TWI292721B

TWI292721B -

Info

Publication number: TWI292721B
Application number: TW090120299A
Authority: TW
Inventors: Hung-Shiun Li
Original assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2001-03-16
Filing date: 2001-08-17
Publication date: 2008-01-21
Also published as: JP2002273172A; KR100806011B1; EP1240937A1; US7128882B2; US20020131913A1; KR20020074048A; JP4211227B2; EP1240937B1; DE60140514D1; US20020131912A1

Description

1292721 A7 ___ B7 _____ 五、發明説明（1) (發明之背景） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明有關於過氟化物之處理方法及其處理裝置’特別是適用於分解自半導體製造裝置所排出之過氟化物上很合宜之過氟化物之處理方法，及其處理裝置。按過氟化物（PFC) ( Per Fluro Compound )係如 C F 4，C H F 3，C 2 F 5，C Η 2 F 2，C 3 F 8，C 5 Η 8 ，SF6，NF3等之不含氯之碳與氟，碳與氫與氟，硫與氟，以及氮與氟之化合物質之總稱。過氟化物（亦稱P F C )係氣體，在於半導體製造裝置上做爲蝕刻用氣體，洗淨用氣體。按PFC係壽命長，（CsFe爲10，000年’ S F 6係3 2 0 0年）係溫暖化係數大之地球溫暖化氣體，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .成爲限制放出於大氣之對象者。因此被檢討分解此P F C 之種種方法之中。該分解方法之一乃分別揭示於日本專利公報特開平1 1 一 7 0 3 2 2號及特開平1 1 一 3 1 9 4 8 5號，又關於利用催化劑而將P F C予以加水分解，而以水（或鹼溶液）洗淨該由P F C之分解所發生之含有分解氣體之排氣體，而後使用鼓風器而將該排氣體予以排氣之情形也有記述。半導體製造工場係由於連續運轉半導體製造裝置以資製造半導體之關係，關於半導體製造之裝置係被要求可靠性，用於處理來自蝕刻裝置之排氣體中之P F C之裝置亦是如果一故障會使所連接之數台之鈾刻裝置會停止，因此被要求更高之可靠性。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · " 1292721 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（2) (發明之槪要）本發明之目的乃提供一種對於裝置之維修檢查之頻度更能減低之過氟化物之處理方法及其處理裝置。爲了達成上述目的之本發明之特徵乃藉由噴射之氣體之噴流而抽吸排出由過氟化物之分解所產生之含有酸性氣體之排氣體之處。由於藉由噴射之氣體之噴流來抽吸排出，因此所使用之氣體抽吸裝置上沒有驅動部，可以顯著的減低維修檢查之頻度。這件事情，對於過氟化物處理裝置之維修檢查之頻度之顯著之減低有所關係，可以提高過氟化物處理裝置之實效率。特別是含有過氟化物之排氣體係，從半導體製造裝置所排出之排氣體時，過氟化物處理裝置之維修檢查頻度之減低將引至半導體製造裝置之實效率之提高，可以使半導體之製造效率顯著的提高，氣體抽吸裝置乃採用噴射器（ ejector )爲合宜。合宜之一策係，將由過氟化物之分解所產生之含有酸性氣體之排氣體，接觸於水及鹼溶液之一方，由而很簡單的可以從排氣體去除酸性氣體。再者藉由：從排氣體中分離該由接觸於水及鹼溶液之一方所產生之霧，於是可以顯著地減低，在其下游側而與該排氣體有所接觸之機器及管路（或導管）之腐蝕者。又，合宜之一策乃，在於酸性氣體去除裝置及霧分離裝置之下方配置用於接受自酸性氣體去除裝置所排出之水本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1292721 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（3) 及鹼性溶液之一方之槽（Tank )即甚合宜。如此即藉由重力簡單地從酸性氣體去除裝置所排出之水或鹼溶液收集於槽中。又，經霧分離裝置中所分離之霧係通經排出管而藉由重力而很簡單的排出至槽。由於收集水、鹼溶液及被分離之霧時不需動力，過氟化物處理裝置之構成得於單純化者。使用催化劑以資實施過氟化物之分解，該催化劑乃使用含有A 1氧化物，再含有從Z η、N i、T i 、F、 Sn、Co、Zr 、Ce 、S i ，及P t所選用之至少一種氧化物之催化劑爲合宜。使用此種催化劑而在於2 0 0 〜8 0 0 °C之低溫度而可以高效率的分解過氟化物。特別是催化劑係如N i A 1 2〇4，Z n A 1 2〇4等以含有A 1 之複合氧化物之形態爲很合宜。 (發明之詳細之說明）本發明之發明人等，係在於開發分解P F C，處理分解處理後之排氣體而予以排氣體之一連串之處理裝置之中，查明出用於排氣處理後之排氣體之鼓風機（blower)係由留存於排氣體中之酸性氣體（由P F C之分解而發生）而容易腐蝕，而這件事係爲了提高過氟化物處理裝置（ P F C處理裝置）之實效率上非常重要之實情。下面說明本發明人之關於上述鼓風機之腐鈾之硏討結果。使用記述於日本專利公報特開平1 1 一 7 0 3 2 2號之催化劑而分解P F C時就會發生分解氣體。詳述之，當 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 1292721 A7 B7 五、發明説明（4) CF4分解時，發生C〇2及HF、由SF6之分解而發生 S〇3及HF，由NF3之分解而發生N〇x (N〇， N〇2)及HF。如上述由P F C之分解而發生各種之酸性氣體（HF，S〇3，n〇x)。上述之分解反應係表示於下述之（1)式，（2)式，（3)式。 CF4+2H2〇— c〇2+4HF (1) S F 6 + 3 H2〇->S 〇3+ 6 H F ( 2 ) 2NF3+3H2〇->N〇 + N〇2+6HF ( 3 ) PFC之分解氣體之酸性氣體（S〇3，HF，NO， N〇2 )係在於排氣體洗淨塔內而被水（或鹼溶液）所吸吸 ’從排氣體中被去除。惟經發明人等之實驗之結果查明，除了少量之酸性氣體以外，酸性氣體之霧（mist )係從排氣體洗淨塔中’與排氣體一齊被排出。例如將含有S F 6 0 · 5 %之排氣體以6 0 1 / m i η地供給於塡充了催化劑之催化劑匣內，而分解S F 6時，被供給來自催化劑匣之排氣體（含有S〇3 )之排氣體洗淨塔中，排出了約1 5 〇 c c / H r之水份（S〇3霧）。酸性氣體成份係在其周圍附著水份而成霧，而會帶下去。伴著水份之S〇3霧之被引導至鼓風機之後，在於鼓風機之葉輪室內發生這些S〇3霧之凝結，又S〇3再溶解於水份而成爲硫酸溶液，此硫酸溶液會使鼓風機腐蝕者。如p F C而使用N F 3時，即在於鼓風機內形成硝酸溶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1292721 A7 B7 五、發明説明（5) 液，鼓風機乃由硝酸溶液所腐蝕，由而使用施予耐蝕性之鼓風機之下，由於鼓風機之軸承部等無法做耐蝕化，所以仍然無法長期間地運轉鼓風機。停止其運轉而實施鼓風機之維修檢查之頻度增多使P F C處理裝置之實效率變低。爲了防止從排氣體洗淨塔至鼓風機之構成腐鈾原因之酸性氣體之霧（酸性氣體霧）之移出起見有人提案了設置霧分離裝置，惟雖設置了霧分離裝置，仍然1 0 0 %地去除酸性氣體霧（硫酸霧、硝酸霧）係非常困難。在霧分離裝置中無法去除之酸性氣體乃如前面所述地使鼓風機腐蝕也。發明人等新穎的查明，不但是在於排氣體洗淨塔無法去除所排出之酸性氣體，酸性氣體霧之被引導至鼓風機乃是鼓風機之發生腐蝕之原因。酸性氣體霧係很難於藉由霧分離裝置來完全去除。又鼓風機之腐蝕係對於半導體之製造有不良影響。會使需要使停止運轉而施工之鼓風機之維修，淸掃，更換配件等之維修檢查之頻度增加。爲此發明人等達到：替代於鼓風機而設置沒有驅動部之氣體排出裝置之必要之結論，而採用藉由噴射之氣體之噴流而抽吸氣體之氣體排出裝置（例如噴射器.）。下面具體的說明適用了藉由噴射之氣體之噴流而抽吸氣體之氣體排出裝置之P F C處理裝置之具體例。首先依第2圖說明適用了 P F C處理裝置之半導體製造設施之槪略。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >項再填{ί 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 !292721 A7 _______ 五、發明説明（6) 半導體製造設施乃具備有半導體製造裝置及用於處理從半導體製造裝置所排出之排氣體之排氣體處理設備。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 做爲半導體製造裝置乃例如設置：備有蝕刻室6 8及 69之鈾刻裝置67，備有鈾刻室71 ，72之鈾刻裝置 7 〇。做爲排氣體處理設備乃使用··用於處理從蝕刻室6 8 ’ 69，71及7 2所排出之含有PFC之排氣體之 p F C處理裝置1。分別連接於蝕刻室6 8，6 9，7 1 及7 2之氣體排出管74A，74B，74C及74D及將彙集成一條配管4 0。P F C處理裝置1係連接於配管 4 〇，藉由配管4 9連接於排氣導管7 5。真空泵7 3A ’.73B，73C及73D乃設置於氣體排出管74A， 7 4 B，7 4 C 及 7 4 D。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製蝕刻氣體（P F C氣體）係分別供給於被減壓至真空之鈾刻室68，69，70及7 1內。PFC氣體乃被電漿化（等離子化）。分別對於半導體之材料（晶圓）實施蝕刻處理。分別供給於蝕刻室6 8，6 9，7 1及7 2之各個之P F C氣體之一部份（1 0〜3 0 % )係由各蝕刻室內之蝕刻處理所消費。分別驅動真空泵7 3 A，7 3 B ，73C及73D由而來自蝕刻室68，69，71及 7 2之各室之排氣體係分別通經氣體排出管7 4 A， 7 4 B，7 4 C及7 4 D而在配管4 0內合流，供給於 P F C處理裝置1內。而該排氣體係包含有在於鈾刻室 68，69，71及72內未能消費完之PFC氣體。再 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇X 297公釐） 1292721 A7 __ B7______ 五、發明説明（7 ) 者該排氣體內也包含有在於各蝕刻室內而由p F c氣體副次的發生之H F，以及由於削刻晶圓所發生之S i F 4 ° 對於使蝕刻室6 8，6 9 ’ 7 1及7 2內負壓之真空泵73A，73B，73C及73D內，爲保護軸承部等之由腐蝕性之酸性氣體之H F所鈾刻’氮（N 2 )氣體係通過軸承部地被供給。因此被引導至P F C處理裝置1之排氣體中之PFC濃度係約〇·5%。而該PFC氣體乃由 PFC處理裝置1所分解。自PFC處理裝置1所排出之排氣體係經過配管4 9而排出於排出導管75。供給於P F C處理裝置1之排氣體中之P F C濃度、及從P F C處理裝置1所排出之排氣體中之P F C濃度係被測定。而監視從處理裝置1所排出之排氣體之P F C濃度，而該濃度之超過設定濃度時將發出警報。再從P F C 處理裝置1之入口側及出口側之P F C濃度之分解率來校驗催化反應之健全性乃至催化劑之劣化查對更換之時期° 合宜之實施例之說明下面詳細的說明，合宜的適用於處理來自半導體製程之排氣體之P F C處理裝置之複數之實施例。在各實施例之附圖中，關於同等之構成要素係標上相同之標號。依第1圖說明本發明之一合宜之實施例之P F C處理裝置。本實施例之P F C處理裝置1乃具備有：矽去除裝置，反應器2，冷卻室6，排水槽1 2，排氣體洗淨塔 1 3，旋風器（旋風分離器）1 6及噴射器2 4。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ►裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1292721 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _五、發明説明（8) 矽去除裝置係備有入口塡充塔8及噴洒塔1 0。入口塡充塔8內部係具有塡充物之塡充層9。噴洒塔1 〇係在其內部備有噴洒器1 1。配管4 0係連接於入口塡充塔8 之較塡充層9之下方之空間。入口塡充塔8之較塡充層9 之上方之空間乃由配管4 1連接於噴洒器1 〇。反應器2乃在其內部具有催化劑匣3及加熱空間5。催化劑匣3係具有在其內部填充有催化劑之催化劑層。所使用之催化劑乃A 1 (鋁）之氧化物之A 1 2〇3 8 0 % ，氮（N i )氧化物之N i ◦含有2 0 %之氧化鋁系催化劑。加熱空間5係形成於催化劑匣3之上游側。加熱器4 即於加熱空間5之位置而設於反應器2之外側。連接於反應器2之冷卻室6乃在其內部具有噴洒器7，據位於催化劑匣3之下方位置。配管4 2係連接噴洒器1 0與加熱空間5。供給水（或水蒸氣）之配管4 3及供給空氣之配管 4 4係分別地連接於加熱空間5。做爲酸性氣體去除裝置之排氣體洗淨塔1 3乃，在其內部而上方配置有噴洒器1 5，在於噴洒器1 5之下方配置有塡充了塑膠製之曲折環之塡充層1 4。連絡於排氣體洗淨塔1 3之排水槽1 2係據位於排氣體洗淨塔1 3之下方。排水槽1 2乃由配管4 5而連絡於冷卻室6。連絡於入口塡充塔8之較塡充層9之下方之空間之配管5 7係如第7圖所示，由上方而插入於排水槽1 2內。配管5 7之排水槽1 2內之部份即具備有構成水封構造之浮筒座5 8 ，浮筒5 9以及浮筒擋止器6 0。環狀之浮筒座5 8係設本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本百〇 1292721 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（9) 於配管5 7內而其下端部。由網目粗目之金屬網所製之浮筒擋止器6 0係設於浮筒座5 8之上方且在於配管5 7內。在於浮筒座5 8與浮筒擋止器6 0之間，配置有浮筒 5 9。具備有排水泵之排水管4 6係連接於排水槽1 2之底部。配管6 6係在於排水泵8 0之下游側而連接於排水管 4 6，又連接於入口塡充塔8之較塡充層9之上方之空間，在於入口塡充塔8之較塡充層9之下方而連接於入口塡充塡8之底部之配管5 7係插入於排水槽1 2內。使用第3圖及第4圖說明霧分離裝置之旋風器1 6之構成。旋風器1 6係在其內部具有以隔開部1 7所隔開之下部室1 9及上部室2 0。排氣體供給部3 8係延伸於下部室1 9之內面之接線方向。排氣體供給部3 8內之流路 3 9係朝向下部室1 9地被縮口。連接於排氣體洗淨塔 1 3之上端部之配管4 7係連接於排氣體供給部3 8。貫穿隔開部1 7之通路1 8乃連絡下部室1 9與上部室2 0 。形成於下部室1 9之下端部之排洩口 2 3即連接排洩配管5 3。排洩配管5 3係連接於排水槽1 2。形成於上部室2 0之排洩口 2 2係由排洩配管5 4連接於排洩槽1 2 。做爲霧分離裝置除了旋風器之外’過濾裝置、電氣集塵裝置，活性碳吸著塔之使用也可能者。噴射器2 4乃如第5圖所示’備有噴射器體2 5，噴射噴嘴2 7及排出噴嘴3 4。噴射器體2 5係在其內部形 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 1292721 Α7 Β7 五、發明説明（1() (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成內部空間2 6。噴射噴嘴2 7係備有噴嘴部2 8。噴射邰2 9乃如第6圖所示螺入於噴嘴部2 8之前端部，於是內徑約2 m m之噴射口 3 〇係形成於噴射部2 9之內部。噴射部2 9係以高耐蝕性且高耐久性之金屬或陶瓷來製成。排出噴嘴3 4係在其內部備有排出通路3 5。噴射噴嘴 2 7係介著塾圈7 6而配置於噴射器體2 5之一端。噴射噴嘴2 7之噴嘴部2 8之前端係插入於噴射器體2 5內，據位於內部空間2 6內。噴射口 3 0係連絡於，形成於噴嘴部2 8內之流路3 1 ，及內部空間2 6。排出噴嘴3 4 係介著墊圈3 7配置於面向於噴射器體2 5之另一端。而排出噴嘴3 4之排出通路3 5係面向於螺入於噴嘴部2 8 之噴射部2 9。排出通路3 5之入口係連絡於內部空間 2 6 °排出通路3 5係備有，於內部流路斷面積成爲最小之喉部7 7。排出通路3 5係自喉部7 7朝向入口地擴大流路斷面積。自喉部7 7朝向排出口 7 8地擴大流路斷面積。後者之流路斷面積之會擴大之比例係較前者之擴大之比例爲小。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製備有流入口 3 3之壓板係介著墊圈3 6面向於噴射噴嘴2 7地被配置，依序配置壓板3 2，噴射噴嘴2 7，噴射器體2 5，及排出噴嘴3 4，而以螺栓7 9 A及螺帽 7 9 B所結合。壓板3 2，噴射噴嘴2 7之噴射部2 9以外之部份，噴射器體2 5，及排出噴嘴3 4係以耐鈾性優異之塑膠例如氯化乙烯樹脂（或氟化樹脂等）所製作。安裝於噴射器體2 5之配管4 8係連絡於形成於旋風本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）以 1292721 A7 B7 五、發明説明（11) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 器1 6之上邰室2 0之排出口2 1。配管4 8係連絡於噴射命體2 5內之內部空間2 6。連接於排氣導管7 5之配管4 9係連接於排出噴嘴3 4之排出口 7 8側。連接於配管4 9之凝結水排洩配管5 5係連絡於排水槽1 2。水供糸口管5 0係連接於噴洒器1 5。水供給管5 1係供給於噴洒器1 1。水供給管5 2係連接噴洒器7。水供給管5 1 及5 2係連接於水供給管5 0。壓縮空氣供給裝置8 1係安裝於壓板3 2。壓縮空氣供給裝置8 1乃如第1圖所示備有：空氣供給管5 6，壓力壓整閥6 3及空氣供給閥6 4。空氣供給管6 6係連接於壓板3 2。連絡於流入口 3 3。壓力調整閥6 3係設置於空氣供給管5 6。空氣供給閥6 4係在於壓力調整閥 6 3之上游側而設置於空氣供給管5 6。空氣供給管5 6 係連接於不圖示之壓縮機。標號6 5係安全聯鎖用之壓力開關。下面說明本實施例之P F C處理裝置1之P F C之處理。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製供給於P F C處理裝置1之排氣體中所含之P F C乃，由在於半導體製造裝置所製造之半導體之種類，或半導體製造之廠家而有所不同。爲了加工該半導體之胚材之該當之晶圓之加工，有使用1種類之P F C時及使用複數之 P F C之情形。本實施例乃，爲了製造半導體而所使用之 P F C係S F 6及C 2 F 6之情形爲例做說明。由真空泵73A，73B，73C及73D之驅動而 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1292721 A7 B7 五、發明説明（θ 從蝕刻室68，69，7 1及7 2所排出之含有PFC即 SF6及C2F6，S i F4及HF之排氣體係介著配管4〇而供給於矽去除裝置之入口塡充塔8。排氣體係在於塡充層9內上昇，介著配管4 1而供給於矽去除裝置之噴洒塔 1〇內。由水供給管5 1所供給之新的水乃藉由噴洒器 1 1而噴射於噴洒塔1 〇內。此噴洒水乃排出於配管4 1 ，引導至入口塡充塔8。排水槽1 2內之排水係由排水泵 8 0之驅動而介經排水管4 6及配管6 6而供給於入口塡充塔8。而此排水及噴洒水係在塡充層9內下降。含於排氣體之S i F 4乃在於入口塡充塔8內而接觸於水（排水及噴洒於噴洒塔1 〇內之噴洒水）’於是發生（ 4)式之反應而被分解爲S i〇2及HF。 S i F4+2H20->S i O2+4HF (4) 含於供給於入口塡充塔8之排氣體之H F，以及由（ 4 )式之反應所產生之H F乃在於入口塡充塔8內而被水所吸收，從排氣體中被去除。呈固形份之s i〇2也由該水所沖洗去除。塡充層9及由上昇之排氣體與下降之水而使接觸效率增加，增大（4 )式之反應效率及水之對於H F之吸收效率。含有S i〇2且吸收了 HF之水係通過配管5 7而被引導至據位於較入口塡充塔8爲下方位置之排水槽1 2內，含於排氣體之其他之不純物也在於入口塡充塔8及噴洒塔 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 1 5 _ 1292721 A7 B7 五、發明説明（1$ 1 0內而由水所去除。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於入口塡充塔8內沒有被水所吸收之H F乃與排氣體一齊導入於噴洒塔1 〇內，而在該處而由所噴射之噴洒水所吸收。由入口塡充塔8而引導至噴洒塔1 〇內之排氣體中所留存之S i F 4係由於在噴洒塔1 〇內而與噴洒水接觸於是發生（4 )式之反應。在此反應所發生之H F即由噴洒水所吸收，發生之S i〇2也由噴洒水所沖洗排出於入口塡充塔8及配管5 7。由噴洒塔1 0而排出於配管4 2內之含有S F 6及 C 2 F 6之排氣體係以6 0 1 /m i η之流量地供給於反應器2之加熱空間5內。此排氣體係不含有H F，S i F 4以及由（1)式之反應所生成之Si〇2。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在於加熱空間5內，以配管4 3而供給水（或水蒸氣 )。以配管4 4而供給空氣。由於藉由催化劑之作用之 P F C之分解反應係加水分解，所以被供給在此反應上所必要之水（或水蒸氣）也。排氣體乃由加熱器4而被加熱於，與水及空氣而由催化劑之作用而開始S F 6及C 2 F 6 之分解之7 5 0 °C之溫度。雖然由P F C之種類而不同，將加熱至約6 5 0〜7 5 0 °C。水係成爲水蒸氣，空氣，及含有S F 6及C2F 6而加熱至7 5 0°C之排氣體係供給於催化劑匣3內。由催化劑匣3內之氧化鋁系催化劑之作用，促進了 SF6及C2Fe與H2〇之上述（2)式及下述（5)式之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 1292721 A7 B7 五、發明説明（反應， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) SF6 + 3H2〇 —S〇3 + 6HF (2) C2H6 + 3H2〇 +空氣（〇2) — 2C〇2 + 6HF (5) s F 6係被分解s ◦ 3 + H F係被分解，c 2 F 6係被分解爲C〇2及HF。（2)式及（5)式之反應係在於水蒸氣之存在下實施。SFe及CsF 6係1〇〇%地被分解。當空氣特別是由氧氣之被供給於催化劑匣3內時 CsF6與HsO之反應而產成有害之CO，由空氣之供給而含於空氣之氧氣係使CO變換成爲無害之C 〇2，因此如 (5 )式所示不會發生C 0，替代於空氣供給氧氣亦可以〇由於使用含有8 0 % A 1 2〇3及2 〇 % N i〇之催化劑，於是在於7 5 0 °C之催化劑匣內，S F 6及C 2 F 6係百分之百的被分解。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製除了含8 0 % A 1 2〇3及含2 0 % N i ◦之催化劑之外，使用日本專利公報特開平1 1 一 7 0 3 2 2號之「解決課題之手段」，及「發明之實施形態」之各項所記述之種類之催化劑（含A 1氧化物及從Z η，N i ，T i ，F ，Sn，Co，Z r ，C e ，S i ，P t中所選取之至少一種氧化物）也可以分解P F C。本實施例乃，在於矽去除裝置內而使（4 )式之反應發生，以資去除以S i F 4等之化合物而含於排氣體之矽’ -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1292721 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（因此可以提高由催化劑所致之p f c之分解效率。當含有矽之排氣體之供給於反應器2內時，由配管 4 3所供給之水（或水蒸氣）而在於加熱空間5內發生（ 4 )式之反應，而產生之S i〇2即流入於催化劑匣3內’ 此時會發生下述①及②之問題。 ① S i〇2乃有可能阻塞形成於催化劑上孔徑。 ② 封塞形成於催化劑間之間隙。由①及②而催化劑之表面積減少，p F c之分解反應會低落。又起因於②而使催化劑間之排氣體之流動變劣’ 阻礙催化劑與排氣體之接觸，這也引至p F c之分解反應之低落。本實施例乃在於砂去除裝置而事前地去除s i〇2 ’因此不會發生上述問題可以使P F C之分解效率提高。 SF6及C2F6之各個之分解氣體之含有S〇3， C〇2，H F之排氣體乃從催化劑匣3而供給於冷卻室6內，而由水供給管5 2所供給之水即由噴洒器而噴洒於冷卻室6內。該排氣體係與所噴洒之水之接觸所冷卻’因此排氣體溫度即降至1 0 0 °C以下。由而較反應器2之下游側之機器（冷卻室6，排氣體洗淨塔1 3，旋風器1 6及噴射器2 4 )，及連絡機器間之各配管（配管4 5 ’ 4 7 ’ 4 8及4 9，排水管4 6，排洩配管5 3及5 4，以及凝結水排洩配管5 5 )均能使用耐鈾性優異之塑膠氯化乙烯樹脂（或氟樹脂）來構成。又配管5 7及6 6也可以用氯化乙烯樹脂來構成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 1292721 Α7 Β7 五、發明説明（㈣ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 含於排氣體之H F之一部份係由所噴洒之水所吸收。被噴洒之水及排氣體係通過配管4 5而從冷卻室6而被引導至排水槽1 2內之較液面6 1爲上方之空間（第7圖）。水係暫時的儲存於排水槽1 2內。而由排水泵8 0之驅動、排水槽1 2內之水係排出於排水管4 6內，引導至不圖示之建屋側之排水處理設備。如第7圖所示，當從入口塡充塔8所排出之水在於配管5 7內流動時，由於於排水槽1 2內之配管5 7之部份而浮筒5 9係較浮筒座5 8浮起於上方，因此該水係通過浮筒擋止器6 0及浮筒座5 8，而通過配管5 7之開啓端，供給於排水槽1 2內。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製浮筒5 9係由浮筒擋止器6 0所阻擋而不能再移動於 .上方。在於入口塡充塔8中，當排氣體流入於配管5 7內時，該排氣體乃在於配管5 7內流動而到達於配管5 7之排水槽1 2內之部份。此時配管5 7之開放端附近即配管 5 7內之水被推壓而出成爲排氣體之環境，浮筒5 9在於排氣體環境中不會漂浮會封閉浮筒座5 8之開口，因此從入口塡充塔8對於配管5 7之排氣體之流入。含有分解氣體之排氣體乃從排水槽1 2而引導至排氣體洗淨塔1 3內，由水供給管5 0所供給之水係由噴洒器 1 5噴射。此時係由上方在於塡充層1 4內下降，落下於排水槽1 2內，排氣體即在於塡充層1 4內上昇。含於排氣體之酸性氣體之S〇3及H F係由所噴射之水所吸收而從排氣體所分離。惟少量之酸性氣體及隨伴有水份之酸性氣本紙張尺度適用中國國家標準（€奶）八4規格（210'乂 297公釐了 1292721 A7 B7 五、發明説明（β (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 體霧（S 0 3霧）係從排氣體洗淨塔1 3而排出於配管4 7 ’供給於旋風器1 6之排氣體供給部3 8內之流路3 9。替代於水而從噴洒器1 5噴射鹼水溶液（N a〇Η水溶液或Κ〇Η水溶液）亦可以。排氣體係通過流路3 9供給於旋風器1 6之下部室 1 9內，一面迴旋通路1 8之周圍一面下降。含於排氣體之酸性氣體霧係由氣體之迴旋而被分離飛濺於外側，附著於下部室1 9之側面而沿著該側面朝向下部室1 9之底部流下。被分離之酸性氣體霧係從排洩口 2 3而通經排洩配管5 3而排出於排水槽1 2內。下部室1 9內之排氣體之迴旋流係一面迴旋一面在於通路1 8內上昇，到達於上部室2 0。在於上部室2 0內，排氣體仍然在迴旋，因此隨 .伴於排氣體之酸性氣體霧係被分離沿著上部室2 0之側面流下。被分離之酸性氣體霧係經過排洩口 2 2及排洩配管 5 4而排出於排水槽1 2內。於是酸性氣體霧之含量之顯著的降低之排氣體乃由排出口 2 1排出於配管4 8內，然後流入於噴射器2 4內。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製開啓空氣閥6 4而由不圖示之壓縮機所壓縮之壓縮空氣乃流動於空氣供給管5 6內而供給於噴射器2 4。此壓縮空氣就是噴射器2 4之驅動氣體。壓縮空氣之壓力乃藉由調節壓力調整閥6 3之開度而可以控制於規定之壓力。大致與供給於反應器2之排氣體之流量之相同流量，換言之約60 1/mi η乃至80 1/mi η之壓縮空氣係以約0 . 1 Μ P a之壓力地供給於噴射器2 4內。驅動氣體本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 〇〇 _ ""~~ 1292721 Α7 Β7 五、發明説明（18) 係替代於壓縮空氣而使用氮氣體或氦氣體亦可以。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如第5圖及第6圖所示，壓縮空氣乃從流入口 3 3而供給於噴嘴部2 8之流路3 1內。從噴射口 3 0而朝向排出噴嘴3 4之排出道路3 5內地，以音速以上之速度噴射。從噴射口來之壓縮空氣之噴射流乃在於排出通路3 5之喉部7 7附近發生負壓。由此負壓之作用配管4 8內之排氣體係經過內部空間2 6，而被抽吸於排出通路3 5內。排出於配管4 9內。此排氣體乃由配管4 9引導至排氣導管7 5 (第2圖）。而含於從噴射器2 4排出之排氣體之凝結水即經由凝結水排洩配管5 5而引導至排水槽1 2內。且由噴射器2 4之排氣體之抽吸作用，冷卻室6，排水槽1 2及排氣體洗淨塔1 3內係被維持於負壓。以資防止排熱體中所含之S〇3及H F等之拽漏於系外。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製按以往之噴射器乃通常使用於做爲產生高真空之裝置。因此習用之噴射器乃無法如鼓風機地多量的吸取抽吸風量。而無法替代鼓風機。習用之噴射器係如第8圖中以虛線所示，由驅動用之壓縮空氣之壓力而噴射器之抽吸力乃有很大之變化，又抽吸之氣體容量一增加，抽吸力會激降。如上所述通常使用之發生真空（產成抽吸力）用之噴射器乃如用於替代鼓風機即特性之差異過大。相對的本實施例所用之噴射器2 4乃，具有如第8圖上實線所示之排氣特性。來自噴射器2 4之排氣體之排氣流量增加之下，噴射器2 4之抽吸力之降低之比例小。此噴射器2 4係本發明人等之創作者。本噴射器2 4乃具有 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 1292721 A7 B7 五、發明説明（id (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 鼓風機之排氣特性（第8圖之一點鍊線）大致相同之排氣特性。改變供給於噴射器2 4之驅動用之壓縮空氣之壓力 (例如0 · 1 Μ P a改爲〇 · 1 2 Μ P a )之下對於排氣流量之增加之抽吸力之降低比例變化不大，因此本噴射器 2 4乃可以獲得大的排氣流量。再者做爲噴射器2 4之特性，而與驅動用之壓縮空氣之壓力之增加成比例地排氣體之抽吸力會增加。如果由壓力調整閥6 3之故障，而供給於噴射器2 4 之壓縮空氣之壓力超過規定壓力，而依據起因於它之高真空而噴射器2 4有損傷之危險性。於是壓力開關6 5乃檢測較壓力調整閥6 3更下游側之空氣供給管5 6內之壓力，該壓力之大於規定壓力時封閉空氣供給閥6 4，同時停止壓縮機（不圖示）。引導至噴射器2 4之排氣體乃雖然含有少量之酸性氣體霧，惟由耐蝕性優異之塑膠所製作之噴射器2 4係雖接觸於該酸性氣體霧，惟不致於腐鈾。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本實施例乃該含有分解氣體之排氣體之排出裝置之噴射器2 4中，不會發生起因於分解氣體腐鈾，因此幾乎不需要該排氣體排出裝置（噴射氣體以資抽吸氣體之裝置）之維修、檢查、配件更換等之保養作業。與使用鼓風機時相比較顯著的減少維修檢查之頻度。於是顯著的可提高 PFC處理裝置1之實效率。. 再者具備有噴出音速以上之排氣體之噴射口 3 0之噴射部2 9乃由於使用高耐鈾性且高耐久性之陶瓷所製作，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 1292721 A7 B7 五、發明説明（20) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此由音速之排氣體之摩耗也不顯著。這一點也對於噴射器2 4之維修檢查之頻度之減少有所貢獻。此種噴射器 2 4乃充分的可耐受長時間之運轉也。由於做爲霧分離裝置，使用旋風器1 6，因此經過噴射器2 4而引導至排氣導管7 5之酸性氣體霧之量變少。因此在於排氣導管內凝結之霧量會減少，顯著的可以減輕排氣導管7 5之腐鈾，同時霧量之減少更能延長噴射器 2 4之壽命。排水槽1 2係配置於最低之位置，因此從入口塡充塔 8及噴洒塔1 0所排出之水，在於冷卻室6及排氣體洗淨塔1 3內所噴射之噴洒水、及於旋風器1 6被分離之排洩水乃，藉重力而流入於排水槽1 2內，因此不要將這些水移送至排水槽1 2之泵浦，可以使P F C處理裝置1之構成緊湊化小型化。本實施例之P F C處理裝置1乃S F6及C2F6以外只要是P F C均可以分解者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以第1圖所示之PFC處理裝置1 ，使用含有SF6之模擬氣體實施S F 6之分解處理試驗。模擬氣體係以氮氣體稀釋SF6者，含有SF6〇 . 5 %濃度。將此模擬氣體，以6 0 1 / m i η之流量供給於 P F C處理裝置1之反應器2。對於反應器2供給空氣 15 1/n i η，水 20ml/mi η 〇以電氣加熱器而在於加熱空間5而將含有水、空氣之模擬氣體加熱至7 5 0 °C。而將此模擬氣體供給於催化劑 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1292721 A7 B7 五、發明説明（21) 匣3內以資分解S F 6。塡充於催化劑匣3內之催化劑係含有N i〇及A 1 2〇3之催化劑。設模擬氣體之對於催化劑之空間速度爲1 0 〇〇 / n 而實施了 S F6之處理。由反應器2所排出之含有s F62 分解氣體之氣體係在於冷卻室6所冷卻，通過排氣體洗淨塔1 4而以流速約2 0 m / s之速度而導入於旋風器.丄6 內。在於旋風器1 6而分離去除之酸性氣體霧係由旋風器 1 6之底部通過排洩配管5 3而排出於排水槽1 2。從旋風器1 6所排出之氣體乃以0 · 1 Μ P a之壓縮空氣所驅動之噴射器2 4所抽吸。供給於噴射器2 4之壓縮空氣之流量係約7 0 1 /m i η。在於旋風器1 6之上游側（配管4 7內）及下游側（配管4 8內）分別測定氣體中之S 0 3濃度以資撐握了由旋風器16之霧之去除率。由於S〇3霧乃以S〇3爲核而在其周圍吸著水分子所形成因此得以配管4 7內之S〇3與配管4 8內之S〇3之濃度之比而可以算出藉由旋風器1 6之霧之去除率。S〇3 之濃度乃以液體捕集法所測定之S Ο X濃度而減去以色譜法氣體分析儀所測定之S ◦ 2濃度來算出。該結果在於旋風器1 6之上游側即S〇3濃度爲1 4 0 0 p p m，而通過旋風器1 6之後濃度成爲2 8 0 p pm。可見在於旋風器 16去除了80%之霧。在於旋風器1 6之出口測定了霧之粒徑分佈。含於從旋風器1 6所排出之氣體之霧係大約小於1微公尺（micron 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24 1292721 A7 B7 五、發明説明（2$ )之粒徑超過1微公尺以上之粒徑之霧係由旋風器1 6所去除。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經過規定時間之處理運轉之後，分解噴射器2 4做觀察之結果噴射器2 4之內部並沒有被腐鈾，又於噴射器 2 4之出口側之配管4 9內也沒有看到凝結水。替代於上述之含有S F 6之模擬氣體而使用含有N F 3 之模擬氣體而實施與含有S F 6之模擬氣體相同之試驗。由於硝酸霧乃與硫酸霧比較時粒徑較細，因此在於霧去除裝置之去除效率即爲2 0〜3 0 %之低値，惟與S F 6之試驗結果相同在於噴射器並看不出有被腐蝕之情形。使用第9圖說明本發明之其他實施例之P F C處理裝置1 A。與第1圖之實施例同一構成即標上相同之標號。 P F C處理裝置1 A乃削除了旋風器1 6之點而與 P F C處理裝置1有所不同。因此配管4 7係連絡排氣體洗淨塔1 3之上端部與噴射器2 4之內部空間2 6。本實施例乃藉由噴射器2 4之抽吸作用而排氣體洗淨塔1 3內之排氣體係由配管4 7抽吸排出於配管4 9。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本實施例乃沒有設置旋風器之份量地其構成乃較 P F C處理裝置1可單純化。本實施例係適用於供給於 P F C處理裝置1 A之P F C濃度低，隨伴於從排氣體洗淨塔1 3所排出之排氣體之酸性氣體霧少之情形就理想。供給於P F C處理裝置之P F C濃度低時，在於第1 圖之實施例中削除排氣體洗淨塔1 3亦可以。此時連接於旋風器1 6之配管4 7係連絡於排水槽1 2之較液面6 1 - 25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1292721 Α7 Β7 五、發明説明（2$ 上方之空間。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在於半導體製造設施中，有時需要蝕刻具有金屬配線之晶圓之情形。例如在於第1 0圖所示之半導體製造設施中，在於鈾刻裝置6 7之鈾刻室6 8及6 9而實施具有金屬配線之晶圓之蝕刻。由此蝕刻而會發生起因於金屬配線之多量之具有附著性之副生成物，此副生成物，H F，及含有HF及S i F4之殘留P F C乃從蝕刻室6 8及6 9所排出。與供給於真空泵7 3 A，7 3 B之氮氣體一齊供給於塡充有活性碳之前處理裝置8 2。具有附著性之副生成物乃由前處理裝置8 2所去除。由前處理裝置8 2排出之排氣體係以配管40而引導至PFC處理裝置1。於前處理裝置8 2來去除附著性之副生成物之結果，於催化劑匣而效率良好地分解p F C。做爲蝕刻氣體，在於P F C氣體之外，有使用氯氣，氯化氫氣體，溴化氫（Η B r )等之情形。氯氣，氯化氫氣體或溴化氫氣體係與P F C氣體混合而供給於鈾刻室。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又有時之蝕刻處理中，氯氣，氯化氫氣體或溴化氫氣體乃，在於由P F C氣體之蝕刻之終了之後供給於蝕刻室內。有時候，由氯氣、氯化氫氣體或溴化氫氣體之蝕刻處理係在於藉由P F C氣體之蝕刻處理之前實施，惟此時氯氣、氯化氫氣體或溴化氫氣體之供給於蝕刻室內之時期內，在於藉P F C之供給之前實施，氯氣，氯化氫氣體及溴化氫氣體係與H F相同屬於酸性氣體。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -26- 1292721 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（2冷對於蝕刻室內供給氯氣及P F C氣體之情形做說明。由蝕刻室所排出之氯氣及P F C氣體，及從真空泵所供給之含有N2氣體乃由配管4 0而供給於第1圖所示之P F C 處理裝置1。由PFC處理裝置1之PFC之分解處理係如上述之第1圖之實施例所說明地予以實施。下面說明氯氣之P F C處理裝置1內之舉動。對於P F C處理裝置1供給含有N 2，C 1 2之濃度 1 %之模擬氣體。C 1 2氣體係通過入口塡充塔8及噴洒塔 1 0。經過配管4 2而到達於反應器2內。催化劑之溫度係7 5 0 °C(模擬氣體流量601/min)。 C 1 2氣體係在於入口塡充塡8及噴洒塔1 0而幾乎不會被去除。對於反應器2內供給1 0 1 /m i η之空氣及1 5 ml/min之反應水。 C 1 2氣體乃以（6 )式之反應而在於催化劑匣3之催化劑而被氧化變成H C 1氣體。 2Cl2+2H2〇-^2HCl+〇2 ( 6 ) 由於H C 1氣體很容易溶解於水，因此在於排氣體洗淨塔1 3內而由噴洒水所吸收，從模擬氣體中去除。從排氣體洗淨塔1 3內排出之模擬氣體中之C 1 2濃度係1 0 0 P P m ’就是去除了 9 9 %之C 1 2。而此模擬氣體中無法檢測出H C 1。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -27- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1292721 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2自噴射器2 4即由C 1 2氣體也沒有被腐鈾之情形。圖式之簡單說明第1圖係本發明之合宜之一實施例之過氟化物處理裝置之構成圖。第2圖係適用了第1圖之過氟化物處理裝置之半導體製造設備之構成圖。第3圖係第1圖所示之旋風器之縱斷面圖。第4圖係第3圖之iv — iv斷面圖。第5圖係第1圖所示之噴射器之縱斷面圖。第6圖係第5圖之VI部之擴大斷面圖。第7圖係第1圖所示之排水槽之縱斷面圖。第8圖係表示第5圖之噴射器之排氣槽之縱斷面圖。第9圖係表示本發明之其他實施例之過氟化物處理裝置之構成圖。第10圖係適用了過氟化物處理裝置之半導體製造設施之其他實施例之構成圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂_ 元件對照表 1 :過氟化物處理裝置 3 :催化劑匣 6 :冷卻室 8 :入口塡充塔 1 2 :排水槽 2 :反應器 4 :加熱器 7，1 1，1 5 :噴洒器 1 0 :噴洒塔 1 3 :排氣體洗淨塔本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 1292721 A7 B7 五、發明説明（2与 2 0 7 8 〇 5 〇 2 7 3 :旋風器 :上部室 :噴射器體 :噴嘴部 :噴射口 :排出通路 2:水供給管 :流面、7 0 :鈾刻裝置 A，73B，73C，7 :壓縮空氣供給裝置 19:下部室 2 4 :噴射室 2 7 :噴射噴嘴 2 9 :噴射部 3 4 :排出噴嘴 4 6 :排水管 5 6 :空氣供給管 6 3 :壓力調整閥 D :真空泵 8 2 :前處理裝置經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims

A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍第901 20299號專利申請案中文申請專利範圍修正本 —- ™ --- ―― - I 終-Π:*' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國 96 “ Ϊ0 k 24¾修ΐ 1 · 一種過氟化物之處理方法，其特徵焉~厂_..................................J 將含於含有過氟化物之氣體之該過氟化物予以分解；將由上述過氟化物之分解所產生之含有酸性氣體之排氣體，接觸於水及鹼性溶液之一方，以資去除上述酸性氣體；在於接觸於水及鹼性溶液之一方之後，迴旋上述排氣以資分離含於上述排氣體中之霧；藉由噴射之氣體之噴流而抽吸該霧之被分離之上述排氣體，以資排出該被抽吸之上述排氣體。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之過氟化物之處理方法，其中在於上述過氟化物之分解上使用催化劑者。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之過氟化物之處理方法，其中藉由噴射之氣體之噴流而抽吸上述排氣體以資排出者係藉由噴射器所實施者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 ·如申請專利範圍第1項所述之過氟化物之處理方法，其中含有上述排氣體之霧之分離係藉由旋風器所實施者。 5 · —種半導體製造裝置之排氣體處理方法，其特徵爲· 將含有過氟化物而自半導體製造裝置所排出之排氣體中所含之過氟化物予以分解；將由上述過氟化物之分解所產生之含有酸性氣體之排氣體，接觸於水及鹼性溶液之一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 1 _ 1292721 λ8 Β8 C8 __ D8 六、申請專利範圍力’以資去除上述酸性氣體；在於接觸於水及鹼性溶液之一方之後’迴旋上述排氣體以資分離含於上述排氣體中之 _ = _由噴射之氣體之噴流而抽吸該霧之被分離之上述排氣體’以資排出該被抽吸之上述排氣體。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之半導體製造裝置之排氣體處理方法，其中在於上述過氟化物之分解上使用催化劑者。 7 ·如申請專利範圍第5項所述之半導體製造裝置之排氣體處理方法，其中藉由噴射之氣體之噴流而抽吸上述排氣體以資排出者係藉由噴射器所實施者。 8 · —種過氟化物之處理裝置，其特徵爲具備有：被供給含有過氟化物之氣體，以資分解上述過氟化物之過氟化物分解裝置，及自藉由上述過氟化物之分解所生成之含有酸性氣體之排氣體中，去除上述酸性氣體之酸性氣體去除裝置，及迴旋自上述酸性氣體除去裝置所排出之上述排氣體以資分離含於上述排氣體之霧的霧分離裝置， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製排裝之述理述之理使上處上內處，的之及置之體體物置裝物氣氣化裝離化排性氟除分氟述酸過去霧過上述之體述之之上述氣上述體除所性出所氣去項酸排項性資 9 述吸 8 酸以第上抽第有觸圍於流圍含接範置噴。範述方利配之置利上一。專：體裝專將之置請有氣吸請有液裝申備之抽申備溶去如又射體如具性除 ·中噴氣 ·中鹼體 ο 其由之 9 其及氣 1 ，藉體，水性置及氣置與酸裝本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-2 · 1292721 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 霧分離裝置之下方，以資接受上述酸性氣體去除裝置所排出之上述水及鹼性溶液之一方之槽，以及將經上述霧分離裝置所分離之霧引導至上述槽之排出管者。 1 1 ·如申請專利範圍第8項所述之過氟化物之處理裝置，其中上述過氟化物分解裝置乃塡充有作用於上述過氟化物之分解之催化劑者。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述之過氟化物之處理裝置，其中上述催化劑係包含A 1氧化物、再含有由 Zn、Ni 、Ti 、F、Sn、Co、Zr、Ce、Si 、P t中所選用之至少一種之氧化物者。 1 3 ·如申請專利範圍第8項至第1 2項中任一項所述之過氟化物之處理裝置，其中上述氣體抽吸裝置係噴射器者。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之過氟化物之處理裝置，其中備有：當供給於上述噴射器之驅動用氣體之壓力越過規定壓力時停止對於上述噴射器之上述驅動用氣體之供給之手段者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5 ·如申請專利範圍第8項所述之過氟化物之處理裝置，其中上述霧分離裝置是旋風器者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-3 -