TW589239B - Apparatus and method for controlled delivery of slurry to a region of a polishing device - Google Patents

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589239 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7五、發明說明（） 發明領_ : 本發明關係於用於研磨基材之設備及方法。更明確地 說，本發明關係於一平台/研磨墊組件，其具有一呈圖案之 表面，以控制研漿之輸送至一墊之研磨表面上。 發明背景： 於製造積體電路及其他電子裝置時，於製程中，導 體，半導體及介電材料之多數層係被沉積及由一基材上去 除。其經常需要研磨一基材之表面，以去除高拓樸，表面 缺陷，刮傷，或内藏粒子。一已知之研磨處理係為化學機 械研磨（CMP),其係被用以改良形成於基材上之電子裝置 之品質及可靠度。 典型地’研磨製程涉及於研磨時，將一化學研衆引入 一研磨墊中，以完成較高移除率及於基材表面上之膜間之 選擇性。一般而言，研磨處理涉及夾持一基材，在控制下 之壓力，於研漿或其他流體媒體出現中之墊之溫度及轉 速，靠向一研磨墊。一種用以執行CMp之研磨系統為 MIRRA系統，其係可由應用材料購得，並描述於美國專利 第5,738,574號名為”用於化學機械研磨之連接處理系統·· 中，其係併入作為參考。 CMP之重要目標係完成均勻之基材表面平坦度。均勻 平坦性包含由基材表面均勻之材料移除及移除已經沉積 於基材上之不均勻層。成功之CMp同時需要由一基材至 下基材之處理重覆性。因此，均勾性必須不只是對單一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公f (請先閱讀背面之注意事項再本頁) -裝m. -Jr-a. -線· # 589239 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 基材達成，同時，也必須對於批次之連續基材也要達成。 基材平坦度係為CMP設備之結構及耗材之組成及結 構所指定於大範圍，諸耗材係例如研漿及墊，這些均有關 於研磨率。對於化學機械研磨處理之研磨之不可預測性及 非均勻性係為研漿之非均勻地分佈及補充於基材及研磨 塾之界面處。研漿係主要用以加強選定材料由基材表面之 材料移除率。當一固定容積之與基材接觸之研漿與選定材 料於基材表面上反應時，研漿組成物被消耗。因此，研漿 變成較低反應性及研漿之研磨加強特性係大大被降低。再 者’因為基材之邊緣在基材之中心前接觸研漿，所以到達 中心之研漿係較供給至邊緣之新研漿有較低之反應性。因 此’於基材表面上之材料移除率係非均勻的，典型造成中 心慢研磨。想要藉由增加施加至基材中心部份之壓力，以 補償中心慢研磨效應，以補償基材之平坦度。 一種克服新研漿補充至基材之所有區域的問題之方 法是連續供給新研漿至研磨墊上。然而，因為研磨設備之 實體架構，很困難以引入新研磨至基材及研磨墊間之接觸 區域’提供不變新研漿供給至基材及研磨墊之所有區域係 更困難。結果，當研漿與基材反應時，研磨之均勻性及整 體速率係被嚴重地影響。 另一個連續提供新研漿至研磨墊的之問題是研漿之 體積被消耗。為了減少操作成本，用於處理循環中之研漿 體積應為最小》然而，傳統墊並不能有效地維持研漿於塾 及基材之間。於墊旋轉時研漿之慣性造成於操作時，研漿 第3頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再 -^—— 本頁) la· •線- Φ 589239 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 流出墊外。因此，傳統實際指定連續提供新研漿進入研磨 墊上。結果，消耗研漿之體積係遠高於想要的。 一種補救較差研漿分佈之解決方法已經係於墊中提 供凹槽。一有凹槽墊係為由美國紐瓦克州之羅德公司購得 •之IC1000墊^ IC1000墊之凹槽係於墊之上研磨表面中呈 Χ-Υ架構’並被認為用以於操作時，藉由保持一部份之研 磨於凹槽中’而控制研漿之分佈。然而，此等塾設計收納 更多研磨體積’但墊被證明為低效率的，因為研漿徑向地 流出並於墊旋轉時離開墊。結果，傳統研磨墊持續消耗大 量之研漿，藉以大量增加操作之成本。 因此，有需要一研磨墊，其能控制研漿之分佈於墊表 面上，並提供均勻及平坦之研磨。 發明目的及概诚： 本發明大致提供一種設備，用以研磨一基材，其改良 研漿分佈於一研磨墊之表面上並改良研磨處理之均勻性 及平坦性。於一實施例中，該設備係適用以併入一化學機 械研磨系統中。 於本發明之一方面中，一研磨墊係被提供，其具有一 上研磨面及一下研磨面。多數流體輸送凹槽係形成於至少 一表面上。諸凹槽係適用以於墊移動時，控制流體之分 佈。 於本發明之另一方面中，一平台係被提供，其包含一 有圖案面，用以安裝一研磨墊於其上。該有圖案面係為形 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再 Γ. -裝--- 本頁) 訂· 0 -·線. 589239 A7
五、發明說明（） 成於該表面上之多數凹槽所定義，其係適用以於平台移動 時’控制流體之分佈。於一實施例中，一墊可以安置於有 圖案面上。流體之輸送至墊之上研磨面係#由形成於墊中 之多數孔加以完成，諸孔連接凹槽至墊之上表面。 於本發明之另一實施例中，研漿之輸送係被控制以提 供更大體積之研漿至墊上之想要位置。於墊旋轉時，一塾 或平台之有圖案表面係適用以將研漿引入，以向内流離開 墊或平台之邊緣。 上述之本發明之實施例及特性可以加以詳細了解，本 發明之特定說明可以參考其例示於附圖中之實施例加以 了解。 然而，應注意的是，附圖只例示本發明之實施例，因 此，並不認為是限制本發明之範圍，因為本發明可以用於 其他等效之實施例。 明 說 單 簡 式 圖 圏視 俯 。 的 圖例 意施 示實 之之 站墊 磨磨 ΜΡ研研 C 一 一 為為為 圖圖圖 12 3 第第第 圖 意 示之統 系 (請先閱讀背面之注意事項再 -裝—— 本頁) 訂 •線 # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖囷 視視 俯俯 的的 例例 施施 實實 1 一 另 另 之之 塾整 磨磨 研研 一 一 為為 圖圖 4 5 第第 第第第 6 7 8 囷视 〇 〇 俯 圖圖之 視視墊 俯俯磨 的的研 例例之 施施統 實實系 1 1 動 另另驅 之之性 墊墊線 磨磨一 研研於 一 一 用 為為為 圖圖圖 頁 5 第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 589239 A7 B7 五、發明說明（） 第9圖為一研磨墊沿著形成於墊中之凹槽寬度所取之剖面 圖。 第10圖為一研磨墊沿著形成於墊中之斜凹槽長度所取之 剖面圖。 第11圖為一平台及安置平台上之墊之部份剖面圖，其中 該墊具有一有圖案下表面。 第12圖為一具有一有圖案表面之平台及安置於該平台上 之一墊之部份剖面圖》 圖號對照說明： 30 化學機械研磨系統 32 研磨站 ——i-----------裝i (請先閱讀背面之注意事項再本頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 34 裝載站 36 研磨頭 37 研磨頭位移機制 38 傳送區 40 基材檢視系統 41 旋轉平台 42 基材 45 墊 46 馬達 50,52 箭頭 54 化學劑供給系統 56 箭頭 45A 研磨墊 60 流體分佈/維《 62A 啟始端 64A 終端 C p ad 中心 60A 凹槽 71 箭頭 68 徑向線 Θ 1 角度 76A 中心收集區 45B 墊 60B 凹槽 64B 終端 76B 研漿收集區 第6頁 ·- Φ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 589239 A7 B7 五、發明說明（） 60C 凹槽 80 正切點 82 區段 84 區段 Θ 2、 Θ 3 角度 62C 啟始端 64C 終端 86 箭頭 88 箭頭 45D 墊 76D 研漿收集區 60Ε 凹槽 62Ε 啟始端 45Ε 墊 64Ε 終端 76Ε 研漿收集區 45F 線性致動墊 85 滾筒 60F V形凹槽 87Α 第一區段 87Β 第二區段 89 頂點 90 底 92 側壁 100 安裝面 102 研磨面 104 孔 110 安裝面 112 研磨收集區 1 14 上研磨面 1 16 孔 (請先閱讀背面之注意事項再 本頁： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明詳細說明： 本發明大致關係於一研磨墊及/或一平台，其具有一 研漿分佈/維持凹槽形成於其中。於一實施例中，凹槽係形 成於用於旋轉或線性研磨系統中之塾之上研磨表面上。於 另一實施例中，一平台之上安裝面係以凹槽作出圖案。諸 凹槽係適用以導引研漿之流向由墊/平台之圓周部份向 内。於操作中，形成於墊/平台中之凹槽提供控制之研漿分 第7頁
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 589239 Α7 Β7 五、發明說明（) 佈。於一方面中，相當高體積之研漿可以提供至塾之想要 區域’以完成由基材於這些區域之較高材料移除率，或於 基材整個表面上更均句之材料移除率。 為清楚及容易說明，以下說明主要參考至一 CMp系 統。然而，本發明係等效地應用至其他處理中，其利用整 用以研磨或清洗一基材者。 第1圖為一 CMP系統30之立體圖，其係例如由位於 美國加州聖塔卡拉之應用材料公司購得之MIRRA系統。 系統30包含三個研磨站32及一裝載站34。四個研磨頭 36係可旋轉地安置至安置於研磨站32及負載站34上之研 磨頭位移機制37。一前端基材傳送區38係安置接近CMp 系統’並被認為是CMP系統之一部份，但傳送區3 8可以 是一分開之元件。一基材檢視站40係安置於基材傳送區 3 8中’以完成被引入系統3 0中之基材的處理前及/或後檢 典型地’ 一基材係位於裝載站34之研磨頭36上，然 後’旋轉經二個研磨站32。研磨站32均包含一旋轉平台 41’其具有研磨或清洗塾安裝於其上^ 一處理順序包含一 研磨墊於前兩站及一清洗墊於第三個站，以完成於研磨處 理結束時之基材清洗。於循環結束時，基材係被回到前端 基材傳送區38及另一基材係由裝載站34取回作處理。 第2圖為有用於本發明之一研磨站32及研磨頭36之 不意圖。研磨站32包含一墊45，其係被固定至可旋轉平 台4 1之上表面。墊45係較佳由例如聚氨基甲酸酯之塑膠 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） % I L 之 注 意 Η 頁 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 589239 A7 五、發明說明（ 線所示）係於一環形區，並實際對稱於終端64B之定位。 另一如於第5圖所示之實施例中，提供有一凹槽6〇c 例，其具有相同曲率方向，並對徑向線68具有一正切點 80。正切點80標示凹槽6〇c之兩區段82 , 84。一第一麁 段82由啟始端62C延伸至正切點8〇及一第二區段科由 正切點80延伸至終端64C。區段82 , M之曲率係分別由 角度0 2及0 3所表示。由啟始端62C沿著凹槽6〇c移動 向正切點80, 0 2降低。沿著凹槽6〇c由終端64(：移動離 開正切點80，0 3增加。因此，0 2係相對於徑向線68大 於零度小於90度，及0 3係相對於徑向線68大於90度小 於180度。第一區段82將流體由啟始端62(：引向正切點 80，以參考第3 ®之方式進行…沿著第一區段82流動之 流體係由箭頭86所代表，於旋轉方向為ω時。第二區段 84弩曲離開徑向線68，使得區段84係朝向以避免切斷中 。Cpa<i於操作中，弟一區段84將流體引入於箭頭88之 方向。結果’流體向内流（箭頭86)向正切點8〇沿著第— 區段82，並向外（箭頭88)沿著第二區段84向正切點8〇。 所得之流經凹槽60C之流體產生了於流體集中於收集區 76C(如以斜線所示）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---------—ί - I --- C請先S讀背面之漆意亊項>^|^本頁} 礞 於另一實施例中，凹槽60可以為其他幾何結構，以 提供多個分離，或更長度研漿收集區。例如，第6囷顯示 一組合凹槽60A(參考第3圖）及凹槽60C(參考第5圖所述） 之墊45D。凹槽60A提供研漿至墊45D之中心區域（如於 第3圖之區域76A所示）及凹槽6〇c提供研漿至| 45D之 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) ' 589239 五、發明說明（ 環形區域（如於第5圖之區域76C所示）。
;因此，凹槽60A 及60C之組合提供集合式研漿收集區 再他變化可以 想出以控制研漿之分佈於研磨墊45之上表面上。 雖然第3至6圖顯示具有大致曲線形之凹槽6〇A-C， 但於其他實施例中凹槽可能為線性的。例如帛7圖顯示 於墊45E之邊緣具有啟始端62E之凹槽6〇e，並線性向内 延：至-終端64E。㈣64E之位置決定増加研漿濃度係 於操作時形成，並係為研漿收集區76]£所顯示。為了完成 流體由啟始端62E流動至終端64E，凹槽6〇E係被定向於 相對於徑向線68之非平行關係，該線68係由凹槽6〇£之 啟始端62E延伸至整45E之中心、〜。因此，凹槽6〇e係 定向以避免與墊45E之中心Cpad交叉。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於另一實施例中，本發明之研漿分佈凹槽6〇可以提 供於用於線性研磨組件之墊上。第8圖顯示一安裝於一對 滾筒85(由隱藏線所示）上之線性致動墊45之上研磨面之 部份俯視圖。滾筒85係為致動器（未示出）所旋轉，以方向 v驅動墊，如同傳統帶式驅動般。墊45F包含v形凹槽 60F形成於研磨表面中。每一凹槽6〇F包含一第一區段 87A ’第二區段87B及一頂部89，其中第一及第二區段 87A-B交又。於操作時，墊45F係致動於方向v，使得頂 點89係離開行進方向及區段87A-B之啟始端均領先頂點 89。因此，被輸送至墊45F之表面之研漿係被引入，以流 經區段87A-B，向頂點，然後，至墊45F之上表面。 第9圖顯示凹槽6〇之剖面圖。凹槽60係為一底90 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準（0_NS)A4規格（2i_〇 X 297公餐） 589239 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 度至約0.1度間。因為於操作時，墊45係實質水平安置， 所增加之凹槽深度活化了流體在重力影響下流向中心 Cpad。於另一實施例中，凹槽60可以具有相反之傾斜角， 使得壁區係沿著凹槽60之長度形成，其係作用以較凹槽 60之其他區域，收集更高體積之研漿。 前述實施例係只作例示及凹槽60之特定幾何並不限 定本發明之範圍。任何適用以使研漿流向墊4 5之特定區 域之凹槽係為本發明所想出。 於另一實施例中，墊45之低安裝面係以研聚分佈/維 持凹槽60作出圖案。第11圖顯示具有一穿孔整45安置 於其上之平台41之立體圖。墊45可以為例如感壓黏劑 (PSA)之黏劑所固定至平台4卜形成於墊45之安裝面1〇〇 上之凹槽60可以是任何幾何或方向，以完成想要之研漿/ 流體流量。因此，凹槽6 0係適用以使研漿由任一點沿凹 槽60向内流向一由特定凹槽結構所決定之研漿收集區。 研7衆之輸送至塾45之上研磨面係由形成於塾45中之 孔104所完成。多數形成於墊45中之孔1〇4係由塾45之 下安裝面100延伸至墊45之上研磨面1〇2,藉以提供其間 之流體通道。示於第11圖中之墊45提供一實質均勻分佈 之孔1 0 4。然而，於其他實施例中，孔1 〇 4之位置可以被 限制至研漿收集區之位置，以更進一步控制研漿之輸送至 一已定位置。於操作時，研漿係由於平台4丨之旋轉，而 流經凹槽6 0。當研漿累積於研漿收集區域時，於凹槽6 〇 中之增加的液壓最後強迫研漿向上經過孔丨〇4，然後，至 第15頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 上0· •線- 589239 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A/ B7 五、發明說明（） 案。 於穿孔研磨墊係用以配合於墊45之下安裝面上及/或 平台上安裝面之凹槽60時，凹槽6〇較佳係延伸入整45 之邊緣。因此，凹槽60提供於平台4丨及研磨墊45間之 路徑，其使墊/平台組件排氣至大氣。當凹槽60係與大氣 隔離時，例如凹槽60包含以平台密封於底部之同心圓， 一部份真空條件可以創造於凹槽中，於基材係被靠向研磨 墊，使基材由研磨墊移開更難。雖然，於墊中之孔允許於 凹槽60及大氣間之流體湘通，但相當小之孔可以防止相 對於大氣環境之凹槽中之壓力的快速穩定。藉由建立開放 端凹槽60，凹槽60維持等於大氣環境之壓力，允許基材 容易由研磨墊45移開，其中，使用了一穿孔冬。另外， 開放端凹槽60可以完成研磨墊45由平台41上移開。 可以了解的是，例如頂，底，上，下等之名詞係相對 名稱，並不作限制用。其他架構可以想出，使一基材可以 被於不同方向處理。 雖然前述係有關於本發明之較佳實施例，但本發明之 其他實施例可以在不脫離本發明之基本範固下加以導 出，及其範圍係由隨附之申請專利範圍加以決定。 ---」-------------- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) -線.

Claims (1)

  1. 589239 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1· 一種用於研磨一基材之設備，其至少包含一半導體研磨 裝置，其有一第一表面，定義至少一非交叉流體維持凹 槽於其至少一部份，其係朝向對於啟始於半導體研磨裝 置中心之徑向線呈一角度，其中該非交叉流體維持凹槽 係適用以使一流體向内流動向半導體研磨裝置之中心 部份。 2.如申凊專利範圍第1項所述之設備，其中上述之半導體 研磨裝置為一研磨墊及一平台之一。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之非交叉 流體維持凹槽之深度沿著非交叉流體維持凹槽之長度 方向改變。 4·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之非交 流體維持凹槽具有一第一部份及一第二部份，其係具 相同之曲率方向並對該徑.向線定義一正切 叉 有 (請先·«讀背面之注意事項再填窝本頁) ^9-------tri -線丨·丨丨 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 ，5·如申請專利範圍第i項所述之設備，其中上述之非交叉 流體維持凹槽係朝向由凹槽第一端至凹槽第二端之增 加半徑移動之旋轉方向。 6 ·如申凊專利私圍第丨項所述之設備，其中上述之非交叉 流體維持凹槽係朝向沿著非交叉流體維持凹槽之.長度 第18頁 本紙張尺度適用_國國·準（CNS) A4規格（21Q—x 297公;望） 589239 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 B8 C8 D8六、申請專利範圍 的增加半徑移動之旋轉方向。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之非交又 流體維持凹槽係由弧狀凹槽，線性凹槽及其任意組合加 以選出。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之非交叉 流體維持凹槽由半導體研磨裝置之中心部份延伸至半 導體研磨裝置中之邊緣，及其中非交叉流體維持凹槽係 正切於該徑向線。 9·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之半導體 研磨裝置係適用以與一旋轉研磨機一起使用。 I 0 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之半導體 研磨裝置係適用以與一線性研磨機一起使用。 II ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之半導體 研磨裝置係為一研磨塾且第一表面為一研磨表面。 1 2 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之半導體 研磨裝置係為一平台且第一表面為一研磨墊安裝面。 1 3 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之半導體 第19頁 • If l I —J n n n ϋ n n I ϋ ϋ βϋ ί (請先朋讀背面之注意事項再填窝本頁) n n n 訂· — -線丨_丨丨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公1) 589239 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 研磨裝置為一平台及第一表面為一研磨墊安裝面，其具 有穿孔墊安置於其上，其中形成於穿孔墊中之多數孔係 連接非交叉流體維持凹槽與穿孔墊之研磨面。 14· 一種基材研磨墊，至少包含： (a) —研磨面，於該基材研磨墊之第一側上；及 (b) —安裝面，於該基材研磨墊之第二側上；其中至 少研磨墊及安裝墊之一具有多數非交叉流體維持凹槽 形成於其中，其中凹槽係被安置，使得於基材研磨墊之 移動於一給定方向時，一安置於凹槽中之流體係被強迫 由外部流向基材研磨墊之中心部份。 15·如申請專利範圍第14項所述之基材研磨墊，其中上述 之一或多數流體維持凹槽，由基材研磨墊之中心部份延 伸至基材研磨墊之邊緣，及其中凹槽中沒有點係正切於 由中心延伸至基材研磨墊之徑向線。 16·如申請專利範圍第14項所述之基材研磨墊，其中上述 之凹槽係形成於安裝面上及基材研磨墊包含穿孔延伸 於研磨表面及安裝表面之間。 17.如申請專利範圍第14項所述之基材研磨墊，其中上述 之基材研磨墊包含聚氨基甲酸酯。 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先·«讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 -------訂 i •1« 1 n 1 n I I 線丨鲁--------^ — 589239
    六、申請專利範圍 18.如申請專利範圍第14項所述之基材研磨墊，其中上述 之基材研磨墊係適用與一旋轉研磨機一起使用。 1 9 · 一種用以研磨一基材的設備，至少包含： (a) —或多數可旋轉平台； (b) —馬達，連接至該可旋轉平台； (Ο—或多數研磨頭可旋轉地安裝成面對於可旋轉平 台的關係；及 (d) —研磨墊安置於每一可旋轉平台上， 其中可旋轉平台及研磨塾之至少之一者包含多數非 交又流體維持凹槽形成於一第一表面上及其中凹槽之 至少一部份係安置成對由第一表面中心延伸之徑向線 呈一角度，並適用以使流體由外部份向内流動至第一表 面之中心部份。 20·如申請專利範圍第19項所述之設備，其中上述之多 非交又流體維持凹槽包含多數弧形凹槽由中心部份 伸至外部份。 數 延 (請先·«讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 2 圍持。 範維出 利體選 專流以 請又加 申交合 士 非組 第 凹 數意 多任 之其 述及 上槽 中凹 其性 ’ 線 備 ， 設槽 之凹 述形 所弧 頃由 L9係 L槽 數 多 之 述 上 中 其 備 設 之 述 所 項 9 11 第 圍 範 利 專 請 申 如 2 2 1M 21 舞 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 589239六、申請專利範圍 § 非交又流體維持凹槽係由包含： (a) 弧形凹槽； (b) 線性凹槽，安置對徑向線呈一角度；及 (c) 一（a)及（b)之組合， 之群組中選出。 23·如申請專利範圍第19項所述之設備，其中上述之第一 表面為一研磨墊之平台安裝面，其係配合毗鄰於平台之 墊安裝面並更包含多數孔形成穿過該研磨墊並連接多 數非交叉流體維持凹槽與研磨墊之研磨面。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 24·如申請專利範圍第19項所述之設備，其中上述之第一 表面為平台之墊安裝面，其係配合毗鄰研磨墊之平台安 裝面及更包含多數孔形成穿過該研磨墊並連接多數非 交又流體維持凹槽與研磨墊之研磨表面。 25·如申請專利範圍第19項所述之設備，其中上述之多數 非交又流體維持凹槽係由包含： (a) 弧形凹槽； (b) 線性凹槽，對由研磨墊或平台中心延伸之徑向線 呈非平行關係安置；及 (c) 一（a)及（b)之組合， 之群組中選出。 第22頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • I —4 n n —I n n ϋ ϋ ϋ ϋ I I I n n n H 一δ’ · ϋ f I n n n I I n n I ϋ n n n n _ {請先·«讀背面之注意事項再填窵本頁) 六、申請專利範圍 26.如申請專利範圍第19項所述之設備，其中上述之多數 非交叉流體維持凹槽包含一第一部份，其係朝向相對於 徑向線大於零度及小於90度之第一角度，以及，一第 二部份，其係朝向相對於徑向線大於90度及小於1 80 度之第二角度。 27·如申請專利範圍第26項所述之設備，其中上述之第一 及第二角度係沿著其相關長度作變化。 28·—種用於研磨系統之可旋轉平台，至少包含一有圖案之 墊安裝面，其係形成多數非交叉流體維持凹槽，每一凹 槽均具有相對於一由墊中心啟始之徑向線朝向—角度 的一部份，該部份係適用以於平台旋轉時，使流體向内 由圓周部份向平台之中心部份流動。 29·如申請專利範圍第28項所述之可旋轉平台，其中上述 之多數非交叉流體維持凹.槽係由包含： (a) 弧形凹槽； 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 (b) 線性凹槽，對該徑向線呈一角度作安置；及 (c) 一（a)及（b)之組合， 之群組中選出。 30·如申請專利範圍第28項所述之可旋轉平台，其中上述 之一研磨塾係安裝於墊安裝面上，使得研磨整及多數棒 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） 589239 Θ3. L 15 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 交叉流體維持凹槽形成於研磨墊及平台間之流體通道。 31·如申請專利範圍第28項所述之可旋轉平台，其中上述 之可旋轉平台係為一化學機槭研磨系統之一部份。 (請先«讀背面之注意事項再填窵本頁) 訂· — -線丨·—— 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 第24頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t )
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