JPH02202068A - 光透過性導電性積層体膜 - Google Patents

光透過性導電性積層体膜

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JPH02202068A
JPH02202068A JP1317405A JP31740589A JPH02202068A JP H02202068 A JPH02202068 A JP H02202068A JP 1317405 A JP1317405 A JP 1317405A JP 31740589 A JP31740589 A JP 31740589A JP H02202068 A JPH02202068 A JP H02202068A
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light
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light transmitting
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Michael F Weber
マイクル　フランシス　ウェーバー
Nang T Tran
ナング―トライ　トラン
James R Gilbert
ジェームス　ロバート　ギルバート
Frank E Aspen
フランク　ユージン　アスペン
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Minnesota Mining and Manufacturing Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、太陽電池に関し、特に太陽電池と電気的に密
接に接触した光透過性導電性層に関する。
〔従来の技術〕
太陽電池装置に入射した光を電気エネルギーに変換する
装置の効率は、一つには無定形珪素部分へ伝達される光
の割合に支配される。装置の電気的接続のために用いら
れる一番上の導電性層で反射されるか又はそこに吸収さ
れる光は、無定形珪素部分によって電気エネルギーへ変
換するのに利用することができない。更に、装置の効率
は、電子を無定形珪素領域から遠ざけるか又はその領域
へ伝導する透明導電性層の能力に依存する。高出力太陽
電池装置又は大面積装置にとって伝導度は特に重要であ
る。
一般に、一番上の導電性層による効率のよい光透過と効
率のよい導電性とは互いに相反する目的である。例えば
、厚い（即ち、５０ｎ−より厚い）金属導電体は光不透
過性である。しかし、非常に薄い金属膜は不透明ではな
い。僅かな金属（特に銀及びアルミニウム）は、薄膜で
は低い光吸収率を有する。しかし、これらの同じ金属は
非常に薄い膜の時でも一般に反射性が高く、そのため低
い光透過率をもたらす。
従来の技術の一つの方法は、透明性と、むしろ控え目な
電気伝導度を有する金属酸化物を用いることであった。
金属酸化物に関し、「透明」とは、その材料を通って幾
らかの光が透過することを意味する。透明導電性酸化物
は、希望の水準の電気伝導度を得るために極端に厚い層
、即ち極端に高い付着量及び（又は）焼鈍温度を必要と
する。しかし、極端に厚い透明導電性酸化物層は、光吸
収が増大するため、装置の光透過率を低下させる欠点を
もつことになる。
透明導電性酸化物と金属導電体との組合せが以前から提
案されている。　１９８４年１１月２９日に出願された
米国特許出願５ｅｒｉａｌ　Ｎｏ、ｆＨ，６７６の中で
、マダン（Ｍａｄａｎ）は、薄い金属層と接触した無定
形珪素半導体で、その金属層の上に約５５〜６０１ｍの
厚さの一つの反射防止層が形成されている無定形珪素半
導体を記述している。マダンの反射防止方法は、装置の
機械的及び化学的保護のために必要なカプセル化剤がそ
の反射防止層の上に適用されると効果が低くなる。特に
、典型的なカプセル化の後、反射は１５〜２５％増大す
る。ベルマン（Ｂｅｒｍａｎ）その他による米国特許第
４，６６３，４９５号明＃Ｉ書には、対称的積層体とし
て高反射性金属と金属酸化物との透明電極が記載されて
いる。オカニワ（Ｏｋａｎ　ｉｗａ）その他による米国
特許第４，６９７，０４１号明細書には、透明電極とし
てＴｉｏ２／Ａｇ／Ｔｉｏ２の如き積層体を使用するこ
とが示唆されている。
〔発明の開示〕
本発明には、光透過性電極として有用な光透過性導電性
１ｉ（ＩＮ体膜で、第一光透過性導電性層、前記第一層
とは光学的厚さが異なった第二光透過性層、及び前記第
一及び第二光透過性層の間に挟まれた導電性金属層を有
する光透過性導電性積層体膜が含まれる。光電装置は、
頂部電極としてのその光透過性導電性積層体膜と、半導
体層と、基底電極とを含んでいる。
本発明の太陽電池装置は、第１図中（１０）として全体
的に示されている。装置には基体（１２）が含まれてい
る。第一導電性層（１４）がその基体（１２）の上に付
着されている。第一導電性層（１４）の上に、水素化無
定形珪素半導体部分（１６）が付着されている。
その無定形珪素領域（１６）の上に光透過性導電性層（
１８）が付着されている。光透過性導電性膜又は層（１
８）に、任意のカプセル化剤１　（２０）が積層されて
いる。第一導電性層（１４）は、無定形珪素領域（１６
）のための一対の電極の一方として働き、その無定形珪
素領域は適当な波長の光に曝されると回路に電流を発生
する。光透過性導電性層（１８）は無定形珪素領域のた
めの一つの電極としても働く。
太陽電池エネルギー変換効率は、光透過性導電性層（１
８）を通って無定形珪素部分（１６）へ光を透過する効
率に正比例する。大面積電池の場合、この効率は光透過
性導電性層（１８）の横方向の電気伝導度にも比例する
。
光透過性導電性膜又はＩＩ（１８）には、光透過性導電
性酸化物の如き材料の第一光透過性導電性層（２２）、
透明酸化物の如き材料の第二光透過性層（２４）（両方
共典型的にはスパッタリングにより付着されている）、
及び第一光透過性導電性層（２２）と第二光透過性層（
２４）との間に挟まれた金属層（２６）が含まれている
。金属層（２６）は、典型的には第二層（２４）を付着
する前に第一層（２２）上へ蒸着又はスパッタリングに
より付着される。
無定形珪素領域（１６）は、典型的にはｐ−ｉ−ｎ系で
、基底導電性層に隣接したｎ型導電性層、中間真性導電
性層及びｎ型導電性層を含んでいる。無定形珪素領域の
別の構造としては、基底導電性層に隣接し７たｎ型導電
性層、真性導電性層及びｐ型導電性上層が含まれている
。
第−導電性層（１４）は、導電性金属、例えば、ステン
レス鋼、アルミニウム又は銀から形成されるのが典型的
である。別法として、第−導電性層は、例えば、ステン
レス鋼と銀又はアルミニウムの積層体の如き金属の積層
体として形成されてもよい。
太陽電池装置（１０）の製造には、典型的にはポリイミ
ド膜の如き基体（１２）の上に金属をスバ・ンタリング
し、第一層（１４）を形成することが含まれている。無
定形珪素水素化物層（１６）は、シラン（ＳｉＨ＜）ガ
ス、水素（Ｈ２）ガス及び適当なドープ剤の混合物をプ
ラズマで補助した化学的真空蒸着装置中で分解すること
により付着される。ｎ゛層を形成するのに適切なドープ
剤はホスフィン（ＰＨ３）ガスである。ｐ″層を形成す
るのに適切なドープ剤はジボラン（Ｂ２Ｈ−）ガスであ
る。
装置（１０）の層は、夫々隣接した層と、用いられた種
々の付着方法により密接に接触している。
透明酸化物の如き二つの誘電体の間に薄い金属の層を対
称的に挟む即ち積層すると、空気によって囲まれた時、
挟まれていない即ち露出した薄い金属層に比較して光透
過率が増大することが知られている。しかし、対称誘電
体積層体は、別の高屈折率誘電体材料と接触させると反
射の減少に役に立たない。対称的積層体は、一般に頂部
透明導電性層として用いると、反射を減少するのに効果
がない、なぜなら、ドープされた水素化無定形珪素は約
４．０の屈折率を有するからである。本発明は、頂部光
透過性導電性層として用いられる積層体即ち挟作体の有
害な反射を減少させるため、異なった光学的厚さの光透
過性又は誘電体層を有する積層体を用いる。
［異なった光学的厚さ」とは、層（２２）及び（２４）
の各々で光学距離が異なっていることを意味する。
光学的厚さは物理的厚さ及び屈折率に依存する。
従って、異なった材料を用いるか、又は別法として異な
った物理的厚さを用いるか、又は別法として異なった材
料と異なった物理的厚さを用いることにより、異なった
光学的厚さを有する層（２２）及び（２４）を形成する
ことができる。得られた積層体は、光の反射が一層少な
く、珪素層へ一層多くの光を伝達するので、今まで知ら
れていた光透過性導電性電極よりも改良されている。典
型的なカプセル化剤層（２０）が適用されても、反射率
の減少と透過率の増大はそのままである。
適当な光透過性導電性材料は、一般に高屈折率を有し、
例えば約１．８〜２．４であり、少なくとも幾らかの電
気伝導度［好ましくは少なくとも１（Ωｃｐｓ）−’］
を示す。ここで言う屈折率とは、成る酸化物は大きな光
分散を示すので、はぼ５５０ｎｍ近辺の波長で取られた
平均値であり、屈折率は８００ｎｍ〜４００ｎｍの波長
に対し夫々ｎ＝　１．８〜ｎ＝　２．４に変化する。典
型的には、よく知られた透明導電性酸化物が適切な材料
である０例えば、ＺｎＯ（任意にＡ１、Ｉｎ、Ｇａ又は
Ｂの如き第■族元素がドープされている）　：　Ｓ　ｎ
ｏ　２（Ｆ又はＳｂがドープされている）；　Ｉ　Ｔｏ
（Ｉｎ２０３／５ｎ０２）；　ＣｄＳｎ０＋；Ｆがドー
プされたＴｉＯ２；及び５ｒＴｉＯｚは、いずれかの光
透過性層に適した材料である。酸化物Ｚ　ｎｏ　、　Ｓ
　ｎｏ　２及びＩ　Ｔ　Ｏ（Ｉ　ｎｚｏ　３／　Ｓ　ｎ
ｏ　２）は、それらがドープされ易いため、第一層、層
（２２）に特に好ましい。光透過性材料からなる第一層
のための付加的条件は無定形珪素と相容性があることで
ある。しかし、無定形珪素と接触していない第二光透過
性層は、導電性であったり或は無定形珪素と相容性であ
る必要はない。相容性とは、半導体の電流及び電圧特性
が劣化しないことを意味する、相容性のない透明層の一
例はスパッター付着されたＩＴＯであり、ＩＴＯからは
成る条件下でインジウムが無定形珪素中へ拡散し、その
電気的特性を変化させることがある。
金属層〈２６）に適した金属は、一般に大きな電気伝導
度を持つ高度に反射性の金属である。適切な金属には、
銀、アルミニウム、金及び銅が含まれるが、それらに限
定されるものではない。銀は特に好ましい。金属Ｊｌ（
２Ｂ）の光吸収を低くするため、第一光透過性層（２２
）を、滑らかな微粒酸化物層として付着させなければな
らない。清らがで微粒の酸化物層は銀層の核生成を促進
する。得られた銀層は最小の光吸収性を示す。
銀層を間に挟んだ不同光透過性膜に基づく第１図の積層
上部電極の非反射性を一層よく理解し、各層の光学距離
を最適にするためにコンピューターによるモデル作成を
用いた。コンピューターモデルにより、無定形珪素太陽
電池中へ入る光の割合を比較的高くするのに役立つ不同
光学的厚さの誘電体／銀／誘電体薄膜積層体電極の改良
された構成が発見された。
光学的設計の重要な因子は、光学距離、ｎＸｄ〈これは
光が通過する材料の屈折率ｎに、その光が通過する材料
の物理的厚さｄを乗じたものである）である。光学的厚
さとは、層の面に垂直な光学距離を意味する。従って、
光学的厚さは、層の光透過性材料の屈折率に膜の厚さを
掛けたものである。
本発明を理解し易くするために、光透過性層についてこ
こで述べる厚さｄは、約２，０の屈折率を持つ透明導電
性材料を使用したことに基づいている。
勿論界なった屈折率を持つ材料の場合には、好ましい厚
さは、積ｎＸｄ（光学的厚さ）がほぼ同じになるように
して変化させる。
ここで用いられているコンピューターモデルは、ホルン
（Ｂｏｒｎ）及びつオル７（Ｗｏｌｆ）による光学原理
（Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ　ｏｆ　０ｐｔｉｃｓ）（ペル
ガモン・プレス）に与えられているように、積層薄膜の
数学的処理に基づいている。そのモデルにより予想され
た結果は、第２図に与えられている。コンピューターモ
デルで用いられた積層体膜は、無定形珪素と接触してい
る厚さ１１００ｎの第一光透過性導電性層（２２）、１
０ｎｍ厚の銀層及び４０ｎ＋ｍ厚の第二光透過性層から
なる。第２図で、その積層体膜に入射し射されなかった
光の量を示している（即ち、１００％ている。そのコン
ピューターモデルは、約４５０ｎｍの波長及び６４０　
ｎ　ｎ＋の波長で広い二重の最低の反射が起きることを
予測している。
コンピューターによるモデル作成は、典型的な重合体カ
プセル化剤又は典型的なガラスカプセル化剤の代表的な
ものである約１，５の屈折率を有する材料でカプセル化
された太陽電池についても行われた。ｎ＝１．５のカプ
セル化剤により覆われた積層体膜を通って無定形珪素太
陽電池中へ入る光の透過率は、第３図に示されている。
下の曲線１０５は反射率を示している。上の曲線１０６
は反射されなかった光の量を示している。真ん中の曲線
１０７は、カプセル化された積層体膜により無定形珪素
太陽電池中へ透過された光を示している。コンピュータ
ーモデルでは、カプセル化剤の前面による反射について
は補正は行われなかった。更に、第２図及び第３図の両
方の曲線は、表面に垂直な方向にその表面に入射した光
に基づいている。
このモデルは、簡単にし、典型的な太陽電池の無定形珪
素膜で起きている赤外（ｆａｒ　ｒｅｄ）での干渉ピー
クを減少させるため、人工的に厚い無定形珪素太陽電池
を仮定している。第３図では、カプセル化されていない
積層体に伴われる局部的最大反射がカプセル化により局
部的最小値へ変化されていることに注意されたい。この
ことは、実験的に観察されているように、カプセル化に
より電池の色が緑から青へ変化することを予測させる。
（人間の目は赤外波長に対するよりも青色波長に対し一
層敏感である）６本発明は、広い範囲の屈折率を持つカ
プセル化剤に対しても適用することができる。例えば、
約１．０（空気の如きもの）〜約２．０の屈折率（ｎ）
を有するカプセル化剤を本発明で用いることかできる。
カプセル化された積層体膜の大きな光透過性は、無定形
珪素上のインジウム・錫酸化物（ＩＴｏ）の１７４波長
厚の被覆を通る光透過性に非常に似ている。しかし、１
７４波長ＩＴＯに似た光学的特性を持っているが、本発
明の積層体膜は、１７４波長厚のＩＴＯに典型的な約１
００Ω／スクエアーから約８Ω／スクエアーへ面積抵抗
率を著しく減少する１本発明の積層体膜の利点は、それ
が、例えば銀のような低面積抵抗金篇を、透明導電性酸
化物の薄層の高光学的透過特性を維持する頂部導電性接
点として用いることができるようにしていることである
。この利点は、約１．０〜約２．０の屈折率を有する広
い範囲のカプセル化剤が存在しても維持される。
本発明の一つの特徴は、第一光透過性層が第二光透過性
層よりも大きな厚さを有することである。
厚さの差は、珪素層と、慣用的対称型酸化物／金属／酸
化物積層体との間に入れた材料の層として言い換えるこ
とができる。しかし、その間に入れた層と慣用的７１層
体との間に物理的境界は存在しない。特定の理論によっ
て拘束されたくはないが、材料の付加的厚さは入射光の
波長（典型的には、可視光の中心波長として５５０ｎｍ
が選択される）の１７４に近い光学的厚さを有するもの
と考えられる。
その酸化物により追加された１７４波長の光学的厚さは
、珪素表面から反射された電磁波の位相を１８０°移行
させ、積層体の一番上の表面から反射された電磁波と干
渉させて消滅させるのに役立つ。
４０ｎＩＩ酸化物／１０ｎｎ銀／４０ｎｍ酸化物の慣用
的対称型積層体は、本質的に両側に反射防止層を有する
銀層である。これらの反射防止層は、その残りの露出し
た側が低屈折率の材料と接触している時にのみ有効であ
る。ドープした水酸化無定形珪素の如く、高屈折率の材
料ではその界面で１８０°の位相の移行を生ぜず、従っ
て反射防止効果が無くなる。
本発明による１７４波長の厚さの付加は、光の位相を１
８０°移行させ、それによって希望の反射防止効果を維
持する０本発明の第一光透過性導電性層中に存在する材
料の１７４波長の厚さの差がないと、可視スペクトルの
約３０％が反射されるであろう。
本発明の第一層中に存在する光透過性材料の厚さの差は
、入射光の正確な１７４波長厚さとは僅かに異なってい
る。その僅かな変化は、可視スペクトルに対する光学的
定数の分散及びｐ−１−ｎ太陽電池モデルに微結晶買珪
素ｐ゛層を使用することによる。例えば、好ましい積層
体膜は、無定形珪素及び間に挟んだ銀層の両方と接触し
たＺｎＯの１００ｒ＋ｍ厚の層、及び同じく銀層と接触
したＺｎＯの４０ｎｍ厚の層を含んでいる。炭化珪素ｐ
″層の特別な場合には、１１００ｎ層の厚さは約９０ｎ
ｍに減少させるのがよい。
実施例１ ｒＩＩ層体の銀層の電気伝導度を簡単に測定するため、
８ｎ＋＋＋厚の銀層を、ガラス板上にスパッターした１
５ｎｎ＋のＺｎＯ層の上にスパッターした。それらの層
は、約８Ω／スクエアーの面積抵抗率及び約４００ｎｍ
〜約８００ｎｎの波長を有する光に対し約１０％の吸収
損失を持っていた０面積抵抗率は、薄膜の四角なシート
の両端間の電気抵抗を測定することにより決定された。
各端への電気的接触は端の全長に亙る高導電性金属帯に
よって行われた。この抵抗測定値を用いる便利さは、四
角の大きさとは単位が無関係なことにある。
実施例２ 厚さ７０ｎｍのインジウム・錫酸化物（ＩＴｏ）、厚さ
８ｎｍの銀層及び厚さ１５ｎ＋ａの酸化亜鉛（Ｚ　ｎｏ
　）層からなる積層体膜を、これらの方法によりガラス
基体上にスパッターした。得られた積層体膜は１０Ω／
スクエアーより小さな面積抵抗率及び１０％より小さい
吸収損失を持っていた。
実施例３ ポリイミド基体上の好ましい具体例として、水素化無定
形珪素ｎ−１−ｐ太陽電池半導体層に、厚さ約１０Ｏｎ
＋ｓの酸化亜鉛（Ｚ　ｎｏ　）層（２２）、厚さ約１０
ｎｍの銀（Ａｌｌ）層（２６）及び厚さ約４０　ｎ　ｔ
ｍの酸化亜鉛（Ｚ　ｎｏ　）層（２４）を接触させたも
のが含まれていた。
銀の厚さが１０ｎｍであると言うことは、１ｏｎＩＩの
銀は約８Ω／スクエアーの面積抵抗率を有することが決
定された実験によって示されている。
別の具体例として、１層より多くの金属を一層効果的な
頂部導電性接点として用いてもよい。例えば、二重積層
及び三重積層銀膜のコンピューターモデル透過率曲線が
第４図及び第５図に示されている。二重及び三重積層体
は、同じ全厚さの単一の銀層で得られる透過率分布状態
に匹敵する。
厚い単一銀層の吸収による光透過率の低下は、二重及び
三重積層体層の吸収による低下を越えている。多重銀層
は、明らかに単一の厚い銀層よりも珪素太陽電池への一
層大きな光学的透過率を与える。
第４図には、不同二重積層膜についてコンピューターで
得られた透過率曲線１０８が示されている。
無定形珪素層と接触した二重積層膜は、１１００ｎ厚の
二酸化錫の層にｌＯｎｍ厚の銀層を接触させ、その上に
８０ｎｍ厚の二酸化錫層を付け、それにＩｏｎ輪厚の銀
層を付け、その上に４０ｎ論厚の二酸化錫層を付けたも
のとして記述することができる。この二重積層膜の透過
率分布は、横軸にｎｍで示した波長の関数として与えら
れたいる。更に、１．５の屈折率を有するカプセル化剤
と組合せた不同二重績ＮＷＡの透過率を示すため、曲線
１１０が与えられている。
比較のためカプセル化剤下の２Ｏｒ＋Ｉ＋＋の銀を有す
る単一積層体の透過率が曲線１１２によって与えられて
いる。多重積層膜についての「不同」とは、透明層の少
なくとも一つが、他の透明層の一つの材料とは異なった
材料から形成されているが、又は別法として、透明層の
一つが他の透明層の一つとは異なった厚さを持つことを
意味する。
不同三重積層膜のコンピューターモデルについては、第
５図中１１４で示されている。このモデルでは、無定形
珪素は１００１個厚の二酸化錫層と接触し、その二酸化
錫層がＩｏｎｓ厚の銀層、８０　ｎ　ＩＩＩＩＮの一酸
化錫層、Ｉｏｎｓ厚の銀層、８０ｎｓ＋厚の二酸化錫層
、１０ｎｌＩ厚の銀層、そして最後に４０ｎｍ厚の二酸
化錫層が接触している。カプセル化剤を付けた場合の結
果も曲線１１６として示されている。　３０ｎ−の銀を
有する単一積層体の透過率は、比較のため曲線１１８に
よって与えられている。最終的には、用いることのでき
る積層膜の多重度は、銀及び酸化物膜による吸収により
主に限定される。
コンピューターモデルを実証するために、第２図及び第
３図で用いられたモデルに相当するように作られた積層
膜について反射率分布が測定された。第６図に示された
反射率分布は、コンピューターモデルにより予測された
本発明の構造の価値を確認させるものである。曲線１２
０は、カプセル化されていない積層体について測定され
たものであり、第２図の曲線１０１に相当する。曲線１
２２はカプセル化された積層体について測定されたもの
であり。第３図の曲線１０５に相当する。
本発明を好ましい態様に関して記述してきたが、本発明
の本質及び範囲から離れることなく、形及び詳細な点で
変えることができることは当業者に認められるであろう
。特に本発明は、珪素太陽電池に限定されるものではな
い。なぜなら、不同積層構造は、大きな屈折率を持つど
のような材料と接触させて用いてもよいからである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の光電池装置の概略的断面図である。 第２図は、無定形珪素太陽電池上の５ｎＯｚ／Ａｇ／Ｓ
ｎＯ２の不同積層膜の光学的反射率及び透過率について
の光学的モデルの結果を示すグラフである。 第３図は、第４図の場合と同様であるが、カフ。 セル化剤層を含む不同積層膜のコンピューターモデルの
結果を示すグラフである。 第４図は、不同二重積層膜のコンピューターモデルの結
果を示すグラフである。 第５図は、不同三重積層膜のコンピューターモデルの結
果を示すグラフである。 第６図は、第１図及び第２図のモデルに相当するように
作られた不同薄膜積層体について測定された反射率のグ
ラフである。 １２−基体、　　　１４−第一導電性層、１６−無定形
珪素半導体部分、 １８−光透過性導電性層、 ２２−第一光透過性導電性層、 ２６−金属層、　　２４−第二光透過性層、カプセル化
剤層。 代 理 人 浅 村 皓 Ｒ（％） ＼Ｖ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）光透過性電極として有用な光透過性導電性積層体
    膜において、 第一光学的厚さを有する第一光透過性導電性層、前記第
    一層の光学的厚さとは異なった第二光学的厚さを有する
    第二光透過性層、及び 前記第一及び第二光透過性層と密接に接触させてそれら
    の間に挟んだ導電性金属層、 からなる光透過性導電性積層体膜。
  2. （２）膜の固有抵抗が１５Ω／スクエアーより小さい請
    求項１に記載の膜。
  3. （３）入射光の吸収損失が１０％以下である請求項１に
    記載の膜。
  4. （４）第一及び第二光透過性層が、夫々１．８〜２．４
    の屈折率を有する請求項１に記載の膜。
  5. （５）光透過性層の各々が、 ＺｎＯ（任意に水素、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、又はＢがドー
    プされていてもよい）； ＳｎＯ＿２（Ｆ又はＳｂがドープされている）；ＩＴＯ
    ； ＣｄＳｎＯ＿４； ＴｉＯ＿２（Ｆがドープされている）；及びＳｒＴｉＯ
    ＿２； からなる群から選択された金属酸化物から形成されてい
    る請求項１に記載の膜。
  6. （６）第一光透過性層が無定形珪素と相容性がある請求
    項１に記載の膜。
  7. （７）第二光透過性層と接触したカプセル化剤を更に含
    む請求項１に記載の膜。
  8. （８）カプセル化剤が約１．５の屈折率を有する請求項
    ７に記載の膜。
  9. （９）第一光透過性層が約１８０ｎｍ〜約２３０ｎｍの
    光学的厚さ有し、第二光透過性層が約２０ｎｍ〜約１０
    ０ｎｍの光学的厚さを有する請求項１に記載の膜。
  10. （１０）半導体層の上に付着された請求項１に記載の膜
    を含み、前記半導体層の反対側が電極層と電気的に接触
    している光電装置。
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