JP3414663B2 - 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる基板フレーム - Google Patents
半導体装置の製造方法およびそれに用いられる基板フレームInfo
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Description
造方法およびそれに用いられる基板フレームに関し、特
にプッシュバック基板を用いた半導体装置の製造方法お
よびその基板フレームに関する。
ックと呼ばれる技術を用いて半導体装置を製造する技術
がある。
ら配線基板をあらかじめ打ち抜き、この打ち抜かれた配
線基板を、元の位置に押し戻すことである。
する際に従来は、プッシュバックされた基板に半導体素
子を搭載、電気的な接続を行い、樹脂にて封止し、その
後、基板フレームから配線基板を取り外すという工程を
行っていた。
ッシュバック基板を用いた半導体装置の製造方法では、
配線基板は基板フレームに摩擦力のみで保持されている
ために、半導体装置の組立工程において脱落しやすいと
いう課題があった。
に本発明では、配線パターンの形成された複数の配線基
板領域を備えた基板フレームの、配線基板領域に沿って
この配線基板を打ち抜いて複数の配線基板を形成し、配
線基板の打ち抜かれた基板フレームの、配線基板の打ち
抜かれた側面に接する切欠き部を形成し、配線基板を基
板フレームにプッシュバックし、配線基板上に半導体素
子を搭載し、配線パターンと電気的に接続し、半導体素
子を樹脂封止するとともに、切欠き部に樹脂を注入し、
配線基板を基板フレームから外す工程とを施すことによ
り半導体装置を製造する。
の第1の実施形態について説明する。
は、配線パターンの形成された配線基板2が形成されて
いる。この配線基板2と基板フレーム1との境界にはプ
ッシュバックライン3が設けられている。配線基板2の
コーナー部にはそれぞれ樹脂10を充填するための切欠
き部11が設けられている。
なわち、切欠き部の部分を拡大した図である。この図1
(b)に示すように、配線基板2と切欠き部11との間
には切欠き部11へ樹脂を導入するための樹脂導入経路
12が設けられている。
基板フレーム1から外し、個片の半導体装置となった状
態を示す図であり、図1(d)はその断面図を示してい
る。
導体素子8が搭載され、その電極と配線基板上に形成さ
れた図示しない配線とは導電ワイヤ9で接続され、これ
らは樹脂10により封止されている。
は、まず図2に示すように、配線基板領域のコーナー部
に対応する領域に切欠き部11を形成した後、図3に示
す金型により行われる。図3において、金型は、ダイ
4、プッシュバックパンチ5、パンチ6、パンチガイド
7により構成される。
ンチガイド7により基板フレーム1を固定し、その後、
図3(b)に示すようにプッシュバックパンチ5とパン
チ6とにより切断箇所を保持したまま配線基板領域を切
断する。切断された配線基板領域は図3(c)に示され
るように、プッシュバックパンチ5とパンチ6とに保持
されたまま基板フレーム1の元の位置に押し戻される。
に、図1(d)の断面図に示されるように半導体素子8
を搭載し、その半導体素子8の電極と、配線基板2上の
図示しない配線とを導電ワイヤ9により接続する。配線
基板2上に搭載された半導体素子8は、樹脂10にて封
止される。樹脂10にて封止する際に、この樹脂10の
端部は、配線基板2の端部とほぼ一致して形成される。
に、図1(a)に示すように、基板フレーム1の配線基
板2と接する領域に形成された切欠き部11にも注入さ
れる。
止する樹脂と切欠き部との間には切欠き部11へ樹脂を
導入するための樹脂導入経路12が設けられている。こ
の切欠き部11への樹脂の注入は、図示しない金型のキ
ャビティ内に導入された樹脂が、金型に設けられた樹脂
導入経路12に対応する溝を介して切欠き部11に導入
されることにより行われる。
に充填された樹脂とともに基板フレーム1から外され、
図1(c)に示される半導体装置を得る。
力に加えて切欠き部11に注入された樹脂11による接
着力によっても基板フレーム1に支持されている。この
ため、組立工程において十分な保持力を得ることができ
るので、組立工程において基板フレームから配線基板が
抜け落ちることを防止できる。
4および図5を参照しながら説明する。
で示した領域22にプッシュバックが施されている。こ
のプッシュバックは第1の実施形態の図2で説明した配
線基板部分をプッシュバックする時と同様の方法で行
う。
領域22は配線基板23の周囲に設けられる。図4で
は、プッシュバック領域22を形成した後に、配線基板
23上に図示しない半導体素子を搭載し、これを配線基
板の配線に電気的に接続し、樹脂24で封止した状態を
示している。この樹脂24は配線基板23の端部と略同
一に形成される。
バック領域22を取り外し、配線基板23が支持部25
により基板フレーム21に支持されている構成を得る。
5を切断し、配線基板23を基板フレーム21から分離
させる。
けるA部における切断工程を説明する拡大図であり、支
持部25における、点線26で囲まれた領域をパンチダ
イにより打ち抜くことにより配線基板23を基板フレー
ム21から分離させる。
め配線基板23の周囲にプッシュバック領域を設け、樹
脂封止した後にプッシュバック領域22を取り外し、支
持部25を切断している。このため、組立工程において
配線基板23が基板フレーム21から脱落することを防
止することができる。
線基板の保持力が大幅に向上し、組立工程において、配
線基板が基板フレームから脱落することを防止すること
ができる。
Claims (4)
- 【請求項1】 配線パターンの形成された複数の配線基
板領域を備えた基板フレームの、前記配線基板領域に沿
ってこの配線基板を打ち抜いて複数の配線基板を形成す
る工程と、 前記配線基板の打ち抜かれた基板フレームの、前記配線
基板の打ち抜かれた側面に接する切欠き部を形成する工
程と、 前記配線基板を前記基板フレームにプッシュバックする
工程と、 前記半導体基板上に半導体素子を搭載し、前記配線パタ
ーンと電気的に接続する工程と、 前記半導体素子を樹脂封止するとともに、前記切欠き部
に樹脂を注入する工程と、 前記配線基板を前記基板フレームから外す工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記切欠き部は、打ち抜かれた前記配線
基板のコーナー部に対応する領域に形成されることを特
徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 配線パターンの形成された複数の配線基
板領域を備えた基板フレームの、前記配線基板領域の外
側に位置する複数の領域の基板フレーム部材を打ち抜
き、該打ち抜かれた複数の基板フレーム部材を前記基板
フレームにプッシュバックする工程と、 前記配線基板上に半導体素子を搭載し、前記配線パター
ンと電気的に接続する工程と、 前記半導体素子を樹脂封止する工程と、 前記プッシュバックされた基板フレーム部材を前記基板
フレームから外す工程と、前記基板フレームにおける前記配線基板領域を支持する
支持部を打ち抜いて 前記配線基板を前記基板フレームか
ら分離する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 配線パターンが形成された複数の配線基
板領域と、この配線 基板領域の周囲に設けられた複数の
プッシュバック領域と、この複数のプッシュバック領域
の外側に設けられた本体領域と、前記複数のプッシュバ
ック領域に挟まれ、前記本体領域と前記配線基板領域と
に連結された支持部とを備えたことを特徴とする基板ク
レーム。
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