TW546601B - Active matrix type display device - Google Patents

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TW546601B
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film transistor
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Katsuya Anzai
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Sanyo Electric Co
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Description

546601 五、發明說明u) ' -- ▲[發明的詳細說明] [發明所屬的技術領域] 本發明係有關於動態矩陣型顯示裝置。尤係關於各像 素及配線之佈局者。 [習用技術] ^使用自發光元件的電場發光（£1"1:^〇1111^116%611(：6, 簡稱為EL)元件為各像素之發光元件的以顯示裝置，因具 有自發光及薄型省電等的優點，而被視為替代液晶顯示裝 ^(LCD)或CRT等的顯示裝置，現今正由業界予以加緊研發 尤其是，於各像素設置分別控制EL元件之薄膜電晶體 (TFT)—等的開關％件，就每一像素控制讥元件的動態矩陣 型顯，裝置/可期待高精細的顯示裝置。 一第4圖係表示m列（row)n行（column)之動態矩陣型el顯 不裝置中，一個像素之電路構成圖。在該EL顯示裝置中， 係於基板上設有複數條向列方向延伸之閘極線gl，以及複 數條向行方向延伸之資料線DL及電源線VL。各像素即由閘 fnGL與資料線儿圍繞成為一領域，而具備：有機EL元件 二開關用薄膜電晶體（第i薄膜電晶體）丨〇 ;以元件驅動 ’巧電晶體（第2薄膜電晶體）20，及保持電容Cs。 第1TFT 10連接於間極線GL及資料線DL，係於閘極電 間極信號（選擇信號）後導通（〇n)。此時，供給於資 ’ & 的二料信號’即由連接於第1TFT 10及第2TFT 20間 之保持電容Cs保持。而於第2TFT 2〇的閘極電極，即經由
第6頁 546601 五、發明說明（2) 第1 TFT 10提供對應於資料信號的電壓。而由第2TFT 20， 將對應於該電壓值之電流由電源線VL供給於有機EL元件 50。由上述動作，得於各像素由有機EL元件50發出對應於 資料信號之亮度光線，以顯示所需之影像。 目前，作為平面顯示板使用之液晶顯示裝置（L C D)， 已實現彩色顯示，、而於該彩色LCD係將配置於基板上之複 數像素，分配紅（R)、綠（G )、藍（B )的任何一色。因此， 在使用有機EL元件的顯示裝置中，亦同樣需要彩色顯示， 而於實現彩色顯示時，該紅（R )、綠（G )、藍（B )像素的基 本排列亦須與彩色LCD使用的排列相同。 [發明所欲解決的問題] 如於彩色LCD，其對基板上對應於各顏色，多就每色 以不同的資料線提供資料信號（顯示信號）。這是為了顯示 信號處理及驅動電路的簡化，以及使不同顏色之顯示内容 不易受到影響之緣故。於是在彩色顯示裝置時之像素排列 中，有一種所謂條紋式（stripe)排列者。而於採用該條紋 式排列的動態矩陣型彩色LCD，於控制各像素液晶容量的 薄膜電晶體提供資料信號（顯示信號）的資料線，係與單色 時之情形一樣，在同一行方向作為略直線狀的延伸，因 而，可由一條資料線對應並排於同一行方向的同色複數個 像素提供資料信號。 如為實現採用第4圖所示電路構成的動態矩陣型彩色 有機EL顯示裝置時，若採用條紋式排列，得將具備同色有 機EL元件5 0之像素並排於同一行方向的略直線上。因此，
313034.ptd 第7頁 5466,01 五、發明說明（3) 可將對各像素提供資料信號 月挺处"认 為使影像得以高解傻= 方向予以延伸排列。 列，有將同色像辛；^ # ^ 之彩色顯示裝置的像素排 已有a)排列者。在動態矩陣型LC”， 配置於列方而參的裝置，係將同色像素以偏移1. 5個像素 料線，'即在^ 因此，在該同色像素提供資料信號的資 ^線即在母列之偏移像素間，以蛇行方式延伸於行方
笨I t於有機EL顯示裝置，今後亦將必對應於解像度提升 I Ϊ 而用/排列。唯因動態矩陣型有機EL顯示裝置 私*、、® 6圖所不，對其行方向各像素須連接資料線DL及驅 包/’、秦VL，因此，於採用△排列時，其配線將比lCD複 雜。更因該兩配線係由於製程的共通化，多係使用同一材 料，於製作圖案（patterning)時同時形成，此時更有使兩 配線不互為父叉而配置於行方向的必要，且至少須使資料 線DL以上述理由連接於同色之像素為宜。 、 第5圖係於動態矩陣型有機EL顯示裝置中，採用△型 g列時’能思及的像素佈局示例。於第5圖中，以同一資 ’線DL冑接的同色像素，對該資料線叽係設計成對稱方 式。如圖中第1列的紅（r )像素，係將第1薄膜電晶體丨〇配 置在像素右側，且連接於紅像素資料線43r，但第2列紅 (R)像素即將第1薄膜電晶體10配置於像素左側，且同樣連 接於紅像素資料線4 3 r。如上所述，以每列像素内之圖案
313034.ptd 第8頁 546601 五、發明說明（4) 作成ί ϊ Ϊ向，“5圖巾，係使每列有2像素偏移位置 時，使貝料線（DL) 43在列間的蛇行抑制於j像素分。 為，小Π使因配線電阻而發生信號的遲延及衰 士日η姑枓，π 士、色之像素，唯要以與賢料線（DL) 43 H 時於製作圖案時形成，有使之不交又的必 要。因此’係如第5圖所干 Α 辛及綠（G)傻去+ pq所不在弟1列中，該通過紅（R)像 :i ΐ L Λ :二，與綠⑹像素的第2薄膜電晶體㈣ GLVn ()係通過綠像素資料線w與紅像素資 ::X二：专=第2列之紅(R)像素及綠⑹編^ 接於紅(/)像素的第2薄膜電晶體2〇。 您 接於2 ;象圖辛所示以之及佈使局二v系將資料線虬以最短配線連 線财叉為條件的源;"L得以滿足無須與資料 列間的配線必將形成較ΐ;:迁：疋二 =二知右 基板面積β，該j路：配線占有面積過多時，於有限之 受極大的限制了因=s員域（有機el兀件形成領域）將必 是說，無法實現’ A日日ί ί提升開口率（pertare)，也就 /、、男、現較為明亮的顯示。 开^成複雜的迁回将 — 線電阻也增大。似 ’、不配線長度的加長，因而配 的像素皆需提供可处^動=源線45對顯示裝置任何位置 的有機EL元件5〇發=發二二，大電流，方不致使顯示面内 生發光冗度不均，因此，若驅動電源線 546601 五、發明說明（5) .4 5的配線電阻增大，將使遠離驅動電源位置之像素由於驅 動電源線4 5的配線電阻而產生電壓降，致使發光亮度降 -低。 本發明係有鑑於上述問題而創作者。係於使用有機EL 元件之動態矩陣型顯示裝置中，以使配線型樣簡單化為目 的者。 、 _ [解決問題的方案] - 為達成上述目的，本發明乃提供一種動態矩陣型顯示 裝置，係於配置成矩陣狀的複數個像素中之每一個像素， _ . f別至少具備：被驅動元件；將來自驅動電源線之電力供 給於該被驅動元件之元件驅動用薄膜電晶體；以及於選擇 時，依據自資料線供給之資料信號，控制上述元件驅動用 薄膜電晶體之開關用薄膜電晶體，在其各像素中，上述驅 動電源線係在上述開關用薄膜電晶體與資料線連接的領 域，係配置於該像素之相對的第1及第2邊中與上述資料線 相反側之第2邊之一方，而在將元件驅動用薄膜電·晶體與 該驅動電源線連接領域則配置於上述資料線側之第1邊側 之一方。 在本發明的另一態樣，係於上述動態矩陣型顯示裝置 #，上述驅動電源線，係由像素的第2邊之一方橫貫像素 内之上述開關用薄膜電晶體與上述被驅動元件間，延伸至 -該像素的第1邊之一方。 於本發明另一態樣，係於上述動態矩陣型顯示裝置 中，上述驅動電源線，係由像素的第2邊之一方，在於上
313034.ptd 第10頁 546601 五、發明說明（6) 述開關用薄膜電晶體與上述被驅動元件間，對上述開關用 薄膜電晶體提供選擇信號之選擇線延伸方向延伸至該像素 的第1邊之一方。 如配置上述驅動電源線，可不因驅動電源線的存在， 使其他電路元件產生寄生電容等的不良電氣影響，而能在 矩陣之鄰接列間形成相當簡化的配線型樣。又因該驅動電 源線係於像素領域内，由第2邊之一方橫貫至該第1邊之一 方，若能如上述，在開關用薄膜電晶體及被驅動元件間形 成為於向選擇線之延伸方向延伸的延伸圖案，即可去除矩 陣排列之配線效率容易下降的傾斜方向配線部分。由此得 以提升配線效率，亦可增加像素之發光領域。 在本發明的另一態樣，係將配置成矩陣狀的每一複數 個像素中，分別至少具備：被驅動元件；將來自驅動電源 線之電力供於該被驅動元件之元件驅動用薄膜電晶體；以 及於選擇時，依據自資料線供給之資料信號控制上述元件 驅動用薄膜電晶體之開關用薄膜電晶體，係於各像素中， 將上述開關用薄膜電晶體與上述資料線連接領域，及上述 元件驅動用薄膜電晶體與該驅動電源線連接領域配置於該 像素第1邊附近者。 資料線與開關用薄膜電晶體的連接領域，可配置於不 妨礙驅動電源線的像素第2邊之一方，且將形成於第1邊之 一方之元件驅動用薄膜電晶體連接於由上述像素第2邊側 橫貫至第1邊之一方之延伸驅動電源線。若依上述方式的 配置，可於△排列時，無須在驅動電源線上使用特別的迂
313034.ptd 第11頁 5466,01 五、發明說明（7) .迴用配線，亦不需要列間的傾斜方向配線，因此，得將驅 動電源線的型樣予以簡化，且容易縮短配線長度。 * 於本發明的另一態樣，係將配置成矩陣狀的每一複數 個像素中，分別至少具備：被驅動元件；將來自驅動電源 線之電力供於該被驅動元件之元件驅動用薄膜電晶體；以 及於選擇時依據自、資料線供給之資料信號控制上述元件驅 動用薄膜電晶體之開關用薄膜電晶體，其中，上述元件驅 動用薄膜電晶體之閘極，係連接於對應上述開關用薄膜電 晶體，且將上述驅動電源線在各像素中橫貫於該像素内， ^►上述元件驅動用薄膜電晶體之閘極及上述開關用薄膜電 晶體的連接配線經路交叉者。 在驅動電源線配置為橫貫於像素領域之情形，例如上 述連接配線路徑係與元件驅動用薄膜電晶體之問極為一體 時，雖該配線路徑與驅動電源交叉，但因閘極與驅動電源 線係使用不同材枓，分別在不同的製程，以不同層次，且 係於層間形成絕緣的狀態構成，因此，得不採取特別絕緣 構造而使該兩構件交叉。故得以最短配線配置驅動電源 線，以對應△排列。 於本發明的態樣，係於上述之任何動態矩陣型顯示裝 ^(1中，將上述複數個像素於矩陣之行方向，將鄰接列的同 色像素相互於列方向予以偏移之配置者。 於本發明的另一態樣，係於上述動態矩陣型顯示裝置 中，將上述資料線貫通於矩陣之行方向各像素間延伸，且 於該資料線之每一列的資料線左側及右側連接，以交互方
313034.ptd 第12頁 546601 五、發明說明（8) 式配置同色像素之上述開關用薄膜電晶體者。 又於本發明的另一態樣，係於上述動態矩陣型顯示裝 置中，為使上述驅動電源線不與上述資料線交叉而向行方 向延伸，且連接於對應像素之上述元件驅動用薄膜電晶體 者。 在成為矩陣配置之像素領域間，若有形成為蛇行於像 素領域内的資料線及驅動電源線時，亦得將該兩線作為不 交叉配線佈局，且於該線使用同一材料、同時形成之，因 而，可為製程之共通化，以節減製造成本。 [發明的實施形態] 茲以圖式說明該發明之最適實施形態（簡稱為以下實 施形態）如下： 第1圖係表示有關本發明實施形態之m列η行動態矩陣 型EL顯示裝置的像素佈局。於第1圖中’該像素係分別以 一點參考線圍繞的領域表示，電路構成即如第4圖所示。 且係於各該像素具備··被驅動元件的有機EL元件5.0 ;開爲 (switching)用薄膜電晶體（第1TFT)10 ’元件驅動用薄膜 電晶體（第2TFT)20及保持電容Cs ° ' 第1 TFT 10係將間極連接於該閘極線GL，以Γ1通道構成 之第1TFT 10係於汲極連接資料線（DL) 42，而將源極連於 保持電容C s。保持電容C s係由與上述源極為一體的第丄带 極及相對於第1電極的第2電極構成，第2電極係盘 a s己線於 列方向的電容線（SL)46形成為一體。而該第itft】n 、' 極及保持電Cs之第1電極係連於第2TFT 20之閘拓 ，以P通
313034.ptd 第13頁 546601 五、發明說明（9) 道構成之第2 TFT 2 0係將該源極連接於驅動電源 (VL)44，而將汲極接於有機EL元件5〇。 ’、'、 ⑴各蜂像p素係Ϊ有上述電路構成者。該像素係對應紅 :多規定之 ⑻之任何一個，且將同色像素以每列偏 移規=之郎距並列為列方向之Λ排列。而於資料線（DL)42 :::2:移，且係以資料線42為基準，將資料線4 同色像素的第1TFT1G。以蛇行於
然後，在本實施形態中，驅動電源線44係以 20之：向行方向延伸，且連接於各像素第2TFT 2〇猎由，第2TFT 20將電流供於有機EL元件50。 說明具：f 5、，如以第1圖第1列中的紅⑴像素為例予以 =’ ^動電源線⑽配置於與紅⑴像素之資料線配置 又Ϊ i像素右側）為相反之第2邊（像素右侧）。 传产像专ΐ實施形態，該各像素之第1及第2TFT丨·0及2〇， 糸&像素之行方向的相對邊（第丨及 d:為與第2tfv〇連接，由第2邊之一方向配置資料 20之連接领之并—方，杈貫於紅（R)像素内延伸。又與第2TFT 红係配置於像素之第1邊之-方，向並列在 、，（）+像素用資料線42之行方向延伸。 驅動ΐ:::1列之紅⑴像素的線⑹像素中亦-樣，在 ”動電源線44為不妨礙該連接，係配置於綠（G)資料線42
313034.ptd
546601 五、發明說明（ίο) 與相反側像素的第2邊之一方（右側），而於綠（G)像素之第 2 T F T 2 0連接領域，驅動電源線4 4係配置在與綠（g )像素用 資料線42為同像素之第1邊之一方（左側）。 又於第1圖之第2列，其相當於第1列紅（R)像素之次列 的綠（G )像素為對象，在該第2列綠（G )像素之第1 τ F T 1 〇與 綠（G )資料線4 2連接的領域中，係由第1列之紅（R)像素第 一邊之一方（此處為左側），以略直線狀予以延伸的驅動電 源線4 4即配置於第2列綠（G )像素之第2邊側也就是；與配 置綠（G)用資料線4 2第1邊側為相反側之一方（左側）。 然後，驅動電源線4 4亦於第2列之綠（G )像素領域，由 第2邊之一方橫貫至第1邊之一方，而在綠（G)像素之第 2TFT 20與該驅動電源線44的連接領域，配置於綠（G)像素 之第1邊側（右側），並列於配置在綠（G)像素之第1邊之一 方的綠（G)用資料線42，向行方向延伸。
驅動電源線4 4橫貫各像素之位置，係以實質上不影響 規疋為有機EL元件50形成之領域為宜。於動態矩陣型有機 EL顯示裝置中，各像素之發光領域為實質上之有機£[元件 5 0形成領域，尤係由每一像素分別形成的陽極延伸領域所 限定。而於像素之其他殘存領域，即配置為驅動該有機EL 元件50之第1及第2TFT 1〇及20，以及保持電容Cs，而該殘 存領域即不參與發光作業。因此，驅動電源線44，係配置 於利用該像素内之不參與發光領域予以通過，以防止發光 面積的縮減。為此，於本實施形態中，係採用驅動電源線 44由像素之第2邊之一方，在像素内之第1TFT 1〇與有機EL
313034.ptd 第15頁 546601 五、發明說明（11) '—" ----- 件50間，沿閘極線4〇之延伸方向予以橫貫，且在該像素 •邊之一方並列資料線42，向行方向延伸之佈局。 *第2TFT 20係對有機El元件5〇提供來自驅動電源線44 兔流。多配置於有機EL元件50的形成領域附近。另一方 二由閘極線40收受選擇信號以取入資料信號的第丨TFT 夕係配置於閘極線4〇附近。因此，應儘量避開有機EL元 件5 0之形成領域，且使驅動電源線4 4為與資料線4 2不交又 的配置，因而，將驅動電源線44通過發光領域（有機以元 ^50之形成領域）及第1TFT 1〇之形成領域間為宜。 W 此時’第2TFT 20的閘極電極連接於第iTFT 1 0之源極 (或沒極）’有如上述，其橫貫於有機EL元件5〇及第1TFT 間的驅動電源線44，將與該第2TFT 20的閘極及第1TFT 1 0源極間的配線經路為交叉。另如第1圖所示，使驅動電 源線44得不與資料線42交叉，該兩線42及44亦將使用A1等 的同一材料，製作圖案（patterning)時同時形成。又因， 閘極線40、保持電容線46及第2TFT 20的閘極，係於上述-驅動電源線44及資料線4 2間，以挾持層間絕緣層之下方， 使用Cr等以同時型樣化形成。因此，如上述，驅動電源線 44橫貫像素内時，雖使該驅動電源線44與第2TFT 20的閘 ♦交又，但因第2TFT 20的閘極與上述驅動電源線44的層 間，為層間絕緣層予以絕緣，故該驅動電源線44係於該第 -2TFT 20的閘極 '或與該閘極電極為一體的配線層上層， 得予以較自由的配線。唯因將有偶合電容（c〇upl ing capaci tance)生成，應儘量不使配線重疊為宜。
313034.ptd 第16頁 五 、發明說明（12) — 第2圖係表示基於上述電 示例。係於第3圖之（a)、（b)八佈局之像素平面構造/ 面（弟1TFT剖面）及Β —β線剖 口〒Α 2圖 的示例，係表示同色像辛以畚第F σ彳面）。而於 列。又於請，該構成像幸列:移Κ5個像素的'排、第 2m 10、20及保持電=件 5。、第“ 料線42規定的領域内。 係將構成於由間極線〆 第1TFT 10係形成於閘極_，與資料_的y部 附近。如第2圖的示例，係分別將第】列各像素之第lTfT 1 0配置於該像素左側（像素第i邊之一方），第2列各像素之 第1TFT 10即配置於該像素右側（像素第1邊之一方）。 择 予以多晶化所得之ρ - S 1。形成由閘極線4 〇突出之與於 線4 0為一體的閘極電極2，在包覆致動層6形成之閘棰 膜4上’配置2個閘極電極2形成電路上之雙閘極構造的 TFT。致動層6係將閘極電極2下方領域作為通道領威6C ’ 且於通道領域6 c兩側之由磷（P)等雜質予以摻雜的浓極嶺 域6d形成源極領域6s，以構成n通道^丁。 又’第1TFT 10之沒極領域6d，係形成於形成為包覆 第1TFT 10全體之層間絕緣膜14上，且連接於提供對應於 像素顏色之資料信號的資料線42，與開口為該層間絕緣膜 1 4及閘極絕緣膜4之接觸孔。 在第1 T F T 1 〇之源極領域6 s連接保持電容c s。該保持 在玻璃等透明絕緣基板1上，形成如第3圖（㈧所齐1 第1TFT 10，而於致動層6使用由雷射退火處理方式橡γ Ψλ
546601 五、發明說明（13) =容係由第丨電極7及第2電極8形成於層間挾持閘極絕緣 、4重受的領域。第1電極7係如第2圖所干 — 回接^ 口所不，向與閘極線4 0 □樣的列方向延伸，且係：由與閘極為同一材料形成之★ 容線46—體形成。又於第2電極8係與第1TFT 1〇之致動 為體’而該致動層6係延伸至第1電極7之形成位置予以 構成者。而該第2電極8即如第2圖所示，係於 2TFT 10、20之像素第工邊側，藉由連接具48連接於Inf 2 0之間極電極2 4。 於本實施形態中，第2TFT 20係於一像素内，與上述 fl TFT 10—樣，係形成於對該像素提供資料信號之資料 線4 2配置邊者。也就是說；在延伸於略為四邊形的像素列 方向相對之2邊中，係於配置有資料線42之第1邊側上配置 第1 TFT 10及第2TFT 20中之任何〆個者。而且係於該第 2TFT 20具有如第3圖（b)所示的剖面構造，在本實施形 態，係具有沿資料線4 2延伸方向（行方向）之長通道1 6 c 者。又第2TFT 20之致動層16係與第1TFT 10之致動層6同 時形成於基板1上，係經由雷射退火處理，使a - S i予以多 晶化形成多晶碎使用。 第2TFT 20之通道長方向，配置為沿一細長形狀的像 #長方向者。但該方向不需要設定於通道長方向，不需如 圖示’將通道長度設定為極長的形狀，僅使長通道於資料 線之延伸方向延伸’且為較長通道即可於脈衝狀雷射掃打 於通道長方向時，使第2TFT 20之全致動層領域可不因1：^ 脈衝而多晶化，且需接受數次雷射照射始為多晶化者。=
546601 五、發明說明（14) 此’其於不同位置像音 上的較大差異。 ’、第2TFT 20間可防止電晶體特性 在多晶石夕所成之致私爲彳 該閘極絕緣膜4上，鱼第1TaFT ]形成閘極絕緣膜4，再於 極電極24。而於訪門搞^ I 10—樣形成第2 TFT 20的閘 第1TFT i。之致動…述連接具48連接於與 且由配置於像f 1 保持電容Cs之第2電極8上，
極絕緣膜4上之致動層16上方製作Ξ宰伸以覆盡閑 該第2TFT 2〇之& &底，P 的領域為通道領域之二動：1二以閉極電極24由上方覆蓋 源極領域16s及汲極領域丨以於该絲通迢領域16c兩側分別形成 於#音® 1谱彳目“ @領域16d。致動層16之源極領域163係 於像素第1邊側（弟2圖中為像素 48與有機EL元件％丄* 且马迷接具 ® ^ ^ 曰1 )，精由貝通致動層1 6上閘極絕緣 膜4及層間、·、邑緣膜14之接觸孔，與驅動電源線^相接。如 上述，驅動電源線44在第1TFT 1〇與資料線42的連接領域 中，係配置於像素第2邊之一方，但在第2TFT 2〇與驅動電 源線44之連接領域之下方位置（圖中下方）係於像素第工邊 之一方即延伸於與資料線42並列的行方向。然後，如第2 圖第2列的像素，該驅動電源線4 4係於保持電容c s與有機 EL元件5 0中間，由該像素第2邊之一方向第1邊以列方向橫 貫後連接於第2 TFT 20之致動層16，與提供該第2列像素 資料信號的資料線42並列延伸於行方向。 ' 又因，第1TFT 10及第2TFT 20雖不限制於如第2及3圖 之形狀構造，為使驅動電源線4 4之簡化配線，至少需將第
313034.ptd 546601
五、發明說明（15) 1TFT 10與資料線42之連接位置，以及第2TFT 2〇盥 源線44之連接位置，分別配置於像素之同一邊二太兒 第1邊之一方）。 方（如 連接具4 8，係如第2圖所示，配置在資料線4 2及致動 層1 6與驅動電源線4 4連接位置中間，以避開驅動電源線 44。得於連接具48使用與資料線42及上述驅動電^絲為 同一之A1材，且與該線等製作圖案之同時形成。又於第2 圖的不例中’係將連接具48迂回於驅動電源線44及致動層 2之連接而予以配置，使各像素因第1TFT 1〇與保持電容 P之形成領域，以及第2TFT 20與有機EL元件5〇的形成領 域’而構成由該列方向中心的稍微偏移，但以全體形狀觀 之仍不失為略矩形或近似於矩形的形狀。雖不限定於矩形 或近似之形狀，唯以採用在像素資料線通過的邊之二方配 置第1及第2TFT 10、20，且有部分驅動電源線VI^同時通 過的構造為宜。 而且，由連接具48向致動層16之延伸領域引出的第 2TFT 20閘極電極24，係於連接具48，以中間挾持層間絕 緣膜1 4與驅動電源線4 4交叉。 第2TFT 20的汲極領域1 6d，係在相當於矩陣次列的間 _線4 0近傍，藉由貫通閘極絕緣膜4及層間絕緣膜1 4形成 之接觸孔，與上述驅動電源線44等為同一的材料，且同時 形成之連接具26連接。該連接具26係由致動層16的連接位 置延伸於有機EL元件50之後述陽極形成領域，藉由開口在 覆蓋上述驅動電源線44、資料線42及連接具48、26等之基
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546601 五、發明說明（16) 板全面予以形成的第1平坦化絕緣層丨8之連接孔，與有機 EL元件50之陽極52予以電氣連接。 又如第3圖（b)所示，在上述第1平坦化絕緣層丨8上， 僅開口為有機EL元件5 0之陽極5 2形成的中央領域，且覆蓋 陽極5 2之端緣部。再以覆蓋配線領域與第1及第2 τ f τ 1 〇及
20之形成領域形成第2平坦化絕緣層61。然後，將有機EL 元件50之發光元件層5丨形成於陽極52及第2平坦化絕緣層 61上再於發光元件層51上形成全像素共通的金屬電極 57 °
有機EL元件50係於由ITO(Indium tin Oxide)等所成 之透明陽極52，與如A1等金屬所成的陰極57間，構成使用 有機化合物的發光層（有機層）5 ：!，而於本實施形態中，係 如第3圖（b)所示，由基板1側依陽極5 2、發光元件層5 i、 陰極5 7之順序堆積而成。 在本示例中，發光元件層5丨係以真空蒸鍍方式，由陽 極側依電洞輸送層5 4、有機發光層5 5、電子輸送層5 6的順 序堆積。雖於發光層55係依發光色的不同而用不同材料， 但於其多的電洞輸送層54、電子輸送層56，即可如第3圖
所示’對像素全面依共通方式予以形成。各層使用的材料 例如下： 電洞輸送層54 ·· NBP。 發光層5 5 : 紅（R) · ·主材（A1q3)摻紅色（DCJTB)雜質。 綠（G)· ·主材（Alq3)摻綠色（Coumarin 6)雜質
313034.ptd 第21頁 546601 五、發明說明（17) •藍（B)· ·主材（Alq3)摻藍色（Perylene)雜質。 電子輸送層56 : Alq3。 又於陰極5 7與電子輸送層5 6間，得使用氟化（L i F )形 成電子植入層。於電洞輸送層亦得分別使用不同材料，以 構成第1及第2電洞輸送層。各發光元件層51至少需具備含 有發光材料的發光層55，唯因使用材料上該電洞輸送層及 電子輸送層不一定需要。以略稱記載的上述材料名稱有： N B P… 上 N -Di((naphthalene-l-yl)-N，N’-diphenyl-benzpdine w°
Alq3".Tris(B-hydroxyquinolinato)alumonumo DCJTB··· (2-(l，1-Dimethylethyl)-6-(2-(2，3，6，7-tetrahydro- 1， 7, 7~tetramethyl-lH, 5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)e thenyl)-4H-PYRAN-4-y1idene)propanedini tile o Coumar i n 6 ··· . 3-(2-Benzothiazolyl)-7-（diethylamino) coumarin 。 R A 1 q ··· 1 Bispheny l_'4-〇lato)bis(2~methyl-8-quinol inpla 1，08)Aluininum 等。 但不限定於上述構成。 如第2圖所示，雖採用為△排列，但沒有配線斜方向 的迂回領域。而於本實施形態之各像素，尤因該有機EL元 件50之形成領域為一略矩形狀，因此，如第5圖所示的佈
313034.ptd 第22頁 546601 五、發明說明（18) 局中，該△排列的像素偏移量愈大，該像素形狀必將彎曲 如「>」或「<」狀，因而，亦使有機EL元件的形成領域為 同樣的彎曲型樣。為此，如上述，該發光元件層5 1目前係 以真空蒸鍍形成。且以每一像素方式形成單獨圖案之蒸鍍 層形成，故須將對應於型樣具備開口部之蒸鍍遮罩，配置 於基板及蒸鍍源中、間，進行蒸鍍作業。由上述蒸鍍遮罩形 成的開口部將有機層作成圖案時，該中途彎曲之複雜開口 型樣必較單純的矩形狀型樣，在其蒸鍍作業上難以獲得均 勻一致的蒸鍍品。因此，需如本實施形態，將像素各元件 之佈局以及驅動電源線4 4的配線型樣予以適當改善，使有 機EL元件5 0之有機層（蒸鍍層）得以均勻形成。 [發明效果] 如上述於本發明中，在配置如△排列的同色像素分別 以所定節距偏移時，可使該提供資料信號於各像素之資料 線，及向各像素提供電力的驅動電源線之配線簡化。尤於 驅動電源線之配線型樣上，得能如資料線一樣使該配線長 度為最小限的配線，且能確保各像素的最大發光領域，以 實現明亮且為高解像度之彩色顯示裝置。
313034.ptd 第23頁 546601 圖式簡單_說明 _ [附圖的簡單說明] 第1圖表示有關本發明實施形態之像素排列概略圖。 " 第2圖較第1圖排列為具體化的平面圖。 第3圖（a)及（b)表示沿第2圖中A-A線及B-B線的剖面構 造圖。 第4圖表示動態矩陣型有機EL顯示裝置每一像素之電 路構成圖。 第5圖採用△型排列時，能予以思及之動態矩陣型有 機EL顯示裝置之佈局示例圖。 件符號說明] 1 基板 2 閘極電極 4 閘極絕緣膜 6 致動層 6 c 通道領域 6d 汲極領域 6 s 源極領域 7 保持電容第1電極 8 10 保持電容第2電極 第1薄膜電晶體（TFT)(切換用TFT) , 14 層間絕緣膜 16 致動層 16c 通道領域 16 d汲極領域 16s 源極領域 18 第1平坦化絕緣層 0 第2薄膜電晶體 24 閘極電極 26 連接具 40 閘極線（GL，選擇線） 42、 43 資料線（DL) 43b 監像素資料線 43g 綠像素資料線 43r 紅像素資料線 44、 45 驅動電源線（VL) 46 電容線（SL)
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Claims (1)

  1. 546601 拊# 一案號 91121441 ^年Γ 月 > 日_Iti_ 六、申請專利範圍 1 . 一種動態矩陣型顯示裝置，將配置成矩陣狀複數個像 素中之每一個像素分別至少具備： - 被驅動元件； 將來自驅動電源線之電力供給於該被驅動元件之 元件驅動用薄膜電晶體；以及 於選擇時依據自資料線供給之資料信號控制上述 ，丨 元件驅動用薄膜電晶體之開關用薄膜電晶體， 其中，係於各像素中，上述驅動電源線，係在上 述開關用薄膜電晶體與資料線連接的領域，係配置於 φ該像素之相對的第1及第2邊中，與上述資料線相反側 - 之第2邊之一方，且將元件驅動用薄膜電晶體與該驅動 ， 電源線連接領域，配置於上述資料線側之第1邊之一 •方。 2.如申請專利範圍第1項記載之動態矩陣型顯示裝置，其 中，上述驅動電源線，係由像素的第2邊之一方橫貫像 素内之上述開關用薄膜電晶體與上述被驅動元件間， . 延伸於該像素的第1邊之一方者。 J.如申請專利範圍第1項記載之動態矩陣型顯示裝置，其 中，上述驅動電源線，係由像素的第2邊之一方，在於 ϋ上述開關用薄膜電晶體與上述被驅動元件間，對上述 開關用薄膜電晶體提供選擇信號之選擇線延伸方向延 伸至該像素的第1邊之一方者。 4. 一種動態矩陣型顯示裝置，將配置成矩陣狀的複數個 像素中之每一個像素分別至少具備：
    3]4034修正本4“ 第1頁 2003.05.01.026 546601 _案號91121441 ^^年Γ月 > 日 修正_ 六、申請專利範圍 被驅動元件； 將來自驅動電源線之電力供給於該被驅動元件之 元件驅動用薄膜電晶體；以及 於選擇時依據自資料線供給之資料信號控制上述 元件驅動用薄膜電晶體之開關用薄膜電晶體， 其中，係於各像素中，將上述開關用薄膜電晶體 與上述貢料線連接領域’及上述元件驅動用薄膜電晶 體與該驅動電源線連接領域配置於該像素第1邊附近 者。 5. —種動態矩陣型顯示裝置，將配置成矩陣狀的複數個 像素中之每一個像素，分別至少具備： 被驅動元件； 將來自驅動電源線之電力供給於該被驅動元件之 元件驅動用薄膜電晶體；以及 於選擇時依據自資料線供給之資料信號控制上述 元件驅動用薄膜電晶體之開關用薄膜電晶體， 其中，上述元件驅動用薄膜電晶體之閘極，係連 接於對應上述開關用薄膜電晶體，且將 上述驅動電源線在各像素中橫貫於該像素内，使 上述元件驅動用薄膜電晶體之閘極，與上述開關用薄 膜電晶體的連接配線經路交叉者。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任何一項記載之動態矩陣 型顯示裝置，其中，上述複數個像素於矩陣之行方 向，將鄰接列的同色像素互相於列方向予以偏移配置
    3]4034修正本卬“ 第2頁 2003.05.01.027 546601 _案號 91121441 ^^年 f月 > 曰_Ifi_ 六、申請專利範圍 者。 7.如申請專利範圍第6項之動態矩陣型顯示裝置，其中， • 上述資料線係貫通於矩陣之行方向各像素間而延伸， 且於該貢料線之每一列的貢料線左側及右側連接’以 交互方式配置同色像素之上述開關用薄膜電晶體者。 < 8.如申請專利範圍第6項之動態矩陣型顯示裝置，其中， 上述驅動電源線，係不與上述資料線交叉而向行方向 延伸，且連接於對應像素之上述元件驅動用薄膜電晶 體者。 如申請專利範圍第7項之動態矩陣型顯示裝置，其中， ' 上述驅動電源線，係不與上述資料線交叉而向行方向 I 延伸，且連接於對應像素之上述元件驅動用薄膜電晶 *體者。 參
    3]4034修正本心〇 第3頁 2003. 05.01.028
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