JP2001224924A - 過弗化物の分解処理装置 - Google Patents
過弗化物の分解処理装置Info
- Publication number
- JP2001224924A JP2001224924A JP2001000954A JP2001000954A JP2001224924A JP 2001224924 A JP2001224924 A JP 2001224924A JP 2001000954 A JP2001000954 A JP 2001000954A JP 2001000954 A JP2001000954 A JP 2001000954A JP 2001224924 A JP2001224924 A JP 2001224924A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pfc
- gas
- exhaust gas
- catalyst
- decomposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
Abstract
上する。 【解決手段】反応器13は、内部に、Al及びNiの酸
化物を含む触媒が充填された触媒層14を有する。半導
体製造装置から排出された、PFCを含む排ガスは、反
応水(または水蒸気)を添加された状態で加熱器12によ
って700℃に加熱される。加熱された排ガスは触媒層
14内に導かれ、PFCは触媒によってHFとCO2に
分解される。触媒層14から排出された排ガスは、冷却
装置16で冷却される。その後、排ガス中のHFは除去
装置17で取除かれる。Al及びNiの酸化物を含む触
媒を用いているので、PFCの分解効率が向上する。
Description
理装置に係り、特に半導体製造工場の排ガス中に含まれ
る過弗化物(以下、PFCと称す)を分解処理するのに
好適な過弗化物の分解処理装置に関する。
ング工程の場合はエッチングガスにCF4 等、CVD工
程の場合はクリーニングガスにC2F6等、人体に無害で
爆発性がなく取り扱いの容易なPFCガスを使用してい
る。これらのPFCガスはエッチング装置又はCVD装
置に導入後、高電圧のプラズマ放電によって電離され、
活性ラジカルの状態でウェーハのエッチング又はクリー
ニングを行う。しかし、実際にエッチングやクリーニン
グで消費されるガス量は数〜数十vol%で、残りは未反
応のまま系外に排出されている。
ため、その化合物であるPFCは安定な物性を有する。
PFCは、塩素を含まないFC(フルオロカーボン)やH
FC(ヒドロフルオロカーボン)のフロンと、三弗化窒
素(NF3 ),六弗化硫黄(SF6 )などの過弗化物
で、表1に主なPFC名とその物性及び利用状況などを
示す。
クトで結合力も強いので、大気中に長時間安定に存在す
る。例えばCF4 が50,000年、C2F6が10,0
00年、SF6 が3,200 年と寿命が長い。しかし、
温暖化係数が大きく、CO2と比較してCF4 が6,50
0倍、C2F6が9,200倍、SF6 が23,900倍で
ある。このため、地球温暖化の原因として削減が求めら
れているCO2 に比べて放出量は少ないものの、近い将
来の放出規制は必至とみられる。この場合、現状のPF
C放出の大半を占める半導体製造工場での排気対策が重
要になる。
ング工程による場合、チャンバーにエッチング用のPF
Cガスを供給し、PFCにプラズマを印加してその一部
を腐食作用の高いフッ素原子に変えて、シリコンウェハ
ーのエッチングを行う。チャンバー内の排ガスは真空ポ
ンプで連続的に排気されるが、酸性ガスによる腐食を防
止する窒素ガスパージが行われている。このため、排ガ
スの組成の99%が窒素で、残りの1%がエッチングに
使用されなかったPFCである。真空ポンプを経由した
排ガスは、酸ダクトに導かれて酸性ガスを除去した後、
PFCを含んだまま大気中に放出されている。
と燃焼方式が実用されている。前者は特殊な薬剤を用い
ることにより、約400〜900℃でフッ素を化学的に
固定化する方法で、分解による酸性ガスの発生がないの
で排ガス処理が不要になる。後者はPFCガスを燃焼器
に導き、LPGやプロパンを燃焼させた約1,000℃
以上の火炎中で熱分解する。
術で、薬剤方式は化学的にPFCと反応した薬剤の再利
用ができないので、消耗品として消費される高価な薬剤
の交換が頻繁になり、運転コストが焼却方式の10〜2
0倍となる。また、処理するPFCガスに比例した薬剤
量が必要で、実用の装置規模は据付面積で約3〜5m2
と大きい。
上、CF4 の分解が1,100℃以上の高温で行われる
ので、多量の熱エネルギーが必要で、高温燃焼によるN
Oxや多量のCO2 の発生もある。また、半導体製造プ
ロセスでのPFCは、不活性のN2 ガスで希釈されて排
出されるため、失火ポテンシャルが高く、十分な運転管
理が求められる。
用を検討してみる。PFCはN2 ガスで希釈された数%
濃度の混合ガスとして排出されるので、この混合ガスの
燃焼に燃料ガスと共に多量の燃焼用空気が必要になり、
結果的に処理ガス量が増えるので、装置規模が大きく据
付面積で約0.7〜5m2 となる。
リットル/min の排ガス中に1%のC2F6が含まれる場
合、熱分解温度の1,000℃ 以上とするのに必要なL
PGは10リットル/min 、必要な空気量は過剰率を
1.5 とすると約400リットル/min となる。燃焼後
の全排ガス量は空気中の酸素が消費され、CO2 が30
リットル/min 発生することから約500リットル/mi
n となり、製造プロセスからのガス量の約5倍に増え
る。また、半導体製造工場はクリーンルームのためスペ
ースの制約が大きく、特に既設の工場で新たに処理装置
を配置するときのスペースの確保は容易ではない。
が、オゾン破壊作用のあるCFC(クロロオフルオロカ
ーボン)やHCFC(ヒドロクロロオフルオロカーボン)
のフロンに対しては、約400℃で分解を開始する触媒
方式が実用されている。CFCやHFCは組成中に原子
半径の大きい塩素を含むため、原子半径の小さいフッ素
や水素と結合した分子構造がいびつになり、このため比
較的低温での分解が可能になる。
コンパクトで結合力が強いので、その分解温度は約70
0℃と高く、その触媒はPFCの分解処理に適用できな
かった。
上できる過弗化物の分解処理装置を提供することにあ
る。
置によって加熱された、過弗化物を含むガスが供給さ
れ、Al及びNiの酸化物を含む触媒が充填されてお
り、その過弗化物を分解する反応器と、この反応器から
排出された弗化水素を除去する除去装置とを備えたこと
にある。
過弗化物を分解するので、過弗化物の分解効率が向上す
る。また、除去装置の作用により、反応器から排出され
たガスに含まれている酸性ガス(例えばHF)を著しく
低減できる。
を、半導体製造工場のドライエッチング工程またはCV
Dクリーニング工程後の排ガスの処理装置として適用
し、効率のよいPFCの分解処理が実現できる。また、
PFC処理装置の出口、または入口と出口の排ガス中の
PFCの濃度を測定し、処理状況を監視する管理手段を
設け、処理の健全性や触媒交換時期などをチェックす
る。更に、上記の一体化、特に横型のPFC処理装置を
半導体製造工場のダクトエリアに配置することで、既設
工場に付設するときのスペース問題を解決できる。
で、塩素を含まないFC,HFCのフロンや三弗化窒素
(NF3),六弗化硫黄(SF6)などを含むが、実質的
には半導体製造工場で使用されている表1に示す過弗化
物を指す。
C処理装置について、半導体製造プロセスからの排ガス
処理に適用した複数の実施例を詳細に説明する。各実施
例の図面を通し、同等の構成要素には同一の符号を付し
てある。 〔実施例1〕図1は、排ガス中からCF4 を分解,除去
するPFC処理装置を示す。本実施例のPFC処理装置
1は、ドライエッチング工程を持つ半導体製造プロセス
からのエッチングガス(CF4 )を含む排ガスに対し、
不純物除去の注水を行う前置スプレー11,排ガスと水
を導入して加熱する加熱器12,触媒層14を充填しC
F4 を加水分解する反応器13,分解ガスを冷却しCO
2 などを水に溶解させる冷却装置16,排気中の酸性ガ
スを除去する除去装置17からなる。以下では、加熱器
12,反応器13及び冷却装置16の処理プロセスを、
特にPFC分解処理部と呼ぶことがある。
ッチングプロセスで消費されなかった約1vol% のCF
4 と共に、エッチングで生成したSiF4 等が不純物と
して含まれる。この不純物による触媒層14の閉塞およ
び劣化を防止するために、真空ポンプ21を経由した排
ガスは、配管3により前置スプレー(ケイ素除去器)1
1に導入される。配管37から供給される水は、スプレ
ー2により前置スプレー11の容器内に連続的に注水さ
れ、排ガス中のSiF4 は(1)式の反応によりSiO
