆膜之基板，其中 前述第1中間層之金屬氧化物係Ta205。 _ 4·如申請專利範圍第1至第3項中任一項之附有IT〇被覆 膜之基板，其中前述第2中間層之金屬氧化物係Si〇x。 5·如申請專利範圍第1至第3項中任一項之附有ITO被覆 膜之基板，其中前述第2中間層之金屬氧化物係Ta2〇5。 6. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之附有ITO被覆 膜之基板，其中前述第2中間層之金屬氧化物係SiNx。 7. —種附有ITO被覆膜之基板，其係包含：玻璃基板；彩 色濾光片，其係成膜於前述玻璃基板表面者；有機保 594227

   護膜，其係成膜於前述彩色濾·光片表面者；中間層， 其係成膜於前述有機保護膜表面者；及ITO被覆膜，其 係成膜於前述中間層表面者， 其特徵在於前述中間層係於前述有機保護膜之表面 ，藉由使用Ar為導入氣體之高頻濺鍍法成膜，且包含 難溶於鹼之金屬氧化物，其中前述中間層之金屬氧化 物係 Si02* Ta205。

   8. —種附有ITO被覆膜之基板之製造方法，其係包含：玻 璃基板；彩色濾光片成膜工序，其係將彩色濾光片成 膜於該玻璃基板之表面者；有機保護膜成膜工序，其 係將有機保護膜成膜於前述彩色濾光片之表面者；中 間層成膜工序，其係將中間層成膜於前述有機保護膜 表面者；及ITO被覆膜成膜工序，其係將ITO被覆膜成 膜於前述中間層表面者， 其特徵在於前述中間層成膜工序係包含：

   第1中間層成膜工序，其係於前述有機保護膜表面， 藉由使用Ar為導入氣體之高頻濺鍍法成膜第一中間層 ，該第1中間層係包含難溶於鹼之金屬氧化物；及 第2中間層成膜工序，其係於前述第一中間層之表面 ，藉由使用其他之高頻濺鍍法成膜第2中間層，該第2 中間層係包含難溶於驗之金屬氧化物或金屬氮化物。 9. 如申請專利範圍第8項記載之製造方法，其中前述高頻 濺鍍法係，使用Si〇2為標靶。 10.如申請專利範圍第8項記載之製造方法，其中前述高頻

   594227 減：鍛法係，使用T a 2 〇 5為標把。 11. 如申請專利範圍第8至第1 0項中任一項所記載之製造 方法，其中前述其他之高頻濺鍍法係，使用S i為標靶 ，以N2為導入氣體之反應性濺鍍法。 12. 如申請專利範圍第8至第1 0項中任一項所記載之製造 方法，其中前述其他之高頻濺鍍法係，使用Si為標靶 ，以〇2為導入氣體之反應性濺鍍法。 13. 如申請專利範圍第8至第1 0項中任一項所記載之製造 方法，其中前述其他之高頻濺鍍法係，使用Ta2〇5為標 靶，以Ar為導入氣體。 14. 一種附有ITO被覆膜之基板之製造方法，其係包含：彩 色濾光片成膜工序，其係將彩色滤光片成膜於玻璃基 板之表面者；有機保護膜成膜工序，其係將有機保護 膜成膜於前述彩色濾光片之表面者；中間層成膜工序 ，其係將中間層成膜於前述有機保護膜表面者；及ITO 被覆膜成膜工序，其係將IT〇被覆膜成膜於前述中間層 表面者， 其特徵在於前述中間層成膜工序係於前述有機保護 膜之表面，藉由使用Ar為導入氣體之高頻濺鍍法成膜 中間層，該中間層係包含難溶於鹼之金屬氧化物，其 中前述高頻濺鍍法係，使用Si〇2* Ta2〇5為標靶。 594227 第091115190號專利申請案 中文圖式替換頁(93年4月） ㈧ ⑼ (C) (D) (E) :(((-乂ϋ.( / / JT7 / 2^/^/ y / ^ y ^ jr 106 105 105104103 V >VV ^-r>^vV»-7>7V^ l R llG fl B ll R ίΓάΊΓΒ 107 106 105 100 *h v R IIG irB il RB H00

   594227 第091115190號專利申請案 中文圖式替換頁(93年4月）

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