JP2002217144A - Ｃｍｐパッドの構造及びその製造方法 - Google Patents

Ｃｍｐパッドの構造及びその製造方法

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JP2002217144A JP2001209124A JP2001209124A JP2002217144A JP 2002217144 A JP2002217144 A JP 2002217144A JP 2001209124 A JP2001209124 A JP 2001209124A JP 2001209124 A JP2001209124 A JP 2001209124A JP 2002217144 A JP2002217144 A JP 2002217144A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＭＰ設備に適用されるＣＭＰパッドの構造
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第１直径をもつ第１ソフトパッド領域２
０と、第１ソフトパッド領域２０と同一層に配置され、
第１ソフトパッド領域２０の外周部に接着され連結され
る内周部を有し第１直径より大きい第２直径を外径とし
てもち第１ソフトパッド領域２０より軟らかい第２ソフ
トパッド領域３０と、第１ソフトパッド領域２０の上部
に接着され配置されたハードパッド領域１０と、ハード
パッド領域１０と同一層に配置され、ハードパッド領域
１０の外周部に接着され連結される内周部を有し第２ソ
フトパッド領域３０に対応する外径をもち、第１ソフト
パッド領域２０と同程度に軟らかい第３ソフトパッド領
域４０とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
設備に関し、特に化学機械的ポリシング（ＣＭＰ：Chem
ical-Mechanical Polishing）設備に適用されるＣＭＰ
パッドの構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路素子の製造は、
ウェーハ上に写真、食刻、拡散、金属蒸着などの工程を
選択的且つ反復的に行うことによりなされる。半導体集
積回路素子を大量に製造するために用いられる半導体ウ
ェーハは、ウェーハ上に設定された素子パターンを形成
する過程でエッチバック（etch back）及びポリシング
工程をたいてい経る。酸化膜、窒化膜、金属膜のような
半導体ウェーハ上に積層された多種類の膜をウェーハの
底部面を基準に水平方向に平坦化するための代表的工程
の一つとして、ＣＭＰ（Chemical-Mechanical Polishin
g）工程が本分野で広く知られている。
【０００３】このようなＣＭＰ工程で主にポリシングさ
れる膜は、メタル及び誘電膜である。デポジション工程
を経た半導体ウェーハの表面を化学的及び機械的にポリ
シングするため、通常ＣＭＰ設備は図６に示すように構
成される。図６において、研磨定盤、プラテンまたはテ
ーブル２は、テーブルの上部に位置するＣＭＰパッド４
を支持し回転させるために使用される。ウェーハキャリ
ヤー８により固定され回転されるウェーハ６は、テーブ
ル２により回転されるポリシングパッドのＣＭＰパッド
４と接触する。前記ＣＭＰパッド４の中心部位には所定
の化学物質を含んだスラリー（slurry）がノズルを通し
て供給され、前記スラリーはＣＭＰパッド４の回転力に
よりＣＭＰパッド４の上面に均一に塗布される。前記Ｃ
ＭＰパッド４が回転する間、ウェーハキャリヤー８に付
着した半導体ウェーハ６がスラリーに覆われた前記ＣＭ
Ｐパッド４と接触する。これにより、前記スラリー、Ｃ
ＭＰパッド４及びウェーハの表面間には化学的及び機械
的反応が起こり、ウェーハの上部表面から下部へ研磨対
象の膜が漸次微細に除去される。つまり、ウェーハ６に
形成された研磨対象膜はＣＭＰパッド４の表面とその上
面に分布するスラリーとによる化学的及び機械的摩擦過
程でウェーハの表面からポリシングされ、設定されたポ
リシング時間を経た後には上部表面が設定された厚みだ
け平坦になったウェーハが得られる。ここで、ポリシン
グされるウェーハ６の薄膜の状態は、ＣＭＰパッド４と
ウェーハ６との間の機械的摩擦、ＣＭＰパッド４の材質
とその状態、ケミカルスラリーの組成及び分布状態、Ｃ
ＭＰパッド４表面の屈曲状態などに影響を受けると知ら
れている。
【０００４】前記ＣＭＰ設備の長時間使用に伴い前記Ｃ
ＭＰパッド４の表面状態は漸次不規則な屈曲面をもつよ
うになるため、ウェーハ６の表面を所望の平坦度に加工
することができない。それゆえ、前記ＣＭＰ設備にはウ
ェーハ６の平坦度を持続的に維持できるようにするた
め、予め設定された時間周期でＣＭＰパッド４の表面を
均一に研削するコンディショナ９が通常設置される。こ
のようなコンディショナ９には人造ダイヤモンドなどの
研削手段が設置され、前記研削手段は研削の必要時に前
記ＣＭＰパッド４の表面に対向して接触し、垂直上下降
駆動及び高速回転する。前記コンディショナ９は回転す
るＣＭＰパッド４の放射方向に往復移動することによ
り、ＣＭＰパッド４の全表面に対し所定厚みに表面を除
去するコンディショニング工程を行う。
【０００５】しかし、通常ポリウレタン系列の化合物で
作られるＣＭＰパッド４は使用寿命が決められているた
め、ＣＭＰパッド４を無制限にコンディショナ９で研削
した後に使用すべきである。即ち、一定の使用時間が経
過したら、新しいＣＭＰパッドに交換することが必要な
のである。
【０００６】このようなＣＭＰパッド４は、図６に示す
ように下部層を構成するソフトパッド２０と上部層を構
成するハードパッド１０とから構成されている。図７及
び図８を参照して構造を具体的に説明する。図７に示す
ように、ＣＭＰ設備のテーブル２との接着力が良くなる
ようにするための接着部２５の上部にはソフトパッド２
０が形成され、その上部には接着層１５を介してハード
パッド１０が形成される。ここで、前記接着層１５は前
記ソフトパッド２０とハードパッド１０を一体的に接着
するための役割をする。前記ハードパッド１０としては
例えばロデル（ＲＯＤＥＬ）社の“ＩＣ １０００”ポ
リシングパッドを、ソフトパッド２０としては例えばロ
デル社の“ＳｕｂａIV”ポリシングパッドを利用するこ
とができる。また、図８のパッド構造は、図７のソフト
パッド２０よりも硬さが少し小さいソフトパッド３０を
下部パッドとして形成した例である。ここで、前記ソフ
トパッド３０はロデル社の“Ｆｏａｍ Ｐａｄ”で具現
できる。前記図７及び図８に示したＣＭＰパッドはそれ
ぞれ単一特性をもつ化合物インゴットを製作した後、一
定のサイズに切断をしてスライスパッドを得、これらを
互いに接着することにより作ったものである。
【０００７】このような通常のＣＭＰパッドを用いてポ
リシング工程を行う場合、半導体ウェーハ及びチップの
中央部のポリシング率がウェーハ及びチップのエッジ部
分でのポリシング率と異なるという問題にＣＭＰエンジ
ニアらは直面してきた。ポリシング率の差に起因して、
ディシング（dishing）現象またはリセス（recess）現
象が発生し、ポリシングされたウェーハの表面が実質的
に不均一になる。そのような問題に関して今までエンジ
ニアらは問題の主な原因がスラリー移送の不均一、また
はウェーハの円周表面における回転速度の変化などに起
因すると認めており、ＣＭＰパッド自体の改善に関して
は研究をよそにしてきた傾向があった。
【０００８】以上のように、同一なパッド層内で単一特
性をもつ通常のＣＭＰパッドを用いてポリシング工程を
した場合、ウェーハ中央部分とウェーハのエッジ部分に
おいて現れるソフトパッド及びハードパッドのＣＭＰ除
去率（removal rate）を示したグラフを図９に示す。図
９において、データ３ａはソフトパッドの場合を、デー
タ３ｂはハードパッドの場合を表す。このグラフを参照
すると、ハードパッドの場合にウェーハ中央部分とウェ
ーハのエッジ部分でのエッチレートがソフトパッドの場
合よりも甚だしい差をもつことがわかる。８インチ以上
の大口径ウェーハに適用の際、ウェーハレベル均一度は
小口径ウェーハの場合よりも悪化し、製造収率が減少す
るという問題が発生する。また、層間誘電膜４（ＩＬＤ
４）を上記のようなＣＭＰパッドを用いてポリシングす
るときにその除去量は相当に少なく、この場合、ウェー
ハのエッジ部分に位置する半導体素子パターンに強いス
トレスが集中してパターンが損傷されるという問題が頻
繁に発生するようになる。
【０００９】従って、ウェーハレベルまたはチップレベ
ルでウェーハの研磨均一度を向上させてディシング及び
リセス現象を防止または最小化しエッジ部分の素子パタ
ーンが過多に損傷されることを防止するために改善され
た技術が切実に求められている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、化学機械的ポリシング設備に適用される改善された
ＣＭＰパッドの構造及びその製造方法を提供することに
ある。本発明の他の目的は、研磨均一度を改善すること
ができるＣＭＰパッドの構造及びその製造方法を提供す
ることにある。
【００１１】本発明の又他の目的は、ＣＭＰ工程でディ
シング及びリセス現象を防止または最小化することがで
きるＣＭＰパッドの構造及びその製造方法を提供するこ
とにある。本発明の又他の目的は、ウェーハのエッジ部
分の素子パターンが過多に損傷されることを防止するＣ
ＭＰパッドの構造及びその製造方法を提供することにあ
る。本発明の又他の目的は、ＣＭＰ工程での不良を最小
化してＣＭＰ工程を安定化させ、半導体製造収率を改善
するＣＭＰパッドの構造及びその製造方法を提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明によるＣＭＰパッドの構造の第１手段は、第
１直径をもつ第１ソフトパッド領域と、前記第１ソフト
パッド領域と同一層に配置され、前記第１ソフトパッド
の外周部に連結されている内周部を有し前記第１直径よ
り大きい第２直径を外径としてもち前記第１ソフトパッ
ド領域よりも軟らかい第２ソフトパッド領域と、前記第
１ソフトパッド領域の上部に配置されたハードパッド領
域と、前記ハードパッド領域と同一層に配置され、前記
ハードパッド領域の外周部に連結されている内周部を有
し前記第２ソフトパッド領域に対応する外径をもち前記
第１ソフトパッド領域と同程度軟らかい第３ソフトパッ
ド領域とを備えることを特徴とする。
【００１３】また、本発明によるＣＭＰパッドの構造の
第２手段は、実質的に円形の下部ソフトパッド領域と、
前記下部ソフトパッド領域の上部の一部に連結されてい
るハードパッド領域と、前記ハードパッド領域と同一層
に配置され、前記ハードパッド領域の外周部に連結され
ている内周部を有し前記下部ソフトパッド領域の直径に
対応する外径をもち前記下部ソフトパッド領域と同程度
軟らかい上部ソフトパッド領域とを備えることを特徴と
する。
【００１４】また、本発明によるＣＭＰパッドの製造方
法は、互いに異なる硬さをもつ１次及び２次パッド混合
物を準備する段階と、１次パッド混合物を１次モールド
金型内に注入して成形する段階と、前記成形された第１
次パッド混合物を置いたまま１次モールド金型を除去す
る段階と、前記準備された２次パッド混合物を前記１次
モールド金型の外径に対応する内径と予め設定されたイ
ンゴット外径に対応する外径とをもつ２次モールド金型
内にキャスティングする段階と、前記２次パッド混合物
を前記成形された１次パッド混合物と一体的に成形する
段階と、前記一体的に成形された結果物をポリシングパ
ッドのサイズに切断し複合特性の下部及び上部パッド構
造をもつＣＭＰパッドとして提供する段階とを含むこと
を特徴とする。前記ＣＭＰパッドの構造及びその製造方
法によると、ＣＭＰ工程の実行の際に高集積半導体素子
のウェーハレベル及びチップレベル均一性が向上され
て、工程安定化により製造収率が改善されるという特長
がある。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＣＭＰパッドの構
造とその製造方法に対する好ましい実施例を図面を用い
て詳しく説明する。図１は、本発明の一実施例によるＣ
ＭＰパッドの構造を示す断面図である。図１に示すよう
に、下部パッドは第１直径をもつ第１ソフトパッド領域
２０と第２ソフトパッド領域３０とからなる。ここで、
第２ソフトパッド領域３０は前記第１ソフトパッド領域
２０と同一層にあって、前記第１ソフトパッド領域２０
の外周部に接着され連結される内周部を有し、前記第１
直径よりもっと大きい第２直径を外径としてもち、前記
第１ソフトパッド領域２０よりもっと軟らかいものであ
る。図１において、ハードパッド領域１０は前記第１ソ
フトパッド領域２０の上部に接着され配置される。第３
ソフトパッド領域４０は前記ハードパッド領域１０と同
一層に配置され、前記ハードパッド領域１０の外周部に
接着され連結される内周部を有し、前記第２ソフトパッ
ド領域３０に対応する外径をもち、前記第１ソフトパッ
ド領域２０と同程度軟らかいものである。ここで、前記
第１ソフトパッド領域２０の硬さは第３ソフトパッド領
域４０と殆ど同一であり、例えば、その硬さはロデル社
の“ＳｕｂａIV”ポリシングパッドの硬さに対応する。
前記第１ソフトパッド領域２０の硬さが“ＳｕｂａIV”
ポリシングパッドの硬さで具現される場合、前記第２ソ
フトパッド領域３０の硬さはロデル社の“ＦｏａｍＰａ
ｄ”ポリシングパッドの硬さに相応する。この場合、前
記ハードパッド領域１０はロデル社の“ＩＣ １００
０”ポリシングパッドで具現できる。
【００１６】前記図１のＣＭＰパッドの構造はウェーハ
エッジにおけるＣＭＰ再現性確保のためのものである。
即ち、下部パッドの外側部分を内部に比べより軟性の硬
さをもつパッドで形成し、上部のハードパッドの外側部
分をソフトパッドで形成することにより、ＣＭＰ設備の
ヘッド圧力によるパッドの屈曲程度を均一化する。
【００１７】図２は、本発明の他の実施例によるＣＭＰ
パッドの構造を示す断面図である。図２に示したＣＭＰ
パッドの構造は、実質的に円形の下部ソフトパッド領域
２０と、前記下部ソフトパッド領域２０の上部の一部分
に接着され連結されるハードパッド領域１０と、前記ハ
ードパッド領域１０と同一層に配置され、前記ハードパ
ッド領域１０の外周部に接着され連結される内周部を有
し前記下部ソフトパッド領域２０の直径に対応する外径
をもち前記下部ソフトパッド２０程度に軟らかい上部ソ
フトパッド領域４０とから構成される。ここで、下部ソ
フトパッド領域２０と上部ソフトパッド領域４０の硬さ
はロデル社の“ＳｕｂａIV”ポリシングパッドの硬さに
対応する。
【００１８】図２のＣＭＰパッド構造はウェーハエッジ
のストレスを最小化するにより適合した構成であって、
下部パッドを均一化し上部パッドの外側部分を内側にく
らべ軟らかいパッドで構成することにより、ウェーハ段
差と接触する部分で段差に沿って屈曲しながらウェーハ
に加えられるストレスを減らし、素子パターンを保護す
るに適合した形態である。前記図２の構造の特長は、図
３を参照すると明確になる。
【００１９】図３は、ハードパッドとソフトパッドのス
トレス関係を示すグラフである。図３において区間Ｅ１
は段差の低い素子パターン部分を示し、区間Ｅ２は区間
Ｅ１に比べ段差が相対的に高い素子パターン部分を示
す。また、参照文字ＨＰはハードパッドを示し、ＳＰは
ソフトパッドを示す。ここで、ロータリ形ＣＭＰパッド
の回転スピードは約１５０〜２００ｒｐｍ程度である。
図３から、ソフトパッドがハードパッドに比べ屈曲特性
に優れ、エッジパターンのストレスを最小化するに適合
していることがわかる。
【００２０】以下、このような円形（またはロータリ
形）のＣＭＰパッドを製造する方法に対する実施例を図
４及び図５を用いて説明する。しかしながら、本発明の
製造方法の技術的特徴は二重のモールディング金型を用
いて同一層内で複合特性をもつパッドを形成するもので
あって、パッドを形成する材料の混合比ならびに具体的
な製法に関しては、モールディング分野において公知の
技術をそのまま採用することができるので、ここで詳し
くは説明しない。
【００２１】図４は、本発明の一実施例によるＣＭＰパ
ッドの製造工程図である。同一層内で複合特性をもつＣ
ＭＰパッドを製造するため、図４の段階８０で準備され
たウレタンポリマーと、段階８１で準備された吸収孔形
成剤（pore forming agent）と、段階８２で準備された
成形剤（curing agent）とは、段階８３で混合器を用い
て混合される。前記ウレタンポリマーは樹脂として、ポ
リウレタンの他にイソシアナート−キャップポリオキシ
エチレン、ポリエスター、ビニルエスター、アクリル、
ケトン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、フェノリ
ックなどのグループから少なくとも一つを選択できる。
また、前記吸収孔形成剤はスラリーの通過させるための
もので、有機ポリマーまたはシリコンベースポリマーか
らなる。前記吸収孔形成剤はまたポリエスター、アクリ
リック、アクリックエスターコポリマー、ポリマイド、
ポリカルボナートのうち一つを選択してもよい。
【００２２】前記混合された混合物は段階８４でモール
ド内にキャストされる。この場合、前記混合物は図１内
のソフトパッド２０または図１及び図２のハードパッド
１０を作るため、図５の内部モールド金型９５内にキャ
ストされる。図５は図４のＣＭＰパッドを提供するため
の二重モールド金型を示した図である。このとき、パッ
ドの混合材料によっては接合剤が不要な場合もあるが、
必要な場合、前記内部モールド金型９５のシリンダー内
壁には接合剤が予め付けられている。混合された１次パ
ッド混合物は段階８５で、１次内部金型の前記内部モー
ルド金型９５内で約２００°F（約９３．３℃）の温度
で約５時間成形される。段階８５で成形が完了すると、
前記内部モールド金型９５は除去される。次いで、前述
した段階８１から８３を経て混合された２次パッド混合
物を、前記図５の外部モールド金型９６と既に成形され
た前記１次成形物、即ち、内部インゴットとの間に注入
し、段階８５を再実施する。これにより、２次パッド混
合物が成形されると同時に１次及び２次パッド混合物が
一体的に成形される。ここで、図１の下部パッド６０を
製作するためパッドインゴットを成形する場合、前記１
次パッド混合物は前記第１ソフトパッド領域２０を形成
する材質で、前記２次パッド混合物は前記第２ソフトパ
ッド領域３０を形成する材質である。
【００２３】上記のような複合特性をもつパッドインゴ
ットの製造が完了した後、本分野で公知のパッド製造工
程、即ち、一定の厚みに切る段階８６と、段階８７の穿
孔（perforate）と、段階８８のグルーブ（groove）
と、段階８９のＰＳＡ適用と、段階９０のベースパッド
ラミネーティングと、段階９１のパッケージングとを経
ることにより、一定の厚みをもつＣＭＰパッドが得られ
る。
【００２４】このような製造方法に従いそれぞれ複合特
性をもつ化合物インゴットを作り、これを一定のサイズ
に切断してスライスパッドを得る。従って、前記図１及
び図２で示されるＣＭＰパッドは、前記複合特性をもつ
スライスパッドを用途に適合するように互いに接着する
ことにより作られる。
【００２５】即ち、このように製造されたＣＭＰパッド
を図６に示すように適用してポリシング工程をする際、
パッドの表面状態は図６に示すように装着されたセンサ
ーを通して感知され、感知された結果は図示されていな
いコントローラーに印加されて三次元プロファイルでモ
ニタリングすることができる。よって、周期的にコンデ
ィショニング工程が実行され、減少した厚みの程度をコ
ンディショニングで測定することにより、ＣＭＰパッド
の交換時期を決定することができる。
【００２６】以上、本発明の実施例を詳しく説明した
が、上述の実施例以外にも本発明の技術的思想の範囲内
で変形及び変更することができるのは本発明の属する分
野の当業者には明白なものであり、そのような変形及び
変更は本発明の特許請求範囲に属するといえる。例え
ば、ロータリパッド構造に限定されずにリニア方式によ
りポリシングをする場合、そのようなロータリパッド構
造を複合特性をもつベルト形パッドに変形することがで
きる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＣＭＰパッ
ドの構造及びその製造方法は、研磨均一度を改善してデ
ィシング及びリセス現象を防止または最小化でき、ウェ
ーハのエッジ部分の素子パターンが過多に損傷されるこ
とを防止できるという効果がある。従って、ＣＭＰ工程
での不良を最小化して、高集積半導体素子のウェーハレ
ベル及びチップレベル均一性を向上させ、製造収率を高
めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるＣＭＰパッドの構造を
示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施例によるＣＭＰパッドの構造
を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施例によるハードパッドとソフ
トパッドのストレス関係を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施例によるＣＭＰパッドの製造工
程図である。
【図５】本発明の一実施例によるＣＭＰパッドを製造す
るための二重モールド金型を示す模式図である。
【図６】一般のＣＭＰ設備の構成を概略的に示す模式図
である。
【図７】従来の技術による一ＣＭＰパッドの構造を示す
断面図である。
【図８】従来の技術による他のＣＭＰパッドの構造を示
す断面図である。
【図９】一般のハードパッドとソフトパッドによるウェ
ーハ中央とエッジ部分における除去率を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
１０ ハードパッド領域 ２０ 第１ソフトパッド領域 ３０ 第２ソフトパッド領域 ４０ 第３ソフトパッド領域

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１直径をもつ第１ソフトパッド領域
    と、 前記第１ソフトパッド領域と同一層に配置され、前記第
    １ソフトパッド領域の外周部に連結されている内周部を
    有し、前記第１直径より大きい第２直径を外径としても
    ち、前記第１ソフトパッド領域より軟らかい第２ソフト
    パッド領域と、 前記第１ソフトパッド領域の上部に配置されたハードパ
    ッド領域と、 前記ハードパッド領域と同一層に配置され、前記ハード
    パッド領域の外周部に連結されている内周部を有し、前
    記第２ソフトパッド領域に対応する外径をもち、前記第
    １ソフトパッド領域と同程度に軟らかい第３ソフトパッ
    ド領域と、 を備えることを特徴とするＣＭＰパッドの構造。
  2. 【請求項２】 前記第１ソフトパッド領域及び前記第２
    ソフトパッド領域の下部に設備のテーブルと接着される
    接着部が形成されていることを特徴とする請求項１に記
    載のＣＭＰパッドの構造。
  3. 【請求項３】 円形の下部ソフトパッド領域と、 前記下部ソフトパッド領域の上部の一部分に連結されて
    いるハードパッド領域と、 前記ハードパッド領域と同一層に配置され、前記ハード
    パッド領域の外周部に連結されている内周部を有し、前
    記下部ソフトパッド領域の直径に対応する外径をもち、
    前記下部ソフトパッド領域と同程度に軟らかい上部ソフ
    トパッド領域と、 を備えることを特徴とするＣＭＰパッドの構造。
  4. 【請求項４】 前記下部ソフトパッド領域の下部に設備
    のテーブルと接着される接着部が形成されていることを
    特徴とする請求項３に記載のＣＭＰパッドの構造。
  5. 【請求項５】 互いに異なる硬さをもつ１次パッド混合
    物及び２次パッド混合物を準備する段階と、 前記１次パッド混合物を１次モールド金型内に注入して
    成形する段階と、 前記成形された１次パッド混合物を置いたまま前記１次
    モールド金型を除去する段階と、 前記準備された２次パッド混合物を前記１次モールド金
    型の外径に対応する内径ならびに予め設定されたインゴ
    ット外径に対応する外径をもつ２次モールド金型内にキ
    ャスティングする段階と、 前記２次パッド混合物を前記成形された１次パッド混合
    物と一体的に成形する段階と、 前記一体的に成形された結果物をポリシングパッドのサ
    イズに切断し、複合特性をもち下部及び上部パッド構造
    を有するＣＭＰパッドとして提供する段階と、 を含むことを特徴とするＣＭＰパッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記１次パッド混合物は、前記２次パッ
    ド混合物の成形硬さに比べ硬さが大きいことを特徴とす
    る請求項５に記載のＣＭＰパッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記１次パッド混合物は、前記２次パッ
    ド混合物の成形硬さに比べ硬さが小さいことを特徴とす
    る請求項５に記載のＣＭＰパッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 互いに異なる硬さをもつ１次パッド混合
    物及び２次パッド混合物を準備する段階と、 前記１次パッド混合物を１次モールド金型内に注入して
    成形する段階と、 前記成形された１次パッド混合物を置いたまま前記１次
    モールド金型を除去する段階と、 前記準備された２次パッド混合物を前記１次モールド金
    型の外径に対応する内径ならびに予め設定されたインゴ
    ット外径に対応する外径をもつ２次モールド金型内にキ
    ャスティングする段階と、 前記２次パッド混合物を前記成形された１次パッド混合
    物と一体的に成形する段階と、 を含むことを特徴とするＣＭＰパッドのインゴットの製
    造方法。
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