KR100880778B1 - Ｉｔｏ 피막 부착 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

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니혼 이타가라스 가부시키가이샤
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Abstract

내알칼리성 및 밀착성이 우수한 ITO 피막 부착 기판이 제공된다. ITO 피막 부착 기판은 글래스 기판(101)의 표면에 아래로부터 순차로 컬러 필터(102), 유기 보호막(103), 중간층(104a, 104b), 및 전극 패턴이 패터닝된 ITO 피막(105)이 적층된 구조를 취한다. 중간층(104a)은 유기 보호막(103)의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 성막되고, 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지고, 중간층(104b)은 반응성 스퍼터링법 또는 고주파 스퍼터링법에 의해 성막되고, 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어진다.

Description

ＩＴＯ 피막 부착 기판 및 그 제조방법{Substrate with ITO coating film and manufacture thereof}
본 발명은 산화주석 함유 산화인듐(이하, 「ITO」라고 한다.) 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 컬러 액정 디스플레이의 액정표시소자로서 사용되는 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래부터, 컬러 액정 패널 등에 사용되는 액정표시소자로서, 산화주석 함유 산화인듐(이하, 「ITO」라고 한다.) 피막 부착 기판이 이용되고 있다.
일반적인 ITO 피막 부착 기판은 글래스 기판의 표면상에 아래로부터 순차로 컬러 필터, 유기 보호막, 및 ITO 피막이 적층된 구조를 취한다.
기판 표면에 적층된 ITO 피막은 기판의 전극으로서 기능하는 것으로, 그 전극 패턴은 통상 포토리소그래피법에 의해 형성된다. 포토리소그래피법에서는 기판상의 ITO 피막에 전극 패턴을 강산을 사용하여 패터닝하고, 그 후 패터닝에서 사용한 레지스트를 강알칼리를 사용하여 박리해야 하기 때문에, 이 2공정에서 사용되는 강산이나 강알칼리에 의해 ITO 피막이 기판으로부터 박리하는 것을 방지할 수 있도록, 기판에는 내약품성 및 밀착성이 요구된다. 이 때문에 종래부터, ITO 피막과 유 기 보호막의 밀착성을 향상시키기 위해, ITO 피막 및 유기 보호막 사이에 중간층으로서 SiO2 막을 고주파 스퍼터링법에 의해 성막하고 있다.
또한, 종래의 SiO2 막으로 이루어지는 중간층을 사용한 기판은 내약품성, 특히 내알칼리성이 낮다는 문제점을 갖는데, 이 문제점을 해결하는 성막방법으로서, ITO 피막과 유기 보호층 사이에 SiNx 등의 금속 질화물 막을 개재시키고, 또한 이 금속 질화물 막과 ITO 피막 사이에 SiOx 등의 금속 산화물 막을 개재시키는 방법이 개시되어 있다(일본국 특개평 6-148618호 공보).
그러나, 확실히, 일본국 특개평 6-148618호 공보에 개시되어 있는 방법은 기판의 내알칼리성을 향상시킬 수 있는 것이기는 하지만, 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 O2를 사용한 반응성 스퍼터링법에 의해 중간층으로서 SiOx막을 형성하는 데에만 유효한 수법이고, 종래부터 중간층으로서 사용되고 있는 고주파 스퍼터링법에 의해 SiO2 막을 형성하는 데에는 유효한 수법이 아니다. 이와 같이, 이 종래 방법에서는 일반적으로 반응성 스퍼터링법보다도 밀착성이 높은 막을 형성할 수 있는 고주파 스퍼터링법을 이용할 수 없다. 이 때문에, 종래 중간층으로서 사용되고 있는 SiO2 막에 비하여 밀착성이 악화된다는 문제가 있었다.
또한, 이 종래의 성막방법에 의해 얻어지는 기판의 내알칼리성에 관해서도 상기 요구 특성을 충분히 만족시킨 특성이라고는 할 수 없다.
본 발명의 목적은 내알칼리성 및 밀착성이 우수한 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판은, 글래스 기판과, 이 글래스 기판의 표면에 성막된 컬러 필터와, 상기 컬러 필터의 표면에 성막된 유기 보호막과, 상기 유기 보호막의 표면에 성막된 중간층과, 상기 중간층의 표면에 성막된 ITO 피막을 구비하는 ITO 피막 부착 기판으로서, 상기 중간층은, 상기 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 성막되고, 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 제 1 중간층과, 상기 제 1 중간층의 표면에 성막되고, 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어지는 제 2 중간층을 포함하며, 상기 유기 보호막의 표면은 C-C 결합을 갖는다.
제 1 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판에 있어서, 상기 제 1 중간층의 금속 산화물이 SiO2인 것이 바람직하다.
또는, 상기 제 1 중간층의 금속 산화물이 Ta2O5인 것이 바람직하다.
제 1 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판에 있어서, 상기 제 2 중간층의 금속 산화물이 SiOx인 것이 바람직하다.
또는, 상기 제 2 중간층의 금속 산화물이 Ta2O5인 것이 바람직하다.
