KR20210116759A - Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치 - Google Patents

Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210116759A
KR20210116759A KR1020200031290A KR20200031290A KR20210116759A KR 20210116759 A KR20210116759 A KR 20210116759A KR 1020200031290 A KR1020200031290 A KR 1020200031290A KR 20200031290 A KR20200031290 A KR 20200031290A KR 20210116759 A KR20210116759 A KR 20210116759A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
groove
circular groove
circular
disposed
pad body
Prior art date
Application number
KR1020200031290A
Other languages
English (en)
Inventor
김호중
김태성
홍석준
김준용
장동혁
홍영진
Original Assignee
삼성전자주식회사
성균관대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020200031290A priority Critical patent/KR20210116759A/ko
Priority to US17/026,554 priority patent/US11813714B2/en
Publication of KR20210116759A publication Critical patent/KR20210116759A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치는 회전 플레이트와, 상기 회전 플레이트의 상면에 설치되는 CMP 패드와, 상기 회전 플레이트의 상부에 배치되며 웨이퍼를 상기 CMP 패드에 접촉시켜 상기 웨이퍼를 가압하는 회전체 유닛 및 상기 CMP 패드에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함하며, 상기 CMP 패드는 원형의 플레이트 형상을 가지는 패드 본체와, 상기 패드 본체의 저면에 구비되며 원형의 형상을 가지는 복수개의 원형 그루브 및 상기 복수개의 원형 그루브를 연결하며 직선 형상을 가지는 연결 그루브를 구비할 수 있다.

Description

CMP 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치{CMP pad and chemical mechanical polishing apparatus having the same}
본 발명은 CMP 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조시에 웨이퍼의 평탄화를 위하여 화학 기계적 연마(CMP) 장치를 이용한 화학적 기계적 연마(CMP) 공정이 이용된다. 그리고, 화학 기계적 연마(CMP) 공정은 웨이퍼와 CMP 패드의 화학적 기계적 상호작용을 이용하여 웨이퍼의 표면을 연마하는 공정이다. 한편, CMP 패드에는 슬러리 연마재의 원활한 공급을 위해 CMP 패드에 다양한 패턴의 그루브(groove)가 존재한다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제 중 하나는, 슬러리 공급을 개선할 수 있는 CMP 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치를 제공하는 것이다.
예시적인 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치는 회전 플레이트와, 상기 회전 플레이트의 상면에 설치되는 CMP 패드와, 상기 회전 플레이트의 상부에 배치되며 웨이퍼를 상기 CMP 패드에 접촉시켜 상기 웨이퍼를 가압하는 회전체 유닛 및 상기 CMP 패드에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함하며, 상기 CMP 패드는 원형의 플레이트 형상을 가지는 패드 본체와, 상기 패드 본체의 저면에 구비되며 원형의 형상을 가지는 복수개의 원형 그루브 및 상기 복수개의 원형 그루브를 연결하며 직선 형상을 가지는 연결 그루브를 구비할 수 있다.
슬러리 공급을 개선할 수 있는 CMP 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시예를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치를 나타내는 구성도이다.
도 2는 예시적인 실시예에 따른 CMP 패드를 나타내는 평면도이다.
도 3은 예시적인 실시예에 따른 CMP 패드의 변형 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 4는 예시적인 실시예에 따른 CMP 패드의 변형 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 5 및 도 6은 종래기술에 따른 CMP 패드에 따른 슬러리의 유동 상태를 나타내는 설명도이다.
도 7은 도 4에 도시된 CMP 패드에 따른 슬러리의 유동 상태를 나타내는 설명도이다.
도 8은 예시적인 실시예에 따른 CMP 패드의 변형 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 9는 예시적인 실시예에 따른 CMP 패드의 변형 실시예를 나타내는 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
화학적 기계적 연마 장치
도 1은 예시적인 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치를 나타내는 구성도이다.
도 1을 참조하면, 화학적 기계적 연마 장치(1)는 웨이퍼(W)를 가압하는 회전체 유닛(10), 회전체 유닛(10)을 회전시키는 구성(미도시), 웨이퍼(W)의 일면이 접촉되는 CMP 패드(100), CMP 패드(100)가 부착되어 회전되는 회전 플레이트(20), CMP 패드(100)의 표면 상태를 회복시키기 위한 컨디셔너(미도시)를 포함할 수 있다.
또한, 화학적 기계적 연마 장치(1)는 CMP 패드(100)를 세정하기 위한 CMP 패드 세정 유닛(30) 및 CMP 패드(100)에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부(40)를 더 포함할 수 있다.
이와 같이, 회전체 모듈(10)의 저면에 설치되는 웨이퍼가 CMP(100)에 접촉되면서 화학적 기계적 연마가 이루어지는 것이다.
한편, 하기에서는 CMP 패드(100) 및 이의 변형 실시예에 대하여 자세하게 설명하기로 한다.
CMP 패드
도 2는 예시적인 실시예에 따른 CMP 패드를 나타내는 평면도이다.
도 2를 참조하면, CMP 패드(100)는 패드 본체(120), 원형 그루브(140) 및 연결 그루브(160)를 포함하여 구성될 수 있다.
패드 본체(120)는 원형의 플레이트 형상을 가질 수 있다. 한편, 패드 본체(120)에는 연마층(미도시)을 구비할 수 있다.
원형 그루브(140)는 복수개가 패드 본체(120)에 구비될 수 있다. 일예로서, 원형 그루브(140)는 직경이 가장 작으며 패드 본체(120)의 중심부에 배치되는 제1 원형 그루브(141), 제1 원형 그루브(141)의 외측에 배치되며 제1 원형 그루브(141)보다 큰 직경을 가지는 제2 원형 그루브(142), 제2 원형 그루브(142)의 외측에 배치되며 제2 원형 그루브(142)보다 큰 직경을 가지는 제3 원형 그루브(143), 제3 원형 그루브(143)의 외측에 배치되며 제3 원형 그루브(143)보다 큰 직경을 가지는 제4 원형 그루브(144) 및 패드 본체(120)의 가장자리에 배치되며 가장 큰 직경을 가지는 제5 원형 그루브(145)를 구비할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 원형 그루브(140)가 제1 내지 5 원형 그루브(141 내지 145)를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 원형 그루브(140)의 개수는 다양하게 변경 가능할 것이다.
또한, 제1 내지 5 원형 그루브(141 내지 145)는 동일한 원의 중심을 가질 수 있다.
연결 그루브(160)는 제1 원형 그루브(141)와 제2 원형 그루브(142)를 연결하며 직선 형상을 가지는 제1 연결 그루브(161), 제2 원형 그루브(142)와 제3 원형 그루브(143)를 연결하며 직선 형상을 가지고 제1 연결 그루브(161)와 어긋나게 배치되는 제2 연결 그루브(162), 제3 원형 그루브(132)와 제4 원형 그루브(144)를 연결하며 직선 형상을 가지고 제2 연결 그루브(162)와 어긋나게 배치되는 제3 연결 그루브(163) 및 제4 원형 그루브(144)와 게5 원형 그루브(145)를 연결하며 직선 형상을 가지고 제3 연결 그루브(163)와 어긋나게 배치되는 제4 연결 그루브(164)를 구비할 수 있다.
그리고, 제1 내지 4 연결 그루브(161 내지 164)는 복수개가 원주 방향을 따라 복수개가 상호 이격 배치될 수 있다.
한편, 제3 연결 그루브(163)는 제1 연결 그루브(161)의 연장선 상에 배치되며, 제4 연결 그루브(164)는 제2 연결 그루브(162)의 연장선 상에 배치될 수 있다.
또한, 제1 내지 4 연결 그루브(161 내지 164)는 연장선이 원형 그루브(140)의 원 중심을 통과할 수 있다. 다시 말해, 제1 내지 제4 연결 그루브(161 내지 164)는 원형 그루브(140)의 접선에 대하여 수직한 법선 방향으로 배치될 수 있다.또한, 제1 내지 4 연결 그루브(161 내지 164)는 복수개가 반경 방향으로 상호 이격 배치될 수 있다.
여기서 방향에 대한 용어를 정의하면, 원주방향이라 함은 패드 본체(120)의 외주면을 따라 회전되는 방향을 의미하며, 반경방향이라 함은 패드 본체(120)의 가장자리로부터 패드 본체(120)의 중심을 향하는 방향 또는 패드 본체(120)의 중심으로부터 패드 본체(120)의 가장자리를 향하는 방향을 의미한다.
상기한 바와 같이, 원형 그루브(140)와 연결 그루브(160)를 통해 슬러리가 CMP 패드(100)의 전 영역에 고르게 퍼질 수 있으며, 슬러리가 과도하게 공급되는 문제를 해결할 수 있다. 이와 같이, 개선된 슬러리 공급으로 인하여 반도체 생산성 향상 및 슬러리 절감 효과가 있다.
도 3은 예시적인 실시예에 따른 CMP 패드의 변형 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 3을 참조하면, CMP 패드(200)는 패드 본체(220), 원형 그루브(240) 및 연결 그루브(260)를 포함하여 구성될 수 있다.
패드 본체(220)는 원형의 플레이트 형상을 가질 수 있다. 한편, 패드 본체(220)에는 연마층(미도시)을 구비할 수 있다.
원형 그루브(240)는 복수개가 패드 본체(220)에 구비될 수 있다. 일예로서, 원형 그루브(240)는 직경이 가장 작으며 패드 본체(220)의 중심부에 배치되는 제1 원형 그루브(241), 제1 원형 그루브(241)의 외측에 배치되며 제1 원형 그루브(241)보다 큰 직경을 가지는 제2 원형 그루브(242) 및 패드 본체(220)의 가장자리에 배치되며 가장 큰 직경을 가지는 제3 원형 그루브(243)를 구비할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 원형 그루브(240)가 제1 내지 3 원형 그루브(241 내지 243)를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 원형 그루브(240)의 개수는 다양하게 변경 가능할 것이다.
또한, 제1 내지 3 원형 그루브(241 내지 243)는 동일한 원의 중심을 가질 수 있다.
연결 그루브(260)는 제1 원형 그루브(241)와 제2 원형 그루브(242)를 연결하며 직선 형상을 가지는 제1 연결 그루브(261) 및 제2 원형 그루브(242)와 제3 원형 그루브(243)를 연결하며 직선 형상을 가지고 제2 연결 그루브(261)와 어긋나게 배치되는 제2 연결 그루브(262)를 구비할 수 있다.
한편, 제1 연결 그루브(261)는 제1 원형 그루브(241)의 접선으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 연결 그루브(261)는 복수개가 원주 방향을 따라 상호 이격 배치될 수 있다. 그리고, 제2 연결 그루브(262)는 연장선이 원형 그루브(240)의 원의 중심을 통과하도록 배치될 수 있다. 다시 말해, 제2 연결 그루브(262)는 제2 원형 그루브(242)의 법선 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 제2 연결 그루브(262)도 복수개가 원주 방향을 따라 상호 이격 배치될 수 있다.
상기한 바와 같이, 원형 그루브(240)와 연결 그루브(260)를 통해 슬러리가 CMP 패드(200)의 전 영역에 고르게 퍼질 수 있으며, 슬러리가 과도하게 공급되는 문제를 해결할 수 있다. 이와 같이, 개선된 슬러리 공급으로 인하여 반도체 생산성 향상 및 슬러리 절감 효과가 있다.
도 4는 예시적인 실시예에 따른 CMP 패드의 변형 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 4를 참조하면, CMP 패드(300)는 패드 본체(320), 원형 그루브(340) 및 연결 그루브(360)를 포함하여 구성될 수 있다.
패드 본체(320)는 원형의 플레이트 형상을 가질 수 있다. 한편, 패드 본체(320)에는 연마층(미도시)을 구비할 수 있다.
원형 그루브(340)는 복수개가 패드 본체(320)에 구비될 수 있다. 일예로서, 원형 그루브(340)는 패드 본체(320)의 중앙부에 배치되는 제1 원형 그루브(341) 및 제1 원형 그루브(341)의 외측에 배치되며 패드 본체(320)의 가장자리에 배치되는 제2 원형 그루브(342)를 구비할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 원형 그루브(340)가 제1 내지 2 원형 그루브(341, 342)를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 원형 그루브(340)의 개수는 다양하게 변경 가능할 것이다.
또한, 제1 내지 2 원형 그루브(341, 342)는 동일한 원의 중심을 가질 수 있다.
연결 그루브(360)는 제1 원형 그루브(241)와 제2 원형 그루브(242)를 연결하며 직선 형상을 가질 수 있다.
한편, 연결 그루브(360)는 제1 원형 그루브(341)의 접선으로 이루어질 수 있다. 또한, 연결 그루브(360)는 복수개가 원주 방향을 따라 상호 이격 배치될 수 있다.
한편, 도 7에 도시된 바와 같이, CMP 패드(300)에 원형 그루브(340)와 연결 그루브(360)가 구비되는 경우 슬러리의 유동이 향상됨을 알 수 있다. 즉, 도 5 및 도 6에 도시된 종래의 CMP 패드와 비교하여 슬러리의 유동이 향상됨을 알 수 있다.
상기한 바와 같이, 원형 그루브(340)와 연결 그루브(360)를 통해 슬러리가 CMP 패드(300)의 전 영역에 고르게 퍼질 수 있으며, 슬러리가 과도하게 공급되는 문제를 해결할 수 있다. 이와 같이, 개선된 슬러리 공급으로 인하여 반도체 생산성 향상 및 슬러리 절감 효과가 있다.
도 8은 예시적인 실시예에 따른 CMP 패드의 변형 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 8을 참조하면, CMP 패드(400)는 패드 본체(420), 원형 그루브(440) 및 연결 그루브(460)를 포함하여 구성될 수 있다.
패드 본체(420)는 원형의 플레이트 형상을 가질 수 있다. 한편, 패드 본체(420)에는 연마층(미도시)을 구비할 수 있다.
원형 그루브(440)는 복수개가 패드 본체(420)에 구비될 수 있다. 일예로서, 원형 그루브(440)는 직경이 가장 작으며 패드 본체(420)의 중심부에 배치되는 제1 원형 그루브(441), 제1 원형 그루브(441)의 외측에 배치되며 제1 원형 그루브(441)보다 큰 직경을 가지는 제2 원형 그루브(442) 및 패드 본체(420)의 가장자리에 배치되며 가장 큰 직경을 가지는 제3 원형 그루브(443)를 구비할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 원형 그루브(440)가 제1 내지 3 원형 그루브(441 내지 443)를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 원형 그루브(440)의 개수는 다양하게 변경 가능할 것이다.
또한, 제1 내지 3 원형 그루브(441 내지 443)는 동일한 원의 중심을 가질 수 있다.
연결 그루브(460)는 제1 원형 그루브(441)와 제2 원형 그루브(442)를 연결하며 직선 형상을 가지는 제1 연결 그루브(461) 및 제2 원형 그루브(442)와 제3 원형 그루브(443)를 연결하며 직선 형상을 가지고 제2 연결 그루브(461)와 어긋나게 배치되는 제2 연결 그루브(462)를 구비할 수 있다.
한편, 제1 연결 그루브(461)는 제1 원형 그루브(441)의 접선에 수직한 법선 방향 배치될 수 있다. 다시 말해, 제1 연결 그루브(461)는 연장선이 원형 그루브(240)의 원의 중심을 통과하도록 배치될 수 있다. 또한, 제1 연결 그루브(461)는 복수개가 원주 방향을 따라 상호 이격 배치될 수 있다. 그리고, 제2 연결 그루브(462)는 제2 원형 그루브(442)의 접선 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 제2 연결 그루브(462)도 복수개가 원주 방향을 따라 상호 이격 배치될 수 있다.
상기한 바와 같이, 원형 그루브(440)와 연결 그루브(460)를 통해 슬러리가 CMP 패드(400)의 전 영역에 고르게 퍼질 수 있으며, 슬러리가 과도하게 공급되는 문제를 해결할 수 있다. 이와 같이, 개선된 슬러리 공급으로 인하여 반도체 생산성 향상 및 슬러리 절감 효과가 있다.
도 9는 예시적인 실시예에 따른 CMP 패드의 변형 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 9를 참조하면, CMP 패드(500)는 패드 본체(520), 원형 그루브(540) 및 연결 그루브(560)를 포함하여 구성될 수 있다.
패드 본체(520)는 원형의 플레이트 형상을 가질 수 있다. 한편, 패드 본체(520)에는 연마층(미도시)을 구비할 수 있다.
원형 그루브(540)는 복수개가 패드 본체(520)에 구비될 수 있다. 일예로서, 원형 그루브(540)는 직경이 가장 작으며 패드 본체(520)의 중심부에 배치되는 제1 원형 그루브(541), 제1 원형 그루브(541)의 외측에 배치되며 제1 원형 그루브(541)보다 큰 직경을 가지는 제2 원형 그루브(542), 제2 원형 그루브(542)의 외측에 배치되며 제2 원형 그루브(542)보다 큰 직경을 가지는 제3 원형 그루브(543), 제3 원형 그루브(543)의 외측에 배치되며 제3 원형 그루브(543)보다 큰 직경을 가지는 제4 원형 그루브(544) 및 패드 본체(520)의 가장자리에 배치되며 가장 큰 직경을 가지는 제5 원형 그루브(545)를 구비할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 원형 그루브(540)가 제1 내지 5 원형 그루브(541 내지 545)를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 원형 그루브(540)의 개수는 다양하게 변경 가능할 것이다.
또한, 제1 내지 5 원형 그루브(541 내지 545)는 동일한 원의 중심을 가질 수 있다.
연결 그루브(560)는 제1 원형 그루브(541)와 제2 원형 그루브(542)를 연결하며 직선 형상을 가지는 제1 연결 그루브(561), 제2 원형 그루브(542)와 제3 원형 그루브(543)를 연결하며 직선 형상을 가지고 제1 연결 그루브(561)와 어긋나게 배치되는 제2 연결 그루브(562), 제3 원형 그루브(543)와 제4 원형 그루브(544)를 연결하며 직선 형상을 가지고 제2 연결 그루브(562)와 어긋나게 배치되는 제3 연결 그루브(563) 및 제4 원형 그루브(544)와 게5 원형 그루브(545)를 연결하며 직선 형상을 가지고 제3 연결 그루브(563)와 어긋나게 배치되는 제4 연결 그루브(564)를 구비할 수 있다.
한편, 제1, 3 연결 그루브(561,563)은 제1 원형 그루브(541)과 제3 원형 그루브(543)의 접선에 대하여 수직인 법선 방향으로 배치된다. 그리고, 제2,4 연결 그루브(562,564)는 제2 원형 그루브(542)와 제4 원형 그루브(544)의 접선 방향으로 배치될 수 있다.
그리고, 제1 내지 4 연결 그루브(561 내지 564)는 복수개가 원주 방향을 따라 복수개가 상호 이격 배치될 수 있다.
한편, 제3 연결 그루브(563)는 제1 연결 그루브(561)의 연장선 상에 배치될 수 있다.
상기한 바와 같이, 원형 그루브(540)와 연결 그루브(560)를 통해 슬러리가 CMP 패드(500)의 전 영역에 고르게 퍼질 수 있으며, 슬러리가 과도하게 공급되는 문제를 해결할 수 있다. 이와 같이, 개선된 슬러리 공급으로 인하여 반도체 생산성 향상 및 슬러리 절감 효과가 있다.
한편, 상기한 도면에는 원형 그루브와 연결 그루브를 선으로 도시하고 있으나, 원형 그루브와 연결 그루브는 일정 폭을 가진다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
1 : 화학적 기계적 연마 장치
100, 200, 300, 400, 500 : CMP 패드
120, 220, 320, 420, 520 : 패드 본체
140, 240, 340, 440, 540 : 원형 그루브
160, 260, 360, 460, 560 : 연결 그루브

Claims (10)

  1. 회전 플레이트;
    상기 회전 플레이트의 상면에 설치되는 CMP 패드;
    상기 회전 플레이트의 상부에 배치되며 웨이퍼를 상기 CMP 패드에 접촉시켜 상기 웨이퍼를 가압하는 회전체 유닛; 및
    상기 CMP 패드에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부;
    를 포함하며,
    상기 CMP 패드는
    원형의 플레이트 형상을 가지는 패드 본체;
    상기 패드 본체의 저면에 구비되며 원형의 형상을 가지는 복수개의 원형 그루브; 및
    상기 복수개의 원형 그루브를 연결하며 직선 형상을 가지는 연결 그루브;
    를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 원형 그루브는 상기 패드 본체의 중앙부에 배치되는 제1 원형 그루브와, 상기 제1 원형 그루브보다 직경이 크며 상기 패드 본체의 가장자리에 배치되는 제2 원형 그루브를 구비하며,
    상기 연결 그루브는 상기 제1 원형 그루브와 상기 제2 원형 그루브를 연결하며 제1 원형 그루브의 접선 방향으로 배치되는 화학적 기계적 연마 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 원형 그루브는 상기 패드 본체의 중앙부에 배치되는 제1 원형 그루브와, 상기 제1 원형 그루브보다 큰 직경을 가지는 제2 원형 그루브 및 상기 패드 본체의 가장자리에 배치되는 제3 원형 그루브를 구비하며,
    상기 연결 그루브는 상기 제1 원형 그루브와 상기 제2 원형 그루브를 연결하는 제1 연결 그루브와, 상기 제1 연결 그루브와 어긋나게 배치되며 상기 제2 원형 그루브와 상기 제3 원형 그루브를 연결하는 화학적 기계적 연마 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 연결 그루브는 상기 제1 원형 그루브의 접선 방향으로 배치되며, 상기 제2 연결 그루브는 상기 제2 원형 그루브의 접선 방향에 수직한 법선 방향으로 배치되는 화학적 기계적 연마 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 연결 그루브는 상기 제1 원형 그루브의 접선 방향에 수직한 법선 방향으로 배치되며,
    상기 제2 연결 그루브는 상기 제2 원형 그루브의 접선 방향으로 배치되는 화학적 기계적 연마 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 원형 그루브는 상기 패드 본체의 중앙부에 배치되는 제1 원형 그루브, 상기 제1 원형 그루브보다 직경이 큰 제2 원형 그루브, 상기 제2 원형 그루브의 외측에 배치되는 제3 원형 그루브, 상기 제3 원형 그루브보다 직경이 큰 제4 원형 그루브 및 상기 패드 본체의 가장자리에 배치되는 제5 원형 그루브를 구비하며,
    상기 연결 그루브는 상기 제1,2 원형 그루브를 연결하는 제1 연결 그루브, 상기 제2,3 원형 그루브를 연결하는 제2 연결 그루브, 상기 제3,4 원형 그루브를 연결하는 제3 연결 그루브 및 상기 제4,5 원형 그루브를 연결하는 제4 연결 그루브를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 내지 4 연결 그루브는 상기 제1 내지 4 원형 그루브의 접선 방향에 수직한 법선 방향으로 배치되거나,
    상기 제1 내지 4 연결 그루브 중 적어도 하나는 상기 제1 내지 4 원형 그루브 중 적어도 하나의 접선 방향으로 배치되는 화학적 기계적 연마 장치.
  8. 원형의 플레이트 형상을 가지는 패드 본체;
    상기 패드 본체의 저면에 구비되며 원형의 형상을 가지는 복수개의 원형 그루브; 및
    상기 복수개의 원형 그루브를 연결하며 직선 형상을 가지는 연결 그루브;
    를 구비하는 CMP 패드.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 원형 그루브는 상기 패드 본체의 중앙부에 배치되는 제1 원형 그루브와, 상기 제1 원형 그루브보다 직경이 크며 상기 패드 본체의 가장자리에 배치되는 제2 원형 그루브를 구비하며,
    상기 연결 그루브는 상기 제1 원형 그루브와 상기 제2 원형 그루브를 연결하며 제1 원형 그루브의 접선 방향으로 배치되는 CMP 패드.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 원형 그루브는 상기 패드 본체의 중앙부에 배치되는 제1 원형 그루브와, 상기 제1 원형 그루브보다 큰 직경을 가지는 제2 원형 그루브 및 상기 패드 본체의 가장자리에 배치되는 제3 원형 그루브를 구비하며,
    상기 연결 그루브는 상기 제1 원형 그루브와 상기 제2 원형 그루브를 연결하는 제1 연결 그루브와, 상기 제1 연결 그루브와 어긋나게 배치되며 상기 제2 원형 그루브와 상기 제3 원형 그루브를 연결하는 CMP 패드.

KR1020200031290A 2020-03-13 2020-03-13 Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치 KR20210116759A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200031290A KR20210116759A (ko) 2020-03-13 2020-03-13 Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치
US17/026,554 US11813714B2 (en) 2020-03-13 2020-09-21 Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing apparatus including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200031290A KR20210116759A (ko) 2020-03-13 2020-03-13 Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210116759A true KR20210116759A (ko) 2021-09-28

Family

ID=77664303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200031290A KR20210116759A (ko) 2020-03-13 2020-03-13 Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11813714B2 (ko)
KR (1) KR20210116759A (ko)

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7018282B1 (en) * 1997-03-27 2006-03-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Customized polishing pad for selective process performance during chemical mechanical polishing
JPH11216663A (ja) * 1998-02-03 1999-08-10 Sony Corp 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
US20020068516A1 (en) 1999-12-13 2002-06-06 Applied Materials, Inc Apparatus and method for controlled delivery of slurry to a region of a polishing device
US7070480B2 (en) 2001-10-11 2006-07-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for polishing substrates
JP2003209077A (ja) 2002-01-15 2003-07-25 Mitsubishi Electric Corp Ｃｍｐ装置及び半導体装置
US7377840B2 (en) * 2004-07-21 2008-05-27 Neopad Technologies Corporation Methods for producing in-situ grooves in chemical mechanical planarization (CMP) pads, and novel CMP pad designs
JP4563025B2 (ja) 2003-12-19 2010-10-13 東洋ゴム工業株式会社 Ｃｍｐ用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法
JP2005294412A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
KR20070022054A (ko) * 2004-05-27 2007-02-23 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 진동 경로를 갖는 그루브 망상조직을 포함하는 연마 패드
US7131895B2 (en) * 2005-01-13 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having a radially alternating groove segment configuration
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
TWI535527B (zh) * 2009-07-20 2016-06-01 智勝科技股份有限公司 研磨方法、研磨墊與研磨系統
US9211628B2 (en) * 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
US9649742B2 (en) 2013-01-22 2017-05-16 Nexplanar Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions
TWI589404B (zh) 2013-06-28 2017-07-01 聖高拜磨料有限公司 基於向日葵圖案之經塗佈的研磨製品
US9308620B2 (en) 2013-09-18 2016-04-12 Texas Instruments Incorporated Permeated grooving in CMP polishing pads
TWI599447B (zh) 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的ｃｍｐ拋光墊
US10875146B2 (en) 2016-03-24 2020-12-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Debris-removal groove for CMP polishing pad
US10625393B2 (en) 2017-06-08 2020-04-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pads having offset circumferential grooves for improved removal rate and polishing uniformity
US10861702B2 (en) 2017-06-14 2020-12-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Controlled residence CMP polishing method
US10586708B2 (en) 2017-06-14 2020-03-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Uniform CMP polishing method
US10857648B2 (en) 2017-06-14 2020-12-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Trapezoidal CMP groove pattern
US10777418B2 (en) 2017-06-14 2020-09-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, I Biased pulse CMP groove pattern
US10857647B2 (en) 2017-06-14 2020-12-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings High-rate CMP polishing method
CN108994723A (zh) 2018-08-03 2018-12-14 成都时代立夫科技有限公司 一种cmp复合沟槽抛光垫
CN110802508B (zh) * 2019-11-12 2021-08-24 西安奕斯伟硅片技术有限公司 抛光垫及化学机械抛光设备

Also Published As

Publication number Publication date
US11813714B2 (en) 2023-11-14
US20210283744A1 (en) 2021-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100818523B1 (ko) 연마 패드
US5558563A (en) Method and apparatus for uniform polishing of a substrate
US6165904A (en) Polishing pad for use in the chemical/mechanical polishing of a semiconductor substrate and method of polishing the substrate using the pad
KR100549055B1 (ko) 화학-기계적 폴리싱헤드용 리테이닝 링, 폴리싱장치,슬러리순환시스템, 및 방법
US6783436B1 (en) Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
JPH10249710A (ja) Ｃｍｐ用偏心溝付き研磨パッド
US6869335B2 (en) Retaining rings, planarizing apparatuses including retaining rings, and methods for planarizing micro-device workpieces
KR100348930B1 (ko) 기판의 연마 장치
KR20210116759A (ko) Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치
US6234884B1 (en) Semiconductor wafer polishing device for removing a surface unevenness of a semiconductor substrate
JP3575944B2 (ja) 研磨方法、研磨装置および半導体集積回路装置の製造方法
KR19990030719A (ko) 씨엠피 장비의 폴리싱 헤드용 리테이너 링
JP3937294B2 (ja) 研磨装置
KR20020022198A (ko) 표면에 비 선형 트랙이 형성된 연마 패드를 구비하는화학적 기계적 연마 장치
KR20040054085A (ko) 요홈이 형성된 연마 패드
KR19980045527U (ko) 화학적 기계적 연마 장치
KR20050079096A (ko) 화학 기계적 연마 패드
KR100962090B1 (ko) 연마패드용 드레싱 유닛
KR20230169683A (ko) 개선된 연마속도를 갖는 연마패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마장치
KR100580290B1 (ko) 화학적 기계적 연마장치
KR20230169685A (ko) 개선된 연마속도를 갖는 연마패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마장치
KR20050012586A (ko) 씨엠피 장치
KR200163028Y1 (ko) 반도체소자 제조 공정용 씨.엠.피 패드
KR20030020149A (ko) 씨엠피 장비의 컨디셔너
KR200375396Y1 (ko) 화학적 기계적 폴리싱용 폴리싱 패드

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal