TW573219B - Positive photoresist composition for liquid crystal device - Google Patents
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573219 柒、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種可、 路上製造精細電路圖案/液晶顯示電路及半導體積體電 係Μ ^换&入 ^ LCD電路光阻組合物,詳言之, 係關於一種包含一種可 ^ ·Η /U 7Ά 七 阻層之聚合物樹脂,一感 九性化合物及一有機溶劑 電路光阻組合物。 【先前技術】
為了能在液晶顯示電敗 番物 g路及+導體積體電路上製造精細 電路圖案,須於基材之一絕 _ 、&緣層或一導電金屬層上均勻地 鐵上一層LCD電路夹阻鈿人此 、,且3物。之後將所鍍上的LCD電 光阻組合物以某種型式的光罩進行曝光,並將曝光後的 基材顯影產生欲求的圖案。—圖案化光阻鍍層係被當作一 面罩來移除絕緣層或導電金屬層,並移除剩餘的光阻鍍層 來完成基材表面上的精細圖案。
視曝光區域或光阻鍍層之可溶或不可溶性而定,可將 一 LCD電路光阻組合物分成負型或正型。 LCD電路光阻組合物在商業用途上的重要特性是感 光性、對比、解析度、與基材間的黏附性、殘留率、CD 一致性、及安全性。 感光性係指一 LCD電路光阻組合物對光的反應有多 快。特別是對需藉助一重複製程執行好幾次曝光來產生多 種圖案的應用而言,更需要向感光性。另一個例子是當所 使用的光量較低時,例如使用通過一系列透鏡及單色光滤 3 573219 器的投影曝光技術。 對一因顯示體積較大而需要較長曝光時間的薄膜電晶 體-LCD(TFT-LD)而言’感光性的改良是極端重要的。感 光性係反比於殘留率,且殘留率傾向於與高感光度一起下 降。 對比係指在顯影區域喪失的薄膜百分比與未顯影區域 喪失的薄膜百分比之間的比值。一般來說,對一基材上已 曝光的光阻鍍層顯影是一連續的過程,直到曝光區域上的 光阻鍍層被完全溶解為止。因此,當曝光區域被完全移除 後’可藉由簡單的測量未曝光區域所喪失的光阻鍍層百分 比來決定 解析 可多精細 在許 製造上, 解析度的 與各 非常重要 一導電金 而提高了 一般 一光阻層 有各種想 解析度、 度係扣光阻組合物在所顯影曝光空間曝光時, 地重現所使用光罩的影像。 多產業應=上,特別是Lcd及半導體積體電路之 需要一可提供精細線及空間寬度在1〇μπι以下之高 LCD電路光阻組合物。 式基材間的黏附性也是一 LCD電路光阻組合物 的物理性質1附性可藉由在以-濕蝕刻法移除 屬層或一絕緣層的期間因精細電路上現存的圖案 其專一性。 ^ 來說 LCD電路光阻組合物包含一種可產生 之聚口物樹脂,一感光性化合物及溶劑。之前已 改良一 LCD電路光阻組合物之感光性、對比、 及安全性的嚐試。 4 573219 舉例來說,美國專利第3,666,473號揭示了一種由兩 種苯酚甲醛清漆樹脂與一典型感光化物所組成之混合物所 構成的化合物;美國專利第4,11 5,128號揭示了一種加成 至一苯紛樹脂之環狀有機酸肝與一可增加感光性之光敏二 疊氮蓁醌化合物;美國專利第4,5 50,069號揭示了 一種清 漆樹脂,一種可增加感光性之光敏鄰-二疊氮醌化合物, 及一種供較高感光性及安全的丙二醇烷基醚醋酸酯溶劑; 及曰本專利第1 89,739號揭示了一種可提高解析度及耐熱 性的分餾清漆樹脂。上述這些組合物均是習知技藝人士所 熟知的。 已有多種溶劑被研發來改善一 LCD電路光阻組合物 的物理性質及工作安全性。舉例來說,乙二醇單乙醚醋酸 酯溶劑、丙二醇單乙醚醋酸酯或乳酸乙酯均可作為溶劑使 用。但是,仍需一種適合各種產業應用的LCD電路光阻 組合物,其係可不犧牲下列任一特性,包括感光性、殘留 率、對比、解析度、聚合物樹脂溶解度、與基材之黏附性 或C D —致性。 【内容】 本發明主要目的是提供一種LCD電路光阻組合物,相 較於前技之問題,其係具有較高的感光性、殘留率、對比、 解析度、CD —致性、與基材之黏附性。 本發明的另一目的是提供一使用上述感光性組合物進 行製造的半導體裝置。 5 573219 為達到上述這些目的,本發明提供一種包括聚合物樹 脂、一感光性化合物、一光敏劑(a photosensitizer)及有機 溶劑以形成一光阻層之LCD電路光阻組合物,其至少包 含: (A) 混合的聚合物樹脂,其係包含一分子量介於 3,000至9,000間的清漆樹脂及一分子量介於 3,5 00至10,〇〇〇間的分餾清漆樹脂;
(B) 一感光性二疊氮類化合物; (C) 一光敏劑;及 (D) 有機溶劑。 再者’本發明ic供使用上述光阻組合物覆錢於一導電 金屬層或一絕緣層上以形成一光阻圖案並經曝光、顯影、 餘刻及剝除步驟所製造出來的半導體裝置。 【實施方式】
太本發明提供一 LCD電路光阻組合物,其係使用一 *祕月曰及一分餾的清漆樹脂之混合的聚合物档 改善光阻層之物a M胳 9 物理性質,例如感光性、殘留率、黏附伯 本發明光阻組合物中,(a)聚合物樹脂包括一、、主 脂,且更佳县—丄& /月 疋一甶冰漆樹脂及一分餾的清漆樹脂組人 、’吧合的聚合物樹脂。 月’J述「公_ 77爾」一詞代表聚合物樹脂的分子量係藉 573219 機溶劑調整其中高分子量、中分子量或低分子量樹脂之比 例來進行控制。 可用於本發明光阻組合物之有用的聚合物樹脂為相關 技藝人士所熟知的。但是,本發明還使用了 一清漆樹脂。 上述清漆樹脂乃係由諸如苯盼、間-甲驗和/或對-甲酴之類 的醇類與甲醛反應後所生成的聚合物。 本發明特徵為一分餾的清漆樹脂,其係藉由洽當地移 除與清漆樹脂一同使用之高、中及低分子量樹脂而生成的, 藉以改善一 LCD電路光阻組合物的功能。 該清漆樹脂的物理特性,例如感光性、殘留率等,會 因間-甲酚和/或對-甲酚之比例不同而有所改變。間-曱酚的 量較佳係介於40份重量至60份重量之間;對-甲酚的量較 佳也係介於40份重量至60份重量之間。當間-曱酚的量超 過上述範圍時,會帶來可降低殘留率的高感光性,至於對一 曱酚的量超過上述範圍時,會帶來低感光性。一 LCD電路 光阻組合物會因硬化烘烤製程後殘留在圖案上的熱而具有 一熱流。因此,在硬化烘烤製程後,基材上的線寬及梯度, 可藉由控制間-甲酚和/或對-曱酚之比例或是藉由控制聚合 物樹脂之分子量,接續以電漿蒸氣處理之方式來調控。 用於本發明光阻組合物之清漆樹脂的分子量介於 3,000至9,0〇〇間;且該分餾的清漆樹脂的分子量介於3,500 至1 0,0 0 0間。清漆樹脂與分餾的清漆樹脂之混合物比例較 佳係介於1 0份比90份(重量):90份比1 0份(重量)間。 用於本發明之聚合物樹脂的含量係5%至30%(重量百 7 573219 分比)。如果低於5%,黏度會太低以致無法達到欲求厚产之 塗層;如果超過3 0 %,黏度將太高以致無法獲得均句的塗 層。 、
上述(c)感光性化合物為二疊氮類化合物,例如將三經 基二笨甲酮及2-二疊氮-1-蓁醇-5-磺酸加以酯化而得之 2,3,4-三羥基二苯曱酮-1,2-二疊氮蕃醌-5-磺酸酯;及將四經 基二笨曱酮及2 -二疊氮-1-蕃醇-5-磺酸加以酯化而得之 2’3,4,4’_四經基二苯甲酮-1,2 -二疊氮蒸醒-5_續酸酯。這此 化合物均可單獨使用或合併使用。 前述二疊氮型感光化合物係藉由將諸如多經基二笨甲 _與1,2-二疊氮蕃醌、及2-二疊氮-1-蓁-5-磺酸反應而得。 兩種使用感光性化合物來控制感光性的方法分別為; 改變感光性化合物含量;及控制2,3,4-三羥基二苯甲觸或 2,3,4,4’ -四經基一本甲酮與2 -二疊氮-1-蒸-5-橫酸間的醋化 速率。
更佳是,前述感光性化合物包括2,3,4,4’-四羥基二苯 甲酮-1,2-二疊氮蓁醌-5-磺酸酯與2,3,4-三羥基二苯曱 1,2 -二疊氮蓁酿· - 5 -續酸S旨之混合物。這兩種化合物的比例 應介於30份比70份(重量):70份比30份(重量)間。 前述感光性化合物的含量係2%至1 0%(重量百分比)。 如果低於2%,高感光性將導致殘留率下降;如果超過1 0%, 將只顯現出極低的感光性。 此外,也可使用(d)光敏劑來增加本發明光阻組合物的 感光性。前述光敏劑較佳是一具有2至7個苯酚塑羥基基 8 573219 團的多羥基化合物,且分子量低於l,00〇。 有用的光敏劑例示如下。較佳是至少有一化合物係選 自下列式1至5之化合物中。 [式1]
[式2]
9 573219 [式4] [式5]
其中R可分別或同時為氫、-(CH3)n、-(CH3CH2)n、-(0H)n、或是一苯基(η是一介於〇至5間的整數)。 上述光敏劑之較佳範例為 2,3,4-三羥基二苯曱酮、 2,3,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,3,4,3,,4,,5,-六羥基二苯甲酮、 丙酮-苯三酚之縮聚物、4,4-[1-[4-[1-(1,4-羥基苯基)-1-曱基 乙基]苯基]乙叉]二苯酚(TPPA)、4,4-[2-羥基苯基]亞曱基]二 [2,6-二曱基苯酚](BI26X-SA)及其他。 上述多羥基化合物較佳為4,4-[1-[4-[1-(1,4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基]乙叉]二苯酚(TPPA)或2,3,4-三羥基二苯甲 酮0 上述光敏劑之含量較佳係介於0.1 %至10%(重量百分比) 間。 本發明光阻組合物包含(d)有機溶劑。有機溶劑的例子 為丙二醇曱醚醋酸酯(以下簡稱「PGMEA」)本身或PGMEA 與下列化合物之混合物,包括乳酸乙酯(EL)、乙酸2-甲氧 乙醋(MMP)、丙二醇單甲醚(PGME)等。但是,最佳是 PGMEA。 也可在本發明LCD電路光阻組合物中添加諸如著色 劑、染料、抗-條紋劑、塑形劑、促黏劑、加速劑、及表 10 573219 面活 助改 裴置 路製 如浸 程中 包括 二氧 瓷, 加熱 體組 係藉 烤步 一薄 物之 之後 的光 金屬 加熱 性劑等之類的添加物。在基材上塗覆此類添加物可幫 善每一特徵製程的表現。 本發明L C D電路光阻組合物也可用來製備一半導體 ’且這類半導體裝置應用的最佳例子是在一 LCD電 程中。 本發明光阻組合物可以傳統方法施加於一基材上,例 泡、噴霧、攪動或旋塗。當使用旋塗時,可視旋塗製 的固體含量百分比多募來調整光阻溶液。適當的基材 石夕、紹、銦鈦氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(ιζο)、鉬、 化石夕、摻雜之二氧化矽、氮化矽、鈦、銅、聚矽、陶 及紹/鋼混合物或聚合物樹脂。 覆鍍了本發明光阻組合物之基材係於8 〇 I至1 3 0 °C下 進行軟烘烤。此步驟容許在不造成光阻組合物中的固 成被熱解的情況下,將溶劑揮發掉。一般來說,較佳 由軟烘烤步驟將溶劑濃度降低至一極小值,因此軟烘 驟係執行至大多數的溶劑均被揮發且基材上仍留存有 層的LCD電路光阻(厚度低於2μιη)為止。 接著,使用一適當的光罩,將覆鍍了本發明光阻組合 基材選擇性地曝光,特別是UV光,以獲取一欲求圖案。 將該已曝光的基材浸泡於一鹼性水溶液中,直到曝光 阻層被完全或幾乎完全移除。適當的顯影溶液包括鹼 氫氧化物、氫氧化銨、或四甲基氫氧化銨(Τ ΜΑΗ)。 之後’將該已移除曝光光阻層之基材自顯影液中取出, 以改良或增加光阻層與基材間的黏附性及化學抗性。 573219 此步驟被稱為硬烘烤步驟。此硬烘烤步驟係於低於光阻層 軟化點之溫度下進行,較佳係介於9 〇 至1 4 0 °C間。 以一#刻劑或電漿蒸氣來處理已顯影基材,以將曝光 區域蝕刻’至於剩餘的光阻則可保護其所覆蓋的基材區域。 以剝除劑將光阻層自已蝕刻基材上移除,以完成基材表面 上的圖案。 下列實施例可進一步說明本發明,但是本發明範疇並 不僅限於此。 [實施例] [合成實施例1] 分餾前及分餾後之榭脂 (間/對-清漆樹脂之合成) 將45克間_曱酚、55克的對-曱酚、65克的甲醛及〇.5 克的草酸加到一攪拌容器中,攪拌後,可得到一合成的均 質混合物。將反應之組合物在9 5 〇c下加熱4小時。以一蒸 館器來置換容器中的濃縮器,之後將反應之組合物在n 下揮發2小時。藉由18〇°c下真空揮發2小時,可將殘留單 體移除。將熔融的清漆樹脂在室溫下冷卻。以GPC測量平 均數量分子量’顯示一分子量約3,500的清漆樹脂已被合成 出來。 (清漆樹脂之分餾) 將100/30/100克之上述合成的清漆樹脂/PGMEA/甲苯 12 573219 加在一起並授拌,以合成一均質混合物,之後將其加熱至8 〇 °C。在攪拌時,緩緩滴入300克的甲苯至化合物中,並將 其冷卻至3 01:。收集沉澱下來的清漆樹脂,並將丨2 〇克的 PGMEA加到剩餘的化合物中,同時將溫度升高至80°c。以 分解蒸餾法將殘餘的甲苯揮發。以GPC測量數平均分子量, 顯示已獲得一分子量為4,000之清漆樹脂。 [實施例1 ] 將上述的清漆樹脂及分餾過的清漆樹脂以3〇 : 7〇的比 例作為聚合物樹脂來使用。 混合下列材料來製備一 LCD光阻組合物:4克的敏感 劑及20克的樹脂(6克的清漆樹脂及丨4克的分餾過的清漆 樹脂),以2克的2,3,4-三羥基二苯甲酮作為光敏劑,74克 的PGMEA(丙二醇甲基醚醋酸酯)作為有機溶劑。之後在4〇 rpm轉速下,於室溫下攪拌。上述敏感劑係為2,3,4〆、四羥 基一本曱調-1,2 - 一疊氮蓁酿1-5-橫酸g旨與2,3,4 -三經基二苯 甲嗣-1,2-二疊氮蓁醌-5-磺酸酯之5/5混合物。 將上述製備的LCD電路光阻組合物滴到〇·7Τ(厚度: 毫米)的玻璃基板上,該基板係以一定速轉動。將所得基板 在下加熱乾燥90秒,以獲得一厚約ΐ 5〇μιη的光阻層。 以一光罩將所得基板於uv光下曝光’並浸潰於2 38%之四 甲基氫氧化銨溶液+ 60 以移除未曝光區域並獲得光阻 圖案。在ΙΤΟ &璃上形成這些圖案後,以蝕刻劑來處理這 些玻璃,並測量未暴露於颠刻劑下之ιτο的長产。 13 )/3219 [實施例2] ^除了使用一 5/5混合物外(2〇克的樹脂<0克的清漆樹 1 〇克的分餾樹脂),基本上依實施例1所述之方法來 製備一 LCD電路光阻組合物。 [實施例3 ] 除了使用一 70 : 30混合物外(20克的樹脂=14克的清 、ί知+ 6克的分餾樹脂),基本上依實施例丨所述之方法 來製備-LCD電路光阻組合物。 [比較實施例1 ] 除了使用清漆樹脂外,基本上依實施例1所述之方法 來製備一 LCD電路光阻組合物。 [比較實施例2] 除了使用分鶴的清漆樹脂外,基本上依實施例1所述 之方法來製備- LCD電路光阻組合物。 [實驗實施例]
關於實施例1至3及t^ T
久比較實施例1及2所製備的LCD 電路光阻組合物之物理性暂 1王質,以下列方法測量,結果評述 於表1。 A•感光性及殘留率 14 573219 原始層厚度=所喪失的厚度+剩餘的厚度 殘留率==(剩餘的厚度/原始層厚度) 依據曝光能量計算在同樣顯影條件下所需融解一層之 忐I來推算感光性。軟烘烤過程係於115°C下進行,之後測 量曝光及顯影步驟後的殘留帛。關於顯影前後厚度的差異 結果不於表1。 B ·耐熱性
Tg(玻璃轉換溫度)係一種以Dsc進行量測之表現耐熱 性的方法。 C.黏附性 在顯影步驟中,於獲得欲求圖案(精細線條及寬度)後, 即以蝕刻劑處理該以LCD電路光阻組合物覆鍍於IT〇玻璃 上的光阻層,以移除曝光之ΙΤ〇層。藉由測量未暴露於蝕 刻劑下之ΙΤΟ的蝕刻長度來測試黏附性。 15 氫漆樹脂 感光性 Eth(mJ/cm2) 殘留率 (%) 耐熱性 (°〇 黏附性 (um) A1 B1 〜例1 30 70 6.5 92 115 0.72 〜例2 50 50 6.5 90 110 0.63 例 3 70 30 6.5 88 106 0.54 實施例1 100 - 6.5 63 102 0.67 比較實施例2 - 100 6.5 72 120 2.36 -... ----------------------- 註: 1 ·清漆A樹脂:間-甲酴/對_甲酴=4/6混合物 2.清漆B樹脂:間-甲紛/對_甲酴=4/6混合物,分餾 如表1所示,相較於使用傳統光阻組合物所產生的光 阻層感光性能量而言,實施例丨至3之光阻組合物所產生 的光阻層感光性能量具有較高的殘留率。
再者,相較於由傳統光阻組合物所產生的光阻層而言, 由本發明LCD電路光阻組合物所產生的光阻層具有較高的 殘留率。因此’本發明光阻層具有極佳的物理性質。 此外士口 4 1所示’由實施例i至3之光阻組合物所 產生的光阻層可改善黏附性並改變於顯影步驟中獲得欲求 圖案後其在硬烘烤步驟中的圖案範型。 如前述’本發明之LCD 光性、殘留率、解析度、對 解性’因此這些光阻組合物 電路光阻組合物具有極佳的感 比、耐熱性、黏附性及剝除溶 可輕易地應用於產業工薇,以 16 573219 改善工作環境。
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Claims (1)
- 573219 r—捌、申請專利範圍 1 · 一種LCD電路光阻組合物,其至少包含: (A) 混合的聚合物樹脂,其係包含一分子量介於3,000 至9,000間的清漆樹脂及一分子量介於3,500至 1 0,000間的分餾清漆樹脂; (B) 一感光性二疊氮類化合物; (C) 一光敏劑;及 (D) 有機溶劑。 2. 如申請專利範圍第1項所述之LCD電路光阻組合物,其 中該光阻組合物包含: (A) 5-3 0%(重量百分比)之一混合的聚合物樹脂,其 係包含一分子量介於3,000至9,000間的清漆樹 脂及一分子量介於3,500至10,000間的分餾清漆 樹脂; (B) 2-10%(重量百分比)之一光敏二疊氮類化合物; (C) 0.1-10%(重量百分比)之一光敏劑;及 (D) 60-90%(重量百分比)之有機溶劑。 3. 如申請專利範圍第1項所述之LCD電路光阻組合物,其 中由該清漆樹脂與該分顧清漆樹脂組成之混合物的比例 係介於1 0份對90份(重量):90份對1 0份(重量)間。 18 573219 4.如申請專利範圍第1項所述之LCD電路光阻組合物,其 中之光敏二疊氮類化合物是一由2,3,4,4’-四羥基二苯曱 酮-1,2-二疊氮蕃醌-5-磺酸酯與2,3,4-三羥基二苯曱酮-1,2-二疊氮蓁醌-5-磺酸酯所組成之混合物。5 ·如申請專利範圍第4項所述之LCD電路光阻組合物,其 中該由2,3,4,4’·四羥基二苯甲酮-1,2-二疊氮蕃醌-5-磺酸 酯與2,3,4-三羥基二苯甲酮-1,2-二疊氮蓁醌-5-磺酸酯所 組成之混合物的比例係介於30份對70份(重量):70份 對30份(重量)間。 6.如申請專利範圍第1項所述之LCD電路光阻組合物,其 中之光敏劑至少為選自下列式1、2、3、4、及5所組成 之化合物群組中之一種: [式1]19 573219 [式3]其中R可分別或同時為氫、-(CH3)n、-(CH3CH2)n、-(0Η)„、 或是一苯基(η是一介於0至5間的整數)。 7.如申請專利範圍第6項所述之LCD電路光阻組合物,其 中之多羥基化合物是4,4-[1-[4-[1-(1,4-羥基苯基)-1-曱基 乙基]苯基]乙叉]二苯酚(TPPA)。 8.如申請專利範圍第6項所述之LCD電路光阻組合物,其 中之多羥基化合物是2,3,4-三羥基二苯曱酮。 20 573219 9.如申請專利範圍第1項所述之LCD電路光阻組合物,其 中之有機溶劑為至少一種選自下列之溶劑,包括丙二醇 甲醚醋酸酯(以下簡稱「PGMEA」)與由 PGMEA與乳酸 乙酯(EL)、乙酸2 -甲氧乙酯(MMP)、丙二醇單甲醚(PGME) 所組成之混合物。10. —種以申請專利範圍第1項所述之LCD電路光阻組合物 製備而成的半導體裝置,其中之組合物係覆鍍於一導電 金屬層或一絕緣層上,以於曝光及顯影步驟並以蝕刻及 剝除步驟進行移除後形成一光阻圖案。21
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010067576A KR100846085B1 (ko) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 액정표시장치 회로용 포토레지스트 조성물 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW573219B true TW573219B (en) | 2004-01-21 |
Family
ID=19715567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW91124823A TW573219B (en) | 2001-10-31 | 2002-10-24 | Positive photoresist composition for liquid crystal device |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050064321A1 (zh) |
JP (1) | JP2005507509A (zh) |
KR (1) | KR100846085B1 (zh) |
CN (1) | CN1280673C (zh) |
TW (1) | TW573219B (zh) |
WO (1) | WO2003038525A1 (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101280019B1 (ko) * | 2005-12-01 | 2013-06-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 |
KR101324646B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2013-11-01 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 |
KR101324645B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2013-11-01 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 |
KR20070108713A (ko) * | 2006-05-08 | 2007-11-13 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 |
KR101392291B1 (ko) | 2007-04-13 | 2014-05-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막트랜지스터기판의 제조방법 |
KR101473877B1 (ko) * | 2007-12-13 | 2014-12-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 잉크 조성물 |
KR101537408B1 (ko) * | 2008-04-08 | 2015-07-17 | 주식회사 동진쎄미켐 | 잉크 조성물 |
TWI567142B (zh) * | 2007-12-13 | 2017-01-21 | 樂金顯示科技股份有限公司 | 墨水組成及使用此墨水組成形成圖案之方法 |
US9169409B2 (en) | 2008-11-07 | 2015-10-27 | Lg Display Co., Ltd. | Ink composition for imprint lithography and roll printing |
KR101375849B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2014-03-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 잉크 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법 |
KR20120107653A (ko) | 2011-03-22 | 2012-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 |
CN104656375A (zh) * | 2015-01-08 | 2015-05-27 | 苏州瑞红电子化学品有限公司 | 一种以三聚氰胺和腰果酚改性的酚醛树脂为基体的高感光性光刻胶组合物 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4524121A (en) * | 1983-11-21 | 1985-06-18 | Rohm And Haas Company | Positive photoresists containing preformed polyglutarimide polymer |
JPS6358440A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
US5266440A (en) * | 1986-12-23 | 1993-11-30 | Shipley Company Inc. | Photoresist composition with aromatic novolak binder having a weight-average molecular weight in excess of 1500 Daltons |
AT393576B (de) * | 1989-09-28 | 1991-11-11 | Philips Nv | Schaltungsanordnung zur elektronischen pegelsteuerung eines tonsignals |
DE69130003T2 (de) * | 1990-05-25 | 1999-02-11 | Mitsubishi Chem Corp | Negative lichtempfindliche Zusammensetzung und Verfahren zur Bildung eines Photolackmusters |
US5302490A (en) * | 1991-10-21 | 1994-04-12 | Shipley Company Inc. | Radiation sensitive compositions comprising blends of an aliphatic novolak resin and an aromatic novolak resin |
US5371169A (en) * | 1992-09-28 | 1994-12-06 | Hoechst Celanese Corporation | Novolak resin mixtures |
JP3434340B2 (ja) * | 1994-03-29 | 2003-08-04 | 東京応化工業株式会社 | 高感度ポジ型ホトレジスト組成物 |
US5612164A (en) * | 1995-02-09 | 1997-03-18 | Hoechst Celanese Corporation | Positive photoresist composition comprising a mixed ester of trishydroxyphenyl ethane and a mixed ester of trihydroxybenzophenone |
JP3324898B2 (ja) * | 1995-02-24 | 2002-09-17 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジストパターンの製造方法 |
JP3427562B2 (ja) * | 1995-05-09 | 2003-07-22 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JPH0990622A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
EP0769485B1 (en) * | 1995-10-18 | 2002-03-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Positive resist composition and photosensitizers |
TW439016B (en) * | 1996-09-20 | 2001-06-07 | Sumitomo Chemical Co | Positive resist composition |
US6121412A (en) * | 1998-11-12 | 2000-09-19 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Preparation of fractionated novolak resins by a novel extraction technique |
JP3931486B2 (ja) * | 1999-06-24 | 2007-06-13 | 住友化学株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
KR100709520B1 (ko) * | 2000-02-29 | 2007-04-20 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 페놀 노볼락 수지, 그것의 합성 방법, 및 이것을 사용한포지티브형 포토레지스트 조성물 |
JP2001337456A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-12-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
US6436601B1 (en) * | 2001-06-25 | 2002-08-20 | Citiplate, Inc. | Thermally sensitive coating compositions containing mixed diazo novolaks useful for lithographic elements |
-
2001
- 2001-10-31 KR KR1020010067576A patent/KR100846085B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-10-21 WO PCT/KR2002/001967 patent/WO2003038525A1/en active Application Filing
- 2002-10-21 CN CNB028199014A patent/CN1280673C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-21 US US10/494,486 patent/US20050064321A1/en not_active Abandoned
- 2002-10-21 JP JP2003540731A patent/JP2005507509A/ja active Pending
- 2002-10-24 TW TW91124823A patent/TW573219B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050064321A1 (en) | 2005-03-24 |
CN1564966A (zh) | 2005-01-12 |
CN1280673C (zh) | 2006-10-18 |
KR100846085B1 (ko) | 2008-07-14 |
JP2005507509A (ja) | 2005-03-17 |
WO2003038525A1 (en) | 2003-05-08 |
KR20030035478A (ko) | 2003-05-09 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |