577105 ⑴ 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) [發明之技術領域] 本發明係有關使用含氟化氯等_素氣體之洗淨氣體之 LP — CVD裝置等之半導體製造裝置的乾式洗淨，且係有 關自動判斷洗淨辜導體製造裝置之時期的系統，乾式洗 淨時減少半導體製造裝置之反應槽零件之損傷的方法， 減少損傷用之自動檢測洗淨終點的系統及有效控制乾式 洗淨的系統。 [先前技藝] 半導體製造裝置，如LP(低壓）一 CVD(化學汽相沉積） 等之CVD裝置，於其使用時，在反應槽内有矽氧化物等 CVD堆積膜堆積。此種CVD堆積膜過厚時，存在造成膜 剝落而發生塵埃涔染的問題，此外，反應槽内之堆積膜 的膜厚不均一時，存在形成於半導體晶圓上之CVD膜無 法均一地形成的問題。因此，先前於此種問題顯著之前 ，係藉由含氟化氯等画素的洗淨氣體進行蝕刻處理’以 除去該堆積膜。 通常於乾式洗淨時，正常批量處理困難的狀沉，如因 累積膜厚過厚造成膜剝落而發生塵埃污染，及因對構件 之堆積膜厚不均/性等，造在晶圓上成膜膜厚之均一性 惡化等狀況時，係實施乾式洗淨。此外，經驗上從累積 膜厚可知此等問題產生的時期，僅以此種問題為對象判 斷洗淨實施時期。 此外，如C V D装置中，觀察批量進入該步驟時預定成 577105 (2) 發明說明續頁 膜之膜厚與單體或數個裝置的各個累積膜厚，自未超過 經決定須洗淨時期之規定膜厚的裝置中，選擇成膜上使 用之裝置進行處理，該選擇均由人工作判斷。 同樣地，即使於洗淨時，同樣地係以人工判斷裝置之 累積膜厚超過基準值之裝置，或自預定處理批量之成膜 膜厚決定是否洗淨裝置。因而，先前僅自單體或數個裝 置之累積膜厚以人工判斷決定實施成膜或實施洗淨。 再者，於洗淨時，尤其是藉由氟化氯氣體洗淨時，係 使反應槽在某種溫度、壓力的狀態下，於反應槽内流入 氟化氯氣體與氮等惰性氣體，以除去堆積的膜。除去堆 積膜時，因氟化氯等活性氣體僅與氮等惰性氣體混合， 並不能形成增加蝕刻速度、縮短洗淨時間的對策及提高 堆積膜與反應槽構件之選擇比的對策等。此外，並未考 慮從累積膜種類與累積膜厚經驗上判斷充分的時間，於 實施洗淨時，因不知終點時間而使用較長時間，因該多 餘時間造成構件的損傷。 [發明所欲解決之問題] 因而，如先前之LP — CVD裝置，係僅自成膜性能的問 題判斷實施洗淨時期，而未考慮因洗淨造成裝置構件的 損傷。因此裝置構件的保養頻率高，作業人員的負荷大 ，且有COO提高等的不良影響。 此外，不論成膜或洗淨時，自單體或數台裝置，以何 種裝置實施的判斷，僅依據各裝置之累積膜厚值，以人 工作判斷，而無法依據多數批量流品狀況及爾後步驟之 577105 (3) 發明說明續頁 裝置狀況、裝置附帶設備的運轉、預測保氧及累積膜厚 等資訊，於短時間進行有效的判斷，以致發生批量處理 停滯等的問題。 此外，先前的方法，氣體本身並未形成僅使用單一氟 化氣以增加蝕刻速度的對策等，即使就選擇比亦無任何 對策。再者，因不知洗淨終點而使用較長時間，以致洗 淨處理不但花費較多時間，且導致氣體浪費。此外，因 進行比洗淨實際結束時間更多時間的洗淨，以致對反應 槽構件的損傷增加。 再者，如附著於CVD裝置内部之堆積膜的乾式洗淨方 法，係使用氟化氯等蝕刻氣體。於CVD處理中，一般而 言，堆積膜除附著於CVD裝置的反應槽内壁之外，自排 氣配管至泵之間亦有副生成物附著。因此，於洗淨時， 除處理室之外，亦須可蚀刻除去副生成物。但是，先前 之排氣配管及泵，由於其洗淨終點判定不明確，因而迄 今仍無法予以洗淨。 此外，因各部位之溫度愈高洗淨速度愈快，因此係在 加熱至某種程度的狀態下進行。但是，同時又因抑制對 反應槽構件的損傷，而無法過度提高溫度。所以係在堆 積膜與反應槽構件之間取某種程度的選擇比，且在可以 允許的條件下對堆積膜進行洗淨處理。洗淨時間雖設定 成必要的充分時間，但因在蚀刻氣體流動的上流迅速洗 淨結束，過度蝕刻時間變長，而存在容易對反應槽構件 造成損傷的問題。 577105 (4) 發明說明續頁 有鑑於此種情況，本發明之第一種發明提供一種使半 導體製造裝置作動，處理半導體晶圓或自動進行洗淨等 之半導體製造裝置的乾式洗淨時期判定系統。第二種發 明提供一種使用氟化氯等鹵素氣體使選擇比提高，並且 縮短洗淨時間之乾式洗淨方法及縮短洗淨時間，並且可 防止對構件過度蝕刻以抑制構件損傷的乾式洗淨系統。 第三種發明提供一種可必要充分地進行洗淨，可縮短處 理時間，且可防止半導體製造裝置之洗淨結束部位之過 度蝕刻之半導體製造裝置的乾式洗淨系統。並提供一種 使用半導體製造裝置之半導體裝置的製造方法。 [解決問題之手段] 本發明係有關藉由至少含函素氣體之洗淨氣體蝕刻除 去堆積於半導體製造裝置之反應槽内之堆積膜的乾式洗 淨，並包含第一至第三種發明。第一種發明係對特定之 半導體製造裝置判定，裝置可直接實施成膜處理等處理 ，或是須立即進行洗淨的系統，第二種發明係實施提高 選擇比之乾式洗淨之方法及檢測洗淨終點的系統，第三 種發明係用於實施裝置之有效洗淨的控制系統。 另外，本發明之半導體製造裝置，實施例中係以LP — CVD等CVD裝置為例作說明，不過亦包含真空蒸鍍裝置 、濺射裝置等處理半導體晶圓的裝置。此外，構成半導 體製造裝置之反應槽内，於洗淨中非本意而堆積之膜稱 為堆積膜，而刻意堆積於半導體晶圓及反應槽内之膜， 則簡稱為膜（如CVD膜等）。 577105 (5) 發明說明續頁 第一種發明之乾式洗淨時期判定系統，係將實施藉由 至少含函素氣體之洗淨氣體蝕刻除去堆積於半導體製造 裝置之反應槽内之堆積膜之乾式洗淨的時期，作為堆積 於前述反應槽内之前述堆積膜之累積膜厚不超過規定值 的時期，其特徵為具備：自動判斷機構，其係依據半導 體製造裝置之累積膜種類資訊、半導體製造裝置之累積 膜厚資訊、批量之預期到達時期資訊、批量之預定成膜 膜厚資訊、批量之緊急程度資訊、批量之爾後步驟裝置 資訊及附帶設備動作資訊等電腦管理之資訊，依據藉由 電腦所、決定的算法，自動判斷對半導體晶圓進行處理之 裝置、處理特定批量之最佳裝置、實施乾式洗淨之裝置 及保養附帶設備之裝置；決定機構，其係依據前述自動 判斷機構，對前述各裝置決定對半導體晶圓進行處理時 期、對特定批量進行處理時期、實施乾式洗淨時期、及 保養附帶設備時期；及輸出機構，其係依據決定前述各 時期之機構的決定，輸出前述各裝置的下一個處理内容。 