KR20110019442A - 다공성 요소를 구비한 연마 패드 및 이 연마 패드의 제작 방법 및 이용 방법 - Google Patents

다공성 요소를 구비한 연마 패드 및 이 연마 패드의 제작 방법 및 이용 방법 Download PDF

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KR20110019442A
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윌리엄 디 조지프
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쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니
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Abstract

본 개시내용은 다공성 연마 요소를 구비한 연마 패드에 관한 것이며, 이 연마 패드의 제작 방법 및 연마 공정에서 이러한 연마 패드를 사용하는 방법에 관한 것이다. 한 가지 예시적인 실시예에 있어서, 연마 패드는 다수의 연마 요소를 포함하고, 이 연마 요소 중 적어도 일부는 다공성이며, 각각의 연마 요소는 지지층에 고정되어 하나 이상의 다른 연마 요소에 대한 특정 연마 요소의 측방향 이동을 억제하지만 연마 요소의 연마면에 수직인 축선 상에서 이동 가능하게 유지된다. 특정 실시예에 있어서, 연마 패드는 지지층에 복수 개의 연마 요소를 배치하고 선택적으로 고정시키도록 위치가 결정되는 가이드 플레이트, 및 추가적으로 연마 조성물 분포 층을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 실질적으로 전체 다공성 연마 요소 전반에 걸쳐 기공이 분포되어 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 기공은 실질적으로 연마 요소의 연마면에 분포되어 있다.

Description

다공성 요소를 구비한 연마 패드 및 이 연마 패드의 제작 방법 및 이용 방법{POLISHING PAD WITH POROUS ELEMENTS AND METHOD OF MAKING AND USING THE SAME}
본 개시내용은 다공성 연마 요소를 구비한 연마 패드에 관한 것이며, 이 연마 패드를 제작하는 방법 및 연마 공정에서, 예컨대 화학 기계적 평탄화 공정에서 상기 연마 패드를 이용하는 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 및 집적 회로를 제조하는 동안, 실리콘 웨이퍼는 일련의 증착 단계 및 에칭 단계를 통해 위에 놓이는 재료 층 및 장치 구조를 형성하기 위해 반복적으로 처리된다. 화학 기계적 평탄화(CMP)로서 알려져 있는 연마 기법은, 증착 단계 및 에칭 단계 이후에 남아있는 표면 요철[범프, 높이가 불균일한 영역, 트라우프(trough) 및 트렌치(trench)]을 제거하기 위해 이용될 수 있으며, 이때 스크래치 또는 함몰부[디싱(dishing)으로 알려져 있음] 없이 매끄러운 웨이퍼 표면을 획득하고 웨이퍼 표면에 걸쳐 높은 균일도를 획득하는 것을 목적으로 한다.
보통 CMP 연마 공정에 있어서, 웨이퍼와 같은 기판은, 보통 에칭용 화학물질 및/또는 물에 연마제 입자의 슬러리가 존재하는 작동액이 있는 상황에서 연마 패드에 대해 압박되고 연마 패드에 대해 상대 이동된다. 연마제 슬러리와 함께 이용하기 위한 다양한 CMP 연마 패드는, 예컨대 미국 특허 출원 제5,257,478호, 제5,921,855호, 제6,126,532호, 제6,899,598 B2호, 및 제7,267,610호에 개시되어 있다. 연마제가 고정된 연마 패드는 또한 미국 특허 제6,908,366 B2에서 예시된 바와 같이 공지되어 있으며, 이때 연마제 입자는 일반적으로 패드의 표면에 고정되며, 종종 패드 표면으로부터 연장되는 정확하게 성형된 연마제 복합체의 형태이다. 최근, 압축 가능한 하층으로부터 연장되는 다수의 연마 요소를 구비하는 연마 패드가 WO/2006057714에서 설명된 바 있다. 광범위하고 다양한 연마 패드가 공지되어 있고 이용되고 있지만, 당업계는 CMP에서, 특히 더 큰 다이 직경이 이용되거나 또는 보다 높은 레벨의 웨이퍼 표면 평평도 및 연마 균일도가 요구되는 CMP 공정에서 신규의 개선된 연마 패드를 지속적으로 요구하고 있다.
본 개시내용은, 순응성 연마 패드와 강성 연마 패드 양자의 유리한 특징의 일부를 겸비하는 반면, 각각의 패드의 불리한 특징의 일부를 배제하거나 감소시킬 수 있는 다공성 연마 요소를 갖춘 개선된 연마 패드를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 개시내용은 이러한 연마 패드의 제작 방법 및 이용 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
하나의 예시적인 실시예에 있어서, 본 개시내용은, 복수 개의 연마 요소를 포함하는 연마 패드를 설명하며, 각각의 연마 요소는 지지층에 고정되어 하나 이상의 다른 연마 요소에 대한 해당 연마 요소의 측방향 이동을 억제하지만, 연마 요소의 연마면에 대해 수직인 축선 상에서 이동 가능하게 유지되며, 연마 요소의 적어도 일부는 다공성 연마 요소로 이루어지고, 각각의 다공성 연마 요소의 적어도 표면은 복수 개의 기공을 포함한다.
특정 실시예에 있어서, 기공은 실질적으로 전체 다공성 연마 요소 전반에 걸쳐 분포되어 있을 수 있다. 다른 예시적인 실시예에 있어서, 기공은 실질적으로 연마 요소의 연마면에 분포되어 있을 수 있다. 일부 구체적인 예시적 실시예에 있어서, 연마 요소의 연마면에 실질적으로 분포되어 있는 기공은, 원통형, 삼각형, 직사각형, 사다리꼴, 반구형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단면 형상을 갖는 복수 개의 채널을 포함한다.
다른 예시적인 실시예에 있어서, 본 개시내용은, 제1 주요 측부 및 이 제1 주요 측부에 대향하는 제2 주요 측부를 갖는 지지층, 지지층의 제1 주요 측부에 고정되는 복수 개의 연마 요소, 및 제1 주요 표면과 제1 주요 표면에 대향하는 제2 주요 표면을 갖는 가이드 플레이트를 포함하는 연마 패드를 설명하며, 상기 가이드 플레이트는 지지층으로부터 원위에 있는 제1 주요 표면을 이용하여 제1 주요 측부 상에 복수 개의 연마 요소를 배치하도록 위치가 결정되며, 연마 요소는 가이드 플레이트의 제1 주요 표면으로부터 제1 주요 측부에 대해 실질적으로 수직인 제1 방향을 따라 연장되고, 연마 요소의 적어도 일부는 다공성 연마 요소로 이루어지며, 각각의 다공성 연마 요소의 적어도 일부는 복수 개의 기공을 포함한다.
특정한 예시적인 실시예에 있어서, 기공은 실질적으로 전체 다공성 연마 요소 전반에 걸쳐 분포되어 있을 수 있다. 다른 예시적인 실시예에 있어서, 기공은 실질적으로 연마 요소의 연마면에 분포되어 있을 수 있다. 일부 구체적인 예시적 실시예에 있어서, 연마 요소의 연마면에 실질적으로 분포되어 있는 기공은, 원통형, 삼각형, 직사각형, 사다리꼴, 반구형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단면 형상을 갖는 복수 개의 채널을 포함한다.
추가적인 예시적 실시예에 있어서, 본 개시내용은, 연마 공정에서 전술한 바와 같은 연마 패드를 이용하는 방법에 관한 것이며, 상기 방법은 적어도 일부는 다공성인 복수 개의 연마 요소를 포함하는 연마 패드의 연마면에 기판의 표면을 접촉시키는 것과, 기판의 표면을 연마하도록 기판에 대해 연마 패드를 상대 이동시키는 것을 포함한다. 특정한 예시적 실시예에 있어서, 연마 패드의 표면과 기판의 표면 사이의 경계에 작동액이 제공될 수 있다.
추가적인 예시적 실시예에서는, 연마 패드의 제작 방법이 제공되며, 이 방법은, 복수 개의 다공성 연마 요소를 형성하는 것과, 다공성 연마 요소를 지지층에 고정시키는 것을 포함한다. 특정 실시예에 있어서, 상기 방법은, 가스 포화된 폴리머 용융물을 사출 성형하는 것, 폴리머를 형성하기 위해 반응시에 가스를 포함하는 반응성 혼합물을 사출 성형하는 것, 초임계 가스에 용해된 폴리머를 포함하는 혼합물을 사출 성형하는 것, 용매에 불친화성(incompatible) 폴리머의 혼합물을 사출 성형하는 것, 열가소성 폴리머에 분산된 다공성 열경화성 입자를 사출 성형하는 것, 그리고 이들의 조합에 의해 다공성 연마 요소를 형성하는 것을 포함한다.
본 개시내용에 따른 다공성 연마 요소를 구비하는 연마 패드의 예시적인 실시예는, 다양한 연마 용례에서 그 이용을 가능하게 하는 다양한 특징 및 특성을 갖는다. 현재 바람직한 일부 실시예에 있어서, 본 개시내용의 연마 패드는 집적 회로 및 반도체 장치의 제작에 이용되는 웨이퍼의 CMP(Chemical Mechanical Planarization)에 특히 적합할 수 있다. 특정한 예시적인 실시예에 있어서, 본 개시내용에 설명되는 연마 패드는 다음의 장점 중 일부 또는 전부를 제공할 수 있다.
예를 들면, 일부 예시적인 실시예에 있어서, 본 개시내용에 따른 연마 패드는 연마 중인 기판 표면과 패드의 연마면 사이의 경계에 CMP 공정 동안 이용되는 작동액을 더욱 양호하게 유지하는 역할을 할 수 있으며, 이에 따라 보강 연마에서 작동액의 효과성을 개선한다. 다른 예시적인 실시예에 있어서, 본 개시내용에 따른 연마 패드는 연마 중에 웨이퍼 표면의 에지 침식 및/또는 디싱을 줄일 수 있거나 없앨 수 있다. 일부 예시적인 실시예에 있어서, CMP 공정에서 본 개시내용에 따른 연마 패드를 이용하는 것은, 웨이퍼 연마 균일도의 개선, 더욱 평평하게 연마된 웨이퍼 표면, 웨이퍼로부터의 에지 다이 양품율의 증가, 및 개선된 CMP 공정 작동 범위 및 일관성을 획득하는 결과를 얻게 할 수 있다.
추가적인 예시적 실시예에 있어서, 본 개시내용에 따른 다공성 요소를 갖춘 연마 패드를 이용하는 것은, 직경이 더 큰 웨이퍼의 가공을 허용하면서도 높은 칩 양품율을 획득하기 위해 요구되는 수준의 표면 균일도를 유지하거나, 웨이퍼 표면의 연마 균일도를 유지하기 위해 패드 표면의 컨디셔닝이 요구되기 이전에 더 많은 웨이퍼를 처리하거나, 또는 패드 컨디셔너 상에서의 처리 시간 및 마모를 줄이는 것을 가능하게 할 수 있다. 특정 실시예에 있어서, 다공성 연마 요소를 갖춘 CMP 패드는 또한 홈과 같은 표면 텍스쳐(texture)를 갖는 통상적인 CMP 패드의 이익 및 장점을 제공할 수 있지만, 더욱 저렴한 비용으로 더 많이 제작될 수 있다.
개시내용의 예시적인 실시예의 다양한 양태 및 장점이 요약된 바 있다. 이상의 [과제의 해결 수단]은 본 발명의 제시된 특정한 예시적인 실시예의 모든 구현예 또는 각각 제시된 실시예를 설명하려는 의도가 아니다. 후속하는 도면 및 [발명을 실시하기 위한 구체적인 내용]은 본 명세서에 개시된 원리를 이용하여 구체적으로 특정한 바람직한 실시예를 예시하고 있다.
본 개시내용에 따르면, 순응성 연마 패드와 강성 연마 패드 양자의 유리한 특징의 일부를 겸비하는 반면, 각각의 패드의 불리한 특징의 일부를 배제하거나 감소시킬 수 있는 다공성 연마 요소를 갖춘 개선된 연마 패드를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 연마 패드의 제작 방법 및 이용 방법을 얻을 수 있다.
첨부 도면을 참고하여 본 개시내용의 예시적인 실시예를 추가로 설명한다.
도 1은 개시내용의 예시적인 일 실시예에 따라 돌출형 다공성 요소를 구비하는 연마 패드의 측면도이다.
도 2는 개시내용의 다른 예시적인 실시예에 따라 돌출형 다공성 요소를 구비하는 연마 패드의 측면도이다.
도 3a는 개시내용의 예시적인 일 실시예에 따른 다공성 연마 요소의 사시도이다.
도 3b는 도 3a의 예시적인 다공성 연마 요소의 상부도이다.
도 3c는 연마면에 대해 실질적으로 수직인 방향에서의 연마 요소의 횡단면에서, 도 3a의 예시적인 다공성 연마 요소를 도시한 확대 사시도이다.
도 4a는 개시내용의 다른 예시적인 실시예에 따른 다공성 연마 요소의 사시도이다.
도 4b는 개시내용의 다른 예시적인 실시예에 따른 다공성 연마 요소의 사시도이다.
도 4c는 개시내용의 추가적인 예시적 실시예에 따른 다공성 연마 요소의 사시도이다.
도 5a는 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 연마면에 실질적으로 평행인 방향에서의 연마 요소의 횡단면에서 다공성 연마 요소를 도시한 현미경 사진이다.
도 5b는 연마면에 대해 실질적으로 수직인 방향에서의 연마 요소의 횡단면에서, 도 5a의 다공성 연마 요소를 도시한 현미경 사진이다.
도 6a는 개시내용의 추가적인 예시적 실시예에 따른 다공성 연마 요소의 다공성 연마면의 현미경 사진이다.
도 6b는 연마면에 대해 실질적으로 수직인 방향에서의 연마 요소의 횡단면에서, 도 6a의 다공성 연마 요소를 도시한 현미경 사진이다.
도 7은 개시내용의 또 다른 예시적인 실시예에 따른 다공성 연마 요소의 다공성 연마면의 현미경 사진이다.
도면에서 동일한 도면부호는 동일한 요소를 지시한다. 본 명세서의 도면은 축척에 맞도록 도시된 것이 아니며, 도면에서 연마 패드의 구성요소는 선택된 특징부를 강조하도록 크기가 결정되어 있다.
웨이퍼 연마, 즉 웨이퍼 가공을 위한 보통의 CMP 슬러리 공정에 있어서, 특징적인 토포그래피(topography)는 연마 패드 및 연마제와 연마용 화학물질을 포함하는 연마 용액과 접촉하게 된다. 연마 패드가 순응성(compliant)인 경우, 웨이퍼 상에서 적은 영역을 연마하는 연질 패드로 인해 융기된 영역과 동일한 비율로 디싱 및 침식 현상이 발생될 수 있다. 연마 패드가 강성인 경우, 디싱 및 침식은 크게 감소될 수 있지만, 강성 연마 패드가 다이 평탄화 균일도에 있어서 유리하게 제품을 얻을 수 있음에도 불구하고, 이들 강성 연마 패드는 또한 웨이퍼 둘레에서 발생하는 리바운드 효과로 인해 웨이퍼 균일도에 있어서 불리하게 불량한 결과를 얻을 수 있다. 이러한 리바운드 효과는 불량한 에지 양품율 및 좁은 CMP 연마 공정 범위를 초래한다. 추가적으로, 이러한 강성 연마 패드는 다양한 웨이퍼 토포그래피에 민감하고 웨이퍼와의 경계 및 연마 용액을 유지하는 최적의 연마용 텍스쳐를 형성하기 위한 패드 컨디셔너의 사용에 따라 전적으로 좌우되기 때문에, 강성 연마 패드를 이용하여 안정적인 연마 공정을 수행하기가 곤란할 수 있다.
본 개시내용은 다공성 연마 요소를 갖춘 개선된 연마 패드에 관한 것이며, 이때 다양한 실시예에서 상기 다공성 연마 요소는 순응성 연마 패드와 강성 연마 패드 양자의 유리한 특징의 일부를 겸비하는 반면, 각각의 패드의 불리한 특징의 일부를 없애거나 감소시킨다. 이제 도면을 참고하여 개시내용의 다양한 예시적인 실시예를 구체적으로 설명할 것이다. 본 개시내용의 예시적인 실시예는 개시내용의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 변형 및 변경을 취할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예는 이후에 설명되는 예시적인 실시예로 한정되지 않으며, 청구범위에 기술된 한정 대상 및 그 임의의 등가 대상으로 제한된다는 것을 이해해야 한다.
도 1을 참고하면, 연마 패드(2)의 예시적인 실시예가 도시되어 있으며, 이때 연마 패드는, 각각의 연마 요소(4)가 지지층(10)에 고정되어 하나 이상의 다른 연마 요소(4)에 대해 해당 연마 요소(4)의 측방향 이동을 억제하지만 각각의 연마 요소(4)의 연마면(14)에 수직인 축선 상에서 이동 가능하게 유지되는 것인 복수 개의 연마 요소(4)를 포함한다. 연마 요소(4)의 적어도 일부는 다공성이며, 이때 연마 요소(4)의 적어도 표면, 이 경우에는 적어도 연마면(14)은 복수 개의 기공을 포함한다(도 1에는 도시되어 있지 않음). 도 1에 도시된 구체적인 실시예에 있어서, 각각의 다공성 연마 요소(4)는 또한 실질적으로 전체 연마 요소(4) 전반에 걸쳐 복수 개의 기공(15)이 분포되어 있는 것으로 도시되어 있다. 다른 예시적인 실시예(도 1에는 도시되어 있지 않지만 도 3 및 도 4에 도시되어 있음)에 있어서, 기공은 실질적으로 연마 요소(4)의 연마면(14)에 또는 단지 상기 연마면 부근에만 분포되어 있다.
추가적으로, 도 1에 도시된 구체적인 실시예에는, 3개의 연마 요소(4)가 도시되어 있으며, 모든 연마 요소(4)는 다공성 연마면(14) 및 실질적으로 전체 연마 요소(4) 전반에 걸쳐 분포되는 기공(15) 양자 모두를 포함하는 다공성 연마 요소로서 도시되어 있다. 그러나, 임의의 개수의 연마 요소(4)가 이용될 수 있다는 것을 이해해야 하며, 다공성 연마 요소의 개수는 하나의 연마 요소와 같이 적은 개수로 선택될 수도 있고 모든 연마 요소와 같이 다수로 선택될 수도 있으며 이 양 극한 사이의 임의의 개수로 선택될 수도 있다.
더욱이, 연마 패드(2)는 단지 실질적으로 동일한 연마 요소(4)만으로 이루어질 필요는 없다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 예를 들면, 다공성 연마 요소 및 비다공성 연마 요소의 임의의 조합 또는 배치에 의해 복수 개의 다공성 연마 요소(4)가 구성될 수 있다. 더불어 유리하게는, 실질적으로 전체 연마 요소(4) 전반에 걸쳐 기공이 분포되는 연마 요소(4), 연마 요소(4)의 연마면(14)에 또는 단지 상기 연마면 부근에만 실질적으로 기공이 분포되는 연마 요소(4), 및 실질적으로 기공이 없는 연마 요소(4)의 조합 또는 배치를 갖는 연마 패드(2)가 또한 제작될 수 있다.
도 1에 도시된 구체적인 실시예에 있어서, 연마 요소(4)는, 예컨대 지지층에 직접 접합되거나 또는 접착제를 이용하여 접합됨으로써 지지층(10)의 제1 주요 측부에 고정되는 것으로 도시되어 있다. 연마 요소를 위한 가이드 플레이트로서 또한 역할을 할 수 있는, 선택적인 연마 조성물 분포 층(8)이 추가적으로 도 1에 도시되어 있다. 연마 공정 동안, 선택적인 연마 조성물 분포 층(8)은 개별적인 연마 요소(4)에 대한 작동액 및/또는 연마용 슬러리의 분배에 도움이 된다.
가이드 플레이트로서 사용될 때, 연마 조성물 분포 층(8)(가이드 플레이트)은 지지층(10)의 제1 주요 측부에 배치될 수 있고 이에 따라 복수 개의 연마 요소(4)의 구성을 용이하게 하므로, 연마 조성물 분포 층(8)(가이드 플레이트)의 제1 주요 표면은 지지층(10)으로부터 원위에 있고, 연마 조성물 분포 층(8)(가이드 플레이트)의 제2 주요 표면은 연마 조성물 분포 층(8)(가이드 플레이트)의 제1 주요 표면에 대향하게 된다.
연마 요소는, 지지층(10)의 제1 주요 측부에 실질적으로 수직인 제1 방향을 따라 연마 조성물 분포 층(8)(가이드 플레이트)의 제1 주요 표면으로부터 연장된다. 연마 조성물 분포 층(8)이 또한 가이드 플레이트로서 사용된다면, 이때 바람직하게는, 연마 조성물 분포 층(8)(가이드 플레이트)을 관통하여 연장되는 복수 개의 개구(6)가 마련된다. 각각의 연마 요소(4)의 일부는 대응하는 개구(6) 내로 연장된다. 따라서, 복수 개의 개구(6)는 지지층(10)에서 연마 요소(4)의 배치를 안내하는 역할을 한다.
도 1에 도시된 구체적인 실시예에 있어서, CMP 연마 장치(도 1에는 도시되어 있지 않음)의 연마 플래튼(platen)(도 1에는 도시되어 있지 않음)에 연마 패드(2)를 고정시키기 위해 사용될 수 있는 선택적인 감압식 접착제 층(12)은 연마 조성물 분포 층(8)에 대향하여 지지층(10)에 이웃하게 도시되어 있다.
도 2를 참고하면, 연마 패드(2')의 다른 예시적인 실시예가 도시되어 있으며, 이때 연마 패드(2')는 제1 주요 측부 및 제1 주요 측부에 대향하는 제2 주요 측부를 갖는 지지층(30); 지지층(30)의 제1 주요 측부에 각각의 연마 요소(24)를 고정하기 위한 장착 플랜지(25)를 각각 구비하는 복수 개의 연마 요소(24); 및 제1 주요 표면 및 제1 주요 표면에 대향하는 제2 주요 표면을 갖는 가이드 플레이트(31)를 포함하며, 상기 가이드 플레이트(31)는 가이드 플레이트(31)의 제1 주요 표면이 지지층(30)으로부터 원위에 있을 때 지지층(30)의 제1 주요 측부에 복수 개의 연마 요소(24)를 배치하도록 위치가 결정된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 각각의 연마 요소(24)는 가이드 플레이트(31)의 제1 주요 표면으로부터 제1 주요 측부에 대해 실질적으로 수직인 제1 방향을 따라 연장된다. 연마 요소(24)의 적어도 일부는 다공성 연마 요소로 이루어지며, 각각의 다공성 연마 요소의 적어도 일부, 이 경우 연마면(23)은 복수 개의 기공을 포함한다(도 2에는 도시되어 있지 않음). 도 2에 도시된 구체적인 실시예에 있어서, 각각의 다공성 연마 요소(24)는 또한 실질적으로 전체 연마 요소(24) 전반에 걸쳐 복수 개의 기공(15)이 분포되어 있는 것으로 도시되어 있다. 다른 예시적인 실시예(도 2에는 도시되어 있지 않지만 도 4a 내지 도 4c에 도시되어 있음)에 있어서, 기공(15)은 실질적으로 연마 요소(24)의 연마면(23)에 또는 단지 상기 연마면 부근에만 분포되어 있다.
추가적으로, 도 2에 도시된 구체적인 실시예에는, 3개의 연마 요소(24)가 도시되어 있으며, 모든 연마 요소(24)는 다공성 연마면(14) 및 실질적으로 전체 연마 요소(24) 전반에 걸쳐 분포되는 기공(15) 양자 모두를 포함하는 다공성 연마 요소로서 도시되어 있다. 그러나, 임의의 개수의 연마 요소(24)가 이용될 수 있다는 것을 이해해야 하며, 다공성 연마 요소의 개수는 하나의 연마 요소와 같이 적은 개수로 선택될 수도 있고 모든 연마 요소와 같이 다수로 선택될 수도 있으며 이 양 극한 사이의 임의의 개수로 선택될 수도 있다.
더욱이, 연마 패드(2')는 단지 실질적으로 동일한 연마 요소(24)만으로 이루어질 필요는 없다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 예를 들면, 다공성 연마 요소 및 비다공성 연마 요소의 임의의 조합 또는 배치에 의해 복수 개의 다공성 연마 요소(24)가 구성될 수 있다. 더불어 유리하게는, 실질적으로 전체 연마 요소(24) 전반에 걸쳐 기공이 분포되는 연마 요소(24), 연마 요소(24)의 연마면(23)에 또는 단지 상기 연마면 부근에만 실질적으로 기공이 분포되는 연마 요소(24), 및 실질적으로 기공이 없는 연마 요소(24)의 조합 또는 배치를 갖는 연마 패드(2')가 또한 제작될 수 있다.
선택적인 연마 조성물 분포 층(28)이 추가적으로 도 2에 도시되어 있다. 연마 공정 동안, 선택적인 연마 조성물 분포 층(28)은 개별적인 연마 요소(24)에 대한 작동액 및/또는 연마용 슬러리의 분배에 도움이 된다. 적어도 가이드 플레이트(31) 및 도 2에 도시된 바와 같은 선택적인 연마 조성물 분포 층(28)을 관통하여 연장되는 복수 개의 개구(26)가 또한 마련될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 일부 실시예에 있어서, 각각의 연마 요소(24)는 장착 플랜지(25)를 구비하며, 각각의 연마 요소(24)는 가이드 층(31)의 제2 주요 표면에 대해 대응하는 플랜지(25)를 결합시킴으로써 지지층(30)의 제1 주요 측부에 고정된다. 각각의 연마 요소(24)의 적어도 일부는 대응하는 개구(26) 내로 연장되며, 각각의 연마 요소(24)는 또한 대응하는 개구(26)를 통과하고 가이드 플레이트(31)의 제1 주요 표면으로부터 외측을 향해 연장된다. 따라서, 가이드 플레이트(31)의 복수 개의 개구(26)는 지지층(30) 상에서 연마 요소(24)의 측방향 배치를 안내하는 역할을 하는 반면, 또한 각각의 대응하는 연마 요소(24)를 지지층(30)에 고정시키기 위해 각각의 플랜지(25)와 결합되는 역할을 한다.
결과적으로, 연마 공정 동안, 연마 요소(24)는 자유로우며, 이에 따라 지지층(30)의 제1 주요 측부에 실질적으로 수직인 방향으로 독립적으로 변위를 격게 되는 반면, 가이드 플레이트(31)에 의해 지지층(30)에 고정된 상태로 여전히 남게 된다. 일부 실시예에 있어서, 이로 인해, 예컨대 연마면에 또는 단지 연마면 부근에 기공이 실질적으로 분포되는 다공성 연마 요소, 즉 비순응성 연마 요소가 허용될 수 있다. 이러한 다공성 연마 요소는 순응성 연마 패드의 유리한 특징 중 일부를 나타내는 순응성 연마 요소로서 유용할 수 있다.
도 2에 도시된 구체적인 실시예에 있어서, 연마 요소(24)는 지지층(30)과 가이드 플레이트(31) 사이의 경계에 위치설정되는 선택적인 접착제 층(34)의 접착제를 이용하여 지지층(30)의 제1 주요 측부에 추가적으로 고정된다. 그러나, 예컨대 열 및 압력을 사용하여 지지층(30)에 연마 요소(24)를 직접 접합하는 것을 비롯하여 다른 접합 방법이 사용될 수 있다. 이러한 연마 요소는 비순응성 연마 패드의 유리한 특징 중 일부를 나타내는 비순응성 연마 요소로서 유용할 수 있다.
도 2에 도시되지 않은, 관련된 예시적인 실시예에서는, 복수 개의 개구가 개구의 어레이로서 배치될 수 있으며, 이때 개구(26)의 적어도 일부는 가이드 플레이트(31)의 언더컷(undercut) 영역 및 메인 보어(bore)를 포함하고, 상기 언더컷 영역은 대응하는 연마 요소 플랜지(25)와 결합되는 쇼울더(shoulder)를 형성하며, 이에 따라 연마 요소(24)와 지지층(30) 사이에서 접착제를 필요로 하지 않고 연마 요소(24)를 유지시킨다.
더욱이, 선택적인 접착제 층(36)은 도 2에 도시된 바와 같이 선택적인 연마 조성물 분포 층(28)을 가이드 플레이트(31)의 제1 주요 표면에 고정시키기 위해 사용될 수 있다. 추가적으로, 도 2에 도시된 구체적인 실시예에 있어서, 연마 패드(2')를 CMP 연마 장치(도 2에는 도시되어 있지 않음)의 연마 플래튼(도 2에는 도시되어 있지 않음)에 고정시키기 위해 사용될 수 있는 선택적인 감압식 접착제 층(32)은 가이드 플레이트(31)에 대향하여 지지층(30)에 이웃하게 도시되어 있다.
도 3a 및 도 3b를 참고하면, 연마면(14)에 대체로 평행한 방향으로 연마 요소(4)를 통해 취한 연마 요소(4)의 단면 형상은 의도되는 용례에 따라 광범위하게 변할 수 있다. 도 3a는 도 3b에 도시된 바와 같은 대체로 원형인 단면을 갖는, 대체로 원통형인 연마 요소(4)를 도시하고 있지만[연마 요소(4)의 연마면(14)을 도시함], 다른 단면 형상도 가능하며 특정 실시예에서는 다른 단면 형상이 바람직할 수 있다. 예를 들면, 원형, 타원형, 삼각형, 정사각형, 직사각형 및 사다리꼴 단면 형상이 유용할 수 있다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같은 원형 단면을 갖는 원통형 연마 요소(4)에 대하여, 연마면(14)에 대해 대체로 평행인 방향에서 연마 요소(4)의 단면 직경은 약 50 μm 내지 약 20 mm일 수 있으며, 특정 실시예에서는 단면 직경이 약 1 mm 내지 약 15 mm이고, 다른 실시예에서는 단면 직경이 약 5 mm 내지 약 15 mm이다(또는 심지어 약 5 mm 내지 약 10 mm임). 비원형 단면을 갖는 비원통형 연마 요소에 대해서, 특정한 높이, 폭 및 길이 면에서 연마 요소 크기를 특성화하기 위해 특징적인 치수가 사용될 수 있다. 특정한 예시적인 실시예에 있어서, 상기 특징적인 치수는 약 0.1 mm 내지 약 30 mm로부터 선택될 수 있다.
다른 예시적인 실시예에 있어서, 연마면(14)에 대체로 평행인 방향으로 각각의 연마 요소(4)의 단면적은 약 1 mm2 내지 약 1000 mm2일 수 있으며, 다른 실시예에서는 약 10 mm2 내지 약 500 mm2일 수 있고, 또 다른 실시예에서는 약 20 mm2 내지 약 250 mm2일 수 있다.
연마 요소(도 1에서는 4, 도 2에서는 24)는 의도된 용례에 따라 광범위하고 다양한 패턴으로 지지층(도 1에서는 10, 도 2에서는 30)의 주요 측부 상에 분포될 수 있으며, 상기 패턴은 규칙적일 수도 있고 불규칙적일 수도 있다. 연마 요소는 실질적으로 지지층의 전체 표면에 위치할 수 있거나, 또는 연마 요소를 전혀 포함하지 않는 지지층의 영역이 존재할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 연마 요소는, 연마 요소의 개수, 각각의 연마 요소의 단면적, 및 연마 패드의 단면적에 의해 결정되는 바와 같이, 평균적으로 지지층의 주요 표면의 전체 면적의 약 30 내지 약 80 퍼센트만큼 지지층 표면을 덮게 된다.
연마 패드의 주요 표면에 대체로 평행인 방향에서 연마 패드의 단면적은, 일부 예시적인 실시예에서 약 100 cm2 내지 약 300,000 cm2의 범위일 수 있으며, 다른 실시예에서는 약 1,000 cm2 내지 약 100,000 cm2의 범위일 수 있고, 또 다른 실시예에서는 약 2,000 cm2 내지 약 50,000 cm2이 범위일 수 있다. 연마 작업에서 연마 패드(도 1에서는 2, 도 2에서는 2')의 제1 사용에 앞서, 일부 예시적인 실시예에 있어서, 각각의 연마 요소(도 1에서는 4, 도 2에서는 24)는 지지층(도 1에서는 10, 도 2에서는 30)의 제1 주요 측부에 실질적으로 수직인 제1 방향을 따라 연장된다. 다른 예시적인 실시예에 있어서, 각각의 연마 요소는 가이드 플레이트(도 2에서는 31)를 포함하는 평면 위로 제1 방향을 따라 적어도 약 0.25 mm만큼 연장된다. 추가적인 예시적 실시예에 있어서, 각각의 연마 요소는 지지층(도 1에서는 10, 도 2에서는 30)을 포함하는 평면 위로 제1 방향을 따라 적어도 약 0.25 mm만큼 연장된다. 추가적인 예시적 실시예에 있어서, 연마 요소(도 1에서는 2, 도 2에서는 2')의 기부 또는 하부 위로 연마면(도 1에서는 14, 도 2에서는 23)의 높이는, 연마 요소를 위해 선택되는 재료 및 사용되는 연마 조성물에 따라, 0.25 mm, 0.5 mm, 1.5 mm, 2.0 mm, 2.5 mm, 3.0 mm, 5.0 mm, 10 mm 또는 그 이상일 수 있다.
도 1 및 도 2를 다시 참고하면, 가이드 플레이트(31) 및 연마 조성물 분포 층(도 1에서는 8, 도 2에서는 28) 전체에 걸쳐 개구(도 1에서는 6, 도 2에서는 26)의 간격 및 깊이는, 특정 CMP 공정에 대한 필요에 따라 변경될 수 있다. 연마 요소(도 1에서는 4, 도 2에서는 24)는 연마 조성물 분포 층(도 1에서는 8, 도 2에서는 28) 및 가이드 플레이트(31) 그리고 서로에 대해 평면 배향으로 각각 유지되며, 가이드 플레이트(31) 및 연마 조성물 분포 층(도 1에서는 8, 도 2에서는 28)의 표면 위로 돌출된다.
일부 예시적인 실시예에 있어서, 임의의 연마 조성물 분포 층(도 1에서는 8, 도 2에서는 28) 및 가이드 플레이트(31) 위로 연마 요소(도 1에서는 4, 도 2에서는 24)가 연장되는 것에 의해 형성되는 체적은, 연마 조성물 분포 층(도 1에서는 8, 도 2에서는 28)의 표면 상에서 연마 조성물의 분배를 위한 공간을 제공할 수 있다. 연마 요소(도 1에서는 4, 도 2에서는 24)는, 적어도 부분적으로 연마 조성물 분포 층(도 1에서는 8, 도 2에서는 28)의 표면 위에서의 연마 조성물(작동액 및 연마제 슬러리)의 바람직한 흐름 및 연마 요소의 재료 특성에 따라 좌우되는 소정 크기만큼 연마 조성물 분포 층(도 1에서는 8, 도 2에서는 28) 위로 돌출된다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 연마 요소(4)의 적어도 일부[또는 플랜지가 형성된 연마 요소(24)]는 다공성 연마 요소이며, 이 다공성 연마 요소는 특정 실시예에 있어서 적어도 다공성 연마면(도 1에서는 14, 도 2에서는 23)을 갖고, 이 연마면은 연마 대상인 기판(도 1에는 도시되어 있지 않음)과 미끄럼 접촉 또는 회전 접촉을 형성할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 다공성 연마 요소는 다공성 연마면을 갖지 않을 수도 있지만, 실질적으로 전체 다공성 연마 요소 전반에 걸쳐 기공이 분포되어 있을 수 있다. 이러한 다공성 연마 요소는 순응성 연마 패드의 유리한 특징 중 일부를 나타내는 순응성 연마 요소로서 유용할 수 있다.
일부 구체적인 예시적 실시예에 있어서, 하나 이상의 연마 요소(4)는 다공성 폼(foam)의 형태로 실질적으로 전체 연마 요소(4) 전반에 걸쳐 분포되는 복수 개의 기공(15)을 포함할 수 있다. 상기 폼은 폐쇄형 셀 폼(cell foam)일 수도 있고 개방형 셀 폼일 수도 있다. 폐쇄형 셀 폼이 일부 실시예에서 바람직할 수 있다. 바람직하게는, 폼에 있는 복수 개의 기공(15)은, 예컨대 기공 직경 등인 기공 크기의 단조 분포를 나타낸다. 일부 예시적인 실시예에 있어서, 복수 개의 기공은 약 1 나노미터 내지 약 100 μm의 평균 기공 크기를 나타낸다. 다른 예시적인 실시예에 있어서, 복수 개의 기공은 약 1 μm 내지 약 50 μm의 평균 기공 크기를 나타낸다.
이제 도 3a 내지 도 3c 및 도 4a 내지 도 4c를 참고하면, 연마 요소(4)(도 3a 및 도 3b) 또는 플랜지가 형성된 연마 요소(24)(도 4a 내지 도 4c)의 연마면(14)(도 3a 및 도 3b) 또는 연마면(23)(도 4a 내지 도 4c)은, 실질적으로 평평한 표면일 수도 있고 텍스쳐 처리되어 있을 수도 있다. 현재 바람직한 특정 실시예에 있어서, 각각의 다공성 연마 요소의 적어도 연마면은 다공성으로 제작되며, 예컨대 마이크로한(microscopic) 표면 개구 또는 기공(15)을 갖도록 제작되고, 이 개구 또는 기공은 오리피스, 통로, 홈, 채널 등의 형태를 취할 수 있다. 연마면에서의 이러한 기공(15)은, 기판(도시되지 않음)과 대응하는 다공성 연마 요소 사이의 경계에서 연마 조성물(예컨대, 도면에 도시되지 않은 연마용 연마 슬러리 및/또는 작동액)의 분배 및 유지를 용이하게 하는 역할을 할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c에 도시된 특정한 예시적인 실시예에 있어서, 연마면(14)은 대체로 원통형 모세관인 기공(15)을 포함한다. 상기 기공(15)은 도 3c에 도시된 바와 같이 연마면(14)으로부터 연마 요소(4) 내로 연장될 수 있다. 관련된 실시예에 있어서, 연마면은, 연마면(23)으로부터 플랜지가 형성된 연마 요소(24) 내로 연장되는 대체로 원통형 모세관인 기공(15)을 포함한다. 기공은 원통형일 필요는 없으며, 예컨대, 원추형, 직사각형, 피라미드형 등 기공의 다른 기하학적 형상이 가능하다. 기공의 특징적인 치수는 일반적으로 폭, 길이 또는 직경과 함께 깊이로서 특정될 수 있다. 특징적인 기공 치수는, 깊이가 약 25 마이크로미터(μm) 내지 약 6,500 μm, 폭이 약 5 μm 내지 약 500 μm, 길이가 약 10 μm 내지 1,000 μm, 그리고 직경이 약 5 μm 내지 1,000 μm의 범위일 수 있다.
도 4b에 도시된 다른 예시적인 실시예에 있어서, 연마면(23)은 복수 개의 채널(27) 형태인 기공을 포함하며, 이때 각각의 채널(27)은 대응하는 연마 요소(24)의 연마면(23)의 적어도 일부를 가로질러 연장되며, 바람직하게는 연마면(23)에 대해 대체로 평행인 방향으로 연장된다. 바람직하게는, 각각의 채널(27)은 연마면(23)에 대해 대체로 평행인 방향으로 대응하는 연마 요소(24)의 전체 연마면(23)을 가로질러 연장된다. 도 4c에 도시된 다른 예시적인 실시예에 있어서, 기공은, 각각의 채널(27)이 연마면(23)의 단지 일부를 가로질러 연장되는 것인 채널(27)의 2차원 어레이 형태를 취할 수 있다.
추가적인 예시적 실시예에 있어서, 채널(27)은 예컨대 원통형, 삼각형, 직사각형, 사다리꼴, 반구형 및 이들의 조합인 사실상 임의의 형상일 수 있다. 일부 예시적인 실시예에 있어서, 연마 요소(24)의 연마면(23)에 실질적으로 수직인 방향에서 각각의 채널(27)의 깊이는 약 100 μm 내지 약 7500 μm로부터 선택된다. 다른 예시적인 실시예에 있어서, 연마 요소(24)의 연마면(23)에 실질적으로 평행인 방향에서 각각의 채널(27)의 단면적은 약 75 제곱 마이크로미터(μm2) 내지 약 3 × 106 μm2로부터 선택된다.
추가적인 예시적 실시예에 있어서, 지지층은, 순응성 고무 또는 폴리머와 같이 가요성이고 순응성인 재료를 포함한다. 지지층은 강성 프레임 또는 하우징과 같이 비압축성일 수 있지만, 바람직하게는 압축성이어서 연마면을 향하는 양의 압력을 인가한다. 일부 예시적인 실시예에 있어서, 지지층은, 바람직한 폴리머로 포밍(foaming)된 압축성 폴리머 재료로 제작되는 것이 바람직하며, 폴리머 재료로 포밍된다. 폐쇄형 셀이 바람직할 수 있다. 일부 예시적인 실시예에 있어서, 적어도 일부가 다공성 연마 요소로 이루어지는 연마 요소는, 다공성 지지층일 수 있는 지지층에 고정된 단일 시트의 연마 요소로서 지지층과 함께 형성될 수 있다.
일부 예시적인 실시예에 있어서, 지지층은 실리콘, 천연 고무, 스티렌-부타디엔 고무, 네오프렌, 폴리우레탄 및 이들의 조합으로부터 선택되는 폴리머 재료를 포함한다. 지지층은, 충전재, 입자, 섬유, 보강제 등과 같은 광범위하고 다양한 추가 재료를 더 포함할 수 있다. 지지층은, (지지층 내로의 유체 침투를 방지하거나 억제하기 위해 선택적인 배리어와 조합하여 투과성 재료가 사용될 수 있지만), 바람직하게는 유체 불투과성이다.
폴리우레탄은 지지층 재료로서 특히 유용하다는 것이 확인된 바 있다. 적절한 폴리우레탄은, 예컨대 미국 코네티컷주 로저스에 소재하는 로저스 코오포레이션으로부터 상표명 PORON으로 시판되는 것뿐만 아니라 미국 미시건주 미드랜드에 소재한 도우 케이컬로부터 상표명 PELLETHANE으로 시판되는 것, 특히 PELLETHANE 2102-65D를 포함한다. 다른 적절한 재료는, 예컨대 BONDTEX라는 상표명으로 시판 중인 미국 캘리포니아주 산타 아나 소재의 루버라이트 사이프레스 스폰지 러버 프로덕츠 인크.로부터 입수 가능한 접합 고무 시트뿐만 아니라, 상표명 MYLAR로 널리 시판 중인 2축 배향 PET와 같은 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET)를 포함한다.
연마 요소는, 폴리머 재료인 것이 바람직한, 광범위하고 다양한 재료를 포함할 수 있다. 적절한 폴리머 재료는, 예컨대 (미국 델라웨어주 윌밍턴 소재의 이.아이 듀퐁 드 네모르로부터 입수 가능한) 상표명 DELRIN으로 시판 중인 아세탈, 폴리우레탄, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐 알코올 폴리에스테르 및 폴리카보네이트를 포함한다. 일부 예시적인 실시예에 있어서, 연마 요소의 적어도 일부는 열가소성 폴리우레탄, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐 알코올 또는 이들의 조합을 포함한다.
연마 요소는 또한, 예컨대 금속 입자, 세라믹 입자, 폴리머 입자, 섬유, 이들의 조합 등을 포함하는, 보강 폴리머 또는 다른 복합 재료를 포함할 수 있다. 특정 실시예에 있어서, 연마 요소는 탄소, 흑연, 금속 또는 이들의 조합과 같은 충전재를 내부에 포함함으로써 전기 전도성으로 및/또는 열 전도성으로 제작될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 앞서 참고한 전기 전도성 충전재 또는 열 전도성 충전재와 함께 또는 이러한 충전재 없이, 예컨대 (독일 아메르스벡 소재의 오르메콘 케미에로부터 입수 가능한) 상표명 ORMECOM으로 시판 중인 폴리아닐린(PANI)과 같은 전기 전도성 폴리머가 사용될 수 있다.
가이드 플레이트는, 폴리머, 코폴리머, 폴리머 혼합물, 폴리머 복합체 또는 이들의 조합과 같은 광범위하고 다양한 재료로 제작될 수 있다. 비전도성 및 액체 불투과성 폴리머 재료가 일반적으로 바람직하며, 폴리카보네이트는 특히 유용한 것으로 확인된 바 있다.
선택적인 폴리머 조성물 분포 층은 또한 광범위하고 다양한 폴리머 재료로 제작될 수 있다. 연마 조성물 분포 층은 일부 실시예에 있어서 적어도 하나의 친수성 폴리머를 포함할 수 있다. 바람직한 친수성 폴리머는 폴리우레탄, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐 알코올, 폴리옥시메틸렌, 및 이들의 조합을 포함한다. 폴리머 재료는 바람직하게는 다공성이며, 더욱 바람직하게는 폼을 포함하여 연마 작업 중에 연마 조성물 분포 층이 압축될 때 기판을 향하는 양의 압력을 제공한다.
개방형 셀 또는 폐쇄형 셀을 갖춘 다공성 또는 포밍된 재료가 특정 실시예에서 바람직할 수 있다. 일부 구체적인 실시예에 있어서, 연마 조성물 분포 층은 공극율이 약 10 내지 약 90 퍼센트이다. 변형례에 있어서, 연마 조성물 분포 층은, 연마 작업 동안 윤활면을 제공하기 위해, 예컨대 물을 흡수할 수 있고 바람직하게는 약 5 내지 약 60 중량% 범위인 친수성 우레탄과 같은 히드로겔 재료를 포함할 수 있다.
일부 예시적인 실시예에 있어서, 연마 조성물 분포 층은, 연마가 이루어지는 기판의 표면을 가로질러 연마 조성물을 실질적으로 균일하게 분포시킬 수 있으며, 이에 따라 더욱 균일한 연마를 제공할 수 있다. 연마 조성물 분포 층은, 연마 중에 연마 조성물의 유량을 조절하기 위해 배플, 홈(도면에는 도시되어 있지 않음), 기공 등과 같은 유동 저항 요소를 선택적으로 포함할 수 있다. 추가적인 예시적 실시예에 있어서, 연마 조성물 분포 층은 연마면으로부터 다양한 깊이에서 원하는 연마 조성물 유량을 달성하기 위해 상이한 재료의 다양한 층을 포함할 수 있다.
일부 예시적인 실시예에 있어서(예컨대 도 6b 참고), 하나 이상의 연마 요소는, 비록 이러한 배치가 요구되는 것은 아니지만, 연마 요소 내에 형성된 개방된 코어 영역 또는 캐비티를 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, WO/2006/055720에 설명된 바와 같이, 연마 요소의 코어는 압력, 전도도, 커페시턴스, 와류 등을 검출하기 위해 센서를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 있어서, 연마 패드는 연마면에 수직인 방향으로 연마 패드를 통해 연장되는 윈도우를 포함할 수도 있고, 발명의 명칭이 "종점 윈도우 및 시스템을 갖춘 연마 패드 및 이 연마 패드의 이용 방법(POLISHING PAD WITH ENDPOINT WINDOW AND SYSTEMS AND METHOD OF USING THE SAME)"이며 2008년 5월 15일자로 출원된 공통 출원 중인 미국 가특허 출원 제61/053,429호에 설명된 바와 같이, 연마 공정의 광학적 종점 표시(endpointing)가 가능하도록 투명한 층 및/또는 투명한 연마 요소를 사용할 수도 있다.
앞서 사용된 바와 같은 "투명한 층"이라는 용어는 투명한 영역을 포함하는 층을 포함하려는 의도이며, 투명한 층은 나머지 층과 동일하거나 상이한 재료로 제작될 수 있다. 일부 예시적인 실시예에 있어서, 요소, 층 또는 영역은 투명할 수도 있고, 재료에 열 및/또는 압력을 인가함으로써 투명하게 제작될 수도 있으며, 투명한 재료는 투명한 영역을 형성하기 위해 층에 적절하게 위치설정되는 개구에서 적소에 캐스팅될 수 있다. 변형례에 있어서, 전체 지지층은 종점 검출 장치에 의해 이용되는 관심 대상 파장(들)의 범위에서의 에너지에 대해 투명하거나 투명하게 제작될 수 있는 재료로 제조될 수 있다. 투명한 요소, 층 또는 영역을 위한 바람직한 투명 재료는, 예컨대 투명한 폴리우레탄을 포함한다.
더욱이, 앞서 사용된 바와 같이, "투명한"이라는 용어는 종점 검출 장치에 의해 이용되는 관심 대상 파장(들)의 범위에서의 에너지에 대해 실질적으로 투명한 요소, 층 및/또는 영역을 포함하려는 의도이다. 특정한 예시적인 실시예에 있어서, 상기 종점 검출 장치는, 자외선 광, 가시광, 적외선 광, 마이크로파, 무선 파동, 이들의 조합 등의 형태로 복사선을 방출하기 위해 하나 이상의 전자기 에너지원을 이용한다. 특정 실시예에 있어서, "투명한"이라는 용어는, 투명한 요소, 층 또는 영역에 가해지는 관심 대상 파장에서 에너지의 적어도 약 25%(예컨대, 적어도 약 35%, 적어도 약 50%, 적어도 약 60%, 적어도 약 70%, 적어도 약 80%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%)가 상기 요소, 층 또는 영역을 통해 전달된다는 것을 의미한다.
일부 예시적인 실시예에 있어서, 지지층은 투명하다. 특정한 예시적인 실시예에서는, 적어도 하나의 연마 요소가 투명하다. 추가적인 예시적 실시예에서는, 적어도 하나의 연마 요소가 투명하며, 접착제 층 및 지지층도 또한 투명하다. 추가적인 예시적 실시예에서는, 지지층, 가이드 플레이트, 연마 조성물 분포 층, 적어도 하나의 연마 요소 또는 이들의 조합이 투명하다.
본 개시내용은 또한 연마 공정에서 전술한 바와 같은 연마 패드를 사용하는 방법에 관한 것이며, 이때 상기 방법은 적어도 일부가 다공성인 복수 개의 연마 요소를 포함하는 연마 패드의 연마면에 기판의 표면을 접촉시키는 것과, 기판의 표면을 연마하도록 기판에 대해 연마 패드를 상대 이동시키는 것을 포함한다. 특정한 예시적 실시예에 있어서, 작동액은 연마 패드의 표면과 기판의 표면 사이의 경계에 제공될 수 있다. 적절한 작동액은 당업계에 공지되어 있으며, 예컨대 미국 특허 제6,238,592 Bl호; 제6,491,843 Bl호; 및 제WO/200233736호에서 확인할 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 연마 패드는, 일부 실시예에서, 비교적 제작이 용이하고 저렴할 수 있다. 적절한 제작 공정은 미국 가특허 출원 제60/926,244호에 설명되어 있다. 일부 예시적인 제작 공정에 관한 간략한 논의가 아래에 제시되어 있으며, 이러한 논의는 포괄적이거나 또는 다른 방식으로 한정하려는 의도가 아니다.
따라서, 추가적인 예시적 실시예에서는, 연마 패드의 제작 방법이 제공되며, 이 방법은 복수 개의 다공성 연마 요소를 형성하는 것과, 다공성 연마 요소를 지지층에 고정시키는 것을 포함한다. 특정 실시예에 있어서, 상기 방법은, 가스 포화된 폴리머 용융물을 사출 성형하는 것, 폴리머를 형성하기 위해 반응시에 가스를 포함하는 반응성 혼합물을 사출 성형하는 것, 초임계 가스에 용해된 폴리머를 포함하는 혼합물을 사출 성형하는 것, 용매에 불친화성 폴리머의 혼합물을 사출 성형하는 것, 열가소성 폴리머에 분산된 다공성 열경화성 입자를 사출 성형하는 것, 그리고 이들의 조합에 의해 다공성 연마 요소를 형성하는 것을 포함한다.
특정한 추가적인 실시예에 있어서, 연마 요소의 연마면에 부여되는 기공율은, 예컨대 사출 성형, 캘린더링, 기계적 드릴링, 레이저 드릴링, 니들 펀칭, 가스 분산 포밍, 화학적 처리 및 이들의 조합에 의해 부여될 수 있다.
본 개시내용에 따른 다공성 연마 요소를 구비하는 연마 패드의 예시적인 실시예는, 다양한 연마 용례에서 그 사용을 가능하게 하는 다양한 특징 및 특성을 가질 수 있다. 현재 바람직한 일부 실시예에 있어서, 본 개시내용의 연마 패드는 집적 회로 및 반도체 장치의 제작에 사용되는 웨이퍼의 CMP에 특히 적합할 수 있다. 특정한 예시적인 실시예에 있어서, 본 개시내용에 설명된 연마 패드는 당업계에 공지된 연마 패드에 대해 장점을 제공할 수 있다.
예를 들면, 일부 예시적인 실시예에 있어서, 본 개시내용에 따른 연마 패드는 연마 중인 기판 표면과 패드의 연마면 사이의 경계에서 CMP 공정 중에 사용되는 작동액을 더욱 양호하게 유지하는 역할을 할 수 있으며, 이에 따라 보강 연마에서 작동액의 효과성을 개선한다. 다른 예시적인 실시예에 있어서, 본 개시내용에 따른 연마 패드는 연마 중에 웨이퍼 표면의 에지 침식 및/또는 디싱을 줄일 수 있거나 없앨 수 있다. 일부 예시적인 실시예에 있어서, 본 개시내용에 따른 연마 패드를 CMP 공정 중에 사용하는 것은, 웨이퍼 연마 균일도에서의 개선, 더욱 평평하게 연마된 웨이퍼 표면, 웨이퍼로부터의 에지 다이 양품율의 증가, 개선된 CMP 공정 작동 범위 및 일관성을 획득하는 결과를 얻을 수 있다.
추가적인 예시적 실시예에 있어서, 본 개시내용에 따른 다공성 요소를 갖춘 연마 패드를 사용하는 것은, 직경이 더 큰 웨이퍼의 처리를 허용하면서도 높은 칩 산출율을 획득하기 위해 요구되는 수준의 표면 균일도를 유지하거나, 웨이퍼 표면의 연마 균일도를 유지하기 위해 패드 표면의 컨디셔닝이 요구되기 이전에 더 많은 웨이퍼를 처리하거나, 또는 패드 컨디셔너에서의 처리 시간 및 마모를 줄이는 것을 가능하게 할 수 있다.
이제 후속하는 비한정적인 예를 참고하여 본 개시내용에 따른 예시적인 연마 패드를 설명할 것이다.
예
후속하는 비한정적인 예는, 지지층에 고정된 복수 개의 연마 요소를 포함하는 연마 패드를 준비하기 위해 사용될 수 있는 다공성 연마 요소 및 비다공성 연마 요소 양자 모두를 준비하기 위한 다양한 방법을 제시하며, 상기 연마 요소의 적어도 일부는 다공성 연마 요소이고, 각각의 연마 요소의 적어도 일부는 복수 개의 기공을 포함한다.
예 1
이 예는 실질적으로 전체 연마 요소 전반에 걸쳐 기공이 분포되어 있는 비다공성 연마 요소(예 1A) 및 다공성 연마 요소(예 1B) 양자의 준비를 예시한다. 다공성 연마 요소는 초임계 가스에 용해된 폴리머를 포함하는 혼합물의 사출 성형에 의해 준비되었다.
섭씨 210 도 및 3800 g의 힘에서 멜트 인덱스(melting index)가 5인 열가소성 폴리우레탄(미국 오하이오주 클리브랜드에 소재하는 루브리졸 어드밴스드 머티리얼즈 인크.의 Estane ETE 60DT3 NAT 022P)이 선택되었다. 열가소성 폴리우레탄의 펠릿이 폴리머 용융물을 생산하기 위해 높은 온도 및 압력에서 30 mm 직경의 단일 스크류(L/D = 24:1)를 갖춘 80 톤 MT 아르부르크 사출 성형 프레스(독일 로스부르크 소재의 아르부르크 게엠베하)에 공급되었다.
비교예 1A에서, 폴리머 용융물은, 원통형인 중공 내부 캐비티를 갖고 요소당 0.15 그램의 중량을 갖는 실질적으로 비다공성인 연마 요소를 형성하기 위해, 32 캐비티 콜드 러너 몰드[9.2 그램의 솔리드 샷(solid shot) 중량] 내로 사출 성형되었다.
예 1B에 있어서, (미국 매사추세츠주 워번에 소재하는 트렉셀 인크.로부터 입수 가능한) 질량 펄스 정량 이송 시스템을 갖춘 Trexel SII-TR1O를 이용하여, 질소 가스를 높은 온도 및 압력으로 폴리머 용융물 내로 분사하여, 폴리머 용융물에서 초임계 질소의 0.6 중량%의 혼합물을 형성하였다. 초임계 질소 및 폴리머 용용 혼합물은, 원통형인 중공 내부 캐비티를 갖고 중량이 0.135 g인 다공성 연마 요소를 형성하기 위해 32 캐비티 콜드 러너 몰드(9.2 그램의 솔리드 샷 중량) 내로 사출 성형되었으며, 이때 기공은 실질적으로 전체 연마 요소 전반에 걸쳐 분포된다.
사출기의 각 영역에서의 온도, 몰드 온도, 스크류, 분사 압력, 팩 압력, 몰딩 시간 및 클램프 톤수는 비교예 1A 및 1B에 대해 표 1에 정리되어 있다.
사출 파라메타 예 1A
(비다공성)		 예 1B
(다공성)
영역 1 온도(공급물)(℃) 182.2 182.2
영역 2 온도(℃) 187.8 187.8
영역 3 온도(℃) 204.4 204.4
영역 4 온도(℃) 215.6 215.6
영역 6 온도(노즐)(℃) 215.6 215.6
영역 7 온도(노즐)(℃) 215.6 215.6
스크류 속도(최대의 몇 %) 2 2.5
몰드 온도(℃) 32.2 100
스크류 압력(kg/cm2) 105.5 175.8
질소 농도(%) 0 0.6
질소 분사 시간(초) 0 1.5
분사 시간(초) 0.29 0.2
최고 분사 압력(kg/cm2) 1863.1 1687.4
팩 시간(초) 2.5 1
팩 압력(kg/cm2) 703.1 246.1
냉각 시간(초) 12 14
클램프 톤수(kg) 79832.3 36287.4
도 5a는, 본 개시내용의 다른 예시적인 실시예에 따른 연마면에 대해 실질적으로 평행인 방향에서의 요소의 횡단면에서, 예 1B의 다공성 연마 요소를 도시한 현미경 사진이다. 도 5b는, 연마면에 대해 실질적으로 수직인 방향에서의 요소의 횡단면에서, 도 5a의 다공성 연마 요소를 도시한 현미경 사진이다. 도 5a의 현미경 사진에 기초하면, 평균 기공 크기는 33.208 μm로 측정되며, 중간 기공 크기는 30.931 μm으로 측정되고, 기공 크기 분포의 표준 편차는 13.686 μm로 결정되며, 최소 기공 크기는 3.712 μm으로 측정되고, 최대 기공 크기는 150.943 μm으로 측정된다.
예 2
이 예는 단지 연마 요소의 연마면에만 실질적으로 기공이 분포되는 다공성 연마 요소의 준비를 예시한 것이다.
비교예 1A에서 대체로 전술한 바와 같이 직경이 약 15 mm인 대체로 원통형의 연마 요소를 형성하기 위해, 섭씨 210 도 및 3800 g의 힘에서 멜트 인덱스가 5인 열가소성 폴리우레탄(미국 오하이오주 클리브랜드에 소재하는 루브리졸 어드밴스드 머티리얼즈 인크.의 Estane ETE 60DT3 NAT 022P)을 사출 성형함으로써 비다공성 연마 요소를 우선 준비하였다.
이후, 나노초의 펄스 속도, 15kHz의 반복 속도, 60 내지 80%의 파워 설정(0.8 내지 1.1 와트) 및 100 mm/sec 내지 300 mm/sec 사이의 스캔 속도(29.8 초 내지 13.2 초의 전체 운전 시간)에서 작동하는 (미국 캘리포니아주 산타 클라라 소재의 코우히런트 인크.사의) AVIA 355 mm 자외선 레이저를 이용하여, 사출 성형된 연마 요소의 연마면을 레이저 드릴링하여 다공성 연마 요소를 형성하였다.
이러한 예 2에 따라 준비된 다공성 연마 요소의 연마면은 도 6a의 현미경 사진에 도시되어 있다. 도 6b는 연마면에 대해 실질적으로 수직인 방향에서의 연마 요소의 횡단면에서, 도 6a의 다공성 연마 요소를 도시한 현미경 사진이다.
예 3
이 예는, 오직 연마면 상에 형성되는 복수 개의 채널 형태인 연마 요소의 연마면에서만 실질적으로 기공이 분포되는 다공성 연마 요소(예 3B) 및 비다공성 연마 요소(예 3A) 양자의 준비를 예시한 것이다. 섭씨 210 도 및 3800 g의 힘에서 멜트 인덱스가 5인 열가소성 폴리우레탄(미국 오하이오주 클리브랜드에 소재하는 루브리졸 어드밴스드 머티리얼즈 인크.의 Estane ETE 60DT3 NAT 022P)을 사출 성형함으로써 다공성 연마 요소가 준비되었다. 열가소성 폴리우레탄의 펠릿이 폴리머 용융물을 생산하기 위해 높은 온도 및 압력에서 25 mm 직경의 단일 스크류(L/D = 24.6:1)를 갖춘 Engel 100 톤 사출 성형 프레스(미국 펜실베니아주 요크 소재의 엔겔 머시너리 인크.)에 공급되었다.
열가소성 폴리우레탄 용융물은, 하나의 캐비티 내의 리브형 몰드 인서트 및 다른 캐비티 내의 블랭크 몰드 인서트를 갖춘 2 캐비티 콜드 러너 몰드(34.01 그램의 샷 중량) 내에 사출 성형되었다. 사출기의 각 영역에서의 온도, 몰드 온도, 분사 압력, 팩 압력, 몰딩 시간 및 클램프 톤수는 표 2에 정리되어 있다.
사출 파라메타 값
영역 1 온도(공급물)(℃) 49
영역 2 온도(℃) 193.3
영역 3 온도(℃) 204.4
영역 4 온도(℃) 204.4
스크류 속도(rpm) 300
몰드 온도(℃) 12.8
분사 시간(초) 1.25
최고 분사 압력(kg/cm2) 2109.2
팩 시간(초) 9
팩 압력(kg/cm2) 421.8
냉각 시간(초) 50
클램프 톤수(kg) 36287.4
도 7은 개시내용의 또 다른 예시적인 실시예에 따른 다공성 연마 요소의 연마면에서 리브형 몰드 인서트에 의해 형성되는 복수 개의 채널을 도시하는 현미경 사진이다.
본 명세서의 이전의 [과제의 해결 수단]에서 제시된 교시내용을 이용하여, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 연마 패드를 제공하기 위해, 개별적인 다공성 연마 요소 및 선택적인 비다공성 연마 요소가 지지층에 고정될 수 있다. 단일 연마 패드를 예시하는 한 가지 특히 유리한 실시예에 있어서, 멀티 캐비티 몰드에는 백 필 챔버(back-fill chamber)가 마련될 수 있으며, 이때 각각의 캐비티는 연마 요소에 대응한다. 본 명세서에서 설명된 바와 같은 다공성 연마 요소 및 비다공성 연마 요소로 이루어질 수 있는 복수 개의 연마 요소는, 적절한 폴리머 용융물을 멀티 캐비티 몰드 내에 사출 성형하고 지지층을 형성하기 위해 동일한 폴리머 용융물 또는 다른 폴리머 용융물로 백 필 챔버를 백 필링(back-filling)함으로써 형성될 수 있다. 연마 요소는 몰드의 냉각 시에 지지층에 고정되어 남아 있으며, 이에 따라 지지층과 함께 연마 요소의 단일 시트로서 복수 개의 연마 요소를 형성한다.
본 명세서 전체에 걸쳐 "하나의 실시예", "특정 실시예", "하나 이상의 실시예" 또는 "소정 실시예"는, "실시예"라는 용어 앞에 "예시적(인)"이라는 용어를 포함하는지 여부와 무관하게, 실시예와 관련하여 설명되는 구체적인 특성, 구조, 재료 또는 특징이 본 발명의 특정한 예시적인 실시예들 중 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서의 전반에 걸쳐 다양한 부분에 "하나 이상의 실시예에서", "특정 실시예에서", "일 실시예에서" 또는 "소정 실시예에서"와 같은 문구가 나타나면, 본 발명의 특정한 예시적인 실시예와 동일한 실시예를 반드시 참조할 필요는 없다. 더욱이, 구체적인 특성, 구조, 재료 또는 특징은 하나 이상의 실시예에서 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.
본 명세서에서는 특정한 예시적인 실시예를 상세하게 설명하였지만, 당업자라면 전술한 사항을 이해함으로써 이들 실시예의 변경, 변형 및 등가물을 쉽게 고안할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 이에 따라, 본 개시내용은 이상에 기재된 예시적인 실시예로 부당하게 한정되어서는 안 된다는 것을 이해해야 한다. 구체적으로, 본 명세서에서 사용될 때, 종점으로 기재된 수치 범위는 해당 범위 내에서 적용되는 모든 수치를 포함하려는 의도이다(예컨대, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.80, 4 및 5를 포함함). 추가적으로, 본 명세서에서 사용되는 모든 숫자는 "약"이라는 용어에 의해 수식될 수 있다고 가정한다. 더욱이, 본 명세서에서 참고한 모든 공보 및 특허는, 인용함으로써 각각의 개별 공보 또는 특허가 구체적으로 그리고 개별적으로 지시된 것처럼, 인용함으로서 그 전체 내용이 동일한 정도로 포함된다.
다양한 예시적인 실시예를 설명하였다. 이들 실시예 및 다른 실시에는 이하의 청구범위의 범위에 속한다.
2, 2' : 연마 패드
4, 24 : 연마 요소
6 : 개구
8, 28 : 연마 조성물 분포 층
10, 30 : 지지층
14, 23 : 연마면
15 : 기공
25 : 플랜지
31 : 가이드 플레이트
32 : 감압식 접착제
36 : 선택적인 접착제 층

Claims (45)

  1. 복수 개의 연마 요소를 포함하는 연마 패드로서, 각각의 연마 요소는 지지층에 고정되어 하나 이상의 다른 연마 요소에 대한 해당 연마 요소의 측방향 이동을 억제하지만, 연마 요소의 연마면에 대해 수직인 축선 상에서 이동 가능하게 유지되며,
    연마 요소 중 적어도 하나는 다공성 연마 요소로 이루어지고,
    적어도 각각의 다공성 연마 요소의 표면은 복수 개의 기공을 포함하는 것인 연마 패드.
  2. 제1 주요 측부 및 이 제1 주요 측부에 대향하는 제2 주요 측부를 갖는 지지층,
    지지층의 제1 주요 측부에 고정되는 복수 개의 연마 요소, 및
    제1 주요 표면과 이 제1 주요 표면에 대향하는 제2 주요 표면을 갖는 가이드 플레이트
    를 포함하는 연마 패드로서,
    상기 가이드 플레이트는 지지층으로부터 원위에 있는 제1 주요 표면을 이용하여 제1 주요 측부 상에 복수 개의 연마 요소를 배치하도록 위치가 결정되며,
    연마 요소는 가이드 플레이트의 제1 주요 표면으로부터 제1 주요 측부에 대해 실질적으로 수직인 제1 방향을 따라 연장되고,
    연마 요소 중 적어도 하나는 다공성 연마 요소로 이루어지며,
    각각의 다공성 연마 요소의 적어도 일부는 복수 개의 기공을 포함하는 것인 연마 패드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 주요 표면으로부터 제2 주요 표면까지 가이드 플레이트를 관통하여 연장되는 복수 개의 개구를 더 포함하며, 각각의 연마 요소의 적어도 일부는 대응하는 개구 내로 연장되고, 각각의 연마 요소는 가이드 플레이트의 제1 주요 표면으로부터 외측을 향해 연장되는 것인 연마 패드.
  4. 제3항에 있어서, 각각의 연마 요소의 일부는 대응하는 개구를 통과하는 것인 연마 패드.
  5. 제4항에 있어서, 각각의 연마 요소는 지지층과 가이드 플레이트 사이의 경계에서 접착제에 의해 제1 주요 측부에 고정되는 것인 연마 패드.
  6. 제4항에 있어서, 각각의 연마 요소는 플랜지를 구비하며, 각각의 연마 요소는 가이드 층의 제2 주요 표면에 대응하는 플랜지를 결합시킴으로써 제1 주요 측부에 고정되는 것인 연마 패드.
  7. 제3항에 있어서, 복수 개의 상기 개구는 개구의 어레이로서 배치되고, 개구의 적어도 일부는 메인 보어(bore) 및 언더컷 영역을 포함하며, 상기 언더컷 영역은 대응하는 연마 요소 플랜지를 유지하는 쇼울더(shoulder)를 형성하는 것인 연마 패드.
  8. 제2항에 있어서, 상기 가이드 플레이트는 폴리머, 코폴리머, 폴리머 혼합물, 폴리머 복합체 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 연마 패드.
  9. 제2항에 있어서, 상기 가이드 플레이트는 제1 방향을 따라 연마 요소의 배향을 유지하는 반면, 연마 요소가 가이드 플레이트에 대해 제1 방향을 따라 독립적으로 병진 이동할 수 있도록 하는 것인 연마 패드.
  10. 제2항에 있어서, 상기 가이드 플레이트의 제1 주요 표면의 적어도 일부를 덮는 연마 조성물 분포 층을 더 포함하는 연마 패드.
  11. 제10항에 있어서, 상기 연마 조성물 분포 층은 적어도 하나의 친수성 폴리머를 포함하는 것인 연마 패드.
  12. 제10항에 있어서, 각각의 연마 요소는 연마 조성물 분포 층을 포함하는 평면 위로 적어도 약 0.25 mm만큼 제1 방향을 따라 연장되는 것인 연마 패드.
  13. 제2항에 있어서, 각각의 연마 요소는 가이드 플레이트를 포함하는 평면 위로 적어도 약 0.25 mm만큼 제1 방향을 따라 연장되는 것인 연마 패드.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각각의 연마 요소는 지지층을 포함하는 평면 위로 적어도 약 0.25 mm만큼 제1 방향을 따라 연장되는 것인 연마 패드.
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서, 실질적으로 모든 연마 요소가 다공성 연마 요소로 이루어지는 것인 연마 패드.
  16. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각각의 다공성 연마 요소를 구성하는 복수 개의 기공은 실질적으로 전체 다공성 연마 요소 전반에 걸쳐 분포되는 것인 연마 패드.
  17. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각각의 다공성 연마 요소는 제1 주요 측부 및 제2 주요 측부로부터 원위에 있는 연마면을 포함하는 것인 연마 패드.
  18. 제17항에 있어서, 각각의 연마면의 적어도 일부는 복수 개의 기공을 포함하는 것인 연마 패드.
  19. 제18항에 있어서, 상기 연마면을 이루는 상기 복수 개의 기공은, 원통형, 삼각형, 직사각형, 사다리꼴, 반구형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단면 형상을 갖는 복수 개의 채널을 포함하는 것인 연마 패드.
  20. 제19항에 있어서, 제1 방향에서의 각각의 채널의 깊이는 약 100 마이크로미터 내지 약 7500 마이크로미터인 것인 연마 패드.
  21. 제19항에 있어서, 상기 각각의 채널의 단면적은 약 75 제곱 마이크로미터 내지 약 3 × 106 제곱 마이크로미터인 것인 연마 패드.
  22. 제1항 또는 제2항에 있어서, 하나 이상의 상기 연마 요소 내에 캐비티가 형성되는 것인 연마 패드.
  23. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수 개의 기공은 폐쇄형 셀 폼(cell foam)을 포함하는 것인 연마 패드.
  24. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수 개의 기공은 개방형 셀 폼을 포함하는 것인 연마 패드.
  25. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수 개의 기공은 기공 크기의 단조(unimodal) 분포를 나타내는 것인 연마 패드.
  26. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수 개의 기공은 평균 기공 크기가 약 1 나노미터 내지 약 100 마이크로미터인 것인 연마 패드.
  27. 제26항에 있어서, 상기 복수 개의 기공은 평균 기공 크기가 약 1 마이크로미터 내지 약 50 마이크로미터인 것인 연마 패드.
  28. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각각의 연마 요소는 연마 요소를 지지층에 접합함으로써 지지층에 고정되는 것인 연마 패드.
  29. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 연마 요소의 적어도 일부는 제1 방향으로 원형, 타원형, 삼각형, 정사각형, 직사각형 및 사다리꼴로부터 선택되는 단면을 취하도록 선택되는 것인 연마 패드.
  30. 제1항 또는 제2항에 있어서, 복수 개의 상기 연마 요소는 지지층과 함께 단일 시트의 연마 요소로서 형성되는 것인 연마 패드.
  31. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 연마 요소의 적어도 일부는 열가소성 폴리우레탄, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐 알코올 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 연마 패드.
  32. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 연마 요소는 적어도 하나의 치수가 약 0.1 mm 내지 약 30 mm인 것인 연마 패드.
  33. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지층은 실리콘, 천연 고무, 스티렌-부타디엔 고무, 네오프렌, 폴리우레탄 및 이들의 조합으로부터 선택되는 폴리머 재료를 포함하는 것인 연마 패드.
  34. 제1항 또는 제2항에 있어서, 복수 개의 연마 요소에 대향하여 지지층에 이웃하는 접착제 층을 더 포함하는 연마 패드.
  35. 제34항에 있어서, 적어도 하나의 연마 요소는 투명하며, 접착제 층 및 지지층도 또한 투명한 것인 연마 패드.
  36. 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 하나의 연마 요소는 투명한 것인 연마 패드.
  37. 제36항에 있어서, 상기 지지층은 투명한 것인 연마 패드.
  38. 제10항에 있어서, 지지층, 가이드 플레이트, 연마 조성물 분포 층, 적어도 하나의 연마 요소 또는 이들의 조합은 투명한 것인 연마 패드.
  39. 제1항 또는 제2항에 있어서, 연마 요소의 적어도 일부는 연마제 입자를 포함하는 것인 연마 패드.
  40. 연마 패드 사용 방법으로서,
    제1항 내지 제38항 중 어느 하나의 항에 따른 연마 패드의 연마면과 기판의 표면을 접촉시키는 것과,
    기판의 표면을 연마하기 위해 기판에 대해 연마 패드를 상대적으로 이동시키는 것
    을 포함하는 연마 패드 사용 방법.
  41. 제40항에 있어서,
    상기 연마 패드의 표면과 상기 기판의 표면 사이의 경계에 작동액을 제공하는 것
    을 더 포함하는 연마 패드 사용 방법.
  42. 연마 패드 제작 방법으로서,
    복수 개의 다공성 연마 요소를 형성하는 것과,
    제1항 내지 제39항 중 어느 하나의 항에 따른 연마 패드를 형성하기 위해 지지층에 다공성 연마 요소를 고정하는 것
    을 포함하는 연마 패드 제작 방법.
  43. 제42항에 있어서, 상기 다공성 연마 요소는, 가스 포화된 폴리머 용융물을 사출 성형하는 것, 폴리머를 형성하기 위해 반응시에 가스를 포함하는 반응성 혼합물을 사출 성형하는 것, 초임계 가스에 용해된 폴리머를 포함하는 혼합물을 사출 성형하는 것, 용매에 불친화성(incompatible) 폴리머의 혼합물을 사출 성형하는 것, 열가소성 폴리머에 분산된 다공성 열경화성 입자를 사출 성형하는 것, 그리고 이들의 조합에 의해 형성되는 것인 연마 패드 제작 방법.
  44. 제43항에 있어서, 다공성 폴리머 요소는 각각의 다공성 연마 요소의 연마면에 형성되는 기공을 포함하는 것인 연마 패드 제작 방법.
  45. 제42항에 있어서, 상기 기공은, 사출 성형, 캘린더링, 기계적 드릴링, 레이저 드릴링, 니들 펀칭, 가스 분산 포밍(foaming), 화학적 처리 및 이들의 조합에 의해 형성되는 것인 연마 패드 제작 방법.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015057562A1 (en) * 2013-10-18 2015-04-23 3M Innovative Properties Company Coated abrasive article and method of making the same
KR20150128118A (ko) * 2014-05-08 2015-11-18 부산대학교 산학협력단 미세 다공성 구조체 및 그 제조방법
CN108581822A (zh) * 2017-05-29 2018-09-28 Skc株式会社 多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法
KR20190121009A (ko) * 2018-04-17 2019-10-25 에스케이씨 주식회사 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법
KR20190135449A (ko) * 2019-11-28 2019-12-06 에스케이씨 주식회사 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법
US10518383B2 (en) 2017-05-29 2019-12-31 Skc Co., Ltd. Porous polyurethane polishing pad and process for preparing a semiconductor device by using the same
US11266344B2 (en) 2016-09-21 2022-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for measuring skin condition and electronic device therefor

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5596030B2 (ja) 2008-06-26 2014-09-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 多孔質エレメントを有する研磨パッド及びその製造方法と使用方法
KR20110033277A (ko) * 2008-07-18 2011-03-30 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 플로팅 요소를 구비한 연마 패드 및 이 연마 패드의 제작 방법과 이용 방법
US8912095B2 (en) * 2009-12-15 2014-12-16 Osaka University Polishing method, polishing apparatus and polishing tool
KR20120112662A (ko) * 2009-12-30 2012-10-11 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 유기 미립자 로딩된 폴리싱 패드 및 이를 제조 및 사용하는 방법
SG181678A1 (en) 2009-12-30 2012-07-30 3M Innovative Properties Co Polishing pads including phase-separated polymer blend and method of making and using the same
TWI538777B (zh) * 2012-06-29 2016-06-21 三島光產股份有限公司 硏磨墊成形模具之製造方法，利用該方法製造之硏磨墊成形模具，及利用該模具所製造之硏磨墊
JP6640106B2 (ja) 2014-04-03 2020-02-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨パッド及びシステム、並びにその作製方法及び使用方法
USD776801S1 (en) * 2014-06-24 2017-01-17 Kobe Steel, Ltd Heat exchanger tube
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
JP6545261B2 (ja) 2014-10-17 2019-07-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 付加製造プロセスを使用する、複合材料特性を有するｃｍｐパッド構造
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
TWI689406B (zh) 2014-10-17 2020-04-01 美商應用材料股份有限公司 研磨墊及製造其之方法
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US9901959B2 (en) * 2015-01-28 2018-02-27 John T. Kucala System and tools for removing strongly adhered foreign matter from a work surface
USD793971S1 (en) 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 14-pocket configuration
USD793972S1 (en) 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 31-pocket configuration
USD778247S1 (en) 2015-04-16 2017-02-07 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a multi-pocket configuration
CN108290267B (zh) 2015-10-30 2021-04-20 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
CN108698206B (zh) 2016-01-19 2021-04-02 应用材料公司 多孔化学机械抛光垫
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
WO2017155969A1 (en) 2016-03-09 2017-09-14 Applied Materials, Inc. Pad structure and fabrication methods
CN108883515A (zh) * 2016-03-24 2018-11-23 应用材料公司 用于化学机械抛光的纹理化的小垫
US10688621B2 (en) * 2016-08-04 2020-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Low-defect-porous polishing pad
US10596763B2 (en) 2017-04-21 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing with array of energy sources
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
KR101949905B1 (ko) * 2017-08-23 2019-02-19 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법
CN108081158A (zh) * 2017-12-15 2018-05-29 清华大学 砂轮及其制备方法
USD881372S1 (en) * 2018-02-02 2020-04-14 Kohler Co. Screen for an air intake system
KR20200108098A (ko) 2018-02-05 2020-09-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 3d 프린트된 cmp 패드들을 위한 압전 엔드포인팅
EP3790706A4 (en) 2018-05-07 2022-02-16 Applied Materials, Inc. CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PADS WITH ADJUSTABLE HYDROPHIL AND ZETA POTENTIAL
USD893682S1 (en) 2018-05-31 2020-08-18 Smith Industries Inc. Floor drain grate
CN112654655A (zh) 2018-09-04 2021-04-13 应用材料公司 先进抛光垫配方
CN109794861B (zh) * 2018-11-21 2020-12-01 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种超硬材料砂轮及其制备方法、超硬材料砂轮压制成型模具
US11331767B2 (en) 2019-02-01 2022-05-17 Micron Technology, Inc. Pads for chemical mechanical planarization tools, chemical mechanical planarization tools, and related methods
US11851570B2 (en) 2019-04-12 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Anionic polishing pads formed by printing processes
CN110614580B (zh) * 2019-10-22 2021-11-19 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光垫及其制备方法、化学机械研磨设备
KR102293765B1 (ko) * 2019-11-21 2021-08-26 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
CN114310652A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 金陵科技学院 一种软脆材料柔性研磨装置

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5257478A (en) * 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
US5212910A (en) * 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
GB9322174D0 (en) 1993-10-28 1993-12-15 Minnesota Mining & Mfg Abrasive article
US5489233A (en) 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5609517A (en) * 1995-11-20 1997-03-11 International Business Machines Corporation Composite polishing pad
JPH10156705A (ja) 1996-11-29 1998-06-16 Sumitomo Metal Ind Ltd 研磨装置および研磨方法
US6126532A (en) * 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
US5921855A (en) * 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US6238592B1 (en) * 1999-03-10 2001-05-29 3M Innovative Properties Company Working liquids and methods for modifying structured wafers suited for semiconductor fabrication
US6319108B1 (en) * 1999-07-09 2001-11-20 3M Innovative Properties Company Metal bond abrasive article comprising porous ceramic abrasive composites and method of using same to abrade a workpiece
US6491843B1 (en) * 1999-12-08 2002-12-10 Eastman Kodak Company Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
US20020068516A1 (en) 1999-12-13 2002-06-06 Applied Materials, Inc Apparatus and method for controlled delivery of slurry to a region of a polishing device
JP3506114B2 (ja) 2000-01-25 2004-03-15 株式会社ニコン モニタ装置及びこのモニタ装置を具えた研磨装置及び研磨方法
US6309276B1 (en) * 2000-02-01 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Endpoint monitoring with polishing rate change
US20010039175A1 (en) * 2000-02-29 2001-11-08 Reza Golzarian Polishing pad surface on hollow posts
CN1655906A (zh) 2000-08-22 2005-08-17 兰姆研究有限公司 控制作为抛光头和半导体衬底之间的重叠面积的函数的抛光压力的抛光设备和方法
US6702954B1 (en) 2000-10-19 2004-03-09 Ferro Corporation Chemical-mechanical polishing slurry and method
US20020072296A1 (en) 2000-11-29 2002-06-13 Muilenburg Michael J. Abrasive article having a window system for polishing wafers, and methods
JP3804064B2 (ja) 2001-12-04 2006-08-02 株式会社東京精密 ウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置
US6612916B2 (en) 2001-01-08 2003-09-02 3M Innovative Properties Company Article suitable for chemical mechanical planarization processes
US6632129B2 (en) * 2001-02-15 2003-10-14 3M Innovative Properties Company Fixed abrasive article for use in modifying a semiconductor wafer
AU2002316240A1 (en) 2001-06-12 2002-12-23 Nutool, Inc. Improved method and apparatus for bi-directionally polishing a workpiece
US6722946B2 (en) * 2002-01-17 2004-04-20 Nutool, Inc. Advanced chemical mechanical polishing system with smart endpoint detection
US20050194681A1 (en) 2002-05-07 2005-09-08 Yongqi Hu Conductive pad with high abrasion
US20040171339A1 (en) * 2002-10-28 2004-09-02 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US6913517B2 (en) 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
KR20040035089A (ko) 2002-10-18 2004-04-29 삼성전자주식회사 연마 장치
JP2004160573A (ja) 2002-11-11 2004-06-10 Ebara Corp 研磨装置
US6908366B2 (en) * 2003-01-10 2005-06-21 3M Innovative Properties Company Method of using a soft subpad for chemical mechanical polishing
WO2005002794A2 (en) 2003-07-01 2005-01-13 Applied Materials, Inc. Cell, system and article for electrochemical mechanical processing (ecmp)
JP2007081322A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Jsr Corp 化学機械研磨パッドの製造方法
US8075372B2 (en) * 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
WO2006042010A1 (en) * 2004-10-06 2006-04-20 Rajeev Bajaj Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization
US7523440B2 (en) 2004-11-16 2009-04-21 The Mathworks, Inc. Dynamic generation of formatted user interfaces in software environments
JP2006142439A (ja) 2004-11-22 2006-06-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 研磨パッドおよびこれを用いた研磨方法
US20070224925A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Rajeev Bajaj Chemical Mechanical Polishing Pad
US7530880B2 (en) * 2004-11-29 2009-05-12 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor
WO2006057714A2 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
TW200709892A (en) * 2005-08-18 2007-03-16 Rohm & Haas Elect Mat Transparent polishing pad
US20070128991A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Yoon Il-Young Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same
KR100761847B1 (ko) 2005-12-07 2007-09-28 삼성전자주식회사 연마 입자가 내재된 연마 패드, 이의 제조 방법, 및 이를포함하는 화학적 기계적 연마 장치
US7267610B1 (en) * 2006-08-30 2007-09-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having unevenly spaced grooves
US8066555B2 (en) * 2007-09-03 2011-11-29 Semiquest Inc. Polishing pad
JP5596030B2 (ja) 2008-06-26 2014-09-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 多孔質エレメントを有する研磨パッド及びその製造方法と使用方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015057562A1 (en) * 2013-10-18 2015-04-23 3M Innovative Properties Company Coated abrasive article and method of making the same
KR20150128118A (ko) * 2014-05-08 2015-11-18 부산대학교 산학협력단 미세 다공성 구조체 및 그 제조방법
US11266344B2 (en) 2016-09-21 2022-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for measuring skin condition and electronic device therefor
CN108581822A (zh) * 2017-05-29 2018-09-28 Skc株式会社 多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法
US10513007B2 (en) 2017-05-29 2019-12-24 Skc Co., Ltd. Porous polyurethane polishing pad and process for preparing a semiconductor device by using the same
US10518383B2 (en) 2017-05-29 2019-12-31 Skc Co., Ltd. Porous polyurethane polishing pad and process for preparing a semiconductor device by using the same
KR20190121009A (ko) * 2018-04-17 2019-10-25 에스케이씨 주식회사 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법
KR20190135449A (ko) * 2019-11-28 2019-12-06 에스케이씨 주식회사 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법

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