2 とHFに分解される。
プレーされた水により排ガスから除去される。HFも、
水への溶解度が大きいので、同様に排ガスから除去でき
る。前置スプレー11から排出されたSiO2 及びHF
を含む排液は、配管75を通って除去装置(酸性ガス除
去装置)17の底部に導かれる、廃液として処理され
る。なお、排ガスに同伴している不純物の除去はスプレ
ーではなく、バブリング方式で水と接触させてもよい。
は、配管35から供給される反応用の水(または水蒸
気)と混合されて配管4にて加熱器12に導入される。
排ガス中への水(または水蒸気)の供給は、触媒層14
でのCF4 の反応が、CF4 とH2O による加水分解と
なるためである。反応水(または蒸気)の供給流量は、
CF4 の1モルに対し約25倍となる。
加熱により、触媒層14でCF4 の分解が開始する約7
00℃の温度まで排ガスを加熱する。温度制御装置30
は、反応器13の入口に配置された温度計31で計測し
た排ガス温度Teを基に電気ヒータ32の電流を調整
し、触媒層14での反応温度を維持するように温度制御
する。CF4 の場合は、約650〜750℃に加熱され
る。
充填された反応器13に供給される。触媒層14には後
述のアルミナ(Al2O3)系の触媒が充填され、CF4
はH2O と(2)式のように反応して、HFとCO2 に
分解される。
(3)式のように反応して、CO2 とHFに分解する。
軸に反応温度,縦軸に分解率を示している。使用した触
媒の組成はAl2O3が80%,NiO2 が20%であ
る。供試ガスにはCHF3,CF4,C2F6及びC4F8の
4種のPFCを用いた。試験条件はPFCガス濃度を
0.5% ,SVを1000/hである。また、反応水と
して理論値の約10倍を加えた。図2に示すように、4
種のPFCとも約700℃の反応温度で100%近い分
解率が得られている。CF4及びCHF3では約650℃で
95%以上、C2F6及びC4F8でも約670℃で80%
以上の分解率である。この触媒によれば約650〜75
0℃の反応温度でPFCの実用的な分解が可能となる。
るCO2 及びHFを含む高温の排ガスは、冷却装置16
のスプレー6及び7によって連続的に供給される水によ
って、温度を100℃以下に冷却して、除去装置17に
導入される。スプレー6及び7への冷却水の供給は、配
管38及び39によって行われる。スプレーによらず
に、水槽の中に高温の排ガスをバブリングして冷却して
もよい。また、スプレー6及び7からは、水の替りにア
ルカリ溶液を供給してもよい。なお、HFの一部はスプ
レー6及び7から噴射される冷却水に吸収,除去され
る。冷却装置16から排出された廃液は、配管8及び7
5により除去装置17の底部に導かれる。
まれる高濃度のHFを除去するために、プラスチック製
のラヒシリングを詰めた充填層10にスプレー36から
水を連続的に供給し、水と分解ガスを十分に接触させる
ことで、HFを4%から数」ppm まで低減する。スプレ
ー36への水の供給は、配管76によって行われる。無
害化された分解ガスは、排風機22を介して配管43に
より系外に排出される。
風機22によって負圧に維持され、排ガス中に含まれる
HF等が系外に漏洩するのを防止している。なお、除去
装置17もバブリング方式が可能である。ただし、スプ
レー方式ないしは充填塔方式の方が圧力損失が少なく、
排気用の排風機を小さくできる。
除去装置17から排出した不純物及びHFを含む廃液
は、排水ポンプ23の駆動により配管42を通して図示
していない中和処理装置へ導かれ、排水処理される。
レー11において、排ガスに含まれるケイ素がSiO2
として予め除去されるので、SiO2 等の固体粒子が反
応器3の触媒層14に持ちこまれない。前置スプレー1
1を設置しない場合には、配管35から供給される水に
よって、配管4と配管35との合流点より下流側で
(1)式の反応が生じ、SiO2 が生成される。このS
iO2 が触媒層14内に流入した場合には、以下の及
びの問題を生じる。SiO2 が触媒に形成されたポ
ーラスを塞ぐ。触媒間に形成される間隙を閉塞する。
及びに起因して触媒の表面積が減少し、PFCの分
解反応が低下する。また、に起因して触媒間における
排ガスの流れが悪くなり、触媒と排ガスの接触が阻害さ
れる。これも、PFCの分解反応の低下につながる。本
実施例は、前置スプレー11において強制的に(1)式
の反応を発生させて排ガスからSiO2 を事前に除去す
るので、上記の問題が生じなく、PFCの分解効率を向
上できる。本実施例は、触媒を用いて高効率でPFCの
分解処理を実現でき、地球温暖化の原因ガスの一つであ
るPFCの大気中への放出を回避できる。
分に低い温度でCF4 の分解が可能になり、熱エネルギ
ーや水などのユーティリティも少なくて済む。半導体工
場の場合、分解ガス温度の低いことは火災に対する安全
面からも有利である。また、触媒は寿命が長く再利用も
可能なので、薬剤方式に比べて運転コストを大幅に低減
できる。
ロセスの処理ガスにCF4 を採用する場合を対象とした
が、これに限られるものではない。例えば、CVDでク
リーニングガスにC2F6を採用する場合の排ガスも、同
様の構成で処理できる。その他、表1に示したPFCに
対し、同様の構成と約700℃前後の反応温度で処理が
可能である。 〔実施例2〕図3に、実施例1のPFC分解処理部を一
体化構成にしたPFC分解処理部を示す。加熱器12,
反応器13,冷却装置16及び熱交換室15が、フラン
ジ部121,131及び161で一体的に結合されてい
る。加熱器12,反応器13及び熱交換室15は、保温
材122,132,152をそれぞれ内装している。
を小型化でき、温度制御装置30による制御の応答性も
改善できる。また、各機器間を配管接続する場合に比べ
て熱損失が低減できる。なお、熱交換室15を持たない
一体化構成でもよい。
れたクリーンルームとなるので、工場全体の床面積を少
なくするために、機器の設置スペースを小さくすること
が望まれる。本実施例におけるPFC分解処理部によれ
ば、約1%のCF4 を含む100リットル/min 程度の
排気ガス処理能力を備えるPFCガス処理装置で、据付
け面積が約0.4m2になる。これは、燃焼方式及び薬剤
方式を採用すると仮定した場合の据付け面積の数分の1
〜10分の1程度である。
された約700℃の排ガスの熱を有効利用する熱交換室
15が、反応器13と冷却装置16の間に設けられてい
る。熱交換室15内には、反応水を供給する配管35に
接続された伝熱管151が設置されている。反応水は伝
熱管151内で水蒸気となり、この水蒸気は配管153に
より加熱器12の入口側に導かれる。
解処理部適用されたPFC処理装置1Cを示している。
伝熱管151の入口には低温の反応水(配管35で供
給)が流入する。この反応水は、熱交換室15内で約7
00℃の排ガスと熱交換され、100℃以上の水蒸気と
なって配管153により加熱器12に導入される。一
方、排ガスはその熱交換によって約300℃以下に冷却
されて、冷却装置16に導かれる。反応水と高温の分解
ガスとの間で熱交換が行われるので、熱エネルギーの回
収が可能になり、加熱に必要なエネルギーや冷却に必要
な水量をそれぞれ半減できる。 〔実施例3〕図5は、PFC処理装置1を適用した半導
体製造工場の排気管理システムを示す。3台のドライエ
ッチング装置5にPFC処理装置1をそれぞれ接続して
いる。ガスクロマトグラフ40は、各PFC処理装置1
の入口側及び出口側から採取した排ガス中のPFC、例
えばCF4 などの濃度を測定し、各測定値を監視装置4
5に伝送している。なお、入口側からのガス採取管46
Aには酸性ガス除去フィルタ41が設けられている。
イエッチング装置5は、内部にPFCガスの1種であるC
F4 をエッチングガスとして供給してウェハーに対する
エッチング処理をそれぞれ行っている。各ドライエッチ
ング装置5の排ガスは、真空ポンプ21A,21Bの駆
動により、配管44A,44Bを通って配管29に達
し、該当するPFC処理装置1に導かれる。その排ガス
は、エッチング処理で消費されなかった約1vol% のC
F4 、及びエッチングで生成されたSiF4 を含んでい
る。排ガスは、PFC処理装置1で処理された後、配管
43を通って酸ダクト(排気ダクト)25に排気され
る。配管3内の排ガスの一部はガス採取管46A,酸性
ガスフィルタ47によって、それぞれガスクロマトグラ
フ40に導かれる。配管43内の排ガスもガス採取管4
6Bによって、それぞれガスクロマトグラフ40に導か
れる。各PFC処理装置1に供給される排ガス、及び各
PFC処理装置1から排出された排ガス内のCF4 濃度
が、ガスクロマトグラフ40によって測定される。監視
装置45は、ガスクロマトグラフ40からCF4 濃度の
測定値を入力する。監視装置45は、ある配管43内の
CF4 濃度が第1設定値よりも高いとき、異常発生の通