第二種發明之特徵為：藉由至少含氟化氣氣體等鹵素 氣體之洗淨氣體除去堆積於藉由CVD法等處理半導體晶 圓之半導體製造裝置之反應槽内的堆積膜時，藉由使金 屬、金屬化合物、有機物系氣體等存在於反應槽内，或 以與洗淨氣體混合之方式流入反應槽内，以提高選擇比 。此外，其特徵為：首先於反應槽内形成TEOS膜等，藉 由立即監視堆積於TEOS膜上之堆積膜被除去後所除去之 TEOS膜等之洗淨中的殘留量資訊，藉由自該殘留量資訊 577105 (6) 由電腦所決定之算法，自動檢測洗淨終點， 束。 第三種發明之系統具有將CVD裝置之洗淨 個控制對象，其特徵為：測定CVD裝置内部 溫度的機構，與藉由洗淨步驟開始後之各部 防止因使該部位溫度低於開始洗淨時溫度而 刻，判定各部位之洗淨終點，使洗淨效率提， (第一種發明） 亦即，本發明之半導體製造裝置之乾式洗 系統，係將實施藉由至少含函素氣體之洗淨 去堆積於半導體製造裝置之反應槽内之堆積 淨的時期，作為堆積於前述反應槽内之前述 積膜厚不超過規定值之時期，其特徵為具備 機構，其係依據半導體製造裝置之累積膜種 導體製造裝置之累積膜厚資訊、批量之預期 訊、批量之預定成膜膜厚資訊、批量之緊急 批量之爾後步驟裝置資訊及附帶設備動作資 理之資訊，依據藉由電腦所決定的算法，自 導體晶圓進行處理之裝置、處理特定批量之 實施乾式洗淨之裝置及保養附帶設備之裝置 ，其係依據前述自動判斷機構，對前述各裝 導體晶圓進行處理時期、對特定批量進行處 施乾式洗淨時期、及保養附帶設備時期；及 其係依據決定前述各時期之機構的決定，輸 發明說明續頁 輸出洗淨結 步驟作為一 數個部位之 位的溫度， 造成過度蚀 h 0 淨時期判定 氣體蚀刻除 膜之乾式洗 堆積膜之累 :自動判斷 類資訊、半 到達時期資 程度資訊、 訊等電腦管 動判斷對半 最佳裝置、 ;決定機構 置決定對半 理時期、實 輸出機構， 出前述各裝 577105 ⑺ 發明說明續頁 置的下一個處理内容。亦可自預定下一個處理之批 成膜膜厚資訊與之前堆積於前述反應槽内之累積膜 及累積膜厚資訊之任何一個，依據電腦所決定之算 自動判定進行批量處理或進行乾式洗淨，並輸出半 製造裝置的下一個處理内容。亦可自半導體製造裝 累積膜種類、累積膜厚資訊與批量之爾後步驟的裝 訊，依據電腦所決定之算法，自動判定進行批量處 進行洗淨，並輸出半導體製造裝置的下一個處理内 亦可自下一個批量預期到達時期資訊，依據電腦所 之算法，自動判定是否進行洗淨，輸出是否實施洗 亦可自半導體製造裝置之附帶設備之乾泵之運轉狀 訊或壽命時期預測資訊，依據電腦所決定之算法， 判定對半導體晶圓進行處理、進行乾式洗淨或進行 ，並輸出該處理内容。於管理數台半導體製造裝置 況下，各裝置亦可依據電腦所決定之算法，自動判 各個半導體晶圓進行處理或進行乾式洗淨的任何一 並輸出該處理内容。於前述堆積膜為氮化矽的情況 前述規定值亦可為400 nm。 以上，第一種發明顯示於申請專利範圍第1至7項 亦可包含如下的内容。（1)自半導體製造裝置之附帶 之除害裝置的運轉狀況資訊或除害裝置之保養時期 資訊，依據電腦所決定之算法，自動判定進行成膜 行洗淨、或進行除害裝置保養，並輸出處理内容。 管理數台半導體製造裝置的情況下，自於最近未來 量的 種類 法， 導體 置之 置資 理或 容。 決定 淨。 況資 自動 保養 的情 定對 個， 下， 中， 設備 預測 、進 (2)於 到達 -14- 577105 (8) 之該裝置之批量的處理預測時期資訊、該 膜膜厚資訊、各裝置之累積膜種類及膜厚 腦所決定之算法，自動選擇須實施洗淨的 裝置名稱。（3)於管理前述數台半導體製造 ，自未來到達之該裝置之數批量的處理預 此等批量之預定成膜膜厚資訊、各裝置之 膜厚資訊，依據電腦所決定之算法，自動 批量的各裝置，並輸出進行處理之裝置名 。（4)於管理前述數台半導體製造裝置的情 到達之該裝置之數批量的處理預測時期資 之預定成膜膜厚資訊、各裝置之累積膜種 ，依據電腦所決定之算法，自動選擇洗淨 裝置名稱。（5)自數個預定成膜批量中，自 之爾後步驟的裝置運轉狀況資訊、及爾後 定保養資訊，依據電腦所決定之算法，自 量，並輸出批號。（6)自前述數個預定成膜 批量成膜後之爾後步驟的裝置運轉狀況資 驟裝置之預定保養資訊，依據電腦所決定 選擇進行乾式洗淨之裝置，並輸出裝置名 定於一定期間内到達之預定成膜之批量處 ，依據電腦所決定之算法，自數個半導體 選擇須成膜之裝置，並輸出該裝置名稱。 一定期間内到達之預定成膜之批量處理的 據電腦所決定之算法，自數個半導體製造 發明說明續頁 批量之預定成 資訊，依據電 裝置，並輸出 裝置的情況下 測時期資訊、 累積膜種類及 地分配至指定 稱及處理批號 況下，自未來 訊、此等批量 類及膜厚資訊 裝置，並輸出 各批量成膜後 步驟裝置之預 動選擇處理批 批量中，自各 訊、及爾後步 之算法，自動 稱。（7)藉由預 理的緊急程度 製造裝置自動 (8)藉由預定於 緊急程度，依 裝置自動選擇 577105 (9) 須洗淨之裝置，並輸出該裝置名稱。（9)自數 造裝置之附帶設備分別擁有之乾泵之外殼溫 管之堵塞情形之立即資訊或保養預測時期資 腦所決定之算法，自動選擇須進行批量處理 進行洗淨之裝置、須進行泵保養之裝置，且 置進行批量分配，並輸出各半導體製造裝置 。（ίο)自數台半導體製造裝置之附帶設備之 除害設備的運轉狀況資訊、及保養預測時期 電腦所決定之算法，自動選擇須進行批量處 須進行洗淨之裝置、須進行泵保養之裝置， 裝置進行批量分配，並輸出各裝置的處理内 輸出自動所判斷之成膜、洗淨或保養内容前 象資訊之自然現象資訊，依據電腦所決定之 判定是否處於須擁有裝置運轉上所需之動力 況，並輸出是否進行預定處理。（12)自使半 置運轉之作業人員的運轉狀況資訊、運轉預 定處理批量到達時期資訊，依據電腦所決定 數個半導體製造裝置自動選擇須進行成膜之 施乾式洗淨之裝置，並輸出裝置名稱與該裝 容。（13)在主電腦之顯示畫面上或各裝置擁 端的顯示畫面上立即顯示經自動判定之全部 裝置之相關結果的輸出。（1 4)經自動判定之 ，於各半導體製造裝置擁有之顯示器上僅顯 該裝置的内容。（1 5)將自動判定之結果的輸 發明說明績頁 台半導體製 度資訊、配 訊，依據電 之裝置、須 自動對各裝 的處理内容 排出氣體之 資訊，依據 理之裝置、 且自動對各 容。（11)於 ，自包含氣 算法，自動 、人才的狀 導體製造裝 測資訊及預 之算法，自 裝置與須實 置的處理内 有之電腦終 半導體製造 結果的輸出 示僅對應於 出列印於用 577105 (10) 發明說明續頁 紙上。（1 6)藉由作業人員在各半導體製造裝置上操作， 以語音輸出自動判定的結果。（1 6)將自動判定之結果的 輸出立即保管於主電腦或各半導體製造裝置擁有之電腦 内，於作業人員執行輸出操作時始顯示内容。（1 7)自動 判定之結果的輸出與作業人員之判斷相反時，優先人工 判斷。（1 8)自動判定之結果的輸出與作業人員的判斷相 反時，可閱覽電腦管理之裝置資訊、批量資訊等全部資 訊内容，有錯誤時，可藉由人工作業予以修正。（19)進 行乾式洗淨時，藉由CCD相機監視半導體製造裝置構件 的表面，以目視確認表面狀態，以評估構件的損傷程度 。（2 0)半導體製造裝置上使用石英構件時，藉由測定石 英構件或作為監視器而設置之石英零件具備之特定波長 或一定波長區域之光的透過率，檢測洗淨的終點。（2 1) 在堆積於半導體製造裝置之反應槽構件或作為監視器而 設置之與反應槽相同材料之零件的CVD膜上，照射具有 特定波長或一定波長區域之雷射光，藉由測定其反射光 強度檢測洗淨的終點。（22)在堆積於半導體製造裝置之 反應槽構件或作為監視器而設置之與反應槽相同材料之 零件的CVD膜上，照射具有特定波長或一定波長區域之 雷射光，藉由測定其反射光強度檢測洗淨的開始時期。 (第二種發明） 本發明之半導體製造裝置之乾式洗淨方法，係藉由至 少含氟化氯氣體之氣體除去堆積於半導體製造裝置之反 應槽零件上的堆積膜，其特徵為：至少在反應槽内與氟 577105 (Π) 發明說明續頁 化氯混合之方式，使金屬氣體、金屬化合物氣體或有機 系氣體流入前述反應槽内。 此外，本發明之半導體製造裝置之乾式洗淨方法，係 藉由至少含氟化氯氣體之氣體除去堆積於半導體製造裝 置之反應槽零件上的堆積膜，其特徵為：於進行乾式洗 淨前，使包含金屬或金屬化合物之膜堆積於前述反應槽 内壁〇 此外，本發明之半導體製造裝置之乾式洗淨方法，係 藉由至少含氟化氣氣體之氣體除去堆積於藉由CVD法進 行非晶矽成膜之半導體製造裝置之反應槽零件上的非晶 矽堆積膜，其特徵為：於進行乾式洗淨前，熱處理前述 反應槽，使前述非晶矽堆積膜予以晶化。 此外，本發明之半導體製造裝置之乾式洗淨方法，係 藉由至少含氟化氣氣體或至少含氟化氫氣體之氣體除去 堆積於藉由CVD法成膜之半導體製造裝置之反應槽零件 上的TEOS堆積膜，其特徵為：於導入前述至少含氟化氣 氣體或至少含氟化氫氣體之氣體前，導入至少含水蒸氣 的氣體。 本發明之半導體製造裝置之乾式洗淨系統，係藉由至 少含氟化氯氣體之氣體除去堆積於半導體製造裝置之反 應槽零件上的堆積膜，其特徵為具備：監視機構，其係 立即監視預先於前述反應槽零件上形成TEOS膜，堆積於 該TEOS膜上之堆積膜藉由乾式洗淨處理除去後所除去之 前述TEOS膜之前述乾式洗淨處理中的殘留量資訊；及輸 577105 (12) 發明說明續頁 出機構，其係自該殘留量資訊，依據電腦 ，自動檢測洗淨的終點，輸出洗淨結束。 此外，本發明之半導體製造裝置之乾式 由至少含氟化氯氣體之氣體除去堆積於半 之反應槽零件上的堆積膜，其特徵為具備 其係預先在前述反應槽零件上形成多晶矽 堆積於該多晶矽膜上之堆積膜之乾式洗淨 輸出機構，其係藉由前述監視機構，自該 據電腦所決定之算法，自動檢測洗淨的終 結束。亦可於檢測前述洗淨終點，輸出前 ，並於停止乾式洗淨後，繼續僅形成對前 形成前述TEOS膜之膜厚回復成初期值所需 亦可於檢測前述洗淨終點，輸出前述洗淨 停止乾式洗淨後，繼續僅形成對前述反應 述多晶矽膜之膜厚回復成初期值所需的膜；! 以上，第二種發明顯示於申請專利範g ，亦可包含如下的内容。（1)於申請專利輩 前述金屬氣體及金屬化合物氣體之金屬或 至少含有鐵、鐵、路、欽及嫣之其中一種 金屬化合物對前述至少含氟化氣氣體之氣 ，其對氟化氣之體積比在5%至1 000%的範 請專利範圍第8項中，前述金屬氣體及金屬 有機物系氣體中至少含有一氧化碳或二氧 少含有之一氧化碳或二氧化碳對前述至少 所決定之算法 洗淨系統係藉 導體製造裝置 :監視機構， 膜，監視除去 中的溫度；及。 溫度資訊，依 點，輸出洗淨 述洗淨結束後 述反應槽零件 的膜厚部分。 結束後，並於 槽零件形成前 雾部分。 1第8至1 5項中 I圍第8項中， 金屬化合物中 ，且該金屬或 體的含有比率 圍内。（2)於申 化合物氣體之 化碳’且該至 含氟化氣氣體 -19- 577105 (13) 發明說明續頁 之氣體的含有比率’其對氟化氯之體積比在5 %至1 〇 〇 〇 % 的範圍内。（3)於申請專利範圍第9項中’包含前述金屬 或金屬化合物之膜的膜厚在1 11111至1〇〇 nm的範圍内。（4) 於申請專利範圍第1 〇項中，使前述非晶矽堆積膜晶化之 熱處理溫度在6 0 0 °C至1 2 〇 〇 °C的範圍内。（5 )於申請專利 範圍第1 1項中，至少含水蒸氣之氣體的水蒸氣含有率， 其體積比在1❶/。以上，前述至少含水蒸氣之氣體的溫度在、 20 °C至650。(：的範圍内，且前述至少含水蒸氣之氣體的導 入時間在1分鐘至3 0分鐘的範圍内^ (6)於申請專利範圍 第12項中，前述TEOS膜之殘留量資訊為半導體製造裝置 的重量。（7)於申請專利範圍第12項中，前述TE〇S膜之 殘留量資訊為乾式洗淨處理中進行監視的TE0S膜厚。（8) 於申請專利範圍第12項中，前述殘留量資訊對前述TEOS 膜之初期膜厚減少超過1 0 %，且該減少時之減少率振幅 對減少率在1 〇 %以下時，輸出洗淨結束信號。（9)於申請 專利範圍第1 2項中，前述殘留量資訊對形成有前述Τ Ε Ο S 膜之初期重量在1 0 %以上，未達5 0 %時，輸出洗淨結束信 號。（10)於申請專利範圍第12項中，前述TEOS膜之膜厚 在10 nm至10 μιη的範圍内。（1 1)於申請專利範圍第13項 中，前述多晶矽膜之膜厚在50 nm至10 μπι的範圍内。（12) 於申請專利範圍第1 3項中，前述監視之溫度自設定之洗 淨溫度上昇2 °C以上時，輸出洗淨結束信號。（1 3 )於申請 專利範圍第1 2或1 3項中，藉由將前述洗淨結束之輸出送 回前述電腦自動停止洗淨。（1 4)於申請專利範圍第1 2或1 3 -20- 577105 (14) 發明說明續頁 況下，前述 第1 2或1 3項 且洗淨停止 斷洗淨終點 積膜係氮化 矽氧化膜的 中，形成於 的其中任何 於多晶碎膜 〇 ，係藉由至 製造裝置之 度測定機構 部位的溫度 之前述各部 淨系統，係 半導體製造 備：溫度測 之數個部位 由洗淨步驟 备改變。 項中，前述洗淨結束之輸出為裝置警報的情 乾式洗淨以手動停止。（1 5)於申請專利範圍 中，將前述洗淨結束之輸出送回前述電腦， 係由作業人員自顯示於電腦畫面上之資訊判 。（1 6)於申請專利範圍第1或9項中，前述堆 矽、非晶矽、多晶矽、TEOS膜或摻雜雜質之 其中任何一個。（17)於申請專利範圍第12項 TEOS膜上之CVD膜非晶矽、多晶矽、氮化矽 一個。（1 8 )於申請專利範圍第1 3項中，形成 上之CVD膜係TEOS膜或摻雜雜質的矽氧化膜 (第三種發明） 本發明之半導體製造裝置之乾式洗淨系統 少含||素氣體之洗淨氣體除去堆積於半導體 反應槽零件上的堆積膜，其特徵為具備：溫 ，其係測定前述半導體製造裝置内部之數個 ;及低溫化機構，其係藉由洗淨步驟開始後 位的溫度，使該部位之溫度低於開始洗淨時 此外，本發明之半導體製造裝置之乾式洗 藉由至少含画素氣體之洗淨氣體除去堆積於 裝置之反應槽零件上的堆積膜，其特徵為具 定機構，其係測定前述半導體製造裝置内部 的溫度；及洗淨氣體流路改變步驟，其係藉 開始後之前述各部位的溫度，使洗淨氣體流ί 此外，本發明之半導體製造裝置之乾式洗淨系統，係 577105 (15) 藉由至少含鹵素 裝置之反應槽零 構，其係監視附 部；及判定機構 輸出，判定洗淨 以上，第三種 本發明之半導 步驟，其係承載 行乾式洗淨的半 前述半導體製造 上形成CVD膜。 [發明之實施形声J 以下，參照圖 本發明係有關 去堆積於半導體 淨。 (第一種發明） 首先，參照圖 本實施例係使 顯示CVD裝置之 石英片的光學顯 之石英外管5與J 本實施例係在石 石英晶圓2上設 發明說明續頁 氣體之洗淨氣體除去堆積於半導體製造 件上的堆積膜，其特徵為具備：監視機 設於前述半導體製造裝置之真空泵的内 ，其係藉由前述真空泵之内部監視器的 步驟的結束點。 發明顯示於申請專利範圍第1 6至1 8項中。 體裝置之製造方法的特徵為具備：承載 半導體晶圓於依據前述乾式洗淨系統進 導體製造裝置内；及成膜步驟，其係於 裝置内，藉由CVD法在前述半導體晶圓 式說明發明之實施形態。 藉由至少含函素氣體之洗淨氣體蝕刻除 製造裝置之反應槽内之堆積膜的乾式洗 1及圖2說明第一種實施例。 用CVD裝置說明半導體製造裝置。圖1係 反應槽的概略剖面圖，圖2係反應槽内之 微鏡照相圖。CVD裝置包含構成反應槽 ;英内管4，此等内部配置有石英晶舟3。 英晶舟3内設置石英晶圓（晶片台）2。該 置石英片1，在其上藉由CVD法形成氮化
-22- 577105 (16) 發明說明續頁 矽膜，並藉由洗淨氣體進行乾式洗淨。亦即，於氮化矽 之膜厚不超過400 nmw管理下，藉由氟化氣之洗淨氣體 進行乾式洗淨時，與先前以1〜1 .5 μιη之累積膜厚進行洗 淨時比較，石英構件（石英片）之表面狀態保持在接近初 期狀態的良好狀態。 以下顯示形成氮化矽（SiN)膜與乾式洗淨的實施内容。 成膜：780°C /0.5 Torr/DCS= 50 sccm/NH3= 500 seem， 乾式洗淨·· 4〇〇°c /8 Torr/ClF3 = 900 sccm/N2= 1600 seem， 在該條件下，如下地使用CVD裝置。 (1) 氮化碎一 250 nm成膜/重複洗淨 每次實施洗淨時，重複評估5次晶片的狀態。 (2) 氮化矽一 1250 nm成膜—洗淨 洗淨後評估晶片狀態。 氮化矽膜形成2 5 0 nm，於自蝕刻率與膜厚算出之時間 增加40%進行洗淨。比較重複進行成膜與洗淨、以及形 成厚膜之後進行洗淨。 圖2係一次洗淨膜厚為1 25 0 nm之膜（圖2(a))，與重複5 次形成250 nm之膜及洗淨（相當於形成1250 nm之膜）（圖 2 (a ))，並顯示以光學顯微鏡所拍攝之石英片的表面狀態 (倍率X 100)。如圖2所示，重複處理時在石英片的表面 幾乎不產生裂痕，而一次處理時則產生許多裂痕。表1中 顯示以階差計測定之宏觀R a，P — V值，以A F Μ測定之微 觀Ra，Ρ〜V。分別以一次處理與重複處理比較各值時， -23- 577105 (17) 發明說明續頁 顯示一次處理之表面狀態約比重複處理惡化1 0倍。 【表1】 宏觀評估α步驟 微觀評估AFM 1 1 1 Ra I P-V Ra 1 P-V 每次 0.007^0.011 0.042^0.075 0.008 0.127^0.137 一次 0·14 〜0.52 1.2 〜8·9 0.011 0.344〜0.372 μπι μιη μιη μιη 此外，石英片之重量變化，於上述一次處理時約減少 1 · 8 m g，於重複處理時減少0 · 2 m g，因此重量變化被抑 制，可推測石英片的損傷較小。 因而，採用此處顯示之洗淨方法，使用爐構件，尤其 使用石英零件的情況下，零件的損傷小，零件的更換周 期延長。通常於三個月前後更換之埠、管等零件，可使 用數年之久。藉此COO大幅降低，此外藉由保養周期延 長，裝置實際運轉時間延長，裝置的成膜處理能力亦提 高。 此外，係在石英零件之宏觀裂痕少的狀態下形成膜， 因此自微觀裂痕產生之塵埃減少，良率提高。 此種石英零件上產生裂痕的現象，係因爐構件上使用 之零件的熱膨脹率與氮化矽膜之熱膨脹率差異甚大，因 此在氮化矽有一定以上膜厚的情況下，與氮化矽膜上產 生裂痕同樣地，石英零件上亦產生裂痕。 本實施例可有效進行是否對CVD裝置直接進行晶圓處 理或須實施乾式洗淨。 其次，參照圖3至圖7說明第二種實施例。 -24- 577105 (18) 發明說明續頁 圖3至圖6係構成一個圖，並以一個C VD裝置處理1批時 的流程圖，圖7係本發明之生產線系統的概念圖。第一種 實施例係顯示藉由累積膜厚在一定值以下，而進行乾式 洗淨，以抑制反應槽内使用之石英構件的損傷，而藉由 膜厚管理判定洗淨時期，亦即，也進行成膜實施的判斷 ，顯示自批量流品狀況、裝置附帶設備狀況、及其他資 訊，自動進行洗淨及成膜實施之判斷的系統。 圖3至圖6以流程圖顯示共用1台裝置形成多晶矽（或非 晶矽）膜與形成氮化矽膜，處理1批時之成膜、或洗淨、 或決定附帶設備實施保養的算法。 如圖7所示，係生產線以LAN連接管理之批量資訊及裝 置資訊等的資料庫。自收納於此等資料庫内之緊急批量 到達預測、泵等裝置附帶設備之狀況、下一步驟之裝置 運轉狀沉等資訊，在電腦上以氮化矽累積膜厚不超過400 n m之方式進行批量處理，且各裝置可在適切時期進行洗 淨的系統。 藉由此處顯示之流程，判斷成膜或實施洗淨，可排除 一切人工因素，可正確有效的運用裝置。且因人工不介 入，因此亦有助於減少勞動力。 本實施例可自動有效地對CVD裝置直接進行晶圓處理 或須實施洗淨。 其次，參照圖8至圖1 8說明第三種實施例。 圖8至圖18係構成一個圖，並以數台CVD裝置處理數批 時的流程圖，該圖係顯示氮化矽專用的CVD成膜裝置， -25- 577105 (19) 發明說明續頁 且顯示處理數批時之決定成膜或實施洗淨的流程。此處 假設要求擁有之2台裝置處理同時到達的3批，並顯示其 一種情況。成膜或洗淨裝置及處理批量決定的流程係以 累積膜厚不超過400 nm為基本條件，藉由正確掌握各裝 置的累積膜厚，可因應膜厚有效分配將於某個短時間到 達的批量。此外，自爾後步驟裝置狀態、批量到達預測 、及裝置或附帶設備保養預測，於具有某個程度之累積._ 膜厚的裝置中，運用不使用於成膜之時間所產生的多餘 時間進行洗淨，可有效運用裝置，順利進行批量處理。 目前裝置及批量的分配上，人工判斷花費相當的時間 ，且综合考慮預期未來到達批量、洗淨時期、包含附帶 設備之保養時期，幾乎無法作正確的判斷。通常與本系 統相同的裝置，即使是批量狀況，至少掌握目前之裝置 累積膜厚與僅自預定成膜批量之膜厚對裝置分配批量的 判斷就需要花費相當的時間。因此種判斷又未必正確， 因此目前每日有長達數十分鐘的時間損耗。 採用本發明之系統，由於與人工判斷完全無關，因此 可正確判斷，同時人工判斷所需時間換成只有電腦之計 算時間的短時間。 基於此，本實施例的裝置運用有效，裝置處理能力提 高，且有助於降低COO。 以上係顯示對2台裝置要求3個成膜批量時的算法（參照 圖8至圖18)，不過，即使裝置更多台時，批量更達多數 時，且共用於多種膜成膜時，藉由自各種膜於裝置洗淨 577105 (20) 發明說明續頁 時被抑制在最小限度之構件損傷的界線累積膜厚、各種 膜間之蝕刻選擇比、及各種膜之處理上的相性等而決定 的判斷，藉由算法處理同樣的流程，仍可有效運用裝置 ，順利進行批量處理。 此外，本實施例可自動且有效地對CVD裝置直接進行 晶圓處理或實施洗淨。 其次，參照圖1 9說明第四種實施例。 圖1 9係顯示說明洗淨終點檢測之CVD裝置之反應槽的 概略剖面圖。CVD裝置包含構成反應槽之石英外管5與石 英内管4，在此等内部配置有石英晶舟3。本實施例於反 應槽内附設有反射光檢測器（雷射光源）8。反射光檢測器 8具備光纖7，並以自光纖7之雷射光6向反應槽内部發光 之方式構成。 藉由分析自光纖放射之雷射光6的反射強度，來檢測 除去氮化矽膜的終點。同時可推測石英零件表面粗糙程 度。 此外，本實施例可自動且有效地對CVD裝置直接進行 晶圓處理或實施洗淨。 (第二種發明） 其次，參照圖2 0說明第五種實施例。 圖20係縱型之LP — CVD裝置的剖面圖。CVD裝置包含 構成反應槽之石英外管5與石英内管4，此等内部配置有 石英晶舟3。於反應槽周圍設有具備熱電偶9的加熱器1 0 。此外，附設有具備其頂端插入反應槽内部之氣體喷嘴1 2 -27- 577105 (21) 發明說明續頁 的氣體供給單元11。再者，於反應槽内連接有排氣配管13 。本實施例在石英晶舟3内設置試料。於反應槽内部藉由 C VD法形成氮化矽膜，藉由洗淨氣體對其進行乾式洗淨 及蝕刻除去。藉由先前之氟化氯氣體洗淨氮化矽膜，係 在下述條件下進行。65 0°C，1.5 Torr，氟化氯=1 200 seem ，氮=2700 seem，該條件下之氮化矽的蝕刻速度約為300 n m / m i η。 以該條件開始蝕刻前，係導入四氯化鈦氣體，在反應 槽内部之氮化矽膜上形成約1〇 nm的鈦膜。該鈦膜形成 後相同條件下的蝕刻率經同樣的評估為5 00 nm/min。本 例之蝕刻速度約為1 · 7倍，此因金屬膜發揮氟化氯之觸媒 的作用，鈦被蝕刻之後的氮化矽膜急遽被蝕刻，或鈦膜 未必被均一地蚀刻，自欽膜薄且底層之氣化碎露出的部 分開始急遽地蝕刻氮化矽膜所致。此外，氮化矽與熱氧 化膜未形成鈦膜時，選擇比約為1 〇，藉由形成鈦膜，其 選擇比則提高至1 5。此外，同樣地，藉由使四氯化鈦與 氟化氣氣體同時流入，引起同樣的觸媒作用，蝕刻速度 加快約2倍，選擇比亦提高約1 · 5倍。 因而，此處係顯示鈦的例子，預先形成鈦的薄膜，藉 由洗淨，蝕刻速度增加，可縮短洗淨時間，並且可抑制 因選擇比提高造成過度蝕刻對爐構件的損傷。如此可提 高裝置容量，減少使用氣體量，減少構件的更換頻率， 因而C 0 0變小。 採用本實施例時，洗淨選擇比提高，可有效進行乾式 -28- 577105 (22) 發明說明續頁 洗淨。並可防止對反應槽構件的過度蝕刻。 其次，說明第六種實施例。 本實施例與第五種實施例同樣地，係藉由包含氟化氯 氣體之洗淨氣體乾式洗淨堆積於半導體製造裝置之反應 槽内的氮化矽堆積膜。先前之蝕刻條件與第五種實施例 相同。該條件於進行蝕刻時，係使一氧化碳氣體混入氟 化氯氣體内。一氧化碳的流量，在上述條件下係添加5 ο α s c c m ° 該狀態下之氮化矽的蝕刻率亦大致為5 00 nm/min，可 發現與添加鈦時大致相同的蝕刻率與選擇比增加。 採用本實施例時，洗淨選擇比提高，可有效進行乾式 洗淨。並可防止對反應槽構件的過度蝕刻。 其次，參照圖2 1說明第七種實施例。 圖2 1係說明矽堆積膜之蝕刻的剖面圖。本實施例與第 五種實施例不同，係藉由包含氟化氯氣體之洗淨氣體乾 式洗淨堆積於半導體製造裝置之反應槽内之非晶矽堆積 膜。 於進行洗淨前，使反應槽的溫度上昇至7 0 0 °C ，而後 進行5分鐘退火，使堆積之非晶矽堆積膜晶化成多晶矽。 而後，使反應槽在洗淨條件的狀態下實施乾式洗淨。 非晶矽及多晶矽的洗淨條件為600°C ，1 Torr，氟化氯 =900 seem，氮=25 00 seem ° 於洗淨前不進行堆積膜之退火時的蝕刻率約為10 0 nm/min，而實施上述退火時的蚀刻率則為250 nm/min。 -29- (23) (23)577105 發明說明續頁 此因’如圖21所示，非晶矽膜係無結晶粒的膜，蝕刻 自膜表層依序進行’而於退火後產生結晶粒，蝕刻氣體 侵透結晶粒的間隙内，而自此開始蝕刻。 通常係除去約1 〇 μιη的堆積膜，先前包含過度蝕刻時 間需要超過2小時，此時則可抑制在1小時以内，可提高 裝置谷量’且因減少使用氣體量而可減少C Ο 0。 採用本實施例時，洗淨選擇比提高，可有效進行乾式 洗淨。並可防止對反應槽構件的過度蝕刻。 其次，參照圖22說明第八種實施例。 圖2 2係縱型之l ρ 一 c V D裝置的副面圖。本實施例與第 五種實施例不同，係藉由包含氟化氯氣體之洗淨氣體乾 式洗淨堆積於半導體製造裝置之反應槽内的TEOS堆積膜 ° CVD裝置包含構成反應槽之石英外管5與石英内管4, 此等内部配置有石英晶舟3。於反應槽周圍設有具備熱電 偶9的加熱器1 〇。此外，附設有具備其頂端插入反應槽内 部之氣體嘴嘴12的氣體供給單元11。再者，於反應槽内 連接有排氣配管1 3。本實施例在石英晶舟3内設置試料。 於石英晶舟3中設有載入單元（重量計）14。 藉由先前之氟化氯氣體洗淨TEOS膜時，係在下述條件 下進行。 溫度·· 600 °C ，壓力：1 Torr，氟化氣=1000 sccm’ 氮= 2500 seem。 此種情況下，如圖2 2所示’係自設置於反應槽内之形 成有TEOS膜之半導體晶圓之膜厚的變化量算出蚀刻率’ -30- 577105 發明說明續頁 (24) - 而TEOS膜之蝕刻率約為30 nm/min。 本實施例藉由氟化氯氣體開始蝕刻之前，係以與上述 洗淨條件相同的溫度、壓力下，於反應槽内導入含2〇〇/〇 水蒸氣之氮氣（含5%的氧）5分鐘。同樣地，自半導體晶圓 上之TEOS膜之膜厚變化量估計蚀刻率，此時為5〇nm/min° 因而，藉由氟化氯氣體蝕刻TEOS膜時，預先在膜上形 成水分吸著層時，可加快蝕刻率。此與前述實施形態同 樣地，隨洗淨時間縮短，裝置容量提高’並且可減少氣 體使用量，可減少C 0 〇 ° 採用本實施例時，洗淨選擇比提高，可有效進行乾式 洗淨。並可防止對反應槽構件的過度蚀刻。 其次，參照圖7、圖23及圖24說明第九種實施例。 圖23係縱型之LP — CVD裝置的剖面圖，圖24係洗淨終 點檢測流程圖。本實施例係藉由包含氟化氯氣體之洗淨 氣體乾式洗淨堆積於半導體製造裝置之反應槽内的TE0S 堆積膜。CVD裝置包含構成反應槽之石英外管5與石英内 管4，此等内部配置有石英晶舟3。於反應槽周圍設有具 備熱電偶9的加熱器1 〇。此外，附設有具備其頂端插入反 應槽内部之氣體喷嘴丨2的氣體供給單元11。再者，於反 應槽内連接有排氣配管1 3。本實施例在石英晶舟3内設置 試料。連接於反應槽，在外部設有載入單元（重量計）14。 本實施例說明藉由預先堆積於裝置構件之T E 0 S膜的重 量管理檢測洗淨終點的方法。 如圖7所示，生產線以L AN連接裝置資料庫、主電腦及 -31· (25) 發明說明續頁 各個裝置的電腦。 此時如圖2 3所示，藉由載入單元1 4檢測支撐晶圓的晶 舟重量，將此作為裝置資料庫在CIM上管理。藉由立即 獲得該重量資訊，自預先形成TEOS膜狀態下的初期重量 ，可知藉由洗淨而減少之裝置構件的重量。掌握相當於 形成於TEOS膜上之CVD堆積膜被蚀刻後之過度蝕刻部分 的TEOS膜蝕刻量，將該TEOS膜減少量超過初期成膜部_ 分重量的2 0 %時作為洗淨終點。採用本方法時，可在洗 淨氣體不損傷裝置構件狀態下進行洗淨，且因減少部分 之TEOS膜可藉由追加TEOS塗敷而復原，因此裝置構件 可半永久性使用。洗淨終點檢測的流程圖顯示於圖24。 採用本實施例時，洗淨選擇比提高，可有效進行乾式 洗淨。並可防止對反應槽構件的過度蝕刻。此外，由於 可有效進行終點檢測，因此可縮短洗淨時間。 其次，參照圖2 5說明第十種實施例。 圖2 5係洗淨終點檢測流程圖。本實施例說明藉由預先 堆積於反應槽内部之構件之多晶矽的溫度管理檢測洗淨 終點的方法。 如第九種實施例之說明，如圖7所示，生產線以LAN連 接裝置資料庫、主電腦及各個裝置的電腦。此時，係於 爐内，在晶圓支撐晶舟上部、中部、下部之沿著圖2〇所 示位置之管的部分設有熱電偶溫度計9 ^此處測得之溫度 被立即監視，將此作為裝置資料庫在CIM上管理。自該 立即之溫度資訊檢測洗淨終點的方法。 -32^ 577105 (26) 發明說明續頁 通常多晶矽具有與氟化氯氣體的高反應性，蝕刻率亦 大於其他種類的膜。由於該高反應性，因此在蝕刻時產 生熱，爐内溫度自洗淨時設定的溫度上昇。暫時上昇之 溫度下降至設定值時即為多晶矽的洗淨結束時期，不過 未完全蝕刻多晶矽，而發現全部之熱電偶溫度上昇時， 可視為洗淨結束。 此時係洗淨堆積於3 μιη之多晶碎堆積膜上之1 μιη的氮 化矽。在6 0 0 °C的條件下實施洗淨，約1 〇分鐘後，在下部 熱電偶上溫度開始上昇，開始後約1分鐘，全部的熱電偶 之溫度開始上昇。而後相同的時間，等待約1分鐘後停止 洗淨。反應槽内各處的氮化矽被除去，而殘留多晶矽。 採用此種方法時，可大致正確地掌握洗淨終點，且洗淨 氣體不致對裝置構件造成損傷。與前述實施例同樣地， 因洗淨時間縮短，裝置容量提高，洗淨氣體消耗最小化 、及構件的保養頻率減少等，因此可減少C Ο Ο。 再者，於洗淨後，藉由追加形成膜厚減少的多晶矽， 可維持隨時有膜厚之多晶硬的狀態。 此種情況，尤其是反應槽構件使用石英，洗淨氣體使 用氟化氯時，可將過度蝕刻抑制在最小限度，因此比先 前更能防止石英零件的表面粗糙，抑制保養頻率，因此 可提高裝置容量，減少COO。 藉由該乾式洗淨系統檢測洗淨終點的流程圖顯示於圖 25 ° 採用本實施例時，洗淨選擇比提高，可有效進行乾式 577105 (27) 發明說明續頁 洗淨。並可防止對反應槽構件的過度蚀刻。此外’由於 可有效進行終點檢測，因此可縮短洗淨時間。 (第三種發明） 其次，參照圖2 6至圖2 8說明第十一種實施例。 圖26係CVD裝置的概略剖面圖，圖27係顯示本實施例 之C V D裝置各部位溫度變化的特性圖，圖2 8係顯示先前 CVD裝置各部位之溫度變化的特性圖。圖26所示之CVD 裝置在反應槽20上連接有排氣配管23。於排氣配管23的 一端連接有泵25。反應槽20及配管23連接有自外部供給 氣體的噴射器21，22。並在反應槽20及排氣配管23的特 定部位（T1〜T6)上設有調整該部分溫度的溫度控制裝置24。 CVD裝置内部附著矽膜的狀態下，藉由噴射器21供給 氟化氯氣體，乾式洗淨附著於CVD裝置内部的矽膜。圖26 所示之T 1〜T6的各部位，可控制溫度，於開始洗淨時，T j T2控制在400t ，T3控制在3〇(Γ(：，Τ4〜Τ6控制在150〇c 洗淨係在流入900 sccm之氟化氯及流入16〇〇 sccm之氮 的狀態下進行 使用壓力控制閥27,將反應槽20内之壓
控制泵吸氣口的壓力在5 τ〇ΓΓ。
測得之結果判斷， 藉由洗淨均形成高於初期控制的溫度 义反應為發熱反應。因而自各溫度計 方、未再發熱的狀態，可判定為各個部 -34- 577105 (28) 發明說明續頁 位之矽堆積膜已被蝕刻。圖2 7中，自Τ 1至T6的順序而達 到最高溫度的時刻延後，係對應於洗淨係自流入氟化氯 的上流側起進行。因嚴格來說各部位之洗淨的正確判定 困難，因此此處係將各部位暫時溫度上昇後，再度降溫 至初期控制之溫度，判定成洗淨結束，並停止藉由外部 加熱器將該部位加熱。因而，如圖27所示，各部位之溫 度於全部洗淨結束時之前持續下降。因此藉由洗淨結束 後降低溫度，可抑制該部分的過度蝕刻。 此外，洗淨至T3部位結束後，停止自喷射器2 1供給之 氟化氯，而僅供給氮的狀態下，係自噴射器22供給氟化 氯。因而，洗淨已結束之Τ 1至T 3的部位，除具有停止溫 度的效果之外，因停止供給蝕刻氣體，因此可徹底抑制 過度蝕刻。 此外，T4至T6亦於分別判定洗淨終點，並判定堆積膜 被除去後，停止此處的加熱，防止各處過度蝕刻。因而 藉由監視各部位溫度來進行洗淨，可抑制對裝置的損傷 ，有效進行洗淨。 為作比較，以各部位洗淨結束後仍不改變溫度之圖2 8 所示的處理，同樣地進行CVD裝置及排氣配管的洗淨。 此種情況下，各部位於溫度暫時上昇後被過度蝕刻。 為求調查採用本發明之處理，實際上可防止過度蝕刻 的程度，而在處理室内部及T1部位設置附著與處理室内 壁相同膜厚之矽膜的石英片，進行分別顯示於圖2 7及圖2 8 之處理的洗淨。調查洗淨後石英片的狀態結果，於本發 577105 (29) 發明說明續頁 明之圖2 7的洗淨處理後，石英片未發現任何變化（以AFΜ 調查表面粗糙結果，Ra = 2 nm，無變化。重量亦無變化 ，石英本身之蝕刻量在檢測下限以下）。另外，以圖2 8所 示之先前方法進行洗淨的情況下，於蝕刻後，石英片的 表面粗糙自Ra = 2 nm增加至4 nm，且自重量測定之石英 片的蚀刻量亦估計有2 5 0 n m。 由於本實施例可判定裝置各部位之洗淨終點，因此可 進行必要充分的洗淨，促進洗淨效率及縮短處理時間。 其次，參照圖2 9及圖3 0說明第十二種實施例。 圖29係本實施例之附設於CVD裝置之泵的概略剖面圖 ，圖3 0係顯示泵内部之輸出狀態的特性圖。 使用具有圖29所示之泵單元的CVD裝置，進行與第十 一種實施例相同的洗淨處理。此時之氣體種類係使用氟 來取代氟化氣。圖2 9所示之泵單元係圖2 6中詳細說明的 泵，於框體31内部設有輔助泵34與主泵35。泵上連接有 泵吸氣側排氣配管3 2及栗排氣側排氣配管3 3。再者，框 體31上設有熱電偶（丁1，T2)36及壓力計（P)37。 圖3 0顯示圖2 9所示之泵的矽膜堆積時及洗淨時之熱電 偶T 1，T2及壓力顯示計P的各個顯示值。可知於堆積處理 時均發現上昇，另外於洗淨處理時降低。此因薄膜堆積 時處理室内之副生成物亦堆積於泵内部，結果造成閉塞 情形，而引起溫度上昇及壓力上昇。反之於洗淨時，泵 内部之副生成物亦藉由使用於洗淨的蝕刻氣體除去，因 此泵内部無電導，溫度及壓力下降。藉由監視此種泵内 -36- 577105 (30) 部狀態可判定泵的洗淨結束。 實際上可藉由預先監視堆積處理開始時 ，繼續於薄膜堆積時及洗淨時亦進行監視 昇溫度及壓力開始下降或下降至初期溫度 洗淨結束。藉由自控制CVD裝置的系統自 制，可有效運用裝置，並且可有效運用整 裝置。 本實施例可進行必要充分的洗淨，可促 縮短處理時間，保養性提高，有效抑制微 外防止洗淨結束部位的過度蝕刻，可有效 構件的損傷。 以上，係於藉由實施例中說明之系統進 半導體製造裝置（CVD裝置）的反應槽内插 導體晶圓。並於反應槽内，使矽氧化膜等 半導體晶圓上，再進行後處理步驟，以形成 [發明之功效] 第一種發明可自動有效地對半導體製造 晶圓處理或實施乾式洗淨。第二種發明係 比，有效進行乾式洗淨，並可防止對半導 反應槽構件過度蝕刻，並且有效進行終點 縮短洗淨時間。第三種發明因可判定半導 部位之洗淨終點，因此可必要充分地進行 洗淨效率，縮短處理時間。此外防止半導 反應槽之洗淨結束部位的過度蚀刻，可有 發明說明續頁 的溫度及壓力 ，依據暫時上 ，可判定泵的 動進行此種控 個系統的全部 進洗淨效率及 粒的產生。此 減少對處理室 行乾式洗淨之 入固定矽等半 CVD膜堆積於 半導體裝置。 裝置直接進行 提高洗淨選擇 體製造裝置之 檢測，因此可 體製造裝置各 洗淨，可提高 體製造裝置之 效減少對反應 -37- 577105 (31) 發明說明續頁 槽構件的損傷。 [圖式之簡單說明] 圖1係顯示本發明第一種實施例之CVD裝置之反應槽的 概略剖面圖。 圖2(a)，（b)係本發明第二種實施例之反應槽内之石英 片的光學顯微鏡照片圖。 圖3係以本發明第二種實施例之1個CVD裝置處理1批時 的流程圖。 圖4係以本發明第二種實施例之1個CVD裝置處理1批時 的流程圖。 圖5係以本發明第二種實施例之1個CVD裝置處理1批時 的流程圖。 圖6係以本發明第二種實施例之1個CVD裝置處理1批時 的流程圖。 圖7係本發明第二種實施例之生產線系統的概念圖。 圖8係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數批 時的流程圖。 圖9係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數批 時的流程圖。 圖10係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數 批時的流程圖。 圖1 1係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數 批時的流程圖。 圖1 2係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數 577105 (32) 發明說明續頁 批時的流程圖。 圖1 3係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數 批時的流程圖。 圖14係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數 批時的流程圖。 圖15係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數 批時的流程圖。 圖16係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數 批時的流程圖。 圖1 7係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數 批時的流程圖。 圖18係以本發明第三種實施例之數台CVD裝置處理數 批時的流程圖。 圖1 9係顯示說明本發明第四種實施例之洗淨終點檢測 之CVD裝置之反應槽的概略剖面圖。 圖20係本發明第五種實施例之LP— CVD裝置的概略剖 面圖。 圖2 1係說明本發明第七種實施例之矽堆積膜之蝕刻的 剖面圖。 圖22係本發明第八種實施例之LP — CVD裝置的概略剖 面圖。 圖23係本發明第九種實施例之LP — CVD裝置的概略剖 面圖。 圖24係本發明第九種實施例之洗淨終點檢測流程圖。 -39- 577105 (33) 發明說明續頁 圖2 5係本發明第十種實施例之洗淨終點檢測流程圖。 圖2 6係本發明第十一種實施例之C VD裝置的概略剖面 圖。 圖27係顯示本發明第十一種實施例之CVD裝置各部位 溫度變化的特性圖。 圖2 8係顯示先前之CVD裝置各部位溫度變化的特性圖。 圖29係本發明第十二種實施例之CVD裝置上使用之泵 的概略剖面圖。 圖30係說明本發明第十三種實施例之CVD裝置上使用 之泵之内部輸出狀態的特性圖。 圖式代表符號說明 1 石 英 片 2 石 英 晶 圓 (晶片 台） 3 石 英 晶 舟 4 石 英 内 管 5 石 英 外 管 6 雷 射 光 7 光 纖 8 反 射 光 檢 測器 9， 36熱 電 偶 10 加 熱 器 11 氣 體 供 給 早兀 12 氣 體 噴 嘴 13 ，23排 氣 配 管 14 載 入 單 元 (重量 計） 20 反 應 槽 -40- 577105 (34) 21， 22喷 射 器 24 溫 度 控 制 裝 置 25 泵 26 壓 力 控 制 閥 27 壓 力 控 制 閥 3 1 框 體 32 泵 吸 氣 側 排 氣配 管 33 泵 排 氣 側 排 氣配 管 34 輔 助 泵 35 主 泵 37 壓 力 計 發明說明續頁 -41 -