JP5564928B2 - Dlts測定用電極及びその製造方法 - Google Patents
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Description
チョクラルスキー法により育成されたp型のシリコンウェーハ(抵抗:10Ωcm)にチタンを故意汚染した後、短冊状に切り出すことによって複数のシリコン基板サンプルを用意した。次に、シリコン基板サンプルの表面をフッ酸処理することにより、自然酸化膜を除去し、さらに純水で洗浄した後、チタンからなる密着膜及びアンチモンからなるショットキー電極をこの順に蒸着した。密着膜の膜厚は5nm、ショットキー電極の膜厚は500nmとした。これにより、実施例1のDLTS測定用電極が完成した。
チョクラルスキー法により育成されたp型のシリコンウェーハ(抵抗:10Ωcm)に故意汚染などを施すことなく、短冊状に切り出すことによって複数のシリコン基板サンプルを用意した。次に、シリコン基板サンプルの表面をフッ酸処理することにより、自然酸化膜を除去し、さらに純水で洗浄した後、チタンからなる密着膜及びアンチモンからなるショットキー電極をこの順に蒸着した。密着膜の膜厚は5nm、ショットキー電極の膜厚は500nmとした。これにより、実施例2のDLTS測定用電極が完成した。
密着膜の材料として、チタンの代わりに鉛を用いた他は、実施例2と同様にして実施例3のDLTS測定用電極を複数個作製し、DLTS測定を行った。結果を図7(a)〜(d)に示す。図7(a)〜(d)は、互いに異なるサンプルの測定結果である。図7(a)〜(d)に示すように、実施例3のDLTS測定用電極を用いた場合も測定結果は概ねフラットであった。但し、サンプルによってはDLTS測定における温度掃引の途中で、電極の剥離に起因すると思われるノイズ成分が観測された(図7(c))。
密着膜を省略した他は、実施例2と同様にして実施例4のDLTS測定用電極を複数個作製し、DLTS測定を行った。結果を図8に示す。図8(a)に示すように、実施例4のDLTS測定用電極を用いた場合、大部分のサンプルにおいて測定結果は概ねフラットであった。但し、図8(b)に示すように、サンプルによってはDLTS測定における温度掃引の途中で、電極の剥離に起因すると思われるノイズ成分が検出される場合があることも確認された。
10a シリコン基板の表面
10b シリコン基板の裏面
12 DLTS測定用電極
12a ショットキー電極
12b 密着膜
14 裏面電極
16 測定回路
Claims (6)
- 絶縁膜が除去されたシリコン基板の表面に形成されたDLTS測定用電極であって、アンチモン(Sb)からなるショットキー電極を備えることを特徴とするDLTS測定用電極。
- 前記シリコン基板と前記ショットキー電極との間に設けられた導電性の密着膜をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のDLTS測定用電極。
- 前記密着膜がチタン(Ti)からなることを特徴とする請求項2に記載のDLTS測定用電極。
- シリコン基板の表面に形成された絶縁膜を除去する工程と、
前記絶縁膜が除去された前記シリコンウェーハの表面に、アンチモン(Sb)からなるショットキー電極を形成する工程と、を備えることを特徴とするDLTS測定用電極の製造方法。 - 前記絶縁膜を除去した後、前記ショットキー電極を形成する前に、導電性の密着膜を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載のDLTS測定用電極の製造方法。
- 前記密着膜がチタン(Ti)からなることを特徴とする請求項5に記載のDLTS測定用電極の製造方法。
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