JP2003021826A - Ｉｔｏ被膜付き基板及びその製造方法 - Google Patents

Ｉｔｏ被膜付き基板及びその製造方法

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JP2003021826A JP2001209089A JP2001209089A JP2003021826A JP 2003021826 A JP2003021826 A JP 2003021826A JP 2001209089 A JP2001209089 A JP 2001209089A JP 2001209089 A JP2001209089 A JP 2001209089A JP 2003021826 A JP2003021826 A JP 2003021826A
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protective film
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Shiyougo Kiyota
正悟 清田
Yukihiro Katou
之啓 加藤
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐アルカリ性及び密着性に優れたＩＴＯ被膜
付き基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＩＴＯ被膜付き基板は、ガラス基板１０
１の表面に下から順にカラーフィルタ１０２、有機保護
膜１０３、中間層１０４ａ，１０４ｂ、及び電極パター
ンがパターンニングされたＩＴＯ被膜１０５が積層され
た構造をとる。中間層１０４ａは、有機保護膜１０３の
表面に導入ガスとしてＡｒを用いた高周波スパッタ法に
より成膜され、アルカリに溶解しにくい金属酸化物から
成り、中間層１０４ｂは、反応性スパッタ法若しくは高
周波スパッタ法により成膜され、アルカリに溶解しにく
い金属酸化物若しくは金属窒化物から成る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化錫含有酸化イ
ンジウム（以下、「ＩＴＯ」という。）被膜付き基板及
びその製造方法に関し、特にカラー液晶ディスプレイの
液晶表示素子として使用されるＩＴＯ被膜付き基板及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、カラー液晶パネル等に用いら
れる液晶表示素子として、酸化錫含有酸化インジウム
（以下、「ＩＴＯ」という。）被膜付き基板が用いられ
ている。
【０００３】一般的なＩＴＯ被膜付き基板は、ガラス基
板の表面上に下から順にカラーフィルタ、有機保護膜、
及びＩＴＯ被膜が積層された構造をとる。
【０００４】基板表面に積層されたＩＴＯ被膜は基板の
電極として機能するものであり、その電極パターンは通
常フォトリソグラフィ法により形成される。フォトリソ
グラフィ法では、基板上のＩＴＯ被膜に電極パターンを
強酸でパターニングし、その後パターニングで使用した
レジストを強アルカリで剥離する必要があるため、この
２工程で使用される強酸や強アルカリによってＩＴＯ被
膜が基板から剥離するのを防止できるよう、基板には耐
薬品性及び密着性が要求される。このため従来より、Ｉ
ＴＯ被膜と有機保護膜の密着性を向上させるため、ＩＴ
Ｏ被膜及び有機保護膜の間に中間層としてＳｉＯ2膜を
高周波スパッタ法により成膜している。
【０００５】さらに、従来のＳｉＯ2から成る中間層を
用いた基板は、耐薬品性、特に耐アルカリ性が低いとい
う問題点を解決する成膜方法として、有機保護層とＩＴ
Ｏ被膜との間にＳｉＮｘ等の金属窒化物膜を介在させ、
さらにこの金属窒化物膜とＩＴＯ被膜の間にＳｉＯｘ等
の金属酸化物を介在させる方法が開示されている（特開
平６−１４８６１８号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、確か
に、特開平６−１４８６１８号公報に開示されている方
法は、基板の耐アルカリ性を向上させるものではある
が、中間層が、ターゲットとしてＳｉ、導入ガスとして
Ｏ2を用いた反応性スパッタ法により成膜されたＳｉＯ
ｘ膜であるときのみ有効な手法であり、従来より中間層
として用いられている高周波スパッタ法により成膜され
たＳｉＯ2膜であるときには有効な手法ではない。ま
た、この成膜方法により得られる基板の耐アルカリ性及
び密着性は、上記要求特性を充分に満たした特性である
とはいえない。
【０００７】本発明の目的は、耐アルカリ性及び密着性
に優れたＩＴＯ被膜付き基板及びその製造方法を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１記載のＩＴＯ被膜付き基板は、ガ
ラス基板の表面に成膜されたカラーフィルタと、前記カ
ラーフィルタの表面に成膜された有機保護膜と、前記有
機保護膜の表面に成膜された中間層と、前記中間層の表
面に成膜されたＩＴＯ被膜とを備えるＩＴＯ被膜付き基
板において、前記中間層は、前記有機保護膜の表面に導
入ガスとしてＡｒを用いた高周波スパッタ法により成膜
され、アルカリに溶解しにくい金属酸化物から成る第１
中間層と、前記第１中間層の表面に成膜され、アルカリ
に溶解しにくい金属酸化物若しくは金属窒化物から成る
第２中間層とを含むことを特徴とする。
【０００９】請求項２記載のＩＴＯ被膜付き基板は、請
求項１記載のＩＴＯ被膜付き基板において、前記第１中
間層の金属酸化物がＳｉＯ2であることを特徴とする。
【００１０】請求項３記載のＩＴＯ被膜付き基板は、請
求項１記載のＩＴＯ被膜付き基板において、前記第１中
間層の金属酸化物がＴａ2Ｏ5であることを特徴とする。
【００１１】請求項４記載のＩＴＯ被膜付き基板は、請
求項１乃至３のいずれか１項に記載のＩＴＯ被膜付き基
板において、前記第２中間層の金属酸化物がＳｉＯｘで
あることを特徴とする。
【００１２】請求項５記載のＩＴＯ被膜付き基板は、請
求項１乃至３のいずれか１項に記載のＩＴＯ被膜付き基
板において、前記第２中間層の金属酸化物がＴａ2Ｏ5で
あることを特徴とする。
【００１３】請求項６記載のＩＴＯ被膜付き基板は、請
求項１乃至３のいずれか１項に記載のＩＴＯ被膜付き基
板において、前記第２中間層の金属窒化物がＳｉＮｘで
あることを特徴とする。
【００１４】上記目的を達成するために、本発明の請求
項７記載のＩＴＯ被膜付き基板は、ガラス基板の表面に
成膜されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタの表
面に成膜された有機保護膜と、前記有機保護膜の表面に
成膜された中間層と、前記中間層の表面に成膜されたＩ
ＴＯ被膜とを備えるＩＴＯ被膜付き基板において、前記
中間層は、前記有機保護膜の表面に導入ガスとしてＡｒ
を用いた高周波スパッタ法により成膜され、アルカリに
溶解しにくい金属酸化物から成ることを特徴とする。
【００１５】請求項８記載のＩＴＯ被膜付き基板は、請
求項７記載のＩＴＯ被膜付き基板において、前記中間層
の金属酸化物がＳｉＯ2であることを特徴とする。
【００１６】請求項９記載のＩＴＯ被膜付き基板は、請
求項７記載のＩＴＯ被膜付き基板において、中間層の金
属酸化物がＴａ2Ｏ5であることを特徴とする。
【００１７】上記目的を達成するために、本発明の請求
項１０記載の製造方法は、ガラス基板の表面にカラーフ
ィルタを成膜するカラーフィルタ成膜工程と、前記カラ
ーフィルタの表面に有機保護膜を成膜する有機保護膜成
膜工程と、前記有機保護膜の表面に中間層を成膜する中
間層成膜工程と、前記中間層の表面にＩＴＯ被膜を成膜
するＩＴＯ被膜成膜工程とを有するＩＴＯ被膜付き基板
の製造方法において、前記中間層成膜工程は、前記有機
保護膜の表面に導入ガスとしてＡｒを用いた高周波スパ
ッタ法によりアルカリに溶解しにくい金属酸化物から成
る第１中間層を成膜する第１中間層成膜工程と、前記第
１中間層の表面に他の高周波スパッタ法によりアルカリ
に溶解しにくい金属酸化物若しくは金属窒化物から成る
第２中間層を成膜する第２中間層成膜工程とを有するこ
とを特徴とする。
【００１８】請求項１１記載の製造方法は、請求項１０
記載の製造方法において、前記高周波スパッタ法は、タ
ーゲットとしてＳｉＯ2を用いることを特徴とする。
【００１９】請求項１２記載の製造方法は、請求項１０
記載の製造方法において、前記高周波スパッタ法は、タ
ーゲットとしてＴａ2Ｏ5を用いることを特徴とする。
【００２０】請求項１３記載の製造方法は、請求項１０
乃至１２のいずれか１項に記載の製造方法において、前
記他の高周波スパッタ法は、ターゲットとしてＳｉを用
い、導入ガスとしてＮ2を用いた反応性スパッタ法であ
ることを特徴とする。
【００２１】請求項１４記載の製造方法は、請求項１０
乃至１２のいずれか１項に記載の製造方法において、前
記他の高周波スパッタ法は、ターゲットとしてＳｉを用
い、導入ガスとしてＯ2を用いた反応性スパッタ法であ
ることを特徴とする。
【００２２】請求項１５記載の製造方法は、請求項１０
乃至１２のいずれか１項に記載の製造方法において、前
記他の高周波スパッタ法は、ターゲットとしてＴａ2Ｏ5
を用い、導入ガスとしてＡｒを用いることを特徴とす
る。
【００２３】上記目的を達成するために、本発明の請求
項１６記載の製造方法は、ガラス基板の表面にカラーフ
ィルタを成膜するカラーフィルタ成膜工程と、前記カラ
ーフィルタの表面に有機保護膜を成膜する有機保護膜成
膜工程と、前記有機保護膜の表面に中間層を成膜する中
間層成膜工程と、前記中間層の表面にＩＴＯ被膜を成膜
するＩＴＯ被膜成膜工程とを有するＩＴＯ被膜付き基板
の製造方法において、前記中間層成膜工程は、前記有機
保護膜の表面に導入ガスとしてＡｒを用いた高周波スパ
ッタ法によりアルカリに溶解しにくい金属酸化物から成
る中間層を成膜することを特徴とする。
【００２４】請求項１７記載の製造方法は、請求項１６
記載の製造方法において、前記高周波スパッタ法は、タ
ーゲットとしてＳｉＯ2を用いることを特徴とする。
【００２５】請求項１８記載の製造方法は、請求項１６
記載の製造方法において、前記高周波スパッタ法は、タ
ーゲットとしてＴａ2Ｏ5を用いることを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】本発明者は、上記目的を達成すべ
く鋭意検討を行った結果、ＩＴＯ被膜付き基板の耐アル
カリ性と密着性を向上させるために、ＩＴＯ被膜と有機
保護膜との間に介在する中間層に着目した。
【００２７】即ち、本発明者は、ガラス基板の表面に成
膜されたカラーフィルタと、カラーフィルタの表面に成
膜された有機保護膜と、有機保護膜の表面に成膜された
中間層と、中間層の表面に成膜されたＩＴＯ被膜とを備
えるＩＴＯ被膜付き基板において、中間層は、有機保護
膜の表面に導入ガスとしてＡｒを用いた高周波スパッタ
法により成膜され、アルカリに溶解しにくい金属酸化物
から成る第１中間層と、第１中間層の表面に成膜され、
アルカリに溶解しにくい金属酸化物若しくは金属窒化物
から成る第２中間層とを含むと、第１中間層が有機保護
膜の表面にＡｒを用いた高周波スパッタ法により成膜さ
れるので、有機保護膜の表面が極性の低いＣ−Ｃ結合と
なり、アルカリに溶解しにくい有機保護膜を成膜するこ
とができ、また、この成膜時に発生するプラズマがプラ
ズマによる有機保護膜の分解が生じにくいＡｒプラズマ
であるので、有機保護膜の削れ量が小さくなり、第１中
間層にカーボン等の有機保護膜の成分が取り込まれアル
カリに浸食され易くなることを防止することができ、さ
らに、第１中間層がアルカリに溶解しにくい金属酸化物
から成ると共に、第２中間層がアルカリに溶解しにくい
金属酸化物若しくは金属窒化物から成るので、アルカリ
により中間層が溶解しにくくなるのはもちろんのこと、
アルカリが中間層を浸透しにくくなるため、有機保護膜
がアルカリにより浸食されることを防止して、これらの
結果、耐アルカリ性及び密着性に優れたＩＴＯ被膜付き
基板を得ることができることを見出した。
【００２８】さらに、本発明者は、２層構造の中間層を
１層構造として形成しても比較的高い耐アルカリ性及び
密着性を有するＩＴＯ被膜付き基板を得ることができる
ことを見出した。
【００２９】また、本発明者は、ガラス基板の表面にカ
ラーフィルタを成膜するカラーフィルタ成膜工程と、カ
ラーフィルタの表面に有機保護膜を成膜する有機保護膜
成膜工程と、有機保護膜の表面に中間層を成膜する中間
層成膜工程と、中間層の表面にＩＴＯ被膜を成膜するＩ
ＴＯ被膜成膜工程とを有するＩＴＯ被膜付き基板の製造
方法において、中間層成膜工程は、有機保護膜の表面に
導入ガスとしてＡｒを用いた高周波スパッタ法によりア
ルカリに溶解しにくい金属酸化物から成る第１中間層を
成膜する第１中間層成膜工程と、第１中間層の表面に他
の高周波スパッタ法によりアルカリに溶解しにくい金属
酸化物若しくは金属窒化物から成る第２中間層を成膜す
る第２中間層成膜工程とを有すると、中間層成膜工程
は、有機保護膜の表面に導入ガスとしてＡｒを用いた高
周波スパッタ法によりアルカリに溶解しにくい金属酸化
物から成る第１中間層を成膜する第１中間層成膜工程
と、第１中間層の表面に他の高周波スパッタ法によりア
ルカリに溶解しにくい金属酸化物若しくは金属窒化物か
ら成る第２中間層を成膜する第２中間層成膜工程とを有
するので、耐アルカリ性及び密着性に優れたＩＴＯ被膜
付き基板を製造することができることを見出した。
【００３０】さらに、本発明者は、中間層が２層構造で
なく１層構造で中間層が形成された場合であっても比較
的高い耐アルカリ性を有するＩＴＯ被膜付き基板を製造
することができることを見出した。
【００３１】以下、本発明の実施の形態に係るＩＴＯ被
膜付き基板の構成を図面を参照して説明する。
【００３２】図１は、本発明の実施の形態に係るＩＴＯ
被膜付き基板の断面図である。
【００３３】図１において、ＩＴＯ被膜付き基板１００
は、ガラス基板１０１、ＲＧＢの３つの画素から成るカ
ラーフィルタ１０２、カラーフィルタ１０２の画素によ
って生じる凹凸を平坦化すると共にカラーフィルタ１０
２の表面を保護する有機保護膜１０３、中間層１０４
ａ，１０４ｂから成る中間層１０４、及び後述する図３
の方法により電極パターンがパターンニングされたＩＴ
Ｏ被膜１０５から成り、これらは、下から順に、ガラス
基板１０１、カラーフィルタ１０２、有機保護膜１０
３、中間層１０４、及びＩＴＯ被膜１０５が積層された
構造をとる。
【００３４】図２は、図１のＩＴＯ被膜付き基板１００
の製造工程のフローチャートである。
【００３５】先ず、ガラス基板１０１の表面にカラーフ
ィルタ１０２を成膜し（工程Ｐ１００）、次に、カラー
フィルタ１０２の表面に有機保護膜１０３を成膜する
（工程Ｐ１０１）。
【００３６】その後、後述する方法により、先ず有機保
護膜１０３の表面に中間層１０４ａを成膜し（工程Ｐ１
０２）、次に中間層１０４ａの表面に中間層１０４ｂを
成膜することにより（工程Ｐ１０３）、２層構造の中間
層１０４を形成する。
【００３７】最後に、中間層１０４ｂの表面にＩＴＯ被
膜１０５を成膜して（工程Ｐ１０４）、後述する図３の
電極パターンをＩＴＯ被膜１０５にパターンニングし
（工程Ｐ１０５）、本処理を終了する。
【００３８】図３は、図２の工程Ｐ１０５におけるＩＴ
Ｏ被膜１０５の電極パターンのパターンニング方法の説
明図であり、（ａ）〜（ｆ）は各工程におけるＩＴＯ被
膜付き基板１００の断面図である。
【００３９】ＩＴＯ被膜１０５の電極パターンは、以下
のフォトリソグラフィ法により形成される。
【００４０】まず、図１の基板１００（図３（ａ））の
ＩＴＯ被膜１０５にレジスト１０６を塗布した後（図３
（ｂ））、塗布されたレジスト１０６表面にマスク１０
７で電極パターンをマスキングした後、光（ｈν）で露
光する（図３（ｃ））。
【００４１】次に、基板１００を現像液に浸すことによ
り、レジスト１０６の感光部分を溶融し（図３
（ｄ））、レジスト１０６にパターンニングされた電極
パターンを強酸を用いて、ＩＴＯ被膜１０５にパターン
ニングする（図３（ｅ））。
【００４２】その後、基板１００を強アルカリに浸漬
し、ＩＴＯ被膜１０５表面に塗布されたレジスト１０６
を剥離する（レジスト剥離工程）（図３（ｆ））。
【００４３】レジスト剥離工程で基板１００をアルカリ
に浸漬するとき、基板１００の耐アルカリ性が低下し、
ＩＴＯ被膜１０５は基板１００から剥離し易い（密着性
が低下する）ことが経験上知られている。
【００４４】アルカリに基板１００を浸漬したときに基
板１００の耐アルカリ性が低下する原因は、ＩＴＯ被膜
１０５と中間層１０４界面近傍において、中間層１０４
がアルカリに溶解することによるもの（図４（ａ））、
アルカリが中間層１０４に浸透し、中間層１０４と有機
保護膜１０３の界面近傍において、中間層１０４が溶解
することによるもの（図４（ｂ））、アルカリが中間層
１０４に浸透し、中間層１０４と有機保護膜１０３の界
面近傍において、有機保護膜１０３がアルカリに溶解す
ることによるもの（図４（ｃ））、及びこれらの原因の
複合である。
【００４５】これらの基板１００の耐アルカリ性の低下
原因の発生を防止するため、ＩＴＯ被膜１０５と有機保
護膜１０３の間に積層する中間層１０４ａ，１０４ｂ
は、以下の成膜要件でスパッタリングするのが望まし
い。以下、中間層１０４ａ，１０４ｂの好ましい成膜条
件を挙げる。
【００４６】１） 中間層１０４ａの成膜条件 １）−１ 有機保護膜１０３表面がアルカリに溶解しに
くい結合になること。
【００４７】中間層１０４ａ成膜後の有機保護膜１０３
表面はその結合によってアルカリヘの溶解性が異なり、
Ｃ−Ｃ結合、Ｃ−Ｎ結合、Ｃ−Ｏ結合においては、極性
が小さい順番、つまりＣ−Ｃ結合＞Ｃ−Ｎ結合＞Ｃ−Ｏ
結合の順でアルカリに溶けにくい。
【００４８】有機保護膜１０３の表面の結合は、成膜後
に中間層１０４ａを除去し、Ｘ線光電子分光法（ＸＰ
Ｓ）で有機保護膜１０３の表面を評価した結果、スパッ
タリングを行うときの導入ガスとしてＡｒを用いたとき
はＡｒプラズマが発生するため有機保護膜１０３の表面
はＣ−Ｃ結合が多くなり、導入ガスとしてＮ2を用いた
ときはＮ2プラズマが発生するため有機保護膜１０３の
表面はＣ−Ｎ結合が多くなり、導入ガスとしてＯ2を用
いたときはＯ2プラズマが発生するため有機保護膜１０
３の表面はＣ−Ｏ結合が多くなることがわかった。従っ
て、中間層第１層の成膜には導入ガスとしてＡｒを用い
るのが望ましい。
【００４９】１）−２ 中間層１０４ａの成膜時の有機
保護膜１０３の削れ量が小さいこと。
【００５０】有機保護膜１０３表面に中間層を成膜する
とき、プラズマによって有機保護膜１０３は分解され
る。分解によって有機保護膜１０３の削れ量が大きくな
ると、成膜した中間層１０４ａにはカーボン等の有機保
護膜１０３の成分が多く取り込まれ、アルカリに侵食さ
れ易くなる。Ａｒ、Ｎ2、Ｏ2プラズマのうち、有機保護
膜１０３の削れ量はＮ2、Ｏ2プラズマを用いる場合に大
きくなり、Ａｒプラズマを用いる場合に小さくなる。従
って、中間層１０４ａの成膜にはＡｒプラズマを用いる
のが望ましい。
【００５１】１）−３ 中間層１０４ａはアルカリに溶
解しにくい材料から成ること。
【００５２】アルカリにより中間層１０４ａ自体が溶解
しにくくなるのはもちろんのこと、アルカリが中間層１
０４ａを浸透しにくくなるため、有機保護膜１０３のア
ルカリによる浸食を防止することができる。
【００５３】一般に中間層の材料として用いられている
ＳｉＮｘ＋ＳｉＯｘ，ＴｉＯ2よりもアルカリに溶解し
にくい特性を持つ材料を用いることが望ましい。具体的
にはＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5等の材料を用いるのが望まし
い。
【００５４】１）−４ 中間層１０４ａとして基板１０
０に成膜される膜は酸化珪素膜であること。
【００５５】酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜のＳｉは、有機保
護膜１０３の主な構成元素であるカーボンと化学的に近
い性質を有しているため、強い結合を作り易い。従っ
て、中間層１０４ａに酸化珪素膜を用いれば強い密着性
が得られる。
【００５６】１）−５ その他 例えば、ターゲットとしてＴａ2Ｏ5、導入ガスとしてＡ
ｒを用いて高周波スパッタ法により成膜したＴａ2Ｏ5膜
を中間層１０４ａとした場合、１）−１から１）−３ま
での特性を満たしているため比較的高い耐アルカリ性及
び密着性を有する基板１００が得られる。
【００５７】２） 中間層１０４ａ上に成膜された中間
層１０４ｂの成膜条件 ２）−１ 中間層１０４ｂはアルカリに溶解しにくい材
料から成ること。
【００５８】アルカリにより中間層１０４ｂが溶解しに
くくなるのはもちろんのこと、アルカリが中間層１０４
ｂを浸透しにくくなるため、中間層１０４ａや有機保護
膜１０３のアルカリによる浸食を防止することができ
る。
【００５９】一般に用いられているＳｉＮｘ＋ＳｉＯ
ｘ，ＴｉＯ2よりもアルカリに溶解しにくい特性を持つ
材料を用いることが望ましい。具体的には、ＳｉＯｘ，
ＳｉＮｘ、Ｔａ2Ｏ5等の材料を用いるのが望ましい。
【００６０】２）−２ 中間層１０４ｂとして基板１０
０に成膜される膜の成分は、ＩＴＯ被膜１０５と化学的
に近いこと。
【００６１】中間層１０４ｂとＩＴＯ被膜１０５との密
着性を考慮すれば、化学的に近い性質を有している物質
の方が望ましい。また、中間層１０４ｂは、中間層１０
４ａの上に成膜するため、有機保護膜１０３への作用を
考慮する必要は無い。
【００６２】以上の条件を満たすため、図２の工程Ｐ１
０２においては、有機保護膜１０３の表面に導入ガスと
してＡｒ、ターゲットとしてＳｉＯ2やＴａ2Ｏ5等を用
いた高周波スパッタ法により、ＳｉＯ2やＴａ2Ｏ5等の
アルカリに溶解しにくい金属酸化物から成る中間層１０
４ａを成膜する。
【００６３】また、図２の工程Ｐ１０３においては、中
間層１０４ａの表面に導入ガスとしてＮ2やＯ2、ターゲ
ットとしてＳｉを用いた反応性スパッタ法により、Ｓｉ
ＮｘやＳｉＯｘ等のアルカリに溶解しにくい金属酸化物
又は金属窒化物から成る中間層１０４ｂを成膜するか、
又は中間層１０４ａの表面に導入ガスとしてＡｒ、ター
ゲットとしてＴａ2Ｏ5等を用いた高周波スパッタ法によ
り、Ｔａ2Ｏ5等のアルカリに溶解しにくい金属酸化物か
ら成る中間層１０４ｂを成膜する。
【００６４】また、本実施の形態における中間層１０４
は２層構造であったが、上記の特性、即ち、耐アルカリ
性及び密着性の低下原因の発生を防止できる特性を有す
る場合は、１層構造であってもよい。
【００６５】以下、中間層が１層構造である場合の本発
明の実施の形態に係るＩＴＯ被膜付き基板の変形例を示
す。
【００６６】図５は、本発明の実施の形態に係るＩＴＯ
被膜付き基板１００の変形例の断面図である。
【００６７】図５において、本発明の実施の形態に係る
ＩＴＯ被膜付き基板１００の変形例であるＩＴＯ被膜付
き基板１００’は、ガラス基板１０１、ＲＧＢの３つの
画素から成るカラーフィルタ１０２、カラーフィルタ１
０２の画素によって生じる凹凸を平坦化すると共にカラ
ーフィルタ１０２の表面を保護する有機保護膜１０３、
中間層１０４’、及び図３の方法により電極パターンが
パターンニングされたＩＴＯ被膜１０５から成る。
【００６８】基板１００’は、ガラス基板１０１の表面
に下から順にカラーフィルタ１０２、有機保護膜１０
３、中間層１０４’、及びＩＴＯ被膜１０５が積層され
た構造をとる。
【００６９】図５のＩＴＯ被膜付き基板１０１’の製造
工程は、図２の製造工程に準ずる。但し、工程Ｐ１０
２，Ｐ１０３は、有機保護膜１０３の表面に導入ガスと
してＡｒを用いた高周波スパッタ法によりアルカリに溶
解しにくい金属酸化物から成る中間層１０４’を成膜す
る工程に置き換わる。
【００７０】これにより、中間層が２層構造でなく１層
構造で形成された場合であっても比較的高い耐アルカリ
性及び密着性を有するＩＴＯ被膜付き基板を製造するこ
とができる。
【００７１】
【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００７２】試料に用いる基板は、ガラス基板１０１上
にＲＧＢの３つの画像素子から成るカラーフィルタ１０
２が形成され、その上にアクリル製の有機保護膜１０３
が被覆されているものを用いた。
【００７３】この基板をディップ式の超音波洗浄機でア
ルカリ洗剤を用いて洗浄し、温風乾燥した。次に、イン
ライン型の真空成膜装置に投入し、 １．３×１０-8Ｐ
ａで約２２０℃になるまで加熱排気した後、不活性ガス
（Ａｒ）を導入ガスとして用いてターゲットをスパッタ
リングしたり、反応性ガス（Ｎ2又はＯ2）を導入ガスと
して用いてターゲットと反応性ガスの化合物をスパッタ
リングして各種中間層を成膜した。
【００７４】次に、各種中間層が成膜された基板を大気
に暴露することなく、引き続き基板上にイオンプレーテ
ィング法でＩＴＯ被膜１０５を１５０ｎｍ成膜した。
【００７５】その後、フォトリソグラフィ法で、ライン
／スペースが７０μm／２０μmになるようにＩＴＯ被膜
１０５に電極パターンをパターンニングすることにより
表１に示すように各種試料を作成した。
【００７６】
【表１】
【００７７】以上のように作成された試料に対して、以
下に示す種々の試験を行った。
【００７８】＜耐アルカリ性＞４質量％のＫＯＨを５５
℃に保持した後、各試料をこの溶液に浸漬し、ＩＴＯ被
膜１０５のパターンエッジにわずかに剥離が見られた状
態をＩＴＯ被膜１０５の異常として、異常発生までの時
間を計測した。剥離の評価は、光学顕微鏡で観察して行
った。
【００７９】＜削れ量＞各試料の中間層を除去して、中
間層成膜時の有機保護膜１０３の削れ量を測定した。測
定は、触針式の段差計で行った。
【００８０】＜有機保護膜１０３表面の結合＞成膜後の
中間層１０４ａを除去し、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）
で有機保護膜１０３表面の結合状態を調査した。
【００８１】実施例１では、ターゲットとしてＳｉ
Ｏ2、導入ガスとしてＡｒを用いて圧力を０．４Ｐａに
調整し、ＳｉＯ2のみを中間層として１０ｎｍ成膜し
た。耐アルカリ性を調べたところ、５０分後にＩＴＯ被
膜１０５の異常が発生した。また、中間層成膜時の有機
保護膜１０３の削れ量は３２ｎｍであり、有機保護膜１
０３表面に最も多く見られた結合はＣ−Ｃ結合であっ
た。
【００８２】実施例２では、ターゲットとしてＴａ
2Ｏ5、導入ガスとしてＡｒを用いて圧力を０．７Ｐａに
調整し、Ｔａ2Ｏ5のみを中間層として１０ｎｍ成膜し
た。耐アルカリ性を調べたところ、７０分後にＩＴＯ被
膜１０５の異常が発生した。また、中間層成膜時の有機
保護膜１０３の削れ量は２７ｎｍであり、有機保護膜１
０３表面に最も多く見られた結合はＣ−Ｃ結合であっ
た。
【００８３】実施例３では、先ず始めにターゲットとし
てＳｉＯ2、導入ガスとしてＡｒを用いて圧力を０．４
Ｐａに調整してＳｉＯ2を５ｎｍ成膜し、次にターゲッ
トとしてＴａ2Ｏ5、導入ガスとしてＡｒを用いてＴａ2
Ｏ5を５ｎｍ成膜することにより、２層構造の中間層を
作成した。耐アルカリ性を調べたところ、７０分後にＩ
ＴＯ被膜１０５の異常が発生した。また、中間層成膜時
の有機保護膜１０３の削れ量は３０ｎｍであり、有機保
護膜１０３表面に最も多く見られた結合はＣ−Ｃ結合で
あった。
【００８４】実施例４では、先ず始めにターゲットとし
てＳｉＯ2、導入ガスとしてＡｒを用いて圧力を０．４
Ｐａに調整してＳｉＯ2を５ｎｍ成膜し、次にターゲッ
トとしてＳｉ、導入ガスとしてＮ2を用いてＳｉＮｘを
５ｎｍ成膜することにより、２層構造の中間層を作成し
た。耐アルカリ性を調べたところ、１００分後にＩＴＯ
被膜１０５の異常が発生した。また、中間層成膜時の有
機保護膜１０３の削れ量は３３ｎｍであり、有機保護膜
１０３表面に最も多く見られた結合はＣ−Ｃ結合であっ
た。
【００８５】実施例５では、先ず始めにターゲットとし
てＳｉＯ2、導入ガスとしてＡｒを用いて圧力を０．４
Ｐａに調整してＳｉＯ2を５ｎｍ成膜し、次にターゲッ
トとしてＳｉ、導入ガスとしてＯ2を用いてＳｉＯｘを
５ｎｍ成膜することにより、２層構造の中間層を作成し
た。耐アルカリ性を調べたところ、５０分後にＩＴＯ被
膜１０５の異常が発生した。また、中間層成膜時の有機
保護膜１０３の削れ量は３２ｎｍであり、有機保護膜１
０３表面に最も多く見られた結合はＣ−Ｃ結合であっ
た。
【００８６】実施例６では、先ず始めにターゲットとし
てＴａ2Ｏ5、導入ガスとしてＡｒを用いて圧力を０．７
Ｐａに調整してＴａ2Ｏ5を５ｎｍ成膜し、次にターゲッ
トとしてＳｉ、導入ガスとしてＮ2を用いてＳｉＮｘを
５ｎｍ成膜することにより、２層構造の中間層を作成し
た。耐アルカリ性を調べたところ、１００分後にＩＴＯ
被膜１０５の異常が発生した。また、中間層成膜時の有
機保護膜１０３の削れ量は２８ｎｍであり、有機保護膜
１０３表面に最も多く見られた結合はＣ−Ｃ結合であっ
た。
【００８７】実施例７では、先ず始めにターゲットとし
てＴａ2Ｏ5、導入ガスとしてＡｒを用いて圧力を０．７
Ｐａに調整してＴａ2Ｏ5を５ｎｍ成膜し、次にターゲッ
トとしてＳｉ、導入ガスとしてＯ2を用いてＳｉＯｘを
５ｎｍ成膜することにより、２層構造の中間層を作成し
た。耐アルカリ性を調べたところ、６０分後にＩＴＯ被
膜１０５の異常が発生した。また、中間層成膜時の有機
保護膜１０３の削れ量は３４ｎｍであり、有機保護膜１
０３表面に最も多く見られた結合はＣ−Ｃ結合であっ
た。
【００８８】比較例１では、ターゲットとしてＳｉ、導
入ガスとしてＮ2を用いて圧力を０．５Ｐａに調整し、
ＳｉＮｘのみを中間層として１０ｎｍ成膜した。耐アル
カリ性を調べたところ、１０分後にＩＴＯ被膜１０５の
異常が発生した。また、中間層成膜時の有機保護膜１０
３の削れ量は５３ｎｍであり、有機保護膜１０３表面に
最も多く見られた結合はＣ−Ｎ結合であった。
【００８９】比較例２では、ターゲットとしてＳｉ、導
入ガスとしてＯ2を用いて圧力を０．５Ｐａに調整し、
ＳｉＯｘのみを中間層として１０ｎｍ成膜した。耐アル
カリ性を調べるまでもなく、レジスト剥離工程（図３
（ｆ））で、ＩＴＯ被膜１０５の異常が発生した。ま
た、中間層成膜時の有機保護膜１０３の削れ量は５９ｎ
ｍであり、有機保護膜１０３表面に最も多く見られた結
合はＣ−Ｏ結合であった。
【００９０】比較例３では、ターゲットとしてＴｉ、導
入ガスとしてＯ2を用いて圧力を０．５Ｐａに調整し、
ＴｉＯｘのみを中間層として１０ｎｍ成膜した。耐アル
カリ性を調べるまでもなく、レジスト剥離工程（図３
（ｆ））で、ＩＴＯ被膜１０５の異常が発生した。ま
た、中間層成膜時の有機保護膜１０３の削れ量は６２ｎ
ｍであり、有機保護膜１０３表面に最も多く見られた結
合はＣ−Ｏ結合であった。
