TW575886B - Electrical several-layer element and interference-suppression circuit with said element - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 241000209140 Triticum Species 0.000 claims 1
- 235000021307 Triticum Nutrition 0.000 claims 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
- H01G4/385—Single unit multiple capacitors, e.g. dual capacitor in one coil
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Description
五、發明説明(1 ) 本發明涉及一種多層式電子元件,其基體包含互相堆疊 之弟一及弟一種類之電極層。電極層藉由介電質層而互相 隔開且形成至少一種電容。在基體之側面上配置二對(pair) 外(outer)接觸區。分別屬於其中一對之各外接觸區之直接 連接區互相相交。第一對之各外接觸區是與第一種類之電 極層相接觸,第二對之各外接觸區是與第二種類之電極層 相接觸。 由文件US 5 889 445中已知一種如本文開頭所述形式之 元件,其中在二個正側上及二個縱側上分別配置一種外接 觸區。這些元件已爲此行之專家所熟知而稱爲"Feed-through 元件”。配置在正側上之外接觸區藉由基體浸入導電糊 (paste)中施加而成且因此以帽形之形式位於基體之正側上 方。由於外接觸區之配置及其製造方式,則此種習知元件 之缺點是:其長度不可小於2.0mm且寬度不可小於 1.25mm。各外接觸區相互間必須具有一種最小距離,使表 面電流不會發生短路現象。 行動電話之實際設計所需之結構大小較上述之尺寸還小 ,因此,習知之元件不能用於此種形式之應用中。 此外,習知元件所具有之缺點是:其會造成一種較大之 寄生電感,其對此種元件(其在行動電話中作爲干擾保護 元件以瀘除各別之千擾頻率)之衰減特性有不良之影響。 習知之元件可藉由介電質層中使用可變電阻-陶瓷而用 作可變電阻。在此種情況中此元件之大尺寸是一種缺點’ 特別是會造成寄生電感以及在脈衝有陡峭之邊緣時會有較 五、發明説明(2 ) 大之端電壓。 習知元件之其它缺點是:爲了施加外接觸區,須對此基 體之4個不同之側面進行塗層,這樣會造成較大之費用, 例如,須對此元件進行旋轉。 本發明之目的是提供一種本文開頭所述形式之元件,其 可小型化且輕易地製成。 本發明中此目的是藉由申請專利範圍第1項之多層式電 子元件來達成。本發明之其它形式及去干擾電路描述在申 請專利範圍其它各項中。 本發明提供一種多層式電子元件,其基體包含互相堆疊 之第一和第二種類之電極層。此外,此基體含有介電質層 ,其使電極層互相隔開,因此可形成至少一種電容。在基 體之相面對之側面上配置二對(pair)外接觸區。每對分別 有一外接觸區位於每一側面上。此外,須配置該外接觸區 ,使屬於一對之各外接觸區之直接連接區互相相交。本發 明中例如可使用一種六面體形式之基體,藉由外接觸區配 置在六面體角隅附近中,則可在外表上達成一種沿對角線 之導引路徑。 第一對(pair)外接觸區是與第一種電極層相接觸。第二 對外接觸區是與第二種電極層相接觸。第一種電極層中包 含一種導電層,其使二個外接觸區互相連接。此外,第二 種電極層中包含一種導電層’其是與外接觸區之一相連。 本發明之多層式電子元件之優點是:各外接觸區只配置 在基體之二個側面上。因此各外接觸區可特別容易製成, -4- 575886 五、發明説明(3 ) 此乃因該元件只需旋轉一次以施加各外接觸區。此外,本 發明之多層式電子元件之優點是:藉由各外接觸區配置在 基體之二個相面對之側面上可使結構較小。這特別是由於 下述原因所造成··其它未設有外接觸區之側面可在外接觸 區之間作爲間隔支件。各外接觸區因此可良好地互相隔開。 較小之構造之優點是寄生電感較小,本發明之多層式電 子元件因此具有較佳之衰減特性以用作干擾保護元件。 若介電質層以可變電阻層構成,則由於元件之較小之電 感而可另外具有之優點是:較小之端電壓。 在本發明特別有利之實施形式中,各外接觸區配置在基 體之平坦之側面上。此時各外接觸區特別容易藉由施加一 種糊(paste)或藉由其它適當之措施而施加在基體上。各外 接觸區特別是可簡易且成本有利地藉由一種塗佈導電材料 之麥仙翁(一種植物)在平面之側面上滾動而製成。此種外 接觸區之簡易之製法所具有之其它優點是:可在空間中產 生邊界準確之結構,這樣可使此元件進一步小型化。 在使用基體(其具有基面及覆蓋面)時,這些面之一用來 安裝在電路板上,各外接觸區可特別有利地配置在基體之 這些相互間之間距是最小之側面上。若使用六面體作爲基 體,則這些側面是此六面體之寬度側(其承載各外接觸區) 。此種元件之優點是較小之電感,此乃因各側面之間較小 之間距亦可使電流路徑較短。 本發明此種元件之其它優點是:由於基體較狹窄且同時 此基體又較長,在較大之電容仍存在之情況下可使寄生電 575886 五 '發明説明(4 ) 容較小。 至少介電質層中之一可以可變電阻層(其電阻是與電壓 有關)構成。此種元件之優點是:一或二個電容器可與一 與電壓有關之電阻(VDR)—起積體化於唯一之元件中。因 此,除了干擾保護作用外亦對ESD(靜電放電)具有保護作 用。 例如,可使用所謂’’COG”陶瓷作爲介電質層。此種材料 例如可爲(Sm,Ba)NdTi03陶瓷。但亦可考慮"X7R”陶瓷, 例如,已摻雜之鈦酸鋇。例如,一種氧化鋅陶瓷(其需要 時以Pr(鐯)或氧化鉍來摻雜)可用作可變電阻層(其電阻是 與電壓有關)。 在本發明之實施形式中(其中在多層元件中含有唯一之 電容),須形成第二種之電極層,使其含有一種導電層(其 使二個外接觸區相連)。 在另一實施形式中,本發明之多層元件含有二種電容, 其中在第二種之電極層中含有二個互相隔開之導電層,其 分別與一個外接觸區相連且對應於二個互相隔開之電容。 若本發明之元件含有二種電容,則在第一種電極層中含 有二個互相隔開之導電層(其分別與一個外接觸區導電性 地相連)時是特別有利的。此外,互相隔開之導電層互相 藉由電阻層而相連。因此可形成一種π-電路’其中二個電 容藉由一個電阻(以電阻層來表示)而相連。此種π-電路具 有較佳之衰減特性,此時可使整個頻帶(其介於二個由各 電容所定義之衰減頻率之間)衰減。 -6- 575886 五、發明説明(5 ) 在另一種實施形式中,第一種之電極層全部以電阻層來 構成,其使二個外接觸區互相連接。 在另一種實施形式中,可在基體之表面上配置一種電阻 層,其使第一對之外接觸區互相連接。 此外,在此種元件中導電層及/或電阻層設有至少一種 狹窄位置時是特別有利的。藉由一個或多個狹窄位置之引 入,則可適當地調整此元件之電性。這些電性(其可藉由 狹窄位置之引入來調整)例如電感,電阻或電容。此元件 之衰減所需之共振曲線可形成一種適當之形式。 電阻層(其需要時包含在本發明之元件中)可有利地含有 釕(Ru)之糊所製成。通常使用銀糊以製成導電層。添加釕 至銀糊可提高電阻。其中釕不會使糊中之銀之有利之特性 受到影響。 本發明之元件可特別有利地藉由上下堆疊之陶瓷原箔之 燒結而製成。因此可形成一種緊密之單石式元件,其能很 快且簡易地以大件數之方式製成。 在本發明之其它有利之實施形式中,第一種之相同之電 極層交替地與第二種之相同之電極層互相堆疊著。此元件 之此種簡易之設計所具有之優點是:其可輕易地製成。藉 由各電極層之交互堆疊,則可形成梳形互相偏移之結構( 其形成並聯之電容)。因此,在此元件之外尺寸很小時可 達成最大之電容。 第一種及第二種之各電極層之導電層之面積間之差異可 小於1 〇%,這樣可製成一種多層元件,其具有二個幾乎相 -7- 575886 五、發明説明(6 ) 同之電容。 但一種元件亦可以不同之電容來製成,其方式是第一種 之電極層中之導電層之面積間之差異大於20%。這是由於 下述原因所造成:電容之値由電容器之電極面積所決定。 本發明之元件特別可以小型化之形式所構成,其中基體 之基面小於2.5mm2。此種基面例如可藉由基體之構造形 式來達成’其中長度是1.25mm且寬度是1.0mm。此種構 造形式稱爲”0405”而已爲人所知。 此外,本發明涉及一種具有本發明元件之去干擾電路, 其中此元件是與相同之一元件一起配置在電路板上。此元 件之基體之設有各外接觸區之外表面是與電路板之導電軌 相垂直,各導電軌沿著三條平行之直線延伸。每二個外接 觸區沿著二條外部直線而配置,且4個外接觸區沿著內直 線而配置。因此形成很緊密之配置,其能以特別小之空間 需求使二條導線間之干擾可被去除。 在本發明去干擾電路之其它有利之形式中,各導電軌包 含一條接地線,其分別在三條導電軌之外邊緣上延伸且在 各元件中是與其它二條導電軌相交。此種電路之優點是: 接地線由外側延伸至另一側且因此可輕易地以很少之空間 需求而連接至已屏蔽之插頭之接地端。 本發明以下將依據實施例及其圖式來詳述。圖式簡單說 明: 第1圖 本發明之元件之縱切面。 第2圖 第1圖之切面D-D。 發明説明(7 ) 第 3圖 第1圖之切面F-F。 第 4圖 係第1圖之元件之另一實施形例之切面F-F。 第 5圖 係第1圖之元件之另一實施形例之切面F-F。 第 6圖 係第1圖所示元件之等效電路。 第 7圖 本發明另一元件之縱切面。 第 8圖 第7圖之切面E-E。 第 9圖 第7圖之另一實施形例之切面E-E。 第1 0圖第7圖之元件之等效電路。 第Π圖第7圖之切面D-D。 