KR20030027858A - 액티브 매트릭스형 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

델타 배열 등이 채용된 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서 배선 패턴을 간결하게 한다. 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소의 각각이, 표시 소자로서, 예를 들면 유기 EL 소자(50)와, 구동 전원 라인(44)으로부터의 전류를 상기 유기 EL 소자(50)에 공급하는 제2 TFT(20)와, 선택 시에 데이터 라인(42)으로부터 공급되는 데이터 신호에 기초하여 제2 TFT(20)를 제어하는 제1 TFT를 적어도 구비하는 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 각 화소의 영역 내를 구동 전원 라인(44)이 횡단한다. 구체적으로는, 제1 TFT가 데이터 라인(42)에 접속되는 영역에서는, 화소의 대향하는 제1, 제2변 중, 데이터 라인(42)과 반대의 제2변측에 배치되고, 제2 TFT(20)와 해당 구동 전원 라인(44)이 접속되는 영역에서는 제1변측에 배치한다. 이에 따라, 행마다 위치가 어긋난 화소를 간결한 배선 레이아웃으로 접속할 수 있다.

Description

액티브 매트릭스형 표시 장치{ACTIVE MATRIX TYPE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 액티브 매트릭스형 표시 장치, 특히 각 화소 및 배선의 레이아웃에 관한 것이다.
자발광 소자인 일렉트로 루미네센스(Electroluminescence : 이하 EL) 소자를각 화소에 발광 소자로서 이용한 EL 표시 장치는, 자발광형임과 동시에, 얇고 소비 전력이 작은 것 등의 유리한 점이 있어, 액정 표시 장치(LCD)나 CRT 등의 표시 장치를 대신하는 표시 장치로서 주목받아 연구가 진행되고 있다.
또한, 그 중에서도, EL 소자를 개별로 제어하는 박막 트랜지스터(TFT) 등의 스위치 소자를 각 화소에 설치하여, 화소마다 EL 소자를 제어하는 액티브 매트릭스형 EL 표시 장치는 고정밀한 표시 장치로서 기대되고 있다.
도 4는 m행 n열의 액티브 매트릭스형 EL 표시 장치에서의 1화소당 회로 구성을 도시하고 있다. 이 EL 소자 장치에서는, 기판 상에 복수개의 게이트 라인 GL이 행 방향으로 연장되고, 복수개의 데이터 라인 DL 및 전원 라인 VL이 열 방향으로 연장되어 있다. 각 화소는 게이트 라인 GL과 데이터 라인 DL에 따라 둘러싸인 영역에 구성되고, 유기 EL 소자(50)와, 스위칭용 TFT(제1 TFT)(10), EL 소자 구동용 TFT(제2 TFT)(20) 및 유지 용량 Cs를 구비하고 있다.
제1 TFT(10)는, 게이트 라인 GL과 데이터 라인 DL과 접속되어 있고, 게이트 전극에 게이트 신호(선택 신호)를 받아 온 상태가 된다. 이 때 데이터 라인 DL에 공급되어 있는 데이터 신호는 제1 TFT(10)와 제2 TFT(20) 사이에 접속된 유지 용량 Cs에 유지된다. 제2 TFT(20)의 게이트 전극에는, 상기 제1 TFT(10)를 통해 공급된 데이터 신호에 따른 전압이 공급되고, 이 제2 TFT(20)는 그 전압치에 따른 전류를 전원 라인 VL로부터 유기 EL 소자(50)에 공급한다. 이러한 동작에 의해, 각 화소마다 데이터 신호에 따른 휘도로 유기 EL 소자(50)가 발광하여 원하는 이미지가 표시된다.
현재 플랫 패널 디스플레이로서 많이 이용되고 있는 액정 표시 장치(LCD)에서는 컬러 표시가 이미 실현되어 있고, 이러한 컬러 LCD에서는, 기판 상에 복수 배치되는 화소는, 예를 들면 R(적), G(녹), B(청) 중 어느 하나의 색으로 할당되어 있다. 유기 EL 소자를 이용한 표시 장치에 있어서도 마찬가지로 컬러 표시가 기대되고 있고, 이것을 실현하는 경우, R, G, B의 화소의 기본적인 배열은 컬러 LCD에서 이용되고 있는 배열과 공통된다.
예를 들면, 컬러 LCD 등에 있어서, 기판 상의 각 색에 대응한 화소에 대해서는, 색마다 다른 데이터 라인에 의해서 데이터 신호(표시 신호)를 공급하는 경우가 많다. 표시 신호 처리의 간소화, 구동 회로의 간소화, 그리고 다른 색의 표시 내용에 영향을 받기 어렵게 하기 위해서이다. 여기서, 컬러 표시 장치의 경우의 화소 배열로서, 열 방향으로 동일한 색의 화소가 배열하는 스트라이프 배열이 알려져 있다. 이 스트라이프 배열이 채용된 액티브 매트릭스형의 컬러 LCD에서는, 각 화소의 액정 용량을 제어하는 박막 트랜지스터에 데이터 신호(표시 신호)를 공급하는 데이터 라인은 모노 컬러의 경우와 마찬가지로 열 방향으로 거의 직선 상에 연장되어, 1개의 데이터 라인에 의해 동일 열 방향으로 배열된 동일한 색의 복수의 화소에 대하여 데이터 신호를 공급하면 된다.
도 4에 도시한 바와 같은 회로 구성이 채용되는 액티브 매트릭스형의 컬러 유기 EL 표시 장치를 실현하는 경우에도, 스트라이프 배열을 채용한 경우에는, 동일한 색의 유기 EL 소자(50)를 구비하는 화소가 열 방향으로 거의 일직선 상에 배열된다. 따라서, 각 화소에 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인 DL과, 전류를 공급하는 구동 전원 라인 VL은, 함께 화소의 배열에 따라서 열 방향으로 거의 일직선 상에 연장된 배열로 할 수 있게 된다.
영상을 보다 고해상도로 표시하기 위한 컬러 표시 장치의 화소 배열로서, 동일한 색 화소를 열 방향으로 행마다 소정 피치 어긋나게 하여 배열되는, 소위 델타 배열이 알려져 있다. 액티브 매트릭스형 LCD에서는 이미 이러한 델타 배열이 채용된 장치가 알려져 있고, 동일한 색의 화소는, 행 방향으로 예를 들면 1.5 화소씩 어긋나 배치된다. 따라서, 이 동일색의 화소에 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인은 행마다 어긋난 화소 사이를 사행시키면서 열 방향으로 연장되게 된다.
유기 EL 표시 장치에 있어서도, 금후 해상도 향상 등의 요구에 따라 델타 배열을 채용하는 것이 예상된다. 그러나, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 열 방향에 있어서 각 화소에 대하여 데이터 라인 DL과 구동 전원 라인 VL을 접속할 필요가 있기 때문에, 델타 배열을 채용한 경우 LCD보다 배선이 복잡하게 된다. 또한, 이 2개의 배선은 제조 공정의 공통화를 위해 동일 재료를 이용하여 동시에 패터닝하여 형성되는 경우가 많고, 이 경우 서로 교차하지 않게 열 방향으로 배치할 필요가 있으며, 또한 적어도 데이터 라인 DL에 대해서는 상술한 바와 같은 이유로부터 동일색의 화소에 접속할 것이 요구된다.
도 5는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치에 있어서 델타 배열을 채용한 경우에 생각되는 화소 레이아웃의 예를 나타내고 있다. 도 5에서는, 동일한 데이터 라인 DL이 접속되는 동일 색의 화소는 그 데이터 라인 DL에 대하여 선대칭으로 되도록 설계되어 있다. 예를 들면, 도 5의 1행째의 R용 화소에서는 제1 TFT(10)가 화소의 우측에 배치되어 데이터 라인(43r)에 접속되고, 2행째의 R용 화소에서는 좌측에 제1 TFT(10)가 배치되어 동일한 데이터 라인(43r)에 접속되어 있다. 이와 같이 행마다 화소 내의 패턴을 좌우 반대로 함으로써, 도 5에서는 행마다 2화소씩 동일한 색 화소의 위치가 어긋나 있는 경우에, 데이터 라인(43)의 행 사이에서의 사행을 1 화소분으로 억제하고 있다. 이것은 사행 거리가 짧을수록, 배선 저항에 의한 신호의 지연, 감쇠 등의 문제를 작게 할 수 있기 때문이다.