또는, 상기 제 2 중간층의 금속 질화물이 SiNx인 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 2 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판은, 글래스 기판과, 이 글래스 기판의 표면에 성막된 컬러 필터와, 상기 컬러 필터의 표면에 성막된 유기 보호막과, 상기 유기 보호막의 표면에 성막된 중간층과, 상기 중간층의 표면에 성막된 ITO 피막을 구비하는 ITO 피막 부착 기판으로서, 상기 중간층은, 상기 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 성막되고, 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지며, 상기 유기 보호막의 표면은 C-C 결합을 갖는다.
제 2 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판에 있어서, 상기 중간층의 금속 산화물이 SiO2인 것이 바람직하다.
또는, 상기 중간층의 금속 산화물이 Ta2O5인 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판의 제조방법은, 글래스 기판의 표면에 컬러 필터를 성막하는 컬러 필터 성막 공정과, 상기 컬러 필터의 표면에 유기 보호막을 성막하는 유기 보호막 성막 공정과, 상기 유기 보호막의 표면에 중간층을 성막하는 중간층 성막 공정과, 상기 중간층의 표면에 ITO 피막을 성막하는 ITO 피막 성막 공정을 갖는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법으로서, 상기 중간층 성막 공정은, 상기 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 로 이루어지는 제 1 중간층을 성막하는 제 1 중간층 성막 공정과, 상기 제 1 중간층의 표면에 다른 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어지는 제 2 중간층을 성막하는 제 2 중간층 성막 공정을 가지며, 상기 유기 보호막의 표면은 C-C 결합을 갖는다.
제 1 형태에 관한 제조방법에 있어서, 상기 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 SiO2를 사용하는 것을 특징으로 한다.
또는, 상기 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 Ta2O5를 사용하는 것이 바람직하다.
제 1 형태에 관한 제조방법에 있어서, 상기 다른 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 Si를 사용하고, 도입 가스로서 N2를 사용한 반응성 스퍼터링법인 것이 바람직하다.
또는, 상기 다른 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 Si를 사용하고, 도입 가스로서 O2를 사용한 반응성 스퍼터링법인 것이 바람직하다.
또는, 상기 다른 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 Ta2O5를 사용하고, 도입 가스로서 Ar를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 2 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판의 제조방법은, 글래스 기판의 표면에 컬러 필터를 성막하는 컬러 필터 성막 공정과, 상기 컬러 필터의 표면에 유기 보호막을 성막하는 유기 보호막 성막 공정과, 상기 유기 보호막의 표면에 중간층을 성막하는 중간층 성막 공정과, 상기 중간층의 표면에 ITO 피막을 성막하는 ITO 피막 성막 공정을 갖는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법으로서, 상기 중간층 성막 공정은, 상기 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 중간층을 성막하며, 상기 유기 보호막의 표면은 C-C 결합을 갖는다.
제 2 형태에 관한 제조방법에 있어서, 상기 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 SiO2를 사용하는 것이 바람직하다.
또는, 상기 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 Ta2O5를 사용하는 것이 바람직하다.
이상, 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 제 1 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 의하면, 제 1 중간층이 유기 보호막의 표면에 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 성막되기 때문에, 유기 보호막의 표면이 극성이 낮은 C-C 결합으로 되어, 알칼리에 용해하기 어려운 유기 보호막을 성막할 수 있고, 또한 이 성막시에 발생하는 플라스마가 플라스마에 의한 유기 보호막의 분해가 생기기 어려운 Ar 플라스마이기 때문에, 유기 보호막의 삭제량이 작아지고, 제 1 중간층에 카본 등의 유기 보호막의 성분이 도입되어 알칼리에 침식되기 쉬워지는 것을 방지할 수 있고, 또한, 제 1 중간층이 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어짐과 동시에, 제 2 중간층이 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질 화물로 이루어지기 때문에, 중간층이 알칼리에 의해 용해하기 어려워지는 것은 물론이고, 알칼리가 중간층을 침투하기 어려워짐으로써, 유기 보호막이 알칼리에 의해 침식되는 것을 방지하며, 이들 결과, 내알칼리성 및 밀착성이 우수한 ITO 피막 부착 기판을 얻을 수 있다.
제 1 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 있어서, 제 1 중간층의 금속 산화물로서 SiO2를 사용하면, 제 1 중간층을 확실히 알칼리에 용해하기 어렵게 할 수 있다. 또한, 제 1 중간층의 구성원소인 Si와 유기 보호막의 주된 구성원소인 카본이 화학적으로 가까운 성질을 갖기 때문에, 강한 결합을 만들기 쉽고, 그 결과 제 1 중간층과 유기 보호막의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
제 1 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 있어서, 제 1 중간층의 금속 산화물로서 Ta2O5를 사용하면, 제 1 중간층을 확실히 알칼리에 용해하기 어렵게 할 수 있다.
제 1 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 있어서, 제 2 중간층의 금속 산화물로서 SiOx를 사용하면, 제 2 중간층을 확실히 알칼리에 용해하기 어렵게 할 수 있다.
제 1 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 있어서, 제 2 중간층의 금속 산화물로서 Ta2O5를 사용하면, 제 2 중간층을 확실히 알칼리에 용해하기 어렵게 할 수 있다.
