JP2002018237A

JP2002018237A - 処理ガス排出物の処理

Info

Publication number: JP2002018237A
Application number: JP2001060906A
Authority: JP
Inventors: Sharu-Ian Sharu-Iru; シャルーイアンシャルーイル; Batonagaa Ashish; バトナガーアシッシュ; S Kausharu Tony; エスカウシャルトニー
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2000-01-28
Filing date: 2001-01-29
Publication date: 2002-01-22

Abstract

(57)【要約】【課題】処理排気に含まれる有害ガスの環境への持ち込
みを最小にする。【解決手段】処理排気中のペルフルオロ化合物等の有害
ガスは、処理排気ガスとヒドロキシル基生成添加物質お
よび／または酸素基生成添加物質との反応により除去さ
れる。他の態様として反応を促進するエネルギーは、加
熱器、触媒および／または光活性器により提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は処理室からの排気ガ
ス中の有害ガス含有量を低減する装置および方法に関す
る。

【０００２】

【従来技術】フルオロカーボン、クロロフルオロカーボ
ン、炭化水素および他のフッ素含有ガスは、処理室内で
の集積回路の製造に使用され、または製造中に副産物と
して形成される。これらのガスは人体に有毒であり環境
に有害である。さらに、これらは赤外線を強く吸収する
ので地球温暖化の大きな潜在力となり得る。難分解性の
フッ素化合物またはペルフルオロ化合物（ＰＦＣ）が特
に有名であり、それらは寿命が長く化学的に安定な化合
物であって、数千年を超えるような寿命をもつこともあ
る。ＰＦＣのいくつかの例としては、四フッ化炭素（Ｃ
Ｆ₄）、六フッ化エタン（Ｃ₂Ｆ₆）、ペルフルオロシク
ロブタン（Ｃ₄Ｆ₈）、二フッ化メタン（ＣＨ₂Ｆ₂）、ペ
ルフルオロシクロブテン（Ｃ₄Ｆ₆）、ペルフルオロプロ
パン（Ｃ ₃Ｆ₈）、三フッ化メタン（ＣＨＦ₃）、六フッ
化硫黄（ＳＦ₆）、三フッ化窒素（ＮＦ₃）、フッ化カル
ボニル（ＣＯＦ₂）等を挙げることができる。例えば、
ＣＦ ₄は環境中で約５０，０００年の寿命を有し、６５
０万年にもわたり地球温暖化の要因となり得る。従っ
て、処理室から放出され得る排気中の有害ガス、特にＰ
ＦＣの含有量を低減できる装置または方法が望まれてい
る。

【０００３】ペルフルオロ化合物は多くの半導体製造工
程において有用である。例えばペルフルオロ化合物は、
酸化物、金属および誘電体層等の基板上の層のエッチン
グに使用される。また、ペルフルオロ化合物は化学蒸着
工程の際にも使用できる。さらに、ペルフルオロ化合物
を用いて処理室のエッチングや蒸着の残留物を除去する
ことができる。これらの有害化合物は、処理室に導入さ
れるか処理室内で副産物として生成され、処理室からの
排気流中に排出されることもある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような有害なガス
および副産物の環境への持ち込みを最小にすることが望
まれる。また、大気中に放出される排気中の有害ガス含
有量を、有効かつ費用のかからない方法で最小にするこ
とも必要である。さらに、特に広範にＰＦＣを用いる産
業については、たとえその使用量が世界中のＰＦＣの全
消費量または放出量からすると比較的少なくても、ＰＦ
Ｃおよび他の有害ガスを可能な限り低いレベルに低減す
る必要がある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明はこれらの要求を
満たことができる。本発明の１つの態様において、基板
を処理できる装置は、排気が通過する排出部を有し活性
化ガス中で基板を処理できる処理室と、排出部に接続さ
れ排気ガスに排気を処理するためのヒドロキシル基また
は酸素基を含む添加ガスを供給する添加ガス供給部とを
備える。

【０００６】本発明の他の態様において、基板処理方法
は、基板を処理して排気ガスを発生することと、その排
気ガスへ添加ガスを添加して排気ガスを処理することを
含み、添加ガスは水酸基または酸素基を含んでいる。

【０００７】本発明の他の態様において、基板処理装置
は、活性化ガス中で基板を処理でき、それにより排気ガ
スを発生する処理室と、放射光を排気中に通して排気ガ
スを処理できる放射光源を有する光分解反応器とを備え
る。

【０００８】本発明の他の態様において、基板処理方法
は、活性化ガス中で基板を処理してそれによって排気ガ
スを発生することと、排気へ放射光を照射して排気ガス
を光分解処理することを含む。

【０００９】本発明の特徴、態様および利点は、以下の
説明、請求項および本発明の実施例を例示する添付図面
により一層よく理解できる。しかし、本発明において各
々の特徴は一般的なものであって、特定の図面における
ものだけではなく、さらに本発明はそれらの特徴のいか
なる組合せをも含むことを理解されたい。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は、処理室に用いるガス処
理装置と、処理室からの排気中の有害ガス含有量を除去
する方法に関する。図１に示す例示的な基板処理装置２
０は、例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプラ
イドマテリアル社から市販されているＭｘＰ、ＭｘＰ
＋、またはＭｘＰＳｕｐｅｒ等のチャンバー２５を備
え、本出願人に譲渡され、その開示内容が本明細書の記
載に含まれるものとされているチェン他の米国特許第
４，８４２，６８３号および５，２１５，６１９号、メ
イダン他の米国特許第４，６６８，３３８号中に概略記
載されている。このようなチャンバーは、多数のチャン
バーが一体化された処理システムに用いることができ、
このようなシステムは、例えばその開示内容が本明細書
の記載に含まれるものとされている、メイダン他の米国
特許第４，９５１，６０１号に記載されている。本明細
書に示されるチャンバー２５の特定の実施形態は、半導
体ウェハー等の基板３０の処理に好適である。例示的な
実施形態は、本発明を説明するためだけに与えられたも
のであり本発明の範囲を限定するものではない。

【００１１】処理中、チャンバー２５は約５００ｍＴｏ
ｒｒ未満の低圧にされ、基板３０は真空に保たれている
ロードロック移送チャンバー（図示せず）からチャンバ
ー２５のプラズマ区域３５へ移送される。基板３０は、
機械的または静電チャック４５を選択的に備える支持体
４０に保持される。典型的な静電チャック４５は、基板
３０を受容するようになっている表面部５３を有する誘
電層５２を備える静電部材５０を備える。誘電層５２
は、基板３０を静電保持するよう荷電可能な電極５５
（単一の導体でも複数の導体でもよい）を覆っている。
基板３０がチャック４５上に配置された後、電極５５は
電極電源６０によって基板３０に対して電気的にバイア
スされ、基板３０を静電保持する。静電チャック４５の
下のベース６５はチャックを支持し、随意的にこのベー
ス６５もＲＦバイアス電圧でバイアスされる。表面部５
３は、基板３０の温度を制御するためのヘリウム等の熱
伝達ガスを収容する溝部５４を有してもよい。熱伝達ガ
スは、１つまたはそれ以上の出口６８をもつガス導管６
６を経由して供給され、ガスを出口６８からチャック４
５の表面部５３に分配し、１つまたはそれ以上の電極５
５および誘電層５２を通って拡がる。熱伝達ガス供給源
６７は、ガス供給路を経て導管６６に熱伝達ガスを供給
する。

【００１２】処理ガスは、第１のガス供給源７０および
チャンバー２５までの１つまたはそれ以上のガスノズル
７２を含むガス供給部６９を通ってチャンバー２５に導
入される。チャンバー２５内の圧力は、典型的には低圧
に保たれる。プラズマ区域３５で処理ガスに電磁エネル
ギーを与えることによってプラズマが形成される。チャ
ンバー２５内において、電極５５（陰極として用いる）
にＲＦ電圧を印加し、チャンバー２５の側壁７５を電気
的に接地して他の（陽）電極５５を形成することによっ
てプラズマが容量的に発生する。別の実施形態（図示せ
ず）において、チャンバー２５に隣接する誘導コイル
（図示せず）にＲＦ電流を印加しチャンバー内に誘導的
にエネルギーを与えてプラズマ区域でプラズマを発生さ
せて処理ガスを活性化してもよい。電極５５または誘導
コイル（図示せず）に印加されるＲＦ電流の周波数は、
典型的には約５０ｋＨｚから約６０ｋＨｚである。ま
た、容量的に発生するプラズマは、磁気的に強化された
反応器中の電子サイクロトロン共鳴により強化でき、反
応器ではプラズマ区域でのプラズマの密度と均一性を高
めることができる永久磁石または電磁コイル等の磁界発
生器７７が磁界を与える。米国特許第４，８４２，６８
３号に記載されるように、磁界は基板３０の平面に平行
に回転する軸をもつ回転磁界を含むことが好ましい。

【００１３】処理ガスおよび処理副産物を含む排気１０
０は、チャンバー２５を低圧にできる排出システム８０
を通って該チャンバー２５から排出される。排出システ
ム８０は排出管８５を備えており、排出管８５はチャン
バー２５内のガスを排出する１つまたは複数の荒引きポ
ンプや高真空圧ポンプ等のポンプに連通する。排出管８
５にはチャンバー２５の圧力を制御するための絞り弁８
２が設けられている。また、エッチング処理の完了を測
定するのに光学的な終了点測定技術がよく利用されてお
り、これはチャンバー２５内のガス種の放射光の放射強
度の変動測定や、基板３０上の処理層から反射される放
射光の強度測定によるものである。

【００１４】典型的な基板製造処理におけるチャンバー
２５の作動中には、基板３０は処理室２５内の支持体４
０上に配置され、例えばＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₈、ＣＨ
Ｆ₃、ＳＦ₆、ＮＦ₃、ＣＯＦ₂、ＣＨ₃Ｆ、Ｃ₄Ｆ₈、ＣＨ₂
Ｆ₂、Ｃ₄Ｆ₆およびそれらの等価物であるフッ素含有ガ
ス等の例えばハロゲン含有ガスを含む処理ガスは、ガス
供給部６９を通って処理区域に導入される。処理ガス
は、チャンバー２５内のガス活性化部６０によって活性
化され、例えば、電磁的に活性化されたプラズマガスや
マイクロ波で活性化されたガス内で基板３０を処理す
る。もしくは、ガスを遠隔チャンバー（図示せず）で活
性化して、その後チャンバー２５に導入してもよい。処
理中または処理後に、使用済み処理ガスおよびガス状副
産物の排気流１００は、処理室２５から除去システムの
導管２１０に排出される。フッ素含有ガスは処理室清浄
工程にも利用できる。

【００１５】１つの実施形態において、排気１００は、
図２に示すような除去システム２００内でＰＦＣ等の有
害で望ましくないガスを除去する。この態様において
は、導管２１０は、処理室２５の排出システム８０にシ
ール結合しており、ＰＦＣ等の有害ガスを含む処理室２
５からの排気１００は導管２１０に流入する。入口管２
１８中にバルブ２１７を備える空気システム２１５を導
管２１０に接続してもよく、排気流１００に空気を導入
し、または導管２１０内のガス圧を調整して除去システ
ム２００を通過する十分な流体流量を確保する。別の添
加ガス供給部２２０を設けてもよく、空気システム２１
５と添加ガスシステム２２０とを単一のシステムに組み
合わせてもよい。以下に説明するように、添加ガス供給
部は、コントローラ２２５の制御下にあるバルブ２２４
の制御の下でガス源２２２からの添加ガスまたは流体を
導管２１０に送るための配管２２３を備える。添加ガス
は、例えば排気１００と反応してその中の有害ガスを分
解することを目的とするガスを含んでもよい。

【００１６】１つの態様において、添加ガスは、１種ま
たはそれ以上のヒドロキシル基生成化学物質（例えばヒ
ドロキシル基を有する化学物質）および／または酸素基
または酸素原子生成化学物質を含む。１種またはそれ以
上の、例えばＨ₂Ｏ₂、またはＣＨ₃ＯＨ、Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ等
のアルコール、またはＣｘＨｙＯＨの化学式を有しｘ＝
１−６およびｙ＝２ｘ＋１である他の化学物質等のヒド
ロキシル基生成化学物質、またはＯ₃等の酸素基または
酸素原子生成化学物質を加えることによって、排気１０
０中のＰＦＣガスの部分的な分解が行われる。「ヒドロ
キシルラジカル生成」によって、例えば光または熱エネ
ルギーの存在下で分解して化学物質または化合物が生じ
反応性のＯＨラジカルが生じる。「酸素ラジカルまたは
酸素原子生成」によって、例えば光または熱エネルギー
の存在下で分解して化学物質または化合物を生じ酸素原
子が生ずる。これらの添加物質は、排気１００と反応し
てその中の有害ガスを低減する。例えば、ＣＦ₄と添加
ガスＨ₂Ｏ₂との間には下記の反応が起こると考えられ
る。２Ｈ₂Ｏ₂＋ＣＦ₄→４ＯＨ・＋ＣＦ₄→ＣＯ₂＋４ＨＦ＋Ｏ₂ （１）発生するＣＯ₂は排出可能であり、ＨＦは水に溶解させ
ることにより処理できる。除去システムは、スクラバー
またはポストスクラバー２７０を備えてもよく、除去排
気１０１中の例えばＨＦや他の酸性ガスを溶解し、また
は他の望ましくない物質を除去することができる。化学
的に除去される場合、排気１０１の有害ガス含有量は低
減されているので未反応排気１００に比べて排出しても
安全である。もしくは、その後化学的除去排気１０１を
他の除去システムで処理して、排気１０１から更に高い
パーセンテージのＰＦＣや他の有害ガスを除去してもよ
い。

【００１７】アルコール類等の他のヒドロキシル基生成
添加物質を用いてもよく同様な結果が得られる。例え
ば、ＣＨ₃ＯＨとＣ₂Ｈ₅ＯＨは分解して以下のヒドロキ
シル基が生ずる。ＣＨ₃ＯＨ→ＣＨ₃・＋ＯＨ・（２）Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ→Ｃ₂Ｈ₅・＋ＯＨ・（３）各々の場合、以下の反応に示すように、ＯＨはＰＦＣと
反応して容易に洗浄可能および／または排出可能な生成
物が生じる。ＣＦ₄＋４ＯＨ・→ＣＯ₂＋４ＨＦ＋Ｏ₂ （４）もしくは、またはこれに加えて、以下に示すようにＯ₃
等の酸素基生成添加物質が分解して酸素基が生じる。Ｏ₃→Ｏ・＋Ｏ₂ （５）これは特に水素を与える成分が存在する場合ＰＦＣｓと
反応して望ましい生成物を生成する。ＣＦ₄＋２Ｏ・＋２Ｈ₂Ｏ→ＣＯ₂＋Ｏ₂ （６）

【００１８】コントローラ２２５を設けて、添加ガスの
導入を例えばバルブ２２４の開度を調節することによっ
て制御できる。コントローラ２２５は、所定量の添加ガ
スを排気１００へ導入するよう設計された一連のプログ
ラム命令に基づいて添加ガス供給部２２０を作動させ
る。排気に対する添加ガスの容量流量比は、排気中の有
害成分を除去できるよう十分大きな値に選択される。例
えば、排気の合計流量が約２０−７０リットル／分であ
る典型的なエッチング工程の１つの態様において、コン
トローラ２２５は、例えばＯ₃またはＨ₂Ｏ₂である添加
ガスを約０．２から１４リットル／分だけ排気中に導入
し、排気中に約１容量％から約２０容量％の添加ガスの
容量濃度をもたらす。他の態様において、排気１００の
濃度を検出するため、および／または除去される排気１
０１中の残留有害ガスの濃度を検出するためにガス分析
器（図示せず）を設けて、これに関連する出力信号を生
成するようにしてもい。コントローラ２２５は、その信
号に基づいて排気１００に導入される添加ガスの量を自
動的に調整するようプログラムできる。

【００１９】コントローラ２２５は、コンピュータで読
取可能な組み込みプログラムコードを有するコンピュー
タで読取可能な媒体を備え、ガス分析器からの出力信号
を監視し、または、処理室２５で行われる処理に基づい
て所定比率または流量の添加ガスを排気中に導入するプ
ログラムコードを実行する。コントローラ２２５は、１
９９９年７月２８日出願の米国特許出願番号０９／３６
３，３０２である「処理ガス排出物の処理」に説明され
ているようなシステムコントローラに組み込むことがで
きる。コントローラ２２５は、周辺制御部品やメモリー
システムに接続される、例えばカリフォルニア州サンタ
クララのインテル社から市販されている１つまたはそれ
以上のＰＥＮＴＩＵＭ（登録商標）マイクロプロセッサ
等の中央処理装置（ＣＰＵ）を備えるコンピュータを制
御するコンピュータプログラムコード製品を備えてい
る。また、コントローラ２２５のＣＰＵは、システムの
個々の構成要素を作動させるＡＳＩＣ（特定用途向け集
積回路）であってもよい。オペレータとコントローラ２
２５とのインターフェースは、ペン先の光学センサを用
いるＣＲＴモニタと光源であってもよい。特定画面や所
定機能を選択するためにオペレータはＣＲＴモニタの指
定箇所にタッチしてペンのボタンを押す。タッチした箇
所の色が変わるかまたは新しいメニューや画面が表示さ
れ、光学ペンとＣＲＴモニタとの間の通信が確立する。
キーボード、マウスまたはポインティング通信装置等の
他の装置もコントローラ２２５との通信に用いることが
できる。これによりオペレータは洗浄液のｐＨ値や流量
範囲を入力できる。

【００２０】コンピュータのＣＰＵや他の装置を作動さ
せるためのコンピュータプログラムコードは、アセンブ
リ言語、Ｃ、Ｃ＋＋またはＰａｓｃａｌ等の如何なるコ
ンピュータ読取可能プログラム言語を用いて書かれてい
てもよい。好適なプログラムコードは、通常のテキスト
エディタを用いて１つのファイルまたは複数のファイル
へ入力され、コンピュータのメモリシステム等のコンピ
ュータで利用可能な媒体に格納または組み込むことがで
きる。入力コードテキストが高級言語である場合、コー
ドはコンパイラコードにコンパイルされ、予めコンパイ
ルされたウィンドウズ（登録商標）ライブラリールーテ
ィンのオブジェクトコードにリンクされる。リンクされ
コンパイルされたオブジェクトコードを実行するため、
システムユーザはオブジェクトコードを用いて、メモリ
中のコードをコンピュータにロードして、コンピュータ
プログラム中で識別されたタスクを実行する。

【００２１】図３は除去システム２００の他の実施形態
を示し、熱エネルギーが添加ガスとの反応を促進するよ
う排気１００に供給される。図３に示す態様において、
直列形加熱器２４０または他の加熱装置を設けて、排気
１００の温度を上昇させてＰＦＣの分解を導く反応をさ
せるのに十分な熱エネルギーを供給してもよい。また、
反応チャンバー２４８を設けて排気１００と添加ガスと
の滞留時間を長くして、それらの間の反応をさらに促進
してもよい。所望であれば、スクラバー２７０で洗浄さ
れる前に除去された排気１００を冷水急冷方式等の冷却
装置２６０で冷却してもよい。ＰＦＣ分解率は、温度と
除去される特定のＰＦＣとの関数である。例えば、ＣＦ
₄は、約１０００℃から約１２００℃の温度で約９０か
ら９５パーセント除去されると考えられるので、相当低
い温度でも適度の分解が達成される。さらに、ＣＦ₄を
約８０％以上除去するのに相当低い温度でもよいと考え
られている。

【００２２】ＰＦＣ等の有害ガスを相当量除去するのに
必要な温度は、添加物を含有する排気を触媒環境に通す
ことによって低くできることが分かっている。触媒除去
システムは、参考文献として本明細書に組み込まれてい
る、１９９９年７月２８日出願の米国特許出願番号０９
／３６３，３０２、「処理ガス排出物の処理」中に開示
されている。１つの態様において、触媒環境は触媒反応
器２５０の内部とすることができる。図４に触媒反応器
の１つの実施例を示す。真空ポンプや他の流量制御装置
は触媒反応器の一方側に配置されており、排気１００は
触媒反応器２５０を通って流れる。排気ガス１００は、
上流で添加ガスと混合され、排気１００と添加ガスとは
入口２５１を通って触媒反応器２５０に入り、反応器２
５０を通過して出口２５２から出る。触媒反応器から出
る除去された排気１０１は排出しても安全であるか、ま
たは排出しても安全なように処理できる。

【００２３】触媒反応器２５０は、排気中の有害ガスを
低減する反応に触媒作用を及ぼす触媒作用面２５７を備
えてもよい。触媒作用面２５７は、触媒材料から作られ
るかまたは細かく砕かれた触媒を保持する構造体、発泡
体およびペレット層、または触媒反応器の壁や構成要素
の被覆物の形態であってもよい。例えば、触媒作用面２
５７は、ハニカム状部材を備える支持構造体表面を含ん
でもよく、ハニカム部材には触媒が埋め込まれて大きい
表面積の部材２５５が形成され、排気がその上およびそ
の中を通って入口２５１から出口２５２へ流れる。触媒
作用面２５７は、例えば、コーディエライト、Ａｌ
₂Ｏ₃、アルミナ−シリカ、ムライト、炭化ケイ素、窒化
ケイ素、ゼオライトおよびその等価物等のセラミック材
料を備える構造体上にあってもよく、またはＺｒＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂または、これらと他の酸化物の組合
せといった材料の被覆物を含んでもよい。また、触媒作
用面２５７には、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｌａまたはそれらの組合せと
いった触媒金属や、触媒活性を促進させることが知られ
ている他の材料が含浸されていてもよい。触媒作用面２
５７は除去反応の活性化エネルギーを低減するので反応
速度が大きくなる。例えば、ＣＦ₄分解に関する活性化
エネルギーは、好適な触媒上を通過させることによって
約１３５ｋＪ／ｍｏｌに低減する。他の実施例では、Ｃ
₂Ｆ₆の活性化エネルギーは約９８ｋＪ／ｍｏｌに低減す
る。活性化エネルギーの低いレベルは、低温においても
ＰＦＣ含有量を低減して、エネルギー消費を低減し反応
効率を高める。

【００２４】１つの態様において、触媒反応器２５０
は、触媒除去システム２００の一部であってもよい。触
媒除去システム２００の実施形態を図５に示す。導管２
１０はチャンバー２５の排出システム８０にシール結合
されており、ＰＦＣ等の有害ガスを含む処理室２５から
の排気１００は導管２１０に流入する。導管２１０は触
媒除去システム２００を介して排気１００を出す。以下
に説明するように、触媒除去システムの本態様は、一般
的には１つまたはそれ以上の空気システム２１５、１つ
またはそれ以上のヒドロキシル基生成化学物質および／
または酸素基生成化学物質を加えるための添加ガス供給
装置２２０、プリスクラバー２３０、加熱器２４０、触
媒反応器２５０、冷却システム２６０およびポストスク
ラバー２７０とを備える。

【００２５】スクラバーすなわちプリスクラバー２３０
は、触媒反応器に導入される前に排気１００を処理する
ために設けられており、触媒反応器にダメージを与える
かまたは効率を低下させる排気成分を除去できる。例え
ば、排気中にＳｉＦ₄が存在すると、ＳｉＦ₄は触媒を不
活性化したり、水分と沈着シリコンの存在下で分解して
触媒上に沈着物を生成する場合がある。プリスクラバー
２３０は、例えば水である洗浄液でＳｉＦ₄を反応させ
て排気１００中の濃度を下げる。ＳｉＦ₄は酸化物エッ
チング処理中に例えばチャンバー２５内でしばしば発生
する。Ｈ₂ＯはＳｉＦ₄と次式のように反応すると考えら
れている。２Ｈ₂０＋ＳｉＦ₄→ＳｉＯ₂＋４ＨＦ（７）

【００２６】結果として生じるＳｉＯ₂とＨＦ生成物と
は、排気１００から容易に除去できる。ＨＦは水に溶解
させることができ、ＳｉＯ₂は例えばろ過により排除可
能であり、触媒反応器２５０内の触媒材料の寿命が長く
なる。従って、プリスクラバー２３０の大きさと作動条
件は、排気中の実質的に全てのＳｉＦ₄を除去するのに
十分であるよう設定する必要がある。プリスクラバー２
３０の１つの態様は、その全てが参考文献として本明細
書に組み込まれている１９９９年１１月５日出願の米国
特許出願番号０９／４３５，１１９である、「処理ガス
スクラバー」に開示されている。触媒や除去システムに
ダメージを与える相当量のＳｉＦ₄や他の成分を含まな
い排気１００を除去するためにこのシステムを利用する
場合は、システムからプリスクラバー２３０を取り除く
ことができる。

【００２７】ＳｉＦ₄や類似成分の除去に加えプリスク
ラバー２３０は、別の添加物質を排気１００に加えて排
気１００中の望ましくないガスとさらに反応させるのに
利用できる。例えば、Ｈ₂Ｏ等の水素および酸素を含む
ガスを、ＣＦ₄を含む排気１００に加えることができ、
ＣＦ₄がＣＯ₂とＨＦとに転化される。この反応は次式に
よると考えられる。ＣＦ₄＋２Ｈ₂Ｏ→ＣＯ₂＋４ＨＦ（８）ＣＯ₂は排出可能であり、ＨＦは水に溶解させることに
より処理できる。しかし、依然として腐食性があり毒性
を有する。さらに少しの調整を加えることで水素と酸素
を他のＰＦＣの分解に用いることができる。例えば、Ｃ
₂Ｆ₆がＨ₂ＯおよびＯ₂と反応する場合は次式の反応が起
こると考えられる。Ｃ₂Ｈ₆＋６Ｈ₂Ｏ＋Ｏ₂→４ＣＯ₂＋１２ＨＦ（９）つまり、排気中の有害ガスを除去するには、前述の添加
ガスに加えてＨ₂Ｏおよび／またはＯ₂または他の反応性
ガスを排気１００へ加えることが望ましい。従って、１
つの実施形態において、プリスクラバーは、排気１００
に約０．１容量％から１０容量％、好ましくは約３容量
％のＨ₂Ｏを加える。さらに、Ｏ₂として、または空気を
加えることにより、または有害ガスと積極的に反応する
他の酸素源を加えることにより、添加ガス供給装置２２
０によって排気１００へ酸素を加えてもよい。もしく
は、またはそれに加えて、Ｎ₂を添加してもよい。ＣＯ
等の望ましくない生成物の発生を最小にするのに好適な
添加物質は、Ｏ₂および／または空気である。

【００２８】下流において、例えば加熱器２４０および
／または直交流形熱交換器２４５からなる加熱システム
は、触媒反応器２５０内で有害ガスを適切に除去するの
に十分な温度まで導管２１０内の排気および添加ガスを
加熱する。加熱器２４０および／または熱交換器２４５
で加熱されたのち、加熱された排気１００は、排気から
の有害ガスの分解反応を促進する前述の触媒材料を含む
触媒反応器２５０を通過する。除去された排気１０１
は、洗浄および排出される前に冷却されてもよい。１つ
の実施形態において、冷却システム２６０は、冷水を噴
霧して除去排気１０１を冷却する冷水急冷システムを備
える。その後、除去排気１０１は反応器を有するスクラ
バー２７０に導入されて除去排気１０１中の酸性物質が
水に溶解し、容易に排出または処分できる例えば酸性溶
液が生成される。

【００２９】プリスクラバー２３０および触媒反応器２
５０の両方でＨＦが生成されることに留意されたい。排
気１００、１０１中にＨＦが存在すると、安全上の問題
と取扱いの困難性を引き起こす。ＨＦは有毒であり、皮
膚に触れてはならない。さらに、ＨＦは特に高温の場合
や、水および酸素の存在下では腐食性が高い。例えばウ
ェストバージニア州ハンティントンのインコ社から入手
できるインコネル６００または６２５（登録商標）等の
ニッケルをベースとした合金は、触媒除去システム２０
０の環境において優れた耐腐食性をもたらし、さらに高
い信頼性で密閉可能でシステムからの望ましくないＨＦ
の流出を防止できることが分かっている。この実施形態
においては、ＨＦ等の排気の有害成分の流出を防止する
ために、触媒反応器２５０は、直列型ガス加熱器２４０
と直交流熱交換器２４５とにしっかり溶接されるかまた
は他の方法で永久的かつ強固に固定されている。

【００３０】もしくは、ＰＦＣ等の有害ガスの相当量を
除去するのに必要な温度は、排気１００および添加物質
を光分解性環境を通すことにより低くできることが分か
っている。図６は光分解反応器３１０を用いた排気除去
システムの実施形態を示す。光分解反応器は、排気１０
０が例えば放射源３１５からの光子のようなエネルギー
に曝される反応器またはチャンバーである。放射源３１
５は、例えば紫外線、可視線または赤外線のような、強
力な放射光を放射できるものであり、ランプ、ＬＥＤま
たはレーザを含むことができ、電源３１８から電力が供
給される。放射される放射光は、例えば約５０ｎｍから
約１０００ｎｍのような広い波長範囲を有することがで
きる。しかし、ガス流１００中のＰＦＣは、約１２０ｎ
ｍから約７００ｎｍの波長の放射光を受けたときに良好
な光化学分解が始まることが分かっている。反応器を通
る排気は、光分解処理に十分な時間にわたって放射光に
よって露光され、排気のペルフルオロ化合物の含有物が
低減される。チャンバー内の排気についての好適な滞留
時間は、放射源の出力レベル、排気中の有害ガス量、お
よび光分解反応速度に依存する。本実施例の排気のＰＦ
Ｃ含有量を低減するのに好適な滞留時間は、少なくとも
約０．５秒、好ましくは約１秒から約２０秒である。

【００３１】このような光分解反応器３１０の１つの態
様を図７ａに示す。ガス１００は光分解反応器３１０に
入口３１１から入り、排気１００が１つまたはそれ以上
のランプ放射光源３１５からの放射光に曝される光分解
区域３２０を通過して、出口３１２から出る。好適な放
射光源３１５は、約５０から約５０００ワット、より典
型的には約１０００ワットまでの水銀またはキセノンラ
ンプ等の高輝度ランプ３１５を含む。必要な出力強度
は、反応器の寸法や形状および周囲の表面の反射率に依
存する。光分解区域３２０の周りを取り巻いて一連のラ
ンプを配置してもよく、排気１００が光化学分解を開始
するのに適切な量の放射光に曝すのに十分な強さのラン
プであれば単一のランプを用いてもよい。光化学分解
は、排気１００が例えば加熱器２４０内で加熱されさら
に放射光を受ける場合、広い範囲で始まることも分かっ
ている。もしくは、または更に、排気１００は、光分解
反応器３１０内の本来の位置で加熱されてもよいことに
留意されたい。

【００３２】ランプエンクロージャ３３５は、ランプ３
１５を取り囲んでいてもよく、ランプエンクロージャ３
３５は、アルミニウムやマグネシウム酸化物等の反射性
材料で構成されるか被覆される内面３４０を有する。反
射性被覆物３４０はランプ３１５から放出されるべき放
射光の必要エネルギーと量を低減するのでランプの電力
を節約してランプを小型化する。図７ｂ−７ｄに示すよ
うに、反射性表面３４０は、排気１００が通る放射光強
度を高めるよう設計された外形または幾何学的形状であ
ってもよい。図７ｂおよび７ｃにおいて、三角形の（ま
たは角のある形状の）エンクロージャ３３５は、放射光
を光分解区域３２０内および周囲に反射するよう設けら
れている。図７ｄは半円形または別のアーチ形反射表面
３４０を示し、好適なアーチ形表面は例えばランプ３１
５から放射される放射光が光分解区域３２０で焦点を結
ぶよう選択された焦点距離をもつ放物形状表面である。

【００３３】１つの態様において、光分解区域３２０の
反応器の壁３２５は、加熱された排気１００を光分解処
理するために放射光が通過するよう、少なくとも部分的
にエネルギー透過性材料で作られている。例えば、反応
器の壁３２５は、実質的に透明な材料で作ってもよく不
透明壁に透明な窓を設けてもよい。例えば、透明材料
は、サファイア、水晶、ガラス、または他の等価材料で
あってもよい。排気１００の腐食性と有害性とにより、
光分解反応器３１０への導管の安全かつ効果的な密閉が
必要である。１つの態様において、図７ａに示すよう
に、透明な壁または窓をインコネルまたはステンレス鋼
の反応器に設けてもよい。この態様において、耐腐食性
導管２１０は、溶接３５０されるかまたは一体成形さ
れ、もしくは他の方法でインコネル（登録商標）等の耐
腐食性部３４５に接合される。次に、耐腐食性材料の部
分３４５は、光分解反応器３１０の壁３２５または窓を
形成する透明材料へろう付けされ、または他の好適な方
法で取り付けられる。例えば、インコネル製の耐腐食性
部は、サファイアからなる透明壁３２５または窓にろう
付けできる。インコネルは排気１００の加熱ＨＦ環境に
おいて良好な耐腐食性を有し、サファイアやアルミナ単
結晶形態は優れた化学的耐性と侵食耐性、および２００
０℃を超える高温性能を有する。好適なろう付け材料
は、作動温度（７００℃に達することもある）に耐える
ことができ、ろう付け部に漏洩がなく熱膨張応力でサフ
ァイアを破損させることがなく、その材料としては、銀
−銅−チタン合金、銀−チタン合金、およびニッケル−
チタン合金を挙げることができる。しかし、セラミック
と金属との接合用物質のような他の高温密封材料を用い
てもよく、ポリイミド系またはケイ素系密封材料を用い
て低温シールを形成してもよい。

【００３４】排気１００中の有害ガスを除去するため
に、放射源３１５からの放射光は光分解反応器３１０内
に指向される。放射光のエネルギーは、排気１００を光
活性化して光分解反応器３１０中で例えばＰＦＣである
有害成分の分解を始める。例えば、添加ガスの光活性化
は、ガスを解離して（１）から（６）までの反応を行う
のに必要なヒドロキシル基および／または酸素基を容易
に生成することが分かっている。さらに、ＣＦ₄含有排
気１００のようなＰＦＣ含有排気１００は、Ｈ₂Ｏおよ
びＯ₂の存在下で光分解反応器３１０を通過すると、次
の反応および解離が起こると考えられる。ＣＦ₄＋光分解エネルギー→ＣＦ₃・＋ＣＦ₂・＋ＣＦ・＋Ｆ・（１０）Ｏ₂＋光分解エネルギー→Ｏ・＋Ｏ・（１１）Ｈ₂Ｏ＋光分解エネルギー→Ｈ・＋ＯＨ・（１２）次いで、これらの反応生成物、基、および中間体は、相
互におよび／または排気１００中の非解離化合物と有利
に反応する。例えば、次式の反応が起こると考えられ
る。ＣＦ₃・＋Ｏ₂→ＣＦ₃Ｏ₂・（１３）ＣＦ₃Ｏ₂・＋ＣＦ₃Ｏ₂・→ＣＦ₃・＋ＣＦ₃Ｏ・＋Ｏ₂ （１４）ＣＦ₃Ｏ・→ＣＯＦ₂＋Ｆ・（１５）ＣＯＦ₂＋２Ｆ・＋２Ｈ₂Ｏ＋Ｏ・→４ＨＦ＋ＣＯ₂＋Ｏ₂ （１６）ＨＦ、ＣＯ₂およびＯ₂は、前述のように容易に処理でき
る。また、ＯＨ基の存在下で次式の反応が可能であると
考えられる。ＣＦ₄＋４ＯＨ・→４ＨＦ＋ＣＯ₂＋Ｏ₂ （１７）

【００３５】図８は除去システム２００の他の実施形態
を示す。本実施形態においては、除去システム２００は
光分解反応器３１０と触媒反応器２５０とを備える。加
熱された排気１００は、光分解反応器３１０で処理され
て有害ガスが除去され、次に、少なくともその一部が除
去された排気は触媒反応器２５０へ導入され、その全て
が参考文献として本明細書に組み込まれアプライドマテ
リアルズ社に譲渡されている１９９９年７月２８日出願
の米国特許出願番号０９／３６３，３０２、「処理ガス
排出物の処理」に説明されている方法によってさらに除
去される。もしくは、光分解反応器３１０を触媒反応器
２５０の下流に配置してもよい。２つの除去反応器に排
気を供給することにより、排気１００の例えばＰＣＦ含
有量を著しく低減できる。図９Ａおよび９Ｂは触媒反応
器２５０のみでのＰＦＣの触媒除去の温度効果を示し、
ＰＦＣのほぼ完全な除去が約７００℃またはそれより低
い温度で起きている。触媒処理前または処理後に排気１
００を光分解的に処理することにより、ＰＦＣを許容レ
ベルまで除去するのに必要な温度を低くできる。さら
に、本実施形態において、触媒反応器２５０は図３の実
施形態の場合ほど多量な除去を行わないため、触媒材料
の寿命が延びる。安全を考慮すると、触媒材料２５５の
交換は、一体的に溶接されている触媒反応器２５０、加
熱器２４０および熱交換器２４５全ての交換を必要とす
る。従って、触媒寿命が延びると交換費用の低減と、処
理装置と除去装置の休止時間の短縮化の点で著しい節約
となる。

【００３６】図１０は除去システム２００の他の実施形
態を示す。二段反応器３９０は光分解反応器３１０と触
媒反応器２５０とを含む。二段反応器３９０は、前述の
ようにサファイア３２５にろう付けされたインコネル３
４５から構成できる反応チャンバーを備える。第１段階
の光分解区域３２０で処理された後に、排気１００は第
２段階の触媒反応器２５０中の触媒材料に進む。第２段
階において、触媒材料２５５は、残存するＰＦＣと光反
応区域３２０で生成された遊離基との反応に触媒作用を
及ぼし、同様に大気圧下で少なくとも約１００℃、さら
には約４００℃から７００℃の温度で水および酸素また
は他の添加物質によるＰＦＣ分解に触媒作用を及ぼす。
要求温度が低いので、熱交換器２４５の除去、加熱器２
４０の作動温度の低下、保温材料の厚みの低減および／
または起動時間の短縮化が可能となり、これら全てはシ
ステムの作動コストと製造コストを下げ、システムを小
型化する。さらに、温度の低下は従来の作動条件では利
用できなかったいくつかの材料の使用を可能にする。例
えば図８の実施形態の場合、この実施形態では、触媒に
より処理される処理基板あたりのＰＦＣ容量が少なくな
るので触媒の寿命が延びる。

【００３７】図９Ａは、ＳＦ₆、ＣＦ₄、およびＣ₂Ｈ₆ガ
スを触媒反応器２５０中でヒドロキシル基生成または酸
素基生成添加物質を添加することなく１０００ｐｐｍＣ
Ｆ₄、１０００ｐｐｍＣ₂Ｆ₆、および１５００ｐｐｍＳ
Ｆ₆をベースに処理した場合の、種々の温度における転
化率を示す。全ての３つのＰＦＣガスは、約７００℃ま
たはそれより低い温度で少なくとも９５％除去されてい
る。ＣＦ₄は、約４５０℃から７００℃で反応したとき
著しい除去を示し、約６００℃またはそれより低い温度
で９５％以上の除去を示す。さらに、ＣＦ₄は約５００
℃で約８０％除去される。ＳＦ₆は約５００℃より低い
の温度で著しく除去され、約５５０℃またはより低い温
度で９５％以上除去され、さらに低い温度で８０％除去
される。一般的に、炭素を含有しているＰＦＣは、ＮＦ
₃等の炭素を含有しないＰＦＣよりも除去することが難
しい。本発明の除去システムは、特にこれらの難分解性
ガスの除去に有用である。図９Ｂは、ＣＨＦ₃とＣ₂Ｈ₆
の混合ガスを触媒反応器２５０中でヒドロキシル基生成
または酸素基生成添加物質を添加することなく１０００
ｐｐｍＣＨＦ₃および１０００ｐｐｍＣ₂Ｆ₆をベースに
処理した場合の、種々の温度における転化率を示す。効
率の向上、電力消費の節減、および安全上または腐食上
の問題を低減するには温度をなるべく低くすることが望
ましい。１つの態様において、例えば、除去システム２
００は、添加ガスを使用して随意に光分解的にＰＦＣ分
解を開始させることによって温度をよりさらに低下させ
るよう設計されている。添加物質および／または光分解
処理は、図９Ａおよび図９Ｂに示されるカーブを左へ約
１００℃から約３００℃の間に移動できる。実際には約
１００℃といった低温で著しい除去が起こる。

【００３８】つまり、排気１００中のペルフルオロ化合
物等の有害ガスは、除去システムで効率よく効果的に除
去でき、これは内臓型の一体型ユニットであってもよく
種々の処理室２５に対して互換性がある。除去システム
２００は取扱いが容易で４０立方フィート未満の容積し
かなく、実質的に全ての種類のＰＦＣを含む多数の有害
ガスを分解できる。除去システム２００は処理室２５の
運転に何ら影響を与えることなく、有害ガスを排出する
如何なる処理室にも使用できる。

【００３９】本発明は、特定の好適な態様に関して詳細
に説明されているが、他の態様も可能である。従って、
請求項は、本明細書中の好適な態様の説明に限定される
ものではない。

【図面の簡単な説明】

【図１】排出部に除去システムが示されており、基板を
処理して有害ガスを含む排気を発生する例示的な処理装
置の側面断面略図である。

【図２】排気除去システムの１つの実施形態の側面断面
略図である。

【図３】排気除去システムの他の実施形態の側面断面略
図である。

【図４】除去システムに用いる例示的な触媒反応器の側
面断面略図である。

【図５】触媒反応器を備える除去システムの１つの実施
形態の略図である。

【図６】光分解反応器を備える除去システムの１つの実
施形態の略図である。

【図７ａ】光分解反応器の１つの実施形態の側面断面略
図である。

【図７ｂ】種々のランプエンクロージャ構造を備える光
分解反応器の実施形態の平面断面略図である。

【図７ｃ】種々のランプエンクロージャ構造を備える光
分解反応器の実施形態の平面断面略図である。

【図７ｄ】種々のランプエンクロージャ構造を備える光
分解反応器の実施形態の平面断面略図である。

【図８】触媒反応器および光分解反応器を備える除去シ
ステムの１つの実施形態の略図である。

【図９Ａ】除去システムの１つの態様に用いる、温度の
関数として有害ガスの分解を示すグラフである。

【図９Ｂ】除去システムの１つの態様に用いる、温度の
関数として有害ガスの分解を示すグラフである。

【図１０】排気の光活性化および触媒反応のための二段
反応器を備える除去システムの１つの実施形態の略図で
ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ０１Ｊ 19/12 Ｂ０１Ｄ 53/34 １３４Ｅ (72)発明者アシッシュバトナガーアメリカ合衆国カリフォルニア州 94089 サニーヴェイルワイルドウッドアベニュー 1235−＃212 (72)発明者トニーエスカウシャルアメリカ合衆国カリフォルニア州 95014 クーパティーノプルーンツリーレーン 10416 Ｆターム(参考） 4D002 AA22 AA23 AC10 BA02 BA05 BA09 BA12 BA13 DA35 DA51 DA52 DA70 EA05 GA03 4D048 AA11 AA21 AC07 AC08 AC09 BA03X BA06X BA10X BA11X BA18X BA23X BA26X BA27X BA30X BA31X BA32X BA34X BA35X BA37X BA38X BA41X BA45X BA46X BB01 BB02 CA07 CC38 CC41 CC52 CC61 CC63 CD02 EA03 4G075 AA03 AA24 AA30 AA37 BC04 BC06 CA02 CA24 CA32 CA33 DA01 EB41 FB01 FB02 FC04 FC15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）排気ガスが通る排出部を有し、基
板を活性化ガス中で処理可能な処理室と、（ｂ）前記排出部に接続され、ヒドロキシル基または酸
素含有化学種を含む添加ガスを前記排気ガスに供給して
前記排気を処理する添加ガス供給部と、を備える、基板
を処理可能な装置。
【請求項２】前記排気ガスがペルフルオロ化合物を含
み、前記添加ガス供給部が、該排気ガスの前記ペルフル
オロ化合物の含有量を低減するのに十分な大きさの前記
排気ガス対添加ガスの容量流量比で、前記添加ガスを前
記排気ガスに供給するようになっている、請求項１に記
載の装置。
【請求項３】前記排気ガスを加熱する加熱器をさらに
備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】前記排気ガスが通過する触媒反応器をさ
らに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】放射光を前記排気ガス中に通過させて前
記排気ガスを光分解的に処理するための放射光源を有す
る光分解反応器をさらに備える、請求項１に記載の装
置。
【請求項６】前記放射光源が約１２０ｎｍから約７０
０ｎｍの波長の放射光を供給するようになっている、請
求項５に記載の装置。
【請求項７】前記排気ガスを洗浄するスクラバーをさ
らに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】前記添加ガスが、アルコール、Ｈ₂Ｏ₂ま
たはオゾンを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】前記添加ガスがＨ₂Ｏを含む、請求項８
に記載の装置。
【請求項１０】基板を処理する方法であって、（ａ）基板を処理して排気ガスを発生させる工程と、（ｂ）前記排気ガスにヒドロキシル基または酸素含有化
学種を含む添加ガスを添加して前記排気ガスを処理する
工程と、を含む、前記方法。
【請求項１１】前記排気ガスがペルフルオロ化合物を
含み、前記方法が、前記排気ガスの前記ペルフルオロ化
合物の含有量を低減するのに十分な大きさの前記排気ガ
ス対添加ガスの容量流量比で、前記添加ガスを前記排気
ガスへ供給する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】前記排気ガスを加熱する工程をさらに
含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】前記排気ガスを放射光へ曝して前記排
気ガスを光分解的に処理する工程を含む、請求項１０に
記載の方法。
【請求項１４】前記排気ガスを約１２０ｎｍから約７
００ｎｍの波長を有する放射光へ曝す工程を含む、請求
項１３の方法。
【請求項１５】前記排気ガスを触媒上に通過させる工
程をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】前記排気ガスを洗浄する工程を含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】前記添加ガスがアルコール、Ｈ₂Ｏ₂ま
たはオゾンを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】前記添加ガスがＨ₂Ｏを含む、請求項
１７に記載の方法。
【請求項１９】基板を活性化ガス内で処理可能であ
り、それによって排気ガスを発生する処理室と、放射光を前記排気ガスに通して前記排気ガスを処理する
ことが可能な放射光源を有する光反応器と、を備える、
基板処理装置。
【請求項２０】前記排気ガスがペルフルオロ化合物を
含み、前記放射光源が、前記排気ガス中の前記ペルフル
オロ化合物の含有量を低減できる放射光を供給する、請
求項１９に記載の装置。
【請求項２１】前記放射光源が、約１２０ｎｍから約
７００ｎｍの波長の放射光を供給する、請求項１９に記
載の装置。
【請求項２２】前記光分解反応器が、放射光を透過さ
せることが可能な壁を備える、請求項１９に記載の装
置。
【請求項２３】前記壁がサファイアを含む、請求項２
２に記載の装置。
【請求項２４】前記壁が、ニッケル合金または鋼を含
む、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】前記サファイアが、前記ニッケル合金
または鋼に、銀−銅−チタン合金、銀−チタン合金、ま
たはニッケル−チタン合金を含むろう付け材料により接
合されている、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】前記光反応器内の表面が反射性であ
る、請求項１８に記載の装置。
【請求項２７】前記排気ガスを加熱できる加熱器を備
える、請求項１９に記載の装置。
【請求項２８】前記排気ガスに添加ガスを加えるため
の添加ガス供給部をさらに備える、請求項１９に記載の
装置。
【請求項２９】前記排気ガスが通過できる触媒反応器
をさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項３０】前記光分解反応器および前記触媒反応
器が同一の反応器チャンバーを備える、請求項２９に記
載の装置。
【請求項３１】前記排気を洗浄できるスクラバーをさ
らに備える、請求項１９に記載の装置。
【請求項３２】基板を処理する方法であって、（ａ）基板を活性化ガス中で処理して排気ガスを発生さ
せる工程と、（ｂ）前記排気ガスを放射光に曝して前記排気ガスを光
分解的に処理する工程と、を含む、前記方法。
【請求項３３】前記排気ガスがペルフルオロ化合物を
含み、前記方法が、前記排気を放射光へ曝して前記排気
ガス中の前記ペルフルオロ化合物の含有量を低減する工
程を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】前記放射光が、約１２０ｎｍから約７
００ｎｍの波長を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】前記排気ガスを加熱する工程を含む、
請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】前記排気ガスへ添加ガスを加える工程
を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】前記排気ガスを洗浄する工程を含む、
請求項３２に記載の方法。