JP4768152B2
(ja)
*
|
2000-09-01 |
2011-09-07 |
ダイセル化学工業株式会社 |
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
|
JP2002116542A
(ja)
*
|
2000-10-06 |
2002-04-19 |
Daicel Chem Ind Ltd |
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
|
JP2002357905A
(ja)
*
|
2001-03-28 |
2002-12-13 |
Sumitomo Chem Co Ltd |
レジスト組成物
|
US6927009B2
(en)
*
|
2001-05-22 |
2005-08-09 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Positive photosensitive composition
|
US6852468B2
(en)
|
2001-06-12 |
2005-02-08 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Positive resist composition
|
JP3912767B2
(ja)
*
|
2001-06-21 |
2007-05-09 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型感光性組成物
|
JP4262422B2
(ja)
*
|
2001-06-28 |
2009-05-13 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
US7192681B2
(en)
*
|
2001-07-05 |
2007-03-20 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Positive photosensitive composition
|
KR20030035823A
(ko)
*
|
2001-08-02 |
2003-05-09 |
스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 |
화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
|
JP3836359B2
(ja)
*
|
2001-12-03 |
2006-10-25 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
|
JP3803286B2
(ja)
*
|
2001-12-03 |
2006-08-02 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
|
JP3841399B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2006-11-01 |
富士写真フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物
|
US7015291B2
(en)
|
2002-04-01 |
2006-03-21 |
Daicel Chemical Industries, Ltd. |
Process for the production of high-molecular compounds for photoresist
|
JP4491503B2
(ja)
*
|
2003-06-18 |
2010-06-30 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP4439270B2
(ja)
*
|
2003-06-18 |
2010-03-24 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
TWI366067B
(en)
|
2003-09-10 |
2012-06-11 |
Fujifilm Corp |
Photosensitive composition and pattern forming method using the same
|
TWI375121B
(en)
|
2004-06-28 |
2012-10-21 |
Fujifilm Corp |
Photosensitive composition and method for forming pattern using the same
|
JP4714488B2
(ja)
*
|
2004-08-26 |
2011-06-29 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP4472586B2
(ja)
*
|
2005-06-20 |
2010-06-02 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
JP4796792B2
(ja)
|
2005-06-28 |
2011-10-19 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP4969916B2
(ja)
*
|
2006-05-25 |
2012-07-04 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
US8530148B2
(en)
|
2006-12-25 |
2013-09-10 |
Fujifilm Corporation |
Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
|
US8637229B2
(en)
|
2006-12-25 |
2014-01-28 |
Fujifilm Corporation |
Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
|
JP4554665B2
(ja)
|
2006-12-25 |
2010-09-29 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
|
JP4562784B2
(ja)
|
2007-04-13 |
2010-10-13 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
|
EP1980911A3
(en)
|
2007-04-13 |
2009-06-24 |
FUJIFILM Corporation |
Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
|
US8034547B2
(en)
|
2007-04-13 |
2011-10-11 |
Fujifilm Corporation |
Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
|
US8603733B2
(en)
|
2007-04-13 |
2013-12-10 |
Fujifilm Corporation |
Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method
|
US8476001B2
(en)
|
2007-05-15 |
2013-07-02 |
Fujifilm Corporation |
Pattern forming method
|
WO2008140119A1
(ja)
|
2007-05-15 |
2008-11-20 |
Fujifilm Corporation |
パターン形成方法
|
JP4783853B2
(ja)
|
2007-06-12 |
2011-09-28 |
富士フイルム株式会社 |
ネガ型現像用レジスト組成物を用いたパターン形成方法
|
JP4590431B2
(ja)
|
2007-06-12 |
2010-12-01 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法
|
US8632942B2
(en)
|
2007-06-12 |
2014-01-21 |
Fujifilm Corporation |
Method of forming patterns
|
US8617794B2
(en)
|
2007-06-12 |
2013-12-31 |
Fujifilm Corporation |
Method of forming patterns
|
US7851140B2
(en)
|
2007-06-12 |
2010-12-14 |
Fujifilm Corporation |
Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same
|
JP4617337B2
(ja)
|
2007-06-12 |
2011-01-26 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法
|
JP4919508B2
(ja)
*
|
2007-09-13 |
2012-04-18 |
株式会社ダイセル |
フォトレジスト用単量体、高分子化合物及びフォトレジスト組成物
|
JP5077355B2
(ja)
|
2007-10-01 |
2012-11-21 |
Jsr株式会社 |
感放射線性組成物
|
JP5806800B2
(ja)
|
2008-03-28 |
2015-11-10 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
|
TWI533082B
(zh)
|
2008-09-10 |
2016-05-11 |
Jsr股份有限公司 |
敏輻射性樹脂組成物
|
CN102150083B
(zh)
|
2008-09-12 |
2013-09-04 |
Jsr株式会社 |
放射线敏感性树脂组合物及抗蚀剂图案形成方法
|
JP5591465B2
(ja)
|
2008-10-30 |
2014-09-17 |
丸善石油化学株式会社 |
濃度が均一な半導体リソグラフィー用共重合体溶液の製造方法
|
JPWO2011125685A1
(ja)
|
2010-03-31 |
2013-07-08 |
Jsr株式会社 |
感放射線性樹脂組成物
|
JP5812006B2
(ja)
|
2010-09-29 |
2015-11-11 |
Jsr株式会社 |
感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法
|
CN112558409B
(zh)
*
|
2019-09-25 |
2022-05-20 |
常州强力先端电子材料有限公司 |
能够在i线高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂
|