CN105723473A - 透明导电性层叠体和触摸面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种透明导电性层叠体，是在基材上层叠有透明导电膜而成的透明导电性层叠体，在确保基材与透明导电膜的密合性的同时保持透明导电膜的电特性，而且透光特性良好，耐试剂性优异。另外提供具备上述透明导电性层叠体的可靠性高的触摸面板。一种透明导电性层叠体和具备该透明导电性层叠体的触摸面板，该透明导电性层叠体具有透明基材、设置在上述透明基材的一个主面上的厚度为3～60nm的SiOx1层(其中，x1为1.8以上且小于2.0)、设置在上述SiOx1层上的厚度为0.2～5nm的SiOx2层(其中，x2为1.9～2.0且大于x1)、和设置在上述SiOx2层上的以氧化铟锡为主体的导电层。

Description

透明导电性层叠体和触摸面板
技术领域
本发明涉及透明导电性层叠体和具有该透明导电性层叠体的触摸面板。
背景技术
在透明的基材上层叠有透明导电膜的透明导电性层叠体具有导电性和光学透明性，因此被用作透明电极膜、电磁波屏蔽膜、面状发热膜、防反射膜等，近年来作为触摸面板用电极而受到关注。触摸面板存在电阻膜式、电容耦合式、光学式等多种方式。透明导电膜例如用于通过上下电极接触而确定触摸位置的电阻膜式、感知电容的变化的电容耦合方式。用于电阻膜式的透明导电膜在工作原理上是透明导电膜彼此进行机械接触，因此需要高耐久性。
为了对用作透明导电膜的透明导电性层叠体赋予这样的高耐久性，一直以来，在基材与氧化铟锡等透明导电膜之间设置氧化硅层来增强透明导电膜与基材的密合性。这里，使用SiO2层作为氧化硅层时，虽然实现某种程度的密合性的提高，但是密合性、耐碱性等耐试剂性不充分，不能说满足了所需求的耐久性。另外，使用SiOx(x小于2)层时，虽然得到高的密合性，但导致透明导电膜的表面电阻变化，在这方面存在问题。
因此，为了兼得密合性和透明导电膜的电特性的维持，例如，在专利文献1中记载了从基材侧依次设置相对折射率为1.6～1.9的范围的SiOx(x为1.5以上且小于2)层和SiO2层，并在其上设置透明导电膜的透明导电性层叠体的技术。然而，对于专利文献1中记载的透明导电性层叠体，虽然能够兼得密合性和透明导电膜的电特性的维持，但有时导致透射光的色调变化，并且层的厚度厚，因此希望改善生产率和透光性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4508074号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种透明导电性层叠体，是在基材上层叠有透明导电膜而成的透明导电性层叠体，其在确保基材与透明导电膜的密合性的同时保持透明导电膜的电特性，并且透光特性良好，耐试剂性优异。此外，本发明的目的在于提供一种具备上述透明导电性层叠体的可靠性高的触摸面板。
本发明的透明导电性层叠体具有透明基材、设置在上述透明基材的一个主面上的厚度为3～60nm的SiOx1层(其中，x1为1.8以上且小于2.0)、设置在上述SiOx1层上的厚度为0.2～5nm的SiOx2层(其中，x2为1.9～2.0且大于x1)、和设置在上述SiOx2层上的以氧化铟锡为主体的导电层。
另外，本发明的触摸面板具备上述本发明的透明导电性层叠体。
根据本发明，能够提供一种透明导电性层叠体，是在基材上层叠有透明导电膜的透明导电性层叠体，其在确保基材与透明导电膜的密合性的同时保持透明导电膜的电特性，并且透光特性良好，耐试剂性优异。此外，根据本发明，能够提供一种具备上述透明导电性层叠体的可靠性高的触摸面板。
附图说明
图1是表示本发明的透明导电性层叠体的实施方式的一个例子的截面图。
图2是表示本发明的透明导电性层叠体的实施方式的另一个例子的截面图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对本发明的实施方式进行说明。应予说明，本发明不受下述说明限定解释。
[透明导电性层叠体]
图1和图2是分别表示本发明的透明导电性层叠体的实施方式的一个例子和另一个例子的截面图。
图1和图2中，透明导电性层叠体10具有透明基材1、设置在透明基材1的一个主面上的厚度为3～60nm的SiOx1层2(其中，x1为1.8以上且小于2.0)、设置在SiOx1层2上的厚度为0.2～5nm的SiOx2层3(其中，x2为1.9～2.0且大于x1)、和设置在SiOx2层3上的以氧化铟锡为主体的导电层4。
图2所示的透明导电性层叠体10是透明基材1在两主面上具有树脂层5a、5b，在一侧树脂层5a上依次设有SiOx1层2、SiOx2层3和导电层4的构成。应予说明，本发明的透明导电性层叠体中，图2所示的树脂层5a、5b这样的树脂层是任意设置的层。
导电层4由于隔着上述构成的SiOx1层2和SiOx2层3形成在透明基材1上，因此与透明基材1牢固地密合而具有高耐久性。另外，以氧化铟锡为主体的导电层4通过以与SiOx2层3接触的方式形成，因此能够以与直接形成在透明基材1上的情况相同的结晶状态形成。由此，在导电层4中薄层电阻值等电特性可以保持为规定值。另外，透明导电性层叠体10具有可见光透射率高、透射光的色调的变化少等良好的透光特性。
以下，对构成透明导电性层叠体10的各要素进行说明。
作为透明基材1，可以没有特别限制地使用在透明导电性层叠体中通常使用的透明基材，例如由透明性高的材料构成的膜状或板状的基材。作为这样的透明基材1，例如优选由选自聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、尼龙6、尼龙66等聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳酯、聚碳酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚醚砜、聚砜等中的聚合物或共聚物构成的塑料膜。该塑料膜可以是拉伸的膜，也可以是未拉伸的膜。作为透明基材1，其中特别优选由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的塑料膜。
应予说明，本说明书中“(甲基)丙烯酸酯”作为总称丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的用语使用。以下，“(甲基)丙烯酸…”以与上述相同的含义使用。
透明基材1的厚度根据使用透明导电性层叠体10的用途而适当地选择。用于触摸面板时，从挠性、耐久性等观点考虑，透明基材1的厚度优选10～200μm，更优选20～150μm。
另外，出于提高与SiOx1层2的密合性等目的，可以在透明基材1的至少设置SiOx1层2的一侧主面预先实施易粘接处理、等离子体处理、电晕处理等表面处理。应予说明，该表面处理也可以对透明基材1的两个主面实施。
此外，透明基材1可以根据需要在不损害本发明的效果的范围内，至少在设置SiOx1层2的一侧主面上具有树脂层。应予说明，树脂层也可以设置在透明基材1的两个主面上。图2表示这样在透明基材1的两个主面上具有树脂层5a、5b的透明导电性层叠体10的截面图。作为树脂层，优选硬涂层，该硬涂层是具有提高SiOx1层2的密合性的功能或光学调整功能等的树脂层、透明且硬质的树脂层。
硬涂层的厚度优选1～15μm，更优选1.5～10μm。通过使硬涂层的膜厚为1μm以上，能够通过形成硬涂层得到所期待的效果。另外，通过使膜厚为15μm以下，能够抑制硬涂层的成膜效率的降低，并且也能够抑制裂纹的产生。
硬涂层例如由通过电离辐射线、热而固化的固化性树脂的固化物而构成。通过电离辐射线而固化的固化性树脂可以含有丙烯酸系材料，可以使用多元醇的(甲基)丙烯酸酯这样的多官能(甲基)丙烯酸酯化合物、由二异氰酸酯与多元醇和(甲基)丙烯酸的羟基酯等合成的多官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物。另外，除此以外，可以使用具有丙烯酸酯系官能团例如(甲基)丙烯酰基的聚醚树脂、聚酯树脂、环氧树脂、醇酸树脂、螺缩醛树脂、聚丁二烯树脂、聚硫醇聚烯烃树脂等。另外，也可以使用热固化型的聚硅氧烷树脂等。
作为上述固化性树脂在透明基材的涂布面上的涂布方法，优选湿式成膜法，优选使用辊式涂布机、逆辊式涂布机、凹版涂布机、微型凹版涂布机、刮刀涂布机、刮棒涂布机、线棒涂布机、模涂机、浸涂机的涂布方法。
作为在上述固化性树脂的固化中使用的电离辐射线，例如可以使用紫外线、电子束。在紫外线固化的情况下，可以利用高压汞灯、低压汞灯、超高压汞灯、金属卤化物灯、碳弧灯、氙弧灯等光源。另外，在电子束固化的情况下，可以利用由科克罗夫-瓦耳顿型、范德格拉夫型、共振变压型、绝缘芯变压型、直线型、高频高压型、高频型等各种电子束加速器释放出的电子束。
SiOx1层2(其中，x1为1.8以上且小于2.0)是设置在上述透明基材1的一个主面上的厚度3～60nm的层。对于SiOx1层2而言，透明基材1如图2所示具有上述硬涂层等树脂层时隔着该树脂层，例如，在图2的情况下隔着设置在透明基材1的两主面上的树脂层5a、5b中的一个树脂层5a被设置。如图1所示，透明基材1不具有树脂层时，SiOx1层2直接设置在透明基材1上。
只要SiOx1层2的SiOx1的x1和SiOx1层2的厚度在上述范围内，则得到的透明导电性层叠体就在各层间得到足够的密合性，并且透光特性良好，且耐碱性也良好。
此外，在透明导电性层叠体被用于各种用途时，为透明导电性层叠体与电气光学元件接触的构成的情况下，要求透明导电性层叠体对水蒸气、氧等的良好的气体阻隔性。只要SiOx1层2的SiOx1的x1和SiOx1层2的厚度在上述范围内，就确保密合性，并且气体阻隔性也良好。
对于透明导电性层叠体的气体阻隔性，例如对水蒸气阻隔性，可以将用以下方法测定的水蒸气透过率作为指标进行评价。即，如果该水蒸气透过率比规定的值低，则可以说水蒸气阻隔性优异。水蒸气透过率可以通过由JISZ0208规定的透湿度试验(杯法)或由JISK7129B法规定的红外传感器法等进行测定。透明导电性层叠体的水蒸气透过率基于JISK7129B法，以在温度40℃、湿度90％RH下测定的水蒸气透过率计，优选1g/m2/day以下，更优选0.5g/m2/day以下。
另外，从这些观点考虑，SiOx1层2的SiOx1的x1优选为比SiOx2的x2小的值，在1.9以上且小于2.0的范围内。SiOx1层2的厚度优选3～10nm，更优选4～7nm。
在透明基材1的主面上形成SiOx1层2，只要是形成上述厚度的SiOx1层，方法就没有特别限制。可以为干式成膜法，也可以为湿式成膜法。SiOx1层2通常由耐湿热性优异的干式成膜法形成。作为干式成膜法，优选溅射法、离子镀法或真空蒸镀法，特别优选溅射法。
应用溅射法时，优选使用硼掺杂多晶硅靶作为溅射靶。SiOx1层2的成膜例如通过将在氩气中混合有氧气的混合气体导入溅射装置内，同时以0.1～0.8Pa的压力溅射硼掺杂多晶硅靶而进行。上述溅射中，可以通过调整功率密度和溅射时间而将SiOx1层2的厚度调整为上述范围内的规定厚度，通过电压和氧气流量来调整x1。
这样得到的SiOx1层2中的SiOx1相对于波长550nm的光的折射率大致优选1.43～1.55的范围，更优选1.46～1.53。以下，折射率只要没有特别说明，就指相对于波长550nm的光的折射率。应予说明，SiOx1层2中的SiOx1的折射率会在SiOx1层2上进一步形成SiOx2层3时受到影响而改变。本说明书中，SiOx1层中的SiOx1的折射率是指在形成于透明基材1上并在其上什么也不形成的状态下的SiOx1层中的SiOx1的折射率。
设置在SiOx1层2上的SiOx2层3是厚度为0.2～5nm、SiOx2的x2为1.9～2.0、且x2比x1大的层。
只要SiOx2层3的SiOx2的x2和SiOx2层3的厚度在上述范围内，则得到的透明导电性层叠体在各层间得到足够的密合性，并且透光特性良好。此外，可以使在SiOx2层3上形成的以氧化铟锡为主体的导电层4的成膜性与在透明基材1上直接成膜的情况同等，由此可以使导电层4的电特性充分。
另外，从这些观点考虑，SiOx2层3的SiOx2的x2优选为大于SiOx1的x1的值，在1.95～2.0的范围，更优选2.0。SiOx2层3的厚度优选0.5～5nm，更优选1～3nm。
这里，透明导电性层叠体10中，上述SiOx1层2的厚度和SiOx2层3的厚度的合计优选20nm以下，更优选10nm以下。通过SiOx1层2和SiOx2层3的合计的厚度在该范围内，从而透明导电性层叠体10的透光特性变得更良好。即，透明导电性层叠体10能够实现可见光透射率高，透射光的色调变化少的透光特性。另外，SiOx1层2和SiOx2层3的合计的厚度为上述范围时，在生产率的方面是有利的。
应予说明，透射光的色调可以以基于JISZ8729(2004年)的使用C光源的L＊a＊b＊表色系中的b＊的值为指标进行评价。b＊的值被用作泛黄色的指标。本说明书中将基于JISZ8729(2004年)的使用C光源的L＊a＊b＊表色系中的b＊的值简称为“b＊的值”。本发明的透明导电性层叠体中，b＊的值优选1.5以下。
SiOx2层3的形成只要形成上述厚度的SiOx2层，方法就没有特别限制。可以为干式成膜法，也可以为湿式成膜法。SiOx2层3通常由耐湿热性优异的干式成膜法形成。作为干式成膜法，优选溅射法、离子镀法或真空蒸镀法，特别优选溅射法。
应用溅射法时，优选使用硼掺杂多晶硅靶作为溅射靶。SiOx2层3的成膜例如通过将在氩气中混合有氧气的混合气体导入溅射装置内，同时以0.1～0.8Pa的压力溅射硼掺杂多晶硅靶而进行。上述溅射中，通过调整功率密度和溅射时间而将SiOx2层3的厚度调整为上述范围内的规定厚度。另外，通过调整电压和氧气流量来调整x2。
这样得到的SiOx2层3中的SiOx2相对于波长550nm的光的折射率大致优选1.46～1.54的范围，更优选大致1.47～1.52。应予说明，SiOx2层中的SiOx2的折射率与上述SiOx1层中的SiOx1的折射率同样是指以形成在SiOx1层上并在其上什么都不形成的状态的SiOx2层中的SiOx2的折射率。
比较上述说明的SiOx1的折射率与该SiOx2的折射率时，可知其差较小。由于SiOx1与SiOx2的折射率差较小，因此能够抑制SiOx1层2与SiOx2层3的界面的反射，将透明导电性层叠体的b＊的值抑制为较低。
设置在SiOx2层3上的以氧化铟锡为主体的导电层4没有特别限制地使用透明导电性层叠体所使用的以氧化铟锡为主体的层作为透明导电膜。
本发明的透明导电性层叠体中，例如优选使用通过在上述SiOx2层3上层叠以非晶状态的氧化铟锡为主体的非晶层后，对该非晶层进行热处理(退火)使其结晶化而得到的结晶性的透明导电膜作为导电层4。以下，对这样形成的导电层4进行说明。在以下说明中，将以非晶状态的氧化铟锡为主体的非晶层简称为“非晶层”。
这里，对非晶质、晶质用在HCl溶液(浓度1.5mol/L)中浸渍5分钟前后测定电阻值而求得的电阻值变化率，具体而言由(浸渍后的电阻值/浸渍前的电阻值)×100(％)求得的电阻值变化率进行评价。该电阻值变化率超过200％时，评价为非晶质，另外电阻值变化率为200％以下时，评价为晶质。
主要构成非晶层或其结晶化而成的导电层4的氧化铟锡是铟和锡的氧化物，作为该氧化物，例如可举出氧化铟和氧化锡的混合物、氧化铟和氧化锡的复合氧化物。氧化铟锡的组成在非晶状态和结晶化状态下都不会改变。
本发明中使用的氧化铟锡中的锡的以氧化物换算的含量以SnO2换算计优选5.5～10质量％。应予说明，以下，有时将由氧化铟锡中的锡的以氧化物换算(SnO2换算)的含量记为氧化锡含量。氧化铟锡中的氧化锡含量优选5.8质量％以上，更优选超过6质量％，进一步优选6.5质量％以上。另外，该含量优选8.9质量％以下，更优选8.5质量％以下，进一步优选8.3质量％以下。氧化铟锡中的氧化锡含量在上述范围时，能够易于从非晶状态通过热处理进行结晶化，结晶化时的薄层电阻值低，且抑制了膜厚的增加。
导电层4是以氧化铟锡为主体的层。以氧化铟锡为主体具体而言是指导电层4中的氧化铟锡的含有比例为90质量％以上。即，非晶层或导电层4可以根据需要且在不违反本发明的主旨的限度内以10质量％以内的范围含有氧化铟锡以外的成分。作为氧化铟锡以外的成分，例如可举出铝、锆、镓、硅、钨、锌、钛、镁、铈、锗等的氧化物。非晶层或导电层4中的这些氧化铟锡以外的成分的含量优选5质量％以下，更优选3质量％以下，进一步优选1质量％以下。非晶层或导电层4特别优选仅由氧化铟锡构成。
这里以氧化铟锡为主体的非晶层和导电层4的厚度大致相同。从对非晶层进行热处理而结晶化时的容易性和透射率等光学特性的观点考虑，作为导电层4的厚度，优选10～50nm，更优选15～35nm。
以上，对使以氧化铟锡为主体的非晶层结晶化而成的导电层进行说明，但本发明的透明导电性层叠体中，也可以根据需要以未热处理状态使用如上所述层叠的以氧化铟锡为主体的非晶层作为导电层而制成透明导电性层叠体。
使以氧化铟锡为主体的非晶层通过热处理进行结晶化而制成导电层时，从容易结晶化的观点考虑，使用的非晶层的薄层电阻值优选200～500Ω/□，更优选300～450Ω/□。另外，使这样的以氧化铟锡为主体的非晶层结晶化而得到的导电层的薄层电阻值优选50～200Ω/□，更优选70～160Ω/□。
从抑制伴随触摸面板等电子设备的大型化而产生的操作时的传递速度的降低的观点考虑，本发明的透明导电性层叠体中的导电层的薄层电阻值优选50～500Ω/□，更优选70～450Ω/□。另外，采用这样的导电层，也能够使蚀刻性良好。上述优选的导电层的薄层电阻值的范围包含上述通过热处理制成导电层的非晶层的薄层电阻值。因此，本发明的透明导电性层叠体可以使用该非晶层本身作为导电层。
形成使以氧化铟锡为主体的非晶层结晶化而成的导电层4时，首先在以上说明的SiOx2层3上将以非晶状态的氧化铟锡为主体的非晶层成膜。成膜方法无需限定，但优选溅射法、离子镀法或真空蒸镀法，特别优选溅射法。
应用溅射法时，优选使用由混合氧化锡(SnO2)和氧化铟(In2O3)并烧结而成的氧化铟锡的烧结体构成的溅射靶。非晶层的成膜优选使用该溅射靶，例如一边将在氩气中混合有0.5～10体积％、优选混合有0.8～6体积％的氧气的混合气体导入溅射装置内一边进行溅射。通过一边导入这样的混合气体一边进行溅射，能够将非晶质且易于通过热处理而结晶化、结晶化时的薄层电阻值低的非晶层成膜。
另外，在非晶层成膜前，将溅射装置内的真空度排气至5×10-4Pa以下，优选为9×10-5Pa以下，优选形成除去了溅射装置内的水分、由透明基材等产生的水分或有机气体等杂质的环境。通过减少成膜中的水分、有机气体的存在，从而易于得到容易通过热处理而结晶化、结晶化时的薄层电阻值低的膜。
将非晶层成膜时的氧气的流量相对于结晶化后的薄层电阻值为最低值时的流量优选0.6～1.4倍的范围，更优选0.7～1.3倍的范围，特别优选0.8～1.2倍的范围。因此，在实际的非晶层的成膜中，优选预先求出这样结晶化后的薄层电阻值为最低值时的氧气的流量，以相对于该氧气的流量成为上述范围内的方式调整氧气的流量而进行。最佳流量根据成膜装置而有些不同，所以特别是通过采用这样的方法能够有效地将结晶化后的薄层电阻值低的非晶层成膜。
这样成膜的非晶层的薄层电阻值大致在上述非晶层的优选的范围内，也可以根据需要将不实施以下热处理而得到的非晶层本身作为导电层。这样将非晶层本身作为导电层的情况下，不执行以下说明的热处理，得到透明导电性层叠体。
将非晶层结晶化而成的导电层4通过对这样的非晶层进行热处理使其结晶化而制成结晶性透明导电膜从而形成。热处理例如优选大气中在100～150℃进行10～180分钟。通过使热处理温度为100℃以上，且使热处理时间为10分钟以上，能够使非晶层有效地结晶化。另外，通过热处理温度为150℃以下，且热处理时间为180分钟以下，能够充分结晶化，通过为这些值以下能够抑制透明基材等的损伤，并且也能够提高生产率。应予说明，优选结晶化的氧化铟锡具有氧化铟(In2O3)的晶体结构，在铟的位点取代有锡。
如此得到图1所示的在透明基材1的一个主面上依次层叠有SiOx1层2、SiOx2层3、导电层4的透明导电性层叠体10，或者图2所示的在透明基材1的两主面上具有树脂层5a、5b并在树脂层5a上依次层叠有SiOx1层2、SiOx2层3、导电层4的透明导电性层叠体10。
以上，对图1和图2所示的透明导电性层叠体10进行说明，但本发明的透明导电性层叠体不限定于此。可以在不脱离本发明的主旨和范围的范围内对透明导电性层叠体10进行变更或变形。本发明的透明导电性层叠体优选用于电子设备。作为电子设备，可举出液晶显示器、等离子显示器、触摸面板等，特别优选触摸面板。
[触摸面板]
本发明的触摸面板具备上述本发明的透明导电性层叠体。触摸面板例如具有显示部和配置在该显示部前面的触摸面板部。透明导电性层叠体被用作这样的触摸面板部中的具有透明电极的透明电极基板。作为触摸面板部，可以为通过上下电极接触来确定触摸位置的电阻膜式、感知电容的变化的电容耦合方式中的任一种。
实施例
以下，举出实施例对本发明的实施方式进行具体说明。应予说明，本发明不受这些实施例限定。另外，例1为实施例，例2、例3为比较例。厚度是由光学特性或溅射成膜速率和溅射时间求出的值，并非实际测定的厚度。应予说明，厚度为几何学厚度。
(例1)
使用两面具有硬涂层(丙烯酸树脂层，8μm)的合计厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜作为带硬涂层的透明基材。在该带硬涂层的透明基材的硬涂层上形成厚度7nm的SiOx1层(x1＝1.95)。SiOx1层使用硼掺杂多晶硅靶，一边导入在氩气中混合有氧气的混合气体一边在0.2Pa的压力下进行AC磁控溅射而形成。应予说明，SiOx1层的厚度的调整通过调整功率密度和溅射时间来进行，x1的调整通过调整电压和氧流量来进行。
在上述SiOx1层上形成厚度3nm的SiOx2层(x2＝2.0)。SiOx2层使用硼掺杂多晶硅靶，一边导入在氩气中混合有氧气的混合气体一边在0.2Pa的压力下进行AC磁控溅射而形成。SiOx2层的厚度的调整通过调整功率密度和溅射时间来进行，x2的调整通过调整电压和氧流量来进行。
在形成有上述SiOx1层、SiOx2层的PET膜的SiOx2层上，使用由氧化铟锡构成的靶，一边导入在氩气中混合有1.4体积％的氧气的混合气体一边在0.25Pa的压力下进行DC磁控溅射，形成厚度23nm的非晶层。氧化铟锡靶由混合10质量％的氧化锡(SnO2)和90质量％的氧化铟(In2O3)并烧结而成的烧结体构成。另外，非晶层的厚度的调整通过调整功率密度和溅射时间来进行。应予说明，推断非晶层中的锡的以氧化物换算的含量约为10质量％。
将得到的层叠体切断成100mm×100mm的尺寸，用后述方法测定薄层电阻值。可以将得到的层叠体直接作为透明导电性层叠体，但本例中，将该层叠体在大气中在150℃进行30分钟的热处理来制造透明导电性层叠体。
(例2)
在与例1相同的透明基材上形成厚度10nm的SiOx1层(x1＝1.95)。SiOx1层使用硼掺杂多晶硅靶，一边导入在氩气中混合有氧气的混合气体一边在0.2Pa的压力下进行AC磁控溅射而形成。应予说明，SiOx1层的厚度的调整通过调整功率密度和溅射时间来进行，x1的调整通过调整电压和氧流量来进行。在SiOx1层上不形成SiOx2层地直接与例1同样地进行以氧化铟锡为主体的导电层的形成。
在形成导电层时，与例1同样地在对以氧化铟锡为主体的非晶层进行热处理前切断成100mm×100mm的尺寸，测定薄层电阻值后，进行热处理而制造透明导电性层叠体。
(例3)
在与例1相同的透明基材上，不形成SiOx1层地直接形成厚度10nm的SiOx2层(x2＝2.0)。SiOx2层使用硼掺杂多晶硅靶，一边导入在氩气中混合有氧气的混合气体一边在0.2Pa的压力下进行AC磁控溅射而形成。SiOx2层的厚度的调整通过调整功率密度和溅射时间来进行，x2的调整通过调整放电电压和氧流量来进行。在SiOx2层上与例1同样地进行以氧化铟锡为主体的导电层的形成。
在形成导电层时，与例1同样地在对以氧化铟锡为主体的非晶层进行热处理前切断成100mm×100mm的尺寸，测定薄层电阻值后，进行热处理来制造透明导电性层叠体。
对在上述各例中得到的透明导电性层叠体进行以下评价。将结果示于表1。
(b＊值)
基于JISZ8729(2004年)，使用分光光度计(东京电色公司制，TC-1800MKIII)对由C光源从透明导电性层叠体的导电层侧入射的光的透射率光谱(380～780nm)进行测定，算出L＊a＊b＊值。将b＊值示于表1。
(薄层电阻值)
使用Lorester(三菱化学公司制，商品名)利用四探针法对100mm×100mm的尺寸的各透明导电性层叠体测定薄层电阻值。
(耐碱性)
将各透明导电性层叠体在5.6质量％的氢氧化钾水溶液(40℃)中浸渍3分钟后，通过目视确认透明导电性层叠体的导电层侧表面有无裂纹，按照以下基准进行判定。
○：完全看不到裂纹。
×：虽然微小但看到裂纹。
(水蒸气阻隔性)
使用水蒸气透过率测定装置(MOCON公司制，产品名“PERMATRAN-W3/33MG”)，基于JISK7129B法(红外传感器法)，在温度40℃、湿度90％RH的环境下测定各透明导电性层叠体的水蒸气透过率。应予说明，对于透明导电性层叠体的调湿，从成膜面侧向基材侧设定水蒸气透过的方向。只要水蒸气透过率为0.5g/m2/day以下，就可以说具有良好的水蒸气阻隔性。
[表1]
＊表1中，HC层表示硬涂层。
由表1可知例1的透明导电性层叠体的色调、电阻值、耐碱性、水蒸气阻隔性中的任意一项都是良好的结果。应予说明，对水蒸气阻隔性而言，即使氧化硅层的总膜厚为相同的10nm，但具有SiOx1层和SiOx2层的层叠结构的透明导电性层叠体(例1)为最好的结果。氧化硅层本来如例3所示成为完全的氧化物(SiO2)的一方阻隔性优异，但兼得阻隔性和与基材的密合性时，SiOx(x＜2)的一方结果变好。因此，认为SiOx1层和SiOx2层的层叠体的密合性最高，且阻隔性优异。
符号说明
10…透明导电性层叠体，1…透明基材，2…SiOx1层，3…SiOx2层，4…导电层，5a、5b…树脂层。

Claims (5)

1.一种透明导电性层叠体，具有：
透明基材；
SiOx1层，设置在所述透明基材的一个主面上，厚度为3～60nm，其中，x1为1.8以上且小于2.0；
SiOx2层，设置在所述SiOx1层上，厚度为0.2～5nm，其中，x2为1.9～2.0且大于x1；和
导电层，设置在所述SiOx2层上，以氧化铟锡为主体。
2.根据权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，所述SiOx1层的厚度为3～10nm。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性层叠体，其中，所述SiOx1层的厚度和所述SiOx2层的厚度的合计为10nm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性层叠体，其中，在所述透明基材与所述SiOx1层之间具有树脂层。
5.一种触摸面板，具备权利要求1～4中任一项所述的透明导电性层叠体。
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