JP5346445B2 - ケミカルメカニカル研磨パッド - Google Patents

ケミカルメカニカル研磨パッド Download PDF

Info

Publication number
JP5346445B2
JP5346445B2 JP2007138565A JP2007138565A JP5346445B2 JP 5346445 B2 JP5346445 B2 JP 5346445B2 JP 2007138565 A JP2007138565 A JP 2007138565A JP 2007138565 A JP2007138565 A JP 2007138565A JP 5346445 B2 JP5346445 B2 JP 5346445B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polymer
polymer matrix
bulk
polishing pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007138565A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007313640A5 (ja
JP2007313640A (ja
Inventor
メアリー・ジョー・カルプ
Original Assignee
ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド filed Critical ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
Publication of JP2007313640A publication Critical patent/JP2007313640A/ja
Publication of JP2007313640A5 publication Critical patent/JP2007313640A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5346445B2 publication Critical patent/JP5346445B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • B24D3/32Resins or natural or synthetic macromolecular compounds for porous or cellular structure
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

本明細書は、基材、たとえば半導体基材又は磁気ディスクを研磨し、平坦化するのに有用な研磨パッドに関する。
ポリマー研磨パッド、たとえばポリウレタン、ポリアミド、ポリブタジエン及びポリオレフィン研磨パッドは、急速に進化するエレクトロニクス産業における基材平坦化のための市販材料を代表するものである。平坦化を要するエレクトロニクス産業基材としては、シリコンウェーハ、パターン付きウェーハ、フラットパネルディスプレー及び磁気記憶ディスクがある。平坦化に加えて、研磨パッドは、過度な数の欠陥、たとえばスクラッチ又は他のウェーハ凹凸を生じさせないことが不可欠である。さらには、エレクトロニクス産業の絶え間ない進歩は、研磨パッドの平坦化及び欠陥率能力に対し、より大きな要求を課している。
たとえば、半導体の製造は通常、いくつかのケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)工程を含む。各CMP工程で、研磨パッドが、研磨溶液、たとえば砥粒含有研磨スラリー又は無砥粒反応性液と組み合わさって、後続の層の受容に備えて平坦化する、又は平坦さを維持するようなやり方で余剰材料を除去する。これらの層の積み重ねが、集積回路を形成するようなやり方で組み合わさる。これらの半導体デバイスの製造は、作動速度を高め、漏れ電流を減らし、消費電力を削減するデバイスに対する要求のせいで、より複雑化し続けている。デバイスアーキテクチャの点では、これは、より微細なフィーチャーの形状大きさ及び増大したメタライゼーションレベルの数と言い換えることができる。これらのますます厳しくなるデバイス設計要求が、ますます小さなライン間隔及び対応するパターン密度の増大の採用を強要している。デバイスのより小さなスケール及び増大した複雑さが、CMP消費材料、たとえば研磨パッド及び研磨溶液に対するより大きな要求を招くようになった。加えて、集積回路のフィーチャーサイズが縮小するにつれ、CMP誘発欠陥、たとえばスクラッチがより大きな問題になる。さらに、集積回路の膜厚さの減少は、ウェーハ基材に対して受け入れられるトポグラフィーを提供すると同時に欠陥率を改善することを要求する。これらのトポグラフィー要件が、ますます厳格な平坦性、ラインディッシング及び小さなフィーチャーアレイエロージョン研磨規格を要求する。
旧来、注型成形ポリウレタン研磨パッドが、集積回路を製造するために使用される大部分の研磨処理のために機械的結着性及び耐薬品性を提供してきた。たとえば、ポリウレタン研磨パッドは、引裂きに抵抗するのに十分な引張り強さ、研磨中の摩耗問題を回避するための耐摩耗性ならびに強酸性及び強苛性アルカリ性の研磨溶液による攻撃に抵抗するための安定性を有する。残念ながら、平坦化を改善する傾向を示す硬質の注型成形ポリウレタン研磨パッドは欠陥を増す傾向をも示す。
Jamesらは、米国特許公開公報第2005/0079806号で、IC1000(商標)ポリウレタン研磨パッドに類似した平坦化能力を有するが、欠陥率性能が改善されている硬質ポリウレタン研磨パッド群を開示している。IC1000は、Rohm and Haas社又はその系列会社の商標である。残念ながら、Jamesらの研磨パッドで達成される研磨性能は、研磨基材及び研磨条件とともに変化する。たとえば、これらの研磨パッドは、酸化ケイ素/窒化ケイ素を研磨する用途、たとえば直接的な浅いトレンチデバイス分離(STI)研磨用途では利点が限られる。本明細書に関して、酸化ケイ素とは、半導体デバイスにおいて絶縁体を形成するのに有用な酸化ケイ素、酸化ケイ素化合物及びドープされた酸化ケイ素調合物をいい、窒化ケイ素とは、半導体用途に有用な窒化ケイ素、窒化ケイ素化合物及びドープされた窒化ケイ素調合物をいう。半導体デバイスを製造するのに有用なこれらのケイ素化合物は様々な方向に進化し続けている。使用されている絶縁体酸化物の具体的なタイプは、テトラエチルオルトシリケートの分解、HDP(「高密度プラズマ」)及びSACVD(「減圧化学蒸着」)から形成されるTEOSを含む。優れた平坦化能力を改善された欠陥率性能と併せ持つさらなる研磨パッドの必要性が今もある。特に、平坦化と欠陥率研磨性能との改善された組み合わせで酸化物/SiNを研磨するのに適した研磨パッドが要望されている。
本発明の態様は、半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、ポリマー研磨アスペリティが、ポリマーマトリックスから延び、研磨中に基材と接することができる上研磨面の部分であり、研磨パッドが、上研磨面の摩耗又はコンディショニングによってポリマーマトリックスからさらなるポリマー研磨アスペリティを形成し、ポリマー研磨アスペリティが、少なくとも6,500psi(44.8MPa)のバルク極限引張り強さ及び少なくとも250lb/in(4.5×103g/mm)のバルク引裂き強さを有するポリマーマトリックスからのものである研磨パッドを提供する。
本発明の第二の態様は、半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、ポリマー研磨アスペリティが、ポリマーマトリックスから延び、研磨中に基材と接することができる上研磨面の部分であり、ポリマーマトリックスが、二官能性又は多官能性イソシアネートから誘導されるポリマーを含み、ポリマーが、ポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及びそれらの混合物から選択される少なくとも一つを含み、ポリマーマトリックスが、6,500〜14,000psi(44.8〜96.5MPa)のバルク極限引張り強さ及び250〜750lb/in(4.5×103〜1.34×103g/mm)のバルク引裂き強さを有するものである研磨パッドを提供する。
本発明は、半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した、ポリマーマトリックスを含む研磨パッドを提供する。研磨パッドは、STI用途、たとえばHDP/SiN、TEOS/SiN又はSACVD/SiNを研磨し、平坦化するのに特に適している。研磨パッドのバルク材料特性は、平坦化及び欠陥率研磨性能の両方において予想外の利点を有することができる。本明細書に関して、バルク材料の高い引裂き強さは、気孔を意図的に加えていないポリマー、たとえば非孔質ポリウレタンポリマーの性質を表す。旧来からの理解は、材料のコンプライアンスがスクラッチを減らし、低欠陥率研磨を促進するということ及び材料の剛性又は剛さが優れた平坦化挙動を達成するのに重要であるということであった。本発明では、研磨パッドのバルク極限引張り強さ及び引裂き強さの増大が、気孔率の増大に伴う機械的性質の損失とは独立したやり方で作用して優れた研磨性能を促進する。特に、本発明は、平坦化と欠陥率性能との融合を可能にして一定範囲の研磨性能を達成する。加えて、これらのパッドは、eCMP(「エレクトロケミカルメカニカルプラナリゼーション」)用途を促進するための表面構造を維持する。たとえば、パッドの穿孔、導電性ライニングされた溝の導入又は導体、たとえば導電性繊維もしくは金属ワイヤの配合がパッドをeCMP研磨パッドに転換することができる。
図1を参照すると、ポリマー研磨パッド10は、ポリマーマトリックス12及び上研磨面14を含む。研磨面14は、複数のポリマー研磨アスペリティ16を含むか、研磨パッド10のウェーハ基材除去速度を制御するために砥粒によってコンディショニングされると、ポリマー研磨アスペリティ16を形成する。本明細書に関して、アスペリティとは、研磨中に基材と接触することができる又は接触する可能性を有する構造をいう。一般に、硬い面、たとえばダイアモンドコンディショニングディスクを用いるコンディショニングが研磨中にアスペリティを形成する。これらのアスペリティは、多くの場合、気孔の縁の近くに形成する。コンディショニングは、周期的に、たとえば各ウェーハ研磨ののち30秒間作用することもできるし、連続的に作用することもできるが、連続的なコンディショニングが、除去速度の改善された制御のための定常状態研磨条件を確立する利点を提供する。コンディショニングは通常、研磨パッド除去速度を高め、一般に研磨パッドの摩耗に伴う除去速度の減衰を防止する。コンディショニングに加えて、溝及び穿孔が、スラリーの分散、研磨均一性、研磨くず除去及び基材除去速度に対してさらなる利点を提供することができる。
ポリマー研磨アスペリティ16は、ポリマーマトリックス12から延び、基材と接触する上研磨面14の部分を表す。ポリマー研磨アスペリティ16は、高い極限引張り強さを有するポリマー材料からのものであり、研磨パッド10は、ポリマー材料から上研磨面14の摩耗又はコンディショニングによってさらなるポリマー研磨アスペリティ16を形成する。
ポリマーマトリックスの極限引張り強さが、厳しい研磨用途に求められる酸化ケイ素除去速度、耐久性及びプラナリゼーションを促進する。特に、高い引張り強さを有するマトリックスは、酸化ケイ素除去速度を高める傾向を示す。好ましくは、マトリックスは、少なくとも6,500psi(44.8MPa)のバルク極限引張り強さを有する。より好ましくは、ポリマーマトリックスは、6,500psi〜14,000psi(44.8〜96.5MPa)のバルク極限引張り強さを有する。もっとも好ましくは、ポリマーマトリックスは、6,750psi〜10,000psi(46.5〜68.9MPa)のバルク極限引張り強さを有する。さらには、研磨データは、7,000〜9,000psi(48.2〜62MPa)のバルク極限引張り強さがウェーハを研磨するのに特に有用であることを示す。充填材なしでの破断伸びは、通常少なくとも200%であり、通常200〜500%である。極限引張り強さ及び破断伸びを測定するには、ASTM D412(バージョンD412−02)に記載されている試験法が特に有用である。
極限引張り強さに加えて、バルク引裂き強さもまた、パッドの研磨能力に寄与する。たとえば、少なくとも250lb/in(4.5×103g/mm)のバルク引裂き強さが特に有用である。好ましくは、マトリックスは、250〜750lb/in(4.5×103〜1.34×103g/mm)のバルク引裂き強さを有する。もっとも好ましくは、マトリックスは、275〜700lb/in(4.9×103〜1.25×103g/mm)のバルク引裂き強さを有する。バルク引裂き強さを測定するには、ASTM D624−00e1に概説されているデータ解析技術を使用する、ASTM D1938(バージョンD1938−02)に記載されている試験法が特に有用である。
典型的なポリマー研磨パッド材料としては、ポリカーボネート、ポリスルホン、ナイロン、エチレンコポリマー、ポリエーテル、ポリエステル、ポリエーテル−ポリエステルコポリマー、アクリル酸系ポリマー、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンコポリマー、ポリブタジエン、ポリエチレンイミン、ポリウレタン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリケトン、エポキシ樹脂、シリコーン、それらのコポリマー及びそれらの混合物がある。ポリマー材料は、好ましくはポリウレタンであり、もっとも好ましくは架橋ポリウレタンではないものである。本明細書に関して、「ポリウレタン」とは、二官能性又は多官能性イソシアネートから誘導される生成物、たとえばポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及びそれらの混合物である。
注型成形ポリウレタン研磨パッドは、半導体、光学及び磁性基材を平坦化するのに適している。パッドの具体的な研磨特性は、一部には、プレポリマーポリオールと多官能性イソシアネートとのプレポリマー反応生成物から生じる。研磨パッドを形成するためには、プレポリマー生成物を、硬化剤ポリアミン、硬化剤ポリオール、硬化剤アルコールアミン及びそれらの混合物からなる群より選択される硬化剤で硬化させる。プレポリマー反応生成物中の未反応NCOに対する硬化剤の比を制御すると、研磨中の多孔性パッドの欠陥率性能を改善することができることがわかった。
ポリマーは、無孔性、多孔性及び充填材入り研磨パッドを形成するのに有効である。本明細書に関して、研磨パッドのための充填材としては、研磨中に遊離又は溶解する固形粒子及び液体充填粒子又は球体がある。本明細書に関して、気孔としては、ガス充填粒子、ガス充填球体及び他の手段、たとえばガスで粘稠系を機械的に泡立てる、ガスをポリウレタン溶融体に注入する、ガス状生成物との化学反応を使用してガスをその場で導入する、又は圧力を下げて溶解ガスによって気泡を形成させることによって形成される空隙がある。研磨パッドは、少なくとも0.1容量%の気孔率又は充填材濃度を含む。この気孔又は充填材が、研磨中に研磨流体を移動させる研磨パッドの能力に寄与する。好ましくは、研磨パッドは、0.2〜70容量%の気孔率又は充填材濃度を有する。もっとも好ましくは、研磨パッドは、0.3〜65容量%の気孔率又は充填材濃度を有する。好ましくは、気孔又は充填材粒子は、1〜100μmの重量平均直径を有する。もっとも好ましくは、気孔又は充填材粒子は、10〜90μmの重量平均直径を有する。膨張した中空ポリマー微小球の重量平均直径の公称範囲は15〜90μmである。さらには、高い気孔率と小さな孔径との組み合わせが欠陥率を下げるのに特に利点を有することができる。たとえば、研磨層の25〜65容量%を構成する2〜50μmの孔径が欠陥率の低下を促進する。さらには、気孔率を40〜60%に維持すると、欠陥率に関して特に利点を得ることができる。さらには、多くの場合、気孔率のレベルを調節することによって酸化物:SiN選択比が調節可能であり、その際、気孔率のレベルが高いほど酸化物選択比が低くなる。
好ましくは、ポリマー材料は、コポリマーの一つ以上のブロックを多く含む相に分離することができるブロック又はセグメント化コポリマーである。もっとも好ましくは、ポリマー材料はポリウレタンである。本明細書に関して、「ポリウレタン」とは、二官能性又は多官能性イソシアネートから誘導される生成物、たとえばポリエーテルウレア、ポリエステルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及びそれらの混合物である。パッドの研磨特性を制御する手法は、その化学組成を変化させることである。加えて、原料及び製造法の選択が、ポリマー形態及び研磨パッドを製造するために使用される材料の最終的性質に影響する。
好ましくは、ウレタン製造は、多官能性芳香族イソシアネート及びプレポリマーポリオールからのイソシアネート終端化ウレタンプレポリマーの調製を含む。本明細書に関して、プレポリマーポリオールという語は、ジオール、ポリオール、ポリオールジオール、それらのコポリマー及びそれらの混合物を含む。好ましくは、プレポリマーポリオールは、ポリテトラメチレンエーテルグリコール[PTMEG]、ポリプロピレンエーテルグリコール[PPG]、エステル系ポリオール、たとえばエチレン又はブチレンアジペート、それらのコポリマー及びそれらの混合物からなる群より選択される。典型的な多官能性芳香族イソシアネートとしては、2,4−トルエンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、ナフタレン−1,5−ジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート及びそれらの混合物がある。多官能性芳香族イソシアネートは、脂肪族イソシアネート、たとえば4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート及びシクロヘキサンジイソシアネートを20重量%未満しか含有しない。好ましくは、多官能性芳香族イソシアネートは、脂肪族イソシアネートを15重量%未満、より好ましくは12重量%未満しか含有しない。
典型的なプレポリマーポリオールとしては、ポリエーテルポリオール、たとえばポリ(オキシテトラメチレン)グリコール、ポリ(オキシプロピレン)グリコール及びそれらの混合物、ポリカーボネートポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール及びそれらの混合物がある。典型的なポリオールは、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、1,5−ペンタンジオール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール及びこれらの混合物をはじめとする低分子量ポリオールと混合していることができる。
好ましくは、プレポリマーポリオールは、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリエステルポリオール、ポリプロピレンエーテルグリコール、ポリカプロラクトンポリオール、それらのコポリマー及びそれらの混合物からなる群より選択される。プレポリマーポリオールがPTMEG、そのコポリマー又はその混合物であるならば、イソシアネート終端化反応生成物は、好ましくは、8.0〜15.0重量%の範囲の未反応NCOを有する。PTMEG又はPPGとブレンドしたPTMEGで形成されたポリウレタンの場合、もっとも好ましい重量%NCOは8.0〜10.0の範囲である。PTMEG系ポリオールの具体例は、InvistaのTerathane(登録商標)2900、2000、1800、1400、1000、650及び250、LyondellのPolymeg(登録商標)2900、2000、1000、650、BASFのPolyTHF(登録商標)650、1000、2000ならびに低分子量種、たとえば1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール及び1,4−ブタンジオールである。プレポリマーポリオールがPPG、そのコポリマー又はその混合物であるならば、イソシアネート終端化反応生成物は、もっとも好ましくは、7.9〜15.0重量%の未反応NCO範囲を有する。PPGポリオールの具体例は、BayerのArcol(登録商標)PPG-425、725、1000、1025、2000、2025、3025及び4000、DowのVoranol(登録商標)1010L、2000L及びP400、いずれもBayerの製品ラインであるDesmophen(登録商標)1110BD、Acclaim(登録商標)Polyol 12200、8200、6300、4200、2200である。プレポリマーポリオールがエステル、そのコポリマー又はその混合物であるならば、イソシアネート終端化反応生成物は、もっとも好ましくは、6.5〜13.0重量%の未反応NCO範囲を有する。エステルポリオールの具体例は、Polyurethane Specialities社のMillester 1、11、2、23、132、231、272、4、5、510、51、7、8、9、10、16、253、BayerのDesmophen(登録商標)1700、1800、2000、2001KS、2001K2、2500、2501、2505、2601、PE65B、BayerのRucoflex S-1021-70、S-1043-46、S-1043-55である。
通常、プレポリマー反応生成物を、硬化剤ポリオール、ポリアミン、アルコールアミン又はそれらの混合物と反応又は硬化させる。本明細書に関して、ポリアミンは、ジアミン及び他の多官能性アミンを含む。典型的な硬化剤ポリアミンとしては、芳香族ジアミン又はポリアミン、たとえば4,4′−メチレン−ビス−o−クロロアニリン[MBCA]、4,4′−メチレン−ビス−(3−クロロ−2,6−ジエチルアニリン)[MCDEA]、ジメチルチオトルエンジアミン、トリメチレングリコールジ−p−アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシドジ−p−アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシドモノ−p−アミノベンゾエート、ポリプロピレンオキシドジ−p−アミノベンゾエート、ポリプロピレンオキシドモノ−p−アミノベンゾエート、1,2−ビス(2−アミノフェニルチオ)エタン、4,4′−メチレン−ビス−アニリン、ジエチルトルエンジアミン、5−tert−ブチル−2,4−及び3−tert−ブチル−2,6−トルエンジアミン、5−tert−アミル−2,4−及び3−tert−アミル−2,6−トルエンジアミンならびにクロロトルエンジアミンがある。場合によっては、プレポリマーの使用を回避させる単一混合工程で研磨パッド用のウレタンポリマーを製造することも可能である。
研磨パッドを製造するために使用されるポリマーの成分は、好ましくは、得られるパッド形態が安定性であり、再現しやすくなるように選択される。たとえば、4,4′−メチレン−ビス−o−クロロアニリン[MBCA]をジイソシアネートと混合してポリウレタンポリマーを形成する場合、モノアミン、ジアミン及びトリアミンのレベルを制御することがしばしば有利である。モノ−、ジ−及びトリアミンの割合を制御することは、化学比及び得られるポリマー分子量を一貫した範囲内に維持することに貢献する。加えて、一貫した製造のためには、酸化防止剤のような添加物及び水のような不純物を制御することがしばしば重要である。たとえば、水はイソシアネートと反応して気体二酸化炭素を形成するため、水の濃度を制御すると、ポリマーマトリックス中に気孔を形成する二酸化炭素気泡の濃度に影響を与えることができる。外来性の水とのイソシアネート反応はまた、連鎖延長剤との反応に利用可能なイソシアネートを減らし、したがって、化学量論比ならびに架橋のレベル(過剰なイソシアネート基がある場合)及び得られるポリマー分子量を変化させる。
ポリウレタンポリマー材料は、好ましくは、トルエンジイソシアネート及びポリテトラメチレンエーテルグリコールのプレポリマー反応生成物と芳香族ジアミンとから形成される。もっとも好ましくは、芳香族ジアミンは、4,4′−メチレン−ビス−o−クロロアニリン又は4,4′−メチレン−ビス−(3−クロロ−2,6−ジエチルアニリン)である。好ましくは、プレポリマー反応生成物は、6.5〜15.0重量%の未反応NCOを有する。この未反応NCO範囲の適当なプレポリマーの例は、Air Products and Chemicals社製のAirthane(登録商標)プレポリマーPET-70D、PHP-70D、PET-75D、PHP-75D、PPT-75D、PHP-80D及びChemtura製のAdiprene(登録商標)プレポリマーLFG740D、LF700D、LF750D、LF751D、LF753D、L325である。加えて、上記に挙げたもの以外の他のプレポリマーのブレンドを使用して、そのブレンドの結果として適切な重量%の未反応NCOレベルに到達してもよい。上述のプレポリマーの多く、たとえばLFG740、LF700D、LF750D、LF751D及びLF753Dは、遊離TDIモノマーを0.1重量%未満しか有さず、従来のプレポリマーよりも一貫したプレポリマー分子量分布を有する低遊離イソシアネートプレポリマーであり、したがって、優れた研磨特性を有する研磨パッドを形成することを容易にする。この改善されたプレポリマー分子量一貫性及び低遊離イソシアネートモノマーが、より規則的なポリマー構造を与え、改善された研磨パッド一貫性に寄与する。大部分のプレポリマーの場合、低遊離イソシアネートモノマーは、好ましくは0.5重量%未満である。さらには、通常はより高いレベルの反応を有する「従来の」プレポリマー(すなわち、各端部をジイソシアネートによって止められた2個以上のポリオール)及びより高いレベルの遊離トルエンジイソシアネートプレポリマーが同様な結果を出すはずである。加えて、低分子量ポリオール添加物、たとえばジエチレングリコール、ブタンジオール及びトリプロピレングリコールが、プレポリマー反応生成物の重量%未反応NCOの制御を容易にする。
重量%未反応NCOを制御することに加えて、硬化剤及びプレポリマー反応生成物は、通常、未反応NCOに対するOH又はNH2の化学量論比90〜125%、好ましくは97〜125%を有し、もっとも好ましくは、未反応NCOに対するOH又はNH2の化学量論比100%より大きく、120%以下である。たとえば、101〜115%の範囲の未反応NCOで形成されたポリウレタンが優れた結果を提供するものと思われる。この化学量論比は、原料の化学量論レベルを提供することによって直接的に達成することもできるし、意図的又は外来性水分への暴露によってNCOの一部を水と反応させることによって間接的に達成することもできる。
研磨パッドがポリウレタン材料であるならば、研磨パッドは、好ましくは、0.4〜1.3g/cm3の密度を有する。もっとも好ましくは、ポリウレタン研磨パッドは、0.5〜1.25g/cm3の密度を有する。
実施例1
ウレタンプレポリマーとしての様々な量のイソシアネートと、4,4′−メチレン−ビス−o−クロロアニリン[MBCA]とを、プレポリマーの場合には50℃で、MBCAの場合には116℃で混合することにより、ポリマーパッド材料を調製した。特に、種々のトルエンジイソシアネート[TDI]とポリテトラメチレンエーテルグリコール[PTMEG]とのプレポリマーが様々な性質を研磨パッドに付与した。ウレタン/多官能性アミン混合物は、プレポリマーを連鎖延長剤と混合する前又は後で、中空のポリマー微小球(AkzoNobel製のEXPANCEL(登録商標)551DE20d60又は551DE40d42)と混合した。微小球は、5〜200μmの範囲で15〜50μmの重量平均直径を有するものであり、高剪断混合機を使用して約3,600rpmでブレンドして混合物中に均一に分散させた。最終混合物を型に移し、約15分間ゲル化させた。
そして、型を硬化オーブンに入れ、以下のサイクルで硬化させた。30分かけて周囲温度から104℃の設定温度まで勾配させ、104℃で15時間30分保持し、その後、2時間かけて21℃の設定温度まで下げる。その後、成形品を薄いシートに切削し、室温でマクロチャネル又は溝を表面に機械加工した。より高い温度での切削が表面粗さを改善することができる。表に示すように、試料1〜3が本発明の研磨パッドを表し、試料A〜Jが比較例を表す。
Figure 0005346445
表1は、様々な化学量論比及び異なる量のポリマー微小球を用いて注型成形されたポリウレタンの破断伸びを示す。様々な化学量論比がポリウレタンの架橋の量を制御する。さらには、ポリマー微小球の量を増すことは一般に物性を低下させるが、研磨欠陥率性能を改善する。充填剤入り材料で得られた破断伸びは、研磨性能の明確な指標になるとは思われない。n−メチル−ピロリドン中の試料膨潤の値は、膨潤度が調合物の研磨性能の指標であるということを示した。1.67以上の膨潤値(初期直径に対する膨潤材料の直径の比)の調合物は、改善された研磨結果を提供する(実際、材料は溶解することができる)。膨潤が少なすぎる試料は、不十分な研磨性能の強力な指標となった。しかし、n−メチル−ピロリドンに溶解した試料は、受け入れられる研磨結果及び受け入れられない研磨結果の両方を提供した(研磨結果の明確な指標ではない)。
以下の表2は、様々な量のNCOを85、95及び105%の化学量論比で用いて注型成形した一連のポリウレタンを提供する。
Figure 0005346445
プレポリマーを窒素ガスブランケット下で加熱して粘度を下げたのち、所望の硬化剤:NCO比でMBCAと手で混ぜ、ガス抜きした。次いで、試料を厚さ1/16インチ(1.6mm)の板状物として手で注型成形した。次いで、注型成形した材料をオーブン中100℃で16時間保持して硬化を完了させた。引裂き伝ぱ抵抗試料は、ダイでカットするのではなく直接型に流し込んだものであり、ASTM D1938−02によって規定されるよりもいくぶん厚いものであった。
Figure 0005346445
表3は、種々のAdipreneポリウレタンプレポリマー及びMBCAから作られた、充填剤なしのバルクエラストマーの引張り特性及び引裂き特性を示す。充填剤入り材料に関しては、破断伸びは研磨性能の明確な指標ではない。しかし、引裂き強さは低欠陥率研磨性能に相関し、高い引裂き強さが低い欠陥率を与える。
実施例2
実施例1の工程で調製したケークから厚さ80ミル(2.0mm)、直径22.5インチ(57cm)のパッドを切り出した。パッドは、幅20ミル(0.51mm)、深さ30ミル(0.76mm)、ピッチ70ミル(1.8mm)の円形の溝パターンをSP2150ポリウレタンサブパッドとともに含むものであった。SpeedFam-IPEC472ツールを用いてプラテン1上5psi(34.5kPa)、プラテン速度75rpm、キャリヤ速度50rpmで研磨して、種々のパッドに関する比較用の研磨データを得た。研磨はまた、Kinik CG181060ダイアモンドコンディショナに基づくものであった。試験ウェーハは、Rohm and Haas Electronic Materials CMP TechnologiesからのCelexis(商標)CX2000Aセリア含有スラリーの平坦化を計測するための、TEOSシートウェーハ、窒化ケイ素シートウェーハ及び1HDT MITパターンウェーハを含むものであった。
Figure 0005346445
表4は、調合物を、連鎖延長剤とイソシアネートとの化学量論比、孔径及び気孔レベルならびに得られた密度及びショアーD硬さとともに示す。小径及び中間径の気孔は、計算上の気孔容積及び計測された調合物密度によって示されるような同じ体積添加量を達成するため、異なる重量レベルで加えた。
表5は、実験用パッド調合物及びCelexis(商標)CX2000を用いてプラテン1上でウェーハを研磨したのちRohm and Haas Electronic Materials CMP社のPolitex(商標)ポリウレタン微孔質研磨パッドを用いてプラテン2上でバフィング工程を実施したのち得られた、TEOS及びSiN除去速度に関するOpti-Probe 2600測定データを含む。チャターマーク及びスクラッチは、ウェーハをHFエッチングして約500ÅのSiNをウェーハ面から除去し、それによってセリア粒子汚染を除去し、欠陥を「装飾」してより明白にしたのち、Compass(商標)300をSEMVison(商標)G2とともに使用して定量化した。
Figure 0005346445
これらのデータは、本発明の高引裂き強さ研磨パッドにより、大幅に低い欠陥率レベルが可能であることを示す。この結果は、小さな気孔を使用する調合物で特に顕著である。加えて、本発明のパッドにより、広い範囲のTEOS/SiN選択比が達成可能である。
研磨パッドの切取り部分のアスペリティを示す略断面図である。

Claims (7)

  1. 半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、前記ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、前記上研磨面が、研磨面の表面に機械加工して得たポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、
    前記ポリマー研磨アスペリティが、前記ポリマーマトリックスから延び、研磨中に基材と接することができる前記上研磨面の部分であり、
    前記ポリマーマトリックスが、二官能性又は多官能性イソシアネートから誘導されるポリマーを含み、ここで、前記ポリマーは、ポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及びそれらの混合物から選択される少なくとも一つを含み、
    前記ポリマーマトリックスが、硬化剤とイソシアネート終端化プレポリマーとの反応生成物からのものであり、
    前記硬化剤が、前記イソシアネート終端化プレポリマーを硬化させる硬化剤アミンを含み、
    前記硬化剤及び前記イソシアネート終端化プレポリマーが、90〜125%の、NCOに対するNH2の化学量論比を有し、
    前記研磨パッドが、前記上研磨面の摩耗又はコンディショニングによって前記ポリマーマトリックスからさらなるポリマー研磨アスペリティを形成し、
    前記ポリマー研磨アスペリティが、少なくとも6,500psi(44.8MPa)のバルク極限引張り強さ及び少なくとも250lb/in(4.5×103g/mm)のバルク引裂き強さを有するポリマーマトリックスからのものである研磨パッド。
  2. 前記バルク引裂き強さが250〜750lb/in(4.5×103〜13.4×103g/mm)である、請求項1記載の研磨パッド。
  3. 前記バルク引張り強さが6,500〜14,000psi(44.8〜96.5MPa)であり、前記ポリマーマトリックスが、少なくとも200%のバルク破断伸びを有する、請求項1記載の研磨パッド。
  4. 半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、前記ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、前記上研磨面が、研磨面の表面に機械加工して得たポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、
    前記ポリマー研磨アスペリティが、前記ポリマーマトリックスから延び、研磨中に基材と接することができる前記上研磨面の部分であり、
    前記ポリマーマトリックスが、二官能性又は多官能性イソシアネートから誘導されるポリマーを含み、ここで、前記ポリマーは、ポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及びそれらの混合物から選択される少なくとも一つを含み、
    前記ポリマーマトリックスが、硬化剤とイソシアネート終端化プレポリマーとの反応生成物からのものであり、
    前記硬化剤が、前記イソシアネート終端化プレポリマーを硬化させる硬化剤アミンを含み、
    前記硬化剤及び前記イソシアネート終端化プレポリマーが、100%超125%以下の、NCOに対するNH2の化学量論比を有し、
    前記ポリマーマトリックスが、6,500〜14,000psi(44.8〜96.5MPa)のバルク極限引張り強さ及び250〜750lb/in(4.5×103〜13.4×103g/mm)のバルク引裂き強さを有するものである研磨パッド。
  5. 前記バルク引裂き強さが275〜700lb/in(4.9×103〜12.5×103g/mm)である、請求項4記載の研磨パッド。
  6. 前記バルク極限引張り強さが6,750〜10,000psi(46.5〜68.9MPa)であり、前記ポリマーマトリックスが、少なくとも200%のバルク破断伸びを有する、請求項4記載の研磨パッド。
  7. 前記ポリマーマトリックス内で25〜65容量%の気孔率及び2〜50μmの平均孔径を含む、請求項4記載の研磨パッド。
JP2007138565A 2006-05-25 2007-05-25 ケミカルメカニカル研磨パッド Active JP5346445B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/442,076 2006-05-25
US11/442,076 US7169030B1 (en) 2006-05-25 2006-05-25 Chemical mechanical polishing pad

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007313640A JP2007313640A (ja) 2007-12-06
JP2007313640A5 JP2007313640A5 (ja) 2012-12-06
JP5346445B2 true JP5346445B2 (ja) 2013-11-20

Family

ID=37681809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007138565A Active JP5346445B2 (ja) 2006-05-25 2007-05-25 ケミカルメカニカル研磨パッド

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7169030B1 (ja)
JP (1) JP5346445B2 (ja)
KR (1) KR101360654B1 (ja)
CN (1) CN100540224C (ja)
DE (1) DE102007024460B4 (ja)
FR (1) FR2901498B1 (ja)
TW (1) TWI402334B (ja)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7445847B2 (en) * 2006-05-25 2008-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US8479523B2 (en) * 2006-05-26 2013-07-09 General Electric Company Method for gas turbine operation during under-frequency operation through use of air extraction
US7371160B1 (en) 2006-12-21 2008-05-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. Elastomer-modified chemical mechanical polishing pad
US7438636B2 (en) * 2006-12-21 2008-10-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7569268B2 (en) * 2007-01-29 2009-08-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US20090062414A1 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 David Picheng Huang System and method for producing damping polyurethane CMP pads
US8052507B2 (en) * 2007-11-20 2011-11-08 Praxair Technology, Inc. Damping polyurethane CMP pads with microfillers
US20100035529A1 (en) * 2008-08-05 2010-02-11 Mary Jo Kulp Chemical mechanical polishing pad
JP5323447B2 (ja) * 2008-10-29 2013-10-23 大和化成工業株式会社 研磨砥石
US8303375B2 (en) 2009-01-12 2012-11-06 Novaplanar Technology, Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization and/or other polishing methods
CN102448669B (zh) * 2009-05-27 2014-12-10 罗杰斯公司 抛光垫、其聚氨酯层及抛光硅晶片的方法
US8257544B2 (en) * 2009-06-10 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having a low defect integral window
US8697239B2 (en) * 2009-07-24 2014-04-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multi-functional polishing pad
US8551201B2 (en) * 2009-08-07 2013-10-08 Praxair S.T. Technology, Inc. Polyurethane composition for CMP pads and method of manufacturing same
JP5606083B2 (ja) * 2010-01-29 2014-10-15 日本発條株式会社 独泡ウレタンシート及びその製造方法
MY159320A (en) * 2010-10-26 2016-12-30 Rohm & Haas Elect Materials Cmp Holdings Inc Polishing pad and method for producing same
MY164897A (en) * 2010-10-26 2018-01-30 Rohm & Haas Elect Materials Cmp Holdings Inc Polishing pad and method for producing same
US8512427B2 (en) 2011-09-29 2013-08-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Acrylate polyurethane chemical mechanical polishing layer
US20150059254A1 (en) * 2013-09-04 2015-03-05 Dow Global Technologies Llc Polyurethane polishing pad
US20150306731A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US20150375361A1 (en) * 2014-06-25 2015-12-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
US9259821B2 (en) * 2014-06-25 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance
US9731398B2 (en) 2014-08-22 2017-08-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. Polyurethane polishing pad
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
KR102436416B1 (ko) 2014-10-17 2022-08-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US9481070B2 (en) * 2014-12-19 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-stability polyurethane polishing pad
DE102015220090B4 (de) * 2015-01-14 2021-02-18 Siltronic Ag Verfahren zum Abrichten von Poliertüchern
US9539694B1 (en) 2015-06-26 2017-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Composite polishing layer chemical mechanical polishing pad
US9630293B2 (en) 2015-06-26 2017-04-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad composite polishing layer formulation
US9457449B1 (en) 2015-06-26 2016-10-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with composite polishing layer
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10086494B2 (en) 2016-09-13 2018-10-02 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High planarization efficiency chemical mechanical polishing pads and methods of making
US10208154B2 (en) 2016-11-30 2019-02-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Formulations for chemical mechanical polishing pads and CMP pads made therewith
AU2018227869B2 (en) 2017-03-03 2023-02-09 Dow Global Technologies Llc Low density polyurethane elastomer foam with high ball rebound
CN106891246B (zh) * 2017-03-30 2019-05-07 湖北鼎龙控股股份有限公司 一种用于半导体、光学材料和磁性材料表面平坦化的化学机械抛光垫
US20180304539A1 (en) 2017-04-21 2018-10-25 Applied Materials, Inc. Energy delivery system with array of energy sources for an additive manufacturing apparatus
KR101835087B1 (ko) * 2017-05-29 2018-03-06 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법
US10391606B2 (en) 2017-06-06 2019-08-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pads for improved removal rate and planarization
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
KR101949905B1 (ko) * 2017-08-23 2019-02-19 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법
US11179822B2 (en) 2017-08-31 2021-11-23 Hubei Dinghui Microelectronics Materials Co., Ltd Polyurethane polishing layer, polishing pad comprising polishing layer, method for preparing polishing layer and method for planarizing material
US10464187B2 (en) 2017-12-01 2019-11-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High removal rate chemical mechanical polishing pads from amine initiated polyol containing curatives
KR102054309B1 (ko) * 2018-04-17 2019-12-10 에스케이씨 주식회사 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
US11331767B2 (en) 2019-02-01 2022-05-17 Micron Technology, Inc. Pads for chemical mechanical planarization tools, chemical mechanical planarization tools, and related methods
KR102277418B1 (ko) * 2019-05-21 2021-07-14 에스케이씨솔믹스 주식회사 가교 밀도가 향상된 연마패드 및 이의 제조방법
US11638978B2 (en) * 2019-06-10 2023-05-02 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Low-debris fluopolymer composite CMP polishing pad
CN110170917A (zh) * 2019-07-10 2019-08-27 蓝思科技(长沙)有限公司 一种抛光衬垫及其制备方法
CN110528287B (zh) * 2019-08-08 2022-03-08 安徽安利材料科技股份有限公司 一种毛刷式高耐用化学机械抛光聚氨酯材料及其制备方法
KR102177748B1 (ko) * 2019-11-28 2020-11-11 에스케이씨 주식회사 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
KR102572960B1 (ko) * 2021-06-10 2023-09-01 에프엔에스테크 주식회사 복수의 패턴 구조체를 포함하는 연마 패드

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3577386A (en) * 1968-10-07 1971-05-04 Minnesota Mining & Mfg Product and process
JPS5480397A (en) 1977-12-09 1979-06-27 Ihara Chem Ind Co Ltd Production of polyurethane elastomer
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5814409A (en) 1994-05-10 1998-09-29 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Expanded fluorine type resin products and a preparation process thereof
US6682402B1 (en) * 1997-04-04 2004-01-27 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US6648733B2 (en) * 1997-04-04 2003-11-18 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US6022268A (en) 1998-04-03 2000-02-08 Rodel Holdings Inc. Polishing pads and methods relating thereto
WO1998045087A1 (en) 1997-04-04 1998-10-15 Rodel Holdings, Inc. Improved polishing pads and methods relating thereto
US6514301B1 (en) 1998-06-02 2003-02-04 Peripheral Products Inc. Foam semiconductor polishing belts and pads
US7718102B2 (en) 1998-06-02 2010-05-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Froth and method of producing froth
US6022903A (en) 1998-07-09 2000-02-08 Arco Chemical Technology L.P. Permanent gas blown microcellular polyurethane elastomers
US6095902A (en) * 1998-09-23 2000-08-01 Rodel Holdings, Inc. Polyether-polyester polyurethane polishing pads and related methods
US6267644B1 (en) 1998-11-06 2001-07-31 Beaver Creek Concepts Inc Fixed abrasive finishing element having aids finishing method
US6860802B1 (en) 2000-05-27 2005-03-01 Rohm And Haas Electric Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
US6454634B1 (en) 2000-05-27 2002-09-24 Rodel Holdings Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
US6736709B1 (en) 2000-05-27 2004-05-18 Rodel Holdings, Inc. Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
CN100496896C (zh) * 2000-12-01 2009-06-10 东洋橡膠工业株式会社 研磨垫
JP4763161B2 (ja) * 2001-06-19 2011-08-31 善二郎 小柳津 研磨パッド又はバフ材、これに用いる研磨用ポリ尿素弾性硬質フォーム及びその製造方法
US20060022368A1 (en) * 2002-11-18 2006-02-02 Kyu-Don Lee Method of fabricating polyurethane foam with micro pores and polishing pad therefrom
JP2004303280A (ja) 2003-03-28 2004-10-28 Hoya Corp 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
US7074115B2 (en) 2003-10-09 2006-07-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad
SG111222A1 (en) * 2003-10-09 2005-05-30 Rohm & Haas Elect Mat Polishing pad
US20050171224A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad

Also Published As

Publication number Publication date
CN100540224C (zh) 2009-09-16
TW200813199A (en) 2008-03-16
FR2901498A1 (fr) 2007-11-30
US7169030B1 (en) 2007-01-30
KR20070114018A (ko) 2007-11-29
CN101077569A (zh) 2007-11-28
DE102007024460A1 (de) 2007-11-29
FR2901498B1 (fr) 2010-09-03
TWI402334B (zh) 2013-07-21
KR101360654B1 (ko) 2014-02-07
DE102007024460B4 (de) 2021-12-16
JP2007313640A (ja) 2007-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5346445B2 (ja) ケミカルメカニカル研磨パッド
JP5346446B2 (ja) ケミカルメカニカル研磨パッド
KR101526010B1 (ko) 화학 기계적 연마 패드
US7414080B2 (en) Polyurethane polishing pad
US7074115B2 (en) Polishing pad
EP2151299B1 (en) Chemical mechanical polishing pad
KR102502964B1 (ko) 조절된-팽창 cmp 패드캐스팅방법
KR102477456B1 (ko) 제어된-점도 cmp 캐스팅 방법
JP4722446B2 (ja) 研磨パッド
US20150059254A1 (en) Polyurethane polishing pad
US9481070B2 (en) High-stability polyurethane polishing pad

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100518

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100518

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120424

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120724

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120727

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120823

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120828

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120921

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120926

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121024

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20121024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130402

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130702

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130730

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130819

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5346445

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150