TW550112B - Method for processing perfluorocarbon, and apparatus therefor - Google Patents

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Kazuyoshi Irie
Toshihiro Mori
Hisao Yokoyama
Takayuki Tomiyama
Toshihide Takano
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Hitachi Ltd
Hitachi Eng Co Ltd
Hitachi Kyowa Eng Co Ltd
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Description

550112 A7 —_____B7_____ 五、發明說明（！） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於一種過氟化物之處理方法及其處理裝 置’特別是有關於處理適用包含在半導體製造工廠排氣中 的過氟化物（簡稱P F C )的最適當之過氟化物之處理方 法及其處理裝置。 半導體製造過程係於乾式蝕刻工程中於鈾刻氣體中使 用C F 4等的C V D工程中於洗淨氣體中使用C 2 F 6等對 人體無害，無爆炸性處理容量的P F C氣體。該些P F C 氣體導入蝕刻裝置或是C V C裝置後，利用高電壓等離子 放電而電離，在活性自由基狀態進行晶圓蝕刻或者是洗淨 。但實際上蝕刻及洗淨所消耗的P F C氣體量爲數至數十 v ο 1 %。殘餘的P F C氣體量則依然未反應的排出系外 由於氟原子的原子半徑小、結合力強，故其化合物的 PFC具有穩定的物性。PFC包含有不含氯的FC (氟 化碳）及H F C (氫氟化碳）的氟氯烷、以及三氟化氮（ NF 3)及六氟化硫（S F 6)等的過氟化物。P F C的主 要物質、該些物性及利用狀況表示在表1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因P F C並不含氯，分子構造爲壓製品結合力也強， 所以可長時間穩定地存在大氣中。例如C F 4壽命長 50 ，〇〇〇年、C2F6長1〇，〇〇0年、SF6長 3，2 0 0年。但P F C溫室係數大。與C〇2比較C F 4 爲 6 · 500 倍、C2F6 爲 9，200 倍、3?6爲 23，900倍。因此，PFC比造成地球溫室原因而要 求削減的C〇2所釋放的釋放量還少，近來P F C的釋放必 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550112 A7 _B7_ 五、發明說明（2 ) 然受到限制。此情形下，佔現在p F C釋放量大半的半導 體製造工廠內的排氣對策變重要。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550112 A7 B7 五、發明説明3() 表1一 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
No. PFC氣體 氣體物性 曰本消耗量 主要用途 溫室 大氣中爵命 毒性、 係數 (年） 反應性 1 CF4 6,300 50,000 非燃性 3〇〇 噸 /年(’94) 蝕刻氣體:75% (氟氯烷14) 低毒性 394 噸/年 Γ95) CVD洗淨氣體=25% 2 CF6 12,500 10,000 非燃性 4 噸/年(’94) P-CVD洗淨氣體 (氟氯烷116) 低毒性 2〇〇 噸 /年(’95) 3 NF3 9,720 179 有毒性 25 噸 /年(’94) 洗淨氣體:92% (三氟化氮） 39 噸/年(’95) 蝕刻氣體:8% 4 CHF3 12,100 250 55 噸 /年(’94) 乾式蝕刻 (氟氯烷） 5 GF8 8,700 3,200 蝕刻 (氟氯烷318) 6 CbFh 7,000 2,600 P-CVD洗淨氣體 (氟氯烷218) 7 SF6 24,900 3,200 26/年（’94) 乾式蝕刻用） (六氟化硫） (請先閱讀背面之注意事項再.¾本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 550112 A7 ----B7 五、發明說明（4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 例如就半導體製造工廠的蝕刻工程而言，則是在室內 供給蝕刻用P F C氣體。p F C氣體乃利用外加等離子讓 一部份變爲腐触作用的高氟原子。此氟原子可進行矽晶圓 的鈾刻。室內的排氣以真空幫浦連續排氣。爲防止因酸性 氣體的腐鈾’氮氣的淸洗是以排氣進行。排氣含有氮9 9 % 以及不能使用在蝕刻的P F C殘留1 %。從真空幫浦排出的 排氣則以流通管引導到酸性氣體除去裝置。排氣在此除去 酸性氣體之後，釋放至大氣中還是含有p F C。 於半導體製造工廠中，藥劑方法及燃燒方法則實用化 成爲習知P F C氣體的分解技術。前者之方法係爲藉由使 用特殊的藥劑，以約4 0 0〜9 0 0 °C使氟做化學性地固 定化之方法。因爲此方法不會因分解產生酸性氣體所以不 須做排氣處理。後者的方法則以燃燒器引導P F C氣體， 使L P G及丙烷燃燒，並在約i，〇〇〇°c以上的火炎中熱分解 P F C氣體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因上述藥劑方法無法再利用與化學性P F C反應的藥 劑，所以爲消耗品需頻繁的更換的高消費藥劑。因此，運 轉成本爲燃燒方法的1 〇至2 0倍。此外，因須以處理 P F C氣體爲比例的藥劑量，所以適用藥劑方法的實用裝 置須約3〜5 m大的安裝面積。 因爲上述燃燒方法C 2 F 6是在1，〇 〇 0 °C以上的高 溫進行分解，C F 4是在1，1 0 0 °C以上的高溫進行分解 ，所以須要大量的熱能。燃燒方法還會因高溫燃燒產生 N〇X及大量的C〇2。由於P F C以非活性N 2氣體稀釋 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550112 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（5 ) 而排出，故失火可能性高，要求充分的運轉管理。 檢討適用半導體製造過程的燃燒方法。因爲p F C是 成爲以N 2氣體稀釋的數％濃度的混合氣體而排出的，所以 在此混合氣體的燃燒中須要與燃料氣體同樣多量的燃燒用 空氣。結果因處理氣體量增加，所以裝置規模大，裝置的 安裝面積約爲0 · 7〜5 m 2。 例如在從半導體製造過程排氣的1 0 0 1 / m i η的 排氣中含有1 %的C 2 F 6的情形下，用以將熱分解溫度成 爲1，000°C以上所要的LPG爲10 Ι/min，所 要空氣量若過剩率爲1 . 5則約4 0 0 1 / m i η。燃燒 後的所有排氣量因空氣中的氧被消耗而產生3〇 1 / m 1 η的C〇2，所以約5 0 0 1 /m i η。燃燒後 的所有排氣量增加到從半導體製造過程的排氣量約5倍。 因爲半導體製造工廠受到無塵室空間的限制，所以不易在 既設的半導體製造工廠中確保配置新的排氣處理裝置時的 空間。 另一方面，化學組成適用於針對類似P F C的臭氧破 壞作用的C 1 F C (氟氯化碳）及H C 1 F C (氫氯氟化 碳）的氟氯烷，以約4 0 0。(：進行分解的觸媒方法。由於 C F C及H C F C於組成中含有原子半徑大的氯，因此與 原子半徑小的氟及氫結合的分子構造爲壓偏的。因此 C F C及H F C能以比較低的低溫分解。 曰本特開平第9 - 8 8 0號公報，記載以觸媒分解 C F C (或H F C )的方法。此方法乃將爲載氣的加熱空 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n n tf· --線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - 550112 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 ) 氣、水蒸氣及C F C的混合氣體導至觸媒層。因C F C分 解溫度低，所以觸媒層的溫度爲4 3 0 t左右。爲防止含 有從觸媒層排出的分解氣體的排氣產生戴奧辛，故以冷卻 水急冷。 本發明之目的在於提供一除了用觸媒外還可提升分解 反應的過氟化物之處理方法及其處理裝置。 第1發明特徵爲從含有過氟化物及矽成份的排氣，除 去此矽成份，之後，添加水及水蒸氣任一，將含有過氟化 物的排氣，供給至塡充觸媒的觸媒層，利用觸媒分解過氟 化物。 因第1發明係先從供給至觸媒的排氣除去矽成份，所 以能防止因添加於排氣中的水（或水蒸氣）與排氣中的矽 成份一起反應而生成固體粒子阻塞觸媒間的氣孔。此外， 第1發明還能防止固體粒子閉塞形成在觸媒間的間隙。因 此’因第1發明能有效活用觸媒的表面積，所以能提升過 氟化物的分解反應。第1發明能提升過氟化物的分解效率 〇 第2發明之特徵在於從被冷卻的排氣中除去酸性氣體 。藉此明顯地減低含在排氣中的酸性氣體。 第3發明之特徵在於從排氣中除去的矽成份，係用第 1矽成份除去裝置及第2矽成份除去裝置完成的，將從第 1矽成份除去裝置排出的排氣，供給至第2矽成份除去裝 置’在第2矽成份除去裝置內使水與排氣接觸，在第1矽 成份除去裝置內，使與包含從第2矽成份除去裝置的排水 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· -線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -9- 550112 A7 _ B7 五、發明說明（7 ) 及分解氣體的排氣接觸之冷卻水、和包3砂成丨刀的排热fee 觸。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因在第1矽成份除去裝置內，使與包含從第2矽成份 除去裝置的排水及分解氣體的排氣接觸的冷卻、和包含砂 成份的排氣接觸，所以含在排氣中的一部份矽成份可藉由 排水及冷卻水的混合水而除去。因此，因供給至第2矽成 份除去裝置的新水量減少，所以被處理的排水量減少。此 外，因含在排氣中的砂成份是利用第1砂成份除去裝置及 第2矽成分除去裝置而除去的，所以能提升含於排氣中的 矽成份除去效率。 第4發明之特徵在於分解過氟化物的觸媒爲氧化鋁系 觸媒。 因採用氧化鋁系觸媒，所以能以6 5 0至7 5 0 °C的 反應溫度，將過氟化物有效輕易地分解。 〔發明之最佳實施例〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 適用於半導體製造工廠內的乾式蝕刻裝置的排氣管理 系統的本發明最佳實施例之過氟化物處理裝置（P F C處 理裝置），採用第1圖、第2圖，於以下說明。 P F C因不含氯的分子構造爲小型而結合強的，所以 分解溫度約爲7 Ο Ο ΐ：高。適用於C F C及H F C分解的 觸媒方法（記載於日本特開平第9 一 8 8 0號公報）並不 適於P F C的分解。但最近發明人等成功的開發具有約 7 0 0 °C的反應溫度，也適用於P F C分解的氧化鋁系觸 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550112 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 媒。此觸媒則經日本願平第9 一 4 3 4 9號（申請日 1997年1月14日）、及日本特願平第9 一 163717號（申請日1997年6月20日）對日本 牛寸3午廳ί疋出申g靑。本貝施例即耢由將此觸媒適用於排氣處 理而發明之。 乾式蝕刻裝置的排氣管理系統係如第1圖所示，例如 分別在三台乾式触刻裝置4 2連接P F C處理裝置1、 1 A、1 B。各乾式飩刻裝置4 2具有在內部隔成兩個蝕 刻區域4 3 A、4 3 B。在各個鈾刻區域以具有p F C — 種C F 4作爲鈾刻氣體而供給之，分別實施對晶圓的蝕刻 處理。蝕刻區域4 3 A、4 3 B內的排氣是藉由真空幫浦 3〇A、3 0 B的驅動，通過配管4 4 A、4 4 B到達配 管2 9，進而導入PFC處理裝置1。其排氣包含不會被 鈾刻處理消耗的約1 v ο 1 %的C F 4、以及因蝕刻生成的 S 1 F 4。排氣在P F C處理裝置1處理之後，通過配管 3 6排氣至酸氣流通管4 5。從另一乾式飩刻裝置4 2的 排氣也同樣地被導至酸氣流通管4 5。 配管2 9內的配氣則利用樣本抽樣配管4 6 A，而配 管3 6內的排氣則利用樣本抽樣配管4 6 B，分別導至氣 相層析儀4 0。酸性氣體過濾器4 7被設置在樣本抽樣配 管46A。供給至PFC處理裝置1的排氣及從PFC處 理裝置1排出的排氣內的C F 4濃度則是利用氣相層析儀 4 0而測定的。監視裝置4 9則是從氣相層析儀4 0輸入 C F 1濃度的測定値。監視裝置4 9係當某一配管3 6內的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 550112 A7 B7 五、發明說明（9 ) C F 4濃度高於第1設定値時，告知發生異常。監視裝置 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 9係當某一配管2 9內的C F 4濃度高於第2設定値時， 關掉相當於作爲告知發生異常的乾式蝕刻裝置4 2的警報 器5 0，同時發生警報聲。此外，監視裝置4 9是從根據 P F C處理裝置1入口側與出口側的c F 4濃度所求的分解 率，來校對因後述的反應器9內的觸媒反應健全性至觸媒 劣化的更換時期。 其次，就半導體製造工廠的無塵室內的上述排氣管理 系統的槪略配置採用第2圖做說明。半導體製造工廠的建 屋5 9是從篩條5 2至上方及下方全爲無塵室5 3、5 4 。無塵室5 4內的空氣則是利用壓縮機3 0 A、3 Ο B的 驅動，以過濾器5 5 A、5 5 B淨化，並以配管5 7 A、 5 7 B導至無塵室5 3。此空氣則以過濾器5 8再度淨化 。無塵室5 3的淸淨度比無塵室5 4高。乾式鈾刻裝置 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2則是被配置在爲製造裝置區域的無塵室5 3。P F C 處理裝置1、1A等，以及真空幫浦30A、30B是被 設置在無塵室5 4內的補器區域。配管4 4、流通管4 5 等配管類就無塵室5 4而言，是被配置在補機區域上方的 配管區域。 P F C處理裝置1的構成則是根據第3圖做說明。 P F C處理裝置1 A、1 B的構成亦與P F C處理裝置1 同。P F C處理裝置1具備有：具有矽除去器2、加熱器 3、觸媒層1 1之反應器9、冷卻裝置2 2、酸性氣體除 去裝置2 6、排風機5 9、排水幫浦6 0及溫度控制器 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550112 Α7 Β7 五、發明說明（10) 6 2。從壓縮機3 0 A排出的排氣是經由矽除去器2、加 熱器3、反應器9、冷卻裝置2 3、酸性氣體除去裝置 2 6及排風機5 9排出流通管4 5。加熱器3、反應器9 及冷卻裝置2 3如第5圖所示爲一體構成，予以構成 PFC分解處理單元76。 矽除去器2的詳細構成於第4圖表示。矽除去器2於 內部設置噴霧器2 6及舖滿塡充物的擴散部9 7。含有 C F 4及S i F 4等成爲雜質的排氣則是利用擴散部9 7排 出矽除去器2的容器內。排氣是形成在容器內上昇通過擴 散部9 7擴散流出容器內。從給水配管3 8供給的水則是 從噴霧器2 6被噴射。擴散部9 7是提高被噴射的水與排 氣的接觸率，提高後述的雜質除去性能。 藉由含於排氣中的S i F 4與被霧化的水接觸生成（1 )式的反應。排氣中的S i F 4被分解爲S i〇2及H F。 S 1 F d + 2 Η 2 0 S 1 0 2 + 4 H F ··· ( 1 ) 因S 1〇2爲固體微粒子，所以與生成同時利用霧化的 水從排氣中除去。因H F對水的溶解度大’所以可從排氣 中除去。含有S 1〇2及H F的排水則是通過配管3 5導至 酸性氣體除去裝置2 6的底部。再者’隨排氣而來的雜質 ，並非水的噴霧，亦能利用氣泡方法與水接觸而除去。 因配管2 9的排氣排出口是向下，所以能防止從噴霧 器2 6被噴射的水四處飛賤而噴入配管2 9內。砂除去器 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -13^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550112 A7 _______________ B7 五、發明說明（n) 2的容器爲了防止因（1 )式的反應而產生HF的腐飩’ 而以具耐飩性的氯化乙烯構成。 球形逆止閥2 7是被設置在矽除去器2的排氣出口部 。球形逆止閥係被設在環狀的突起2 8 A與突起2 8 B之 間。因此，當P F C處理裝置1停止時，高溫氣體會從下 流側亦即加熱器3逆流，防止氯化乙烯製的矽除去器2受 到熱損傷。 從矽除去器2被排出的排氣，則流經配管3 1內被導 至P F C分解處理單元7 6。 P F C分解處理單元7 6的詳細構成於第5圖表示。 P F C分解處理單元7 6具有加熱器3、反應器9及冷卻 裝置2 3。殼體6及內管7共同具有加熱器3及反應器9 。內管7的內徑爲上部比下部小。內管7的凸緣1 2則是 以螺栓被固定在殻體6的凸緣1 3。加熱器3與反應器9 爲一體構成。內管7的上部則是藉由設在蓋體8 7的圓管 部1 4來限制往水平方向的動伯。環狀板8則被設置在內 管7的上部。 加熱器3則位於比環狀板8的更上方’具有電氣加熱 器4及覆蓋此的隔熱件5。電氣加熱器4及隔熱件5是被 設置在殼體6與內管7之間。蓋體1 6是被形成在殼體6 與環狀板8之間。蓋體1 6是防止從內管7及環狀板8將 高溫（7 0 0 °C )的排氣熱度傳至殼體6 ’排放至外部。 亦即，能減少排氣失熱。將加熱福1 3與反應益9做成一體 構造，藉以簡單化P F C處理裝置1的構造。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '訂-· ί線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550112 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（12) 反應器9位於環狀板8的更上方。反應器9具備有在 金網1 6上具有塡充氧化銘系觸媒的觸媒層1 1之觸媒 10。氧化鋁系觸媒爲包含八12〇3 8 0 % > N 1 0 2 2 0%的觸媒。觸媒匣1 0是被插入內管7內。圓筒1 7 則利用結合凸緣1 8與凸緣1 3，而被安裝在殼體6。觸 媒匣1 0的凸緣6 4是被卡合识持在凸緣1 3 °反應器9 具有被設置在殼體6與內管7之間的保溫用加熱器（圖未 表示）。具有折流板2 0的折流保持構件2 1是被安裝在 圓筒1 7。冷卻裝置2 2是位於折流板保持構件2 1的下 方，連接於此。噴霧器2 5及2 6是被設在冷卻裝置2 2 的殼體內。 從給水配管3 2供給的反應用水（或水蒸氣）及從空 氣供給管4 1供給的空氣則被混合在配管3 1內的排氣中 ◦由於對排氣中供給水，所以後述的（2 )式反應會被水 分解。水（或水蒸氣）的供給量爲相對於c F 4的1 m 〇 1 約2 5倍。含有水、空氣及C F 4的排氣在通過加熱器3內 的通路1 5的期間，會經由因電氣加熱器4的間接加熱而 被加熱。在此成爲水或水蒸氣。排氣則利用電氣加熱器4 在觸媒層1 1加熱至適於進行C F 4分解的7 0 0 °C的溫度 。溫度控制裝置3是採用在以溫度計6 1計測的反應器9 的入口部9 4的排氣溫度T e ，讓排氣溫度T e成爲設定 溫度，以控制流入電氣加熱器4的電流。此溫度控制亦於 後述的各實施例中實施。藉此溫度控制讓觸媒層1 1的溫 度維持在反應溫度。在C F 1的情形下，排氣可加熱至約 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 550112 Α7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（13) 6 5 〇至7 5 0 °C的範圍。 含有被加熱的C F 4之排氣是被供給至塡充觸媒的反應 器9。排氣中的C F 4則於觸媒層1 1利用上述氧化鋁系觸 媒的作用反應成H2〇（2)式，分解成HF與C〇2。 CF4+2H2〇 C〇2+4HF·.. (2) 於排氣中含有P F C之一種的c 2 F 6的情形下· C2F6是利用（3)式的反應被分解成C〇2與HF。 C 〇 F 6 + 2 Η 2 〇 2C〇2+6HF··· (3) 第6圖係表示以因氧化鋁系觸媒的P F C分解特性， 橫軸爲反應溫度，縱軸爲分解率。所使用的氧化鋁系觸媒 爲前述的組成。採用CHF3、CF4、C2F6及c4f8 四種P F C作成供試氣體。試驗條件爲P F C氣體濃度爲 Ο · 5 %、S V 1 Ο Ο 〇 / h。此外，反應水加至理論値 的約1 0倍。如第6圖所示，四種P F C均在約7 0 0 °C 的反應溫度得到近1 0 0 %的分解率。C F 4及C H F 3約 在 65〇°C 爲 95% 以上，C2F6&C4F8 在約 670°C 也有8 0 %以上的分解率。藉用此觸媒，在約6 5 0至 7 5 0 °C的反應溫度，P F C可做實用的分解。 從觸媒層1 1排出含有爲分解氣體的C〇2及H F的高 溫排氣，會通過折流板2 0導至冷卻裝置2 2內的冷卻® . --------------^— C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁：> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 550112 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（14) 域2 3。被供給至給水配管3 9及4 0的冷卻水’會從噴 霧器2 4反2 5連續噴射至冷卻區域2 3。高溫排氣會因 霧化水而被冷卻至1 〇 〇 以下。部份的H F會被冷卻水 吸收，從排氣除去。再者，高溫排氣的冷卻即使不用噴霧 器，也可在水槽中成爲氣泡。霧化水是經由配管3 4及 3 5導至酸性氣體除去裝置2 6的底部。因藉由設置折流 板2 0，而從折流板保持構件2 1內讓引導排氣的通路在 冷卻裝置2 2蛇行，所以能防止從噴霧器2 4及2 5被噴 射的冷卻水飛沬到達觸媒層1 1。因此，因能防止藉由此 飛沬讓觸媒層1 1的溫度下降，所以未分解的p F c不會 被排出。 從冷卻裝置2 2被排出’而含有分解氣體（C 0 2及 H F )的低溫排氣，會通過配管3 3被導至酸性氣體除去 裝置2 6內。酸性氣體除去裝置2 6爲了在分解氣體中除 去包含約4 ν ο 1 %的高濃度H F，而於內部具有舖滿塑 膠製的拉氏環的塡充層9 5及噴霧器2 7。噴霧器2 7是 位於塡充層9 5的上方。從給水配管7 0供給的冷卻水是 從噴霧器2 7噴射的。此冷卻水經塡充層9 5內向下流。 排氣與冷卻水會在塡充層9 5充分地接觸，將大部份含在 排氣中的H F，溶解在冷卻水中。排氣中的H F藉著酸性 氣體除去裝置2 6從4 ν ο 1 %明顯減低至p p m。 酸性氣體含有量明顯減低的排氣，是利用排風機5 9 的驅動通過配管3 6導至酸氣流通管4 5內·被排出系外 ◦冷卻裝置2 2及酸性氣體除去裝置2 6是利用排風機 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17
線丨· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550112 A7 B7 五、發明說明（15) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 9的驅動而被維持在負壓。防止含於排氣中有毒的H F 等洩漏至系外。再者，酸性氣體除去裝置2 6亦適用氣泡 方法。但噴霧方法壓力損失比氣泡方法小，所以排風機 5 9的容量縮小。 在矽除去裝置2、冷卻裝置2 2及酸性氣體除去裝置 2 6產生的排水，一旦集中在酸性氣體裝置2 6的底部。 此排水即含有S i 0 2及H F等雜質。此排水是利用排水 幫浦6 0的驅動經配管3 7內被導至中和處理裝置（圖未 表示）被處理。 本實施例因於矽除去器2中，先將含於排氣中的矽成 爲S i 02而除去，所以不會讓S i 02等固體粒子帶入反 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 應器9的觸媒層1 1。在不設置矽除去器2的情形下，藉 由從給水配管3 2供給的水，自配管3 1與給水配管3 2 的合流點，在下流側的配管3 1內產生（1 )式的反應， 生成S 1〇2。此S 1〇2流入觸媒層1 1內的情形下，會 發生以下（①）及（②）的問題。（①）S i〇2會阻塞形 成在觸媒的氣孔。（②）閉塞形成在觸媒間的間隙。起因 於（①）及（②）而減少觸媒的表面積，P F C的分解反 應降低。此外，起因於（②）而讓觸媒間的排氣流動變差 ，阻礙觸媒與排氣接觸。也連帶降低P F C的分解反應。 本實施例因於矽除去器2中強制使（1 )式發生反應，而 事先從排氣除去S i 0 2，所以不會發生上述問題，提升 P F C的分解效率。本實施例使用觸媒以高效率實現 P F C的分解處理，迴避造成地球溫室原因的氣體之一的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐1 - 18- ' 550112 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（16) P F C釋放至大氣。此外’本實施例因於排氣中混合空氣 ，所以藉由因觸媒的C F 4的分解產生的未反應C 0並無害 於C 0 2。按本實施例即以比習知燃燒方法還要低的溫度分 解C F 4。有益於熱能及水等也不少。本實施例適用於半導 體製造工廠，從分解氣體溫度低而相對火災的安全面來看 也是有利的。此外，因觸媒壽命長也可再利用，所以比藥 劑方法還要能大幅地減低運轉成本。 當觸媒壽命用盡時，觸媒匣1 〇即換成新的觸媒匣。 此交換作業採用第7圖做說明。觸媒匣1 〇是藉由被形成 在凸緣1 3內側的溝6 5卡合設在凸緣6 3的突起6 4， 被保持在凸緣1 3。卸下、安裝觸媒匣1 〇則是採用匣拆 卸裝置6 6。匣拆卸裝置6 6具有可旋轉地設在升降機 6 8的旋轉台6 7及旋轉把手6 9。 從殼體6拆下圓筒1 7、折流板保持構件2 1及冷卻 裝置2 2之後，匣拆卸裝置6 6是位於觸媒匣1 〇的下方 。旋轉台6 7則利用升降機6 8上昇。貼在旋轉台6 7上 面的橡膠則接觸到凸緣6 3。藉由操作旋轉把手6 9來旋 轉旋轉台6 7。此旋轉力則透過橡膠傳至觸媒匣1 〇。當 經由旋轉讓突起6 4到達所定位置時，旋轉台6 7即停止 ，升降機6 8會下降。突起6 4從溝6 5卸下’而觸媒匣 1 0即從凸緣1 3取下來拉出內管7。 其後，將新的觸媒匣1 0放置在旋轉台6 7上。與取 下相反的順序，將該新的觸媒匣1 0插入內管7內’裝在 凸緣1 3。新的觸媒匣1 0的突起6 4則利用旋轉台7的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· --線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 550112 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（17) 旋轉調整至上述的所定位置。稍微上昇升降機6 8之後， 若用旋轉把手6 9逆向旋轉旋轉台6 7，突起6 4會卡合 在溝6 5。圓筒1 7、折流板保持構件2 1及冷卻裝置則 被安裝在殼體6。可在此再度利用PFC分解處理單元 7 6分解處理？？（：。 觸媒匣1 0的更換可藉由使用匣拆卸裝置6 6而簡單 地進行。因作業員不會接觸到熱的使用過的觸媒匣1 0， 所以可防止作業員被火燙傷。因可簡單地取下熱的使用過 的觸媒匣1 0，所以可明顯地縮短觸媒匣1 0交換作業所 要的時間。此外，因也能防止經由粒狀觸媒的飛散以及交 換作業產生的塵埃，所以交換作業亦能在無塵室5 4內。 本實施例也適用於分解CF4、CHF3、C2F6及 C 4 F 8等表1所示的各物質的場合。該些物質可用氧化銘 系觸媒以約7 0 0 t左右的反應溫度分解。本實施例除了 適用於分解包括來自在半導體製造工廠的乾式鈾刻裝置的 排氣之P F C以外，也適用於分解包含在C V C排氣的 C 2 F 6以及包含來自液晶的蝕刻裝置的排氣之P F C。 適用本發明另一實施例的P F C處理裝置的半導體製 造工廠內的乾式飩刻裝置的排氣系統於以下說明。本實施 例的排氣管理系統於第1圖及第2圖的構成中，將各 PFC處理裝置1、1A等換成第8圖所示的PFC處理 裝置1 C。P F C處理裝置1 C則將P F C處理裝置1的 矽除去器2換成矽除去裝置7 1，新設回流配管7 5。除 此以外的P F C處理裝置1 C的構成與P F C處理裝置1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '訂· -I線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550112 A7 __ B7 五、發明說明（18) 同。矽除去裝置7 1具備有矽除去器2及7 2。矽除去器 7 2具有與第4圖所示的矽除去器2相同的構成。配管 2 9的排出口也是向下設在矽除去器7 2內。球形逆止閥 2 7不設在矽除去器7 2的出口側。回流配管7 5是在排 水幫浦6 0的下流側被連接在配管3 7。矽除去器7 2的 容器也爲了防止因H F的腐鈾，以具有耐蝕性的氯化乙烯 所構成的。 含有C F 4及S i F 4等成爲雜質的排氣，則是藉由配 管2 9排出矽除去器7 2的容器內。排氣則在容器內升昇 通過擴散部7 4擴散流出容器內。從排水幫浦6 0吐出的 一部份排水，則經由回流配管7 5從噴霧器7 3噴射。從 排水幫浦6 0吐出的排水中的F等離子及S i等離子的濃 度爲數十p m m以下。此排水具有足以除去S i及H F的 性能。藉由接觸含於排氣的一部份S 1 F 4與霧化的排水’ 產生（1 )式的反應。所生成的S i〇2則利用排水從排氣 中除去。此外，H F則溶解於水中。 從矽除去器7 2排出的排氣被導至矽除去器2 ’從給 水配管3 8供給的新水，則從矽除去器2被噴霧器噴射。 矽除去器2利用殘留在排氣中的S 1 F 4與霧化的水接觸’ 而產生（1 )式的反應。含有S i〇2及HF的矽除去器2 的排水，則被導至矽除去器7 2，與從噴霧器7 3被噴射 的排水一同通過配管3 5導至酸性氣體除去裝置2 6的底 部。P F C處理裝置1 C的另一部份的處理則與P F C處 理裝置1的處理相同。 -------•訂 i'-------線—· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - 550112 A7 ____B7 __ 五、發明說明（19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) p F C處理裝置1 C則產生以P F C處理裝置1所得 到的效果。因P F C處理裝置1 C減少從給水配管3 8供 給的新水量，所以被導至中和處理裝置（圖未表示）的排 水量減少。此外，因（1 )式的反應是在矽除去器2及 7 2兩處理產生的，所以含在排氣的S 1 F 4等S 1成份的 除去效率提升。 P F C分解處理單元的另一實施例於第9圖表示。本 實施例的P F C分解處理單元7 6 A具有加熱器3 A及反 應器9A。用於PFC分解處理單元76的圓筒1 7、折 流板保持構件2 1及冷卻裝置2 3也被用在P F C分解處 理單元7 6 A，以此順序設置在殼體6的凸緣1 3。反應 器9 A則經底8 3設在內管7 9。底板8 2則是可滑動地 設在底部8 3。塡充氧化鋁系觸媒的觸媒層1 1是在內管 7 9的內側被形成在底板8 2及底部8 3的上方。氧化鋁 系觸媒是含有Al2〇3 8〇%、Ni〇2 20%的觸媒。 內管7 9的凸緣8 1則被安裝在凸緣1 3。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 加熱器3 A具有內管7 7、電氣加熱器4及覆此的隔 熱材5。電氣加熱器4及隔熱材5是被配置在內管7 7與 殼體6之間。內管7 7的凸緣7 8則是被安裝在凸緣8 1 。蓋體1 6則是被形成在殼體6與凸緣7 8及8 1之間。 壽命用盡的觸媒，在取出折流板保持構件2 1及冷卻 裝置2 2之後，藉由使底板8 2移動從內管7 9內取出。 加熱器3 A及反應器9 A的機能1與P F C分解處理單元 7 6的加熱器3及反應器9相同。P F C分解處理單元 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .22 - ' 55〇112 A7 --------g7 _ 五、發明說明（20) 7 6 A可得到以P F C分解處理單元7 6所產生的效果。 適用本發明之另一實施例的P F C處理裝置的半導體 製造工廠內的乾式蝕刻裝置之排氣管理系統，則用第1〇 圖、第1 1圖及第1 2圖於以下說明。本實施例的排氣管 理系統，是將複數的P F C處理裝置1 d配置在無麈室 5 4。此部份與第1圖及第2圖所示的實施例不同。各 P F C處理裝置1 D各自設在配管2 9。 P F C處理裝置1 D的詳細構成於第1 1圖表示。 P F C處理裝置1 D爲橫置型，具有矽除去器2及P F C 分解處理單元7 6 B。矽除去器2被連接在配管2 9。 P F C分解處理單元7 6 B具備有反應器9 B及冷卻裝置 2 2 ◦ P F C分解處理單元7 6 B並不具備酸性氣體除去 裝置2 6。本實施例酸性氣體除去裝置2 6被設在酸氣流 通管4 5。P F C分解處理單元7 6 B的加熱器3只是將 P F C分解處理單元7 6的加熱器3做成橫向。反應器 9 B係在內管7內設置形成小的多數個孔之壓板8 4、 8 5。觸媒層1 1則是在壓板8 4與壓板8 5之間塡充氧 化鋁系觸媒（含有Al2〇3 80%、Ni〇2 20%)而 構成的。擋板8 6如第1 2圖所示被配置在觸媒層1 1的 上部，安裝在內管7內面。折流板2 0是被設在冷卻裝置 2 2內。本實施例的加熱器3、反應器9 B及冷卻裝置 2 2的各機能與P F C分解處理單元7 6的加熱器3、反 應器9及冷卻裝置2 2的機能同。 P F C處理裝置1 D除了酸性氣體除去裝置2 6的內 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '訂· •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - 23- 550112 A7 ___B7 五、發明說明（21) 部份，可得到以P F C處理裝置1所生的效果。進而，因 P F C處理裝置1 D不設酸性氣體除去裝置2 6做成橫型 的，所以變小型。也就是說，P F C處理裝置1 d可設在 機挤空間不寬裕的既设半導體製造工廠。亦即，p f c處 理裝置1 D可設置在無塵室5 4上部的配管範圍。p F c 處理裝置1 D可完成縮小設置空間。 觸媒層1 1內的觸媒在稍微隨著時間經過而沈至下方 。因此，會稍微在觸媒層1 1上面與內管7內面之間形成 空隙。因檔板8 6是被設觸媒層1 1內，所以可防止未分 解的P F C氣體通過空隙到達冷卻裝置2 2。p f C氣體 會確實地通過觸媒層1 1而被分解。 半導體製造裝置內的乾式蝕刻裝置的排氣管理系統的 另一實施例於以下說明。本實施例是第1圖及第2圖所示 的排氣管理系統中的各個P F C處理裝置換成第1 3圖所 示的P F C處理裝置1 E。P F C處理裝置1 e具備有砂 除去器2、P F C分解處理單元7 6 C及圖未表示的酸性 氣體除去裝置2 6。P F C處理裝置1 e是將P F C處理 裝置1中的P F C分解處理單元7 6換成P F C分解處理 單元7 6 C。 P F C分解處理單元7 6 C與P F C分解處理單元 7 6的殼體及內管的構成不同。p F C分解處理單元 7 6 C具備有：具有殼體8 8及內管7 7的加熱器3 B、 和具有殼體8 9及內管9 0之反應器9 b。加熱器3 b在 殼體8 8與內管7 7之間設置電氣加熱器4及隔熱件5。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '訂· -1線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550112 A7 B7 五、發明說明（22) 反應器9 B於內管9 0內插入具有觸媒層1 1的觸媒匣 10。觸媒匣10與PFC分解處理單元76同樣地卡合 在殼體9 8下端的凸緣。觸媒層1 1塡充有前述的氧化銘 系觸媒。具有折流板2 0的折流板保持構件9 1是連結反 應器9 B與冷卻裝置2 2。殼體8 8的凸緣、內管7 7的 凸緣及殼體8 9的凸緣是以螺栓結合的。 P F C處理裝置亦產生以P F C處理裝置1所得到的 效果。藉由拆下上述凸緣的結合’加熱器3 B即能簡單地 從反應器9 B取下。觸媒匣1 0的拆卸是與P F C分解處 理單元7 6同樣地進行。 半導體製造裝置內的乾式蝕刻裝置的排氣管理系統的 另一實施例於以下說明。本實施例的排氣管理系統是將第 1圖及第2圖所示的排氣管理系統中的各P F C處理裝置 換成第1 4圖所示的PFC處理裝置1 F。PFC處理裝 置1 F是將P F C處理裝置1 C中的P F C分解處理單元 76換成PFC分解處理單元76C。PFC分解處理單 元7 6 C是將熱效換器9 3配置在P F C分解處理單元 7 6的反應器9與圓筒1 7之間。傳熱管9 2被配在熱交 換器9 3。配管3 2被連接在傳熱管9 2的入口側。被連 接在傳熱管9 2的出口側的配管3 2 A是在比配管3 1與 空氣供給管4 1的合流點更上流側的連接在配管3 1。 本實施例中以配管3 2供給的反應水，是在流經傳熱 管9 2內的期間，利用從觸媒層1 1排出的約7 〇 0 °C的 排氣被加熱成水蒸氣。此水蒸氣通過配管3 2 A流入配管 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· --線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550112 A7 _ B7 五、發明說明（23) 3 1內。含有水蒸氣、空氣及P H C的C F 4的排氣則經 由加熱器3被導至觸媒層1 1內。在觸媒層1 1內生成（ 2 )式的反應。 P F C處理裝置1 F可得到以P F C處理裝置1 C所 產生的效果。更因本實施例從觸媒層1 1排出的約7 0 〇 °C的排氣可利用熱交換器9 3回收，所以可減低供給至加 熱器3的加熱容量，以及減低冷卻裝置2 3的噴霧器2 5 及2 6的冷卻水量。本實施例可將被導至中和處理裝置的 排水量減得比P F C處理裝置1 C還低。 〔圖式之簡單說明〕 第1圖係適用本發明之最適當之一實施例的過氟化物 處理裝置的半導體製造工廠內的乾式蝕刻裝置的排氣管理 系統之構成圖。 第2圖係配置第1所示的乾式蝕刻裝置及過氟化物處 理裝置的無塵室之構成圖。 第3圖係第1圖及第2圖所示之過氟化物處理裝置之 構成圖。 第4圖係第3圖所示的矽成份除去器之縱斷面圖。 第5圖係第3圖所示的p f C分解處理單元之詳細縱 斷面圖。 第6圖係表示因氧化鋁系觸媒各p F C的分解特性之 說明圖。 第7圖係表示第5圖所示的觸媒匣交換作業之說明圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） -26- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ··訂· ;線· 550112 A7 ___B7 五、發明說明（24) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第8圖係第1圖所示的過氟化物處理裝置的另一實施 例之構成圖。 第9圖係P F C分解處理單元的另一實施例之縱斷面 圖。 第1 0圖係過氟化物的另一實施例及乾式蝕刻裝置配 置的無塵室的另一實施例之構成圖。 第1 1圖係第1 0圖所示的過氟化物處理裝置之構成 圖。 第1 2圖係第1 1圖的擋板附近之縱斷面圖。 第1 3圖係第1圖所示的過氟化物處理裝置之另一實 施例之縱斷面圖。 第1 4圖係第1圖所示的過氟化物處理裝置的另一實 施例之構成圖。 〔符號之說明〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 PFC處理裝置 46A.B 樣本抽樣配管 2 矽除去器 47 酸性氣體過濾器 3 加熱器 49 監視裝置 4 電氣加熱器 50 警報器 5 隔熱材 52 篩條 6 殼體 53.54 無塵室 7 內管 55.58 過濾器 8 環狀板 59 排風機 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27- 550112 A7 B7 五、發明說明（25) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9.9A.9B 反 m 器 60 排 水 幫 浦 10 觸 媒 匣 61 溫 度 計 11 觸 媒 層 62 溫 度 控 制 器 12.13.18 凸 緣 63 凸 緣 14 圓 管 部 64 突 起 15 通 路 65 溝 16 蓋 體 66 匣 拆 卸 裝 置 17 圓 同 67 旋 轉 台 20 折 流 板 68 升 降 機 21 折 流 板 保 持構 件69 旋 轉 把 手 22 冷卻 裝 置 71 矽 除 去 裝 置 23 冷卻 域 72 矽 除 去 器 24.25.26.27 噴 霧 器 73 噴 霧 器 27 球 形 逆 止 閥 75 回 流 配 管 28A.B 突 起 76. 76A.B PFC分解處理單元 29 配 管 77. 79 內 管 30 溫 度 控 制 裝置 78 凸 緣 30A.B 真 空 幫 浦 81 凸 緣 31 配 管 82 底 板 32 給 水 配 管 83 底 部 34.35.36 配 管 84.85 壓 板 38 給 水 配 管 86 擋 板 39(40) 冷 卻 水 87 蓋 體 40 氣 相 層 譜 儀 88.89 殼 體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550112 A7 B7 五、發明說明（ 26) 41 空氣供給管 94 入口部 44A.B 配管 95 塡充層 45 流通管 97 擴散部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -29-

Claims (1)

  1. 550112 A8 C8 松 5, 1 D8 i 々、申請專利範圍 厂 修丘1 年月曰，還少 第87 1 1 745 1號寅由請 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國92年5月1日修正 1 . 一種過氟化物之處理方法，其特徵爲··從含有過 氟化物及矽成份的排氣與水接觸，而藉此來除去含於前述 排氣中的矽成份，之後針對添加水及水蒸氣任一者之含有 前述過氟化物的排氣進行6 5 0 t〜7 5 0 °C的加熱，然 後供給至被塡充有氧化鋁系觸媒的觸媒層，並且利用前述 觸媒來分解包含於前述排氣中的前述過氟化物，接著冷卻 包含藉由前述過氟化物的分解而生成的分解氣體之排氣， 然後再予以排氣， 進行將供給至前述觸媒層的前述排氣加熱至6 5 0 t 〜7 5 0 °C的溫度範圍的控制， 從前述被冷卻的排氣除去酸性氣體， 冷卻含有前述分解氣體的排氣，是利用前述排氣與冷 卻水的接觸而進行的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 ·如申請專利範圍第1項之過氟化物之處理方法， 其中除去來自前述排氣的矽成份，是用第1矽成份除去裝 置及第2矽成分除去裝置而進行的，將從前述.第1矽成份 除去裝置排出的前述排氣，供給至第2矽成份除去裝置， 在前述第2矽成份除去裝置內與水與前述排氣接觸，在前 述第1矽成份除去裝置內，與來自前述第2矽成·份除去裝 置的排水及含有前述分解氣體的排氣接觸的前述冷卻水與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） ： " 550112 A8 B8 C8 D8 六、申請專利乾圍 含有前述矽成份的排氣接觸。 3 .如申請專利範圍第1項之過氟化物之處理方法， 其中前述水蒸氣是利用與從前述觸媒層排出的前述排氣和 水的熱交換而生成的。 4 .如申請專利範圍第1項之過氟化物之處理方法， 其中前述排氣爲從半導體製造裝置被排出的排氣。 5.—種過氟化物處理裝置，其特徵爲具備有：從含 有過氟化物及矽成份的排氣除去此矽成份之矽成份除去裝 置、和於前述矽成份除去裝置排出後加熱含有添加水及水 蒸氣任一的前述過氟化物的排氣之加熱裝置、和被塡充有 分解含於從前述加熱裝置被排出的前述排氣的過氟化物的 觸媒之觸媒層、和冷卻從前述觸媒層被排出的前述排氣之 冷卻裝置，和檢測供應給前述觸媒層的前述排氣溫度之溫 度檢測器、和根據此溫度檢測器的測定溫度來控制前述加 熱裝置之控制裝置，和除去含於從前述冷卻裝置被排出的 前述排氣的酸性氣體之酸性氣體除去裝置，和使水與排氣 接觸，而來除去前述矽成份之矽成份除去裝置， 前述冷卻裝置具備有噴射進行冷卻前述排氣的冷卻水 之噴霧裝置。 6 ·如申請專利範圍第5項之過氟化物處理裝置，其 中前述矽成份除去裝置包括有第1矽成份除去裝置、及供 給來自前述第1矽成份除去裝置的前述排氣之第2矽成份 除去裝置，在前述第2矽成份除去裝置內設置噴射水之第 1噴霧裝置，將噴射來自前述第1噴霧裝置被噴射的水及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .--------拳裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂j · —0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2- 550112 ABCD ☆、申請專利範圍 來自前述冷卻裝置的前述噴霧裝置被噴射的水之第2噴霧 裝置設在前述第1噴霧裝置內。 .--------II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 ·如申請專利範圍第5項之過氟化物處理裝置，其 中從前述矽成份除去裝置在前述加熱裝置引導前述排氣的 管路設防止從前述加熱裝置對前述矽成份除去裝置的前述 排氣逆流之逆止閥。 8 .如申請專利範圍第5項之過氟化物處理裝置，其 中將前述加熱器、前述觸媒層及前述冷卻裝置以此順序做 成一體構造。 9 ·如申請專利範圍第8項之過氟化物處理裝置，其 中前述一體構造是做成在水平方向配置前述加熱器、前述 觸媒層及前述冷卻裝置的橫型，在前述觸媒層的上部設有 遮斷未分解的過氟化物流過的折流構件。 1 〇 .如申請專利範圍第5項之過氟化物處理裝置， 其中在從前述觸媒層被排出的排氣與水之間進行熱交換， 且將生成前述水蒸氣的熱交換器設在前述觸媒層與前述冷 卻裝置之間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 1 .如申請專利範圍第5項之過氟化物處理裝置， 其中具備有於內部形成前述觸媒層的匣，以及拆卸自如地 安裝此匣之殻體，將前述加熱器、前述殼體及.前述冷卻裝 置以此順序做成一體構造。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之過氟化物處理裝置 ，其中具備有前述匣、及具有收納前述匣的內管及前述殼 體之反應器，前述加熱器的殼體是共用前述反應器的前述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3- 550112 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 殼體。 1 3 .如申請專利範圍第5項之過氟化物處理裝置， 其中將含有過氟化物及矽成份的前述排氣供給至前述矽成 份除去裝置的排氣導入部是延伸至前述矽成份除去裝置內 ，前述排氣導入部的排氣出口是位於比前述噴霧裝置更下 方，前述氣體排出口在前述矽成份除去裝置內開口爲向下 〇 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之過氟化物處理裝置 ，其中將擴散來自前述噴霧裝置的噴水之擴散部，在前述 矽成份除去裝置內，配置在前述噴霧裝置與前述排氣導入 部之間。 15.—種半導體製造裝置之排氣處理裝置，其特徵 爲具備有：使從半導體製造裝置被排出的過氟化物及含有 矽成份的排氣與水接觸，而從前述排氣除去前述矽成份之 矽成份除去裝置、和在前述矽成份除去裝置的排出後加熱 含有添加水及水蒸氣任一的前述過氟化物的排氣之加熱裝 置、和被充塡有分解含於從前述加熱裝置被排出的前述排 氣的過氟化物的氧化鋁系觸媒之觸媒層、和冷卻從前述觸 媒被排出的前述排氣之冷卻裝置。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之半導體製造裝置之 排氣處理裝置，其中 將前述加熱器、前述觸媒層及前述冷卻裝置以此順序做成 一體構造，將被一體構造的前述加熱器、前述觸·媒層及前 述冷卻裝置，設置在設置前述半導體製造裝置的建屋內。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公嫠） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4-
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI452946B (zh) * 2009-12-29 2014-09-11 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Plasma reaction device
TWI608862B (zh) * 2013-03-19 2017-12-21 昭和電工股份有限公司 Perfluorochemical treatment apparatus, perfluorochemical treatment method, and recording medium

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6602480B1 (en) 1998-08-17 2003-08-05 Ebara Corporation Method for treating waste gas containing fluorochemical
US6689252B1 (en) 1999-07-28 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Abatement of hazardous gases in effluent
WO2001008786A1 (en) * 1999-07-28 2001-02-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for catalytic conversion of fluorinated compounds in gases
US6361706B1 (en) * 1999-08-13 2002-03-26 Philips Electronics North America Corp. Method for reducing the amount of perfluorocompound gas contained in exhaust emissions from plasma processing
JP3976459B2 (ja) * 1999-11-18 2007-09-19 株式会社荏原製作所 フッ素含有化合物を含む排ガスの処理方法及び装置
JP3994605B2 (ja) * 1999-11-26 2007-10-24 株式会社日立製作所 Ｐｆｃガスの処理方法及び処理装置
GB0101769D0 (en) * 2001-01-24 2001-03-07 Ineos Fluor Ltd Decomposition of fluorine compounds
JP4211227B2 (ja) * 2001-03-16 2009-01-21 株式会社日立製作所 過弗化物の処理方法及びその処理装置
US6824748B2 (en) 2001-06-01 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Heated catalytic treatment of an effluent gas from a substrate fabrication process
US7160521B2 (en) 2001-07-11 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Treatment of effluent from a substrate processing chamber
KR100962695B1 (ko) * 2001-12-04 2010-06-11 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 배기 가스 처리 방법 및 장치
JP4214717B2 (ja) 2002-05-31 2009-01-28 株式会社日立製作所 過弗化物処理装置
JP2004082013A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Hitachi Ltd パーフルオロコンパウンド分解方法，分解触媒及び処理装置
TWI332416B (en) * 2003-04-01 2010-11-01 Ebara Corp Method and apparatus for treating exhaust gas
DE102004022092A1 (de) * 2004-05-05 2005-11-24 Bauer-Kompressoren Heinz Bauer Oxidationskatalytische Abtrennvorrichtung
JP4218618B2 (ja) * 2004-09-10 2009-02-04 株式会社日立製作所 排ガス分解処理装置
US7736599B2 (en) 2004-11-12 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Reactor design to reduce particle deposition during process abatement
US7682574B2 (en) 2004-11-18 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Safety, monitoring and control features for thermal abatement reactor
US8095240B2 (en) 2004-11-18 2012-01-10 Applied Materials, Inc. Methods for starting and operating a thermal abatement system
GB0520468D0 (en) * 2005-10-07 2005-11-16 Boc Group Plc Fluorine abatement
WO2007053626A2 (en) 2005-10-31 2007-05-10 Applied Materials, Inc. Process abatement reactor
WO2007095133A2 (en) * 2006-02-11 2007-08-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pfc abatement using a cdo chamber
KR100742271B1 (ko) * 2006-03-30 2007-07-24 고등기술연구원연구조합 고온 반응기 시스템의 급속냉각장치
KR100743399B1 (ko) * 2006-06-15 2007-07-27 주식회사 에코프로 반도체 제조공정에서 발생하는 염소가스와 과불화물의처리장치
KR100801265B1 (ko) * 2006-11-30 2008-02-11 주식회사 코캣 과불화화합물 분해시 발생하는 부생성물을 처리하는 배가스처리장치 및 방법
US8591819B2 (en) * 2006-12-05 2013-11-26 Ebara Corporation Combustion-type exhaust gas treatment apparatus
KR100954107B1 (ko) * 2006-12-27 2010-04-23 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
JP2008181968A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Toshiba Corp 半導体製造システムおよび半導体装置の製造方法
US20080260575A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Honeywell International Inc. Two-stage catox apparatus and process
KR100907444B1 (ko) * 2007-09-18 2009-07-10 한국화학연구원 입자상 물질에 대한 저항성을 갖는 촉매식 과불화 화합물처리 장치 및 방법
KR20100084676A (ko) 2007-10-26 2010-07-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 향상된 연료 회로를 사용하는 스마트 저감을 위한 방법 및 장치
KR100978350B1 (ko) * 2008-04-08 2010-08-26 (주)이에이앤지 과불화화합물 가스 처리용 고온 스크러버
CN102773013B (zh) * 2012-07-23 2014-11-05 昆明理工大学 一种净化工业尾气中四氟化硅的方法
KR101638325B1 (ko) 2014-09-03 2016-07-12 노영석 분리막시스템과 스크러버가 일체로 이루어지는 과불화화합물 분리시스템
US10375901B2 (en) 2014-12-09 2019-08-13 Mtd Products Inc Blower/vacuum
KR20190085358A (ko) 2018-01-10 2019-07-18 김진홍 메탄올 수용액을 이용하여 유해한 불소화합물을 제거하는 장치 및 방법
WO2020149758A1 (en) 2019-01-18 2020-07-23 Inovacioni Centar Tehnolosko-Metalurskog Fakulteta U Beogradu Doo Beograd (Palilula) Catalyst for the decomposition of organohalogen refrigerant fluids
CN110917752A (zh) * 2019-12-13 2020-03-27 扬州鑫科环保成套设备有限公司 一种喷漆废气过滤器滤袋喷粉预涂工艺
CN113163083B (zh) * 2021-03-30 2022-08-30 盛泰光电科技股份有限公司 用于摄像头模组的生产方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63291625A (ja) * 1987-05-25 1988-11-29 Toyo Sanso Kk 排ガス処理方法及び該処理方法に使用される流動層式吸着塔
US5417934A (en) * 1988-06-04 1995-05-23 Boc Limited Dry exhaust gas conditioning
JPH0649086B2 (ja) 1989-08-05 1994-06-29 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 塩弗化アルカンの接触分解法
JPH0663357A (ja) 1990-10-26 1994-03-08 Tosoh Corp 有機ハロゲン化合物を含む排ガスの処理装置
AT404431B (de) * 1993-09-09 1998-11-25 Chemie Linz Gmbh Verfahren zur umweltgerechten entsorgung von triazinabfällen
FI94515B (fi) * 1994-03-04 1995-06-15 Finnish Chemicals Oy Menetelmä hydrauskatalyytin reaktivoimiseksi
US6030591A (en) * 1994-04-06 2000-02-29 Atmi Ecosys Corporation Process for removing and recovering halocarbons from effluent process streams
US5759504A (en) * 1994-12-28 1998-06-02 Hitachi, Ltd. Method for treating organohalogen compounds with catalyst
JP3266759B2 (ja) 1995-06-14 2002-03-18 株式会社日立製作所 有機ハロゲン化合物の処理方法及びその処理装置
DE19532279C2 (de) 1995-09-01 1998-07-23 Cs Halbleiter Solartech Vorrichtung zur Reinigung von Gasen, die ozonabbauende und/oder klimawirksame halogenierte Verbindungen enthalten
US5649985A (en) * 1995-11-29 1997-07-22 Kanken Techno Co., Ltd. Apparatus for removing harmful substances of exhaust gas discharged from semiconductor manufacturing process
US6069291A (en) * 1996-06-12 2000-05-30 Guild Associates, Inc. Catalytic process for the decomposition of perfluoroalkanes
JP3713333B2 (ja) * 1996-07-04 2005-11-09 同和鉱業株式会社 弗化炭素類の分解法
US5955037A (en) * 1996-12-31 1999-09-21 Atmi Ecosys Corporation Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
JP3977887B2 (ja) 1997-01-14 2007-09-19 株式会社日立製作所 フッ素化合物含有ガスの処理方法
JP3553310B2 (ja) 1997-03-11 2004-08-11 株式会社荏原製作所 真空排気システム
JP3593875B2 (ja) 1997-03-24 2004-11-24 昭和電工株式会社 パーフルオロ化合物の接触分解方法
EP1029580B1 (en) * 1997-04-16 2005-12-21 Ebara Corporation Method for removing nitrogen oxides in exhaust gas
US5935540A (en) 1997-04-25 1999-08-10 Japan Pionics Co., Ltd. Cleaning process for harmful gas
US6023607A (en) * 1997-05-30 2000-02-08 Nokia Telecommunication Oy Radio system and a call setup method
DE69820926T2 (de) * 1997-06-20 2004-09-02 Hitachi, Ltd. Verfahren, Vorrichtung und Verwendung eines Katalysators zur Zersetzung fluorierter Verbindungen
JP3269456B2 (ja) 1997-06-20 2002-03-25 株式会社日立製作所 フッ素含有化合物の分解処理方法、触媒及び分解処理装置
JP3368820B2 (ja) 1998-02-27 2003-01-20 株式会社日立製作所 フッ素化合物含有ガスの処理方法および触媒

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI452946B (zh) * 2009-12-29 2014-09-11 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Plasma reaction device
TWI608862B (zh) * 2013-03-19 2017-12-21 昭和電工股份有限公司 Perfluorochemical treatment apparatus, perfluorochemical treatment method, and recording medium

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