제 1 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 있어서, 제 2 중간 층의 금속 질화물로서 SiNx를 사용하면, 제 2 중간층을 확실히 알칼리에 용해하기 어렵게 할 수 있다.
본 발명의 제 2 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 의하면, 중간층이 유기 보호막의 표면에 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 성막되기 때문에, 유기 보호막의 표면이 극성이 낮은 C-C 결합으로 되어, 알칼리에 용해하기 어려운 유기 보호막을 성막할 수 있고, 또한 이 성막시에 발생하는 플라스마가 플라스마에 의한 유기 보호막의 분해가 생기기 어려운 Ar 플라스마이기 때문에, 유기 보호막의 절삭량이 작아지고, 중간층에 카본 등의 유기 보호막의 성분이 도입되어 알칼리에 침식되기 쉬워지는 것을 방지할 수 있고, 또한 중간층이 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지기 때문에, 알칼리에 의해 중간층이 용해하기 어려워지는 것은 물론이고, 알칼리가 중간층을 침투하기 어려워지기 때문에, 유기 보호막이 알칼리에 의해 침식되는 것을 방지하고, 이들 결과, 중간층이 2층 구조가 아니고 1층 구조의 중간층이 형성된 경우이어도 비교적 높은 내알칼리성 및 밀착성을 갖는 ITO 피막 부착 기판을 얻을 수 있다.
제 2 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 있어서, 중간층의 금속 산화물로서 SiO2를 사용하면, 중간층을 확실히 알칼리에 용해하기 어렵게 할 수 있다. 또한, 중간층의 구성원소인 Si와 유기 보호막의 주된 구성원소인 카본이 화학적으로 가까운 성질을 갖기 때문에, 강한 결합을 만들기 쉽고, 그 결과 중간층과 유기 보호막의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
제 2 형태에 관한 ITO 피막 부착 기판 및 그 제조방법에 있어서, 중간층의 금속 산화물로서 Ta2O5를 사용하면, 중간층을 확실히 알칼리에 용해하기 어렵게 할 수 있다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 행한 결과, ITO 피막 부착 기판의 내알칼리성과 밀착성을 향상시키기 위해, ITO 피막과 유기 보호막사이에 개재하는 중간층에 착안하였다.
즉, 본 발명자는 글래스 기판의 표면에 성막된 컬러 필터와, 컬러 필터의 표면에 성막된 유기 보호막과, 유기 보호막의 표면에 성막된 중간층과, 중간층의 표면에 성막된 ITO 피막을 구비하는 ITO 피막 부착 기판에 있어서, 중간층은 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 성막되고, 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 제 1 중간층과, 제 1 중간층의 표면에 성막되고, 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어지는 제 2 중간층을 포함하면, 제 1 중간층이 유기 보호막의 표면에 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 성막되기 때문에, 유기 보호막의 표면이 극성이 낮은 C-C 결합으로 이루어지므로, 알칼리에 용해하기 어려운 유기 보호막을 성막할 수 있고, 또한, 이 성막시에 발생하는 플라스마가 플라스마에 의한 유기 보호막의 분해가 일어나기 어려운 Ar 플라스마이기 때문에, 유기 보호막의 절삭량이 작아져, 제 1 중간층에 카본 등의 유기 보호막의 성분이 도입되어 알칼리에 침식되기 쉬워지는 것을 방지할 수 있고, 또한 제 1 중간층이 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어짐과 동시에, 제 2 중간층이 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어지기 때문에, 알칼리에 의해 중간층이 용해하기 어려워지는 것은 물론이고, 알칼리가 중간층을 침투하기 어렵워지기 때문에, 유기 보호막이 알칼리에 의해 침식되는 것을 방지하고, 그 결과, 내알칼리성 및 밀착성이 우수한 ITO 피막 부착 기판을 얻을 수 있다는 것을 알아냈다.
또한, 본 발명자는 2층 구조의 중간층을 1층 구조로서 형성해도 비교적 높은 내알칼리성 및 밀착성을 갖는 ITO 피막 부착 기판을 얻을 수 있다는 것을 알아냈다.
또한, 본 발명자는 글래스 기판의 표면에 컬러 필터를 성막하는 컬러 필터 성막 공정과, 컬러 필터의 표면에 유기 보호막을 성막하는 유기 보호막 성막 공정과, 유기 보호막의 표면에 중간층을 성막하는 중간층 성막 공정과, 중간층의 표면에 ITO 피막을 성막하는 ITO 피막 성막 공정을 갖는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법에 있어서, 중간층 성막 공정은 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 제 1 중간층을 성막하는 제 1 중간층 성막 공정과, 제 1 중간층의 표면에 다른 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어지는 제 2 중간층을 성막하는 제 2 중간층 성막 공정을 가지면, 중간층 성막 공정은 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 제 1 중간층을 성막 하는 제 1 중간층 성막 공정과, 제 1 중간층의 표면에 다른 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어지는 제 2 중간층을 성막하는 제 2 중간층 성막 공정을 갖기 때문에, 내알칼리성 및 밀착성이 우수한 ITO 피막 부착 기판을 제조할 수 있다는 것을 알아냈다.
또한, 본 발명자는 중간층이 2층 구조가 아니라, 1층 구조로 중간층이 형성된 경우이어도 비교적 높은 내알칼리성을 갖는 ITO 피막 부착 기판을 제조할 수 있다는 것을 알아냈다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관한 ITO 피막 부착 기판의 구성을 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 ITO 피막 부착 기판의 단면도이다.
도 1에 있어서, ITO 피막 부착 기판(100)은 글래스 기판(101), RGB의 3개의 화소로 이루어지는 컬러 필터(102), 컬러 필터(102)의 화소에 의해 생기는 오목볼록을 평탄화함과 동시에 컬러 필터(102)의 표면을 보호하는 유기 보호막(103), 중간층(104a, 104b)으로 이루어지는 중간층(104), 및 후술하는 도 3a 내지 도 3f의 방법에 의해 전극 패턴이 패터닝된 ITO 피막(105)으로 이루어지고, 이들은 아래로부터 순차로, 글래스 기판(101), 컬러 필터(102), 유기 보호막(103), 중간층(104), 및 ITO 피막(105)이 적층된 구조를 취한다.
도 2는 도 1의 ITO 피막 부착 기판(100)의 제조 공정의 플로 챠트이다.
우선, 글래스 기판(101)의 표면에 컬러 필터(102)를 성막하고(공정 P100), 다음에 컬러 필터(102)의 표면에 유기 보호막(103)을 성막한다(공정 P101).
그 후, 후술하는 방법에 의해, 우선 유기 보호막(103)의 표면에 중간층(104a)을 성막하고(공정 P102), 다음에 중간층(104a)의 표면에 중간층(104b)을 성막함으로써(공정 P103), 2층 구조의 중간층(104)을 형성한다.
최후에, 중간층(104b)의 표면에 ITO 피막(105)을 성막하고(공정 P104), 후술하는 도 3a 내지 도 3f의 전극 패턴을 ITO 피막(105)에 패터닝하여(공정 P105), 본 처리를 종료한다.
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 공정 P105에 있어서의 ITO 피막(105)의 전극 패턴의 패터닝 방법의 설명도이고, 각 공정에서의 ITO 피막 부착 기판(100)의 단면도이다.
ITO 피막(105)의 전극 패턴은 이하의 포토리소그래피법에 의해 형성된다.
우선, 도 1의 기판(100; 도 3a)의 ITO 피막(105)에 레지스트(106)를 도포한 후(도 3b), 도포된 레지스트(106) 표면에 마스크(107)로 전극 패턴을 마스킹한 후, 광(hν)으로 노광한다(도 3(도 3c)).
다음에, 기판(100)을 현상액에 담금으로써, 레지스트(106)의 감광 부분을 박리하고(도 3d), 레지스트(106)에 패터닝된 전극 패턴을 강산을 사용하여, ITO 피막(105)에 패터닝한다(도 3e).
그 후, 기판(100)을 강알칼리액에 침지하여, ITO 피막(105) 표면에 도포된 레지스트(106)를 박리한다(레지스트 박리 공정)(도 3f).
레지스트 박리 공정에서 기판(100)을 알칼리액에 침지할 때, 기판(100)의 내알칼리성이 저하하여, ITO 피막(105)은 기판(100)으로부터 박리하기 쉬운(밀착성이 저하하는) 것이 경험상 알려져 있다.
알칼리에 기판(100)을 침지하였을 때에 기판(100)의 내알칼리성이 저하하는 원인은 ITO 피막(105)과 중간층(104) 계면 근방에 있어서, 중간층(104)이 알칼리액에 용해하는 것에 의한 것(도 4a), 알칼리액이 중간층(104)에 침투하여, 중간층(104)과 유기 보호막(103)의 계면 근방에 있어서, 중간층(104)이 용해하는 것에 의한 것(도 4b), 알칼리액이 중간층(104)에 침투하여, 중간층(104)과 유기 보호막(103)의 계면 근방에 있어서, 유기 보호막(103)이 알칼리액에 용해하는 것에 의한 것(도 4 c), 및 이들 원인의 복합이다.
이들 기판(100)의 내알칼리성의 저하 원인의 발생을 방지하기 위해, ITO 피막(105)과 유기 보호막(103) 사이에 적층하는 중간층(104a, 104b)은 이하의 성막요건에서 스퍼터링하는 것이 바람직하다. 이하, 중간층(104a, 104b)의 바람직한 성막 조건을 설명한다.
1) 중간층(104a)의 성막 조건
1)-1 유기 보호막(103) 표면이 알칼리액에 용해하기 어려운 결합이 되는 것.
중간층(104a) 성막후의 유기 보호막(103) 표면은 그 결합에 의해 알칼리액에로의 용해성이 다르고, C-C 결합, C-N 결합, C-O 결합에 있어서는 극성이 작은 순서, 요컨대 C-C 결합 > C-N 결합 > C-O 결합의 순으로 알칼리액에 용해하기 어렵다.
유기 보호막(103)의 표면의 결합에 관해서 설명하면, 성막후에 중간층(104a)을 제거하여, X선 광전자 분광법(XPS)으로 유기 보호막(103)의 표면을 평가한 결 과, 스퍼터링을 행할 때의 도입 가스로서 Ar를 사용하였을 때는 Ar 플라스마가 발생하기 때문에, 유기 보호막(103)의 표면은 C-C 결합이 많아지고, 도입 가스로서 N2를 사용하였을 때는 N2 플라스마가 발생하기 때문에, 유기 보호막(103)의 표면은 C-N 결합이 많아지며, 도입 가스로서 O2를 사용하였을 때는 O2 플라스마가 발생하기 때문에, 유기 보호막(103)의 표면은 C-O 결합이 많아지는 것을 알았다. 따라서, 중간층 제 1 층의 성막에는 도입 가스로서 Ar를 사용하는 것이 바람직하다.
1)-2 중간층(104a)의 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량이 작은 것.
유기 보호막(103) 표면에 중간층을 성막할 때, 플라스마에 의해 유기 보호막(103)은 분해된다. 분해에 의해서 유기 보호막(103)의 절삭량이 커지면, 성막한 중간층(104a)에는 카본 등의 유기 보호막(103)의 성분이 많이 도입되어, 알칼리에 침식되기 쉬워진다. Ar, N2, O2 플라스마 중, 유기 보호막(103)의 절삭량은 N2, O2 플라스마를 사용하는 경우에 커지고, Ar 플라스마를 사용하는 경우에 작아진다. 따라서, 중간층(104a)의 성막에는 Ar 플라스마를 사용하는 것이 바람직하다.
1)-3 중간층(104a)은 알칼리에 용해하기 어려운 재료로 이루어지는 것.
알칼리에 의해 중간층(104a) 자체가 용해하기 어렵게 되는 것은 물론이고, 알칼리가 중간층(104a)을 침투하기 어렵게 되기 때문에, 유기 보호막(103)의 알칼리에 의한 침식을 방지할 수 있다.
일반적으로 중간층의 재료로서 사용되고 있는 SiNx + SiOx, TiO2 보다도 알칼 리에 용해하기 어려운 특성을 갖는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 SiO2, Ta2O5 등의 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
1)-4 중간층(104a)으로서 기판(100)에 성막되는 막은 산화규소 막인 것.
산화규소(SiOx) 막의 Si는 유기 보호막(103)의 주된 구성원소인 카본과 화학적으로 가까운 성질을 갖고 있기 때문에, 유기 보호막(103)과 강한 결합을 만들기 쉽다. 따라서, 중간층(104a)에 산화규소 막을 사용하면 강한 밀착성이 얻어진다.
1)-5 기타
예컨대, 타겟으로서 Ta2O5, 도입 가스로서 Ar를 사용하여 고주파 스퍼터링법에 의해 성막한 Ta2O5 막을 중간층(104a)으로 한 경우, 1)-1부터 1)-3까지의 특성을 충족하고 있기 때문에 비교적 높은 내알칼리성 및 밀착성을 갖는 기판(100)이 얻어진다.
2) 중간층(104a) 상에 성막된 중간층(104b)의 성막 조건
2)-1 중간층(104b)은 알칼리에 용해하기 어려운 재료로 이루어지는 것.
알칼리에 의해 중간층(104b)이 용해하기 어려워지는 것은 물론이고, 알칼리가 중간층(104b)을 침투하기 어려워지기 때문에, 중간층(104a)이나 유기 보호막(103)의 알칼리에 의한 침식을 방지할 수 있다.
일반적으로 사용되고 있는 SiNx + SiOx, TiO2 보다도 알칼리에 용해하기 어려운 특성을 갖는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, SiOx, SiNx, Ta2O5 등의 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
2)-2 중간층(104b)으로서 기판(100)에 성막되는 막의 성분은 ITO 피막(105)과 화학적으로 가까운 것.
중간층(104b)과 ITO 피막(105)의 밀착성을 고려하면, 화학적으로 가까운 성질을 갖고 있는 물질쪽이 바람직하다. 또한, 중간층(104b)은 중간층(104a) 위에 성막하기 때문에, 유기 보호막(103)에로의 작용을 고려할 필요는 없다.
이상의 조건을 충족시키기 위해, 도 2의 공정(P102)에 있어서는 유기 보호막(103)의 표면에 도입 가스로서 Ar, 타겟으로서 SiO2나 Ta2O5 등을 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해, SiO2나 Ta2O5 등의 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 중간층(104a)을 성막한다.
또한, 도 2의 공정(P103)에 있어서는 중간층(104a)의 표면에 도입 가스로서 N2나 O2, 타겟으로서 Si를 사용한 반응성 스퍼터링법에 의해, SiNx나 SiOx 등의 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어지는 중간층(104b)을 성막하거나, 또는 중간층(104a)의 표면에 도입 가스로서 Ar, 타겟으로서 Ta2O5 등을 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해, Ta2O5 등의 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 중간층(104b)을 성막한다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 중간층(104)은 2층 구조이지만, 상기 특성, 즉, 내알칼리성 및 밀착성의 저하 원인의 발생을 방지할 수 있는 특성을 갖는 경우 는 1층 구조이어도 된다.
이하, 중간층이 1층 구조인 경우의 본 발명의 실시형태에 관한 ITO 피막 부착 기판의 변형예를 기술한다.
도 5는 본 변형예에 관한 ITO 피막 부착 기판(100')의 단면도이다.
도 5에 있어서, 본 변형예에 관한 ITO 피막 부착 기판(100')은 글래스 기판(101), RGB의 3개의 화소로 이루어지는 컬러 필터(102), 컬러 필터(102)의 화소에 의해 생기는 오목볼록을 평탄화하는 동시에, 컬러 필터(102)의 표면을 보호하는 유기 보호막(103), 중간층(104'), 및 도 3a 및 도 3b의 방법에 의해 전극 패턴이 패터닝된 ITO 피막(105)으로 이루어진다.
기판(100')은 글래스 기판(101)의 표면에 아래로부터 순차로 컬러 필터(102), 유기 보호막(103), 중간층(104'), 및 ITO 피막(105)이 적층된 구조를 취한다.
도 5의 ITO 피막 부착 기판(100')의 제조공정은 도 2의 제조공정에 준한다. 단, 공정(P102, P103)은 유기 보호막(103)의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 중간층(104')을 성막하는 공정으로 치환된다.
이것에 의해, 중간층이 2층 구조가 아니고 1층 구조로 형성된 경우이어도 비교적 높은 내알칼리성 및 밀착성을 갖는 ITO 피막 부착 기판을 제조할 수 있다.
(실시예)
다음에, 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다.
시료에 사용하는 기판으로서, 글래스 기판(101) 상에 RGB의 3개의 화상 소자로 이루어지는 컬러 필터(102)가 형성되고, 그 위에 아크릴제 유기 보호막(103)이 피복되어 있는 것을 사용하였다.
이 기판을 딥(dip)식 초음파 세정기로 알칼리 세제를 사용하여 세정하여, 온풍건조하였다. 다음에, 인라인형 진공 성막 장치에 투입하여, 1.3 ×10-8㎩에서 약 220℃가 될 때까지 가열배기한 후, 불활성 가스(Ar)를 도입 가스로서 사용하여 타겟을 스퍼터링하거나, 반응성 가스(N2 또는 O2)를 도입 가스로서 사용하여 타겟과 반응성 가스의 화합물을 스퍼터링하여 각 기판에 1개 또는 2개의 중간층을 성막하였다.
다음에, 중간층이 성막된 기판을 대기에 드러내지 않고, 계속해서 기판상에 이온 플레이팅법으로 ITO 피막(105)을 150㎚ 성막하였다.
그 후, 포토리소그래피법으로, 라인/스페이스가 70㎛/20㎛가 되도록 ITO 피막(105)에 전극 패턴을 패터닝함으로써 표1에 나타내는 실시예 1∼7 및 비교예 1∼6으로서 각종 시료를 작성하였다.
Figure 112008059279510-pat00001
이상과 같이 작성된 시료에 대하여, 이하에 나타내는 여러가지의 특성을 평가하는 시험을 행하였다.
1. 내알칼리성
4질량%의 KOH 수용액을 55℃로 유지한 후, 각 시료를 이 용액에 침지하여, ITO 피막(105)의 패턴 에지에 약간 박리가 보인 상태를 ITO 피막(105)의 이상으로 하여, 이상 발생까지의 시간을 계측하였다. 박리 평가는 광학 현미경으로 관찰하여 행하였다.
2. 절삭량
각 시료의 중간층을 제거하여, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량을 측정하였다. 측정은 촉침식 단차계로 행하였다.
3. 유기 보호막(103) 표면의 결합
성막후의 중간층(104a)을 제거하여, X선 광전자 분광법(XPS)으로 유기 보호막(103) 표면의 결합 상태를 조사하였다.
실시예 1에서는 타겟으로서 SiO2, 도입 가스로서 Ar를 사용하고 압력을 0.4㎩로 조정하여, SiO2 만을 중간층으로서 10㎚ 성막하였다. 내알칼리성을 조사한 바, 50분후에 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 32㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-C 결합이었다.
실시예 2에서는 타겟으로서 Ta2O5, 도입 가스로서 Ar를 사용하고 압력을 0.7㎩로 조정하여, Ta2O5 만을 중간층으로서 10㎚ 성막하였다. 내알칼리성을 조사한 바, 70분후에 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 27㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-C 결합이었다.
실시예 3에서는 우선 처음에 타겟으로서 SiO2, 도입 가스로서 Ar를 사용하고 압력을 0.4㎩로 조정하여 SiO2를 5㎚ 성막하고, 다음에 타겟으로서 Ta2O5, 도입 가스로서 Ar를 사용하여 Ta2O5를 5㎚ 성막함으로써, 2층 구조의 중간층을 작성하였다. 내알칼리성을 조사한 바, 70분후에 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 30㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-C 결합이었다.
실시예 4에서는 우선 처음에 타겟으로서 SiO2, 도입 가스로서 Ar를 사용하고 압력을 0.4㎩로 조정하여 SiO2를 5㎚ 성막하고, 다음에 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 N2를 사용하여 SiNx를 5㎚ 성막함으로써, 2층 구조의 중간층을 작성하였다. 내알칼리성을 조사한 바, 100분후에 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 33㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-C 결합이었다.
실시예 5에서는 우선 처음에 타겟으로서 SiO2, 도입 가스로서 Ar를 사용하고 압력을 0.4㎩로 조정하여 SiO2를 5㎚ 성막하고, 다음에 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 O2를 사용하여 SiOx를 5㎚ 성막함으로써, 2층 구조의 중간층을 작성하였다. 내알칼리성을 조사한 바, 50분후에 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 32㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-C 결합이었다.
실시예 6에서는 우선 처음에 타겟로서 Ta2O5, 도입 가스로서 Ar를 사용하고 압력을 0.7㎩로 조정하여 Ta2O5를 5㎚ 성막하고, 다음에 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 N2를 사용하여 SiNx를 5㎚ 성막함으로써, 2층 구조의 중간층을 작성하였다. 내알칼리성을 조사한 바, 100분후에 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 28㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-C 결합이었다.
실시예 7에서는 우선 처음에 타겟으로서 Ta2O5, 도입 가스로서 Ar를 사용하고 압력을 0.7㎩로 조정하여 Ta2O5를 5㎚ 성막하고, 다음에 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 O2를 사용하여 SiOx를 5㎚ 성막함으로써, 2층 구조의 중간층을 작성하였다. 내알칼리성을 조사한 바, 60분후에 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 34㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-C 결합이었다.
비교예 1에서는 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 N2를 사용하고 압력을 0.5㎩로 조정하여, SiNx 만을 중간층으로서 10㎚ 성막하였다. 내알칼리성을 조사한 바, 10분후에 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 53㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-N 결합이었다.
비교예 2에서는 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 O2를 사용하고 압력을 0.5㎩로 조정하여, SiOx 만을 중간층으로서 10㎚ 성막하였다. 내알칼리성을 조사할 필요도 없고, 레지스트 박리 공정(도 3f)에서 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 59㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-0 결합이었다.
비교예 3에서는 타겟으로서 Ti, 도입 가스로서 O2를 사용하고 압력을 0.5㎩로 조정하여, TiOx 만을 중간층으로서 10㎚ 성막하였다. 내알칼리성을 조사할 필요도 없고, 레지스트 박리 공정(도 3f)에서 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 62㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-0 결합이었다.
비교예 4에서는 우선 처음에 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 N2를 사용하고 압력을 0.5㎩로 조정하여 SiNx를 5㎚ 성막하고, 다음에 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 O2를 사용하여 SiOx를 5㎚ 성막함으로써, 2층 구조의 중간층을 작성하였다. 내알칼리성을 조사한 바, 10분후에 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 48㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-N 결합이었다.
비교예 5에서는 우선 처음에 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 O2를 사용하고 압력을 O.5㎩로 조정하여 SiOx를 5㎚ 성막하고, 다음에 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 N2를 사용하여 SiNx를 5㎚ 성막함으로써, 2층 구조의 중간층을 작성하였다. 내알칼리성을 조사할 필요도 없이, 레지스트 박리 공정(도 3f)에서 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 56㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-O 결합이었다.
비교예 6에서는 우선 처음에 타겟으로서 Si, 도입 가스로서 O2를 사용하고 압력을 0.5㎩로 조정하여 SiOx를 5㎚ 성막하고, 다음에 타겟으로서 Ta2O5, 도입 가스로서 Ar를 사용하여 Ta2O5를 5㎚ 성막함으로써, 2층 구조의 중간층을 작성하였다. 내알칼리성을 조사할 필요도 없이, 레지스트 박리 공정(도 3f)에서 ITO 피막(105)의 이상이 발생하였다. 또한, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량은 61㎚이고, 유기 보호막(103) 표면에 가장 많이 보인 결합은 C-O 결합이었다.
이상의 비교예 1∼6의 결과로부터, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량이 크고, 또한 유기 보호막(103) 표면이 C-N 결합 또는 C-O 결합으로 되어 있는 경우, 내알칼리성이 낮고, ITO 피막(105)의 박리가 발생하기 쉬워지는 것으로 나타났다.
상술한 본 실시예 1∼7 및 비교예 1∼6의 결과를 표 1에 나타낸다.
이상의 실시예 1∼7의 결과로부터, 2층 구조의 중간층을 작성하는 경우, 1 층째의 중간층(중간층(104a))을 도입 가스로서 Ar를 사용하여 스퍼터링함으로써, 유기 보호막(103) 표면의 결합을 C-C 결합으로 함과 동시에, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량을 작게 하였을 때에 내알칼리성이 향상하여, ITO 피막(105)의 박리를 방지할 수 있는 것을 알 수 있다. 특히, 2층째의 중간층(중간층(104b))에 내알칼리성이 높은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 성막한 경우, 매우 우수한 내알칼리성이 얻어졌다. 또한, 실시예 1 및 실시예 2의 결과로부터, 중간층이 1층만인 경우이어도, 유기 보호막(103) 표면이 알칼리에 용해하기 어려운 C-C 결합과 같은 결합으로 되어, 중간층 성막시의 유기 보호막(103)의 절삭량이 작고, 중간층이 알칼리에 용해하기 어려운 재료인 경우는, 비교적 높은 내알칼리성 및 밀착성을 갖는 ITO 피막 부착 기판이 얻어졌다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 ITO 피막 부착 기판의 단면도이다.
도 2는 도 1의 ITO 피막 부착 기판(100)의 제조 공정의 플로 챠트이다.
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 공정(P105)에 있어서의 전극 패턴의 패터닝 방법의 설명도이고, 각 공정에서의 ITO 피막 부착 기판(100)의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 1의 ITO 피막 부착 기판(100)의 내알칼리성 저하 원인을 나타내는 설명도이고, 도 4a는 ITO 피막(105)과 중간층(104) 계면 근방에 있어서, 중간층(104)이 알칼리에 용해하는 경우를 나타내고, 도 4b는 중간층(104)과 유기 보호막(103)의 계면 근방에 있어서, 중간층(104)이 알칼리에 용해하는 경우를 나타내며, 도 4c는 중간층(104)과 유기 보호막(103)의 계면 근방에 있어서, 유기 보호막(103)이 알칼리에 용해하는 경우를 나타낸다.
도 5은 본 발명의 실시형태에 관한 ITO 피막 부착 기판(100)의 변형예의 단면도이다.

Claims (18)

  1. 글래스 기판과, 이 글래스 기판의 표면에 성막된 컬러 필터와, 상기 컬러 필터의 표면에 성막된 유기 보호막과, 상기 유기 보호막의 표면에 성막된 중간층과, 상기 중간층의 표면에 성막된 ITO 피막을 구비하는 ITO 피막 부착 기판으로서,
    상기 중간층은,
    상기 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 성막되고, 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 제 1 중간층과,
    상기 제 1 중간층의 표면에 성막되고, 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어지는 제 2 중간층을 포함하며,
    상기 유기 보호막의 표면은 C-C 결합을 갖는, ITO 피막 부착 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 중간층의 금속 산화물이 SiO2인 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 중간층의 금속 산화물이 Ta2O5인 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 중간층의 금속 산화물이 SiOx인 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 중간층의 금속 산화물이 Ta2O5인 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 중간층의 금속 질화물이 SiNx인 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판.
  7. 글래스 기판과, 이 글래스 기판의 표면에 성막된 컬러 필터와, 상기 컬러 필터의 표면에 성막된 유기 보호막과, 상기 유기 보호막의 표면에 성막된 중간층과, 상기 중간층의 표면에 성막된 ITO 피막을 구비하는 ITO 피막 부착 기판으로서,
    상기 중간층은,
    상기 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 성막되고, 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지며,
    상기 유기 보호막의 표면은 C-C 결합을 갖는, ITO 피막 부착 기판.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 중간층의 금속 산화물이 SiO2인 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 중간층의 금속 산화물이 Ta2O5인 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판.
  10. 글래스 기판의 표면에 컬러 필터를 성막하는 컬러 필터 성막 공정과, 상기 컬러 필터의 표면에 유기 보호막을 성막하는 유기 보호막 성막 공정과, 상기 유기 보호막의 표면에 중간층을 성막하는 중간층 성막 공정과, 상기 중간층의 표면에 ITO 피막을 성막하는 ITO 피막 성막 공정을 갖는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법으로서,
    상기 중간층 성막 공정은,
    상기 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 제 1 중간층을 성막하는 제 1 중간층 성막 공정과,
    상기 제 1 중간층의 표면에 다른 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물 또는 금속 질화물로 이루어지는 제 2 중간층을 성막하는 제 2 중간층 성막 공정을 가지며,
    상기 유기 보호막의 표면은 C-C 결합을 갖는, ITO 피막 부착 기판의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 SiO2를 사용하는 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 Ta2O5를 사용하는 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다른 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 Si를 사용하고, 도입 가스로서 N2를 사용한 반응성 스퍼터링법인 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법.
  14. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다른 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 Si를 사용하고, 도입 가스로서 O2를 사용한 반응성 스퍼터링법인 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법.
  15. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다른 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 Ta2O5를 사용하고, 도입 가스로서 Ar를 사용하는 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법.
  16. 글래스 기판의 표면에 컬러 필터를 성막하는 컬러 필터 성막 공정과, 상기 컬러 필터의 표면에 유기 보호막을 성막하는 유기 보호막 성막 공정과, 상기 유기 보호막의 표면에 중간층을 성막하는 중간층 성막 공정과, 상기 중간층의 표면에 ITO 피막을 성막하는 ITO 피막 성막 공정을 갖는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법으로서,
    상기 중간층 성막 공정은,
    상기 유기 보호막의 표면에 도입 가스로서 Ar를 사용한 고주파 스퍼터링법에 의해 알칼리에 용해하기 어려운 금속 산화물로 이루어지는 중간층을 성막하며,
    상기 유기 보호막의 표면은 C-C 결합을 갖는, ITO 피막 부착 기판의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 SiO2를 사용하는 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 고주파 스퍼터링법은 타겟으로서 Ta2O5를 사용하는 것을 특징으로 하는 ITO 피막 부착 기판의 제조방법.
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