KR101669848B1 - 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드 - Google Patents

테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드 Download PDF

Info

Publication number
KR101669848B1
KR101669848B1 KR1020157027915A KR20157027915A KR101669848B1 KR 101669848 B1 KR101669848 B1 KR 101669848B1 KR 1020157027915 A KR1020157027915 A KR 1020157027915A KR 20157027915 A KR20157027915 A KR 20157027915A KR 101669848 B1 KR101669848 B1 KR 101669848B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
protrusions
delete delete
polishing pad
protrusion
Prior art date
Application number
KR1020157027915A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150127181A (ko
Inventor
폴 안드레 레페브레
윌리엄 씨 앨리슨
알렉산더 윌리엄 심슨
다이안 스코트
핑 후앙
레즐리 엠 샤른스
제임스 리차드 라인하르트
로버트 커프리치
Original Assignee
넥스플래너 코퍼레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 넥스플래너 코퍼레이션 filed Critical 넥스플래너 코퍼레이션
Publication of KR20150127181A publication Critical patent/KR20150127181A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101669848B1 publication Critical patent/KR101669848B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Abstract

테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드를 개시한다. 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드를 제작하는 방법도 개시한다.

Description

테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드{POLISHING PAD HAVING POLISHING SURFACE WITH CONTINUOUS PROTRUSIONS HAVING TAPERED SIDEWALLS}
본 발명의 실시례들은 화학적 기계적 연마 분야에 관한 것이고, 특히, 테이퍼형 측벽(tapered sidewall)을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드에 관한 것이다.
통상적으로, CMP로 약칭되는, 화학적 기계적 평탄화가공 또는 화학적 기계적 연마는 반도체 웨이퍼 또는 다른 기판을 평탄화하기 위해 반도체 제조에 사용되는 기술이다.
상기 평탄화 공정은 통상적으로 반도체 웨이퍼보다 직경이 더 큰 폴리싱 패드 및 리테이닝 링과 함께 마모성이고 부식성의 화학적 슬러리(통상적으로, 콜로이드 상태)의 사용을 수반한다. 폴리싱 패드와 반도체 웨이퍼는 동적 폴리싱 헤드(dynamic polishing head)에 의해 함께 가압되고 플라스틱 리테이닝 링에 의해 제자리에 유지되어 있다. 폴리싱하는 동안 동적 폴리싱 헤드는 회전한다. 이러한 방식은 재료를 제거하는데 도움이 되며 임의의 불규칙적인 표면형태를 고르게 하여 반도체 웨이퍼를 편평하게 또는 평면으로 만든다. 이것은 부가적인 회로 요소의 형성을 위해 반도체 웨이퍼를 준비시키기 위해서 필수적인 것으로 될 수 있다. 예를 들면, 상기 평탄화 공정은 전체 표면을 포토리소그래피 시스템(photolithography system)의 피사계 심도(depth of field) 내에 있게 하거나 재료의 위치에 기초하여 재료를 선택적으로 제거하기 위해서 필수적인 것으로 될 수 있다. 전형적인 피사계 심도 요건은 최근의 서브-50 나노미터(sub-50 nanometer) 기술에 대해서 옹스트롬(Angstrom) 수준에 이른다.
재료 제거 공정은 목재에 사포를 문지르는 것과 같이 단지 연마제를 문지르는 것은 아니다. 상기 슬러리내의 화학물질은 또한 제거될 재료와의 반응 및/또는 제거될 재료를 약화시키는 작용을 한다. 연마제는 이러한 약화시키는 공정을 가속화하고 폴리싱 패드는 표면으로부터 반응이 이루어진 재료를 없애는데 도움이 된다. 슬러리 기술에서의 발전에 더하여, 폴리싱 패드는 점점 복잡해지는 CMP 작업에서 중요한 역할을 수행한다.
그러나, CMP 패드 기술의 발전에 있어서 부가적인 개선이 요구되고 있다.
본 발명은 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시례들은 테이퍼형 측벽(tapered sidewall)을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드를 포함하고 있다.
한 실시례에서는, 기판을 폴리싱하는 폴리싱 패드가 뒷면 반대쪽에 폴리싱측을 가지고 있는 폴리싱체를 포함하고 있다. 상기 폴리싱 패드는 또한 폴리싱체의 폴리싱측과 연속인 복수의 돌출부를 가지고 있는 폴리싱면을 포함하고 있다. 각각의 돌출부는 폴리싱체로부터 말단부에 편평한 표면 및 상기 편평한 표면으로부터 폴리싱체를 향하여 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있다.
다른 실시례에서는, 기판을 폴리싱하는 폴리싱 패드가 뒷면 반대쪽에 폴리싱측을 가지고 있는 폴리싱체를 포함하고 있다. 상기 폴리싱 패드는 또한 폴리싱체의 폴리싱측과 연속인 복수의 돌출부를 가지고 있는 폴리싱면을 포함하고 있다. 각각의 돌출부는 폴리싱면의 최외측 평면에 변형된-4변형 다각형 형상 및 상기 최외측 평면으로부터 폴리싱체를 향하여 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있다.
도 1은 종래의 폴리싱 패드의 폴리싱면에 배치된 동심원형 홈 패턴의 평면도를 나타내고 있다.
도 2A는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱 패드의 폴리싱면에 배치된 돌출부 패턴의 평면도를 나타내고 있다.
도 2B는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 도 2A의 일부분의 돌출부 패턴의 확대도이다.
도 2c는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 도 2d 내지 도 2g에 도시된 예와 원통형 돌출부를 비교하기 위해서, 도 2B의 a-a'축을 따라 도시한 비교 단면도이다.
도 2d는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 평면 측벽을 가진 돌출부에 대한 도 2B의 a-a'축을 따라 도시한 단면도이다.
도 2e는, 본 발명의 다른 실시례에 따른, 곡면 측벽을 가진 돌출부에 대한 도 2B의 a-a'축을 따라 도시한 단면도이다.
도 2f는, 본 발명의 다른 실시례에 따른, 계단형 측벽을 가진 돌출부에 대한 도 2B의 a-a'축을 따라 도시한 단면도이다.
도 2g는, 본 발명의 다른 실시례에 따른, 언더컷(undercut) 부분을 가진 전체적으로 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가진 돌출부에 대한 도 2B의 a-a'축을 따라 도시한 단면 영상이다.
도 3a는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱면이 육각형 형상의 버튼의 한 측면에 삼각형 클로킹 마크(clocking mark)를 가지고 있는 버튼 구역을 포함하는 도 2A 내지 도 2g의 폴리싱 패드에 대한 예시적인 중심 구역을 나타내고 있다.
도 3b는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱면이 폴리싱체의 폴리싱측의 가장 바깥쪽 가장자리에 있는 복수의 돌출부를 둘러싸는 중실 링을 포함하는 도 2A 내지 도 2g의 폴리싱 패드에 대한 예시적인 외측 구역을 나타내고 있다.
도 4는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 각각 테이퍼형 측벽을 가지고 있는, 원형("A"), 타원형("B"), 삼각형("C"), 오각형("D") 그리고 육각형("E")과 같은 돌출부의 폴리싱면 형상에 대한 선택사항을 나타내고 있다.
도 5a는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 육각형 밀집 배열(hexagonal packed arrangement)의 돌출부의 패턴을 나타내고 있다.
도 5b는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 정사각형 밀집 배열(square packed arrangement)의 돌출부의 패턴을 나타내고 있다.
도 5c는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 돌출부의 그룹들 사이에 큰 간격을 둔, 대체로 정사각형 밀집 배열의 돌출부의 패턴을 나타내고 있다.
도 6a는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 대체로 정사각형 또는 직사각형 형상의 돌출부의 그룹들 사이에 큰 간격을 둔, 대체로 육각형 밀집 배열의 돌출부의 패턴을 나타내고 있다.
도 6b는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 마름모 형상의 돌출부의 그룹들 사이에 큰 간격을 둔, 대체로 육각형 밀집 배열의 돌출부의 패턴을 나타내고 있다.
도 6c는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 삼각형 형상의 돌출부의 그룹들 사이에 큰 간격을 둔, 대체로 육각형 밀집 배열의 돌출부의 패턴을 나타내고 있다.
도 6d는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 스트립을 기초로 한 형상(strip-based shape)의 돌출부의 그룹들 사이에 큰 간격을 둔, 대체로 육각형 밀집 배열의 돌출부의 패턴을 나타내고 있다.
도 7은, 본 발명의 한 실시례에 따른, 하위-패턴으로 배열된 마름모 형상의 돌출부의 그룹들 사이에 큰 간격을 둔, 대체로 육각형 밀집 배열의 돌출부의 패턴을 나타내고 있다.
도 8A는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱 패드의 폴리싱면에 배치된 변형된 4변형 돌출부 패턴의 경사진 평면도를 나타내고 있다.
도 8B는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱면이 변형된 정사각형 형상을 가지고 있는 버튼 구역을 포함하는 도 8A의 폴리싱 패드에 대한 예시적인 중심 구역을 나타내고 있다.
도 8C는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱면이 폴리싱체의 폴리싱측의 가장 바깥쪽 가장자리에 있는 복수의 변형된 4변형 돌출부를 둘러싸는 중실 링을 포함하는 도 8A의 폴리싱 패드에 대한 예시적인 외측 구역을 나타내고 있다.
도 9a는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 네 개의 둥근 코너부를 가진 정사각형, 네 개의 노치형 코너부를 가진 정사각형, 그리고 네 개의 아치형 변을 가진 정사각형과 같은 변형된 4변형 폴리싱 돌출부의 폴리싱면 형상에 대한 선택사항을 나타내고 있다.
도 9b는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 변형된-정사각형 형상, 변형된-직사각형 형상, 변형된-마름모 형상, 그리고 변형된-사다리꼴 형상과 같은 변형된 4변형 폴리싱 돌출부에 대한 기초로 사용된 4변형 형상에 대한 선택사항을 나타내고 있다.
도 10은, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱 패드의 폴리싱면에 배치된, 국소 투명 구역(LAT) 및/또는 표시 구역에 의해 단절된 돌출부 패턴의 평면도를 나타내고 있다.
도 11a 내지 도 11f는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱 패드의 제조에 사용되는 작업의 단면도를 나타내고 있다.
도 12는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드에 적합한 폴리싱 장치의 사시도를 나타내고 있다.
테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드가 본 명세서에 기술되어 있다. 아래의 설명에서는, 본 발명의 여러 실시례의 충분한 이해를 제공하기 위해서, 특정의 폴리싱 패드 설계형태 및 구성과 같은, 다수의 구체적인 상세한 내용이 개시되어 있다. 본 발명의 여러 실시례는 상기의 구체적인 상세한 내용없이도 실행될 수 있다는 것은 당해 기술분야의 전문가에게는 자명한 사실이다. 다른 예에서는, 본 발명의 실시례를 불필요하게 모호하지 않게 하기 위해서 반도체 기판의 화학적 기계적 평탄화(CMP)를 수행하기 위해 슬러리와 폴리싱 패드의 조합에 관한 상세한 내용과 같은, 잘 알려진 처리 기술이 상세하게 기술되어 있지 않다. 또한, 도면에 도시된 다양한 실시례들은 예시적인 것이며 반드시 일정한 비율로 도시되어 있지는 않다는 사실을 이해하여야 한다.
CMP 작업으로 기판을 폴리싱하는 폴리싱 패드는 통상적으로 물리적인 홈이나 돌출부가 형성되어 있는 적어도 하나의 표면을 포함하고 있다. 상기 홈이나 돌출부는 CMP 작업에 사용되는 슬러리용 저장소를 제공하면서 기판을 폴리싱하는 표면적의 적절한 크기의 균형을 이루도록 배치될 수 있다. 본 발명의 실시례에 따르면, 폴리싱 패드의 폴리싱면에 대한 돌출부 패턴이 기술되어 있다. 한 실시례에서, 각각의 돌출부가 폴리싱 패드의 폴리싱체로부터 말단부에 편평한 표면 또는 평면을 가지고 있고, 상기 편평한 표면 또는 평면으로부터 폴리싱체를 향하여 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있다.
본 명세서에 기술된 돌출부 패턴은 슬러리를 이용하는 CMP 작업으로 기판을 폴리싱하는 종래 기술의 폴리싱 패드에 비해 여러가지 이로운 점을 제공하거나 유리할 수 있다. 예를 들면, 본 명세서에 기술된 돌출부 패턴의 장점은 (a) 폴리싱 패드가 폴리싱된 기판에 대해 회전될 때 폴리싱된 기판 전체에 걸친 슬러리를 이용한 폴리싱 처리(slurry-based polish process)의 향상된 평균수준, 그리고 (b) 종래의 홈이나 돌출부 패턴을 가진 폴리싱 패드에 비해 폴리싱 패드 상에서의 향상된 슬러리 보유성을 포함할 수 있다. 게다가, 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽(outwardly tapered sidewall)은, 도 11a 내지 도 11f와 관련하여 아래에 보다 상세하게 설명되어 있는 것과 같이, 폴리싱 패드를 제작하는 동안 탈형 공정(demolding process)에 도움을 줄 수 있다. 대체로, 본 발명의 실시례들은 폴리싱면의 폴리싱 평면 내에서 모든 치수에 대해 비교적 비슷한 값을 가지는 돌출부 구조의 사용을 포함한다. 상기 돌출부는 주형 공정(molding process)에 의해 형성될 수 있고, 이러한 돌출부 형상은 통상적으로 폴리싱면에 패턴을 절삭하는 것에 의해 형성하는 것이 비실용적일 수 있다.
전후관계를 알 수 있도록 하기 위해, 종래의 폴리싱 패드는 통상적으로 반경방향의 홈을 가진 동심원형 홈 패턴을 가지고 있다. 예를 들면, 도 1은 종래의 폴리싱 패드의 폴리싱면에 배치된 동심원형 홈 패턴의 평면도를 나타내고 있다.
도 1을 참고하면, 폴리싱 패드(100)가 폴리싱면(102)과 뒷면(도시되어 있지 않음)을 가지고 있는 폴리싱체를 포함하고 있다. 폴리싱면(102)은 동심원형(104)의 홈 패턴을 가지고 있다. 상기 홈 패턴은 또한, 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 가장 안쪽 원으로부터 가장 바깥쪽 원까지 연속적인 복수의 반경방향의 홈(106)을 포함하고 있다. 이러한 홈 패턴의 잠재적인 단점은 큰 동심형 홈 전체에 걸친 슬러리 분포의 좋지 못한 평균수준 및/또는 반경방향의 홈을 따라 슬러리가 배출되는 것에 의한 슬러리 손실을 포함할 수 있다.
도 1과 대조적으로, 도 2A에 예시되어 있는 것과 같이, 본 발명의 실시례는 종래의 홈 간격에 비해 좁게 이격되어 있는 돌출부의 패턴을 포함하고 있다. 더욱이, 폴리싱면의 평면에 있는 돌출부의 모든 치수가 비교적 비슷하고, 따라서, 각각의 돌출부가 일정한 국지적인 폴리싱 특성을 제공하는데 효과적일 수 있다. 종래의 그루빙(grooving)을 피함으로써, 상기와 같은 돌출부의 사용에 의해 폴리싱 패드 상에서의 슬러리 보유성이 향상될 수 있다.
본 발명의 한 실시형태에서, 폴리싱 패드는, 각각의 돌출부가 테이퍼형 측벽을 가지고 있는, 연속적인 돌출부의 패턴을 가진 폴리싱면을 가지는 것으로 제조될 수 있다. 한 가지 예로서, 도 2A는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱 패드의 폴리싱면에 배치된 돌출부 패턴의 평면도를 나타내고 있다. 도 2B는 평면도로 테이퍼형 측벽을 나타내고 있는 도 2A의 일부분의 돌출부 패턴의 확대도이다.
도 2B의 확대도를 참고하면, 각각의 돌출부(202)가 폴리싱 패드의 몸체에서 더 크고(예를 들면, 외측 원(250)으로 보여지는 것) 폴리싱 패드의 몸체에서 멀어질수록 더 작다(예를 들면, 내측 원(252)으로 보여지는 것). 다시 말해서, 내측 원(252)은 돌출부(202)의 최외측 표면이다. 이와 같이, 각각의 돌출부(202)는 원통형이 아니다. 비교의 목적으로, 도 2c는, 돌출부가 원통형인 경우, 다시 말해서, 내측 원(252)과 외측 원(250)이 각각 도 2B의 평면도에서 보이지 않는 경우의 도 2B의 a-a' 축을 따라 도시한 가상의 단면도이다. 원통형 돌출부는 돌출부 전체에 걸쳐서 수직 방향으로 동일한 형상과 동일한 크기를 유지하는 (예를 들면, 본질적으로 또는 정확하게 수직 측벽을 가지는) 돌출부이다.
도 2c에 비해서, 본 발명의 실시례와 관련하여 기술된 돌출부는 비-원통형으로 보일 수 있다. 다시 말해서, 비록 각각의 돌출부(202)가 수직 방향으로 동일한 형상을 유지하지만, 각각의 돌출부(202)는 돌출부 전체에 걸쳐서 동일한 크기를 유지하지 않으므로 (예를 들면, 본질적으로 또는 정확하게 수직 측벽을 가지지 않으므로) 완전히 수직 측벽을 가지지 않는다. 이러한 비-원통형 돌출부의 예시적인 실시례는 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있는 돌출부인 도 2d 내지 도 2g에 도시된 것을 포함한다.
제1 예로서, 도 2d는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 평면 측벽을 가진 돌출부에 대한 도 2B의 a-a'축을 따라 도시한 단면도이다. 도 2d를 참고하면, 각각의 돌출부(202)가 상부 편평한 표면(다시 말해서, 폴리싱체로부터 말단부에 있는 편평한 표면)과 상기 편평한 표면으로부터 폴리싱체를 향하여 바깥쪽으로 테이퍼진 평면 측벽을 가지고 있다. 상기 평면 측벽은 폴리싱체의 폴리싱면의 법선(도 2d에서 수직 점선으로 표시되어 있음)에 대해 각도 θ로 테이퍼형태로 되어 있다. 이러한 한 가지 실시례에서, 상기 평면 측벽은 폴리싱체의 폴리싱면의 법선에 대해 대략 30도보다 작은 각도 θ로 테이퍼형태로 되어 있다. 이러한 특정 실시례에서, 상기 평면 측벽은 폴리싱체의 폴리싱면의 법선에 대해 대략 0.1도 내지 10도 범위의 각도 θ로 테이퍼형태로 되어 있다. 도 2d의 돌출부는 상기 측벽이 각각의 돌출부 상부의 한 지점에서 교차하는 복수의 가상선으로 보일 수 있다는 점에서 원뿔형 돌출부로 보일 수 있다.
제2 예로서, 도 2e는, 본 발명의 다른 실시례에 따른, 곡면 측벽을 가진 돌출부에 대한 도 2B의 a-a'축을 따라 도시한 단면도이다. 도 2e를 참고하면, 각각의 돌출부(202)가 상부 편평한 표면(다시 말해서, 폴리싱체로부터 말단부에 있는 편평한 표면)과 상기 편평한 표면으로부터 폴리싱체를 향하여 바깥쪽으로 테이퍼진 곡면 측벽을 가지고 있다. 한 실시례에서, 상기 곡면은, 비제한적인 예로서, 원형 부분 외형, 타원형 부분 외형, 또는 지수 감소 곡선(exponential decay curve)에 기초한 외형과 같은 외형을 가진다.
제3 예로서, 도 2f는, 본 발명의 다른 실시례에 따른, 계단형 측벽을 가진 돌출부에 대한 도 2B의 a-a'축을 따라 도시한 단면도이다. 도 2f를 참고하면, 각각의 돌출부(202)가 상부 편평한 표면(다시 말해서, 폴리싱체로부터 말단부에 있는 편평한 표면)과 상기 편평한 표면으로부터 폴리싱체를 향하여 바깥쪽으로 테이퍼진 계단형 측벽을 가지고 있다. 도 2f에서는, 각각의 측벽을 따라서 두 개의 계단이 도시되어 있다. 하지만, 다른 실시례에서는, 한 개의 계단, 또는 세 개 이상의 계단이 각각의 측벽 외형에 포함될 수 있다.
본 발명의 실시례의 기술사상과 범위 내에서 바깥쪽으로 테이퍼진 예는 도 2d 내지 도 2f에 도시된 것으로 제한되지 않는다는 것을 알아야 한다. 더욱이, 상기 측벽은 대체로 바깥쪽으로 테이퍼져 있지만 완전히 바깥쪽으로 테이퍼져 있지 않을 수 있다. 예를 들어, 한 실시례에서는, 측벽의 일부분이 실제로 돌출부의 상부 편평한 표면의 밑을 잘라낸 것이다. 그러나, 상기 실시례에서, 전체적으로, 상기 측벽은 돌출부의 상부 편평한 표면으로부터 바깥쪽으로 테이퍼져 있다. 한 예로서, 도 2g는, 본 발명의 다른 실시례에 따른, 언더컷(undercut) 부분을 가진 전체적으로 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가진 돌출부에 대한 도 2B의 a-a'축을 따라 도시한 단면 영상이다.
도 2A 및 도 2d 내지 도 2g를 다시 참고하면, 폴리싱 패드(200)가 폴리싱체(도 2d 내지 도 2g에 200A로 표시되어 있음)를 포함하고 있다. 상기 폴리싱체는 뒷면(201B)의 반대쪽에 폴리싱측(201A)을 가지고 있다. 폴리싱 패드(200)는 또한 도 2A의 평면도에서 볼 수 있는 것과 같은, 그리고 도 2d 내지 도 2g에서 200B로 표시된 폴리싱면을 포함하고 있다. 상기 폴리싱면은 폴리싱체(200A)의 폴리싱측(201A)과 연속인 복수의 돌출부(202)를 가지고 있다. 상기한 바와 같이, 도 2B를 참고하면, 예시적인 돌출부(202)의 일부 구역 세부사항의 확대도가 제공되어 있다. 도 2d 내지 도 2g에 도시된 폴리싱 패드(200)의 부분은 도 2B에 확대된 부분의 예시적인 단면도이다.
도 2d 내지 도 2g를 다시 참고하면, 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 돌출부(202)가, 통합된 구역(200B)으로 가장 잘 보이는, 공통의 통합된 폴리싱면 레이어를 형성한다는 점에서 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 돌출부(202)는 연속적이다. 상기 돌출부의 연속적인 특성은, 부착된 표면에서 전혀 서로 연결되어 있지 않은 부착된 복수의 타일과 같은 불연속적인 돌출부와 대조가 된다. 더욱이, 한 실시례에서는, 폴리싱면(200B)과 폴리싱체가 통합되어 있다. 이러한 경우에는, 200A 구역과 200B 구역 사이의 분리를 나타내는 점선이 단지 폴리싱 패드의 폴리싱체 구역과 폴리싱면 구역 사이의 차이를 개념화하기 위한 시각적인 보조도구로서 제공된다. 더욱이, 한 실시례에서는, 폴리싱체(200A)와 폴리싱면(200B)이 모두 균질하고 또한 통합되어 있다. 특정의 예시적인 실시례에서, 폴리싱체(200A)와 폴리싱면(200B)은 성형된 동일한 폴리우레탄 물질로 이루어져 있고, 이것의 예시적인 상세한 내용은 아래에 기술되어 있다.
도 2B를 다시 참고하면, 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 복수의 돌출부(202)가 적어도 약간의 반복성을 가진 전체적인 패턴(global pattern)으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 2B에 도시된 것과 같은 한 실시례에서는, 돌출부의 열(row)이 ABA 배열로 엇갈려 있으므로 복수의 돌출부(202)가 육각형 밀집 패턴(hexagonal packed pattern)으로 배열되어 있다. 다른 예시적인 배열이 아래에 보다 상세하게 기술되어 있다.
도 2A를 다시 참고하면, 폴리싱 패드(200)가 중앙 버튼(204)을 포함할 수 있다. 상기 버튼(204)은 폴리싱 패드 성질 테스트를 위한 구역을 제공하는 폴리싱 패드 물질의 돌출된 부분(예를 들면, 돌출부(202)와 동일 평면 상에 있고 연속인 부분)이 될 수 있다. 이러한 한 가지 실시례에서, 버튼(204)의 구역에서는 폴리싱이 실행되지 않는다. 상기 버튼(204)은 돌출부(202)의 전체적인 패턴과 양립될 수 있는 형상을 가질 수 있다. 하나의 예시적인 실시례에서, 도 2A 및 도 3a(도 3a는 폴리싱 패드(200)의 중심 구역 부분에 대한 가능한 실시례를 나타낸다)를 참고하면, 복수의 돌출부(202)는 전반적인 육각형 밀집 배열(global hexagonal packed arrangement)을 가지고, 버튼(204)은 육각형 형상을 가진다. 더욱이, 상기 버튼(204)은 폴리싱하기 위한 또는 폴리싱 패드를 플래턴에 부착시키기 위한 패드 제조 정보 및/또는 얼라인먼트 정보를 제공하는 클로킹 구조(clocking feature)를 포함할 수 있다. 이러한 특정 실시례에 있어서, 도 3a를 참고하면, 버튼 구역(204)이 육각형 형상의 한 변상의 삼각형 클로킹 마크를 더 포함한다. 특정 실시례에서는, 육각형 중앙 버튼(204)이 가로가 대략 1인치이고, 클로킹 마크(205)는 육각형의 한 면에 있는 삼각형이다. 한 실시례에서는, 상기 중앙 버튼(204)도 테이퍼형 측벽을 가지고 있다.
폴리싱 패드(200)의 외측 부분은 특정 폴리싱 목적을 위해 맞춤제작될 수 있다. 예를 들면, 도 3b는 도 2A 내지 도 2g의 폴리싱 패드에 대한 예시적인 외측 구역을 나타내고 있는데, 상기 외측 구역에서는 폴리싱면이, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱체의 폴리싱측의 가장 바깥쪽 가장자리에 있는 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 복수의 돌출부(202)를 둘러싸는 중실 링(206)을 포함하고 있다. 도 3b에 도시되어 있는 것과 같은 특정 실시례에서는, 돌출부(202)의 육각형 밀집 패턴이 중실 링(206)에 인접하여 엇갈림식 배열(staggered arrangement)로 종결된다. 특정 실시례에서는, 외측 중실 링(206)이 대략 125 밀(mil)의 평균 폭을 가지고 있다. 한 실시례에서, 외측 중실 링(206)의 내측 가장자리는, 연속적이고 슬러리에 대해 댐 효과(dam effect)를 나타내는 폴리싱 패드(200)의 가장자리를 제공하면서, 큰 아래쪽 공간(down space)을 없애도록 하는 형상으로 되어 있다. 그러나, 대체로, 상기 중실 링은, 도 3b에 도시되어 있는 것과 같은, 돌출부의 패턴의 윤곽을 따르는 불규칙적인 형상을 가질 수 있다. 한 실시례에서는, 상기 외측 중실 링(206)도 테이퍼형 측벽을 가지고 있다.
도 2A, 도 2B, 도 3a 및 도 3b를 다시 참고하면, 각각의 돌출부(202)가 폴리싱 패드(200)의 폴리싱면의 평면에서 원형 형상을 가지는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 다른 형상도 효과적인 폴리싱면을 제공하는데 적합할 수 있다. 예를 들어, 도 4를 참고하면, 한 실시례에서, 폴리싱 패드(200)의 복수의 돌출부(202)의 각각이 폴리싱면의 최외측 평면에, 비제한적인 예로서, 원형(도 4에서의 "A"; 도 2A 및 도 2B에서 예시적인 돌출부로서 사용된 것), 타원형(도 4에서의 "B"), 또는 다섯 개 이상의 변을 가지는 다각형(예를 들면, 도 4에서의 삼각형 "C", 도 4에서의 오각형 "D" 또는 도 4에서의 육각형 "E"; 또한, 도시되어 있지는 않지만, 정사각형 형상이나 직사각형 형상이 다른 실시례에서 사용된다)과 같은 형상을 가지고 있다. 돌출부(202)에 대한 이러한 선택사항의 모두는 도 2d, 도 2e, 도 2f 또는 도 2g에서 볼 수 있는 것과 같은 단면 형상을 가질 수 있다는 것에 주의해야 한다. 한 실시례에서, 각각의 돌출부(202)가 폴리싱 패드의 몸체에서 더 크고(예를 들면, 외측 형상 402A, 402B, 402C, 402D 또는 402E로 보여지는 것) 폴리싱 패드의 몸체에서 멀어질수록 더 작다(예를 들면, 내측 형상 400A, 400B, 400C, 400D 또는 400E로 각각 보여지는 것). 다시 말해서, 내측 형상은 돌출부(202)의 최외측 표면이다. 상기 돌출부는 폴리싱 패드의 몸체에 근접해 있는, 외측 형상으로 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있다. 이와 같이, 도 4에 도시된 각각의 돌출부(202)는 원통형이 아니다.
또한, 한 실시례에서, 본 명세서에 기술된 돌출부는 큰 아치형 숲 형태의 폴리싱 구조(arcing grove type polishing feature)와 구별된다. 이러한 한 가지 실시례에서, 돌출부 형상은, 수직 측벽을 가지는 돌출부와 같은, 폴리싱면에 패턴을 단지 절삭하는 것에 의해 얻는 것이 비현실적일 수 있는 것이다. 예를 들면, 한 실시례에서, 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 돌출부(202)는, 아래에 보다 상세하게 기술되어 있는 것과 같이, 주형법에 의해 형성된다
도 2A, 도 2B, 도 3a 및 도 3b를 다시 참고하면, 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 복수의 돌출부(202)의 패턴은 육각형 밀집 배열형태로 제한되지 않는다. 다른 배열형태가 기판 또는 웨이퍼를 폴리싱하는데 적합한 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 한 무리의 돌출부를 제공할 수도 있다. 도 5b를 참고하면, 한 실시례에서, 복수의 돌출부(202)가 정사각형 밀집 패턴(square-packed pattern)으로 배열되어 있고, 이 정사각형 밀집 패턴에서는 돌출부의 모든 연속적인 열이 서로 정렬되어 있다. 이것은 비교를 위해 도 5a에 다시 도시된 육각형 밀집 패턴으로부터 나오는 엇갈림식 배열과 대비된다. 다른 실시례에서는, 돌출부(202)가, 실질적으로 긴 범위의 패턴 반복이 없는, 무작위적 패턴으로 배열되어 있다.
추가적으로, 돌출부들 사이의 간격이 항상 동일할 필요는 없다. 예를 들면, 보다 촘촘하게 이격된 돌출부의 그룹들이 돌출부의 그룹들 사이에 채널을 제공하기 위해서 돌출부의 그룹들 사이에 보다 큰 간격을 가지는 형태로 배열될 수 있다. 다시 말해서, 한 실시례에서는, 돌출부의 패턴이, 서로 인접해 있는 고밀도 구역들의 인접한 돌출부들 사이에서와 비교하여 고밀도 구역 내의 인접한 돌출부들 사이에서 더 좁은 간격을 가지는 복수의 고밀도 구역을 가지도록 배열되어 있다. 하나의 예시적인 실시례로서, 도 5c는 돌출부의 그룹들 사이에 보다 큰 간격을 가지는 형태의 대체로 정사각형 밀집 배열로 된 돌출부(202)의 패턴을 나타내고 있다. 도 5c를 참고하면, 그룹 504는 인접한 돌출부의 그룹들 사이의 간격(506)보다 그룹 504 내에서의 돌출부(202)들 사이의 간격이 더 좁다. 도 5c의 특정 예에서, XY 채널 배열은 돌출부의 그룹들 사이에 생긴다. 이러한 채널을 포함하는 형태는 것은 슬러리 운반을 위해서 또는 폴리싱 패드의 다른 폴리싱 특성을 변경시키기 위해서 사용될 수 있다. 더욱이, 한 실시례에서, 돌출부는 주조로 만들어지고 절삭에 의해 만들어진 것이 아니므로, 돌출부의 그룹들 사이의 간격은, 일정 패턴의 절삭을 위해 요구되는 대로, 돌출부의 그룹들 사이의 돌출부의 한 열이나 행의 단순한 제거를 넘어서 변경될 수 있다.
도 5c의 설명과 관련하여, 돌출부의 그룹들 사이에 보다 큰 간격을 가지는 돌출부(202)의 그룹은 대체로 육각형 밀집 배열의 돌출부를 기초로 할 수 있다. 예를 들면, 한 실시례에서, 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 돌출부(202)의 패턴은 고밀도 그룹들 사이에 (예를 들면, 종국적으로 채널을 형성하는) 큰 간격(606)을 가지는 형태로 육각형 밀집 패턴으로 배열되어 있는 고밀도 구역(604)을 포함하고 있다. 상기 고밀도 구역은, 한 실시례에서는, 비제한적인 예로서, X-Y 격자 패턴에 기초한 각각의 고밀도 구역의 사이에 간격을 가진 대체로 정사각형 또는 직사각형 형상(도 6a), 마름모 형상(도 6b), 삼각형 형상(도 6c), 또는 스트립을 기초로 한 형상(strip-based shape)(도 6d)과 같은 일반적인 형상을 가진다.
상기한 고밀도 구역은 패드 방향에 기초한 한 개의 큰 패턴을 형성하기 위해서 결합하는 하위-패턴을 가질 수 있다. 하나의 예시적인 실시례에서, 도 7은, 본 발명의 한 실시례에 따른, 돌출부의 마름모 형상의 그룹(704)들 사이에 큰 간격(706)을 가진, 대체로 육각형 밀집 배열로 된 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 돌출부(202)의 패턴을 나타내고 있고, 상기 마름모 형상의 그룹은 하위-패턴(708)으로 배열되어 있다. 실질적으로, 고밀도 구역(704)의 하위-패턴(708)은 폴리싱 패드의 60도 회전마다 반복된다. 그 결과는, 도 7에 도시되어 있는 바와 같이, 중앙 지점(710)으로부터 생기는 패턴이다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 각각의 돌출부가 상부 평면으로부터 폴리싱면을 향하여 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있는 상태로, 폴리싱 패드가 변형된 4변형 형상에 기초한 연속적인 돌출부의 패턴을 가진 폴리싱면을 가지는 형태로 제조될 수 있다. 한 가지 예로서, 도 8A는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱 패드의 폴리싱면에 배치된 변형된 4변형 돌출부 패턴의 경사진 평면도를 나타내고 있다. 도 8A를 참고하면, 폴리싱 패드(800)가 폴리싱체와 폴리싱체의 폴리싱측과 연속인 복수의 돌출부(802)를 가진 폴리싱면을 포함하고 있다. 각각의 돌출부(802)는 폴리싱면의 평면에 변형된 4변형 다각형 형상을 가지고 있다. 한 실시례에서는, 비록 상기와 같이 도시되어 있지는 않지만, 각각의 돌출부(802)가 상기 상부 평면으로부터 폴리싱체를 향하여 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있다.
예를 들면, 도 2c 내지 도 2g와 관련하여 기술되어 있는 것과 같은, 폴리싱 패드(200)의 돌출부(202)와 유사하게, 폴리싱 패드(800)의 돌출부(802)는 공통의 통합된 폴리싱면 레이어를 형성한다는 점에서 연속적이다. 상기 돌출부(802)의 연속적인 특성은, 부착된 표면에서 전혀 서로 연결되어 있지 않은 부착된 복수의 타일과 같은 불연속적인 돌출부와 대조가 된다. 더욱이, 한 실시례에서는, 폴리싱 패드(800)의 폴리싱면과 폴리싱체가 통합되어 있다. 더욱이, 한 실시례에서는, 폴리싱 패드(800)의 폴리싱체와 폴리싱면은 모두 균질하고 또한 통합되어 있고, 이에 대한 재료의 예시적인 상세한 내용은 아래에 기술되어 있다.
도 8A를 다시 참고하면, 복수의 돌출부(802)가 적어도 약간의 반복성을 가진 전체적인 패턴으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 8A에 도시된 것과 같은 한 실시례에서는, 복수의 돌출부(802)의 열(row)이 XY 격자 배열을 형성하므로 복수의 돌출부(802)가 정사각형 밀집 패턴으로 배열되어 있다. 다른 예시적인 배열은 폴리싱 패드(200)와 관련하여 위에서 설명한 것과 유사할 수 있다. 예를 들면, 도 5c, 도 6a 내지 도 6d 및 도 7과 유사하게, 한 실시례에서는, 복수의 돌출부(802)가 서로 인접해 있는 고밀도 구역들의 인접한 돌출부들 사이에서보다 고밀도 구역 내의 인접한 돌출부들 사이에서 더 좁은 간격을 가지는 복수의 고밀도 구역으로 배열되어 있다. 이러한 특정 실시례에서, 각각의 고밀도 구역은 대체로 정사각형 또는 직사각형이고, 복수의 고밀도 구역의 각각의 고밀도 구역 사이의 간격 또는 채널은 X-Y 격자 패턴을 형성한다. 다른 실시례에서는, 복수의 돌출부(802)가 육각형 밀집 패턴 또는 무작위적 패턴을 가진다.
삽입된 도 8B를 참고하면, 폴리싱 패드(800)가 중앙 버튼(804)을 포함할 수 있다. 상기 버튼(804)은 폴리싱 패드 성질 테스트를 위한 구역을 제공하는 폴리싱 패드 물질의 돌출된 부분(예를 들면, 상기 돌출부(802)와 동일 평면 상에 있고 연속인 부분)이 될 수 있다. 이러한 한 가지 실시례에서, 버튼(804)의 구역에서는 폴리싱이 실행되지 않는다. 상기 버튼(804)은 돌출부(802)의 전체적인 패턴과 양립될 수 있는 형상을 가질 수 있다. 하나의 예시적인 실시례로서, 도 8B를 참고하면, 복수의 돌출부(802)는 전반적인 정사각형 밀집(또는 XY 격자) 배열을 가지고 있고, 버튼(804)은 변형된 정사각형 형상(이 경우에는, 네 개의 노치형 코너(notched corner)를 가진 정사각형)을 가지고 있다. 더욱이, 도시되어 있지는 않지만, 상기 버튼(804)은 폴리싱하기 위한 또는 폴리싱 패드를 플래턴에 부착시키기 위한 패드 제조 정보 및/또는 얼라인먼트 정보를 제공하는 클로킹 구조(clocking feature)를 포함할 수 있다. 이러한 한 가지 실시례에서, 버튼 구역(804)이 변형된 정사각형 형상의 한 변상에 클로킹 마크를 더 포함한다. 한 실시례에서는, 비록 상기와 같이 도시되어 있지는 않지만, 버튼 구역(804)도 테이퍼형 측벽을 가지고 있다.
삽입된 도 8C를 참고하면, 폴리싱 패드(800)의 외측 부분은 특정 폴리싱 목적을 위해 맞춤제작될 수 있다. 예를 들면, 도 8C는 폴리싱 패드(800)에 대한 예시적인 외측 구역을 나타내고 있는데, 상기 외측 구역에서는 폴리싱면이, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱체의 폴리싱측의 가장 바깥쪽 가장자리에 있는 복수의 돌출부(802)를 둘러싸는 중실 링(806)을 포함하고 있다. 중실 링(806)은 폴리싱체의 폴리싱측과 연속이고, 상기 중실 링과 복수의 돌출부(802) 사이에는 연속적인 홈이 배치되어 있다. 중실 링(806)의 연속적인 가장자리는, 뒤쪽 패드 절삭(backside pad cutting)을 위한 밀봉 및/또는 연속적이고 슬러리에 대해 댐 효과(dam effect)를 나타내는 폴리싱 패드(800)의 가장자리의 제공을 위한 좋은 위치를 제공할 수 있다. 한 실시례에서는, 비록 상기와 같이 도시되어 있지는 않지만, 상기 중실 링(806)도 테이퍼형 측벽을 가지고 있다.
도 8A 내지 도 8C를 다시 참고하면, 각각의 돌출부(802)가 폴리싱 패드(800)의 폴리싱면의 평면에서 네 개의 모든 코너부가 둥근 형상을 가지는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 다른 변형된 4변형 형상도 효과적인 폴리싱면을 제공하는데 적합할 수 있다. 상기 변형된 4변형 형상은 돌출부 형상의 360도 전체에서 대략적으로 동일한 치수를 가지는 돌출부의 본성을 나타낸다. 다시 말해서, 상기 돌출부(802)는 큰 아치형 숲 형태의 폴리싱 구조와 구별된다. 한 실시례에서, 변형된 4변형 돌출부 형상은, 예를 들면, XY 격자 절삭 방식의 몇몇 형태(예를 들면, 돌출부를 평면도상으로 보았을 때 기본적인 정사각형 기하학적 구조 또는 기본적인 직사각형 기하학적 구조를 타일 또는 돌출부)로, 폴리싱면에 패턴을 단지 절삭하는 것에 의해 얻는 것이 비현실적일 수 있는 것이다. 예를 들어, 도 9a를 참고하면, 한 실시례에서, 폴리싱 패드(800)의 복수의 변형된 4변형 돌출부(802)의 각각이 폴리싱면의 평면에, 비제한적인 예로서, 하나 이상의 둥근 코너(도 9a에 네 개의 둥근 코너를 가진 정사각형이 도시되어 있음), 하나 이상의 노치형 코너(도 9a에 네 개의 노치형 코너를 가진 정사각형이 도시되어 있음), 또는 하나 이상의 아치형 변(도 9a에 네 개의 아치형 변을 가진 정사각형이 도시되어 있음)과 같은 변형 형태를 가지고 있다. 이러한 한 가지 실시례에서, 변형된 4변형 돌출부(802)는, 아래에 보다 상세하게 설명되어 있는 것과 같이, 주형법에 의해 형성된다.
위에서 간략하게 언급한 바와 같이, 돌출부(802)의 변형된 4변형 형상은 하나 이상의 변형된 코너를 가진 것이 될 수 있다. 도 9b를 참고하면, 기초로 사용된 4변형 형상은, 비제한적인 예로서, 변형된-정사각형 형상, 변형된-직사각형 형상, 변형된-마름모 형상, 또는 변형된-사다리꼴 형상을 포함할 수 있다. 도 9b의 4변형 형상의 코너는 점선으로 도시되어 있고, 변형 형태(예를 들면, 둥글게 변형 또는 노치형으로 변형)를 형성하는 표시가 상기 위치들 중의 하나 이상에 위치될 수 있다는 것에 주의해야 한다. 다른 선택은, 도 9a와 관련하여 기술되어 있는 것과 같이, 상기 형상의 변들 중의 하나 이상을 아치형으로 하는 것을 포함한다. 더욱이, 한 실시례에서, 변형된 4변형 돌출부는, 변형된 4변형 돌출부가 폴리싱 패드의 몸체에 접근함에 따라 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있다. 다시 말해서, 한 실시례에서, 도 9a 및 도 9b의 각각의 돌출부는 폴리싱 패드의 몸체에서 더 크고 폴리싱 패드의 몸체로부터 멀어질수록 더 작다. 이와 같이, 상기 실시례에서, 각각의 돌출부는 원통형이 아니다.
폴리싱 패드(200) 또는 폴리싱 패드(800), 또는 폴리싱 패드의 상기한 변형형태와 같은, 본 명세서에 기술된 폴리싱 패드의 한 실시례에서, 폴리싱 돌출부(예를 들면, 도 2A 내지 도 2g, 도 3a, 도 3b, 도 4, 도 5a 내지 도 5c, 도 6a 내지 도 6d, 도 7, 도 8A 내지 도 8C, 도 9a 및 도 9b와 관련하여 기술된 폴리싱 돌출부)의 각각은 폴리싱체에서 1 밀리미터 내지 30 밀리미터의 범위 내에 있는 최대 횡방향 치수를 가지고 있다. 예를 들면, 원형상의 원통형 돌출부의 경우에는, 최대 횡방향 치수가 폴리싱체에서의 원의 지름이다. 변형된 정사각형 형상의 경우에는, 최대 횡방향 치수가 폴리싱면의 평면에서, 그리고 폴리싱체에서, 변형된 정사각형 형상을 가로지르는 치수이다. 한 실시례에서, 돌출부들 사이의 간격은 폴리싱면에서 대략 0.1 밀리미터 내지 3 밀리미터의 범위 내에 있고, 상기 폴리싱 패드(예를 들면, 도 5b와 관련하여 기술된 것과 같은 폴리싱 패드) 전체에 걸쳐서 동일할 수 있거나 상기 폴리싱 패드(예를 들면, 도 5c와 관련하여 기술된 것과 같은 폴리싱 패드) 전체에 걸쳐서 달라질 수 있다. 폴리싱면상에 있는 돌출부의 갯수는 사용처 및/또는 폴리싱 패드 크기에 의해 변경될 수 있다. 하나의 예시적인 실시례에 있어서, 폴리싱면에서 대략 29 인치 내지 32 인치 범위 내의 직경을 가지는 폴리싱 패드는 대략 50,000개 내지 200,000개의 돌출부를 포함한다. 한 실시례에서, 폴리싱 패드상의 각각의 돌출부의 높이는 대략 0.5 밀리미터 내지 1 밀리미터의 범위 내에 있다.
한 실시례에서, 폴리싱 패드의 동일한 폴리싱면 내에서 상기한 돌출부가 모두 동일한 크기로 될 필요는 없다. 예를 들면, 한 실시례에서, 동일한 폴리싱면에서, 돌출부들 중의 제1 부분은 폴리싱체에서 제1 최대 횡방향 치수를 가지는 반면에, 돌출부들 중의 제2 부분의 각각의 돌출부는 폴리싱체에서 상이한 제2 최대 횡방향 치수를 가진다. 이러한 특정의 예시적인 실시례에 있어서, 복수의 돌출부의 패턴은 폴리싱체에서 대략 1 밀리미터의 최대 횡방향 치수를 각각 가지는 복수의 돌출부에 의해 둘러싸인 폴리싱체에서 대략 10 밀리미터의 최대 횡방향 치수를 가진 돌출부를 포함한다.
부가적으로 또는 대체 실시형태로서, 한 실시례에 있어서, 폴리싱 패드의 동일한 폴리싱면내에서, 상기한 돌출부가 모두 동일한 형상을 가질 필요는 없다. 예를 들면, 한 실시례에서, 폴리싱면상의 돌출부들 중의 제1 부분의 각각의 돌출부는 폴리싱면의 평면에서 제1 형상을 가지는 반면에, 돌출부들 중의 제1 부분의 각각의 돌출부는 폴리싱면의 평면에서 상이한 제2 형상을 가진다. 더욱이 또는 대체 실시형태로서, 한 실시례에 있어서, 폴리싱 패드의 동일한 폴리싱면 내에서, 상기한 돌출부가 모두 동일한 높이를 가질 필요는 없다. 그러나, 모든 돌출부의 최고 지점은 동일 평면상에 있을 수 있다(예를 들면, 각각의 돌출부 중의 폴리싱하는 동안 웨이퍼 또는 기판과 접촉하는 부분이 대체로 평면을 형성한다). 예를 들면, 한 실시례에서, 돌출부들 중의 제1 부분의 각각의 돌출부는 폴리싱체로부터 제1 높이를 가지고 있는 반면에, 돌출부들 중의 제2 부분의 각각의 돌출부는 폴리싱체로부터 상이한 제2 높이를 가지고 있다. 그럼에도 불구하고, 상기 제1 부분과 제2 부분으로부터의 모든 돌출부는 폴리싱체로부터 먼쪽에서 대체로 동일 평면상에 있다. 이러한 배열은 평면인 폴리싱면을 유지하면서(예를 들면, 돌출부의 최외측 표면에서), 폴리싱 패드 내에 저장소 또는 다른 슬러리 처리 구조의 형성을 가능하게 할 수 있다.
폴리싱 패드(200) 또는 폴리싱 패드(800), 또는 폴리싱 패드의 상기한 변형형태와 같은, 본 명세서에 기술된 폴리싱 패드의 한 실시례에서, 복수의 돌출부의 총표면적은 폴리싱체의 폴리싱측의 총표면적의 대략 40% 내지 80%의 범위 내에 있다. 제1 예시적인 실시례에서, 대략 80 밀(mil)의 직경과 대략 20 밀(mil)의 간격을 가지는 육각형 밀집 원형 돌출부(hexagonal packed circular protrusion)인 돌출부(예를 들면, 도 2B 및 도 5a와 관련하여 기술된 것과 같은 것)는 대략 58%의 돌출부 표면의 접촉 면적을 제공한다. 제2 예시적인 실시례에서, 대략 80 밀(mil)의 직경과 대략 16 밀(mil)의 간격을 가지는 정사각형 밀집 원형 돌출부인 돌출부(예를 들면, 도 5b와 관련하여 기술된 것과 같은 것)는 대략 54.5%의 돌출부 표면의 접촉 면적을 제공한다. 제3 예시적인 실시례에서, 대략 80 밀(mil)의 직경과 XY 채널의 구역들 사이에 대략 16 밀(mil), 또는 대략 35 밀(mil)의 간격을 가지는 정사각형 밀집 원형 돌출부이고 돌출부의 구역들 사이에 XY 채널을 가지는 돌출부(예를 들면, 도 5c와 관련하여 기술된 것과 같은 것)는 대략 48%의 돌출부 표면의 접촉 면적을 제공한다. 제4 예시적인 실시례에서, 대략 120 밀(mil)의 최대 횡방향 치수와 대략 40 밀(mil)의 간격을 가지는 XY 격자 형태로 밀집된 둥근 코너를 가진 성형된 정사각형인 돌출부(예를 들면, 도 8A와 관련하여 기술된 것과 같은 것)는 대략 54.3%의 돌출부 표면의 접촉 면적을 제공한다.
한 실시례에서, 폴리싱 패드(200) 또는 폴리싱 패드(800), 또는 폴리싱 패드의 상기한 변형형태와 같은, 본 명세서에 기술된 폴리싱 패드는 기판을 폴리싱하는데 적합하다. 상기 기판은, 배치된 장치 또는 다른 레이어를 가지고 있는 실리콘 기판과 같이, 반도체 제조 산업에서 사용되는 것일 수 있다. 그러나, 상기 기판은, 비제한적인 예로서, MEMS 장치, 레티클(reticle), 또는 태양광 모듈용 기판과 같은 것일 수 있다. 따라서, 본 명세서에 사용된 "기판을 폴리싱하는 폴리싱 패드" 라는 용어는 이러한 가능성 및 이와 관련된 가능성을 포함하는 것이다.
폴리싱 패드(200) 또는 폴리싱 패드(800), 또는 폴리싱 패드의 상기한 변형형태와 같은, 본 명세서에 기술된 폴리싱 패드는 열경화성 폴리우레탄 물질의 균질한 폴리싱체로 이루어질 수 있다. 한 실시례에서, 상기 균질한 폴리싱체는 열경화성의 폐쇄 셀 폴리우레탄 물질(closed cell polyurethane material)로 이루어져 있다. 하나의 실시례에서, "균질" 이라는 용어는 열경화성의 폐쇄 셀 폴리우레탄 물질의 조성이 상기 폴리싱체의 전체 조성에 걸쳐서 일정한 것을 나타내기 위해서 사용된다. 예를 들면, 하나의 실시례에서, "균질" 이라는 용어는, 예를 들면, 함침 펠트(impregnated felt) 또는 상이한 물질의 복수 레이어의 조성물(합성물)로 이루어진 폴리싱 패드를 배제한다. 하나의 실시례에서, "열경화성" 이라는 용어는 비가역적으로 경화되는, 예를 들면, 물질에 대한 전구체(precursor)가 경화에 의해 불용해성의, 불용성 폴리머 망구조로 비가역적으로 변화하는 폴리머 물질을 나타내기 위해서 사용된다. 예를 들면, 하나의 실시례에서, "열경화성" 이라는 용어는, 예를 들면, "써모플라스트(thermoplast)" 물질 또는 "열가소성 수지" - 가열되면 액체상태로 되고 충분히 냉각되면 매우 유리질의 상태로 돌아오는 폴리머로 이루어진 물질 - 로 이루어진 폴리싱 패드는 배제한다. 열경화성 물질로 만들어진 폴리싱 패드는 통상적으로 화학 반응으로 폴리머를 형성하도록 반응하는 저분자량 전구체로부터 제조되는 반면에, 열가소성 물질로 만들어진 폴리싱 패드는 통상적으로 폴리싱 패드가 물리적인 공정으로 형성되도록 기존의 폴리머를 가열하여 상변화를 일으킴으로써 제조된다. 폴리우레탄 열경화성 폴리머는 안정적인 열적 성질 및 기계적 성질, 화학적 환경에 대한 저항성, 그리고 내마모성에 대한 경향에 기초하여 본 명세서에 기술된 폴리싱 패드를 제조하기 위해서 선택될 수 있다.
한 실시례에서, 균질한 폴리싱체는, 컨디셔닝(conditioning) 및/또는 폴리싱처리하면, 대략 1 미크론 내지 5 미크론 제곱 평균 제곱근(root mean square) 범위의 폴리싱면 거칠기를 가진다. 하나의 실시례에서, 균질한 폴리싱체는, 컨디셔닝 및/또는 폴리싱처리하면, 대략 2.35 미크론 제곱 평균 제곱근의 폴리싱면 거칠기를 가진다. 하나의 실시례에서, 균질한 폴리싱체는 섭씨 25도에서 대략 30 내지 120 메가파스칼(MPa) 범위의 저장 탄성률(storage modulus)을 가지고 있다. 다른 실시례에서는, 균질한 폴리싱체가 섭씨 25도에서 대략 30 메가파스칼(MPa)보다 작은 저장 탄성률을 가지고 있다. 한 실시례에서, 균질한 폴리싱체는 대략 2.5%의 압축률을 가진다. 한 실시례에서, 균질한 폴리싱체는 대략 0.70 내지 1.05 세제곱 센티미터당 그램의 밀도를 가진다.
한 실시례에서, 폴리싱 패드(200) 또는 폴리싱 패드(800), 또는 폴리싱 패드의 상기한 변형형태와 같은, 본 명세서에 기술된 폴리싱 패드는 성형된 균질한 폴리싱체를 포함한다. "성형된(molded)" 이라는 용어는, 도 1lA 내지 도 11F와 관련하여 아래에서 보다 상세하게 기술되어 있는 바와 같이, 균질한 폴리싱체가 성형용 금형(formation mold)으로 형성되는 것을 나타내기 위해서 사용된다.
한 실시례에서, 폴리싱 패드(200) 또는 폴리싱 패드(800), 또는 폴리싱 패드의 상기한 변형형태와 같은, 본 명세서에 기술된 폴리싱 패드는 복수의 폐쇄 셀 기공(closed cell pore)가진 폴리싱체를 포함한다. 한 실시례에서, 복수의 폐쇄 셀 기공은 복수의 기공유도중합체(porogen)이다. 예를 들면, "기공유도중합체" 라는 용어는 "빈" 중심부를 가진 마이크로 단위 또는 나노 단위의 구형 또는 어느 정도 구형인 입자를 나타내기 위해서 사용될 수 있다. 상기 빈 중심부는 고체 물질로 채워져 있지 않지만, 가스 또는 액체 코어를 포함할 수 있다. 한 가지 실시례에서, 복수의 폐쇄 셀 기공은 폴리싱 패드의 균질한 폴리싱체 전체에 걸쳐서 분포된 미리 팽창되어 있으며 가스가 충전된 EXPANCELTM(예를 들면, 부가적인 구성요소로서)로 이루어져 있다. 특정 실시례에서, EXPANCELTM은 펜탄(pentane)으로 채워져 있다. 하나의 실시례에서, 복수의 폐쇄 셀 기공의 각각은 대략 10 미크론 내지 100 미크론 범위의 직경을 가지고 있다. 하나의 실시례에서, 복수의 폐쇄 셀 기공은 서로 분리되어 있는 기공들을 포함하고 있다. 이것이 보통의 스폰지에 있는 기공에 대한 경우와 같이, 터널을 통하여 서로 연결될 수 있는 개방 셀 기공과 대비되는 것이다. 한 가지 실시례에서, 폐쇄 셀 기공의 각각은, 상기한 바와 같이, 기공유도중합체의 뼈대와 같은, 물리적인 뼈대(physical shell)를 포함하고 있다. 그러나, 다른 실시례에서는, 폐쇄 셀 기공의 각각이 물리적인 뼈대를 포함하고 있지 않다. 하나의 실시례에서, 복수의 폐쇄 셀 기공이 균질한 폴리싱체의 열경화성 폴리우레탄 물질 전체에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 분포되어 있다. 한 실시례에서, 균질한 폴리싱체는 대략 6% 내지 50% 범위의 총 공극 체적(total void volume), 어쩌면 대략 15% 내지 35% 범위의 총 공극 체적인 기공 밀도를 가지고 있다. 한 실시례에서, 균질한 폴리싱체는, 상기한 바와 같이, 복수의 기공유도중합체를 포함하는 것으로 인해, 폐쇄 셀 형태의 공극율(porosity)을 가진다.
한 실시례에서, 균질한 폴리싱체는 불투명하다. 한 실시례에서, "불투명" 이라는 용어는 가시광선이 대략 10% 이하로 통과할 수 있는 물질을 나타내기 위해서 사용된다. 한 실시례에서, 균질한 폴리싱체가 불투명한 것은 대부분, 또는 전적으로 균질한 폴리싱체의 균질한 열경화성 폐쇄 셀 폴리우레탄 물질 전체에 걸쳐서 불투명하게 하는 윤활유(예를 들면, 부가적인 구성요소로서)를 포함하는 것으로 인한 것이다. 특정 실시례에서, 상기 불투명하게 하는 윤활유는, 비제한적인 예로서, 질화 붕소, 불화 세륨(cerium fluoride), 흑연, 흑연 불화물(graphite fluoride), 황화 몰리브덴(molybdenum sulfide), 니오븀 황화물(niobium sulfide), 활석, 탄탈룸 황화물(tantalum sulfide), 텅스텐 이황화물(tungsten disulfide), 또는 테플론과 같은 물질이다.
균질한 폴리싱체의 크기는 사용처에 따라 달라질 수 있다. 그럼에도 불구하고, 특정 파라미터는 종래의 처리 장비나 심지어 종래의 화학적 기계적 처리 작업과 양립할 수 있는 균질한 폴리싱체를 포함하는 폴리싱 패드를 만들기 위해서 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 한 실시례에 따르면, 균질한 폴리싱체가 대략 0.075 인치 내지 0.130 인치의 범위, 예를 들면, 대략 1.9 밀리미터 내지 3.3 밀리미터의 범위의 두께를 가지고 있다. 한 실시례에서는, 균질한 폴리싱체가 대략 20 인치 내지 30.3 인치의 범위, 예를 들면, 대략 50 센티미터 내지 내지 77 센티미터의 범위, 그리고 어쩌면 대략 10 인치 내지 42 인치의 범위, 예를 들면, 대략 25 센티미터 내지 107 센티미터의 범위의 직경을 가지고 있다.
본 발명의 다른 실시례에서는, 복수의 연속적인 돌출부를 가지고 있는 폴리싱면을 가진 폴리싱 패드가 폴리싱 패드에 배치된 국소 투명 구역(LAT)을 더 포함하고 있다. 예를 들면, 도 10은 돌출부 패턴의 평면도를 나타내고 있는데, 상기 돌출부 패턴은, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱 패드(1000)의 폴리싱면(1002)에 배치된 국소 투명 구역(LAT) 및/또는 표시 구역에 의해 중단되어 있다. 상세하게 말하자면, 국소 투명 구역(LAT)(1004)이 폴리싱 패드(1000)의 폴리싱체에 배치되어 있다. 도 10에 도시되어 있는 바와 같이, 국소 투명 구역(LAT)(1004)은 돌출부의 패턴(1010)을 중단시킨다. 한 실시례에서, 국소 투명 구역(LAT)(1004)은 폴리싱 패드(1000)의 균질한 폴리싱체에 배치되어 있으며 폴리싱 패드(1000)의 균질한 폴리싱체와 공유결합되어 있다. 적절한 국소 투명 구역(LAT)의 예는 넥스플래너사(NexPlanar Corporation)에 양도된, 2010년 1월 13일자로 출원된 미국 특허출원 12/657,135호와, 넥스플래너사에 양도된, 2010년 9월 30일자로 출원된 미국 특허출원 12/895,465호에 개시되어 있다.
대체 실시례에서는, 본 명세서에 기술된 폴리싱 패드가 폴리싱면과 폴리싱체에 배치된 구멍을 더 포함하고 있다. 폴리싱체의 뒷면에는 접착 시트가 배치되어 있다. 상기 접착 시트는 폴리싱체의 뒷면에서 상기 구멍에 대해 불침투성 시일을 제공한다. 적절한 구멍의 예는, 넥스플래너사에 양도된, 2011년 7월 15일자로 출원된 미국 특허출원 13/184,395호에 개시되어 있다.
다른 실시례에서는, 연속적인 돌출부 패턴을 가지고 있는 폴리싱면을 가진 폴리싱 패드가, 예를 들면, 와류 검출 시스템(eddy current detection system)에 사용되는 검출 구역을 더 포함한다. 예를 들어, 도 10을 다시 참고하면, 폴리싱 패드(1000)의 폴리싱면(1002)이 폴리싱 패드(1000)의 뒷면에 배치된 검출 구역의 위치를 나타내는 표시 구역(1006)을 포함한다. 한 실시례에서는, 도 10에 도시되어 있는 바와 같이, 표시 구역(1006)이 돌출부(1008)의 제2 패턴으로 돌출부의 패턴(1010)을 중단시킨다. 적절한 와류 검출 구역의 예는 넥스플래너사에 양도된, 2010년 9월 30일자로 출원된 미국 특허출원 12/895,465호에 개시되어 있다.
폴리싱 패드(200) 또는 폴리싱 패드(800), 또는 폴리싱 패드의 상기한 변형형태와 같은, 본 명세서에 기술된 폴리싱 패드는 폴리싱체의 뒷면에 배치된 기초 레이어를 더 포함할 수 있다. 이러한 한 가지 실시례에서, 결과물은 폴리싱면의 재료와 다른 벌크 재료 또는 기초 재료를 가진 폴리싱 패드이다. 한 실시례에서, 복합 폴리싱 패드(composite polishing pad)는 폴리싱면 레이어가 배치되는 안정적이고 본질적으로 비압축성인 불활성 물질로 제조된 기초 레이어 또는 벌크 레이어를 포함하고 있다. 경질의 기초 레이어는 패드 완전성(pad integrity)을 위한 지지와 강도를 제공할 수 있는 반면에, 연질의 폴리싱면 레이어는 흠집이 생기는 것을 감소시킬 수 있고, 폴리싱 레이어의 물질의 성질과 폴리싱 패드의 나머지 부분의 물질의 성질을 분리시킬 수 있다. 적절한 기초 레이어의 예는 넥스플래너사에 양도된, 2011년 11월 29일자로 출원된 미국 특허출원 13/306,845호에 개시되어 있다.
폴리싱 패드(200) 또는 폴리싱 패드(800), 또는 폴리싱 패드의 상기한 변형형태와 같은, 본 명세서에 기술된 폴리싱 패드는 폴리싱체의 뒷면에 배치된 서브 패드, 예를 들면, CMP 기술 분야에 알려져 있는 통상적인 서브 패드를 더 포함할 수 있다. 이러한 한 가지 실시례에서, 서브 패드는, 비제한적인 예로서, 폼(foam), 고무, 섬유, 펠트(felt) 또는 고다공성 물질(highly porous material)과 같은 물질로 이루어져 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면이 주조법으로 제조될 수 있다. 예를 들면, 도 11a 내지 도 11f는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 폴리싱 패드의 제조에 사용되는 여러 작업의 단면도를 나타내고 있다.
도 11a를 참고하면, 성형용 금형(1100)이 제공되어 있다. 도 11b를 참고하면, 프리-폴리머(1102)와 경화제(1104)가 혼합되어, 도 11c에 도시되어 있는 바와 같이, 성형용 금형(1100)에서 혼합물(1106)을 형성한다. 한 실시례에서, 프리-폴리머(1102)와 경화제(1104)를 혼합하는 혼합공정은 이소시아네이트와 방향족 다이아민 화합물을 각각 혼합하는 것을 포함한다. 한 가지 실시례에서, 상기 혼합공정은 궁극적으로 불투명한 성형된 균질한 폴리싱체를 제공하기 위하여 불투명하게 하는 윤활유를 프리-폴리머(1102)와 경화제(1104)에 첨가하는 것을 더 포함한다. 특정 실시례에서, 상기 불투명하게 하는 윤활유는, 비제한적인 예로서, 질화 붕소, 불화 세륨, 흑연, 흑연 불화물, 황화 몰리브덴, 니오븀 황화물, 활석, 탄탈룸 황화물, 텅스텐 이황화물, 또는 테플론과 같은 물질이다.
한 실시례에서는, 폴리싱 패드 전구체 혼합물(1106)이 궁극적으로 열경화성 폐쇄 셀 폴리우레탄 물질로 이루어진 성형된 균질한 폴리싱체를 형성하기 위해서 사용된다. 한 실시례에서는, 폴리싱 패드 전구체 혼합물(1106)이 궁극적으로 경질 패드를 형성하기 위해서 사용되고 한 종류의 경화제만 사용된다. 다른 실시례에서는, 폴리싱 패드 전구체 혼합물(1106)이 궁극적으로 연질 패드를 형성하기 위해서 사용되고 1차 경화제와 2차 경화제의 조합물이 사용된다. 예를 들면, 특정 실시례에서, 프리-폴리머(pre-polymer)는 폴리우레탄 전구체(polyurethane precursor)를 포함하고 있고, 1차 경화제는 방향족 디아민 화합물(aromatic diamine compound)을 포함하고 있고, 그리고 2차 경화제는 에테르 결합을 가진 화합물을 포함하고 있다. 특정 실시례에서, 폴리우레탄 전구체는 이소시아네이트이고, 1차 경화제는 방향족 다이아민이고, 그리고 2차 경화제는, 비제한적인 예로서, 폴리테트라메틸렌 글리콜(polytetramethylene glycol), 아미노-기능화 글리콜(amino-functionalized glycol), 또는 아미노-기능화 폴리옥시프로필렌(amino-functionalized polyoxypropylene)와 같은 경화제이다. 하나의 실시례에서, 프리-폴리머, 1차 경화제, 그리고 2차 경화제는 프리-폴리머 100, 1차 경화제 85, 그리고 2차 경화제 15의 대략적인 몰 비(molar ratio)를 가지고 있다. 상기 몰 비는, 폴리싱 패드에 변화하는 경도값을 제공하기 위해서, 또는 프리-폴리머와 1차 경화제와 2차 경화제의 특성에 기초하여 변경될 수 있다는 사실을 이해하여야 한다.
도 11d를 참고하면, 성형용 금형(1100)의 뚜껑(1108)이 상기 혼합물(1106) 속으로 하강한다. 상기 뚜껑(1108)의 평면도는 도 11d의 상부에 도시되어 있고, a-a' 축을 따르는 단면도는 도 11d의 하부에 도시되어 있다. 하나의 실시례에서, 상기 뚜껑(1108)에는 홈 패턴(1110), 예를 들면, 도 11d에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 뚜껑의 베이스를 향하여 안쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가진 홈이 배치되어 있다. 상기 홈 패턴(1110)은 성형용 금형(1100)에서 형성된 폴리싱 패드의 폴리싱면에 돌출부의 패턴을 찍어내기 위해서 사용된다.
성형용 금형(1100)의 뚜껑(1108)을 하강시키는 것을 기술하는 본 명세서에 기술된 실시례는 단지 성형용 금형(1100)의 뚜껑(1108)과 베이스를 접근시키는 것을 달성할 필요가 있다는 사실을 이해하여야 한다. 다시 말해서, 몇 가지 실시례에서는, 성형용 금형(1100)의 베이스를 성형용 금형의 뚜껑(1108)쪽으로 상승시키는 반면에, 다른 실시례에서는 성형용 금형(1100)의 베이스를 성형용 금형(1100)의 뚜껑(1108)쪽으로 상승시킴과 동시에 성형용 금형(1100)의 뚜껑(1108)을 성형용 금형(1100)의 베이스쪽으로 하강시킨다.
도 11e를 참고하면, 혼합물(1106)이 경화되어 성형용 금형(1100)에서 성형된 균질한 폴리싱체(1112)를 제공한다. 성형된 균질한 폴리싱체(1112)를 제공하기 위해서 상기 혼합물(1106)이 압력하에서(예를 들면, 뚜껑(1108)이 제위치에 있는 상태에서) 가열된다. 하나의 실시례에서, 성형용 금형(1100)에서의 가열은 대략 화씨 200도 내지 260도 범위의 온도와 평방 인치당 대략 2 내지 12 파운드 범위의 압력에서 성형용 금형(1100) 내의 혼합물(1106)을 둘러싸는 뚜껑(1108)이 있는 상태에서 적어도 부분적으로 경화시키는 것을 포함한다.
도 11f를 참고하면, 폴리싱 패드(또는, 추가적인 경화가 필요한 경우에는, 폴리싱 패드 전구체)가 뚜껑(1108)으로부터 분리되고 성형용 금형(1100)으로부터 제거되어 별개의 성형된 균질한 폴리싱체(1112)를 제공한다. 성형된 균질한 폴리싱체(1112)의 평면도는 도 11f의 하부에 도시되어 있고, b-b'축을 따르는 단면도는 도 11f의 상부에 도시되어 있다. 형성된 돌출부는 폴리싱 패드를 향하여 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있다.
가열을 통하여 폴리싱 패드를 더욱 경화시키는 것이 바람직할 수 있으며 폴리싱 패드를 오븐에 배치시켜서 가열하는 것에 의해서 수행될 수 있다는 것을 주의해야 한다. 따라서, 한 실시례에서, 상기 혼합물(1106)을 경화시키는 것은 먼저 성형용 금형(1100) 내에서 부분적으로 경화시킨 다음 오븐에서 더 경화시키는 것을 포함한다. 어느 경우에나, 궁극적으로 폴리싱 패드(1050)가 제공되고, 폴리싱 패드의 성형된 균질한 폴리싱체(1112)가 폴리싱면(1114)과 뒷면(1116)을 가진다. 한 실시례에서, 성형된 균질한 폴리싱체(1112)는 열경화성 폴리우레탄 물질 및 이 열경화성 폴리우레탄 물질에 배치된 복수의 폐쇄 셀 기공으로 이루어진다. 성형된 균질한 폴리싱체(1112)는 뚜껑(1108)의 홈 패턴(1110)에 상응하는 돌출부 패턴(1120)을 가지고 있는 폴리싱면(1114)을 포함한다. 돌출부 패턴(1120)은, 예를 들면, 도 2A 내지 도 2g, 도 3a, 도 3b, 도 4, 도 5a 내지 도 5c, 도 6a 내지 도 6d, 도 7, 도 8A 내지 도 8C, 도 9a 및 도 9b에 대해서, 상기한 것과 같은 돌출부 패턴으로 될 수 있다.
하나의 실시례에서, 도 11b를 다시 참고하면, 상기 혼합공정은 종국적으로 형성된 폴리싱 패드에 폐쇄 셀 기공을 제공하기 위해서 복수의 기공유도중합체(1122)를 프리-폴리머(1102)와 경화제(1104)에 첨가하는 것을 더 포함하고 있다. 따라서, 한 실시례에서, 각각의 폐쇄 셀 기공은 물리적인 뼈대(physical shell)를 가지고 있다. 다른 실시례에서는, 도 11b를 다시 참고하면, 상기 혼합공정은 종국적으로 형성된 폴리싱 패드에 폐쇄 셀 기공을 제공하기 위해서 가스(1124)를 프리-폴리머(1102)와 경화제(1104)에 주입하거나, 프리-폴리머(1102)와 경화제(1104)로부터 형성된 생산물에 주입하는 것을 더 포함하고 있다. 따라서, 한 실시례에서, 각각의 폐쇄 셀 기공은 물리적인 뼈대를 가지고 있지 않다. 이들의 조합 실시례에서는, 상기 혼합공정이 각각 물리적인 뼈대를 가지고 있는 폐쇄 셀 기공의 제1 부분을 제공하기 위해서 복수의 기공유도중합체(1122)를 프리-폴리머(1102)와 경화제(1104)에 첨가하는 것을 더 포함하고, 각각 물리적인 뼈대를 가지고 있지 않은 폐쇄 셀 기공의 제2 부분을 제공하기 위해서 가스(1124)를 프리-폴리머(1102)와 경화제(1104)에 주입하거나, 프리-폴리머(1102)와 경화제(1104)로부터 형성된 생산물에 주입하는 것을 더 포함하고 있다. 또 다른 실시례에서는, 프리-폴리머(1102)가 이소시아네이트이고 상기 혼합공정이 각각 물리적인 뼈대를 가지고 있지 않은 폐쇄 셀 기공을 제공하기 위해서 물(H20)을 프리-폴리머(1102)와 경화제(1104)에 첨가하는 것을 더 포함하고 있다.
따라서, 본 발명의 실시례에서 구상하고 있는 돌출부 패턴은 현장에서 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기한 것과 같이, 테이퍼형 측벽을 가진 연속적인 돌출부 패턴을 가지고 있는 폴리싱면을 가진 폴리싱 패드를 형성하기 위해서 압축 성형법(compression-molding process)이 이용될 수 있다. 성형법을 이용함으로써, 폴리싱 패드 내의 매우 일정한 돌출부 치수를 달성할 수 있다. 또한, 매우 매끈하고, 깨끗한 돌출부 표면과 함께 고도로 재현가능한 돌출부 치수가 만들어질 수 있다. 다른 장점은 결함 및 미세한 스크래치의 감소 그리고 매우 유용한 돌출부 깊이를 포함할 수 있다. 특히 유용한 실시례에서는, 돌출부를 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지도록 형성함으로써 성형 공정 동안 제조 금형(manufacturing mold)으로부터 탈형하는 것이 용이하게 된다. 예를 들면, 금형 뚜껑의 대응하는 홈은 패턴의 가장 바깥쪽 부분에 접근함에 따라 넓어진다. 복수의 돌출부에 대응하는 상기 뚜껑의 넓은 외측 부분은 부분적으로 또는 완전히 경화된 성형된 폴리싱 패드를 금형의 패턴으로부터 쉽게 분리시킬 수 있게 해 준다.
본 명세서에 기술된 폴리싱 패드는 다양한 화학적 기계적 폴리싱 장치에 사용하기에 적합할 수 있다. 한 가지 예로서, 도 12는, 본 발명의 한 실시례에 따른, 테이퍼형 측병을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드에 적합한 폴리싱 장치의 사시도를 나타내고 있다.
도 12를 참고하면, 폴리싱 장치(1200)가 플래턴(1204)을 포함하고 있다. 플래턴(1204)의 상부면(1202)은 폴리싱 돌출부 패턴을 가진 폴리싱 패드를 지지하는데 사용될 수 있다. 플래턴(1204)은 스핀들 회전(1206)과 슬라이더 진동(1208)을 제공하도록 구성될 수 있다. 샘플 캐리어(1210)는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼(1211)를 폴리싱 패드로 폴리싱하는 동안 반도체 웨이퍼(1211)를 제위치에 유지시키는데 사용된다. 샘플 캐리어(1210)는 서스펜션 기구(1212)에 의해 지지되어 있다. 반도체 웨이퍼를 폴리싱하기 전과 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 동안 폴리싱 패드의 표면에 슬러리를 제공하기 위해서 슬러리 피드(1214)가 포함되어 있다. 컨디셔닝 유닛(1290)이 포함될 수도 있고, 한 가지 실시례에서는, 폴리싱 패드를 컨디셔닝처리하는 다이아몬드 팁을 포함하고 있다.
상기와 같이, 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드를 개시하였다. 본 발명의 한 실시례에 따르면, 기판을 폴리싱하는 폴리싱 패드는 뒷면 반대쪽에 폴리싱측을 가지고 있는 폴리싱체를 포함하고 있다. 상기 폴리싱 패드는 또한 폴리싱체의 폴리싱측과 연속인 복수의 돌출부를 가지고 있는 폴리싱면을 포함하고 있다. 각각의 돌출부는 폴리싱체로부터 말단부에 편평한 표면 및 상기 편평한 표면으로부터 폴리싱체를 향하여 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있다. 한 실시례에서는, 각각의 돌출부의 측벽이 평면이다. 한 실시례에서는, 각각의 돌출부의 측벽이 곡면이다. 한 실시례에서는, 각각의 돌출부의 측벽이 계단형이다.

Claims (69)

  1. 기판을 폴리싱하는 폴리싱 패드로서,
    뒷면 반대쪽에 폴리싱측을 가지고 있는 폴리싱체; 및
    상기 폴리싱체의 폴리싱측과 연속인 복수의 돌출부를 포함하고 있고, 각각의 돌출부는 상기 폴리싱체로부터 말단부에 편평한 표면 및 상기 편평한 표면으로부터 상기 폴리싱체를 향하여 상기 편평한 표면을 기준으로 바깥쪽으로 테이퍼형태로 된 측벽을 가지고 있는 폴리싱면;을 포함하고,
    상기 복수의 돌출부는 육각형 밀집 패턴으로 배열되어 있으며,
    상기 폴리싱체의 폴리싱측의 가장 바깥쪽 가장자리에 상기 복수의 돌출부를 둘러싸는 중실 링을 더 포함하고 있고, 상기 중실 링은 상기 폴리싱체의 폴리싱측과 연속이고, 상기 복수의 돌출부의 육각형 밀집 패턴의 윤곽을 따르는 내측 형상을 가지며,
    상기 복수의 돌출부의 육각형 밀집 패턴은 상기 중실 링 안에서 복수의 홈에 의하여 중단되어 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  2. 제1항에 있어서, 각각의 돌출부의 상기 측벽은 평면인 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 측벽은 상기 폴리싱체의 폴리싱면의 법선에 대해 30도보다 작은 각도로 테이퍼형태로 되어 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  4. 제3항에 있어서, 상기 측벽은 상기 폴리싱체의 폴리싱면의 법선에 대해 0.1도 내지 10도 범위의 각도로 테이퍼형태로 되어 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  5. 제1항에 있어서, 각각의 돌출부의 상기 측벽은 곡면인 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  6. 제1항에 있어서, 각각의 돌출부의 상기 측벽은 계단형인 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  7. 제1항에 있어서, 상기 복수의 돌출부의 각각의 편평한 표면이 원형, 타원형 및 다각형으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 형상을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부의 육각형 밀집 패턴은 상기 중실 링에 인접하여 엇갈림식 배열로 종결되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부의 육각형 밀집 패턴 내의 중앙에 배치된 버튼 구역을 더 포함하고 있고, 상기 버튼 구역은 육각형 형상을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  11. 제10항에 있어서, 상기 버튼 구역이 상기 육각형 형상의 한 변에 삼각형 클로킹 마크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  12. 삭제
  13. 제1항에 있어서, 상기 복수의 돌출부가 복수의 고밀도 구역으로 배열되어 있고, 상기 복수의 고밀도 구역은 인접한 고밀도 구역들의 인접한 돌출부들 사이에서보다 고밀도 구역 내의 인접한 돌출부들 사이에서 더 작은 간격을 가지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제1항에 있어서, 상기 복수의 돌출부의 각각은 상기 폴리싱체에 인접하여 1 밀리미터 내지 30 밀리미터의 범위내의 최대 횡방향 치수를 가지고 있고, 상기 복수의 돌출부 사이의 간격은 상기 폴리싱체에 인접하여 0.1 밀리미터 내지 3 밀리미터의 범위내인 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  19. 제1항에 있어서, 상기 복수의 돌출부의 제1 부분의 각각의 돌출부는 상기 폴리싱체에 인접하여 제1 최대 횡방향 치수를 가지고 있고, 상기 복수의 돌출부의 제2 부분의 각각의 돌출부는 상기 폴리싱체에 인접하여 상기 제1 최대 횡방향 치수와 상이한 제2 최대 횡방향 치수를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  20. 제19항에 있어서, 상기 복수의 돌출부의 패턴은 상기 폴리싱체에 인접하여 1 밀리미터의 최대 횡방향 치수를 각각 가진 복수의 돌출부에 의해 둘러싸인 상기 폴리싱체에 인접하여 10 밀리미터의 최대 횡방향 치수를 가진 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  21. 제1항에 있어서, 상기 복수의 돌출부의 제1 부분의 각각의 돌출부의 편평한 표면은 제1 형상을 가지고 있고, 상기 복수의 돌출부의 제2 부분의 각각의 돌출부의 편평한 표면은 상기 제1 형상과 상이한 제2 형상을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  22. 제1항에 있어서, 상기 복수의 돌출부의 총표면적은 상기 폴리싱체의 폴리싱측의 총표면적의 40% 내지 80%의 범위내인 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  23. 제1항에 있어서, 상기 복수의 돌출부의 각각의 높이는 0.5 밀리미터 내지 1 밀리미터의 범위내인 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  24. 제1항에 있어서, 상기 복수의 돌출부는 29 인치 내지 32 인치의 범위의 직경을 가진 폴리싱 패드에 대해서 50,000개 내지 200,000개의 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  25. 삭제
  26. 제1항에 있어서, 상기 복수의 돌출부의 제1 부분의 각각의 돌출부는 상기 폴리싱체로부터 제1 높이를 가지고 있고, 상기 복수의 돌출부의 제2 부분의 각각의 돌출부는 상기 폴리싱체로부터 상기 제1 높이와 상이한 제2 높이를 가지고 있지만, 상기 제1 부분의 각각의 돌출부와 상기 제2 부분의 각각의 돌출부는 상기 폴리싱체의 서로 다른 높이로부터 돌출되어, 상기 복수의 돌출부 모두는 상기 폴리싱체로부터 말단부에서 동일 평면상에 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  27. 제1항에 있어서, 상기 폴리싱체와 폴리싱면은 모두 균질하고 통합되어 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  28. 제27항에 있어서, 상기 폴리싱체와 폴리싱면은 성형된 폴리우레탄 물질로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  29. 제28항에 있어서, 상기 성형된 폴리우레탄 물질은 6% 내지 50% 범위의 총 공극 체적인 폐쇄 셀 기공의 기공 밀도를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  30. 제1항에 있어서,
    상기 폴리싱체의 뒷면에 배치된 기초 레이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  31. 제1항에 있어서,
    상기 폴리싱체의 뒷면에 배치된 검출 구역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  32. 제1항에 있어서,
    상기 폴리싱면과 폴리싱체에 배치된 구멍; 및
    상기 폴리싱체의 뒷면에 배치된 접착 시트;
    를 더 포함하고 있고,
    상기 접착 시트는 상기 폴리싱체의 뒷면에서 상기 구멍에 대해 불침투성 시일을 제공하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  33. 제1항에 있어서,
    상기 폴리싱체의 뒷면에 배치된 서브 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  34. 제1항에 있어서,
    상기 폴리싱체에 배치된 국소 투명 구역(LAT)을 더 포함하고 있고, 상기 국소 투명 구역(LAT)은 상기 복수의 돌출부의 패턴을 중단시키는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  35. 제1항에 있어서, 각각의 돌출부에 대해서, 상기 측벽의 각각의 일부분이 상기 편평한 표면의 밑에서 언더컷 부분을 가진 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
  39. 삭제
  40. 삭제
  41. 삭제
  42. 삭제
  43. 삭제
  44. 삭제
  45. 삭제
  46. 삭제
  47. 삭제
  48. 삭제
  49. 삭제
  50. 삭제
  51. 삭제
  52. 삭제
  53. 삭제
  54. 삭제
  55. 삭제
  56. 삭제
  57. 삭제
  58. 삭제
  59. 삭제
  60. 삭제
  61. 삭제
  62. 삭제
  63. 삭제
  64. 삭제
  65. 삭제
  66. 삭제
  67. 삭제
  68. 삭제
  69. 삭제
KR1020157027915A 2013-03-14 2014-03-05 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드 KR101669848B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/829,990 2013-03-14
US13/829,990 US10160092B2 (en) 2013-03-14 2013-03-14 Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions having tapered sidewalls
PCT/US2014/020754 WO2014158892A1 (en) 2013-03-14 2014-03-05 Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions having tapered sidewalls

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167011701A Division KR101708744B1 (ko) 2013-03-14 2014-03-05 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150127181A KR20150127181A (ko) 2015-11-16
KR101669848B1 true KR101669848B1 (ko) 2016-10-27

Family

ID=50346154

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157027915A KR101669848B1 (ko) 2013-03-14 2014-03-05 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드
KR1020167011701A KR101708744B1 (ko) 2013-03-14 2014-03-05 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167011701A KR101708744B1 (ko) 2013-03-14 2014-03-05 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10160092B2 (ko)
EP (1) EP2969392B1 (ko)
JP (2) JP6085064B2 (ko)
KR (2) KR101669848B1 (ko)
CN (1) CN105228797B (ko)
MY (1) MY178773A (ko)
SG (1) SG11201507373VA (ko)
TW (1) TWI667098B (ko)
WO (1) WO2014158892A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6231098B2 (ja) * 2012-07-23 2017-11-15 ジェイエイチ ローデス カンパニー， インコーポレイテッド 非平面ガラス研磨パッドおよび製造方法
CN106132630B (zh) * 2014-04-03 2019-11-26 3M创新有限公司 抛光垫和系统以及制造和使用此类抛光垫和系统的方法
US9849562B2 (en) * 2015-12-28 2017-12-26 Shine-File Llc And manufacture of an abrasive polishing tool
KR101698989B1 (ko) * 2016-01-22 2017-01-24 주식회사 썬텍인더스트리 요철을 갖는 연마물품 및 이의 제조방법
US10589399B2 (en) * 2016-03-24 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Textured small pad for chemical mechanical polishing
USD854902S1 (en) * 2016-09-23 2019-07-30 Husqvarna Construction Products North America, Inc. Polishing or grinding pad
JP6324637B1 (ja) * 2017-02-06 2018-05-16 株式会社大輝 ポリッシングバッドの凹部形成方法およびポリッシングパッド
JP6884015B2 (ja) * 2017-03-22 2021-06-09 株式会社荏原製作所 基板の研磨装置および研磨方法
JP6990993B2 (ja) * 2017-05-26 2022-01-12 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法、並びに、研磨加工品の製造方法
WO2018221290A1 (ja) * 2017-06-01 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 ゲッタリング層形成装置、ゲッタリング層形成方法及びコンピュータ記憶媒体
KR20190014307A (ko) * 2017-08-02 2019-02-12 새솔다이아몬드공업 주식회사 에지부분이 라운드된 연마패드 드레서 및 그 연마장치
CN111032284B (zh) * 2017-08-04 2022-11-04 3M创新有限公司 具有增强的共平面性的微复制型抛光表面
USD958626S1 (en) * 2017-08-30 2022-07-26 Husqvarna Ab Polishing or grinding pad assembly with abrasive disks, reinforcement and pad
USD927952S1 (en) * 2017-08-30 2021-08-17 Husqvarna Ab Polishing or grinding pad assembly with abrasive disk, spacer, reinforcement and pad
WO2019239013A1 (en) * 2018-06-15 2019-12-19 Mirka Ltd Abrading with an abrading plate
JP7368492B2 (ja) * 2019-04-09 2023-10-24 インテグリス・インコーポレーテッド ディスクのセグメント設計
KR102221514B1 (ko) * 2019-05-29 2021-03-03 한국생산기술연구원 연마액의 유동 저항 구조를 갖는 연마용 패드
US11524385B2 (en) * 2019-06-07 2022-12-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP polishing pad with lobed protruding structures
US11833638B2 (en) 2020-03-25 2023-12-05 Rohm and Haas Electronic Materials Holding, Inc. CMP polishing pad with polishing elements on supports
US20210299816A1 (en) * 2020-03-25 2021-09-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cmp polishing pad with protruding structures having engineered open void space
KR102570825B1 (ko) * 2020-07-16 2023-08-28 한국생산기술연구원 다공성 돌출 패턴을 포함하는 연마 패드 및 이를 포함하는 연마 장치
KR102572960B1 (ko) * 2021-06-10 2023-09-01 에프엔에스테크 주식회사 복수의 패턴 구조체를 포함하는 연마 패드
CN115056137A (zh) * 2022-06-20 2022-09-16 万华化学集团电子材料有限公司 一种具有研磨一致性终点检测窗的抛光垫及其应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030114084A1 (en) 2001-10-11 2003-06-19 Yongsik Moon Method and apparatus for polishing substrates
JP2005183707A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Ｃｍｐ用研磨パッドおよびそれを用いた研磨方法
DE10085092B4 (de) 1999-10-12 2007-08-16 Hunatech Co., Ltd. Aufbereitungsvorrichtung für eine Polierscheibe und Verfahren zum Herstellen derselben

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5632790A (en) * 1990-05-21 1997-05-27 Wiand; Ronald C. Injection molded abrasive article and process
BR9509116A (pt) * 1994-09-30 1997-11-18 Minnesota Mining & Mfg Artigo abrasivo revestido processos para produzir o mesmo e processo para desbastar uma peça dura
US5876268A (en) * 1997-01-03 1999-03-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and article for the production of optical quality surfaces on glass
US5882251A (en) 1997-08-19 1999-03-16 Lsi Logic Corporation Chemical mechanical polishing pad slurry distribution grooves
US6121143A (en) * 1997-09-19 2000-09-19 3M Innovative Properties Company Abrasive articles comprising a fluorochemical agent for wafer surface modification
JP2000158327A (ja) 1998-12-02 2000-06-13 Rohm Co Ltd 化学的機械的研磨用研磨布およびそれを用いた化学的機械的研磨装置
US6749714B1 (en) * 1999-03-30 2004-06-15 Nikon Corporation Polishing body, polisher, polishing method, and method for producing semiconductor device
JP2001079755A (ja) * 1999-09-08 2001-03-27 Nikon Corp 研磨体及び研磨方法
JP2000301450A (ja) * 1999-04-19 2000-10-31 Rohm Co Ltd Ｃｍｐ研磨パッドおよびそれを用いたｃｍｐ処理装置
US6458018B1 (en) 1999-04-23 2002-10-01 3M Innovative Properties Company Abrasive article suitable for abrading glass and glass ceramic workpieces
KR100387954B1 (ko) * 1999-10-12 2003-06-19 (주) 휴네텍 연마패드용 컨디셔너와 이의 제조방법
JP2002057130A (ja) * 2000-08-14 2002-02-22 Three M Innovative Properties Co Ｃｍｐ用研磨パッド
US6776699B2 (en) 2000-08-14 2004-08-17 3M Innovative Properties Company Abrasive pad for CMP
US6821189B1 (en) * 2000-10-13 2004-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive article comprising a structured diamond-like carbon coating and method of using same to mechanically treat a substrate
JP2002346927A (ja) 2001-03-22 2002-12-04 Mitsubishi Materials Corp Ｃｍｐコンディショナ
JP4227008B2 (ja) 2003-12-22 2009-02-18 株式会社東芝 プリント配線回路基板
US7204742B2 (en) * 2004-03-25 2007-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
US7150677B2 (en) * 2004-09-22 2006-12-19 Mitsubishi Materials Corporation CMP conditioner
US7182677B2 (en) * 2005-01-14 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution
US7594845B2 (en) * 2005-10-20 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Abrasive article and method of modifying the surface of a workpiece
US20080271384A1 (en) * 2006-09-22 2008-11-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Conditioning tools and techniques for chemical mechanical planarization
US9180570B2 (en) * 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
CN101327577B (zh) 2008-07-25 2010-04-21 南京航空航天大学 带自修整功能的磨损均匀性好的固结磨料抛光垫
JP2010045306A (ja) 2008-08-18 2010-02-25 Kuraray Co Ltd 研磨パッド
TWM352126U (en) * 2008-10-23 2009-03-01 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US8439994B2 (en) * 2010-09-30 2013-05-14 Nexplanar Corporation Method of fabricating a polishing pad with an end-point detection region for eddy current end-point detection
CN102601747B (zh) * 2011-01-20 2015-12-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种研磨垫及其制备方法、使用方法
US8968058B2 (en) 2011-05-05 2015-03-03 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment feature
US20120302148A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
US8920219B2 (en) 2011-07-15 2014-12-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment aperture
US9649742B2 (en) 2013-01-22 2017-05-16 Nexplanar Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10085092B4 (de) 1999-10-12 2007-08-16 Hunatech Co., Ltd. Aufbereitungsvorrichtung für eine Polierscheibe und Verfahren zum Herstellen derselben
US20030114084A1 (en) 2001-10-11 2003-06-19 Yongsik Moon Method and apparatus for polishing substrates
JP2005183707A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Ｃｍｐ用研磨パッドおよびそれを用いた研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016511162A (ja) 2016-04-14
MY178773A (en) 2020-10-20
JP6085064B2 (ja) 2017-02-22
KR101708744B1 (ko) 2017-02-21
TW201505759A (zh) 2015-02-16
KR20160056946A (ko) 2016-05-20
TWI667098B (zh) 2019-08-01
US10160092B2 (en) 2018-12-25
KR20150127181A (ko) 2015-11-16
EP2969392A1 (en) 2016-01-20
JP2017071053A (ja) 2017-04-13
SG11201507373VA (en) 2015-10-29
EP2969392B1 (en) 2020-04-15
US20140273777A1 (en) 2014-09-18
CN105228797A (zh) 2016-01-06
CN105228797B (zh) 2018-03-02
WO2014158892A1 (en) 2014-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101669848B1 (ko) 테이퍼형 측벽을 가지고 있는 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드
KR101735567B1 (ko) 연속적인 돌출부를 가진 폴리싱면을 가지고 있는 폴리싱 패드
KR101744581B1 (ko) 구멍을 가진 폴리싱 패드
KR101777684B1 (ko) 동심형 또는 대략 동심형의 다각형 홈 패턴을 가진 폴리싱 패드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190924

Year of fee payment: 4