KR100761847B1 - 연마 입자가 내재된 연마 패드, 이의 제조 방법, 및 이를포함하는 화학적 기계적 연마 장치 - Google Patents

연마 입자가 내재된 연마 패드, 이의 제조 방법, 및 이를포함하는 화학적 기계적 연마 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100761847B1
KR100761847B1 KR1020060047120A KR20060047120A KR100761847B1 KR 100761847 B1 KR100761847 B1 KR 100761847B1 KR 1020060047120 A KR1020060047120 A KR 1020060047120A KR 20060047120 A KR20060047120 A KR 20060047120A KR 100761847 B1 KR100761847 B1 KR 100761847B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
polishing pad
abrasive
layer
abrasive particles
Prior art date
Application number
KR1020060047120A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070059846A (ko
Inventor
윤일영
신홍재
이세영
추재욱
구자응
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to US11/634,195 priority Critical patent/US20070128991A1/en
Publication of KR20070059846A publication Critical patent/KR20070059846A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100761847B1 publication Critical patent/KR100761847B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B24B37/245—Pads with fixed abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 베이스, 및 상기 베이스로부터 돌출되어 형성되고 연마 입자와 개구부를 갖는 연마층을 포함하는 연마 입자가 내재된 연마 패드(Fixed Abrasive Polishing Pad), 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 장치를 제공한다.
연마 입자가 내재된 연마 패드, Fixed Abrasive Polishing Pad, 화학적 기계적 연마, Chemical Mechanical Polishing, 기공, 발포제

Description

연마 입자가 내재된 연마 패드, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 장치{Fixed Abrasive Polishing Pad, Method Of Preparing The Same, and Chemical Mechanical Polishing Comprising The Same}
도 1은 종래 연마 입자가 내재된 연마 패드(Fixed Abrasive Polishing Pad)의 상면을 나타낸 사진이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 연마 패드의 연마층을 확대한 사진이다.
도 3은 종래 연마 입자가 내재된 연마 패드를 포함하는 화학적 기계적 연마 장치를 이용한 연마 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 연마 입자가 내재된 연마 패드를 나타낸 사시도 이다.
도 5는 도 4의 연마 패드 중 연마층의 단면을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 연마 입자가 내재된 연마 패드를 나타낸 사시도 이다.
도 7은 도 6의 연마 패드 중 연마층의 단면을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 연마 입자가 내재된 연마 패드를 포함하는 화학적 기계적 연마 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명 *
10: 웨이퍼 캐리어 20: 웨이퍼
30: 연마 패드 31,33 : 연마층
32: 베이스 34: 중합체
36: 연마 입자 38; 기공
39: 홈 40: 지지부
50: 제1 롤러부 52: 제2 롤러부
본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 상세하게 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 장치에 관한 것이다.
CMP는 연마제에 의한 기계적인 폴리싱 효과와 산 또는 염기 용액에 의한 화학적 반응 효과를 결합하여 웨이퍼 표면을 평탄화하는 공정이다. 즉, CMP는 웨이퍼 표면의 돌출된 부분을 제거하는 평탄화 공정으로, 미세화되고 다층 배선 구조의 반도체 소자를 제조하기 위해 도입된 공정이다.
일반적으로 CMP 장치는 신축성 있는 연마 패드와 웨이퍼에 압력을 가하며 회전하는 폴리싱 헤드, 좋은 패드 상태를 유지시켜주기 위한 패드 컨디셔너 및 연마 용액인 슬러리를 공급해 주는 장치로 구성된다. 상기 슬러리에는 연마제와 산 또는 염기성 용액이 함유되어 있다. 상기 연마 패드 위로 슬러리가 공급되면서 상기 폴리싱 헤드에 의해 웨이퍼에 압력이 가해지면 산 또는 염기 용액이 웨이퍼 상의 반도체 소자막과 화학 반응을 하고 연마제에 의해 기계적 연마가 수행된다.
근래에는 슬러리에 포함되어 있던 연마제가 연마 패드에 부착되어 있는 연마 입자가 내재된 연마 패드(Fixed Abrasive Polishing Pad)를 이용한 CMP 장치가 개발되었다.
도 1은 종래 연마 입자가 내재된 연마 패드의 상면을 나타낸 사진이다. 그리고 도 2a 및 도 2b는 도 1의 연마 패드의 연마층을 확대한 사진이다.
도 1을 참조하면, 연마패드 상에 육각기둥 모양의 연마층이 일렬로 형성되어 있다. 상기 연마층은 연마 입자 예를 들어 STI CMP의 경우에는 세리아 입자를 포함하고 있다. 상기 연마층을 확대한 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 상기 연마층의 표면은 요철 없이 매끄러운 것을 알 수 있다.
도 3은 종래 연마 입자가 내재된 연마 패드를 포함하는 화학적 기계적 연마 장치를 이용한 연마 결과를 나타낸 그래프이다. 반도체 기판상에 하드 마스크로 질화막을 형성한 후, 상기 질화막을 이용하여 반도체 기판을 얕은 깊이로 식각한다. 식각된 반도체 기판상에 산화막을 증착하여 STI 산화막을 형성한다. 이후, 상기 산화막을 도 1의 연마 패드를 이용하여 CMP 행하였다. 도 3을 참조하면 웨이퍼 중앙의 산화막 제거율이 에지(edge)에 비해 현저히 떨어지는 것을 확인할 수 있다. 따라서 웨이퍼 중앙에는 하드 마스크로 이용된 질화막 상의 산화막이 제거되지 않아, 이후 상기 질화막을 제거하지 못하고 잔류하게 되는 문제가 발생한다. 상기와 같은 문제를 고려해 웨이퍼 중앙에 대해 압력을 더 가하더라고 상기 연마 패드의 특성상 웨이퍼 중앙의 압력은 증가하지 않고 웨이퍼 전체적으로 산화막 제거율이 증가하는 현상이 발견된다. 또한, 웨이퍼의 중앙에만 압력을 더 가하는 것은 실제 공정에서 진행하기 어려우며, 웨이퍼에 스크래치가 발생될 위험이 있다.
따라서 상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 손상은 최소화하면서 상기 웨이퍼의 피연마층을 균일하게 연마할 수 있는 하는 연마 입자가 내재된 연마 패드(Fixed Abrasive Polishing Pad)를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 웨이퍼의 피연마층을 균일하게 연마할 수 있는 연마 입자가 내재된 연마 패드를 용이하게 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
아울러, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 웨이퍼의 피연마층을 균일하게 연마하여 반도체 소자의 생산성 및 신뢰성을 증진시킬 수 있는 화학적 기계적 연마 장치(Chemical Mechanical Polishing; CMP)를 제공하는 것이다.
본 발명은 베이스, 상기 베이스 상에 돌출되어 형성된 연마층을 포함하는 연마 입자가 내재된 연마 패드(Fixed Abrasive Polishing Pad)를 제공한다. 특히 상기 연마층은 연마 입자와 개구부를 포함한다.
상기 연마 입자는 세리아 입자, 실리카 입자, 알루미나 입자 등을 사용할 수 있다. 상기 개구부는 슬러리를 함유할 수 있도록 형성된 것으로, 기공이거나 또는 규칙적으로 배열된 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어 구형, 직육면체와 같은 다각기둥 형태, 또는 사면체 등의 형태로 형성될 수 있다. 또한, 상기 개구부는 슬러리에 의한 화학 반응과 연마 입자에 의한 기계적 연마 공정이 균형있게 진행되기 위해, 상기 개구부의 면적이 상기 연마층의 면적 대비 5 내지 30% 로 형성되는 것 이 바람직하다.
또한, 본 발명은 연마 입자가 내재된 연마 패드의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 베이스를 형성하고, 상기 베이스 상에 돌출되고 연마 입자와 개구부를 포함하는 연마층을 형성한다.
상기 제조 방법은 중합체에 발포제를 혼합하여 혼합물을 형성하고, 상기 중합체에 연마 입자를 분산한다. 그리고 상기 발포제에 의해 상기 혼합물에 기공을 형성한 후, 상기 혼합물을 미리 제조된 성형틀을 이용하여 프린팅함으로써 연마층을 형성한다. 상기 성형틀은 연마층과 대응되는 형태를 갖는 것이다. 그리고 베이스와 상기 연마층을 접합시킨다. 상기 발포제는 Na2SO4, NaHCO3 등과 같은 무기 발포제, 또는 ADAC(Azodicarbonamide), OBSH(Oxy benzene sulfonyl hydrazide), TSH(P-Tolune sulfonyl hydrazide) 등과 같은 유기 발포제를 사용할 수 있다.
또는 개구부를 형성하기 위해 발포제를 혼합하는 대신, 개구부가 형성된 연마층에 대응되는 성형틀을 이용하여 규칙적으로 배열된 개구부를 갖는 연마층을 형성할 수도 있다.
아울러, 본 발명은 연마 입자가 내재된 연마 패드를 포함하는 CMP 장치를 제공한다. 상기 CMP 장치는 웨이퍼를 안착시키는 웨이퍼 캐리어, 베이스와 상기 베이스 상에 돌출되어 형성되고 연마 입자와 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 연마 입자가 내재된 연마 패드, 및 상기 연마 패드를 지지하는 지지부를 포함한다. 상기 CMP 장치는 로터리 형식(Rotary type)일 수 있으며, 이 때 상기 연마 패드를 공급 하는 제1 롤러부와 연마 공정이 수행된 연마 패드를 회수하는 제2 롤러부를 더 포함할 수 있다.
따라서 본 발명에 따른 연마 입자가 내재된 연마 패드는 웨이퍼와 상기 연마층의 접촉면에 슬러리를 함유할 수 있는 개구부를 포함함으로써 연마 입자에 의한 기계적 연마뿐 아니라 슬러리에 의한 화학적 연마가 효과적으로 수행될 수 있다. 또한, 본 발명의 CMP 장치는 상기 연마 패드를 로터리 형식으로 제공함으로써 연마 공정이 수행된 후 연마층이 소진됨에 따라 연마 패드를 교체하는 번거로움 없이 연속적으로 CMP 공정을 진행할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 과장될 수 있다.
도 4는 본 발명의 연마 입자가 내재된 연마 패드를 나타낸 사시도 이다. 그리고 도 5는 도 4의 연마 패드 중 연마층의 단면을 나타낸 도면이다. 본 실시예에서는 연마층에 기공이 형성된 본 발명의 연마 입자가 내재된 연마패드를 예시한다.
도 4를 참조하면, 베이스(32) 상에 연마입자(36)를 포함하는 연마층(31)이 형성된다.
상기 베이스(32)는 강도, 유연성, 내구성 등이 우수한 중합체를 포함할 수 있으며, 로터리 형식의 CMP 장치에서는 연마 패드가 느슨해지거나 풀어지지 않도록 충분한 장력을 유지할 수 있는 탄성력을 구비하여야 한다. 상기 베이스는 단일층으로 형성될 수도 있지만, 상기와 같이 많은 특성을 요구하므로 각각의 특성에 적합한 물질들을 적층한 다층 구조로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 로터리 형식의 CMP 장치에 포함되는 연마 패드는 단단한 상부층 아래에 유연한 하부층을 형성하여 연마 패드의 전체적인 강도는 증가하지만 롤러 주위에서는 유연하게 구부러질 수 있도록 제조할 수 있다.
상기 베이스(32)로 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 라텍스, 니트릴고무, 이소프렌고무, 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 폴리우레탄을 사용할 수 있다.
상기 연마층(31)은 기공(38)을 포함하며, 중합체(34) 상에 연마입자(36)들이 분산되어 있다.
상기 기공(38)은 연마층(31)의 면적 대비 약 5 내지 30% 면적으로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 기공(38)은 복수 개의 연마층들(31)에 일정한 비율로 형성될 수도 있지만, 웨이퍼 영역에 따른 연마율 차이를 고려하여 복수 개의 연마층(31)들에 다른 비율로 기공을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 웨이퍼 중앙의 연마 제거율이 웨이퍼 에지(edge)의 것보다 더 크다면 연마 패드의 중앙에 위치한 연마층(31)에 더 낮은 비율로 기공을 형성할 수 있다.
상기 중합체(34)는 열가소성, 열경화성, 자외선 경화성의 특성을 갖는 물질 또는 이들의 전구체들을 사용할 수 있다. 예를 들어 폴리우레탄, 폴리프로필렌, 폴 리아크릴, 폴리에틸렌, 블럭코폴리머(block co-polymer) 등, 또는 폴리우레탄의 전구체인 활성수소화합물과 중합 촉매로서 이소시아네이트 혼합물 등을 사용할 수 있다. 연마층(31)에 함유된 연마 입자(36)가 웨이퍼와 마찰하여 연마 공정이 수행되기 위해서는, 상기 중합체(34)는 슬러리에 의해 녹을 수 있는 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 연마 입자(36)는 실리카(SiO2), 세리아(CeO2) 또는 알루미나(Al2O3) 등을 포함하며, 특히 STI 산화막 CMP 공정에 있어서는 연마 입자로 세리아를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 연마층(31)은 연마 대상, 결합제, 연마 입자, 연마 공정 조건 등에 따라 다양한 형태 및 크기를 가질 수 있으며, STI 산화막 CMP 공정에 있어 약 50 내지 약 200 ㎛의 폭과 약 20 내지 약 50㎛ 두께를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 연마층(31)은 점도 개질제, 습윤제 등 당업자에 있어 CMP 공정에 유용한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 점도 개질제는 상기 연마층(31)이 웨이퍼와 접촉시 윤활 특성을 좋게 하여 연마 입자 또는 다른 첨가제 들이 웨이퍼 접촉면에 고루 퍼지게 하므로 CMP 평탄도를 향상시킬 수 있다. 상기 점도 개질제는 에틸렌글리콜 또는 Gum 화합물과 같은 비이온성 고분자 화합물을 포함할 수 있다. 상기 습윤제는 중합체(34) 전반에 걸쳐 연마 입자의 혼합성 및 분산성을 개선하기 위함이다.
도 5를 참조하면, CMP 공정시 슬러리가 상기 기공(38) 사이로 함유될 수 있 다. 따라서 상기 연마층(31)과 웨이퍼가 닿는 면에서도 슬러리와 웨이퍼의 화학 반응이 진행될 수 있고, 상기 연마층(31)의 중앙부에 침투된 슬러리에 의해 연마 입자(36)가 녹아 나와 기계적 연마 공정도 효과적으로 진행될 수 있다.
도 4와 도 5에 예시된 연마 패드는 Na2SO4, NaHCO3 등과 같은 무기 발포제, 또는 ADAC(Azodicarbonamide), OBSH(Oxy benzene sulfonyl hydrazide), TSH(P-Tolune sulfonyl hydrazide) 등과 같은 유기 발포제를 이용하여 형성할 수 있다. 상세하게 중합체(34)에 발포제를 주입하여 혼합물을 형성한 후, 기계식 발포기를 이용하거나 또는 가열함으로써 상기 혼합물에 기공을 형성한다. 그리고 상기 혼합물을 미리 제조된 성형틀에 프린팅하고 자외선 또는 열을 가하여 경화시켜 연마층(31)을 형성한다. 상기 연마층(31)을 베이스(32)에 접착하여 연마 패드를 제조할 수 있다. 상기 혼합물을 프린팅 하기 전에 중합체(34)에 연마 입자(36)를 분산시켜 상기 연마 입자가 내재된 연마 패드를 제조한다.
도 6은 본 발명의 연마 입자가 내재된 연마 패드를 나타낸 사시도 이다. 그리고 도 7은 도 6의 연마 패드 중 연마층의 단면을 나타낸 도면이다.
도 6과 7을 참조하면, 연마층(33)에 일정한 형태를 가지며 규칙적으로 배열된 홈(39)이 형성된다. 상기 홈(39)은 미세 요철 구조를 갖는 성형틀을 이용하여 형성할 수 있다. 중합체(34)에 연마 입자(36)를 분산시킨 혼합물을 제조하고, 이를 홈(39)이 형성된 연마층(33)과 대응되는 성형틀에 프린팅한다. 그리고 가열하거나 자외선을 조사하여 중합체가 경화되도록 하여 연마층(33)을 제조한다. 상기 연마 층(33)을 베이스(32)에 접착하여 연마 패드를 제조할 수 있다.
본 실시예에 따른 연마 패드는 연마층(33)에 규칙적으로 홈(39)이 형성되므로, 상기 홈(39)으로 함유될 수 있는 슬러리의 양이 일정할 수 있으며, 또는 예측 가능하다. 따라서 상기 홈(39)으로 함유되는 슬러리에 의한 화학 반응이 균일하게진해되며,상기 슬러리에 의해 녹아나오는 연마 입자의 양이 일정하여 기계적 연마 공정도 균일하게 진행될 수 있다.
도 8은 본 발명의 연마 입자가 내재된 연마 패드를 포함하는 CMP 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 본 실시예서는 로터리 형식의 CMP 장치를 예시한다. 본 실시예에 따른 연마 패드는 도 6의 연마 패드를 예시한 것으로, 상기 연마 패드 상에 연마층이 형성된 것을 나타내기 위해 상기 연마층을 실제 크기보다 과장하여 나타낸 것이다. 상기 연마층은 그 폭이 약 50 내지 약 200 ㎛이고 그 두께가 약 20 내지 약 50㎛ 인 것이 바람직하다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 CMP 장치는 베이스(32) 상에 연마 입자를 포함하고 개구부가 형성된 연마층(31)이 형성된 연마 패드를 포함한다. 상기 연마 패드는 제 1 롤러부(50)에 감겨 있다. 상기 연마 패드(30)는 제 1 롤러부(50)로부터 풀려져 지지부(40) 상에 제공된다. 웨이퍼(10)는 웨이퍼 캐리어(20)에 의해 이송되어 상기 연마 패드(30) 상부에 위치한다. 상기 웨이퍼 캐리어(20)가 하강하면, 웨이퍼(10)의 피연마층은 연마 패드(30)의 연마층(31)과 마찰하여 화학적 기계적 연마 공정이 수행된다. 그리고 상기 연마 공정이 수행된 연마 패드(30)는 제 2 롤러부(52)로 감겨져 폐기된다. 이와 함께 상기 연마 패드(30) 위로 슬러리 공급부(60) 에 의해 슬러리가 공급된다. 상기 슬러리에 의해 중합체(34)가 녹아 연마 입자(36)가 웨이퍼의 피연마층과 마찰할 수 있다. 또한 연마층(31)에 형성된 기공(38)으로 슬러리가 함유되고 함유된 슬러리와 피연마층이 반응함으로써 화학적 연마 공정이 진행될 수 있다.
상기 슬러리는 연마 대상에 적합한 물질들을 포함한다. 예를 들어, STI 산화막 CMP 연마시에는 산화제, 식각액, 계면활성제 등을 포함할 수 있다.
그러므로 연마층(31)과 피연마층의 접촉면에 상기 기공(38)으로 인해 슬러리가 침투 가능하므로 화학적 연마가 효과적으로 진행될 수 있다. 뿐만 아니라 기공에 함유된 슬러리에 의해 상기 접촉면 중앙에도 연마 입자(36)가 녹아 나올 수 있으므로 기계적 연마 공정도 웨이퍼(20)의 피연마층 전면에 대해 고루 진행될 수 있다.
상기 살펴 본 바와 같이, 본 발명은 베이스 상에 개구부가 형성된 연마층을 포함함으로써 연마층과 웨이퍼의 피연마층의 접착면의 개구부로 슬러리가 함유될 수 있다. 개구부에 함유된 슬러리는 상기 피연마층과 반응하여 화학적 연마 공정이 진행됨과 동시에 슬러리에 의해 연마 입자가 녹아 나와 기계적 연마 공정도 효과적으로 진행될 수 있다. 그러므로 본 발명의 연마 패드를 CMP 공정에 이용함으로써 상기 피연마층에 대해 균일하게 연마 공정을 행하고, 나아가 반도체 소자의 신뢰성 및 생산성을 증진시킬 수 있다.

Claims (12)

  1. 베이스;
    상기 베이스 상에 돌출되고, 연마 입자를 함유하고, 접촉면에 개구부를 구비하는 연마층을 포함하는 연마 입자가 내재된 연마 패드(Fixed Abrasive Polishing Pad).
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 개구부는 기공인 것을 특징으로 하는 연마 입자가 내재된 연마 패드.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 개구부의 면적이 상기 연마층의 면적 대비 5 내지 30% 인 것을 특징으로 하는 연마 입자가 내재된 연마 패드.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 연마 입자는 세리아 입자, 실리카 입자, 및 알루미나 입자 중에서 선택되는 하나임을 특징으로 하는 연마 입자가 내재된 연마 패드.
  5. 베이스를 형성하는 단계;
    상기 베이스 상에 돌출되고, 연마 입자와 개구부를 포함하는 연마층을 형성하는 단계를 포함하는 연마 입자가 내재된 연마 패드의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 연마층을 형성하는 단계는
    중합체와 발포제를 포함하는 혼합물을 형성하는 단계,
    상기 발포제를 이용하여 상기 연마층의 접촉면에 개구부를 형성하는 단계,
    상기 중합체에 연마 입자를 분산하는 단계, 및
    상기 연마 입자가 분산된 혼합물을 프린팅 방법에 의해 연마층을 형성하는 단계를 포함하는 연마 입자가 내재된 연마 패드의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 발포제는 Na2SO4, NaHCO3, ADAC(Azodicarbonamide), OBSH(Oxy benzene sulfonyl hydrazide), 및 TSH(P-Tolune sulfonyl hydrazide)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 연마 입자가 내재된 연마 패드의 제조 방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 발포제를 가열하여 상기 연마층의 접촉면에 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 연마 입자가 내재된 연마 패드의 제조 방법.
  9. 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 캐리어;
    베이스와, 상기 베이스 상에 돌출되어 형성되고 연마 입자를 함유하며 접촉면에 개구부를 구비하는 연마층을 포함하는 연마 입자가 내재된 연마 패드;
    상기 연마 패드상에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부; 및
    상기 연마 패드를 지지하는 지지부를 포함하는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 개구부는 기공인 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 CMP 장치는 로터리 형식(Rotary type)인 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 연마 패드를 공급하는 제1 롤러부 및
    연마 공정이 수행된 연마 패드를 회수하는 제2 롤러부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
KR1020060047120A 2005-12-07 2006-05-25 연마 입자가 내재된 연마 패드, 이의 제조 방법, 및 이를포함하는 화학적 기계적 연마 장치 KR100761847B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/634,195 US20070128991A1 (en) 2005-12-07 2006-12-06 Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20050119089 2005-12-07
KR1020050119089 2005-12-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070059846A KR20070059846A (ko) 2007-06-12
KR100761847B1 true KR100761847B1 (ko) 2007-09-28

Family

ID=38356103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060047120A KR100761847B1 (ko) 2005-12-07 2006-05-25 연마 입자가 내재된 연마 패드, 이의 제조 방법, 및 이를포함하는 화학적 기계적 연마 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100761847B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8821214B2 (en) 2008-06-26 2014-09-02 3M Innovative Properties Company Polishing pad with porous elements and method of making and using the same

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7275928B2 (en) * 2004-11-23 2007-10-02 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Apparatus for forming a striation reduced chemical mechanical polishing pad
KR101609128B1 (ko) 2009-08-13 2016-04-05 삼성전자주식회사 연마 패드 및 이를 갖는 화학 기계적 연마 장치
US9067299B2 (en) 2012-04-25 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad
US9993907B2 (en) 2013-12-20 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having printed window
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
KR102570825B1 (ko) * 2020-07-16 2023-08-28 한국생산기술연구원 다공성 돌출 패턴을 포함하는 연마 패드 및 이를 포함하는 연마 장치
KR102636521B1 (ko) * 2020-07-16 2024-02-15 한국생산기술연구원 다공성 돌출 패턴을 포함하는 화학-기계적 연마 패드 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020029075A (ko) * 1999-07-09 2002-04-17 캐롤린 에이. 베이츠 다공성 세라믹 연마 복합체를 포함하는 금속 결합 연마제품 및 가공물을 연마하기 위한 그의 사용 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020029075A (ko) * 1999-07-09 2002-04-17 캐롤린 에이. 베이츠 다공성 세라믹 연마 복합체를 포함하는 금속 결합 연마제품 및 가공물을 연마하기 위한 그의 사용 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8821214B2 (en) 2008-06-26 2014-09-02 3M Innovative Properties Company Polishing pad with porous elements and method of making and using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070059846A (ko) 2007-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100761847B1 (ko) 연마 입자가 내재된 연마 패드, 이의 제조 방법, 및 이를포함하는 화학적 기계적 연마 장치
US20070128991A1 (en) Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same
JP5346445B2 (ja) ケミカルメカニカル研磨パッド
KR101107842B1 (ko) 연마패드 및 이를 사용하는 반도체 디바이스의 제조방법
TWI396732B (zh) 化學機械研磨墊
US20060229000A1 (en) Polishing pad
WO2007026610A1 (ja) 積層研磨パッドの製造方法
JP4824210B2 (ja) Ｃｍｐパッドの構造及びその製造方法
WO2014080729A1 (ja) 研磨パッド
JP4681304B2 (ja) 積層研磨パッド
JP4563025B2 (ja) Ｃｍｐ用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法
JP2008100331A (ja) 長尺研磨パッドの製造方法
CN113977453B (zh) 提高抛光平坦度的化学机械抛光垫及其应用
US20220226962A1 (en) Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method
JP4888905B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
WO2006095643A1 (ja) 研磨パッド
JP2002059357A (ja) 研磨パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法
JP4869017B2 (ja) 長尺研磨パッドの製造方法
JP6444507B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
JP2006346805A (ja) 積層研磨パッド
JP2006346804A (ja) 積層研磨パッドの製造方法
KR102674356B1 (ko) 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 연마 방법
TWI814517B (zh) 研磨墊
JP7253475B2 (ja) 研磨パッド及び研磨パッドをコンパクト化する方法
US20230219191A1 (en) Polishing pad, chemical mechanical polishing apparatus including the same, and method for manufacturing semiconductor device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120831

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130902

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140901

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150831

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180831

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190830

Year of fee payment: 13