知のために該当するPFC処理装置1の警報器51を点
滅させながら警報音を発生させる。監視装置45は、あ
る配管29内のCF4 濃度が第2設定値よりも高いと
き、異常発生の通知のために該当するドライエッチング
装置5の警報器50を点滅させながら警報音を発させ
る。
る排ガス中のPFC濃度と、その出口から未分解により
排出されるPFC濃度が各装置5毎に測定される。この
結果より、監視装置42は処理装置1の出口排気のPF
C濃度を監視し、目標値を満たしていない場合に表示あ
るいは警報を出力する。さらに、PFC処理装置1の入
口側と出口側のPFC濃度による分解率から、触媒反応
の健全性ないしは触媒劣化による交換時期をチェックす
る。 〔実施例4〕図6は、半導体製造工場のレイアウトを示
している。半導体製造工場の建屋59は、グレーチング
52より上方及び下方ともクリーンルーム53,54と
なっている。クリーンルーム54内の空気は、ブロア5
5A,55Bの駆動により、フイルタ55A,55Bで
浄化されて配管57A,57Bでクリーンルーム53に
導かれる。この空気は、フイルタ58で再度浄化され
る。クリーンルーム53はクリーンルーム54よりもク
リーン度が高い。ドライエッチング装置5は、製造装置
エリアであるクリーンルーム53に設置される。クリー
ンルーム54は、真空ポンプ21A,21B等が設置さ
れる補機エリア103,配管及びダクト類を通す配管ダ
クトエリア102となっている。
ダクトエリア102に配置している。ダクトエリア10
2には酸ダクト25が設置され、酸性ガスを含む排ガス
は酸ダクト25によって酸性ガス処理装置(図示せず)
に導かれて処理される。従って、本実施例のPFC処理
装置1′は、上記したPFC処理装置1の最後段の除去
装置17を省略し、冷却後のHFなどを含む排ガスを、
直接、酸ダクト(排気ダクト)25に排気する。
る既設の半導体製造工場においても、PFC処理装置の
設置が容易になる。この場合、ダクトエリア102は一
般に高さ寸法が小さいので、PFC処理装置1′を図示
のように横向きに細長くできれば、ダクトエリア102
への配置がより容易になることが多い。
を示す。図3の縦型構造に対し、各機器を水平方向に並
べて一体化した構造としている。前置スプレー11と冷
却装置16のスプレーの流れを上から下に行えば、横型
配置によっても機能的には変わるところがない。ただ
し、触媒層14を横向きとした場合、時間が経つと触媒
が僅かに沈降して触媒層14の上部に空隙を生じ、この
空隙を未分解の処理対象ガス(PFCガス)が通過して
しまう恐れがある。そこで、触媒層14の上部にじゃま
板141が設けられている。更に、反応器13の入口側
及び出口側には、触媒の横移動を押える多孔板の押え板
142,143が設置される。図7(b)に示すよう
に、円筒上の触媒層14の上部に扇形のじゃま板141
が配置され、扇形の高さは沈下による最大空隙幅をカバ
ーできるものとする。このじゃま板141により、運転
中に触媒層14上部に空隙が生じても、そこを通り抜け
るガスを遮断でき、処理対象ガスは全て触媒層14を通
過して分解される。
余裕のない既設の半導体工場において、配管ダクトエリ
ア102を利用することでPFC処理装置の設置を容易
にし、地球温暖化防止のための近い将来の排気ガス規制
に対応することができる。なお、PFC処理装置の縦型
(図3)と横型(図7)は、適用場所のスペースの事情
に応じて適宜選択される。 〔実施例5〕本発明の他の実施例であるPFC処理装置
1Bを、図8に示す。PFC処理装置1Bは、PFC処
理装置1の前置スプレー11を前置スプレーであるケイ
素除去装置11Aに替え、戻り配管60を新たに備えた
ものである。ケイ素除去装置11Aは、ケイ素除去器1
1B及び11Cを備える。ケイ素除去器11Bは、スプ
レー2Aを容器内に設置する。ケイ素除去器11Cは、
スプレー2B、及び充填物を敷き詰めた拡散部59を容
器内に設置する。ケイ素除去器11B及び11Cの容器
は、HFによる腐食を防止するために、耐食性がある塩
化ビニールで構成される。戻り配管60は、排水ポンプ
23の下流側で配管42に接続され、しかも、スプレー
2Bに接続される。配管37がスプレー2Aに接続され
る。
れる排ガスが、配管3によりケイ素除去器11Cの容器
内に排出される。排ガスは、容器内を上昇して拡散部5
9を通過して容器内を拡散して流れるようになる。排水
ポンプ23から吐出された一部の排水が、戻り配管60
を経てスプレー2Bから噴射される。排水ポンプ23か
ら吐出された排水中のFイオン及びSiイオンの濃度
は、数十ppm 以下である。この排水は、Si及びHFの
除去性能を十分に有している。排ガスに含まれる一部の
SiF4 とスプレーされた排水との接触によって、
(1)式の反応が生じる。生成されたSiO2 は排水に
より排ガスから除去される。また、HFは排水に溶解す
る。
は、ケイ素除去器11Bに導かれる。配管37から供給
される新しい水が、スプレー2Aからケイ素除去器11
B内に噴射される。ケイ素除去器11Bでは、排ガス中
に残留しているSiF4 とスプレーされた水との接触に
よって、(1)式の反応が生じる。SiO2 及びHFを
含むケイ素除去器11Bの排液は、ケイ素除去器11C
に導かれ、スプレー2Bから噴射された排液と共に配管
41を通って除去装置17の底部に導かれる。PFC処
理装置1Bの他の部分での処理は、PFC処理装置1で
の処理と同じである。
は、PFC処理装置1のPFC分解処理部を一体化した
構成を有する。PFC処理装置1BのPFC分解処理部
の構成を図9を用いて説明する。
熱器12,反応器13及び冷却装置16を一体化したも
のである。ケーシング62及び内管63は、加熱器12
及び反応器13で共有される。内管63の内径は下部よ
りも上部で小さい。内管63のフランジ66がボルトで
ケーシング62のフランジ68に固定される。加熱器1
2と反応器13は一体構造である。環状板64が内管6
3の上部に設置される。加熱器12は、環状板64より
も上方に位置し、電気ヒータ32及びこれを覆う断熱材
122を有する。ギャップ73がケーシング62と環状
板64との間に形成される。ギャップ73は、高温(7
00℃)の排ガスの熱が内管63及び環状板64からケ
ーシング62に伝わり、外部に放出されることを防止す
る。すなわち、排ガスのヒートロスが減少できる。
置する。反応器13は、金網74上にアルミナ系触媒を
充填してなる触媒層14を有する触媒カートリッジ65
を備える。アルミナ系触媒はAl2O380%,NiO2
20%を含む触媒である。触媒カートリッジ65は内管
63内に挿入されている。円筒70は、フランジ69を
フランジ68に結合することによって、ケーシング62
に取り付けられる。触媒カートリッジ65はフランジ6
7をフランジ68に係合することによってケーシング6
2に保持される。反応器13は、ケーシング62と内管
63との間に設置された保温用ヒータ(図示せず)を有
する。バッフル72を有するバッフル保持部材71が、
円筒70に取り付けられる。冷却装置16は、バッフル
保持部材71の下方に位置し、これに取り付けられる。
空気が配管61によって加熱器12内に供給される。
及び冷却装置16は、PFC処理装置1のそれらと同じ
機能を発揮する。
得られる効果を生じる。PFC処理装置1Cは、給水配
管38から供給される新しい水の量が減少するので、中
和処理装置(図示せず)に導かれる排水量が減少する。
また、(1)式の反応がケイ素除去器2及び72の二個
所で生じるので、排ガスに含まれるSiF4 等のSi成
分の除去効率が向上する。また、バッフル72の設置に
よって、バッフル保持部材71内から冷却装置16内に
排ガスを導く通路が蛇行するので、スプレー6及び7か
ら噴射された冷却水の飛沫が触媒層14に達することを
防止できる。このため、その飛沫による触媒層14の温
度低下が防止できるので、未分解のPHCの排出がなく
なる。
管42ではなく、除去装置17の底部に直接接続しても
よい。この場合には、スプレー2Bに廃液を供給するた
めのポンプを、戻り配管60に設置する必要がある。こ
のような構成においても、図8の構成と同じ効果を得る
ことができる。
分解効率を向上できる。また、除去装置の作用により、
反応器から排出されたガスに含まれている酸性ガスを著
しく低減できる。
の構成図である。
性図である。
を示す構成図である。
の実施例であるPFC処理装置の構成図である。
置の排気管理システム構成図である。
場の概略のレイアウトを示す説明図である。
成を示し、(a)はPFC処理装置の概略縦断面図、
(b)は(a)のじゃま板141付近でのPFC処理装
置の軸方向に直行する方向における縦断面図である。
成図である。
B,6,7,36…スプレー、5…ドライエッチング装
置、11…前置スプレー、11A…ケイ素除去装置、1
1B,11C…ケイ素除去器、12…加熱器、13…反
応器、14…触媒層、15…熱交換室、16…冷却装
置、17…除去装置、21…真空ポンプ、22…排風
機、23…排水ポンプ、25…酸ダクト、30…温度制
御装置、31…温度計、32…電気ヒータ、40…ガス
クロマトグラフ、41…酸性ガス除去フィルタ、60…
戻り配管、72…バッフル戻り配管、101…製造装置
エリア、102…配管ダクトエリア、103…補機エリ
ア、141…じゃま板、151…伝熱管。
Claims (3)
- 【請求項1】水及び水蒸気のいずれかが添加された、過
弗化物を含むガスを加熱する加熱装置と、前記加熱装置
によって加熱された前記ガスが供給され、Al及びNi
の酸化物を含む触媒が充填されており、前記過弗化物を
分解する反応器と、この反応器から排出された弗化水素
を除去する除去装置とを備えたことを特徴とする過弗化
物の分解処理装置。 - 【請求項2】水及び水蒸気のいずれかが添加された、過
弗化物を含むガスを加熱する加熱装置と、前記加熱装置
によって加熱された前記ガスが供給され、Al及びNi
の酸化物を含む触媒が充填されており、前記過弗化物を
分解する反応器と、この反応容器から排出された、前記
過弗化物の分解によって生じた分解ガスを含む排ガスを
冷却する冷却装置と、冷却された前記排ガスに含まれて
いる弗化水素を除去する除去装置とを備えたことを特徴
とする過弗化物の分解処理装置。 - 【請求項3】前記触媒層に供給される前記ガスの温度を
検出する温度検出器と、この温度検出器の測定温度に基
づいて前記加熱装置を制御する制御装置とを備えた請求
項1または請求項2の過弗化物の分解処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001000954A JP3817428B2 (ja) | 1997-11-14 | 2001-01-09 | 過弗化物の分解処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-313089 | 1997-11-14 | ||
JP31308997 | 1997-11-14 | ||
JP2001000954A JP3817428B2 (ja) | 1997-11-14 | 2001-01-09 | 過弗化物の分解処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32314598A Division JP3217034B2 (ja) | 1997-11-14 | 1998-11-13 | 過弗化物の処理方法及びその処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001224924A true JP2001224924A (ja) | 2001-08-21 |
JP3817428B2 JP3817428B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=26567444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001000954A Expired - Lifetime JP3817428B2 (ja) | 1997-11-14 | 2001-01-09 | 過弗化物の分解処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3817428B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007029790A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Hitachi Ltd | 過弗化物含有排ガスの処理方法及び処理装置 |
US7658890B2 (en) | 2002-05-31 | 2010-02-09 | Hitachi, Ltd. | Perfluoride processing apparatus |
KR101102230B1 (ko) * | 2009-02-13 | 2012-01-03 | 주식회사 에코프로 | 촉매식 과불화 화합물 처리 장치 및 방법 |
-
2001
- 2001-01-09 JP JP2001000954A patent/JP3817428B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7658890B2 (en) | 2002-05-31 | 2010-02-09 | Hitachi, Ltd. | Perfluoride processing apparatus |
JP2007029790A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Hitachi Ltd | 過弗化物含有排ガスの処理方法及び処理装置 |
KR101102230B1 (ko) * | 2009-02-13 | 2012-01-03 | 주식회사 에코프로 | 촉매식 과불화 화합물 처리 장치 및 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3817428B2 (ja) | 2006-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100509304B1 (ko) | 과불화물의 처리 방법 및 그 처리 장치 | |
US6322756B1 (en) | Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases | |
US6468490B1 (en) | Abatement of fluorine gas from effluent | |
US7972582B2 (en) | Method and apparatus for treating exhaust gas | |
EP2168655A1 (en) | Exhaust gas cleaning device | |
JP3217034B2 (ja) | 過弗化物の処理方法及びその処理装置 | |
US6689252B1 (en) | Abatement of hazardous gases in effluent | |
US6824748B2 (en) | Heated catalytic treatment of an effluent gas from a substrate fabrication process | |
KR20080021697A (ko) | 폐가스 경감 방법 및 장치 | |
JP2002273172A (ja) | 過弗化物の処理方法及びその処理装置 | |
US6905663B1 (en) | Apparatus and process for the abatement of semiconductor manufacturing effluents containing fluorine gas | |
KR101097240B1 (ko) | 배기 가스 처리 방법 및 장치 | |
US8231851B2 (en) | Method for processing perfluorocarbon, and apparatus therefor | |
JP2001224924A (ja) | 過弗化物の分解処理装置 | |
KR101617691B1 (ko) | 화학기상증착공정(cvd)으로부터 발생되는 폐가스 정화장치 | |
JP3237651B2 (ja) | 含弗素有機ハロゲン化合物の処理装置 | |
KR101113957B1 (ko) | 과불화물 처리장치 | |
WO2001008786A1 (en) | Method and apparatus for catalytic conversion of fluorinated compounds in gases |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040629 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060512 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060512 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090616 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150616 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |