TW571166B - Field sequential liquid crystal display apparatus using active matrix liquid crystal display device - Google Patents

Description

571166 玖、發明說明 ' (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、內容、實施方式及圖式簡單說明） · [發明所屬之技術領域] 、 本發明係關於，使用主動矩陣式液晶顯示元件並以表示單一色 光之複數場的合成，實現一個彩色圖像之場順序液晶顯示裝置。 [先前技術] 以TFT做爲主動元件主動矩陣式液晶顯示裝置，在隔著液晶層 相對之第1及第2的成對基板中，第1基板之內面會設有矩陣狀 配列之複數像素電極、分別連接於前述複數像素電極之複數薄膜 電晶體、以及對前述複數薄膜電晶體供應資料信號之資料線，而 Φ 第2基板之內面則會設置相對電極，前述TFT係由閘極、閘極絕 緣膜、i型半導體膜、阻塞絕緣膜、η型半導體膜、源極、汲極、 及外覆絕緣膜之積層膜所構成。 前述液晶顯示元件之一方基板上會散布著粒子狀隔件，該粒子 -狀隔件夾於成對之基板間，使基板間隔保持一定，並使前述複數 ， 像素電極、及前述相對電極互相相對之複數像素部的液晶層厚度 保持在4/zm〜5//m。 然而，因爲散布於前述基板上之粒子狀隔件亦會分布於像素部 | φ 內，光會從對應於前述粒子狀隔件之部份外漏，不但會降低液晶 顯示元件之顯示對比，亦很難保基板間隔保持均一，故複數像素 部之液晶層厚度會不均一，而出現顯示亮塊。 最近，出現將以顯示1個彩色圖像爲目的之1個圖框分、成複 數場，在各場中之前述液晶顯示元件依序顯示複數的色光，利用 I * 前述複數場之複數色光的顯示合成，顯示1個彩色圖像的場順序 型顯示裝置。 此場順序型顯示裝置中，係採用使用主動元件之主動矩陣式液 晶顯示元件。此液晶顯示元件係由1個圖框所構成，而前述圖框 571166 則利用分別顯示紅、綠、藍3色光之3個場來形成1個圖像，故 顯示1色光爲目的之1個場爲1個圖框的1 /3，而必須將對應1 、 個場之1色光的資料信號寫入至前述液晶顯示元件並顯示，故要 、 求前述液晶顯示元件具有高速回應特性，所以，像素部之液晶層 厚度必須爲如1.5 // m之較小厚度。 〆 然而，前面所述之傳統主動矩陣式液晶顯示元件中，卻不易在 像素部形成厚度較小且均一之液晶層。 [發明之內容] 本發明之目的，在提供一種場順序液晶顯示裝置，係使用具有 厚度極薄且十分均一之液晶層的主動矩陣式液晶顯示元件。本發 Φ 明使用之液晶顯示元件係利用樹脂膜之圖案化形成於主動矩陣式 液晶顯示元件之相對的成對基板間，利用以固定前述成對棊板間 之液晶層厚度爲目的之複數柱狀隔件，可獲得1.475〜2.2/zm之 極薄且均一之像素部液晶層。 ~ 爲了達成前述目的，本發明之第1觀點的液晶顯示裝置的特徵 〜 係具有液晶顯示元件、光源、及控制裝置，前述液晶顯示元件係 具有：成對基板，互相相對配置；至少1個共用電極，形成於前述 成對基板之相對內面的一方內面上；複數像素電極，形成於前述成 φ 對基板之相對內面的另一方內面上，且以在和前述共用電極相對 之區域形成各像素區域爲目的；複數主動元件，以對應前述複數像 素電極之方式設置，且以對前述像素電極供應對應圖像資料之資 料信號爲目的Γ液晶層，存在於前述成對基板間；以及複數柱狀隔 件，形成於前述成對基板之相對內面的其中一方，以固定前述成 對基板間之液晶層厚度爲目的；且依據施加於前述像素電極及前述

I 共用電極間之電壓來控制前述各像素區域之光透射， 前述光源係設於前述液晶顯示元件之觀察側的相反側，可選擇 性產生不同之複數色光， 571166 前述控制裝置則係利用從前述主動元件對前述像素電極提供資 料信號’前述資料信號係對應1色光之圖像資料，而前述i色光 · 之圖像資料則對應前述光源產生之色光之一，利用此方式，會對 · 前述液晶顯示元件之各像素電極及共用電極間施加對應前述圖像 資料之電壓，控制前述液晶顯示元件之各像素區域的光透射，同 時’使前述光源產生前述圖像資料之色光，並對前述液晶顯示元 件之各像素區域射出。 利用此種第1觀點之液晶顯示裝置，因可獲得厚度極薄之像素 部的液晶層，可使液晶分子實施高速回應，且液晶顯示元件之整 體都會十分均一 ’故可實現沒有売塊之優良顯不。 在此發明中，液晶顯示元件之液晶層係採同質配向液晶，此同 質配向液晶係在未對電極間施加電場之狀態下，使液晶分子相對 於前述基板表面爲實質平行、且液晶分子之配列不會扭曲而爲同 方向之配列。 ~ 又，前述液晶顯示元件之液晶層厚度最好爲1.475〜2.2//m之 _ 範圍內。 其次，前述柱狀隔件係由感光性樹脂所構成，前述感光性樹脂 則係對前述成對基板之相對內面的其中一方形成之感光性樹脂膜 φ 實施光刻法之圖案化而成，此柱狀隔件係配置於前述液晶顯示元 件之像素區域、及形成前述主動元件之區域以外之前述相對之成 對基板間。此柱狀隔件亦可形成於前述成對基板當中設有前述像 素電極及前述主動元件之基板的內面，或者，亦可形成於前述成 對基板當中設有前述共用電極之基板的前述內面。 又，前述成對基板當中設有前述共用電極之基板內面，最好能 形成遮光膜，前述遮光膜係以前述像素區域以外之區域的遮光爲 目的，然後在該基板內上之前述遮光膜及前述共用電極上形成前 述柱狀隔件，而且，該柱狀隔件之形成上，最好以一對一之方式 -7- 571166 對應前述主動元件。 又，本發明之液晶顯示元件除了具有前述柱狀隔件以外，亦會 形成隔件支持部，前述隔件支持部係位於第2基板上，前述第2 基板係和前述成對基板當中形成前述柱狀隔件之第1基板相對’ 在此第2基板之基板面上對應前述柱狀隔件之部份會突起，並吼 前述柱狀隔件相抵接。如此，因爲第2基板面上形成隔件支持部 ，可使以形成前述柱狀隔件爲目的之樹脂膜的膜厚會十分適當’ 而不會有太厚或太薄的情形，故利用此柱狀隔件可使基板間隔十 分均一，而減少前述複數像素電極及相對電極相對之複數像素部 的液晶層厚度。 因此，利用此液晶顯示元件，除了可減少像素部之液晶層厚g 且加快回應速度以外，亦可使前述複數柱狀隔件具有均一高度， 使複數像素部之液晶層厚度均一，而獲得無顯示亮塊之良好顯示 品質。 此液晶顯示元件中，前述柱狀隔件係形成於前述成對基板當中 設有前述共用電極之第1基板的內面，前述隔件支持部則利用由 主動元件之閘極絕緣膜、由源極或汲極之一方延伸而成之延伸電 極部、以及覆蓋前述主動元件之包覆膜形成之積層膜，形成於前 述成對基板當中設有前述像素電極及前述主動元件之第2基板的 內面，又，前述隔件支持部係由主動元件之i-Si膜、n-Si膜、以 及阻塞層以外之其他膜的積層膜所形成。此時，前述液晶顯示元 件之液晶層厚度最好爲1.475〜2.2/zm之範圍內。 本發明第2觀點之液晶顯示裝置的特徵係具有液晶顯示元件、 光源、及控制裝置，前述液晶顯示元件係具有：成對之第1及第2 基板，互相相對配置；至少1個共用電極，形成於前述第1基板及 第2基板之相對內面上；複數像素電極，形成於前述第2基板之和 第1基板相對之內面上，且以在和前述共用電極相對之區域形成 571166 各像素區域爲目的；複數主動元件，以對應前述複數像素電極之方 式設置於前述第2基板之內面，且以對前述像素電極供應對應圖 · 像資料之資料信號爲目的；液晶層，存在於前述第1基板及第2基 · 板間；複數柱狀隔件，利用樹脂膜之圖案化形成於前述第1及第2 基板之相對內面的其中一方內面上，以固定前述第1及第2基板 間之液晶層厚度爲目的；以及隔件支持部’對應則述柱狀隔件部份 之前述第2基板面會形成突起且分別和複數柱狀隔件相抵接；且依 據施加於前述像素電極及前述共用電極間之電壓來控制前述各像 素區域之光透射， 前述光源係設於前述液晶顯示元件之觀察側的相反側，可選擇 ® 性產生不同之複數色光， 、 前述驅動裝置則係經由前述主動元件對前述像素電極，提供資 料信號，前述資料信號係對應1色光之圖像資料，而前述1色光 之圖像資料則對應前述光源產生之色光之一，利用此方式，會對 — 前述液晶顯示元件之各像素電極及共用電極間施加對應前述影像 · 資料之電壓，控制前述液晶顯示元件之各像素區域的光透射，同 時’使前述光源產生前述圖像資料之色光，並對前述液晶顯示元 件之各像素區域射出。 φ 此第2觀點之液晶顯示裝置，液晶顯示元件採相對配置之第1 及第2基板當中之前述第2基板面會形成對應柱狀隔件之隔件支 持部，可使以形成前述柱狀隔件爲目的之樹脂膜的膜厚會十分適 當，而不會有太厚或太薄之不均一的情形，故利用此柱狀隔件可 使基板間隔十分均一，而可減少前述複數像素電極及相對電極相 對之複數像素部的液晶層厚度且加快回應速度，同時，可使前述 複數柱狀隔件具有均一高度，使複數像素部之液晶層厚度均一， 而獲得無顯示亮塊之良好顯示品質。 本發明使用之則述液晶顯不兀件的液晶層厚度最好爲1 · 4 7 5〜 571166 2.2/zm之範圍內。 又，前述柱狀隔件係形成於前述液晶顯示元件之像素區域、及 形成前述主動元件之區域以外之前述第1基板及前述第2基板間 。另一方面，前述隔件支持部之形成上，最好爲以由主動元件之 閘極絕緣膜、由源極或汲極之一方延伸而成之延伸電極部、以及 覆蓋前述主動元件之包覆膜形成之積層膜，形成於前述第2基板 之內面，利用此構成，可以在TFT之形成步驟同時形成前述隔件 支持部，而可降低液晶顯示元件之製造成本。 又，前述液晶顯示元件之液晶層，係位於前述第1基板及前述 第2基板之間，且最好爲液晶分子之分子長軸朝向同一方向而無 扭曲之同質配向液晶所形成。 本發明第3觀點之液晶顯示裝置的特徵係具有液晶顯示元件、 光源、及驅動裝置，前述液晶顯示元件係具有：成對之第1及第2 基板，互相相對配置；至少1個共用電極，形成於前述第1基板及 第2基板之相對內面上；複數像素電極，形成於前述第2基板之和 第1基板相對之內面上，且以在和前述共用電極相對之區域形成 各像素區域爲目的；複數寫入用主動元件，以分別對應前述複數像 素電極之方式設置於前述第2基板之內面，且以對前述像素電極 供應對應圖像資料之資料信號爲目的；複數重設用主動元件，以分 別對應前述複數像素電極之方式設置於前述第2基板之內面，且 以對前述像素電極供應重設信號爲目的；液晶層，存在於前述第1 基板及第2基板間；複數柱狀隔件，利用樹脂膜之圖案化形成於前 述第1及第2基板之相對內面的其中一方內面上，以固定前述第 1及第2基板間之液晶層厚度爲目的；以及隔件支持部，對應前述 柱狀隔件部份之前述第2基板面會形成突起且和前述柱狀隔件相 抵接；且依據施加於前述像素電極及前述共用電極間之電壓來控制 前述各像素區域之光透射， - 10- 571166 前述光源係設於前述液晶顯示元件之觀察側的相反側，可選擇 性產生不同之複數色光， 前述驅動裝置則利用從前述重設用主動元件對前述像素電極， 提供重設信號，在對前述液晶顯示元件之前述各像素電極及前述 共用電極間施加重設電壓後，會從前述寫入用主動元件對提供資 料信號，前述資料信號係對應1色光之圖像資料，而前述1色光 之圖像資料則對應前述光源產生之色光之一，利用此方式，會對 前述各像素電極及共用電極間施加寫入電壓，控制前述液晶顯示 元件之各像素區域的光透射，同時，使前述光源產生前述圖像資 料之色光，並對前述液晶顯示元件之各像素區域射出。 此第3觀點之液晶顯示裝置，液晶顯示元件採相對配置之第1 及第2基板當中之前述第2基板面會形成對應柱狀隔件之隔件支 持部，可使以形成前述柱狀隔件爲目的之樹脂膜的膜厚會十分適 當，而不會有太厚或太薄之不均一的情形，故利用此柱狀隔件可 使基板間隔十分均一，而可減少前述複數像素電極及相對電極相 對之複數像素部的液晶層厚度且加快回應速度，同時，可使前述 複數柱狀隔件具有均一高度，使複數像素部之液晶層厚度均一， 而獲得無顯示亮塊之良好顯示品質，同時，因爲具有重設用主動 元件，各像素之重設動作可以和寫入動作分別執行，適合高速回 應之驅動十分單純且更爲容易。 液晶顯示裝置之液晶顯示元件中，前述隔件支持部最好分別設 於前述第2基板內面之前述寫入用主動元件的一側、以及前述重 設用主動元件的一側，而前述柱狀隔件則最好配置於前述第1基 板及前述第2基板間分別和前述隔件支持部對應之位置。 [發明實施方式] [第1實施例] 本發明之第1實施例係場順序液晶顯示裝置，如第1圖所示， -11- 571166 係由：主動矩陣式液晶顯示元件1 ο，具有矩陣狀配置之複數像素 ，對應施加於各像素之電極的電壓，控制該像素之光透射；以及 照明裝置40，具有配設於此液晶顯示元件1 〇觀察側之相反側的 導光板4 1、及配置於此導光板41之一端且可實施紅R、綠G、 藍Β之各色光發光的各色光源42r、42g、42b，利用前述導光板 41將來自各色光源42r、42g、4〗b之光以均一之方式導至液晶顯 示元件1 〇之整面，實施前述液晶顯示元件1 0之照明。 此實施例之場順序液晶顯示裝置所使用之主動矩陣式液晶顯示 元件的構成上，如第2圖至第4圖所示，係隔著液晶層3 6相對 之第1及第2透明基板11、31中，在第3圖及第4圖中爲下側之 第1基板（以下稱爲後側基板）1 1之內面，會設有矩陣狀配列之複 數像素電極12、分別連接於前述複數像素電極12之複數TFT13 、對前述複數TFT1 3供應閘極信號之閘極線14、以及對前述複 數TFT13供應資料信號之資料線' 15，而第3圖及第4圖爲上側之 第2基板（以下稱爲前側基板）3 1的內面，則會設置相對電極32。 首先，針對前述後側基板1 1進行說明，係在列方向（第2圖中 之左右方向）及行方向（第2圖中之上下方向）以矩陣狀配置前述複 數像素電極1 2，前述複數閘極線1 4則沿著各像素電極列之一側（ 第2圖中之左側）形成，前述複數資料線1 5則沿著各像素電極行 之一側（第2圖中之下側）形成。 又，前述後側基板1 1之左右側緣的其中一側緣、及上下側緣 的其中一側緣，具有朝前側基板2之外側突出的端子配列部（圖上 未標不），前述複數聞極線1 4之一端、及前述複數資料線1 5之一 端會被導引至前述端子配列部，並在該端部形成連接至列驅動器 及行驅動器的連接端子。 前述複數TFT 1 3如第3圖及第4圖所示，係由形成於後側基板 1 1之基板面的閘極1 6、覆蓋於前述閘極1 6上之閘極絕緣膜1 7、 -12- 571166 在前述閘極絕緣膜1 7上以和前述閘極1 6相對之方式形成的i型 半導體膜1 8、在此i型半導體膜1 8之通道區域的中央部上形成 之阻塞絕緣膜1 9、在前述i型半導體膜1 8之兩側部上藉由η型 半導體膜20形成之源極2 1及汲極22、以及在其上形成之外覆絕 緣膜23構成之積層膜所構成。 又，在第3圖中，前述源極21及汲極22係單層膜，此源極21 及汲極22係由前述η型半導體膜2 0之接觸層的鉻膜、及在其上 形成之鋁系合金膜所構成。 又，前述複數閘極線1 4係利用低電阻鋁系合金膜在後側基板1 1 之基板面上形成，前述TFT 1 3之閘極1 6係和前述閘極線1 4 一體 形成。 前述TFT 1 3之閘極絕緣膜1 7，設於後側基板1 1之內面整面， 前述複數閘極線1 4上覆蓋著前述閘極絕緣膜1 7。 本實施例之場順序液晶顯示裝置中，顯示1個彩色圖像之’ 1個 圖框，係由如顯示紅、綠、藍3色光之單位色光的3個場所構成 ，因顯示1色光爲目的之各場，會將前述1單位色光之圖像資料 寫入至液晶顯示元件之各像素，故寫入期間極短。而且，由前述 複數像素電極1 2、設於前側基板3 1之內面的相對電極3 2、以及 其間之液晶層3 5所形成的像素容量，因液晶層之厚度d較小而 較大。因此，在本實施例中，如第3圖所示，會將對應前述閘極 線1 4之各複數像素電極1 2的部份，當做前述TFT 1 3之閘極1 6， 同時，前述i型半導體膜1 8、η型半導體膜20、以及源極和汲極 2 1、22會沿著前述閘極線1 4之長度方向朝橫向形成，形成通道 寬度W之較大TFT1 3而增加電流容量，且對較大像素電容實施 對應由資料線1 5提供之資料信號的充份充電。 另一方面，前述複數資料線1 5，係在前述閘極絕緣膜1 7上利 用和前述TFT13之源極及汲極21、22相同的金屬膜（鉻膜及在其 - 13- 571166 上形成之鋁系合金膜的積層膜）形成，前述TFTl 3之汲極22係和 則述資料線1 5爲一體形成。 其次，前述像素電極12係利用ITO膜等透明導電膜形成於前 述閘極絕緣膜17之上，此像素電極12之緣部連接至前述TFT 13 之源極21。 又，前述TFT 1 3之外覆絕緣膜23則設於前述後側基板Η之內 面整體上，前述外覆絕緣膜23會覆蓋於前述複數資料線1 5上。 又，前述外覆絕緣膜23上分別對應前述複數像素電極1 2之部 份設有開口，且，形成於前述複數閘極線1 4之端部上的連接端 子（圖上未標示），則因爲其上之外覆絕緣膜23及閘極絕緣膜1 7 設有開口而外露，而形成於前述複數資料線1 5之端部上的連接 端子（圖上未標示），則因爲其上之外覆絕緣膜23設有開口而外露 〇 又，前述後側基板Π之內面如第2圖及第4圖所示，會避開 前述複數像素電極12及TFT13,以一定間隔設置複數之隔件支 持部24，而前述隔件支持部24係由形成前述TFT13之前述積層 膜當中之i型半導體膜18、阻塞絕緣膜19、及η型半導體膜20 以外之其他膜的積層膜所構成。 本實施例中，前述隔件支持部24係位於前述TFT 1 3之一側， 設置上，具有和前述TFT 1 3之配列間隔相同的間隔，同時，利用 和前述TFT 1 3之閘極1 6 —體形成之閘極線1 4、閘極絕緣膜1 7、 前述TFT13之源極21及汲極22之其中一方…例如從汲極22延伸 至前述閘極線1 4上之部份的延伸電極2 2 a、以及前述外覆絕緣膜 23形成前述隔件支持部24。 其次，接觸前述後側基板1 1之液晶層的表面，在以矩陣狀配 列著前述複數像素電極1 2之顯示區域全域上，會設置由聚_亞 胺所構成的配向膜25。 571166 其次，針對前側基板3 1進行說明，此前側基板3 1之內面，如 第3圖及第4圖所示，設有和前述複數像素電極1 2相對之相對 電極32、以及對應前述複數像素電極12間之區域的遮光膜33。 前述遮光膜33係和前述複數像素電極12對應之區域會分別形 成開口之格狀膜，圖中以單層膜來表示遮光膜33，然而，此遮光 膜33係由形成於前側基板3 1之基板面上之氧化鉻膜、以及在其 上形成之鉻膜所構成。 又，前述相對電極32係由ITO膜等透明導電膜所構成，此相 對電極32會覆蓋於前述遮光膜33上，而爲涵蓋前述顯示區域全 域之整片薄膜狀。 前述前側基板31之內面如第3圖及第4圖所示，會以分別對 應設於前述後側基板Π內面之前述複數隔件支持部24的方式， 設置著以固定成對基板Π、3 1之間隔的複數柱狀隔件34，此柱 狀隔件34係形成於設置於前側基板3 1內面之前述遮光膜33及 相對電極32的積層膜上。 前述柱狀隔件34之形成上，係在前側基板3 1之內面形成前述 遮光膜33及相對電極32後，在此前側基板31之內面上，以旋 轉塗膜法將例如由光阻劑所構成之樹脂材料塗敷至對應前述柱狀 隔件34之高度的厚度，再利用照相法實施此樹脂膜之圖案化。 接觸前述前側基板31之液晶層的面上，在前述顯示區域之全 域會設置由聚醯亞胺構成之配向膜35,前述配向膜35會覆蓋於 前述柱狀隔件3 4上。 前述成對基板1 1、3 1會經由設置覆蓋於柱狀隔件34上之配向 膜35，使設置於前側基板3 1內面之前述複數柱狀隔件34抵接設 於後側基板11內面之複數隔件支持部24上的配向膜25面，利 用此方式，可以利用這些柱狀隔件34固定基板間隔（成對基板1 1 、3 1之基板面間的間隔）dQ，並經由環繞前述顯示區域之框狀密 571166 封材料（圖上未標示）互相接合。 又’圖上並未標示，設於前述前側基板31內面之相對電極3 2 上’會形成延伸至對應前述框狀密封材料之部份、或前述框狀密 封材料之外側的複數交叉連接部，前述後側基板i丨之內面，設 有對應前述相對電極3 2之複數交叉連接部的交差電極、以及從 此交叉電極延伸至端子配列部之相對電極用端子，前述相對電極 3 2之交叉連接部則利用設於前述框狀密封材料內或其外側之導電 性交叉材料連接至前述交叉電極。 又，圖上亦未標示，前述框狀密封材料上會設置液晶注入口， 此液晶注入口則係以使密封材料上形成部份缺口之方式形成，前 述液晶層36之形成上，係利用真空注入法從前述液晶注入口將 液晶注入前述成對基板1 1、3 1間由前述框狀密封材料環繞的區 域，而前述液晶注入口則在注入前述液晶後以密封樹脂進行密封 〇 本實施例之液晶顯示元件之構成上，例如使前述液晶層3 6之 液晶分子朝向同一方向之同質配向的同質配向型液晶顯示元件， 在前述成對基板Π、3 1之外面分別設置偏光板，爲了提高顯示 之對比以及擴大視角，在其中任一方之基板、及該基板側之前述 偏光板之間配置位相板。 因爲以固定成對基板1 1、3 1之間隔dQ爲目的之複數柱狀隔件 34，會設置於避開前述複數像素電極1 2及相對電極32相對之複 數像素部的位置，故此液晶顯示元件不會發生光從前述像素部外 漏的情形。 此液晶顯示元件中，在前述後側基板1 1之內面，會避開像素 電極12及TFT13，以一定間隔（本實施例中，此間隔和TFT13之 配列間隔相同）設置複數之隔件支持部24’而前述隔件支持部24 係由形成前述TFT1 3之積層膜當中之i型半導體膜18、阻塞絕緣 - 16 - 571166 膜1 9、及η型半導體膜20以外之其他膜的積層膜所構成，因爲 在前側基板3 1之內面，以分別對應前述複數隔件支持部24之方 式配置著固定成對基板1 1、3 1間隔之複數柱狀隔件34，故即使 前述柱狀隔件34之高度並非極小，此利用柱狀隔件34固定之基 板間隔d。亦會較小，故可以使前述複數像素電極1 2及相對電極 32互相相對之複數像素部的液晶層厚度d更小。 本實施例之液晶顯示元件的膜厚設定上，前述閘極線14及閘 極16的膜厚爲0.23 、閘極絕緣膜17的膜厚爲0.25 、i型 半導體膜18的膜厚爲0.025 //m、阻塞絕緣膜19的膜厚爲0.10# m、η型半導體膜20的膜厚爲0.025 /zm、源極及汲極21、22的 膜厚爲0.425//m、外覆絕緣膜23的膜厚爲0.20/zm、像素電極12 的膜厚爲〇.〇5//m、遮光膜33的膜厚爲0.17/zm、相對電極32的 膜厚爲0.14/zm、配向膜25、35的膜厚皆爲0.05/zm。 所以，爲了使前述像素部之液晶層厚度d爲例如1.5 // m，只要 形成可將前述基板間隔dQ固定爲2.04/zm之前述柱狀隔件34的 高度即可。 此液晶顯示元件中，因爲以形成前述像素電極1 2之積層膜中 之i型半導體膜1 8、阻塞絕緣膜1 9、及η型半導體膜20以外之 其他膜的積層膜形成前述隔件支持部24,故前述隔件支持部24 之高度會低於前述TFT 13之高度，且其値爲前述i型半導體膜18 、阻塞絕緣膜1 9、及η型半導體膜20之膜厚的合計値。 前述TFT13之高度（閘極16、閘極絕緣膜17 ' i型半導體膜18 、阻塞絕緣膜19、η型半導體膜20、源極及汲極21、22、及外 覆絕緣膜2 3之膜厚的合計値）爲1 · 2 5 // m，且前述i型半導體膜1 8 、阻塞絕緣膜19、及η型半導體膜20之膜厚的合計値爲〇· 15//m ，故前述隔件支持部之高度爲1·1〇5//m。 所以，如前面所述，若要將基板間隔d。固定爲2.04/zm且使液 5?1166 晶層厚度d爲1 . 5 # m，則柱狀隔件3 4之高度必須爲ο . 5 2 5 // m。 另一方面，如前面所述，柱狀隔件3 4之形成上，係在此前側 ' 基板31之內面上，以旋轉塗膜法將例如由光阻劑所構成之樹脂 -材料塗敷至對應前述柱狀隔件34之高度的厚度，再利用照相法 實施此樹脂膜之圖案化。 此時，前述樹脂材料之塗敷厚度，必須對應前述樹脂材料之黏 性以調整基板31之旋轉速度及旋轉時間來執行控制，然而，可 以對前述樹脂材料之塗敷厚度實施良好精度管理之塗敷厚度値爲 〇·5νπι〜2.0/zm之範圍，塗敷厚度太厚或太薄時，塗敷厚度會出 現團塊，而利用對此樹脂膜實施圖案化所形成之柱狀隔件34的 ® 高度亦會出現誤差。 要將基板間隔dQ固定爲2.04//m且使液晶層厚度d爲1.5/zm， 則柱狀隔件34之高度必須爲〇.525 //m，且前述樹脂材料之塗敷 厚度爲可實施良好精度管理之0.5/zm〜2.0/zm之範圍，故可以實 施均一厚度之前述樹脂材料的塗敷，且使前述複數柱狀隔件34 · 具有均一高度。 因此，利用此液晶顯示元件，除了可減少前述像素部之液晶層 厚度d且加快回應速度以外，亦可使前述複數柱狀隔件3 4具有 φ 均一高度，使複數像素部之液晶層厚度d均一，而獲得無顯示亮 塊之良好顯示品質。 又，前述液晶層厚度d並未限定爲前述之只要在前述 樹脂材料之塗敷厚度可有良好精度管理之0.5/zm〜2.0//m的範圍 內選擇前述柱狀隔件34之高度，則可以任意地將其設定爲 1.475 //m(柱狀隔件34之高度爲0.5//m時之液晶層厚度）〜 2.975 //m(柱狀隔件34之高度爲2.0//m時之液晶層厚度）之範圍 內。 然而，前述液晶層厚度d最好爲1·475απι〜2.2/zm之範圍內， 571166 液晶層厚度d在此範圍內時，可以獲得夠快之反應速度。此時， 前述柱狀隔件34之高度爲0·5βπι〜1.2vm之範圍。 又，前述液晶層厚度d爲1.475 em以上、1.625 /zm以下時更 佳，液晶層厚度d若爲此範圍値，則可獲得更快的回應速度。 而且，本實施例之前述隔件支持部的形成上，係由主動元件之 閘極線14、閘極絕緣膜17、由TFT 13之汲極22延伸至前述閘極 線1 4上之部份而成之延伸電極部22a、以及外覆絕緣膜23所形 成，故可以在TFT1 3之形成步驟同時形成前述隔件支持部24， 而可降低液晶顯示元件之製造成本。 又，本實施例中，係將TFT1 3之汲極22延伸至閘極線14上之 部份而形成前述延伸電極22a，然而，亦可將TFT13之源極21延 伸至閘極線14上之部份而形成前述延伸電極22a。 前述之場順序液晶顯示裝置係利用第5圖所示驅動電路驅動。 亦即，此驅動電路係由：將外部供應之圖像資料轉換成紅色、綠色 、及藍色之各色R、G、B圖像資料及控制信號之資料轉換部5 1; 分別儲存經過轉換之R、G、B圖像資料的圖像記憶體52;可接收 從圖像記憶體52讀取之R、G、B圖像資料，並將R、G、B圖像 資料視爲串列圖像資料輸出之緩衝器53;接數該緩衝器53輸出之 R、G、B圖像資料，並對液晶顯示元件1 〇之各資料線提供對應 各圖像資料之資料信號的行驅動器54;對前述液晶顯示元件1 〇之 各閘極線1 4，提供以依序掃描各閘極線1 4爲目的之閘極信號的 列驅動器55;驅動照明裝置40之照明控制部56;以及依據前述資 料轉換部51提供之控制信號，控制前述圖像記憶體5 2之寫入及 讀取、前述緩衝器5 3、前述列驅動器5 5、行驅動器5 4、及前述 照明控制部56之動作的控制部57;所構成。 其次，針對本實施例之場順序液晶顯示裝置的動作進行說明。 第6圖係提供給液晶顯不兀;件1 0之各閘極線1 4的聞極信號、及 571166 R、G、B之各光源42r、42g、42b之亮燈時序，G1、G2、…、Gn 係提供給各閘極線1 4之閘極信號。 ^ 此場順序液晶顯示裝置如第6圖所示，係每1/60[秒]顯示1圖 -框份之圖像，會配合其速度依序提供圖像資料，並以將1圖框分 割成3部份之1/1 80 [秒]在各場顯示R、G、B之各色圖像。 在第6圖中，由外部供應之1圖框份的圖像資料會提供給資料 轉換部5 1，而被轉換成R、G、B各圖像資料之各色圖像資料則 依據來自控制部5 7之寫入信號，將其當做R、G、B之各圖像資 料儲存於圖像記憶體52。被儲存之各色圖像資料會依據來自控制 部5 7之讀取信號，在將1圖框分割成3之1 /1 8 0秒的R場期間會 ® 讀取R圖像資料，其次，依序在G場期間讀取G圖像資料、在B 場期間讀取B圖像資料，並傳送至緩衝器53，緩衝器53會將從 圖像記憶體52依序讀取之R、G、B的各圖像資料當做串列的各 色圖像資料，並提供給液晶顯示元件1 〇之行驅動器54。行驅動 ' 器5 4會依據來自控制部5 7之控制信號，從前述R、G、B之各圖 -像資料產生供應給液晶顯示元件10之各像素電極的資料信號， 並提供給各場之前述液晶顯示元件1 〇之資料線1 5。 列驅動器55對應來自控制部57之控制信號，產生以對各場依 φ 序掃描液晶顯示元件1 〇之各閘極線1 4爲目的之閘極信號，並提 供給前述閘極線1 4。 控制部57會控制照明控制部56，控制設於照明裝置40而可發 出R、G、B之各色光的光源42r、42g、42b，使對應各色場之色 光源亮燈。 如第6圖所示，在以顯示1圖像爲目的之1圖框的1 /3之R場 的第1次重設期間，液晶顯示元件1 〇會選取全部閘極線1 4，並 從資料線15供應重設信號，對全部像素電極施加重設信號。其 次，在寫入期間，會依G1至Gn的順序選取各閘極線14，資料 - 20- 571166 線1 5會提供對應此閘極線1 4之選取的紅色R資料信號，並將資 料信號寫入各像素電極。將資料寫入至全部像素之寫入期間後的 _ 亮燈期間，照明裝置之紅色的R光源4 2 r會亮燈，而顯示紅色之 -R圖像。 其次之G場中，和前述R場相同，會先在重設期間內將重設信 號寫入全部像素電極後，在寫入期間會將綠色之G資料信號寫入 各像素電極，接著，在亮燈期間照明裝置之綠色的G光源42g會 売燈，而顯不綠色之G圖像。 同樣的，在B場中，會先在重設期間內將重設信號寫入全部像 素電極後，在寫入期間會將藍色之B資料信號寫入各像素電極，® 接著，在亮燈期間照明裝置之藍色的B光源42b會亮燈，而顯示 藍色之B圖像。 利用此方式，R場、G場、B場之各色場會依序顯示對應R、G 、B之各色光成份的圖像，各R、G、B色光成份在3個場的顯示 ，會因爲人類視覺的餘像現象而被合成，而被視爲1圖框之彩色 -圖像。 [第2實施例] 第7圖係本發明第2實施例使用之液晶顯示元件1 0的第1基 φ 板（後側基板）11的部份平面圖，此液晶顯示元件10亦爲場順序 液晶顯示裝置所使用之主動矩陣式液晶顯示元件。 本實施例之液晶顯示元件10具有將顯示1單位色光之各場之 全部像素部整體重設爲寫入狀態之複數重設用TFT 1 3R、將閘極 信號提供給前述複數重設用TFT13R之複數重設用閘極線14R、 以及將重設信號提供給前述複數重設用TFT13R之複數重設用資 料線15R，而相對於像素電極12，前述重設用TFT13R、閘極線 14R、及資料線15R會位於寫入用TFT13、閘極線14、及資料線 1 5之相反側。 - 21- 571166 又，本實施例之液晶顯示元件雖然具有重設用T F Τ 1 3 R、閘極 線1 4R、及資料線1 5R，其他構成則和前述第1實施例相同，故 圖中採用相同符號並省略重複說明。 前述複數之重設用TFT13R係和寫入用TFT13相同積層構造之 對稱形平面形狀，且由形成於後側基板Π之基板面上的閘極1 6R 、和寫入用TFT 1 3共用之閘極絕緣膜1 7、在閘極絕緣膜1 7上以 相對於前述閘極1 6R之方式形成的i型半導體膜1 8R、在此i型 半導體膜18R之通道區域的中央部上形成之阻塞絕緣膜19R、在 前述i型半導體膜18R之兩側部上藉由η型半導體膜20R形成之 源極21R及汲極22R、以及和前述寫入用TFT13共用之外覆絕緣 膜23構成之積層膜所構成。 又，前述複數重設用閘極線1 4R係利用和寫入用閘極線1 4相 同之金屬膜（鋁系合金膜）在後側基板11之基板面上形成，前述重 設用TFT13R之閘極16R則係和前述重設用閘極線14R —體形成 〇 本實施例中，將對應前述重設用閘極線14R之各像素電極I2 的部份當做前述重設用TFT13R之閘極16R，同時，前述i型半 導體膜18R、η型半導體膜20R、以及源極和汲極21R、22R會沿 著前述重設用閘極線14R之長度方向朝橫向形成，故重設用 TFT 13R係和寫入用TFT 13具有相同通道寬度的TFT。 另一方面，前述複數重設用資料線1 5 R，係在前述閘極絕緣膜 17上利用和寫入用及重設用TFT 13、13R之源極及汲極21、21R 、22、22R相同的金屬膜（鉻膜及在其上形成之鋁系合金膜的積層 膜）形成，前述重設用TFT 13R之汲極22R係和前述重設用資料線 15R爲一體形成，前述重設用TFT 13R之源極21 R則連接於連接 著源極21之緣部的相反側之緣部，而前述源極2 1係述後側基板 11之寫入用TFT13的源極21。 -22- 571166 又，本實施例中，前述後側基板Π之內面，在複數寫入用TFT 1 3 之一側、及複數重設用TFT 1 3 R —側，會以和前述寫入用及重設 用TFT13、TFT13R之配列間隔相同之間隔，分別形成複數隔件 支持部24,而前述隔件支持部24係由形成前述寫入用及重設用 TFT13、13R之前述積層膜當中之i型半導體膜18R、阻塞絕緣膜 19R、及η型半導體膜20R以外之其他膜的積層膜所構成。 本實施例中，位於前述寫入用TFT 1 3之一側的隔件支持部24 、及位於前述重設用TFT 13R之一側的隔件支持部24係分別利用 和前述寫入用及重設用閘極線1 4、1 4R、閘極絕緣膜1 7、前述寫 入用及重設用TFT13、13R之汲極22分別朝前述寫入用及重設用 閘極線14、14R上之部份延伸的延伸電極22Ra、以及前述外覆 絕緣膜23形成。 又，本實施例中，相對於像素電極12，寫入用TFT 1 3會設於 較靠近寫入用資料線15側，而重設用TFT 13R則會設於較靠近重 設用資料線15R側，利用此方式，可以將位於前述寫入用TFT 13 之一側的隔件支持部24設置於前述寫入用TFT 13及重設用資料 線15R之間的區域內，且可以將位於前述重設用TFT13R之一側 的隔件支持部24設置於前述重設用TFT13R及寫入用資料線15 之間的區域內。 其次，本實施例中，第3圖及第4圖所示前側基板3 1之內面（ 遮光膜33及相對電極32之積層膜上），會分別對應前述寫入用 TFT13之一側的隔件支持部24、及前述重設用TFT13R之一側的 隔件支持部24，形成具有相同高度之柱狀隔件34R，這些柱狀隔 件34R會經由覆蓋於前述柱狀隔件34R上之配向膜35，抵接設 於後側基板1 1內面之複數隔件支持部24R上的配向膜25面，而 固定基板間隔d。。

又，本實施例之液晶顯示元件具有重設用TFT 13R、閘極線14R -23 - 571166 、及資料線1 5R，在後側基板1 1內面之寫入用TFT 1 3的一側、 及重設用TFT 13R的一側會分別設置隔件支持部24、24R，同時 ，前側基板3 1內面會分別對應前述複數隔件支持部24、24R來 設置柱狀隔件34、34R，故可利用前述第1實施例之2倍數量的 柱狀隔件34、34R來固定基板間隔d。。

且在本實施例中，在前述後側基板1 1之內面，亦會避開像素 電極12、及寫入用及重設用TFT13、13R，以一定間隔（本實施例 中，此間隔和寫入用及重設用TFT13、13R之配列間隔相同）設置 複數之隔件支持部24、24R，而前述隔件支持部24、24R係由形 成前述TFT 13、13R之積層膜當中之i型半導體膜18、18R、阻 塞絕緣膜19、19R、及η型半導體膜20、20R以外之其他膜的積 層膜所構成，因爲在前側基板31之內面，以分別對應前述複數 隔件支持部24、24R之方式配置著固定成對基板1 1、3 1間隔之 複數柱狀隔件34、34R，故即使前述柱狀隔件34、34R之高度並 非極小，此利用柱狀隔件3 4、3 4R固定之基板間隔d。亦會較小， 故可以使前述複數像素電極1 2及相對電極32互相相對之複數像 素部的液晶層厚度d更小。

本第2實施例中，具有重設構成液晶顯示元件之各像素的重設 用TFT 13R。所以，在以顯示1圖像之3個場各自第1次重設的 期間，會選取前述重設用TFT13R的全部閘極線14R，並從重設 用資料線15R供應重設信號，對全部像素電極施加重設信號，然 後’實施各色場之資料信號的寫入。亦即，R場時，會對全部重 設用閘極線14R提供選擇信號，使全部重設用TFT 13R導通，並 從重設用資料線1 5R實施重設信號之選擇供應，對全部像素電極 施加重設信號。其次，在寫入期間，會依G1至Gn的順序選取各 閘極線1 4，資料線丨5會提供對應此閘極線1 4之選取的紅色R資 料信號’並將資料信號寫入各像素電極。將資料寫入至全部像素 -24- 571166 之寫入期間後的亮燈期間，照明裝置之紅色的R光源42r會亮燈 ’而顯不紅色之R圖像。 其次之G場中，和前述R場相同，會先在重設期間內經由重設 用TFT 13R將重設信號寫入全部像素電極，在其後之寫入期間， 會將綠色之G資料信號寫入各像素電極，接著，在亮燈期間照明 裝置之綠色的G光源42 g會亮燈，而顯示綠色之G圖像。 同樣的，在B場中，會先在重設期間內經由重設用TFT 13R將 重設信號寫入全部像素電極，在其後之寫入期間，會將藍色之B 資料信號寫入各像素電極，接著，在亮燈期間照明裝置之藍色的 B光源42b會亮燈，而顯示藍色之B圖像。 利用此方式，R場、G場、B場之各色場會依序顯示對應R、G 、B之各色光成份的圖像，各R、G、B色光成份在3個場的顯示 ，會因爲人類視覺的餘像現象而被合成，而被視爲1圖框之彩色 圖像。 又，前述第1及第2實施例中，柱狀隔件34、34R係設於前側 基板31之內面，然而，亦可將前述柱狀隔件34、3 4R分別設於 複數之隔件支持部24、24R上，前述複數隔件支持部24、24R則 係設於後側基板1 1之內面，然後使這些柱狀隔件34、34R抵接 前側基板3 1之內面，並利用此固定基板間隔dQ。 又，上述實施例之液晶顯示元件係液晶分爲同一方向之同質配 向的同質配向型液晶顯示元件，本發明亦可採用液晶分子爲扭轉 配向之TN(扭轉向列）型液晶顯示元件、或駐電極性或逆駐電性液 晶顯示兀件，又，並未限制爲場順序液晶顯示裝置，亦可適用於 顯示黑白圖像之液晶顯示裝置的液晶顯示元件。 [圖式之簡單說明] 第1圖係本發明第1實施例之液晶顯示裝置的槪略構成斜視圖 -25 - 571166 第2圖係本發明第1實施例之液晶顯示元件的部份放大平面圖 第3圖係第2圖液晶顯示元件之I π -111線的放大剖面圖。 第4圖係第2圖液晶顯示元件之IV-IV線的放大剖面圖。 第5圖係第1實施例液晶裝置之驅動電路方塊圖。 第6圖係第1實施例液晶顯示裝置之動作時序圖。 第7圖係使用於本發明第2實施例顯示裝置之液晶顯示元件的 部份放大平面圖。 [元件符號之說明] 10 液晶顯示元件 11 第1透明基板、後側基板 12 像素電極 13 TFT 13R 重設用TFT 14 聞極線 14R 重設用閘極線 15 資料線 15R 重設用資料線 16、 16R 閘極 17 閘極絕緣膜 18、 18R i型半導體膜 19、 19R 阻塞絕緣膜 20、 20R η型半導體膜 2卜 21 R 源極 22、 22R 汲極 22 a 、22R a 延伸電極 571166 24 隔件支持部 25 配向膜 31 第2透明基板、前側基板 32 相對電極 33 遮光膜 34、34R 柱狀隔件 35 液晶層、配向膜 36 液晶層 40 照明裝置 41 導光板 42 r、42 g、42 b 光源 51 資料轉換部 52 圖像記憶體 53 緩衝器 54 行驅動器 55 列驅動器 56 照明控制部 57 控制部

Claims (1)

1. 571166

   1.一種液晶顯示裝置，其特徵爲： 具有液晶顯示元件、光源、及控制裝置，前述液晶顯示元件 係具有： 成對基板，互相相對配置； 至少1個共用電極，形成於前述成對基板之相對內面的一方 內面上； 複數像素電極，形成於前述成對基板之相對內面的另一方內 面上，且以在和前述共用電極相對之區域形成各像素區域爲目 的； 複數主動元件，以對應前述複數像素電極之方式設置，且以 對前述像素電極供應對應圖像資料之資料信號爲目的； 液晶層，存在於前述成對基板間；以及 複數柱狀隔件，形成於前述成對基板之相對內面的其中一方 ，以固定前述成對基板間之液晶層厚度爲目的；且 依據施加於前述像素電極及前述共用電極間之電壓來控制前 述各像素區域之光透射， 前述光源係設於前述液晶顯示元件之觀察側的相反側，可選 擇性產生不同之複數色光， 前述控制裝置則係利用從前述主動元件對前述像素電極提供 資料信號’前述資料信號係對應1色光之圖像資料，而前述i 色光之圖像資料則對應前述光源產生之色光之一，利用此方式 ’會對前述液晶顯示元件之各像素電極及共用電極間施加對應 前述圖像資料之電壓，控制前述液晶顯示元件之各像素區域的 光透射’同時’使前述光源產生前述圖像資料之色光，並對前 述液晶顯示元件之各像素區域射出。 -28 - 571166 2 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中 前述液晶顯示元件之液晶層係由在前述成對之相對基板間使 液晶分子之長軸方向爲相同方向且無扭曲之配列的同質配向液 晶所構成。 3 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中 前述液晶顯示元件之液晶層厚度爲1.47 5〜2.2i/m之範圍。 4 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中 設置於前述液晶顯示元件之成對基板間的前述柱狀隔件，係 由感光性樹脂所構成，前述感光性樹脂則係對前述成對基板之 相對內面的其中一方形成之感光性樹脂膜實施光刻法之圖案化 而成。 5 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中 設置於前述液晶顯示元件之成對基板間的前述柱狀隔件，係 配置於前述液晶顯示元件之像素區域、及形成前述主動元件之 區域以外之前述相對之成對基板間。 6 .如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中 前述柱狀隔件係形成於前述成對基板當中設有前述像素電極 及前述主動元件之基板的內面。 7 ·如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中 前述柱狀隔件係形成於前述成對基板當中設有前述共用電極 之基板的前述內面。 8 ·如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中 前述成對基板當中設有前述共用電極之基板內面，進一步形 成遮光膜，前述遮光膜係以前述像素區域以外之區域的遮光爲 目的，且 前述柱狀隔件係形成於前述成對基板當中設有前述共用電極 之基板內面上之前述遮光膜及前述共用電極上。 571166 9 .如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中 前述柱狀隔件之形成上，係爲以一對一對應前述主動元件之 方式。 1 0 .如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中 前述成對基板中和形成前述柱狀隔件之第1基板相對的第2 基板上，相對於前述柱狀隔件之部份會突起，形成和前述柱狀 隔件相抵接之隔件支持部。 1 1·如申請專利範圍第1〇項之液晶顯示裝置，其中 前述柱狀隔件係形成於前述成對基板當中設有前述共用電極 之第1基板的內面， 前述隔件支持部則利用由主動元件之閘極絕緣膜、由源極或 汲極之一方延伸而成之延伸電極部、以及覆蓋前述主動元件之 包覆膜形成之積層膜，形成於前述成對基板當中設有前述像素 電極及前述主動元件之第2基板的內面。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示裝置，其中 前述隔件支持部係由主動元件之i-Si膜、：α-Si膜、以及阻塞 層以外之其他膜的積層膜所形成。 1 3 ·如申請專利範圍第1 〇項之液晶顯示裝置，其中 前述液晶顯示元件之液晶層厚度爲1.475〜2.2//m之範圍。 1 4 · 一種液晶顯示裝置，其特徵爲： 具有液晶顯示元件、光源、及驅動裝置，前述液晶顯示元件 係具有： 成對之第1及第2基板，互相相對配置； 至少1個共用電極，形成於前述第1基板之與第2基板之相 對內面上·， 複數像素電極，形成於前述第2基板之與第1基板相對之內 面上，且以在和前述共用電極相對之區域形成各像素區域爲目 571166 的； 複數主動元件，以對應前述複數像素電極之方式設置於前述 第2基板之內面，且以對前述像素電極供應對應圖像資料之資 · 料信號爲目的； 液晶層，存在於前述第1基板及第2基板間； 複數柱狀隔件，利用樹脂膜之圖案化形成於前述第1及第2 基板之相對內面的其中一方內面上，以固定前述第1及第2基 板間之液晶層厚度爲目的；以及 隔件支持部，對應前述柱狀隔件部份之前述第2基板面會形 成突起且分別和複數柱狀隔件相抵接；且 ^ 依據施加於前述像素電極及前述共用電極間之電壓來控制前 述各像素區域之光透射， 前述光源係設於前述液晶顯示元件之觀察側的相反側，可選 擇性產生不同之複數色光， ^ 前述驅動裝置則係經由前述主動元件對前述像素電極，提供 ' 資料信號，前述資料信號係對應1色光之圖像資料，而前述1 色光之圖像資料則對應前述光源產生之色光之一，利用此方式 ，會對前述液晶顯示元件之各像素電極及共用電極間施加對應 φ 前述影像資料之電壓，控制前述液晶顯示元件之各像素區域的 光透射’同時，使前述光源產生前述圖像資料之色光，並對前 述液晶顯示元件之各像素區域射出。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之液晶顯示裝置，其中 前述液晶顯示元件之液晶層厚度爲1 .475〜2.2//m之範圍。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置，其中 設置於前述液晶顯示元件之成對基板間的前述柱狀隔件，係 配置於前述液晶顯示元件之像素區域、及形成前述主動元件之 區域以外之前述第1基板及第2基板間。 - 3 1 - 571166 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置，其中 前述隔件支持部之形成上，係以由主動元件之閘極絕緣膜、 ^ 由源極或汲極之一方延伸而成之延伸電極部、以及覆蓋前述主 · 動元件之包覆膜形成之積層膜，形成於前述第2基板之內面。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置，其中 前述液晶顯示元件之液晶層，係位於前述第1基板及前述第 2基板之間，且由液晶分子之分子長軸朝向同一方向且無扭曲 之同質配向液晶所形成。 19.一種液晶顯示裝置，其特徵爲： 具有液晶顯示元件、光源、及驅動裝置，前述液晶顯示元件 ® 係具有： 成對之第1及第2基板，互相相對配置； 至少1個共用電極，形成於前述第1基板之與第2基板之相 對內面上； ^ 複數像素電極，形成於前述第2基板之與第1基板相對之內 面上，且以在和前述共用電極相對之區域形成各像素區域爲目 的； 複數寫入用主動元件，以分別對應前述複數像素電極之方式 φ 設置於前述第2基板之內面，且以對前述像素電極供應對應圖 像資料之資料信號爲目的； 複數重設用主動元件，以分別對應前述複數像素電極之方式 設置於前述第2基板之內面，且以對前述像素電極供應重設信 號爲目的； 液晶層，存在於前述第1基板及第2基板間； 複數柱狀隔件，利用樹脂膜之圖案化形成於前述第1及第2 基板之相對內面的其中一方內面上，以固定前述第1及第2基 板間之液晶層厚度爲目的；以及 -32 - 571166 隔件支持部，對應前述柱狀隔件部份之前述第2基板面會形 成突起且和前述柱狀隔件相抵接；且 ^ 依據施加於前述像素電極及前述共用電極間之電壓來控制前 - 述各像素區域之光透射， 前述光源係設於前述液晶顯示元件之觀察側的相反側，可選 擇性產生不同之複數色光， 前述驅動裝置則利用從前述重設用主動元件對前述像素電極 ，提供重設信號，在對前述液晶顯示元件之前述各像素電極及 前述共用電極間施加重設電壓後，會從前述寫入用主動元件對 提供資料信號，前述資料信號係對應1色光之圖像資料，而前 ® 述1色光之圖像資料則對應前述光源產生之色光之一，利用此 方式，會對前述各像素電極及共用電極間施加寫入電壓，控制 前述液晶顯示元件之各像素區域的光透射，同時，使前述光源 產生前述圖像資料之色光，並對前述液晶顯示元件之各像素區 < 域射出。 · 2〇 .如申請專利範圍第1 9項之液晶顯示裝置，其中 前述隔件支持部係分別設於前述第2基板內面之前述寫入用 主動元件之一側、及前述重設用主動元件之一側，且 φ 前述柱狀隔件配置於分別對應於前述第1基板及第2基板間 之前述隔件支持部的位置。 -33 -