【００９１】比較例４では、先ず始めにターゲットとし
てＳｉ、導入ガスとしてＮ2を用いて圧力を０．５Ｐａ
に調整してＳｉＮｘを５ｎｍ成膜し、次にターゲットと
してＳｉ、導入ガスとしてＯ2を用いてＳｉＯｘを５ｎ
ｍ成膜することにより、２層構造の中間層を作成した。
耐アルカリ性を調べたところ、１０分後にＩＴＯ被膜１
０５の異常が発生した。また、中間層成膜時の有機保護
膜１０３の削れ量は４８ｎｍであり、有機保護膜１０３
表面に最も多く見られた結合はＣ−Ｎ結合であった。
【００９２】比較例５では、先ず始めにターゲットとし
てＳｉ、導入ガスとしてＯ2を用いて圧力を０．５Ｐａ
に調整してＳｉＯｘを５ｎｍ成膜し、次にターゲットと
してＳｉ、導入ガスとしてＮ2を用いてＳｉＮｘを５ｎ
ｍ成膜することにより、２層構造の中間層を作成した。
耐アルカリ性を調べるまでもなく、レジスト剥離工程
（図３（ｆ））で、ＩＴＯ被膜１０５の異常が発生し
た。また、中間層成膜時の有機保護膜１０３の削れ量は
５６ｎｍであり、有機保護膜１０３表面に最も多く見ら
れた結合はＣ−Ｏ結合であった。
【００９３】比較例６では、先ず始めにターゲットとし
てＳｉ、導入ガスとしてＯ2を用いて圧力を０．５Ｐａ
に調整してＳｉＯｘを５ｎｍ成膜し、次にターゲットと
してＴａ2Ｏ5、導入ガスとしてＡｒを用いてＴａ2Ｏ5を
５ｎｍ成膜することにより、２層構造の中間層を作成し
た。耐アルカリ性を調べるまでもなく、レジスト剥離工
程（３（ｆ））で、ＩＴＯ被膜１０５の異常が発生し
た。また、中間層成膜時の有機保護膜１０３の削れ量は
６１ｎｍであり、有機保護膜１０３表面に最も多く見ら
れた結合はＣ−Ｏ結合であった。
【００９４】以上の比較例１〜６の結果から、中間層成
膜時の有機保護膜１０３の削れ量が大きく、また、有機
保護膜１０３表面がＣ−Ｎ結合若しくはＣ−Ｏ結合にな
っている場合、耐アルカリ性が低く、ＩＴＯ被膜１０５
の剥離が発生し易くなることが示された。
【００９５】上述の本実施例１〜４及び比較例１〜４の
結果を表１に示す。
【００９６】以上の実施例１〜７の結果から、２層構造
の中間層を作成する場合、１層目の中間層（中間層１０
４ａ）を導入ガスとしてＡｒを用いてスパッタリングす
ることにより、有機保護膜１０３表面の結合をＣ−Ｃ結
合とすると共に、中間層成膜時の有機保護膜１０３の削
れ量を小さくしたときに耐アルカリ性が向上し、ＩＴＯ
被膜１０５の剥離を防止することができることがわか
る。特に、２層目の中間層（中間層１０４ｂ）に耐アル
カリの高い金属酸化物若しくは金属窒化物を成膜した場
合、非常に優れた耐アルカリ性が得られた。また、実施
例１及び実施例２の結果から、中間層が１層のみの場合
であっても、有機保護膜１０３表面がアルカリに溶解し
にくいＣ−Ｃ結合のような結合となり、中間層成膜時の
有機保護膜１０３の削れ量が小さく、中間層がアルカリ
に溶解しにくい材料である場合は、比較的高い耐アルカ
リ性及び密着性を有するＩＴＯ被膜付き基板が得られ
た。
【００９７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項１
記載のＩＴＯ被膜付き基板によれば、第１中間層が有機
保護膜の表面にＡｒを用いた高周波スパッタ法により成
膜されるので、有機保護膜の表面が極性の低いＣ−Ｃ結
合となり、アルカリに溶解しにくい有機保護膜を成膜す
ることができ、また、この成膜時に発生するプラズマが
プラズマによる有機保護膜の分解が生じにくいＡｒプラ
ズマであるので、有機保護膜の削れ量が小さくなり、第
１中間層にカーボン等の有機保護膜の成分が取り込まれ
アルカリに浸食され易くなることを防止することがで
き、さらに、第１中間層がアルカリに溶解しにくい金属
酸化物から成ると共に、第２中間層がアルカリに溶解し
にくい金属酸化物若しくは金属窒化物から成るので、中
間層がアルカリにより溶解しにくくなるのはもちろんの
こと、アルカリが中間層を浸透しにくくなることによ
り、有機保護膜がアルカリにより浸食されることを防止
して、これらの結果、耐アルカリ性及び密着性に優れた
ＩＴＯ被膜付き基板を得ることができる。
【００９８】請求項２記載のＩＴＯ被膜付き基板によれ
ば、第１中間層の金属酸化物がＳｉＯ2であるので、第
１中間層を確実にアルカリに溶解しにくくすることがで
きる。また、第１中間層の構成元素であるＳｉと有機保
護膜の主な構成元素であるカーボンとが化学的に近い性
質を有するので、強い結合を作り易く、その結果第１中
間層と有機保護膜の密着性を向上させることができる。
【００９９】請求項３記載のＩＴＯ被膜付き基板によれ
ば、第１中間層の金属酸化物がＴａ 2Ｏ5であるので、第
１中間層を確実にアルカリに溶解しにくくすることがで
きる。
【０１００】請求項４記載のＩＴＯ被膜付き基板によれ
ば、第２中間層の金属酸化物がＳｉＯｘであるので、第
２中間層を確実にアルカリに溶解しにくくすることがで
きる。
【０１０１】請求項５記載のＩＴＯ被膜付き基板によれ
ば、第２中間層の金属酸化物がＴａ 2Ｏ5であるので、第
２中間層を確実にアルカリに溶解しにくくすることがで
きる。
【０１０２】請求項６記載のＩＴＯ被膜付き基板によれ
ば、第２中間層の金属窒化物がＳｉＮｘであるので、第
２中間層を確実にアルカリに溶解しにくくすることがで
きる。
【０１０３】請求項７記載のＩＴＯ被膜付き基板によれ
ば、中間層が有機保護膜の表面にＡｒを用いた高周波ス
パッタ法により成膜されるので、有機保護膜の表面が極
性の低いＣ−Ｃ結合となり、アルカリに溶解しにくい有
機保護膜を成膜することができ、また、この成膜時に発
生するプラズマがプラズマによる有機保護膜の分解が生
じにくいＡｒプラズマであるので、有機保護膜の削れ量
が小さくなり、中間層にカーボン等の有機保護膜の成分
が取り込まれアルカリに浸食され易くなることを防止す
ることができ、さらに、中間層がアルカリに溶解しにく
い金属酸化物から成るので、アルカリにより中間層が溶
解しにくくなるのはもちろんのこと、アルカリが中間層
を浸透しにくくなるため、有機保護膜がアルカリにより
浸食されることを防止して、これらの結果、中間層が２
層構造でなく１層構造の中間層が形成された場合であっ
ても比較的高い耐アルカリ性及び密着性を有するＩＴＯ
被膜付き基板を得ることができる。
【０１０４】請求項８記載のＩＴＯ被膜付き基板によれ
ば、中間層の金属酸化物がＳｉＯ2であるので、中間層
を確実にアルカリに溶解しにくくすることができる。ま
た、中間層の構成元素であるＳｉと有機保護膜の主な構
成元素であるカーボンとが化学的に近い性質を有するの
で、強い結合を作り易く、その結果中間層と有機保護膜
の密着性を向上させることができる。
【０１０５】請求項９記載のＩＴＯ被膜付き基板によれ
ば、中間層の金属酸化物がＴａ2Ｏ5であると、中間層を
確実にアルカリに溶解しにくくすることができる。
【０１０６】請求項１０記載の製造方法によれば、中間
層成膜工程は、有機保護膜の表面に導入ガスとしてＡｒ
を用いた高周波スパッタ法によりアルカリに溶解しにく
い金属酸化物から成る第１中間層を成膜する第１中間層
成膜工程と、第１中間層の表面に他の高周波スパッタ法
によりアルカリに溶解しにくい金属酸化物若しくは金属
窒化物から成る第２中間層を成膜する第２中間層成膜工
程とを有するので、耐アルカリ性及び密着性に優れたＩ
ＴＯ被膜付き基板を製造することができる。
【０１０７】請求項１１記載の製造方法によれば、高周
波スパッタ法は、ターゲットとしてＳｉＯ2を用いるの
で、アルカリに溶解しにくい中間層を成膜することがで
きる。また、第１中間層の構成元素であるＳｉと有機保
護膜の主な構成元素であるカーボンとが化学的に近い性
質を有するので、強い結合を作り易く、その結果第１中
間層と有機保護膜の密着性を向上することができる。
【０１０８】請求項１２記載の製造方法によれば、高周
波スパッタ法は、ターゲットとしてＴａ2Ｏ5を用いるの
で、アルカリに溶解しにくい中間層を成膜することがで
きる。
【０１０９】請求項１３記載の製造方法によれば、他の
高周波スパッタ法は、ターゲットとしてＳｉを用い、導
入ガスとしてＮ2を用いた反応性スパッタ法であるの
で、アルカリに溶解しにくい中間層を成膜することがで
きる。
【０１１０】請求項１４記載の製造方法によれば、他の
高周波スパッタ法は、ターゲットとしてＳｉを用い、導
入ガスとしてＯ2を用いた反応性スパッタ法であるの
で、アルカリに溶解しにくい中間層を成膜することがで
きる。
【０１１１】請求項１５記載の製造方法によれば、他の
高周波スパッタ法は、ターゲットとしてＴａ2Ｏ5を用
い、導入ガスとしてＡｒを用いるので、アルカリに溶解
しにくい中間層を成膜することができる。
【０１１２】請求項１６記載の製造方法によれば、中間
層成膜工程は、有機保護膜の表面に導入ガスとしてＡｒ
を用いた高周波スパッタ法によりアルカリに溶解しにく
い金属酸化物から成る中間層を成膜するので、その結
果、中間層が２層構造でなく１層構造で中間層が形成さ
れた場合であっても比較的高い耐アルカリ性及び密着性
を有するＩＴＯ被膜付き基板を製造することができる。
【０１１３】請求項１７記載の製造方法によれば、高周
波スパッタ法は、ターゲットとしてＳｉＯ2を用いるの
で、アルカリに溶解しにくい中間層を成膜することがで
きる。また、中間層の構成元素であるＳｉと有機保護膜
の主な構成元素であるカーボンとが化学的に近い性質を
有するので、強い結合を作り易く、その結果中間層と有
機保護膜の密着性を向上することができる。
【０１１４】請求項１８記載の製造方法によれば、高周
波スパッタ法は、ターゲットとしてＴａ2Ｏ5を用いるの
で、アルカリに溶解しにくい中間層を成膜することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るＩＴＯ被膜付き基板
の断面図である。
【図２】図１のＩＴＯ被膜付き基板１００の製造工程の
フローチャートである。
【図３】図２の工程Ｐ１０５における電極パターンのパ
ターンニング方法の説明図であり、（ａ）〜（ｆ）は各
工程におけるＩＴＯ被膜付き基板１００の断面図であ
る。
【図４】図１のＩＴＯ被膜付き基板１００の耐アルカリ
性低下原因を示す説明図であり、（ａ）は、ＩＴＯ被膜
１０５と中間層１０４界面近傍において、中間層１０４
がアルカリに溶解する場合を示し、（ｂ）は、中間層１
０４と有機保護膜１０３の界面近傍において、有機保護
膜１０３がアルカリに溶解する場合を示し、（ｃ）は、
中間層１０４と有機保護膜１０３の界面近傍において、
有機保護膜１０３がアルカリに溶解する場合を示す。
【図５】本発明の実施の形態に係るＩＴＯ被膜付き基板
１００の変形例の断面図である。
【符号の説明】
１００，１００’ ＩＴＯ被膜付き基板 １０１ ガラス基板 １０２ カラーフィルタ １０３ 有機保護膜 １０４，１０４ａ，１０４ｂ，１０４’ 中間層 １０５ ＩＴＯ被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ ５Ｇ３０７ ３４２ ３４２Ｚ ５Ｇ３２３ 9/30 ３４９ 9/30 ３４９Ｂ ５Ｇ４３５ 9/35 9/35 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ 13/00 ５０３ 13/00 ５０３Ｄ Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HB03X HB04X HB06X HC01 HD01 HD08 LA01 LA15 2H091 FA02Y GA02 GA07 GA16 LA15 LA30 2H092 HA01 HA04 MA05 MA15 MA18 MA37 NA17 NA18 PA08 4K029 AA09 AA24 BA43 BA46 BA58 BB02 BC07 BD00 CA05 CA06 DC02 DC05 5C094 AA31 BA43 CA24 DA13 ED03 5G307 FA01 FB01 FC05 FC10 5G323 CA01 5G435 AA14 AA17 BB12 CC12 GG12 GG42 KK05 KK07 KK10

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガラス基板の表面に成膜されたカラーフ
    ィルタと、前記カラーフィルタの表面に成膜された有機
    保護膜と、前記有機保護膜の表面に成膜された中間層
    と、前記中間層の表面に成膜されたＩＴＯ被膜とを備え
    るＩＴＯ被膜付き基板において、 前記中間層は、 前記有機保護膜の表面に導入ガスとしてＡｒを用いた高
    周波スパッタ法により成膜され、アルカリに溶解しにく
    い金属酸化物から成る第１中間層と、 前記第１中間層の表面に成膜され、アルカリに溶解しに
    くい金属酸化物若しくは金属窒化物から成る第２中間層
    とを含むことを特徴とするＩＴＯ被膜付き基板。
  2. 【請求項２】 前記第１中間層の金属酸化物がＳｉＯ2
    であることを特徴とする請求項１記載のＩＴＯ被膜付き
    基板。
  3. 【請求項３】 前記第１中間層の金属酸化物がＴａ2Ｏ5
    であることを特徴とする請求項１記載のＩＴＯ被膜付き
    基板。
  4. 【請求項４】 前記第２中間層の金属酸化物がＳｉＯｘ
    であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項
    に記載のＩＴＯ被膜付き基板。
  5. 【請求項５】 前記第２中間層の金属酸化物がＴａ2Ｏ5
    であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項
    に記載のＩＴＯ被膜付き基板。
  6. 【請求項６】 前記第２中間層の金属窒化物がＳｉＮｘ
    であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項
    に記載のＩＴＯ被膜付き基板。
  7. 【請求項７】 ガラス基板の表面に成膜されたカラーフ
    ィルタと、前記カラーフィルタの表面に成膜された有機
    保護膜と、前記有機保護膜の表面に成膜された中間層
    と、前記中間層の表面に成膜されたＩＴＯ被膜とを備え
    るＩＴＯ被膜付き基板において、 前記中間層は、 前記有機保護膜の表面に導入ガスとしてＡｒを用いた高
    周波スパッタ法により成膜され、アルカリに溶解しにく
    い金属酸化物から成ることを特徴とするＩＴＯ被膜付き
    基板。
  8. 【請求項８】 前記中間層の金属酸化物がＳｉＯ2であ
    ることを特徴とする請求項７記載のＩＴＯ被膜付き基
    板。
  9. 【請求項９】 前記中間層の金属酸化物がＴａ2Ｏ5であ
    ることを特徴とする請求項７記載のＩＴＯ被膜付き基
    板。
  10. 【請求項１０】 ガラス基板の表面にカラーフィルタを
    成膜するカラーフィルタ成膜工程と、前記カラーフィル
    タの表面に有機保護膜を成膜する有機保護膜成膜工程
    と、前記有機保護膜の表面に中間層を成膜する中間層成
    膜工程と、前記中間層の表面にＩＴＯ被膜を成膜するＩ
    ＴＯ被膜成膜工程とを有するＩＴＯ被膜付き基板の製造
    方法において、 前記中間層成膜工程は、 前記有機保護膜の表面に導入ガスとしてＡｒを用いた高
    周波スパッタ法によりアルカリに溶解しにくい金属酸化
    物から成る第１中間層を成膜する第１中間層成膜工程
    と、 前記第１中間層の表面に他の高周波スパッタ法によりア
    ルカリに溶解しにくい金属酸化物若しくは金属窒化物か
    ら成る第２中間層を成膜する第２中間層成膜工程とを有
    することを特徴とするＩＴＯ被膜付き基板の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記高周波スパッタ法は、ターゲット
    としてＳｉＯ2を用いることを特徴とする請求項１０記
    載の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記高周波スパッタ法は、ターゲット
    としてＴａ2Ｏ5を用いることを特徴とする請求項１０記
    載の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記他の高周波スパッタ法は、ターゲ
    ットとしてＳｉを用い、導入ガスとしてＮ2を用いた反
    応性スパッタ法であることを特徴とする請求項１０乃至
    １２のいずれか１項に記載の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記他の高周波スパッタ法は、ターゲ
    ットとしてＳｉを用い、導入ガスとしてＯ2を用いた反
    応性スパッタ法であることを特徴とする請求項１０乃至
    １２のいずれか１項に記載の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記他の高周波スパッタ法は、ターゲ
    ットとしてＴａ2Ｏ5を用い、導入ガスとしてＡｒを用い
    ることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項
    に記載の製造方法。
  16. 【請求項１６】 ガラス基板の表面にカラーフィルタを
    成膜するカラーフィルタ成膜工程と、前記カラーフィル
    タの表面に有機保護膜を成膜する有機保護膜成膜工程
    と、前記有機保護膜の表面に中間層を成膜する中間層成
    膜工程と、前記中間層の表面にＩＴＯ被膜を成膜するＩ
    ＴＯ被膜成膜工程とを有するＩＴＯ被膜付き基板の製造
    方法において、 前記中間層成膜工程は、 前記有機保護膜の表面に導入ガスとしてＡｒを用いた高
    周波スパッタ法によりアルカリに溶解しにくい金属酸化
    物から成る中間層を成膜することを特徴とするＩＴＯ被
    膜付き基板の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記高周波スパッタ法は、ターゲット
    としてＳｉＯ2を用いることを特徴とする請求項１６記
    載の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記高周波スパッタ法は、ターゲット
    としてＴａ2Ｏ5を用いることを特徴とする請求項１６記
    載の製造方法。
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