TW557349B - Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication utilizing vent holes or gaps - Google Patents

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TW557349B
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Michael L Boroson
John Schmittendorf
Peter G Bessey
Jeffrey Peter Serbicki
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Eastman Kodak Co
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557349 A7 B7 五、發明説明（1 發明頜域 本發明係關於封裝電子裝置内部之濕度控制以及特別關 於具有多數高濕度敏感之電子裝置之高濕度敏感之電子裝 置元件以及其防止不成熟之裝置失效或是裝置效能不成熟 之衰減之製造方法。 在製造時’電子裝置通常藉由製造包含多數電子裝置之 大的基材而生產《這些基材通常選自由玻璃、塑膠、金屬 、陶瓷、矽以及其他半導體材料或是這些材料之組合組成 之群組。該等基材可以為剛性或是可彎曲以及可以處理為 獨立單元或是連續性捲狀物。用於製造多數電子裝置在大 的獨立基材上或是一連續性捲狀基材上之主要原因為藉由 減少處理、增加生產量以及增加良率以降低製造成本。在 微電子工業矽晶圓處理中已經由2吋晶圓增加為12吋晶圓而 造成顯著之成本降低。在液晶顯示器（LCD)工業玻璃基材處 理中已經由300 mm X 400 mm基材增加為600 mm X 700 mm 基材而具有相同之顯著成本降低結果。在高濕度敏感之電 子裝置，如有機發光裝置（OLED)、聚合物發光裝置、電荷 搞合裝置（CCD)感應器以及微電機感應器（MEMS)之製造中 ’相同的經濟規模為藉由製造具有多數高濕度敏感之電子 裝置之大的獨立基材或是連績性捲狀基材而達成。圖1Α顯 示一獨立基材10上包含多數高濕度敏感之電子裝置12之未 封裝之高濕度敏感之電子裝置元件14，以及圖1B為沿著圖 1A之切線1Β·1Β*取之該高濕度敏感之電子裝置元件14之 概要剖面圖。然而，製造具有多數高濕度敏感之電子裝置 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐)
裝 訂 557349 A7 B7 五、發明説明（2 ) -------- 之大的獨立基材或是連續性捲狀基材導致一問題，該問題 對於低濕度敏感之電子裝置不重要，因為高濕度敏感之電 子裝置製造期間必須防止縱使短期暴露於濕氣。 通吊電子裝置需要大約2500至5000以下之每百萬分之一 (ppm)範圍之濕度位準以防止裝置效能不成熟之衰減在裝置 之特疋操作及/或儲存壽命以内。一封裝裝置内之此濕度 粑圍之環境控制通常藉由封裝該裝置或是藉由密封該裝置 以及遮蓋物内之去濕而達成。去濕劑，例如分子篩濾材 料、二氧化矽膠化材料、以及普通參考為乾燥劑材料之材 料為用以維持該濕度位準於上述範圍内。在這些類型電子 裝置製造以及封裝期間短期暴露於大於25〇〇叩爪之濕度位 準不會造成裝置效能之可量測衰減。為此原因，這些類型 電子裝置之封裝在該等電子裝置與該啟始基材分離之後完 成。 在該等液晶顯示器製造中，該等電子以及該等液晶材料 製造中不是咼濕度敏感；所以，用於封裝該等電子以及該 等液晶材料之處理在製造期間不需要防止周圍濕度。圖2A 顯示分割為多數單一 LCD裝置之前之一典型多數LCD元件 28 ’以及圖2B為沿著圖2A之切線2B-2B所取之該多數LCD 元件28之概要剖面圖。在LCD製造中，該LCD後面板22以 及該LCD事面板24包含多數LCD裝置。該LCD後面板22以及 該LCD前面板24以密封材料20接合在一起，該密封材料20 圍繞各LCD裝置除了該密封材料20之一間隙以外。在該等 多數LCD元件28製造之後該等LCD裝置分離以及以液晶材 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 557349 A7 ___ B7 五、發明説明（3 ) 料充填。在充填該等LCD裝置之後，該密封材料2〇之間隙 以一間隙密封材料2 〇加以密封以保留該液晶材料以及保護 该專LCD後面板電子26以及該液晶材料免於受到潮濕。因 為LCD裝置不是高濕度敏感，所以該等多數lcd元件之分 離處理通常在沒有該等LCD裝置可量測衰減之周圍空氣環 境中執行。 特別高濕度敏感之電子裝置，例如，有機發光裝置 (OLED)或是面板、聚合物發光裝置、電荷耦合裝置（CCD) 感應器以及微電機感應器（MEMS)需要濕度控制至大約1〇〇〇 ppm以下以及某些需要濕度控制甚至在1〇〇 ppm以下之位準 。此種低位準以二氧化矽膠化材料以及普通乾燥劑材料之 去濕劑不可達成。假使為一相當高溫乾燥，分子篩濾材料 在一外殼内可以達成1 〇〇〇 ppm以下之濕度位準。然而，分 子篩濾材料在濕度位準為1〇〇〇 ppm或是1〇〇〇 ppm#下具有 相當低濕度容量，以及分子篩濾材料之最小可達成濕度位 準為一外殼内溫度之函數：吸收之濕度，例如在室溫，在 溫度循環至較高溫度，例如至l〇〇°C可以釋放至該外殼或是 封裝内。此種封裝裝置内使用之去濕劑包含金屬氧化物粉 末、驗土金屬氧化物、硫酸鹽、金屬鹵化物或是高氣酸鹽 ’也就是具有最小濕氣與高濕度容量之合意相當低均衡值 之材料。然而，此種材料與上述分子篩濾、二氧化矽膠化 或是乾燥劑材料比較經常相當緩慢地化學性吸收濕度。此 種與水蒸汽之相當緩慢反應隨著該去濕劑密封至一裝置遮 蓋物内部，由於例如一裝置内部上吸收之濕度、該密封裝 -6 - ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x 297公釐) " ----- 557349 A7 B7 五、發明説明（4 ) ~ 置内呈現之濕度蒸汽以及由外部周圍滲透穿過介於該裝置 與該遮蓋物之間之密封之濕度而導致可量測程度之裝置效 能衰減。除此以外，高濕度敏感之電子裝置甚至在製造以 及封裝期間通常不能暴露於大於1000 ppm之濕度位準，需 要控制該濕度位準直到該等裝置完全封裝為止。因為這些 原因’在製造以及封裝期間需要濕度位準控制以預防效能 衰減。 為降低一裝置内部上吸收或是該密封裝置内呈現之濕度 數量，南濕度敏感之電子裝置如有機發光裝置（0LED)或是 面板、聚合物發光裝置、電荷耦合裝置（CCD)感應器以及微 電機感應器（MEMS)經常密封在一低濕氣環境内，如濕氣位 準小於1000 ppm濕度之乾燥箱内。為確保該密封裝置内之 低濕度位準’這些高濕度敏感之電子裝置在任何額外之處 理步驟’如互連接合及模組組裝之前完全密封在該低濕度 環境内。為達成此低濕度密封，高濕度敏感之電子裝置電 荷搞合裝置（CCD)感應器以及微電機感應器（MEMS)通常在 與一多數元件基材或是晶圓分離之後以分離之遮蓋物元件 獨立密封為單一元件。其他裝置，有機發光裝置（〇LED)密 封為單一元件上之多數裝置；然而在當前製造方法中金屬 或是玻璃之獨立遮蓋物元件在分離之前用以密封各裝置。 圖3 A顯示包含一獨立基材1〇上之多數〇leD裝置32之一典型 多數OLED元件34，以獨立封裝外殼30以及密封材料2〇加以 封裝’以及圖3B為沿著圖3A之切線3B-3B所取之該多數 OLED元件34之概要剖面圖。密封高濕度敏感之電子裝置之 本紙張尺度通财關家標準(CNS) Μ規格(21qx 297公爱) 557349 A7 _________ B7 五、發明説明（5 ) 二當前方法需要顯著之處理位準以組裝該獨立遮蓋物元件 為一低濕度環境内之獨立裝置元件或是多數裝置元件。 為降低一相當低濕度環境内之多數高濕度敏感之電子裝 置元件封裝之獨立遮蓋物元件之處理，可以展望該LCD密 封方法之修正’其中介於該基材與該封裝外殼之間之密封 材料在接合之前沒有間隙。圖4A顯示包括該包含多數高濕 度敏感之電子裝置12之一基材10、封裝所有高濕度敏感之 電子裝置12之一單一封裝外殼3〇以及密封材料2〇之一高濕 度敏感之電子裝置元件14。此技術之問題在圖4A中概要顯 不’其中該密封材料20已經因為當該基材以及該封裝外殼 二者已經接觸該密封材料之後該基材1〇以及該封裝外殼3〇 移動至其預定間隔時產生之各密封區域内部之高氣體壓力 而損毀。此損毀通常出現為窄的密封寬度或是甚至該密封 之間隙，減少或是消除該等高濕度敏感之電子裝置之防護 。圖4B4沿著圖4A之切線4B-4B所取之高濕度敏感之電子 裝置元件14之概要剖面圖。所以，值得期待具有高濕度敏 感之電子裝置元件以及用於製造高濕度敏感之電子裝置元 件之一方法，該方法在製造以及封裝期間製造不會損毀保 護該等高濕、度敏感之電子裝置免於受到濕氣所需要之該等 密封。 發明背景 許多公開發行之刊物說明用於控制封閉或是封裝電子裝 置内之濕度位準之方法及/或材料。例如，Kawami等人之歐 洲專利申請案案號為第EP 0 776 147 A1號之申請案揭示封 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 557349 A7 ________B7 五、發明説明（6 ) 閉在包含該包括用於化學性吸收濕度之一固體混合物之一 乾燥物質之一密閉容器之一有機發光元件。該乾燥物質與 該有機發光元件分開以及該乾燥物質藉由真空蒸汽沈積、 濺鍍或是旋轉塗層以一預定形狀合併^ Kawami等人教導下 列去濕劑之使用：含鹼金屬氧化物、鹼土金屬氧化物、硫 酸鹽、金屬_化物或是高氣酸鹽。然而，Kawami等人沒有 教導具有多數密閉容器之一多數發光裝置元件以及用於製 造具有多數密閉容器之一多數發光裝置元件之方法。一多 數發光裝置元件之處理以及密封問題與解答，如在封裝期 間由於該密封區域内部之高氣體壓力之預防該密封損毀之 方法，Kawami等人沒有討論以及教導。
Shores之美國專利案第US-A-5,304,419號揭示封閉一電子 裝置之外殼之濕度及粒子吸收劑。該外殼之内部表面一部 份以包含一固體去濕劑之一壓力敏感膠黏劑塗層。 311〇代3之美國專利案第1；8-人-5,401，536號說明提供一電子 裝置之沒有濕度外殼之一方法，該外殼包含具有去濕性質 之一塗層或是膠黏劑。該塗層或是膠黏劑包括以聚合物散 佈之一質子化氧化鋁矽酸鹽粉末。 311〇代8之美國專利案第1^-八-5,591，379號揭示密封電子裝 置之一濕度吸收劑合成物。該合成物應用為一裝置封裝内 部表面之一塗層或是膠黏劑，以及該合成物包括已經散佈 之一水蒸氣可滲透之黏結劑，其中一去濕劑較佳地為一分 子篩濾材料。
Shores在這些專利案中沒有教導一多數裝置元件或是一方 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 557349 A7 ____ B7 i、發明説明（7 Γ —~ 法以提供一多數裝置元件之沒有濕度之外殼。
Booe之美國專利案第1；3-人-4,081，397號說明使用於穩定電 氣及電子裝置之電氣及電子性質。該合成物包括合成橡膠 矩陣之鹼土金屬氧化物。Booe沒有教導一多數裝置元件或 是使用於穩定一多數電氣及電子裝置元件之之電氣及電子 性質。
Inohara等人之美國專利案第uS-A-4,357,557號說明藉由用 於保護受環境影響之一對玻璃基材密封之一薄膜發光顯示 面板。該方法包含導入於該等玻璃基材之間之一保護性液 晶、定位於決定介於該對基材之間之間隔之間隔物、在真 空下由藉由該等基材定義之孔穴撤回空氣及氣體以及導入 該保護性液體至該孔穴内之該等基材之一基材内形成之注 入孔、調整為提供介於該等基材與該間隔物之間之接合之 膠黏劑、導入至該保護性液體内之一濕度吸收構件以及密 封該注孔_之一膠黏劑。In〇hara等人不教導具有多數密閉容 器之一多數發光裝置元件以及用於製造導具有多數密閉容 益之一多數發光裝置元件之方法。一多數發光裝置元件之 處理以及密封問題與解答，如預防該密封由於封裝期間該 密封區域内部高氣體壓力而產生損毁之方法，In〇hara等人 不讨論以及不教導。雖然該等基材之一基材之該等注入孔 之使用將藉由允許過量周圍氣體在封裝期間經由該等注入 孔退去而預防該密封之損毀，但是ln〇hara等人不教導用於 提供該等注入孔之目的。而是該等注入孔之目的為允許該 保護性液體導入由該等基材定義之孔穴内。 -10 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 557349 A7 B7 五、發明説明（8 )
Taniguchi等人之美國專利案第US-A-5,239,228號說明類似 Inohara等人用於保護一薄膜發光裝置之一方法，除了具有 該密封板之一溝槽以捕獲過量膠黏劑之額外態樣以外。此 溝槽亦可以包含一濕度吸收劑。Taniguchi等人亦不教導具 有多數密閉容器之一多數發光裝置元件以及用於製造導具 有多數密閉容器之一多數發光裝置元件之方法。一多數發 光裝置元件之處理以及密封問題與解答，如預防該密封由 於封裝期間該密封區域内部高氣體壓力而產生損毀之方法 ，Taniguchi等人亦不討論以及不教導。
Harvey三世等人之美國專利案第US-A-5,771，562號說明密 封地密封有機發光裝置之一方法，包括提供一有機發光裝 置在一基材上、以一無機介電材料薄膜過度塗層該有機發 光裝置以及在該介電材料之上密封地喷合該無機層之步驟 。Harvey三世等人不教導具有多數密閉容器之一多數〇led 裝置元件0及用於製造導具有多數密閉容器之一多數〇led 裝置元件之方法。雖然該無機介電層在該封裝處理期間可 以提供暫態之濕度保護，但是Harvey三世等人不教導此層 如何可以使用以製造導具有多數密閉容器之一多數〇led 置元件。 ~ B〇r〇s〇n等人之美國專利案第US_A_6,226，請號說明圍繞 一外殼内密封之一高濕度敏感之電子裝置之一環境去濕之 —方法，έ含選擇具有一粒子大小範圍0u2〇〇微米=固 艘粒子之-去濕劑。該去濕劑選擇為提供低於該密封外殼 内該裝置敏感之濕度位準之均衡最小濕度位準。選擇維ς •11 -
557349 A7 B7 五、發明説明（9 ) ~ --*一~- 或增強該去濕劑之濕度吸收率以用於混合其中所選擇去濕 劑之-黏結劑。該黏結劑可以為液相或是^ 一液體中溶^ 。-可洗鑄混合物形成為包含至少該去濕劑粒子以及該黏 結劑’該混合物較佳地具有該混合物之去濕劑粒子加權比 重為10%至9G%範圍。該混合物以—可量測量料在一外續 内部表面-部份上以形成該表面上之去濕層，該外殼具有 一密封凸緣。該混合物為固體化以形成一固體去濕層，以 及該電子裝置以該外殼沿著該密封凸緣加以密封。然而， Boroson等人不教導去濕圍繞多數外殼内密封之一多數高濕 度敏感之電子裝置之一環境之一方法。 發明總結 本發明之目的為提供具有高濕度敏感之電子裝置之高濕 度敏感之電子裝置元件以及該元件製造之一方法，其中該 方法預防該元件内之該等濕度敏感之電子裝置由於濕度之 損毀以及該元件之製造在當前技術之上簡化。 在一方面，此目的為藉由具有多數高濕度敏感之電子裝 置之一高濕度敏感之電子裝置元件達成，包括： a) 包含至少二高濕度敏感之電子裝置之一基材； b) 封裝該基材上所有高濕度敏感之電子裝置之一封裝外 殼； c) 位於該基材與該封裝外殼之間之密封材料以形成介於 該基材與各高濕度敏感之電子裝置周圍或是高濕度敏感之 電子裝置群組周圍之間之一完整密封；以及 d) 其中該基材或是封裝外殼，或是二者包含通孔以及通 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 557349 A7 __________B7 五、發明説明（10 ) 孔密封材料。 在另一方面，此目的為藉由製造一單一基材上具有複數 個高濕度敏感之電子裝置，如之〇LED裝置之高濕度敏感 之電子裝置元件之一方法達成，其中該等裝置在由該基材 分離之前防止濕度，包括下列步驟： a) 提供該基材上之各高濕度敏感之電子裝置或是各高濕 度敏感之電子裝置群組穿過該基材或是該封裝外殼或是 二者之一通孔；該密封材料將置放於該電子裝置周圍； b) 將該密封材料完全置放於該基材上各高濕度敏感之電 子裝置周圍或是各高濕度敏感之電子裝置群組周圍或是該 封裝外殼上之適當位置，以致於在密封之後該密封材料將 完整位於各高濕度敏感之電子裝置周圍或是各高濕度敏感 之電子裝置群組周圍； c) 配置該基材以及該封裝外殼，其中之一包含該密封材 料，相互緊密對齊鄰近但分離，以此對齊鄰近位置提供一 啟始周圍壓力； d) 提供介於該基材與該封裝外殼之間之相對運動直到該 密封材料接觸該基材與該封裝外殼為止，該基材與該封裝 外殼分離一預定範圍之内，以及過量周圍氣體經由該等通 孔退去； e) 接合該密封材料至該基材與該封裝外殼二者；以及 f) 密封該~等通孔。 如本發明之具有多數高濕度敏感之電子裝置之高濕度敏 感之電子裝置元件及其預防不成熟之裝置失效或是裝置效 -13- 本紙張尺度適财a a家標準(CNS) A4規格(21Gχ 297公复) 557349 A7 ___B7 五、發明説明) 能不成熟之衰減之製造方法提供先前技術方法之上之下列 優點：在分離為較小單一或是多數裝置元件之前藉由密封 一單一基材上所有高濕度敏感之電子裝置為具有封裝該基 材上之所有南濕度敏感之電子裝置之一單一封裝外殼之一 單一元件之裝置以及封裝外殼之減少之處理；在暴露於周 圍％境之刖之改良之濕度保護；高容積製造所需之與自動 化處理匹配之改良匹配性；與一低濕度環境内部處理之改 良匹配性；以及由於該高濕度敏感之電子裝置内部及外部 之壓力差異之封裝缺陷之降低。 圖式之簡簟說明 圖1A顯示一基材上包含多數高濕度敏感之電子裝置之未 封裝之高濕度敏感之電子裝置元件； 圖1B為沿著圖1A之切線1B-1B所取之高濕度敏感之電子 裝置元件概要剖面圖； 圖2A顯-示分割為多數單一 LCD裝置之前之一典型多數 LCD元件； 圖2B為沿著圖2A之切線2B-2B所取之該多數LCD元件概 要剖面圖； 圖3A顯示一典型獨立封裝之多數〇LED元件； 圖3B為沿著圖3A之切3B-3B所取之該多數OLED元件概要 剖面圖； 圖4A顯示包括由於超壓而具有損毀之一單一封裝外殼及 密封材料之一高濕度敏感之電子裝置元件； 圖4B為沿著圖4A之切線4B-4B所取之高濕度敏感之電子 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 557349 A7 ____B7 五、發明説明（12 ) 裝置元件概要剖面圖； 圖5A顯示包括該包含多數高濕度敏感之電子裝置、一單 一封裝外殼以及密封材料之一基材之高濕度敏感之電子裝 置元件； 圖5B為沿著圖5A之切線5B-5B所取之高濕度敏感之電子 裝置元件概要剖面圖； 圖6A顯示包括該包含多數高濕度敏感之電子裝置、一單 封裝外设、也、封材料、吸水材料以及一暫態防濕層之一 基材之高濕度敏感之電子裝置元件； 圖6B為沿著圖6A之切線6Β·6Β所取之高濕度敏感之電子 裝置元件概要剖面圖； 圖7Α顯示包括該包含多數高濕度敏感之電子裝置、無間 隙之密封材料以及與一封裝外殼緊密對齊鄰近但分離之各 濕、度敏感之電子裝置之穿越該基材之一通孔之一基材之高 濕度敏感冬電子裝置元件； 圖7Β為沿著圖7Α之切線7Β、C、D-7B、C、D所取之高濕 度敏感之電子裝置元件概要剖面圖； 圖7C為在該基材以及該封裝外殼相對一預定間隔運動之 後沿著圖7Α之切線7Β、C、D-7B、C、D所取之高濕度敏感 之電子裝置元件概要剖面圖； 圖7D為在密封該等通孔之後沿著圖7Α之切線78、（：、1> 7Β、C、D所取之高濕度敏感之電子裝置元件概要剖面圖； 圖8Α顯示包括該包含多數高濕度敏感之電子裝置以及與 一封裝外殼緊密對齊鄰近但分離之具有間隙之密封材料之 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 557349 A7 ___B7 五、發明説明（13 ) 一基材之高濕度敏感之電子裝置元件； 圖8B為沿著圖8A之切線8B、C所取之高濕度敏感之電子 裝置元件概要剖面圖； 圖8C為在該基材以及該封裝外殼相對於該基材接觸該基 材以及該封裝外殼之點運動之後沿著圖8A之切線8B、C所 取之南濕度敏感之電子裝置元件概要剖面圖； 圖8D顯不在該基材以及該封裝外殼相對一預定間隔運動 之後藉由散佈該密封材料而填滿該等間隙之包括該包含多 數南濕度敏感之電子裝置、密封材料、吸水材料以及一封 裝外殼之一基材之高濕度敏感之電子裝置元件；以及 圖8E為沿著圖8D之切線8E-8E所取之高濕度敏感之電子 裝置元件概要剖面圖。 凰式之田銳日 該術語’’高濕度敏感之電子裝置元件"利用為指定在該等 高濕度敏感之電子裝置製造期間或是製造完成之後，或是 在製造期間以及製造完成之後包含至少一高濕度敏感之電 子裝置之一元件。该術語”高濕度敏感之電子裝置"利用為 指定裝置效能之可量測衰減在濕度位準大於1〇〇〇卯瓜之周 圍環境為敏感之任何電子裝置。該術語"基材，，利用為指定 至少一南濕度敏感之電子裝置在上面製造之有機、無機或 是組合有機及無機固體。該術語"封裝外殼"利用為指定藉 由=止或是限制濕度滲透穿過該封裝外殼而用以防止至少 一雨濕度敏感之電子裝置潮濕之有機、無機或是組合有機 及無機固體。該術語"密封材料”利用為指定藉由防I或是 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 557349
裝 限制濕度滲透穿過該密封材料而用以接合封裝外殼至基材 以及防止至少一高濕度敏感之電子裝置潮濕之有機、無機 或是組合有機及無機材料。該術語”間隙”利用為指定圍繞 至少一南濕度敏感之電子裝置之密封材料之非連續性。該 術語"吸水材料”利用為指定用以物理性或是化學性吸收或 是反應將在其他方面損毀該等高濕度敏感之電子裝置之濕 度之無機材料。該術語"暫態防濕層”利用為指定用以在短 期暴露至濕度位準大於1000 ppm之周圍環境期間防止或是 限制濕度感應至该專南濕度敏感之電子裝置之損毀之有機 、無機或是組合有機及無機材料，其中短期通常為小於10 天。 現在參考圖5A,顯示如本發明之高濕度敏感之電子裝置 元件14之一具體實施例。一高濕度敏感之電子裝置元件 顯示為包括一基材1〇,包含多數高濕度敏感之電子裝置以 訂
線 、一單一谢裝外殼3〇用於封裝該基材1〇上之所有高濕度敏 感之電子裝置12以及圍繞各高濕度敏感之電子裝置12之密 封材料20，該密封材料20中沒有間隙。圖5]3為沿著圖5八之 切線5B-5B所取之高濕度敏感之電子裝置元件14之概要剖面 圖。在圖5A以及圖5B中，該高濕度敏感之電子裝置元件14 顯示包括四高濕度敏感之電子裝置12，但是本發明之該高 濕度敏感之電子裝置元件可以包括大於1之任何數目之高濕 度敏感之電子裝置。藉由以一單一封裝外殼封裝該基材10 上之所有高濕度敏感之電子裝置，達成較先前技術之以分 離封裝外殼分開封裝該基材上各高濕度敏感之電子裝置優
557349 A7 B7 五、發明説明（15 ) 良之減少處理優點。圖5A以及圖5B顯示之該基材1〇以及該 封裝外殼30可以為一有機固體、無機固體或是有機固體及 無機固體之組合。該基材以及該封裝外殼可以為剛性或是 可弯曲以及可以處理為分離之獨立件，如片或是晶圓或是 為連續性捲狀物。典型基材以及封裝外殼材料包含玻璃、 塑膠、金屬、陶瓷、半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、 金屬硫化物、半導體氧化物、半導體氮化物、半導體硫化 物、碳或是這些材料之組合。該基材以及該封裝外殼可以 為同質材料混合物、材料化合物或是多層材料。該基材、 該封裝外殼、或是二者包含通孔1〇〇以及通孔密封材料1〇2 。該通孔密封材料可以為與用以接合該基材以及該封裝外 设之該密封材料相同之材料，或是可以為不同之一封閉材 料。該通孔密封材料可以為有機、無機或是有機及無機之 組合。封閉材料之例子為膠黏劑、焊接劑、膠、以膠黏劑 接合之多層護膠以及以膠黏劑接合之無機遮蓋物。圖5八以 及圖5B顯示之該密封材料2〇圍繞各獨立之高濕度敏感之電 子裝置，但是假使最終產品需要一單一元件内之至少一高 濕度敏感之電子裝置時該密封材料可以圍繞至少二高濕度 敏感之電子裝置群組。除此以外，圍繞各高濕度敏感之電 子裝置或疋尚濕度敏感之電子裝置群組之該密封材料不包 隙以致於該高濕度敏感之電子裝置元件在分離為較小 單或疋夕數裝置元件之前為受到保護而免於潮濕。該密 ^料可以為有機、無機或是有機及無機之組合。該密封 材料可以藉由熔化及冷卻或是藉由反應固化而接合至該基 -18- 557349 A7 __B7 五、發明説明（^~' 材以及該封裝外殼。藉由溶化及冷卻而接合之典型材料包 含玻璃；熱熔化膠黏劑如聚烯類、聚酯類、聚醯胺 或是 其中之組合，或是無機焊接劑如銦、錫、銀、金或是其中 之組合。典型反應固化方法包含由熱、輻射如UV輻射、至 少二成分混合、暴露至周圍濕度、周圍氧之移除或是其中 之組合造成之反應。藉由反應固化而接合之典型材料包含 丙烯酸1、環氧樹脂、聚胺酯、矽或是其中之組合。該密 封材料使用之其他典型材料包含玻璃、陶瓷、金屬、半導 體、金屬氧化物、半導體氧化物或是這其中之組合。 現在參考圖6 A，顯示如本發明之高濕度敏感之電子裝置 元件14之另一具體實施例。一高濕度敏感之電子裝置元件 14顯示為包括一基材1〇，包含多數高濕度敏感之電子裝置 12、一單一封裝外殼30用於封裝該基材1〇上之所有高濕度 敏感之電子裝置12以及定義圍繞各高濕度敏感之電子裝置 12之空間文密封材料2〇，該密封材料2〇中沒有間隙、位於 該基材10與該封裝外殼3〇之間以及由該密封材料2〇定義之 空間内之吸水材料60以及各高濕度敏感之電子裝置12之上 塗層之暫態濕度保護層62。圖6B為沿著圖6A之切線6B-6B 所取之南濕度敏感之電子裝置元件丨4之概要剖面圖。該高 濕度敏感之電子裝置12、基材1〇、封裝外殼3〇以及密封材 料20之細節與圖5A以及圖5B顯示之具體實施例相同。亦且 如同圖5A以及圖5B顯示之具體實施例，該基材、該封裝外 殼、或是二者包含通孔丨〇〇以及通孔密封材料丨〇2 ^該通孔 以及該通孔密封材料之細節.與圖5a以及圖5B顯示之具體實 -19- 本紙張尺度適财國國家標準(CNS) A4規格(21GX 297公㈤-- 557349 A7 ___B7 五、發明説明（17 ) 施例相同。該吸水材料為用以物理性或是化學性地吸收或 反應將將在其他方面損毀該等高濕度敏感之電子裝置之濕 度。典型吸水材料包含含驗金屬氧化物、鹼土金屬氧化物 、硫酸鹽、金屬鹵化物、高氣酸鹽、分子篩濾材料以及具 有工作函數小於4.5 eV以及能夠在濕度呈現時氧化之金屬或 是其中之組合。吸水材料可以封裝在濕度可滲透之容器或 是膠合劑内。該吸水材料可以為一單一材料、同質材料混 合物、材料化合物或是多層材料。該暫態濕度保護層為用 以防止或是限制在短期暴露至濕度位準大於1〇〇〇 ppm之周 圍％丨兄期間濕度感應至該等局濕度敏感之電子裝置之損毀 。該暫態濕度保護層為有機材料、無機材料或是有機材料 及無機材料之組合。典型有機材料為環氧樹脂、聚胺酯、 尿素基、丙稀酸鹽、聚酿胺、聚亞胺薄膜、酚類、聚乙烯 本氧、5^諷類、聚婦類、聚醋類或是其中之組合。典型 無機材料包含玻璃、陶瓷、金屬、半導體、金屬氧化物、 金屬氮化物、金屬硫化物、半導體氧化物、半導體氮化物 、半導體硫化物、碳或是這些材料之組合。該暫態濕度保 護層可以為一單一材料、同質材料混合物、材料化合物或 是多層材料。 現在參考圖7A至7D ,顯示製造一單一基材上具有複數個 多數高濕度敏感之電子裝置如OLED裝置之高濕度敏感之電 子裝置元件之方法之具體實施例，其中該等裝置在由如本 發明之基材分離該等獨立裝置之前防止濕度。圖顯示一 高濕度敏感之電子裝置元件14,其包括一基材1〇,包含多 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 557349 A7 ____ B7 五、發明説明（18 ) 數高濕度敏感之電子裝置12、圍繞各高濕度敏感之電子裝 置12之密封材料20，該密封材料2〇中沒有間隙、以及與封 裝該基材10上之所有高濕度敏感之電子裝置12之一封裝外 殼30緊密對齊鄰近但分離之各濕度敏感之電子裝置之穿越 該基材之一通孔100。圖7B為沿著圖7A之切線7B、c、D-7B 、C、D所取之南濕度敏感之電子裝置元件14之概要剖面圖 。周圍壓力可以在大氣壓力之上、之下或是為大氣壓力。 該高濕度敏感之電子裝置12、基材1〇、封裝外殼3〇以及密 封材料20之細節與圖5A以及圖5B顯示之具體實施例相同。 在其他具體實施例中，在圖6A以及圖6B顯示之具體實施例 中詳細說明之該吸水材料60、暫態濕度保護層62或是二者 ，可以在該高濕度敏感之電子裝置12上或是在該封裝外殼 上塗層。在另一具體實施例中，該等通孔可以穿過該封裝 外殼或是穿過該基材以及該封裝外殼二者。圖7C為在該基 材10以及該封裝外殼3 0對該基材1 〇以及該封裝外殼3 〇分離 一預定間隔之一點相對運動90之後沿著圖7A之切線7B、C 、D-7B、C、D所取之高濕度敏感之電子裝置元件14之概要 剖面圖，過量周圍氣體已經經由該等通孔1〇〇退去，以及該 密封材料20已經接合至該基材1〇以及該封裝外殼3〇。因為 過量氣體可以經由該等通孔退去，所以圍繞該基材1 〇、該 封裝外殼30以及該密封材料20之周圍壓力等於介於該基材 10、該封▲外殼30以及該密封材料20之間定義之空間内之 壓力，因此防止該密封材料20之變形。接合該密封材料20 至該基材10以及該封裝外殼30二者可以藉由熔化及冷卻、 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 557349 A7 -------- B7 五、發明説明] -- 反應固化或是其中之組合而完成。該反應固化可以包含由 熱、輕射如UV輻射、至少二成分混合、暴露至周圍濕度、 周圍氧之移除或是或是其中之組合造成之反應。圖7D為以 5亥通孔密封材料密封該等通孔之後沿著圖7A之切線7B、C D 7Β C、D所取之高濕度敏感之電子裝置元件概要剖面 圖。在另一具體實施例中，該等通孔可以在該密封材料接 合至該基材以及該封裝主體之前或是期間加以密封。該通 孔密封材料之細節與圖5a以及圖沾顯示之具體實施例相同 。在完成圖7A至7D說明之方法之後，該等高濕度敏感之電 子裝置通常分割為獨立裝置或是具有一部份啟始基材之裝 置群組。 現在參考圖8A至8E，顯示製造一單一基材上具有複數個 多數高濕度敏感之電子裝置如〇LED裝置之高濕度敏感之電 子裝置元件之方法之具體實施例，其中該等裝置在由如本 發明之基射分離該等獨立裝置之前防止濕度。圖8a顯示一 咼濕度敏感之電子裝置元件14，其包括一基材1〇，包含多 數高濕度敏感之電子裝置12以及圍繞各高濕度敏感之電子 裝置12之密封材料20，該密封材料20中具有間隙、以及與 封裝該基材10上之所有高濕度敏感之電子裝置12之一封裝 外殼30緊密對齊鄰近但分離。圖8B為沿著圖8A之切線8B、 C-8B、C所取之高濕度敏感之電子裝置元件14之概要剖面圖 。周圍壓力可以在大氣壓力之上、之下或是為大氣壓力。 該高濕度敏感之電子裝置12、基材10、封裝外殼3〇以及密 封材料20之細節與圖5 A以及圖5B顯示之具體實施例相同。 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 557349 A7 __ _B7 五、發明説明（2Q~) ~ " 在其他具體實施例中，在圖6A以及圖6B顯示之具體實施例 中詳細說明之該吸水材料60、暫態濕度保護層62或是二者 ，可以在該高濕度敏感之電子裝置12上或是在該封裝外殼 上塗層。 圖8C為該基材1〇以及該封裝外殼3〇對該密封材料2〇接觸 該基材10以及該封裝外殼3〇之一點相對運動9〇之後沿著圖 8八之切線88、（：-88、（：所取之高濕度敏感之電子裝置元件 14之概要剖面圖。圖8D顯示該基材1〇以及該封裝外殼3〇之 間對一預定間隔範圍相對運動之後之一高濕度敏感之電子 裝置元件14，相對運動期間過量周圍氣體經由該等間隙逸 出直到該等間隙藉由散佈該密封材料而沖填以及該密封材 料20已經接合至該基材1〇以及該封裝外殼3〇之後為止。圖 8E為沿著圖8D之切線8E-8E所取之高濕度敏感之電子裝置 元件14之概要剖面圖。在此具體實施例中，該間隙大小選 擇為該間愧將在該基材以及該封裝外殼移至其最終預定間 隔範圍之步驟期間藉由該密封材料之散佈而沖填。因為過 量周圍氣體可以經由該間隙退去，所以介於該基材10、該 封裝外殼30以及該密封材料2〇之間定義之空間内相對於該 周圍壓力之壓力差降低為因此防止該密封材料2〇之變形。 接合該密封材料20至該基材1〇以及該封裝外殼30二者可以 藉由圖7A至7D之具體實施例說明之相同方法加以達成。在 完成圖8A至8E說明之方法之後，該等高濕度敏感之電子裝 置通常分割為獨立裝置或是具有一部份啟始基材之裝置群 組0 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 557349 A7 B7 五、發明説明（21 ) 例子 I.測試結構之架構 複數個相同測试結構措由下列處理順序加以製造： (1) 代表包含多數高濕度敏感之電子裝置之基材之玻璃 基材藉由在丙酮及異丙醇中超音速化以及在除去離子之水 中沖洗而加以潔淨； (2) 具有通孔或是沒有通孔以及包含藉由選擇性蚀刻之 該玻璃基材形成之孔穴之玻璃封裝外殼，在形成一吸水層 之前，藉由與上述步驟（1)說明相同的基材潔淨處理加以潔 淨； (3) 吸水層在該等玻璃封裝外殼之孔穴内加以形成以及 固化； (4) 密封材料完全置放於該封裝外殼上之各孔穴或是各 通孔及孔穴周圍； (5) 包含該密封材料之該基材以及該封裝外殼在大氣壓 力置放為相互緊密對齊鄰近但分離； (6) 提供介於該基材與該封裝外殼之間之相對運動直到 該密封材料接觸It基材與言线裝外殼二者以及該基材與該 封裝外殼分開20-30微米之間隔為止； ⑺該密封材料接合至該基材與該封裝夕卜殼以形成 試結構；以及 (8)該‘通孔，假使呈現時，以封閉材料加以密封。 Π.結果 該測試結構内之所有位置之封裝品質依據接合之後之密 -24-
557349 A7 B7 五、發明説明（22 ) " "一'一"- 封材料品質加以判斷。假使損毀由於該密封材料内部以及 外部壓力差而顯得明顯時，則該封裝品質等級為不良。假 使明顯沒有損毁時，則該封裝品質等級為優良。假使明顯 有輕微損毀時，則該封裝品質等級為尚可。所有具有通孔 之該等測试結構均具有等級為優良之封裝品質。所有沒有 通孔之該等控制測試結構均具有等級為不良之封裝品質。 本發明其他態樣包含下列態樣。 該高濕度敏感之電子裝置元件，其中該基材包含剛性或 是可彎曲··玻璃、塑膠、金屬、陶瓷、半導體、金屬氧化 物、金屬氮化物、金屬硫化物、半導體氧化物、半導體氮 化物、半導體硫化物、碳或是其中之組合。 該咼濕度敏感之電子裝置元件，其中該封裝外殼包含剛 性或是可彎曲：玻璃、塑膠、金屬、陶瓷、半導體、金屬 氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、半導體氧化物、半導 體化物、半導體硫化物、碳或是其中之組合。 该南濕度敏感之電子裝置元件，其中該密封材料為有機 '無機或是其中之組合，該密封材料為熔化及冷卻或是反 應固化。 該高濕度敏感之電子裝置元件，其中該反應固化包含由 熱、輕射、至少二成分混合、暴露至周圍濕度、周圍氣之 移除或是或是其中之組合造成之反應。 該高濕k敏感之電子裝置元件，其中該有機材料選自由 環氧樹脂、聚胺酯、丙稀酸鹽、石夕、聚酿胺、聚婦類以及 聚酯類或是其中之組合組成之群組。 -25-
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 557349 A7 _B7 發明説明（23^^ ~~ ---- 該咼濕度敏感之電子裝置元件，#中該無機材料選自由 玻璃、陶瓷、金屬、半導體、金屬氧化物、半導體氧化物 以及金屬焊接劑或是這其中之組合組成之群組。 該高濕度敏感之電子裝置元件，其中該吸水材料選自由 含鹼金屬氧化物'鹼土金屬氧化物、硫酸鹽、金屬_化物 、高氣酸鹽、分子篩濾材料以及具有工作函數小於4 5 ev以 及能夠在濕度呈現時氧化之金屬或是其中之組合組成之群 組。 该向濕度敏感之電子裝置元件，其中該密封材料或是其 他密閉材料為用以密封該等通孔。 ' 該兩濕度敏感之電子裝置元件，其中該密閉材料為有機 、無機或是其中之組合。 具有同濕度敏感之電子裝置之一高濕度敏感之電子裝置 元件，包括： a) 包含-至少二高濕度敏感之電子裝置之一基材，該基材 已經以一暫態濕度保護層加以塗層； b) 封裝該基材上所有高濕度敏感之電子裝置之一封裝外 殼； ^ c) 位於該基材與該封裝外殼之間之密封材料以形成介於 該基材與各高濕度敏感之電子裝置周圍或是高濕度敏感之 電子裝置群組周圍之間之一完整密封；以及 d) 其中該基材或是封裝外殼，或是二者包含通孔以及通 孔密封材料。 該高濕度敏感之電子裝置元件，其中該基材包含剛性或 -26 - 557349 A7 B7 五、發明説明（24 ) 是可彎曲：玻璃、塑膠、金屬、陶瓷、半導體、金屬氧化 物、金屬氮化物、金屬硫化物、半導體氧化物、半導體氮 化物、半導體硫化物、碳或是其中之組合。 該南濕度敏感之電子裝置元件’其中該封裝外殼包含剛 性或是可彎曲：玻璃、塑膠、金屬、陶瓷、半導體、金屬 氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、半導體氧化物、半導 體氮化物、半導體硫化物、碳或是其中之組合。 該高濕度敏感之電子裝置元件，其中該密封材料為有機 材料、無機材料或是其中之組合，該密封材料為熔化及冷 卻或是反應固化。 該高濕度敏感之電子裝置元件，其中該反應固化包含由 熱、輻射、至少二成分混合、暴露至周圍濕度、周圍氧之 移除或是其中之組合造成之反應。 該高濕度敏感之電子裝置元件，其中該有機材料選自由 環氧樹脂―、聚胺酯、丙烯酸鹽、矽、聚醯胺、聚烯類以及 聚酯類或是其中之組合組成之群組。 該高濕度敏感之電子裝置元件，其中該無機材料選自由 破璃、陶瓷、金屬、半導體、金屬氧化物、半導體氧化物 以及金屬焊接劑或是其中之組合組成之群組。 該高濕度敏感之電子裝置元件，其中該暫態濕度保護層 為有機材料、無機材料或是其中之組合。 該高濕i敏感之電子裝置元件，其中該有機材料選自由 環氧樹脂、聚胺酯、尿素基、丙烯酸鹽、矽、聚醯胺、聚 亞胺薄膜、酚類、聚乙烯、苯氧、聚颯類、聚烯類以及聚 -27- ^適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董)
裝 訂
终 557349 A7
酯類或是其中之組合組成之群組。 該高濕度敏感之電子裝置元件，其中該無機材料選自由 玻璃、陶£、金屬、半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、 金屬硫化物半導體氧化物、半導體氮化物、半導體硫化 物、碳或是這些材料之組合組成之群組。 δ 亥南濕度敏感之電子裝置元件，其中該密封材料或是其 他密閉材料為用以密封該等通孔。 該同濕度敏感之電子裝置元件，其中該密閉材料為有機 、無機或是其中之組合。 製造一單一基材上具有多數高濕度敏感之電子裝置，如 之OLED裝置之高濕度敏感之電子裝置元件之一方法，其中 该等裝置在由該基材分離之前受到保護免於潮濕，包括下 列步驟： a) 提供該基材上之各高濕度敏感之電子裝置或是各高濕 度敏感之！子裝置群組穿過該基材或是該封裝外殼，或是 二者之一通孔；該密封材料將置放於該電子裝置周圍； b) 將該密封材料完全置放於該基材上各高濕度敏感之電 子裝置周圍或是各高濕度敏感之電子裝置群組周圍或是該 封裝外殼之適當位置，以致於在密封之後該密封材料將完 整位於各高濕度敏感之電子裝置周圍或是各高濕度敏感之 電子裝置群組周圍； c) 配置該基材以及該封裝外殼，其中之一包含該密封材 料，相互緊密對齊鄰近但分離，以此對齊鄰近位置提供一 啟始周圍壓力； -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公釐) 557349 A7 B7 五、發明説明（％ ) d) 提供介於該基材與該封裝外殼之間之相對運動直到該 密封材料接觸該基材與該封裝外殼為止，該基材與該封裝 外殼分離一預定範圍之内，以及過量周圍氣體經由該等通 孔退去； e) 接合該密封材料至該基材與該封裝外殼二者；以及 f) 密封該等通孔。 該方法，其中該密封材料或是其他密閉材料為用以密封 該等通孔。 該方法，其中該密閉材料為有機、無機或是其中之組合。 該方法，其中該接合步驟藉由熔化及冷卻、反應固化或 是其中之組合加以完成。 該方法，其中該反應包含由熱、輻射、至少二成分混合 、暴露至周圍濕度、周圍氧之移除或是其中之組合造成之 反應。 該方法其中該基材包含剛性或是可彎曲：玻璃、塑膠 、金屬、陶瓷、半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬 硫化物、半導體氧化物、半導體氣化物、半導體硫化物、 碳或是其中之組合。 該方法，其中該封裝外殼包含剛性或是可:玻璃、 塑膠、金屬、陶曼、半導體、金屬氧化物、金屬氣化物、 金屬硫化物、半導體氧化物、半導體氣化物、半導體硫化 物、碳或是其中之組合。 該方法’其中該密封材料為有機材料、無機材料或是其 中之組合。
557349 A7 ______ B7 _ 五、發明説明（27 ) 該方法’其中該有機材料選自由環氧樹脂、聚胺酯、丙 稀酸鹽 '矽、聚醯胺、聚烯類以及聚酯類或是其中之組合 組成之群組。 該方法，其中該無機材料選自由玻璃、陶瓷、金屬、半 導體、金屬氧化物、半導體氧化物以及金屬焊接劑或是其 中之組合組成之群組。 該方法尚包含將該高濕度敏感之電子裝置分割為獨立裝 置或是具有一部份啟始基材之裝置群組之步驟。 該方法尚包含以暫態濕度保護層塗層包含至少二高濕度 敏感之電子裝置之一基材；或是塗層一吸水材料在該基材 上或是該封裝外殼上，以致於在接合之後，該吸水材料將 位於各高濕度敏感之電子裝置内或是各高濕度敏感之電子 裝置之群組内；或是塗層該暫態濕度保護層以及該吸水材 料二者之步驟。 該方法-，其中該吸水材料選自由含鹼金屬氧化物、鹼土 金屬氧化物、硫酸鹽、金屬鹵化物、高氣酸鹽、分子篩濾 材料以及具有工作函數小於4.5 eV以及能夠在濕度呈現時氧 化之金屬或是其中之組合組成之群組。 該方法，其中該暫態濕度保護層為有機材料、無機材料 或是其中之組合。 該方法，其中該有機材料選自由環氧樹脂、聚胺酯、尿 素基、丙烯酸鹽、矽、聚醯胺、聚亞胺薄膜、酚類、聚乙 烯、苯氧、聚砜類、聚烯類以及聚酯類或是其中之組合組 成之群組。 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 557349 A7 B7
五、發明説明（M 該方法，其中該無機材料選自由玻璃、陶瓷、金屬、半 導體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、半導體氣 化物、半導體氮化物、半導體硫化物、碳或是這些材料之 組合組成之群組。 製造一單一基材上具有多數高濕度敏感之電子裝置，如 之OLED裝置之高濕度敏感之電子裝置元件之一方法，其 中該等裝置在由該基材分離之前防止濕度，包括下列步驟·· a) 將该Φ封材料置放於該基材上各高濕度敏感之電子裝 置周圍或是各高濕度敏感之電子裝置群組周圍或是該封裝 外殼之適當位置，保留至少一位置其中具有一間隙不為該 密封材料遮蓋； b) 配置該基材以及該封裝外殼，其中之一包含該密封材 料’相互緊密對齊鄰近但分離，以此對齊鄰近位置提供一 啟始周圍壓力； c) 提供-介於該基材與該封裝外殼之間之相對運動直到該 密封材料接觸該基材與該封裝外殼為止，該基材與該封裝 外殼分離一預定範圍之内，以及過量周圍氣體經由該等通 孔退去直到該等間隙藉由散佈該密封材料而充填為止；以及 d) 接合該密封材料至該基材與該封裝外殼二者。 該方法，其中該接合步驟藉由熔化及冷卻、反應固化或 是其中之組合加以完成。 该方法’其中該反應包含由熱、輻射、至少二成分混合 、暴露至周圍濕度、周圍氧之移除或是其中之組合造成之 反應。 -31 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
装 訂
557349 A7 B7 五、發明説明（ 29 该方法，其中該基材包含剛性或是可彎曲：玻璃、塑膠 、金屬、陶瓷、半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬 硫化物、半導體氧化物、半導體氮化物、半導體硫化物、 碳或是其中之組合。 該方法，其中該封裝外殼包含剛性或是可彎曲··玻璃、 塑膠、金屬、陶瓷、半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、 金屈硫化物、半導體氧化物、半導體氮化物、半導體硫化 物、碳或是其中之組合。 該方法，其中該密封材料為有機材料、無機材料或是其 中之組合。 該方法’其中該有機材料選自由環氧樹脂、聚胺酯、丙 烯酸鹽、矽、聚醯胺、聚烯類以及聚醋類或是其中之組合 組成之群組。 該方法，其中該無機材料選自由玻璃、陶瓷、金屬、半 導體、金屬氧化物、半導體氧化物以及金屬焊接劑或是其 中之組合組成之群組。 該方法尚包含將該高濕度敏感之電子裝置分割為獨立裝 置或是具有一部份啟始基材之裝置群組之步驟。 該方法尚包含以暫態濕度保護層塗層包含至少二高濕度 敏感之電子裝置之一基材；或是塗層一吸水材料在該基材 上或是該封裝外殼上之該基材上或是該封裝外殼上適當位 置，以致^在接合之後，該吸水材料將位於各高濕度敏感 之電子裝置内或是各高濕度敏感之電子裝置之群組内；或 是塗層該暫態濕度保護層以及該吸水材料二者之步驟。 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
裝 訂
殊· 557349 A7 ___ B7 五、發明説明（3〇 ) 該方法，其中該吸水材料選自由含鹼金屬氧化物、驗土 金屬氧化物、硫酸鹽、金屬鹵化物、高氣酸鹽、分子篩濾 材料以及具有工作函數小於4·5 eV以及能夠在濕度呈現時氧 化之金屬或是其中之組合組成之群組。 »亥方法’其中該暫態濕度保護層為有機材料、無機材料 或是其中之組合。 該方法，其中該有機材料選自由環氧樹脂、聚胺酯、尿 素基、丙烯酸鹽、矽、聚醯胺、聚亞胺薄膜、酚類、聚乙 缚、笨氧、聚颯類、聚烯類以及聚酯類或是其中之組合組 成之群組。 該方法，其中該無機材料選自由玻璃、陶瓷、金屬、半 導體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、半導體氧 化物、半導體氮化物、半導體硫化物、碳或是這些材料之 組合組成之群組。 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公

Claims (1)

  1. 557349 A8 B8 C8 ______ D8 六、申請專利範園 1· 一種具有高濕度敏感之電子裝置之高濕度敏感之電子裝 置元件，包括： a) 包含至少二高濕度敏感之電子裝置之一基材； b) 封裝該基材上所有高濕度敏感之電子裝置之一封裝 外殼； c) 位於該基材與該封裝外殼之間之密封材料以形成介 於該基材與各高濕度敏感之電子裝置周圍或是高濕度敏 感之電子裝置群組周圍封裝外殼之間之一完整密封；以 及 d) 其中該基材或是封裝外殼，或是二者包含通孔以及 通孔密封材料。 2 ·如申請專利範圍第1項之高濕度敏感之電子裝置元件， 其中該基材包含剛性或是可彆曲：玻璃、塑膠、金屬、 陶瓷、半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物 、半導-體氧化物、半導體氮化物、半導體硫化物、碳或 是其中之組合。 3·如申請專利範圍第1項之高濕度敏感之電子裝置元件， 其中該封裝外殼包含剛性或是可彎曲：玻璃、塑膠、金 屬、陶瓷、半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫 化物、半導體氧化物、半導體氮化物、半導體硫化物、 碳或是其中之組合。 4.如申請專利範圍第1項之高濕度敏感之電子裝置元件， 其中該密封材料為有機材料、無機材料或是其中之組合 ’該密封材料為熔化及冷卻或是反應固化。 -34- 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 如申明專利範圍第4項之高濕度敏感之電子裝置元件， :中該反應固化包含由熱、輻射、至少二成分混合、暴 露至周圍濕度、周圍氧之移除或是其中之組合造成之反 應。 6如申明專利範圍第4項之高濕度敏感之電子裝置元件， 其中該有機材料選自由環氧樹脂、聚胺酯、丙烯酸鹽、 矽、聚醯胺、聚烯類以及聚酯類或是其中之組合組成之 群組。 7·如申請專利範圍第4項之高濕度敏感之電子裝置元件， 其中該無機材料選自由玻璃、陶瓷、金屬、半導體、金 屬氧化物、半導體氧化物以及金屬焊接劑或是其中之組 合組成之群組。 8·如申請專利範圍第1項之高濕度敏感之電子裝置元件， 其中該密封材料或是其他密閉材料為用以密封該等通孔。 9·如申請-專利範圍第1項之高濕度敏感之電子裝置元件， 其中該密閉材料為有機、無機或是其中之組合。 10· —種具有高濕度敏感之電子裝置之高濕度敏感之電子裝 置元件，包括： a) 包含至少二高濕度敏感之電子裝置之一基材； b) 封裝該基材上之所有高濕度敏感之電子裝置之一封 裝外殼； c) 位於該基材與該封裝外殼之間之密封材料以形成介 於該基材與該封裝外殼之間、以及各高濕度敏感之電子 裝置周圍或是高濕度敏感之電子裝置群组周圍之一空間 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 557349 8 8 8 8 A B c D 申請專利範圍 之一完整密封； d) 位於該基材與該封裝外殼之間以及位於藉由該密封 材料定義之空間内之吸水材料；以及 e) 其中該基材或是封裝外殼，或是二者包含通孔以及 通孔密封材料。 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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