第12圖第7圖之另一實施形式之切面D-D。 第13圖第7圖及第11圖之元件之等效電路。 第14圖第7圖及第11圖之另一元件之等效電路。 第1 5圖第1 4圖之元件之衰減特性。 第1 6圖本發明去干擾電路之俯視圖。 第3,4,5,8,9,11及12圖之未設有參考符號之各 元件對應於第2圖之元件。 第1圖是本發明元件之縱切面,其包括:基體1,第一 種之電極層2及第二種之電極層3。電極層2及電極層3 交替地堆疊著。電極層2,3之間配置介電質層4。藉由適 當地連接至此元件之各邊緣,則可使各部份(part)電容器 形成並聯電路,於是可形成一種電容較大之電容器。 第2圖是第1圖之切面D-D。第一種之電極層2包含導 電層9,其使第一對5之外接觸區導電性地互相連接。在 基體之互相面對之側面8上配置各外接觸區7。此4個外 575886 五、發明説明(8 ) 接觸區7組合成對5,6,其中每對5,6中有一外接觸區 7配置在每一側面8上。 第3圖是第1圖之切面F-F。第2圖中所示之電極層3 包含導電層10,其使各外接觸區之第二對6互相連接。第 3圖中所示之其餘元件對應於第2圖中者。 第4圖是第1圖中另一種形式之切面F-F。第4圖所示 之電極層3具有導電層10,其具有一種大約位於中央之狹 窄區14。 第5圖是第:圖中另一種形式之切面F-F。第5圖中所 示之電極層3包含導電層10,其具有二個狹窄區14。 第6圖是第1,2, 3圖之元件之等效電路。電極層可藉 由以各外接觸區所形成之並聯電路而組合成電容Ci。第6 圖之各接點Ai至A4可如下所述對應於第2圖之外接觸區 7 : Ai對應於左上方之外接觸區7。A2對應於左下方之外 接觸區7。A3對應於右上方之外接觸區7。A4對應於右下 方之外接觸區7。 第7圖是本發明另一元件(其具有二個電容)之縱切面。 所示之各元件對應於第1圖者。與第1圖不同之處是:電 極層2, 3之導電層具有不同之形式。 可形成第一種電極層2,如第2圖中之切面D-D所示。 第2圖中所示之導電層9同樣可爲一種由電阻糊所構成之 層。 第8圖是第7圖之切面E-E。第8圖所示之第二種電極 層3包括導電層1〇及導電層1〇1,其分別與外接觸區7之 -10- 575886 五 '發明説明(9 ) 第二對5之一外接觸區7導電性地相連。藉由形成第8圖 之第二種電極層3,則可形成一種具有二個電容之元件。 導電層10及101因此屬於不同之電容。導電層10及101大 約具有相同之面積,此二個電容因此具有大約相同之大小。
第9圖是第7圖另一種實施形式之切面E-E。第9圖所 示之第二種電極層3包含二個導電層10,1〇1,其是與第 一對5外接觸區相連。導電層1 0,1 01之面積相差很大, 於是可以二種不同之電容來形成一種多層元件。 第10圖是第7圖之元件之等效電路。二個電容^及C2 互相並聯。各接點Ai至A4之配置如第6圖所示之方式來 進行。
第1 1圖是第7圖另一種形式之切面D-D。第1 1圖所示 之第一種電極層2具有導電層9,其是與第一對5之外接 觸區7相連。此外,第二種電極層2具有導電層11,其是 與第一對5之另一外接觸區7相連。各導電層9,Π經由 電阻層1 2而互相連接。藉由電阻層1 2可形成π-電路’如 第13圖所示,其中二個電容^及C2藉由電阻R而互相 連接。 第12圖是本發明之元件之另一種形式以第7圖之D-D 所示之切面。第12圖所示之第一種電極層2具有電阻層 13,其使第一對5之各外接觸區7互相連接。與第Π圖 之第一種電極層2不同之處是:第12圖中完全不需導電 層。第12圖中可以一種電阻(其使二個電容相連)來形成π 濾波器。 -11- 575886 五、發明説明(10 ) 第1 2圖是第7圖之元件之俯視圖。在基體1之上側上 配置電阻層1 3,其使第一對5之各外接觸區7互相連接。 第1 2圖所示之第1 1圖之另一種形式就像一種施加在此元 件之內部中之電阻糊一樣可用來形成第13圖之7Γ濾波器。 第14圖是本發明之元件之等效電路,其依據第7,11, 9圖而形成。此外,介電質層以可變電阻層構成。藉由此 種元件之適當形式,則可使C1 = 60PF,C2 = 25PF。此外’ 電阻R選擇成10Ω。 第1 5圖是第1 4圖所示元件之衰減特性。即,衰減特性 S對頻率f之關係。由此二個電容Ci,C2所定義之共振頻率 f 1,顯示較高之衰減。在共振頻率f 1,G之間此元件由 於形成π-電路所用之電阻R而具有很好之衰減性,此元件 因此適合用來對一種介於共振頻率(屬於Cm)及共振頻率 f2(屬於C2)之間之頻帶進行去(de)干擾。 電容q及c2分別定義了第15圖中所示之共振頻率h及
第16圖是本發明去干擾電路之俯視圖。在電路板17上 配置本發明第一元件15及第二元件16。元件15,16之外 接觸區7沿著平行延伸之直線而配置。每二個外接觸區7 沿著外部直線而配置。4個外接觸區7沿著中央直線而配 置。導電軌1 8沿著這些直線而在電路板1 7上延伸。導電 軌1 8之下部在左側以接地線1 9構成,導電軌1 8之上部 在右側以接地線1 9構成。在元件1 5,1 6中此接地線1 9 是與另二條導電軌18相交。第16圖所示之配置之優點是: -12- 575886 五、發明説明(n) 其很緊密且此接地線1 9可在一組導電軌1 8之邊緣上延伸。 本發明不限於所示之實施例,而是可以藉由申請專利範 圍第1項來定義其一般之形式。 符號之說明 1 基體 2,3 電極層 4 介電質層 5,6 一對 7 外接觸區 8 側面 9,10,101 導電層 A 1 〜A 4 接點 Ci?C2 電容 11 導電層 12,13 電阻層 15,16 元件 17 電路板 18 導電軌 19 接地線 fi?f2 共振頻率 -13 -
Claims (1)
- 575886 /s絛正/纪正,補充 六、申請專利範圍 第90131313號「多層式電子元件及具有此種元件之去干 擾電路」專利案 (9 2年1 0月修正) 六申請專利範圍: 1. 一種多層式電子元件,其特徵爲: -具有一基體(1),其包含互相堆疊之第一及第二 種電極層(2, 3),各電極層藉由介電質層(4)而互 相隔開且形成至少一電容(G,C2), -基體(1)具有二對(5, 6)外接觸區(7),其配置在 基體(1 )之相面對之側面(8 )上,因此每一對(5,6 ) 中在每一側面(8 )上分別存在一種外接觸區(7 )且 各外接觸區分別與屬於一對(5 , 6 )之外接觸區(7 ) 之直接連接區相交, -第一對(5 )外接觸區(7 )是與第一種電極層(2 )相 接觸,第二對(6 )外接觸區(7 )是與第二種電極層 (3 )相接觸, -第一種電極層(2)中含有導電層(9),其使二個外 接觸區(7 )互相連接, -第二種電極層(3)中含有導電層(10),其是與外 接觸區(7 )相連。 2. 如申請專利範圍第1項之多層式電子元件,其中 各外接觸區(7 )配置在平坦之側面(8 )上。 3. 如申請專利範圍第1或2項之多層式電子元件, 575886 六、申請專利範圍 其 中各 外接觸區(7 )配置在基體( 1 ) 之 未 平 行 於 電 極 層(3 )而延伸之這些側面(8 )(其 相 互 間 之 距 離 較 小 )上 ) 4. 如 申請 專利範圍第1項之多層 式 電 子 元 件 5 其 中 至 少一 介電質層(4 )是可變電阻 層 5 其 電 阻 是 與 電 壓 有關 〇 5. 如 申請 專利範圍第1項之多層 式 電 子 元 件 , 其 中 第 二種 電極層(3)中含有導電層 (10) 其使 二 個 外 接 觸區 (7)互相連接。 6. 如 申請 專利範圍第1 項之多 層 式 電 子 元 件 其 中 第二 種電極層(3 )中含有二個 互 相 隔 開 之 導 電 層 (1 〇), 其分別與外接觸區(7 )相 連 且 屬 於 二 個 互 相 隔 開之 電容d,C2)。 7. 如 申請 專利範圍第1或6項之 多 層 式 電 子 元 件 > 其 中第 一種電極層(2)中含有二 個 互 相 隔 開 之 導 電 層 (10) ,其分別與外接觸區(7 )相 連 且 互 相 藉 由 電 阻 層(1 2)而相連。 8. 如 申請 專利範圍第1或6項之 多 層 式 電 子 元 件 其 中第 一種電極層(2)中含有電 阻 層 5 其使 二 個 外 接 觸區 (7 )互相連接。 9. 如 申請 專利範圍第1項之多層 式 電 子 元 件 , 其 中 在 基體 (1)之表面上配置電阻層 (13) 5 其使 第 一 對 (5 )外接觸區(7 )互相連接。 -2- 575886 t、申請專利範圍 10·如申請專利範圍第1,5或6項之多層式電子元件 ,其中導電層(9, 10)及/或電阻層(12)設有一狹窄 區(1 4 )。 11.如申請專利範圍第 7項之多層式電子元件,其中 電阻層(12)由含有釕(Ru)之糊所製成。 12如申請專利範圍第1項之多層式電子元件,其中 此元件藉由堆疊之陶瓷原箔之燒結而製成。 η如申請專利範圍第1項之多層式電子元件,其中 第一種相同之電極層(2 )交替地與第二種相同之電 極層(3 )相重疊。 14. 如申請專利範圍第1或2項之多層式電子元件, 其中各外接觸區(7 )藉由一種以導電材料塗佈之麥 仙翁(一種植物)在側面(8 )上滾動而製成。 15. 如申請專利範圍第7項之多層式電子元件,其中 各導電層(1 0 , 1 0 1 )之面積之間之差異小於1 〇%。 16. 如申請專利範圍第7項之多層式電子元件,其中 各導電層(10,101 )之面積之間之差異大於20%。 17. 如申請專利範圍第1項之多層式電子元件,其中 基體(1 )之基面小於2 · 5mm2。 18. 一*種去干擾電路’其具有如申請專利軔圍弟1 2項之元件,其特徵爲: -此元件(1 5 )是與另一相同之元件(1 6 )共同配置 在電路板(1 7 )上, 575886 六、申請專利範圍 -此基體(1)之設有外接觸區(7)之外表面(8)垂直 於導電軌(1 8 ),各導電軌沿著三條平行之直線 而延伸, -二個外接觸區(7 )沿著二條外部直線而配置且四 個外接觸區(7 )沿著內部直線而配置。 19.如申請專利範圍第1 8項之去干擾電路,其中導電軌 (1 8 )包含一條接地線(1 9 ),其在三條導電軌(1 8 )之 外部邊緣上延伸且在元件(1 6,1 7 )中與另二條導電軌 (1 8 )相交。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10064447A DE10064447C2 (de) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | Elektrisches Vielschichtbauelement und Entstörschaltung mit dem Bauelement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW575886B true TW575886B (en) | 2004-02-11 |
Family
ID=7668573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090131313A TW575886B (en) | 2000-12-22 | 2001-12-18 | Electrical several-layer element and interference-suppression circuit with said element |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6850404B2 (zh) |
EP (1) | EP1350257B1 (zh) |
JP (1) | JP2004516676A (zh) |
CN (1) | CN1481564A (zh) |
AT (1) | ATE300091T1 (zh) |
DE (2) | DE10064447C2 (zh) |
TW (1) | TW575886B (zh) |
WO (1) | WO2002052614A1 (zh) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10144364A1 (de) | 2001-09-10 | 2003-04-03 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
DE10235011A1 (de) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
AU2003264022A1 (en) * | 2002-08-07 | 2004-02-25 | Dearborn Electronics, Inc. | Improved electromagnetic interference filter |
DE10241674A1 (de) * | 2002-09-09 | 2004-03-25 | Epcos Ag | Mehrfachresonanzfilter |
US6992387B2 (en) * | 2003-06-23 | 2006-01-31 | Intel Corporation | Capacitor-related systems for addressing package/motherboard resonance |
TWI270195B (en) * | 2003-07-30 | 2007-01-01 | Innochips Technology | Complex laminated chip element |
DE10356498A1 (de) * | 2003-12-03 | 2005-07-07 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement und Schaltungsanordnung |
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DE102004004096A1 (de) * | 2004-01-27 | 2005-08-18 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
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US7092236B2 (en) * | 2005-01-20 | 2006-08-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer chip capacitor |
DE102006013227A1 (de) * | 2005-11-11 | 2007-05-16 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
KR100843434B1 (ko) * | 2006-09-22 | 2008-07-03 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
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US8441774B2 (en) * | 2007-03-08 | 2013-05-14 | Nec Corporation | Capacitance element, printed circuit board, semiconductor package, and semiconductor circuit |
JP4358873B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2009-11-04 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサアレイ |
US20080304202A1 (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer capacitor and integrated circuit module |
JP4501970B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2010-07-14 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
JP4618348B2 (ja) * | 2008-08-11 | 2011-01-26 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
DE102009007316A1 (de) * | 2009-02-03 | 2010-08-05 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
CN104851590A (zh) * | 2015-05-19 | 2015-08-19 | 北京元六鸿远电子技术有限公司 | 具有多种电容量的电容器 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US35810A (en) * | 1862-07-08 | Improved clothes-wringer | ||
JP2643193B2 (ja) | 1987-10-20 | 1997-08-20 | 株式会社村田製作所 | 3端子型複合機能素子 |
JPH0438810A (ja) | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Hitachi Ltd | 4端子型コンデンサ |
US5430605A (en) | 1992-08-04 | 1995-07-04 | Murata Erie North America, Inc. | Composite multilayer capacitive device and method for fabricating the same |
JP2822825B2 (ja) * | 1992-12-26 | 1998-11-11 | 株式会社村田製作所 | 複合電子部品 |
US5815367A (en) * | 1996-03-11 | 1998-09-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Layered capacitors having an internal inductor element |
DE19634498C2 (de) | 1996-08-26 | 1999-01-28 | Siemens Matsushita Components | Elektro-keramisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19639947A1 (de) * | 1996-09-27 | 1998-04-16 | Siemens Matsushita Components | Passives Netzwerk in Chip-Bauform |
JP3631341B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2005-03-23 | Tdk株式会社 | 積層型複合機能素子およびその製造方法 |
JP3481069B2 (ja) * | 1997-02-26 | 2003-12-22 | 日本特殊陶業株式会社 | トリミングコンデンサ付積層回路 |
US5880925A (en) * | 1997-06-27 | 1999-03-09 | Avx Corporation | Surface mount multilayer capacitor |
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US6185091B1 (en) | 1998-02-09 | 2001-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Four-terminal capacitor |
JP3515698B2 (ja) | 1998-02-09 | 2004-04-05 | 松下電器産業株式会社 | 4端子コンデンサ |
JPH11251178A (ja) * | 1998-03-04 | 1999-09-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 4端子型積層コンデンサ |
DE19931056B4 (de) | 1999-07-06 | 2005-05-19 | Epcos Ag | Vielschichtvaristor niedriger Kapazität |
US6535105B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-03-18 | Avx Corporation | Electronic device and process of making electronic device |
-
2000
- 2000-12-22 DE DE10064447A patent/DE10064447C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-12-06 AT AT01995584T patent/ATE300091T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-12-06 WO PCT/DE2001/004591 patent/WO2002052614A1/de active IP Right Grant
- 2001-12-06 DE DE50106829T patent/DE50106829D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-06 CN CNA018209890A patent/CN1481564A/zh active Pending
- 2001-12-06 EP EP01995584A patent/EP1350257B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-06 US US10/451,051 patent/US6850404B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-06 JP JP2002553221A patent/JP2004516676A/ja not_active Withdrawn
- 2001-12-18 TW TW090131313A patent/TW575886B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002052614A1 (de) | 2002-07-04 |
CN1481564A (zh) | 2004-03-10 |
JP2004516676A (ja) | 2004-06-03 |
DE10064447A1 (de) | 2002-07-11 |
EP1350257B1 (de) | 2005-07-20 |
EP1350257A1 (de) | 2003-10-08 |
DE50106829D1 (de) | 2005-08-25 |
US6850404B2 (en) | 2005-02-01 |
ATE300091T1 (de) | 2005-08-15 |
DE10064447C2 (de) | 2003-01-02 |
US20040114305A1 (en) | 2004-06-17 |
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