JP2000180840A - Ｉｔｏ透明導電膜付き基板とその製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ透明導電膜付き基板とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】有機樹脂に着色剤を含有させたカラーフィルタ
ー上あるいはカラーフィルタの表面に設けられ有機樹脂
保護膜上に、二酸化珪素の膜を介してＩＴＯ透明導電膜
を被覆したものが、カラー液晶表示素子に用いられてい
る。しかし、ＩＴＯ透明導電膜と有機樹脂との密着力が
弱いのでＩＴＯ透明導電膜の酸のエッチングによる微細
電極加工が安定してできないという課題があった。ま
た、これにより耐アルカリ性が十分でない課題があっ
た。 【解決手段】ガラス基板上に、着色剤を含有する有機樹
脂のカラーフィルタ、酸窒化シリコン膜、ＩＴＯ透明導
電膜をこの順に設ける。酸窒化シリコン膜を有機樹脂上
に窒素を含有するプラズマを用いたスパッタリングによ
り成膜し、このとき、有機樹脂表面の一部または全部を
成膜と同時に窒化して、酸窒化シリコン膜と有機樹脂と
の密着力を大きくする。
ー上あるいはカラーフィルタの表面に設けられ有機樹脂
保護膜上に、二酸化珪素の膜を介してＩＴＯ透明導電膜
を被覆したものが、カラー液晶表示素子に用いられてい
る。しかし、ＩＴＯ透明導電膜と有機樹脂との密着力が
弱いのでＩＴＯ透明導電膜の酸のエッチングによる微細
電極加工が安定してできないという課題があった。ま
た、これにより耐アルカリ性が十分でない課題があっ
た。 【解決手段】ガラス基板上に、着色剤を含有する有機樹
脂のカラーフィルタ、酸窒化シリコン膜、ＩＴＯ透明導
電膜をこの順に設ける。酸窒化シリコン膜を有機樹脂上
に窒素を含有するプラズマを用いたスパッタリングによ
り成膜し、このとき、有機樹脂表面の一部または全部を
成膜と同時に窒化して、酸窒化シリコン膜と有機樹脂と
の密着力を大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラー液晶表示素
子などのカラー表示に好適に用いられるＩＴＯ透明導電
膜付き基板、その製造方法およびそれを用いた液晶表示
素子に関する。
子などのカラー表示に好適に用いられるＩＴＯ透明導電
膜付き基板、その製造方法およびそれを用いた液晶表示
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明導電膜付き基板をカラー液晶
表示素子に用いるために、カラーフィルター及びその保
護膜上にマグネトロンスパッタ法によりＩＴＯ（酸含有
酸化インジウム）透明導電膜が成膜されることが一般的
に行われている。今日、高精細の液晶表示素子、とりわ
けカラー液晶表示素子に用いられるＩＴＯ透明導電膜に
は、より一層の低抵抗が求められている。しかしなが
ら、マグネトロンスパッタ法で低抵抗のＩＴＯ透明導電
膜を成膜しようとすると、膜厚を厚くする必要があるた
め、膜の全圧縮応力値が非常に高くなるという問題点が
あった。
表示素子に用いるために、カラーフィルター及びその保
護膜上にマグネトロンスパッタ法によりＩＴＯ（酸含有
酸化インジウム）透明導電膜が成膜されることが一般的
に行われている。今日、高精細の液晶表示素子、とりわ
けカラー液晶表示素子に用いられるＩＴＯ透明導電膜に
は、より一層の低抵抗が求められている。しかしなが
ら、マグネトロンスパッタ法で低抵抗のＩＴＯ透明導電
膜を成膜しようとすると、膜厚を厚くする必要があるた
め、膜の全圧縮応力値が非常に高くなるという問題点が
あった。
【０００３】透明導電膜の全圧縮応力が高いと、液晶表
示素子の透明電極として用いた場合、その製造工程中、
特にウェットエッチング工程によるＩＴＯ透明導電膜の
微細電極加工で圧縮応力の解放によるＩＴＯ透明導電膜
のわれやひびが生じる。とりわけカラー表示等に用いら
れる有機樹脂成分を含むカラーフィルタ上に形成された
低抵抗のＩＴＯ多結晶の透明導電膜は、上記の問題点を
解決することが課題となっていた。
示素子の透明電極として用いた場合、その製造工程中、
特にウェットエッチング工程によるＩＴＯ透明導電膜の
微細電極加工で圧縮応力の解放によるＩＴＯ透明導電膜
のわれやひびが生じる。とりわけカラー表示等に用いら
れる有機樹脂成分を含むカラーフィルタ上に形成された
低抵抗のＩＴＯ多結晶の透明導電膜は、上記の問題点を
解決することが課題となっていた。
【０００４】従来、密着性及び耐薬品性の向上の目的
で、カラーフィルターとＩＴＯ透明導電膜との間（カラ
ーフィルタ上にカラーフィルタ画素間の凹凸を平坦化す
るための有機樹脂膜を設けるときは、その有機樹脂膜と
ＩＴＯ透明導電膜との間）に、高周波スパッタ法により
両者の密着を改善するために、ＳｉＯ2膜を成膜するこ
とが一般的に行われている。しかし、この方法で得られ
るＩＴＯ透明導電膜は、要求される特性、特に耐薬品性
の性能が充分でない課題があった。＄
で、カラーフィルターとＩＴＯ透明導電膜との間（カラ
ーフィルタ上にカラーフィルタ画素間の凹凸を平坦化す
るための有機樹脂膜を設けるときは、その有機樹脂膜と
ＩＴＯ透明導電膜との間）に、高周波スパッタ法により
両者の密着を改善するために、ＳｉＯ2膜を成膜するこ
とが一般的に行われている。しかし、この方法で得られ
るＩＴＯ透明導電膜は、要求される特性、特に耐薬品性
の性能が充分でない課題があった。＄
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
技術が有していた前述の問題点を解決するものであり、
より高い耐薬品性とりわけ耐アルカリ性と、密着性を兼
ね備えたＩＴＯ透明導電膜付き基板を提供するものであ
る。
技術が有していた前述の問題点を解決するものであり、
より高い耐薬品性とりわけ耐アルカリ性と、密着性を兼
ね備えたＩＴＯ透明導電膜付き基板を提供するものであ
る。
【課題を解決するための手段】本発明のＩＴＯ透明導電
膜付き基板は、透明基板上に、着色剤を含有する有機樹
脂からなるカラーフィルタ、金属酸窒化物膜、ＩＴＯ透
明導電膜がこの順に設けられた透明導電膜付き基板であ
って、前記有機樹脂の表面および表面近傍が、窒化され
ていることを特徴とする。
膜付き基板は、透明基板上に、着色剤を含有する有機樹
脂からなるカラーフィルタ、金属酸窒化物膜、ＩＴＯ透
明導電膜がこの順に設けられた透明導電膜付き基板であ
って、前記有機樹脂の表面および表面近傍が、窒化され
ていることを特徴とする。
【０００５】本発明者等は、有機樹脂上に成膜されたＩ
ＴＯ透明導電膜の耐薬品性を決定する因子を鋭意研究し
た結果、有機樹脂とＩＴＯ透明導電膜の間に金属酸窒化
物の膜を介在させると同時に、有機樹脂表面の表面ある
いは表面近傍を窒化させることにより、より高い耐薬品
性と密着性が得られることを見い出した。
ＴＯ透明導電膜の耐薬品性を決定する因子を鋭意研究し
た結果、有機樹脂とＩＴＯ透明導電膜の間に金属酸窒化
物の膜を介在させると同時に、有機樹脂表面の表面ある
いは表面近傍を窒化させることにより、より高い耐薬品
性と密着性が得られることを見い出した。
【０００６】有機樹脂表面または表面近傍の窒化は、表
面全面にわたって層状に形成されていてもよく、また部
分的に形成されていてもよい。本発明の窒化は、Ｘ線光
電子分光法（以下ＸＰＳ法と略す）により、窒素ー炭素
結合に起因するエネルギーに相当する位置にピークが生
じていることで確認される。
面全面にわたって層状に形成されていてもよく、また部
分的に形成されていてもよい。本発明の窒化は、Ｘ線光
電子分光法（以下ＸＰＳ法と略す）により、窒素ー炭素
結合に起因するエネルギーに相当する位置にピークが生
じていることで確認される。
【０００７】本発明の有機樹脂中の窒化は、有機樹脂表
面を窒素を含むプラズマに曝すことにより効果的に行う
ことができる。
面を窒素を含むプラズマに曝すことにより効果的に行う
ことができる。
【０００８】本発明の金属酸窒化物の金属は、シリコ
ン、アルミニウム、チタニウム、タンタル、ジルコニウ
ムからなる金属群から選ばれた少なくとも１種とするの
が好ましい。これらの金属酸窒化物膜はＩＴＯ透明導電
膜との密着性がよく、また全面的にまたは部分的に窒化
された有機樹脂表面との密着性がよい。またこれらの金
属酸窒化物膜は可視光線に対して透明であるため、液晶
表示素子に用いた際に透過率の低下が生じない。上記金
属酸窒化物のうち、シリコンの酸窒化物が本発明の目的
を達成するのに最も好ましい。
ン、アルミニウム、チタニウム、タンタル、ジルコニウ
ムからなる金属群から選ばれた少なくとも１種とするの
が好ましい。これらの金属酸窒化物膜はＩＴＯ透明導電
膜との密着性がよく、また全面的にまたは部分的に窒化
された有機樹脂表面との密着性がよい。またこれらの金
属酸窒化物膜は可視光線に対して透明であるため、液晶
表示素子に用いた際に透過率の低下が生じない。上記金
属酸窒化物のうち、シリコンの酸窒化物が本発明の目的
を達成するのに最も好ましい。
【０００９】本発明のＩＴＯ透明導電膜の製造方法は、
透明基板上に設けられた着色剤を含有する有機樹脂のカ
ラーフィルタの上に、金属酸窒化物膜、ＩＴＯ透明導電
膜を順次被覆する透明導電膜付き基板の製造方法であっ
て、金属酸窒化物を金属または金属酸化物をターゲット
とし、減圧した窒素を含有するプラズマを用いる高周波
マグネトロンスパッタリングで成膜し、同時にプラズマ
中の窒素を前記有機樹脂に注入させて有機樹脂表面を窒
化することを特徴とする。
透明基板上に設けられた着色剤を含有する有機樹脂のカ
ラーフィルタの上に、金属酸窒化物膜、ＩＴＯ透明導電
膜を順次被覆する透明導電膜付き基板の製造方法であっ
て、金属酸窒化物を金属または金属酸化物をターゲット
とし、減圧した窒素を含有するプラズマを用いる高周波
マグネトロンスパッタリングで成膜し、同時にプラズマ
中の窒素を前記有機樹脂に注入させて有機樹脂表面を窒
化することを特徴とする。
【００１０】本発明のＩＴＯ透明導電膜の製造方法にお
いては、金属酸窒化物膜は、高周波マグネトロンスパッ
タ法により成膜される。そして有機樹脂表面の窒化は、
金属酸窒化物膜を高周波マグネトロンスパッタ法（以下
ＲＦスパッタと略す）で成膜する際に、金属酸窒化物膜
の成膜と同時に行う。また、本発明の窒化は、減圧した
雰囲気中のイオンソースを用いた成膜法や高周波イオン
プレーティング法なども用いることができる。しかし、
とりわけ大面積の基板への成膜に適していること、およ
び窒化に十分なプラズマ密度を有するという観点から、
ＲＦスパッタ法が好ましい。
いては、金属酸窒化物膜は、高周波マグネトロンスパッ
タ法により成膜される。そして有機樹脂表面の窒化は、
金属酸窒化物膜を高周波マグネトロンスパッタ法（以下
ＲＦスパッタと略す）で成膜する際に、金属酸窒化物膜
の成膜と同時に行う。また、本発明の窒化は、減圧した
雰囲気中のイオンソースを用いた成膜法や高周波イオン
プレーティング法なども用いることができる。しかし、
とりわけ大面積の基板への成膜に適していること、およ
び窒化に十分なプラズマ密度を有するという観点から、
ＲＦスパッタ法が好ましい。
【００１１】本発明の金属酸窒化膜としては、シリコ
ン、アルミニウム、チタニウム、タンタル、ジルコニウ
ムの酸窒化物が好ましいものとして例示できる。とりわ
け、ＩＴＯ透明導電膜付き基板に要求される良好な耐薬
品性ならびに高い透明性を得る観点から、シリコンの酸
窒化物膜が好ましい。これら金属酸窒化物膜は、金属タ
ーゲットの酸素ガスと窒素ガスを含むスパッタガスを用
いる反応性スパッタや、金属酸化物ターゲットの窒素を
含むスパッタガスを用いる反応性スパッタで成膜するこ
とが、成膜と有機樹脂表面の窒化とを同時に行える。
ン、アルミニウム、チタニウム、タンタル、ジルコニウ
ムの酸窒化物が好ましいものとして例示できる。とりわ
け、ＩＴＯ透明導電膜付き基板に要求される良好な耐薬
品性ならびに高い透明性を得る観点から、シリコンの酸
窒化物膜が好ましい。これら金属酸窒化物膜は、金属タ
ーゲットの酸素ガスと窒素ガスを含むスパッタガスを用
いる反応性スパッタや、金属酸化物ターゲットの窒素を
含むスパッタガスを用いる反応性スパッタで成膜するこ
とが、成膜と有機樹脂表面の窒化とを同時に行える。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例の断面
図である。本発明のＩＴＯ透明導電膜付き基板１は、透
明基板であるガラス板２の上にカラーフィルタ３、酸窒
化シリコン膜４、ＩＴＯ透明導電膜５が順次設けられて
いる。
図である。本発明のＩＴＯ透明導電膜付き基板１は、透
明基板であるガラス板２の上にカラーフィルタ３、酸窒
化シリコン膜４、ＩＴＯ透明導電膜５が順次設けられて
いる。
【００１３】カラーフィルタ３は、ガラス板２上に設け
られた顔料と染料からなる着色剤が含有された有機樹脂
膜からなるカラーフィルタ画素３ａと、画素と画素との
境界で生じた凹凸を平坦化するための有機樹脂膜３ｂと
からなり、有機樹脂膜３ｂの表面には窒素が注入されて
形成された窒化された領域３ｃが部分的または全面にあ
る。この窒化された領域３ｃにより有機樹脂膜３ｂと酸
窒化シリコン膜４は強固に密着する。
られた顔料と染料からなる着色剤が含有された有機樹脂
膜からなるカラーフィルタ画素３ａと、画素と画素との
境界で生じた凹凸を平坦化するための有機樹脂膜３ｂと
からなり、有機樹脂膜３ｂの表面には窒素が注入されて
形成された窒化された領域３ｃが部分的または全面にあ
る。この窒化された領域３ｃにより有機樹脂膜３ｂと酸
窒化シリコン膜４は強固に密着する。
【００１４】本発明の透明基板は、通常ガラス基板が用
いられる。ガラス組成は特に限定されない。またプラス
チック基板であってもよい。
いられる。ガラス組成は特に限定されない。またプラス
チック基板であってもよい。
【００１５】本発明のカラーフィルタは、公知のアクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やこれらを変性
した樹脂等に顔料や染料の両者またはどちらかを着色成
分として混入したものを用いることができる。本発明の
カラーフィルタは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色の画素の配列体
の画素間に生じる凹凸を減じるために、その上に設けら
れるアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やこ
れらの変性した樹脂等の有機樹脂の表面平坦化膜を有し
ていてもよい。
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やこれらを変性
した樹脂等に顔料や染料の両者またはどちらかを着色成
分として混入したものを用いることができる。本発明の
カラーフィルタは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色の画素の配列体
の画素間に生じる凹凸を減じるために、その上に設けら
れるアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やこ
れらの変性した樹脂等の有機樹脂の表面平坦化膜を有し
ていてもよい。
【００１６】本発明の金属酸窒化物膜を、その金属をタ
ーゲットとするＲＦスパッタで成膜する場合は、スパッ
タ時の成膜室への導入ガスの組成は、導入ガス全量に対
して、窒素は７０体積％以上、酸素は２体積％以下とす
るのが好ましい。窒素の導入量がこれより少ないと、透
明基板表面が効果的に窒化されない。また酸素の導入量
がこれより多いと、窒化の効果が低下する。また、ター
ゲットとして酸化物ターゲットを用いる場合、導入ガス
に酸素を用いることなくターゲットからスパッタされる
酸素原子によって膜が酸化される。
ーゲットとするＲＦスパッタで成膜する場合は、スパッ
タ時の成膜室への導入ガスの組成は、導入ガス全量に対
して、窒素は７０体積％以上、酸素は２体積％以下とす
るのが好ましい。窒素の導入量がこれより少ないと、透
明基板表面が効果的に窒化されない。また酸素の導入量
がこれより多いと、窒化の効果が低下する。また、ター
ゲットとして酸化物ターゲットを用いる場合、導入ガス
に酸素を用いることなくターゲットからスパッタされる
酸素原子によって膜が酸化される。
【００１７】金属酸窒化物膜の厚みは３ｎｍ以上とする
のが好ましい。３ｎｍ未満であると、密着性を保つのが
困難となるからである。また、５０ｎｍ以下とするのが
好ましい。５０ｎｍを越えると、金属酸窒化物膜が有す
る全圧縮応力によって、その上に成膜されるＩＴＯ透明
導電膜に亀裂が入る可能性が生じるからである。
のが好ましい。３ｎｍ未満であると、密着性を保つのが
困難となるからである。また、５０ｎｍ以下とするのが
好ましい。５０ｎｍを越えると、金属酸窒化物膜が有す
る全圧縮応力によって、その上に成膜されるＩＴＯ透明
導電膜に亀裂が入る可能性が生じるからである。
【００１８】ＩＴＯ透明導電膜に替えて、酸化錫、酸化
亜鉛、酸化亜鉛含有酸化インジウム、金、銀、銅、なら
びにそれらを主成分とした合金と前記の透明酸化物との
積層膜としてもよい。
亜鉛、酸化亜鉛含有酸化インジウム、金、銀、銅、なら
びにそれらを主成分とした合金と前記の透明酸化物との
積層膜としてもよい。
【００１９】実施例 以下に本発明を実施例および比較例で詳細に説明する。
実施例および比較例に共通する事項は下記の通りであ
る。 ・サンプルの作製 １）用いたカラーフィルタ：アルカリ溶出防止シリカ膜
が被覆されたソーダ石灰シリカ系のフロートガラス板上
に、カラー液晶表示用のＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルタ画素
およびその画素表面に画素の凹凸を平坦化するためのア
クリル樹脂膜（耐熱温度が約２２０℃）が約２μｍの厚
みで形成されたもの。あらかじめ、ＸＰＳ法により、そ
のアクリル樹脂の構成元素を測定したところ、アクリル
樹脂には炭素と酸素のみが主成分として検出され、窒素
は検出されなかった。 ２）ＩＴＯ透明導電膜と金属酸窒化物膜の成膜時のカラ
ーフィルタ温度：２００℃ ３）ＩＴＯ透明導電膜の成膜：酸化インジウム９０重量
％酸化錫１０重量％の燒結体をターゲットとする直流マ
グネトロンスパッタ法による。ＩＴＯ面抵抗が４．５Ω
／□（約４００ｎｍの厚み）になるように調整した。 ・サンプルの評価 １）耐薬品性試験：４５℃で５重量％水酸化ナトリウム
水溶液中に１０分間揺動後、ＩＴＯ透明導電膜表面に膜
割れ、膜剥離の発生状況を光学顕微鏡で観察した。 ２）密着性試験：ＩＴＯ透明導電膜の電極パターニング
によりストライプ形状の電極形成を行った後、この電極
の端部において膜浮き、膜剥離の発生状況を光学顕微鏡
で観察した。 ３）ＸＰＳ法測定条件：ＭｇＫα線（強度３００Ｗ）
実施例および比較例に共通する事項は下記の通りであ
る。 ・サンプルの作製 １）用いたカラーフィルタ：アルカリ溶出防止シリカ膜
が被覆されたソーダ石灰シリカ系のフロートガラス板上
に、カラー液晶表示用のＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルタ画素
およびその画素表面に画素の凹凸を平坦化するためのア
クリル樹脂膜（耐熱温度が約２２０℃）が約２μｍの厚
みで形成されたもの。あらかじめ、ＸＰＳ法により、そ
のアクリル樹脂の構成元素を測定したところ、アクリル
樹脂には炭素と酸素のみが主成分として検出され、窒素
は検出されなかった。 ２）ＩＴＯ透明導電膜と金属酸窒化物膜の成膜時のカラ
ーフィルタ温度：２００℃ ３）ＩＴＯ透明導電膜の成膜：酸化インジウム９０重量
％酸化錫１０重量％の燒結体をターゲットとする直流マ
グネトロンスパッタ法による。ＩＴＯ面抵抗が４．５Ω
／□（約４００ｎｍの厚み）になるように調整した。 ・サンプルの評価 １）耐薬品性試験：４５℃で５重量％水酸化ナトリウム
水溶液中に１０分間揺動後、ＩＴＯ透明導電膜表面に膜
割れ、膜剥離の発生状況を光学顕微鏡で観察した。 ２）密着性試験：ＩＴＯ透明導電膜の電極パターニング
によりストライプ形状の電極形成を行った後、この電極
の端部において膜浮き、膜剥離の発生状況を光学顕微鏡
で観察した。 ３）ＸＰＳ法測定条件：ＭｇＫα線（強度３００Ｗ）
【００２０】実施例１ カラーフィルタ付き基板を真空成膜装置の成膜室に導入
し、一旦０．００２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し
加熱した。その後全圧を０．５Ｐａとなるように窒素な
らびに酸素（窒素の流量に対して０．５体積％）を導入
し、ターゲットとして金属シリコンを用いたＲＦスパッ
タによって酸窒化シリコン膜（以下ＳｉＯＮ膜と略記す
る（化学量論量を示すものでない））を１０ｎｍ成膜し
た。その後、大気に曝すことなく直ちに、ＩＴＯ透明導
電膜を４００ｎｍ成膜した。
し、一旦０．００２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し
加熱した。その後全圧を０．５Ｐａとなるように窒素な
らびに酸素（窒素の流量に対して０．５体積％）を導入
し、ターゲットとして金属シリコンを用いたＲＦスパッ
タによって酸窒化シリコン膜（以下ＳｉＯＮ膜と略記す
る（化学量論量を示すものでない））を１０ｎｍ成膜し
た。その後、大気に曝すことなく直ちに、ＩＴＯ透明導
電膜を４００ｎｍ成膜した。
【００２１】得られたＩＴＯ透明導電膜付き基板につい
て、臭化水素酸水溶液およびフッ化水素酸水溶液によっ
て、表面に成膜されたＩＴＯ透明導電膜およびＳｉＯＮ
膜をそれぞれ除去し、ＸＰＳ法により有機樹脂表面を分
析した。その結果、表面からは窒素の光電子スペクトル
が図２に示すようにＮ１sスペクトルが検出され、その
スペクトルは炭素−窒素結合に規定された。すなわち、
有機樹脂の表面がＳｉＯＮ膜の成膜過程で窒化されてい
ることが分かった。また、このＩＴＯ透明導電膜付き基
板について、耐薬品性試験ならびに密着性試験を行った
ところ、どちらの試験においても膜割れ、膜浮きは全く
観察されなかった。結果を表１にまとめて示した。
て、臭化水素酸水溶液およびフッ化水素酸水溶液によっ
て、表面に成膜されたＩＴＯ透明導電膜およびＳｉＯＮ
膜をそれぞれ除去し、ＸＰＳ法により有機樹脂表面を分
析した。その結果、表面からは窒素の光電子スペクトル
が図２に示すようにＮ１sスペクトルが検出され、その
スペクトルは炭素−窒素結合に規定された。すなわち、
有機樹脂の表面がＳｉＯＮ膜の成膜過程で窒化されてい
ることが分かった。また、このＩＴＯ透明導電膜付き基
板について、耐薬品性試験ならびに密着性試験を行った
ところ、どちらの試験においても膜割れ、膜浮きは全く
観察されなかった。結果を表１にまとめて示した。
【００２２】実施例２ カラーフィルタ付き基板を成膜室に導入し、一旦０．０
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し加熱した。その
後全圧を０．４Ｐａとなるように窒素を導入し、ターゲ
ットとして二酸化珪素を用いたＲＦスパッタによってＳ
ｉＯＮ膜を２０ｎｍ成膜した。その後、大気に曝すこと
なく直ちに、ＩＴＯ透明導電膜を４００ｎｍ成膜した。
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し加熱した。その
後全圧を０．４Ｐａとなるように窒素を導入し、ターゲ
ットとして二酸化珪素を用いたＲＦスパッタによってＳ
ｉＯＮ膜を２０ｎｍ成膜した。その後、大気に曝すこと
なく直ちに、ＩＴＯ透明導電膜を４００ｎｍ成膜した。
【００２３】得られたＩＴＯ透明導電膜付き基板につい
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に成膜されたＩＴＯ膜およびＳｉＯＮ膜を除去し、
ＸＰＳ法により有機樹脂表面を分析した。その結果、表
面からは窒素の光電子スペクトルが検出され、そのスペ
クトルは炭素−窒素結合に規定された。すなわち、有機
樹脂の表面がＳｉＯＮ膜の成膜過程で窒化されているが
分かった。また、このＩＴＯ透明導電膜付き基板につい
て、耐薬品性試験ならびに密着性試験を行ったところ、
表１に示すようにどちらの試験においても、膜割れ、膜
浮きは全く観察されなかった。
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に成膜されたＩＴＯ膜およびＳｉＯＮ膜を除去し、
ＸＰＳ法により有機樹脂表面を分析した。その結果、表
面からは窒素の光電子スペクトルが検出され、そのスペ
クトルは炭素−窒素結合に規定された。すなわち、有機
樹脂の表面がＳｉＯＮ膜の成膜過程で窒化されているが
分かった。また、このＩＴＯ透明導電膜付き基板につい
て、耐薬品性試験ならびに密着性試験を行ったところ、
表１に示すようにどちらの試験においても、膜割れ、膜
浮きは全く観察されなかった。
【００２４】実施例３ カラーフィルタ付き基板を成膜室に導入し、一旦０．０
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し、基板を所定の
温度まで加熱する。その後全圧を０．５Ｐａとなるよう
に窒素、アルゴンおよび酸素（窒素８０体積％アルゴン
１９体積％酸素１体積％）を導入し、ターゲットとして
金属シリコンを用いたＲＦスパッタによってＳｉＯＮ膜
を１０ｎｍ成膜した。その後、大気に曝すことなく直ち
に、ＩＴＯ透明導電膜を４００ｎｍ成膜した。
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し、基板を所定の
温度まで加熱する。その後全圧を０．５Ｐａとなるよう
に窒素、アルゴンおよび酸素（窒素８０体積％アルゴン
１９体積％酸素１体積％）を導入し、ターゲットとして
金属シリコンを用いたＲＦスパッタによってＳｉＯＮ膜
を１０ｎｍ成膜した。その後、大気に曝すことなく直ち
に、ＩＴＯ透明導電膜を４００ｎｍ成膜した。
【００２５】得られたＩＴＯ透明導電膜付き基板につい
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に形成されたＩＴＯ膜およびＳｉＯＮ膜を除去し、
ＸＰＳ法により有機樹脂膜表面を分析した。その結果、
表面からは窒素の光電子スペクトルが検出され、炭素−
窒素結合に規定された。すなわち、有機樹脂の表面がＳ
ｉＯＮ膜の成膜過程で窒化されているが分かった。ま
た、このＩＴＯ透明導電膜付き基板について、耐薬品性
試験ならびに密着性試験を行ったところ、表１に示すよ
うにどちらの試験においても膜割れ、膜浮きは全く観察
されなかった。
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に形成されたＩＴＯ膜およびＳｉＯＮ膜を除去し、
ＸＰＳ法により有機樹脂膜表面を分析した。その結果、
表面からは窒素の光電子スペクトルが検出され、炭素−
窒素結合に規定された。すなわち、有機樹脂の表面がＳ
ｉＯＮ膜の成膜過程で窒化されているが分かった。ま
た、このＩＴＯ透明導電膜付き基板について、耐薬品性
試験ならびに密着性試験を行ったところ、表１に示すよ
うにどちらの試験においても膜割れ、膜浮きは全く観察
されなかった。
【００２６】実施例４ カラーフィルタ付き基板を成膜室に導入し、一旦０．０
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し、基板を所定の
温度まで加熱する。その後全圧を０．５Ｐａとなるよう
に窒素、アルゴンおよび酸素（窒素８０体積％アルゴン
１９体積％酸素１体積％）を導入し、ターゲットとして
金属ジルコンを用いたＲＦスパッタによって酸窒化ジル
コニウム（ＺｒＯＮと略記する（化学量論量を示すもの
でない））膜を１０ｎｍ成膜した。その後、大気に曝す
ことなく直ちに、ＩＴＯ透明導電膜を４００ｎｍ成膜し
た。
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し、基板を所定の
温度まで加熱する。その後全圧を０．５Ｐａとなるよう
に窒素、アルゴンおよび酸素（窒素８０体積％アルゴン
１９体積％酸素１体積％）を導入し、ターゲットとして
金属ジルコンを用いたＲＦスパッタによって酸窒化ジル
コニウム（ＺｒＯＮと略記する（化学量論量を示すもの
でない））膜を１０ｎｍ成膜した。その後、大気に曝す
ことなく直ちに、ＩＴＯ透明導電膜を４００ｎｍ成膜し
た。
【００２７】得られたＩＴＯ透明導電膜付き基板につい
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に形成されたＩＴＯ膜およびＺｒＯＮ膜を除去し、
ＸＰＳ法により有機樹脂膜表面を分析した。その結果、
表面からは窒素の光電子スペクトルが検出され、そのス
ペクトルは炭素−窒素結合に規定された。すなわち、有
機樹脂の表面がＺｒＯＮ膜の成膜過程で窒化されている
が分かった。また、このＩＴＯ透明導電膜付き基板にに
ついて、耐薬品性試験ならびに密着性試験を行ったとこ
ろ、表１に示すように、どちらの試験においても膜割
れ、膜浮きは全く観察されなかった。
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に形成されたＩＴＯ膜およびＺｒＯＮ膜を除去し、
ＸＰＳ法により有機樹脂膜表面を分析した。その結果、
表面からは窒素の光電子スペクトルが検出され、そのス
ペクトルは炭素−窒素結合に規定された。すなわち、有
機樹脂の表面がＺｒＯＮ膜の成膜過程で窒化されている
が分かった。また、このＩＴＯ透明導電膜付き基板にに
ついて、耐薬品性試験ならびに密着性試験を行ったとこ
ろ、表１に示すように、どちらの試験においても膜割
れ、膜浮きは全く観察されなかった。
【００２８】実施例５ カラーフィルタ付き基板を成膜室に導入し、一旦０．０
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し、基板を所定の
温度まで加熱する。その後全圧を０．５Ｐａとなるよう
に窒素、アルゴンおよび酸素（窒素８０体積％アルゴン
１９体積％酸素１体積％）を導入し、ターゲットとして
金属アルミニウムを用いたＲＦスパッタによって酸窒化
アルミニウム（ＡｌＯＮと略記する（化学量論量を示す
ものでない））膜を１０ｎｍ成膜した。その後、大気に
曝すことなく直ちに、ＩＴＯ透明導電膜を４００ｎｍ成
膜した。
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し、基板を所定の
温度まで加熱する。その後全圧を０．５Ｐａとなるよう
に窒素、アルゴンおよび酸素（窒素８０体積％アルゴン
１９体積％酸素１体積％）を導入し、ターゲットとして
金属アルミニウムを用いたＲＦスパッタによって酸窒化
アルミニウム（ＡｌＯＮと略記する（化学量論量を示す
ものでない））膜を１０ｎｍ成膜した。その後、大気に
曝すことなく直ちに、ＩＴＯ透明導電膜を４００ｎｍ成
膜した。
【００２９】得られたＩＴＯ透明導電膜付き基板につい
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に成膜されたＩＴＯ膜およびＡｌＯＮ膜を除去し、
ＸＰＳ法により有機樹脂膜表面を分析した。その結果、
表面からは窒素の光電子スペクトルが検出され、そのス
ペクトルは炭素−窒素結合に規定された。すなわち、有
機樹脂の表面がＡlＯＮ膜の成膜過程で窒化されている
ことが分かった。また、このＩＴＯ透明導電膜付き基板
について、耐薬品性試験ならびに密着性試験を行ったと
ころ、表１に示すように、どちらの試験においても膜割
れ、膜浮きは全く観察されなかった。
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に成膜されたＩＴＯ膜およびＡｌＯＮ膜を除去し、
ＸＰＳ法により有機樹脂膜表面を分析した。その結果、
表面からは窒素の光電子スペクトルが検出され、そのス
ペクトルは炭素−窒素結合に規定された。すなわち、有
機樹脂の表面がＡlＯＮ膜の成膜過程で窒化されている
ことが分かった。また、このＩＴＯ透明導電膜付き基板
について、耐薬品性試験ならびに密着性試験を行ったと
ころ、表１に示すように、どちらの試験においても膜割
れ、膜浮きは全く観察されなかった。
【００３０】
【表１】 表１ ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 例 成膜方法 有機樹脂表面の 被覆する膜 耐薬品性 密着性 窒化の有無 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例１ ＲＦ 有 ＳｉＯＮ ◎ ◎ 実施例２ ＲＦ 有 ＳｉＯＮ ◎ ◎ 実施例３ ＲＦ 有 ＳｉＯＮ ◎ ◎ 実施例４ ＲＦ 有 ＺｒＯＮ ◎ ◎ 実施例５ ＲＦ 有 ＡｌＯＮ ◎ ◎ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 比較例１ ＲＦ 無 ＳｉＯ2 × ◎ 比較例２ ＲＦ 有 ＳｉＮ ◎ × 比較例３ ＤＣ 無 ＳｉＯＮ × × ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００３１】比較例１ カラーフィルタ付き基板を成膜室に導入し、一旦０．０
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し加熱した。その
後全圧を０．５Ｐａとなるようにアルゴンを導入し、タ
ーゲットとして二酸化珪素を用いたＲＦスパッタによっ
て二酸化珪素膜（ＳｉＯ2膜）を１０ｎｍ成膜した。そ
の後、大気に曝すことなく直ちに、ＩＴＯ透明導電膜を
４００ｎｍ成膜した。
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し加熱した。その
後全圧を０．５Ｐａとなるようにアルゴンを導入し、タ
ーゲットとして二酸化珪素を用いたＲＦスパッタによっ
て二酸化珪素膜（ＳｉＯ2膜）を１０ｎｍ成膜した。そ
の後、大気に曝すことなく直ちに、ＩＴＯ透明導電膜を
４００ｎｍ成膜した。
【００３２】得られたＩＴＯ透明導電膜付き基板につい
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に成膜されたＩＴＯ膜およびＳｉＯ2膜を除去し、
ＸＰＳ法により有機樹脂表面を分析した。その結果表面
からは窒素は全く検出されなかった。また、このＩＴＯ
透明導電膜付き基板について、耐薬品性試験ならびに密
着性試験を行ったところ、密着性試験においては膜浮き
などは観察されなかったが、耐薬品性試験において膜割
れがＩＴＯ透明導電膜に観察された。
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に成膜されたＩＴＯ膜およびＳｉＯ2膜を除去し、
ＸＰＳ法により有機樹脂表面を分析した。その結果表面
からは窒素は全く検出されなかった。また、このＩＴＯ
透明導電膜付き基板について、耐薬品性試験ならびに密
着性試験を行ったところ、密着性試験においては膜浮き
などは観察されなかったが、耐薬品性試験において膜割
れがＩＴＯ透明導電膜に観察された。
【００３３】比較例２ カラーフィルタ付き基板を成膜室に導入し、一旦０．０
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し加熱した。その
後全圧を０．５Ｐａとなるように窒素を導入し、ターゲ
ットとして金属シリコンを用いたＲＦスパッタによって
窒化珪素膜（以下ＳｉＮ膜と略記する）を１０ｎｍ成膜
した。その後、大気に曝すことなく直ちに、ＩＴＯ透明
導電膜を４００ｎｍ成膜した。
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し加熱した。その
後全圧を０．５Ｐａとなるように窒素を導入し、ターゲ
ットとして金属シリコンを用いたＲＦスパッタによって
窒化珪素膜（以下ＳｉＮ膜と略記する）を１０ｎｍ成膜
した。その後、大気に曝すことなく直ちに、ＩＴＯ透明
導電膜を４００ｎｍ成膜した。
【００３４】得られたＩＴＯ透明導電膜付き基板につい
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に成膜されたＩＴＯ膜およびＳｉＮ膜を除去し、Ｘ
ＰＳ法により有機樹脂表面を分析した。その結果、表面
からは窒素の光電子スペクトルが検出され、そのスペク
トルは炭素−窒素結合に規定された。しかし、このＩＴ
Ｏ透明導電膜付き基板について、耐薬品性試験ならびに
密着性試験を行ったところ、耐薬品性においては膜浮き
などは観察されなかったが、密着性試験において電極端
部での膜浮きが観察された。
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に成膜されたＩＴＯ膜およびＳｉＮ膜を除去し、Ｘ
ＰＳ法により有機樹脂表面を分析した。その結果、表面
からは窒素の光電子スペクトルが検出され、そのスペク
トルは炭素−窒素結合に規定された。しかし、このＩＴ
Ｏ透明導電膜付き基板について、耐薬品性試験ならびに
密着性試験を行ったところ、耐薬品性においては膜浮き
などは観察されなかったが、密着性試験において電極端
部での膜浮きが観察された。
【００３５】比較例３ カラーフィルタ付き基板を成膜室に導入し、一旦０．０
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し加熱した。その
後全圧を０．５Ｐａとなるように窒素ならびに酸素（窒
素の流量に対して０．５体積％）を導入し、ターゲット
として金属シリコンを用いた直流マグネトロンスパッタ
法によってＳｉＯＮ膜を１０ｎｍ成膜した。その後、大
気に曝すことなく直ちに、ＩＴＯ透明導電膜を４００ｎ
ｍ成膜した。
０２７Ｐａ以下の圧力になるまで排気し加熱した。その
後全圧を０．５Ｐａとなるように窒素ならびに酸素（窒
素の流量に対して０．５体積％）を導入し、ターゲット
として金属シリコンを用いた直流マグネトロンスパッタ
法によってＳｉＯＮ膜を１０ｎｍ成膜した。その後、大
気に曝すことなく直ちに、ＩＴＯ透明導電膜を４００ｎ
ｍ成膜した。
【００３６】得られたＩＴＯ透明導電膜付き基板につい
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に成膜されたＩＴＯ膜およびＳｉＯＮ膜を除去し、
ＸＰＳにより透明基板表面を分析した。その結果表面か
らは窒素は全く検出されなかった。また、このＩＴＯ透
明導電膜付き基板について、耐薬品性試験ならびに密着
性試験を行ったところ、耐薬品性試験では膜浮きが、密
着性試験では電極端部に膜浮きが観察された。
て、臭化水素酸水溶液、フッ化水素酸水溶液によって、
表面に成膜されたＩＴＯ膜およびＳｉＯＮ膜を除去し、
ＸＰＳにより透明基板表面を分析した。その結果表面か
らは窒素は全く検出されなかった。また、このＩＴＯ透
明導電膜付き基板について、耐薬品性試験ならびに密着
性試験を行ったところ、耐薬品性試験では膜浮きが、密
着性試験では電極端部に膜浮きが観察された。
【００３７】上記実施例および比較例で成膜した酸窒化
物膜、窒化物膜あるいは酸化物膜の成膜方法と、得られ
たＩＴＯ透明導電膜付き基板について調べた結果を表１
に纏めて示す。表１から明らかなように、有機樹脂表面
に金属酸窒化物膜を成膜し、かつその成膜過程で樹脂表
面を同時に窒化することにより、耐薬品性が向上すると
ともに、ＩＴＯ透明導電膜の密着性が向上することがわ
かる。
物膜、窒化物膜あるいは酸化物膜の成膜方法と、得られ
たＩＴＯ透明導電膜付き基板について調べた結果を表１
に纏めて示す。表１から明らかなように、有機樹脂表面
に金属酸窒化物膜を成膜し、かつその成膜過程で樹脂表
面を同時に窒化することにより、耐薬品性が向上すると
ともに、ＩＴＯ透明導電膜の密着性が向上することがわ
かる。
【００３８】
【発明の効果】本発明のＩＴＯ透明導電膜付き基板は、
ＩＴＯ透明導電膜とカラーフィルタの有機樹脂との間に
金属酸窒化物膜が設けられ、かつ、その金属酸窒化物膜
は、表面が窒化された有機樹脂上に設けられているの
で、耐薬品性及び密着性に優れたＩＴＯ透明導電膜付き
基板となる。これにより、ＩＴＯ透明導電膜の酸エッチ
ングによる電極加工工程やアルカリ洗剤による洗浄工程
において、ＩＴＯ透明導電膜に膜割れや膜剥離が生じな
い。
ＩＴＯ透明導電膜とカラーフィルタの有機樹脂との間に
金属酸窒化物膜が設けられ、かつ、その金属酸窒化物膜
は、表面が窒化された有機樹脂上に設けられているの
で、耐薬品性及び密着性に優れたＩＴＯ透明導電膜付き
基板となる。これにより、ＩＴＯ透明導電膜の酸エッチ
ングによる電極加工工程やアルカリ洗剤による洗浄工程
において、ＩＴＯ透明導電膜に膜割れや膜剥離が生じな
い。
【００３９】本発明のＩＴＯ透明導電膜付き基板を用い
た液晶表示素子は、透明電極に膜割れや膜剥離がないの
で、透明電極の断線による画素点灯不良が防止でき、ま
た透明電極の密着性が大きいので信頼性の大きい液晶表
示素子となる。
た液晶表示素子は、透明電極に膜割れや膜剥離がないの
で、透明電極の断線による画素点灯不良が防止でき、ま
た透明電極の密着性が大きいので信頼性の大きい液晶表
示素子となる。
【図１】本発明のＩＴＯ透明導電膜付き基板の一実施例
の断面図である。
の断面図である。
【図２】実施例１で測定、検出された炭素ー窒素結合に
規定される光電子分光のピークを示す図である。
規定される光電子分光のピークを示す図である。
１：ＩＴＯ透明導電膜付き基板 ２：ガラス板 ３：カラーフィルタ ３ａ：カラーフィルタ画素 ３ｂ：表面平坦化のための有機樹脂膜 ３ｃ：窒化された領域 ４：金属酸窒化物膜 ５：ＩＴＯ透明導電膜
Claims (7)
- 【請求項１】透明基板上に、着色剤を含有する有機樹脂
からなるカラーフィルタ、金属酸窒化物膜、ＩＴＯ透明
導電膜がこの順に設けられた透明導電膜付き基板であっ
て、前記有機樹脂の表面および表面近傍が窒化されてい
ることを特徴とするＩＴＯ透明導電膜付き基板。 - 【請求項２】前記窒化は、前記有機樹脂中に注入された
窒素の炭素ー窒素結合する窒素によることを特徴とする
請求項１に記載のＩＴＯ透明導電膜付き基板。 - 【請求項３】前記金属酸窒化物の金属が、シリコン、ア
ルミニウム、チタニウム、タンタル、ジルコニウムから
なる金属群から選ばれた少なくとも１種であることを特
徴とする請求項１または２に記載のＩＴＯ透明導電膜付
き基板。 - 【請求項４】前記選ばれた金属がシリコンであることを
特徴とする請求項３に記載のＩＴＯ透明導電膜付き基
板。 - 【請求項５】透明基板上に設けられた着色剤を含有する
有機樹脂からなるカラーフィルタの上に、金属酸窒化物
膜、ＩＴＯ透明導電膜を順次被覆する透明導電膜付き基
板の製造方法であって、前記金属酸窒化物を前記金属ま
たは前記金属酸化物をターゲットとし、減圧した窒素を
含有するプラズマを用いる高周波マグネトロンスパッタ
リングで成膜し、同時に前記プラズマ中の窒素を前記有
機樹脂に注入させて前記有機樹脂表面を窒化することを
特徴とするＩＴＯ透明導電膜付き基板の製造方法。 - 【請求項６】前記金属酸窒化物の金属が、シリコン、ア
ルミニウム、チタニウム、タンタル、ジルコニウムから
なる金属群から選ばれた少なくとも１種であることを特
徴とする請求項５に記載のＩＴＯ透明導電膜付き基板の
製造方法。 - 【請求項７】請求項１〜４のいずれかに記載のＩＴＯ透
明導電膜付き基板を一方の基板とし、これと対向配置さ
せた他方の基板との間に液晶を封入した液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35885498A JP3422272B2 (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | Ｉｔｏ透明導電膜付き基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35885498A JP3422272B2 (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | Ｉｔｏ透明導電膜付き基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000180840A true JP2000180840A (ja) | 2000-06-30 |
| JP3422272B2 JP3422272B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=18461449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35885498A Expired - Fee Related JP3422272B2 (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | Ｉｔｏ透明導電膜付き基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3422272B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003007059A1 (fr) * | 2001-07-10 | 2003-01-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrat recouvert d'un film ito et son procede de fabrication |
| CN1317587C (zh) * | 2003-09-19 | 2007-05-23 | 统宝光电股份有限公司 | 彩色滤光片结构 |
| JP2007183452A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Epson Imaging Devices Corp | 半透過型液晶表示装置 |
| WO2007086280A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 積層構造及びそれを用いた電気回路用電極 |
-
1998
- 1998-12-17 JP JP35885498A patent/JP3422272B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003007059A1 (fr) * | 2001-07-10 | 2003-01-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrat recouvert d'un film ito et son procede de fabrication |
| US7005673B2 (en) | 2001-07-10 | 2006-02-28 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | ITO film-formed substrate, and manufacturing method thereof |
| CN1318892C (zh) * | 2001-07-10 | 2007-05-30 | 日本板硝子株式会社 | 带有ito膜的基板及其制造方法 |
| KR100880778B1 (ko) * | 2001-07-10 | 2009-02-02 | 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 | Ｉｔｏ 피막 부착 기판 및 그 제조방법 |
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| JP2007183452A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Epson Imaging Devices Corp | 半透過型液晶表示装置 |
| WO2007086280A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 積層構造及びそれを用いた電気回路用電極 |
| JP5165388B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2013-03-21 | 出光興産株式会社 | 積層構造及びそれを用いた電気回路用電極 |
| US8957313B2 (en) | 2006-01-25 | 2015-02-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Multilayer structure, and electrode for electrical circuit using the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3422272B2 (ja) | 2003-06-30 |
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