TW571445B - Schottky rectifier and method for forming same - Google Patents
Schottky rectifier and method for forming same Download PDFInfo
- Publication number
- TW571445B TW571445B TW091110667A TW91110667A TW571445B TW 571445 B TW571445 B TW 571445B TW 091110667 A TW091110667 A TW 091110667A TW 91110667 A TW91110667 A TW 91110667A TW 571445 B TW571445 B TW 571445B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- region
- item
- patent application
- scope
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66143—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0814—Diodes only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
- H01L29/8725—Schottky diodes of the trench MOS barrier type [TMBS]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
571445 A7 ____B7_ 五、發明説明（彳） 發明部份 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明一般係有關整流器，且更明確言之，係有關蕭 特基障壁整流裝置，及此裝置之製造方法。 發明背景 電力裝置普通包含一作用區及一終止區，此在作用區 之周邊處，以防止過早電壓崩潰。普通終止結構包含矽之 局部氧化（L〇C〇S )，場板，導環，或其組合。由於 在L ◦ C 0 S鄰近可能發生大電場，故大漏電電流可流過 終止區中之漏電徑路。減小此漏電電流之普通方法顯示於 圖1。 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 圖1顯示一基體1 2，其上構製一溝渠蕭特基整流器 。該裝置包含一作用區5及一終止區1 0。半導體基體 1 2具有第一導電性型，普通N型導電性，其上構製一晶 膜層2 0。晶膜層2 0亦爲第一導電性型，且較之基體 1 2爲輕度之摻雜。一列溝渠3 0構製於裝置之作用區5 中。溝渠與閘氧化物層2 5對齊，並塡以摻雜之多晶矽。 塡有多晶矽之溝渠3 0在結構之表面上連續連接。一 L〇C〇S區4 0構製於終止區1 0中，以隔離作用區5 及終止區1 0。LOCOS區40延伸至界定作用區5及 終止區1 0之界線。 一 P +摻雜區5 0由離子植入及擴散法構製於 L〇C〇S區40下面。摻雜區50提高反向偏壓，俾維 持終止區1 0中之夾斷，如此消除可傳導漏電電流通過之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 571445 A7 _B7 五、發明説明（2) 〜徑路。一金屬陽極層5 5構製於作用區5中塡有多晶砂 之溝渠3 〇及晶膜層2 0之露出表面上，及終止區中之 L〇c〇S區40上。 不幸，圖1所示之裝置相當複雜且製造費用高，因爲 涉及三製版掩罩步驟。明確言之，需要另一掩罩步驟，以 製造溝渠，P +摻雜區，及接觸點。 故此，需要提供溝渠蕭特基二極體之一結構，在此， 避免由漏電電流引起過早電壓崩潰，且此可由少於三製版 掩罩步驟製造。 附圖簡述 圖1爲習知溝渠蕭特基二極體之槪要斷面圖，顯示其 作用及終止區。 圖2爲依本發明原理製造之溝渠蕭特基二極體之槪要 斷面圖。 圖3 ( A ) — 3 ( E )顯示一列示範處理步驟，此可用 以製造圖2所示之溝渠蕭特基二極體。 主要元件對照表 5 作用區 10 終止區 12 半導體基體 12c 陰極區 1 2 d 漂移區 本紙張尺度適用中國"家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 571445 A7 _______B7 五、發明説明（） 3 1 4 高台 18 金屬陽極層 2 0 晶膜層 2 5 閘氧化物層 3 0(30!— 3〇4)溝渠 5 0 摻雜區 發明槪要 依據本發明，提供一種蕭特基整流器。該整流器包含 一半導體結構，具有第一及第二相對面，各延伸而界定一 作用半導體區及一終終半導體區。半導體結構包含第一導 電性型之一陰極區鄰接第一面，及第一導電性型之一漂移 區鄰接第二面。漂移區具有較陰極區爲低之淨摻雜濃度。 多個溝渠自第二面延伸進入半導體結構，並界定多個高台 於半導體結構內。溝渠之至少之一置於每一作用及終止半 導體區中。一第一絕緣區設置鄰接多個溝渠中之半導體結 構° 一第二絕緣區電隔離作用半導體區及終止半導體區。 -陽®極（a )在第二面處鄰接半導體結構，並與其形成 蕭特基整流接觸，及（b )鄰接溝渠中之第一絕緣區。該 陽電極電連接多個溝渠一起。 依據本發明之一方面，第一絕緣區可包含氧化物，或 二氧化矽。 依據本發明之另一方面，溝渠延伸進入陰極區中。 ί衣據本發明之又另一方面，陽電極爲多晶矽，及第二 本纸張尺度適用中國國家標準（CNs ) μ規格（210X 297公釐） 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -6 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 571445 A7 ___B7__ 五、發明説明（4) 絕緣區爲L〇C〇S區。 詳細說明 現參考附圖，更詳細說明本發明於下，附圖顯示本發 明之較宜實施例。然而，本發明可具體表現於許多不同之 形態，且不應解釋爲限於此處所述之實施例，而是，提供 此實施例，俾此說明可澈底及完全，且整個傳達本發明之 範圍給精於本藝之人士。 現參考圖2，顯示本發明之蕭特基障壁整流器之斷面 圖。該整流器包含第一導電性型，普通爲N型導電性之一 半導體基體12，具有一第一面12a及一第二面12b 。一作用區5及終止區1 0界定於基體1 2上。基體半導 體12宜包含一較高摻雜之陰極區12c (顯示如N+) 鄰接第一面1 2 a。如所示，陰極區1 2 c摻雜至約5 X 1 0 1 9 / c m 3之第一導電性型摻雜劑濃度。第一導電性 型（顯示如N)之一漂移區1 2 d宜自陰極區1 2 c延伸 至第二面1 2 b。如所示，漂移區1 2 d摻雜至3 0伏裝 置甩之約3 · 3 X 1 0 1 6 / c m 3之第一導電性型摻雜劑濃 度。漂移區1 2 d及陰極區1 2 c形成一非整流N+/N 接面。 高台14構製於裝置之作用及終止區5及10二者中 。具有斷面寬度” W m ”之高台1 4構製於漂移區1 2 d 中。高台由相對溝渠3 0界定。絕緣區1 6 (在此情形中 ，顯示如熱生長氧化物層）構製於溝渠3 0 1- 3 0 4內， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~ ' 一 -7- ---------批衣------、玎------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 571445 A7 ________B7 _________ 五、發明説明（5) 並鄰接半導體區1 2。絕緣區1 6普通具有總厚度約爲 700至2000埃。Wm普通約1微米。溝渠深度” d ”普通約3微米。高台1 4延伸於一第三維（未顯示）中 ，並可爲條，方，圓柱，或其他類似形狀。故此，如精於 本藝之人士所明暸，高台1 4可使用許多溝渠構形構製於 半導體1 2中。例如，高台1 4可構製於成對相鄰之線性 溝渠3 0 1 一 3 0 4之間，此等延伸於第三維中。作爲另一 例，一環形溝渠3 0可造成高台1 4。在此二例中，當在 斷面上觀之，溝渠30 ^ - 3 0 4呈現如圖2所示。不管所 用之溝渠構形如何，溝渠3 0均相互連接。 溝渠3 0】一 3 0 4塡以摻雜之多晶矽。溝渠3 〇 1- 3 0 4均由多晶矽短路。一 l〇c〇S區4 5構製於終止區 1 0中，用以隔離作用區5及終止區1 0。L〇C〇S區 4 0延伸至界定作用區5及終止區 1〇之界線。一金屬陽極層i 8構製於塡以多晶矽之溝渠 3 0 !- 3 0 4及裝置之作用區5中之漂移區12 d之露出 之表面上，及裝置之終止區之LOCOS區40上。陽電 極1 8形成一蕭特基障壁整流接面，在此接觸半導體漂移 區1 2 d，即沿第二面1 2 b上。 如顯示於圖2，至少一溝渠3 0 4構製於裝置之終止區 10中。即是，溝渠30 4置於LOCOS區45下方，且 與其接觸。依據本發明，溝渠3 0 4電連接至金屬陽極層 1 8，俾此電短路至裝置之作用區中所置之溝渠中之多晶 矽。即是，溝渠3 0 4連續連接至溝渠3 〇 3，正如裝置之 本*氏張尺度適用中國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) " -8- I---------批衣------、玎------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 571445 A7 B7 五、發明説明（ 6 作用區5中之溝渠3 0】—3 0 3連續相互連接然。 由設置一'溝渠於裝置之終止區中，此短路至裝置之作 用區中之溝渠，在終止區中維持夾斷，而無需一ρ摻雜區 ，諸如圖1之裝置中所示之Ρ摻雜區5 0。由於當空乏區 形成於作用區之溝渠周圍時，一空乏區亦形成於終止區中 之溝渠周圍，故組持夾斷。故此，本發明之蕭特基整流器 較之圖1所示之裝置製造簡單及成本低，因爲此無需一掩 罩步驟來製造Ρ摻雜區。 在本發明之一些實施例中，宜設置一個以上之溝渠於 裝置之終止區中。額外之溝渠如所需用以確保空乏區散佈 於裝置之整個終止區。一般言之，在高壓上操作之裝置可 需要較多之溝渠。在此情形，終止區中之每一溝渠短路至 裝置之作用區中之溝渠。而且，終止區中之相鄰溝渠間之 距離可與裝置之作用區中之相鄰溝渠間之距離不同。明確 言之，在一些情形，可能需要減小終止區中相鄰溝渠間之 距離，以維持夾斷。 最後，一陰電極2 0設置於第一面1 2 a處之陰極區 1 2 c鄰近。陰電極2 0宜歐姆接觸陰極區1 2 c。 現參考圖3 A- 3 E，說明用以製造圖2之整流器之一 技術。先參考圖3 A，具有第一及第二相對面之一基體設 有較高摻雜之陰極區1 2 c於面1 2 a處，及一漂移區 1 2 d於陰極區上，延伸至第二面1 2 b。如精於本藝之 人士所明瞭，具有厚度” T d ”之漂移區1 2 d可使用普 通技術，由晶膜生長法構製。可構製多個相鄰高台1 4於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公酱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 571445 Μ Β7 五、發明説明（7) 漂移區1 2d中，先製造多層氧化物（S i〇2)，氮化物 (Si 3 N4)及光阻劑（分別爲13， 15，及17)之 一疊於第二面1 2 b上。雖氧化物區1 3之構製並非必需 ，但宜製造較薄，約1 〇 0埃之氧化物區1 3，以釋放半 導體1 2及氮化物區1 5間之層間應力。然後，可執行普 通製版製圖及蝕刻步驟，以構製具有熱氧化抵抗力之氮化 物區1 5之分立高台1 4，如顯示於圖3 B。區1 5亦選擇 可由蝕刻移去，此並不蝕刻S i 0 2。 如精於本藝之人士所明瞭，蝕刻步驟界定多個第一， 第二，第三，及第四相鄰之溝渠2 2於漂移區1 2 d中， 具有各別溝渠寬度” W t ”及溝渠深度” d ” 。如構製條 形之高台1 4，則各別第一，第二，第三，及第四溝渠側 壁2 2 a在與斷面圖正交之第三方向上（未顯示）相互平 行。或且，可執行製圖及鈾刻步驟，以界定方，圓柱，或 其他相似形狀。然而，由於方或圓柱形高台較之相同寬度 之條形高台佔用特定大小之基體之總前向傳導面積之較小 百分率，故具有方或圓柱形高台之整流器之前向電壓降在 特定之前向電流中可能較高。 現參考圖3 C，可使用普通熱氧化物生長法，構製各別 第一，第二，第三，及第四絕緣區1 6，諸如S i〇2 (約 1〇0 0埃）於溝渠側壁2 2 a上及溝渠底壁2 2 b上， 而非面12b上，因爲有氮化物區15存在。其次，溝渠 塡以多晶矽4 0，即多晶矽。在沉積之前，多晶矽普通由 氯化磷摻雜，或由砷或磷植入，以減小其電阻係數，普通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂 線 經濟部智慧財產局Κ工消費合作社印製 -10- 571445 A7 B7 五、發明説明（8) 在20Ω/ΓΠ範圍內。 其次’爹考圖3 D，移去氮化物區1 5及應力釋放氧 化物區1 3 (如有），且其後，構製一介質層4 5，以界 定裝置之終止區1 0 °設置介質層4 5，俾溝渠2 2之至 少之一置於終止區1 0中。介質層4 5普通爲 LPTEOS’ PETE〇s， 〇；3 〜TE〇S，或 ΗΤ〇 層，且通常在約0 · 2〜·！ η娜& 一日日 ^ TS ^ ^ 1 · 0微米厚之間。執仃頂敷金 屬2 3及金屬製圖步驟 丨、】M ^ @ @ # ，以界疋-電極1 8.，如顯示於圖 3 E。最後，執行背面敷伞隱牛峡 w9 μ 敷忠屬步驟，以界定陰電極2 0於 第一面1 2 a上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝 訂 線
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11、
Claims (1)
- 571445 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍1 1 . 一種蕭特基整流器，包含： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一半導體結構，具有第一及第二相對面，各延伸而界 定一作用半導體區及一終止半導體區，半導體結構包含第 一導電性型之一陰極區鄰接第一面，及第一導電性型之一 漂移區鄰接第二面，漂移區具有較陰極區爲低之淨摻雜濃 度； 多個溝渠，自第二面延伸進入半導體結構，並界定多 個高台於半導體結構內，溝渠之至少之一置於每一作用及 終止半導體區中； 一第一絕緣區，鄰接多個溝渠中之半導體結構； 一第二絕緣區，電隔離作用半導體區及終止半導體區 •，及 一陽電極，此（a )在第二面處鄰接半導體結構，並 與其形成蕭特基整流接觸，及（b )鄰接溝渠中之第一絕 緣區，該陽電極電連接多個溝渠一起。 2 .如申請專利範圍第1項所述之蕭特基整流器，其 中，第一絕緣區包含氧化物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 ·如申請專利範圍第2項所述之蕭特基整流器，其 中，第一絕緣區包含二氧化石夕。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之蕭特基整流器，其 中，半導體爲矽。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之蕭特基整流器，其 中，第一導電性型爲η型導電性。 ^ 6 ·如申請專利範圍第1項所述之蕭特基整流器，其 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 571445 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍2 中，溝渠延伸進入陰極區。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 ·如申請專利.範圍第1項所述之蕭特基整流器，其 中，陽電極爲多晶矽。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之蕭特基整流器，其 中，多晶矽大致充塡於溝渠中。 9 ·如申請專利範圍第1項所述之蕭特基整流器，其 中，第二絕緣區爲L〇C〇S區。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項所述之蕭特基整流器， 其中，半導體結構包含一基體，及一晶膜半導體層生長於 其上。 1 1 . 一種製造蕭特基整流器之方法，包括： 構製一半導體結構，具有第一及第二相對面，各延伸 而界定一作用半導體區及一終止半導體區，半導體結構包 含第一導電性型之一陰極區鄰接第一面，及第一導電性型 之一漂移區鄰接第二面，漂移區具有較陰極區爲低之淨摻 雜濃度； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 構製多個溝渠，自第二面延伸進入半導體結構，並界 定多個高台於半導體結構內，溝渠之至少之一置於每一作 用及終止半導體區中； 構製一第一絕緣區，鄰接多個溝渠中之半導體結構； 構製一第二絕緣區，電隔離作用半導體區及終止半導 體區；及 構製一陽電極，此（a )在第二面處鄰接半導體結構 ，並與其形成蕭特基整流接觸，及（b )鄰接溝渠中之第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 571445 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍3 一絕緣區，該陽電極電連接多個溝渠一起。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2 ·如申請專.利範圍第1 1項所述之方法，另包括 設置一陰電極於半導體結構之第一面上。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中， 構製該半導體結構之步驟包括設置一半導體基體，半導體 基體相當於陰極區，及生長一晶膜半導體層於基體上，該 晶膜層相當於該漂移區。 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中， 構製溝渠之步驟包括步驟：構製一製圖掩罩層於半導體結 構之第二面上，通過掩罩層蝕刻溝渠。 1 5 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中， 構製陽電極之步驟包括步驟：沉積多晶矽於第一絕緣層上 〇 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項所述之方法，其中， 構製陽電極之步驟包括步驟：沉積多晶矽於第一絕緣層上 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 7 .如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中， 構製溝渠，俾此等延伸進入陰極區中。 1 8 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中， 第一絕緣區包含氧化物。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其中， 第一絕緣區包含二氧化砂。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中， 半導體爲矽。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 571445 A8 B8 C8 _____D8 六、申請專利範圍 4 2 1 .如申g靑專利範圍第1 1項所述之方法，其中， 第一導電性型爲η型導電性。 2 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中， 溝渠延伸進入陰極區。 2 3 ·如申請專利範圍第1 χ項所述之方法，其中， 陽電極爲多晶矽。 2 4 ·如申請專利範圍第2 3項所述之方法，其中， 多晶矽大致充塡’於溝渠中。 2 5 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中， 第二絕緣區爲L ◦ C〇S區。 2 6 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中， 半導體結構包含一基體，及另含有步驟：生長一晶膜半導 體層於其上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 15 _
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/862,532 US6740951B2 (en) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | Two-mask trench schottky diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW571445B true TW571445B (en) | 2004-01-11 |
Family
ID=25338698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW091110667A TW571445B (en) | 2001-05-22 | 2002-05-21 | Schottky rectifier and method for forming same |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6740951B2 (zh) |
| EP (1) | EP1396015A4 (zh) |
| JP (1) | JP4382360B2 (zh) |
| KR (1) | KR100884078B1 (zh) |
| CN (1) | CN1314082C (zh) |
| TW (1) | TW571445B (zh) |
| WO (1) | WO2002095812A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI576920B (zh) * | 2015-11-20 | 2017-04-01 | 敦南科技股份有限公司 | 二極體元件及其製造方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6998694B2 (en) * | 2003-08-05 | 2006-02-14 | Shye-Lin Wu | High switching speed two mask Schottky diode with high field breakdown |
| US7973381B2 (en) * | 2003-09-08 | 2011-07-05 | International Rectifier Corporation | Thick field oxide termination for trench schottky device |
| US7064408B2 (en) * | 2003-12-10 | 2006-06-20 | Shye-Lin Wu | Schottky barrier diode and method of making the same |
| FR2864345B1 (fr) * | 2003-12-18 | 2006-03-31 | St Microelectronics Sa | Realisation de la peripherie d'une diode schottky a tranchees mos |
| US7560787B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-07-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench field plate termination for power devices |
| US8384181B2 (en) * | 2007-02-09 | 2013-02-26 | Cree, Inc. | Schottky diode structure with silicon mesa and junction barrier Schottky wells |
| JP2008226906A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
| JP5531620B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2014-06-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN101800252B (zh) * | 2010-03-04 | 2012-05-30 | 无锡新洁能功率半导体有限公司 | 沟槽型肖特基势垒整流器及其制造方法 |
| CN102446980A (zh) * | 2010-09-30 | 2012-05-09 | 比亚迪股份有限公司 | 一种低正向压降肖特基二极管及其制造方法 |
| TWM406804U (en) * | 2011-01-31 | 2011-07-01 | Taiwan Semiconductor Co Ltd | Structure of termination trench region for Schottky diode |
| JP2013030618A (ja) | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| TWI451498B (zh) | 2011-12-28 | 2014-09-01 | Pfc Device Corp | 具快速反應速度的金氧半ｐ－ｎ接面二極體及其製作方法 |
| CN103187271A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 敦南科技股份有限公司 | 二极管结构及其制造方法 |
| CN103426910B (zh) | 2012-05-24 | 2016-01-20 | 杰力科技股份有限公司 | 功率半导体元件及其边缘终端结构 |
| KR101463078B1 (ko) * | 2013-11-08 | 2014-12-04 | 주식회사 케이이씨 | 쇼트키 배리어 다이오드 및 그의 제조 방법 |
| US9178015B2 (en) * | 2014-01-10 | 2015-11-03 | Vishay General Semiconductor Llc | Trench MOS device having a termination structure with multiple field-relaxation trenches for high voltage applications |
| EP2945192A1 (en) * | 2014-05-14 | 2015-11-18 | Nxp B.V. | Semiconductive device and associated method of manufacture |
| CN104241285B (zh) * | 2014-09-30 | 2017-07-28 | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 | 一种肖特基势垒二极管芯片生产工艺 |
| CN107221522A (zh) * | 2015-01-19 | 2017-09-29 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 高良率整流器件 |
| CN104900719A (zh) * | 2015-05-12 | 2015-09-09 | 上海格瑞宝电子有限公司 | 一种沟槽肖特基二极管终端结构及其制备方法 |
| JP6279164B1 (ja) * | 2017-02-10 | 2018-02-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2151844A (en) * | 1983-12-20 | 1985-07-24 | Philips Electronic Associated | Semiconductor devices |
| GB2176339A (en) * | 1985-06-10 | 1986-12-17 | Philips Electronic Associated | Semiconductor device with schottky junctions |
| US5365102A (en) | 1993-07-06 | 1994-11-15 | North Carolina State University | Schottky barrier rectifier with MOS trench |
| US6078090A (en) | 1997-04-02 | 2000-06-20 | Siliconix Incorporated | Trench-gated Schottky diode with integral clamping diode |
| US5612567A (en) | 1996-05-13 | 1997-03-18 | North Carolina State University | Schottky barrier rectifiers and methods of forming same |
| GB0002235D0 (en) * | 2000-02-02 | 2000-03-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | Trenched schottky rectifiers |
| JP3691736B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2005-09-07 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
| US6309929B1 (en) * | 2000-09-22 | 2001-10-30 | Industrial Technology Research Institute And Genetal Semiconductor Of Taiwan, Ltd. | Method of forming trench MOS device and termination structure |
-
2001
- 2001-05-22 US US09/862,532 patent/US6740951B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-05-21 TW TW091110667A patent/TW571445B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-05-22 JP JP2002592178A patent/JP4382360B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-22 WO PCT/US2002/016096 patent/WO2002095812A1/en active Application Filing
- 2002-05-22 CN CNB028105702A patent/CN1314082C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-22 KR KR1020037015131A patent/KR100884078B1/ko active IP Right Grant
- 2002-05-22 EP EP02739322A patent/EP1396015A4/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI576920B (zh) * | 2015-11-20 | 2017-04-01 | 敦南科技股份有限公司 | 二極體元件及其製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6740951B2 (en) | 2004-05-25 |
| KR20040000483A (ko) | 2004-01-03 |
| JP2005515614A (ja) | 2005-05-26 |
| KR100884078B1 (ko) | 2009-02-19 |
| EP1396015A1 (en) | 2004-03-10 |
| JP4382360B2 (ja) | 2009-12-09 |
| EP1396015A4 (en) | 2004-12-15 |
| CN1620715A (zh) | 2005-05-25 |
| US20020175342A1 (en) | 2002-11-28 |
| WO2002095812A1 (en) | 2002-11-28 |
| CN1314082C (zh) | 2007-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW571445B (en) | Schottky rectifier and method for forming same | |
| TWI528458B (zh) | 半導體元件及其製備方法 | |
| JP3860705B2 (ja) | 半導体装置 | |
| TW523933B (en) | Trench schottky rectifier | |
| US8796089B2 (en) | Semiconductor structure and method for making same | |
| TW548855B (en) | Trench Schottky rectifier | |
| US6639278B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP5298565B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| EP1359624A2 (en) | Vertical type MOSFET and manufacturing method thereof | |
| TW591752B (en) | Symmetric trench MOSFET device and method of making same | |
| US9825137B2 (en) | Semiconductor element and method for producing the same | |
| TW392355B (en) | A bipolar transistor and a method for fabricating the same | |
| US20050127464A1 (en) | Schottky barrier diode and method of making the same | |
| CN110034189A (zh) | 集成电路器件 | |
| TWI745487B (zh) | 電晶體與其製造方法以及積體晶片與其製作方法 | |
| TW511191B (en) | Trench Schottky barrier rectifier and method of making the same | |
| US10541241B2 (en) | Semiconductor device having thyristor and metal-oxide semiconductor transistor | |
| JP5579548B2 (ja) | 半導体装置、および、その製造方法 | |
| JPH01101664A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US20240250119A1 (en) | High voltage field effect transistors with superjunctions and method of making the same | |
| JP2001036069A (ja) | ダイオード | |
| CN114078747A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| JPH03196570A (ja) | 絶縁ゲート型サイリスタ | |
| KR100364923B1 (ko) | 쇼트키베리어다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP2004134595A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |