JP4824210B2 - Cmpパッドの構造及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子の製造設備に関し、特に化学機械的ポリシング(CMP:Chemical-Mechanical Polishing)設備に適用されるCMPパッドの構造及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路素子の製造は、ウェーハ上に写真、食刻、拡散、金属蒸着などの工程を選択的且つ反復的に行うことによりなされる。半導体集積回路素子を大量に製造するために用いられる半導体ウェーハは、ウェーハ上に設定された素子パターンを形成する過程でエッチバック(etch back)及びポリシング工程をたいてい経る。酸化膜、窒化膜、金属膜のような半導体ウェーハ上に積層された多種類の膜をウェーハの底部面を基準に水平方向に平坦化するための代表的工程の一つとして、CMP(Chemical-Mechanical Polishing)工程が本分野で広く知られている。
【0003】
このようなCMP工程で主にポリシングされる膜は、メタル及び誘電膜である。デポジション工程を経た半導体ウェーハの表面を化学的及び機械的にポリシングするため、通常CMP設備は図6に示すように構成される。
図6において、研磨定盤、プラテンまたはテーブル2は、テーブルの上部に位置するCMPパッド4を支持し回転させるために使用される。ウェーハキャリヤー8により固定され回転されるウェーハ6は、テーブル2により回転されるポリシングパッドのCMPパッド4と接触する。前記CMPパッド4の中心部位には所定の化学物質を含んだスラリー(slurry)がノズルを通して供給され、前記スラリーはCMPパッド4の回転力によりCMPパッド4の上面に均一に塗布される。前記CMPパッド4が回転する間、ウェーハキャリヤー8に付着した半導体ウェーハ6がスラリーに覆われた前記CMPパッド4と接触する。これにより、前記スラリー、CMPパッド4及びウェーハの表面間には化学的及び機械的反応が起こり、ウェーハの上部表面から下部へ研磨対象の膜が漸次微細に除去される。つまり、ウェーハ6に形成された研磨対象膜はCMPパッド4の表面とその上面に分布するスラリーとによる化学的及び機械的摩擦過程でウェーハの表面からポリシングされ、設定されたポリシング時間を経た後には上部表面が設定された厚みだけ平坦になったウェーハが得られる。ここで、ポリシングされるウェーハ6の薄膜の状態は、CMPパッド4とウェーハ6との間の機械的摩擦、CMPパッド4の材質とその状態、ケミカルスラリーの組成及び分布状態、CMPパッド4表面の屈曲状態などに影響を受けると知られている。
【0004】
前記CMP設備の長時間使用に伴い前記CMPパッド4の表面状態は漸次不規則な屈曲面をもつようになるため、ウェーハ6の表面を所望の平坦度に加工することができない。それゆえ、前記CMP設備にはウェーハ6の平坦度を持続的に維持できるようにするため、予め設定された時間周期でCMPパッド4の表面を均一に研削するコンディショナ9が通常設置される。このようなコンディショナ9には人造ダイヤモンドなどの研削手段が設置され、前記研削手段は研削の必要時に前記CMPパッド4の表面に対向して接触し、垂直上下降駆動及び高速回転する。前記コンディショナ9は回転するCMPパッド4の放射方向に往復移動することにより、CMPパッド4の全表面に対し所定厚みに表面を除去するコンディショニング工程を行う。
【0005】
しかし、通常ポリウレタン系列の化合物で作られるCMPパッド4は使用寿命が決められているため、CMPパッド4を無制限にコンディショナ9で研削した後に使用すべきである。即ち、一定の使用時間が経過したら、新しいCMPパッドに交換することが必要なのである。
【0006】
このようなCMPパッド4は、図6に示すように下部層を構成するソフトパッド20と上部層を構成するハードパッド10とから構成されている。図7及び図8を参照して構造を具体的に説明する。図7に示すように、CMP設備のテーブル2との接着力が良くなるようにするための接着部25の上部にはソフトパッド20が形成され、その上部には接着層15を介してハードパッド10が形成される。ここで、前記接着層15は前記ソフトパッド20とハードパッド10を一体的に接着するための役割をする。前記ハードパッド10としては例えばロデル(RODEL)社の“IC 1000”ポリシングパッドを、ソフトパッド20としては例えばロデル社の“SubaIV”ポリシングパッドを利用することができる。また、図8のパッド構造は、図7のソフトパッド20よりも硬さが少し小さいソフトパッド30を下部パッドとして形成した例である。ここで、前記ソフトパッド30はロデル社の“Foam Pad”で具現できる。前記図7及び図8に示したCMPパッドはそれぞれ単一特性をもつ化合物インゴットを製作した後、一定のサイズに切断をしてスライスパッドを得、これらを互いに接着することにより作ったものである。
【0007】
このような通常のCMPパッドを用いてポリシング工程を行う場合、半導体ウェーハ及びチップの中央部のポリシング率がウェーハ及びチップのエッジ部分でのポリシング率と異なるという問題にCMPエンジニアらは直面してきた。ポリシング率の差に起因して、ディシング(dishing)現象またはリセス(recess)現象が発生し、ポリシングされたウェーハの表面が実質的に不均一になる。そのような問題に関して今までエンジニアらは問題の主な原因がスラリー移送の不均一、またはウェーハの円周表面における回転速度の変化などに起因すると認めており、CMPパッド自体の改善に関しては研究をよそにしてきた傾向があった。
【0008】
以上のように、同一なパッド層内で単一特性をもつ通常のCMPパッドを用いてポリシング工程をした場合、ウェーハ中央部分とウェーハのエッジ部分において現れるソフトパッド及びハードパッドのCMP除去率(removal rate)を示したグラフを図9に示す。図9において、データ3aはソフトパッドの場合を、データ3bはハードパッドの場合を表す。このグラフを参照すると、ハードパッドの場合にウェーハ中央部分とウェーハのエッジ部分でのエッチレートがソフトパッドの場合よりも甚だしい差をもつことがわかる。8インチ以上の大口径ウェーハに適用の際、ウェーハレベル均一度は小口径ウェーハの場合よりも悪化し、製造収率が減少するという問題が発生する。また、層間誘電膜4(ILD4)を上記のようなCMPパッドを用いてポリシングするときにその除去量は相当に少なく、この場合、ウェーハのエッジ部分に位置する半導体素子パターンに強いストレスが集中してパターンが損傷されるという問題が頻繁に発生するようになる。
【0009】
従って、ウェーハレベルまたはチップレベルでウェーハの研磨均一度を向上させてディシング及びリセス現象を防止または最小化しエッジ部分の素子パターンが過多に損傷されることを防止するために改善された技術が切実に求められている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は、化学機械的ポリシング設備に適用される改善されたCMPパッドの構造及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、研磨均一度を改善することができるCMPパッドの構造及びその製造方法を提供することにある。
【0011】
本発明の又他の目的は、CMP工程でディシング及びリセス現象を防止または最小化することができるCMPパッドの構造及びその製造方法を提供することにある。
本発明の又他の目的は、ウェーハのエッジ部分の素子パターンが過多に損傷されることを防止するCMPパッドの構造及びその製造方法を提供することにある。
本発明の又他の目的は、CMP工程での不良を最小化してCMP工程を安定化させ、半導体製造収率を改善するCMPパッドの構造及びその製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するための本発明によるCMPパッドの構造の第1手段は、第1直径をもつ第1ソフトパッド領域と、前記第1ソフトパッド領域と同一層に配置され、前記第1ソフトパッドの外周部に連結されている内周部を有し前記第1直径より大きい第2直径を外径としてもち前記第1ソフトパッド領域よりも軟らかい第2ソフトパッド領域と、前記第1ソフトパッド領域の上部に配置されたハードパッド領域と、前記ハードパッド領域と同一層に配置され、前記ハードパッド領域の外周部に連結されている内周部を有し前記第2ソフトパッド領域に対応する外径をもち前記第1ソフトパッド領域と同程度軟らかい第3ソフトパッド領域とを備えることを特徴とする。
【0013】
また、本発明によるCMPパッドの構造の第2手段は、実質的に円形の下部ソフトパッド領域と、前記下部ソフトパッド領域の上部の一部に連結されているハードパッド領域と、前記ハードパッド領域と同一層に配置され、前記ハードパッド領域の外周部に連結されている内周部を有し前記下部ソフトパッド領域の直径に対応する外径をもち前記下部ソフトパッド領域と同程度軟らかい上部ソフトパッド領域とを備えることを特徴とする。
【0014】
また、本発明によるCMPパッドの製造方法は、互いに異なる硬さをもつ1次及び2次パッド混合物を準備する段階と、1次パッド混合物を1次モールド金型内に注入して成形する段階と、前記成形された第1次パッド混合物を置いたまま1次モールド金型を除去する段階と、前記準備された2次パッド混合物を前記1次モールド金型の外径に対応する内径と予め設定されたインゴット外径に対応する外径とをもつ2次モールド金型内にキャスティングする段階と、前記2次パッド混合物を前記成形された1次パッド混合物と一体的に成形する段階と、前記一体的に成形された結果物をポリシングパッドのサイズに切断し複合特性の下部及び上部パッド構造をもつCMPパッドとして提供する段階とを含むことを特徴とする。
前記CMPパッドの構造及びその製造方法によると、CMP工程の実行の際に高集積半導体素子のウェーハレベル及びチップレベル均一性が向上されて、工程安定化により製造収率が改善されるという特長がある。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のCMPパッドの構造とその製造方法に対する好ましい実施例を図面を用いて詳しく説明する。
図1は、本発明の一実施例によるCMPパッドの構造を示す断面図である。図1に示すように、下部パッドは第1直径をもつ第1ソフトパッド領域20と第2ソフトパッド領域30とからなる。ここで、第2ソフトパッド領域30は前記第1ソフトパッド領域20と同一層にあって、前記第1ソフトパッド領域20の外周部に接着され連結される内周部を有し、前記第1直径よりもっと大きい第2直径を外径としてもち、前記第1ソフトパッド領域20よりもっと軟らかいものである。図1において、ハードパッド領域10は前記第1ソフトパッド領域20の上部に接着され配置される。第3ソフトパッド領域40は前記ハードパッド領域10と同一層に配置され、前記ハードパッド領域10の外周部に接着され連結される内周部を有し、前記第2ソフトパッド領域30に対応する外径をもち、前記第1ソフトパッド領域20と同程度軟らかいものである。ここで、前記第1ソフトパッド領域20の硬さは第3ソフトパッド領域40と殆ど同一であり、例えば、その硬さはロデル社の“SubaIV”ポリシングパッドの硬さに対応する。前記第1ソフトパッド領域20の硬さが“SubaIV”ポリシングパッドの硬さで具現される場合、前記第2ソフトパッド領域30の硬さはロデル社の“FoamPad”ポリシングパッドの硬さに相応する。この場合、前記ハードパッド領域10はロデル社の“IC 1000”ポリシングパッドで具現できる。
【0016】
前記図1のCMPパッドの構造はウェーハエッジにおけるCMP再現性確保のためのものである。即ち、下部パッドの外側部分を内部に比べより軟性の硬さをもつパッドで形成し、上部のハードパッドの外側部分をソフトパッドで形成することにより、CMP設備のヘッド圧力によるパッドの屈曲程度を均一化する。
【0017】
図2は、本発明の他の実施例によるCMPパッドの構造を示す断面図である。図2に示したCMPパッドの構造は、実質的に円形の下部ソフトパッド領域20と、前記下部ソフトパッド領域20の上部の一部分に接着され連結されるハードパッド領域10と、前記ハードパッド領域10と同一層に配置され、前記ハードパッド領域10の外周部に接着され連結される内周部を有し前記下部ソフトパッド領域20の直径に対応する外径をもち前記下部ソフトパッド20程度に軟らかい上部ソフトパッド領域40とから構成される。ここで、下部ソフトパッド領域20と上部ソフトパッド領域40の硬さはロデル社の“SubaIV”ポリシングパッドの硬さに対応する。
【0018】
図2のCMPパッド構造はウェーハエッジのストレスを最小化するにより適合した構成であって、下部パッドを均一化し上部パッドの外側部分を内側にくらべ軟らかいパッドで構成することにより、ウェーハ段差と接触する部分で段差に沿って屈曲しながらウェーハに加えられるストレスを減らし、素子パターンを保護するに適合した形態である。前記図2の構造の特長は、図3を参照すると明確になる。
【0019】
図3は、ハードパッドとソフトパッドのストレス関係を示すグラフである。図3において区間E1は段差の低い素子パターン部分を示し、区間E2は区間E1に比べ段差が相対的に高い素子パターン部分を示す。また、参照文字HPはハードパッドを示し、SPはソフトパッドを示す。ここで、ロータリ形CMPパッドの回転スピードは約150〜200rpm程度である。図3から、ソフトパッドがハードパッドに比べ屈曲特性に優れ、エッジパターンのストレスを最小化するに適合していることがわかる。
【0020】
以下、このような円形(またはロータリ形)のCMPパッドを製造する方法に対する実施例を図4及び図5を用いて説明する。しかしながら、本発明の製造方法の技術的特徴は二重のモールディング金型を用いて同一層内で複合特性をもつパッドを形成するものであって、パッドを形成する材料の混合比ならびに具体的な製法に関しては、モールディング分野において公知の技術をそのまま採用することができるので、ここで詳しくは説明しない。
【0021】
図4は、本発明の一実施例によるCMPパッドの製造工程図である。同一層内で複合特性をもつCMPパッドを製造するため、図4の段階80で準備されたウレタンポリマーと、段階81で準備された吸収孔形成剤(pore forming agent)と、段階82で準備された成形剤(curing agent)とは、段階83で混合器を用いて混合される。前記ウレタンポリマーは樹脂として、ポリウレタンの他にイソシアナート−キャップポリオキシエチレン、ポリエスター、ビニルエスター、アクリル、ケトン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、フェノリックなどのグループから少なくとも一つを選択できる。また、前記吸収孔形成剤はスラリーの通過させるためのもので、有機ポリマーまたはシリコンベースポリマーからなる。前記吸収孔形成剤はまたポリエスター、アクリリック、アクリックエスターコポリマー、ポリマイド、ポリカルボナートのうち一つを選択してもよい。
【0022】
前記混合された混合物は段階84でモールド内にキャストされる。この場合、前記混合物は図1内のソフトパッド20または図1及び図2のハードパッド10を作るため、図5の内部モールド金型95内にキャストされる。図5は図4のCMPパッドを提供するための二重モールド金型を示した図である。このとき、パッドの混合材料によっては接合剤が不要な場合もあるが、必要な場合、前記内部モールド金型95のシリンダー内壁には接合剤が予め付けられている。混合された1次パッド混合物は段階85で、1次内部金型の前記内部モールド金型95内で約200°F(約93.3℃)の温度で約5時間成形される。段階85で成形が完了すると、前記内部モールド金型95は除去される。次いで、前述した段階81から83を経て混合された2次パッド混合物を、前記図5の外部モールド金型96と既に成形された前記1次成形物、即ち、内部インゴットとの間に注入し、段階85を再実施する。これにより、2次パッド混合物が成形されると同時に1次及び2次パッド混合物が一体的に成形される。ここで、図1の下部パッド60を製作するためパッドインゴットを成形する場合、前記1次パッド混合物は前記第1ソフトパッド領域20を形成する材質で、前記2次パッド混合物は前記第2ソフトパッド領域30を形成する材質である。
【0023】
上記のような複合特性をもつパッドインゴットの製造が完了した後、本分野で公知のパッド製造工程、即ち、一定の厚みに切る段階86と、段階87の穿孔(perforate)と、段階88のグルーブ(groove)と、段階89のPSA適用と、段階90のベースパッドラミネーティングと、段階91のパッケージングとを経ることにより、一定の厚みをもつCMPパッドが得られる。
【0024】
このような製造方法に従いそれぞれ複合特性をもつ化合物インゴットを作り、これを一定のサイズに切断してスライスパッドを得る。従って、前記図1及び図2で示されるCMPパッドは、前記複合特性をもつスライスパッドを用途に適合するように互いに接着することにより作られる。
【0025】
即ち、このように製造されたCMPパッドを図6に示すように適用してポリシング工程をする際、パッドの表面状態は図6に示すように装着されたセンサーを通して感知され、感知された結果は図示されていないコントローラーに印加されて三次元プロファイルでモニタリングすることができる。よって、周期的にコンディショニング工程が実行され、減少した厚みの程度をコンディショニングで測定することにより、CMPパッドの交換時期を決定することができる。
【0026】
以上、本発明の実施例を詳しく説明したが、上述の実施例以外にも本発明の技術的思想の範囲内で変形及び変更することができるのは本発明の属する分野の当業者には明白なものであり、そのような変形及び変更は本発明の特許請求範囲に属するといえる。例えば、ロータリパッド構造に限定されずにリニア方式によりポリシングをする場合、そのようなロータリパッド構造を複合特性をもつベルト形パッドに変形することができる。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のCMPパッドの構造及びその製造方法は、研磨均一度を改善してディシング及びリセス現象を防止または最小化でき、ウェーハのエッジ部分の素子パターンが過多に損傷されることを防止できるという効果がある。従って、CMP工程での不良を最小化して、高集積半導体素子のウェーハレベル及びチップレベル均一性を向上させ、製造収率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるCMPパッドの構造を示す断面図である。
【図2】本発明の他の実施例によるCMPパッドの構造を示す断面図である。
【図3】本発明の他の実施例によるハードパッドとソフトパッドのストレス関係を示すグラフである。
【図4】本発明の一実施例によるCMPパッドの製造工程図である。
【図5】本発明の一実施例によるCMPパッドを製造するための二重モールド金型を示す模式図である。
【図6】一般のCMP設備の構成を概略的に示す模式図である。
【図7】従来の技術による一CMPパッドの構造を示す断面図である。
【図8】従来の技術による他のCMPパッドの構造を示す断面図である。
【図9】一般のハードパッドとソフトパッドによるウェーハ中央とエッジ部分における除去率を示すグラフである。
【符号の説明】
10 ハードパッド領域
20 第1ソフトパッド領域
30 第2ソフトパッド領域
40 第3ソフトパッド領域
Claims (4)
- 第1直径をもつ第1ソフトパッド領域と、
前記第1ソフトパッド領域と同一層に配置され、前記第1ソフトパッド領域の外周部に連結されている内周部を有し、前記第1直径より大きい第2直径を外径としてもち、前記第1ソフトパッド領域より軟らかい第2ソフトパッド領域と、
前記第1ソフトパッド領域の上部に配置されたハードパッド領域と、
前記ハードパッド領域と同一層に配置され、前記ハードパッド領域の外周部に連結されている内周部を有し、前記第2ソフトパッド領域に対応する外径をもち、前記第1ソフトパッド領域と同一に軟らかい第3ソフトパッド領域と、
を備えることを特徴とするCMPパッドの構造。 - 前記第1ソフトパッド領域及び前記第2ソフトパッド領域の下部に設備のテーブルと接着される接着部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のCMPパッドの構造。
- 円形の下部ソフトパッド領域と、
前記下部ソフトパッド領域の上部の一部分に連結されているハードパッド領域と、
前記ハードパッド領域と同一層に配置され、前記ハードパッド領域の外周部に連結されている内周部を有し、前記下部ソフトパッド領域の直径に対応する外径をもち、前記下部ソフトパッド領域と同一に軟らかい上部ソフトパッド領域と、
を備えることを特徴とするCMPパッドの構造。 - 前記下部ソフトパッド領域の下部に設備のテーブルと接着される接着部が形成されていることを特徴とする請求項3に記載のCMPパッドの構造。
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