한편, 구동 전원 라인(VL)(45)은 공통의 구동 전원 Pvdd에 접속되어 있어, 동일한 색의 화소에 접속할 필요는 특별히 없지만, 데이터 라인(43)과 동일 재료로 동시에 패터닝하여 형성하기 위해서는 데이터 라인(43)과 교차하지 않을 것이 필요하다. 그래서, 도 5와 같이, 예를 들면 1행째에 있어서, R 화소와 G 화소 사이를 지나고 G 화소의 제2 TFT(20)와 접속된 구동 전원 라인 VL은, G용 데이터 라인(43g)과 R용 데이터 라인(43r) 사이를 지나, 2행째의 R 화소와 G 화소의 사이를 지나, R 화소의 제2 TFT(20)에 접속되면 된다.
도 5에 도시한 레이아웃에서는, 데이터 라인 DL을 될 수 있는 한 짧은 배선 길이로 동일한 색의 화소에 접속되고, 구동 전원 라인 VL은 데이터 라인 DL과 교차하지 않고 각 화소에 접속된다는 조건을 만족시키고 있다. 그러나, 도 5로부터도 알 수 있듯이, 행 사이에 있어서 배선이 복잡하게 인출되어 있어, 행 사이에 배선이 차지하는 면적이 매우 크다. 이와 같이 배선이 차지하는 면적이 커지면, 한정된 기판 상에서는 화소의 발광 영역(유기 EL 소자 형성 영역)이 크게 제한되어, 개구율의 향상, 즉 밝은 표시를 실현할 수 없게 된다.
또한 배선이 복잡하게 인출되는 것은, 배선 길이가 긴 것을 의미하고 있으며, 그에 따른 배선 저항도 커진다. 예를 들면 구동 전원 라인(45)은 표시 장치의 어떤 위치의 화소에 대해서도 공급 가능한 최대 전류가 동일하지 않으면 표시면 내에서의 유기 EL 소자(50)의 발광 휘도 얼룩이 생기게 된다. 따라서, 구동 전원 라인(45)의 배선 저항이 커지면, 구동 전원으로부터 떨어져 있는 위치에 있는 화소일수록 구동 전원 라인(45)의 배선 저항에 의한 전압 강하에 의해 발광 휘도가 낮아지게 된다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 유기 EL 소자 등을 이용한 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 배선 패턴을 간결하게 하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 화소 배열을 도시한 개략도.
도 2는 도 1의 배열의 보다 구체적인 평면도.
도 3은 도 2의 A-A선 및 B-B선을 따라 취한 단면 구조를 도시하는 도면.
도 4는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 1 화소당의 회로 구성을 도시하는 도면.
도 5는 델타 배열을 채용한 경우에 예상되는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 레이아웃 예.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 기판(유리 기판)
2, 24 : 게이트 전극
4 : 게이트 절연막
6, 16 : 능동층
7 : 유지 용량 제1 전극
8 : 유지 용량 제2 전극
10 : 제1 TFT(스위칭용 TFT)
14 : 층간 절연막
18 : 평탄화 절연층
20 : 제2 TFT(소자 구동용 TFT)
26, 48 : 커넥터
40 : 게이트 라인(GL, 선택 라인)
42 : 데이터 라인(DL)
44 : 구동 전원 라인(VL)
46 : 용량 라인(SL)
50 : 유기 EL 소자
51 : 발광 소자층
52 : 양극
54 : 홀 수송층
55 : 유기 발광층
56 : 전자 수송층
57 : 음극
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서 이루어진 것으로, 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소의 각각이, 피구동 소자와, 구동 전원 라인으로부터의 전력을 상기 피구동 소자에 공급하는 소자 구동용 박막 트랜지스터와, 선택 시에 데이터 라인으로부터 공급되는 데이터 신호에 기초하여 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터를 제어하는 스위칭용 박막 트랜지스터를 적어도 구비하는 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 각 화소에서, 상기 구동 전원 라인은, 상기 스위칭용 박막 트랜지스터가 상기 데이터 라인과 접속되어 있는 영역에서는, 해당 화소의 대향하는 제1 및 제2변 중 상기 데이터 라인과 반대측의 제2변측에 배치되고, 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터와 해당 구동 전원 라인이 접속되어 있는 영역에서는, 상기 데이터 라인측의 제1변측에 배치되어 있다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 상기 구동 전원 라인은, 화소의 제2변측으로부터, 화소 내의 상기 스위칭용 박막 트랜지스터와 상기 피구동 소자 사이를 횡단하고 해당 화소의 제1변측으로 연장된다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 상기 구동 전원 라인은, 화소의 제2변측으로부터, 화소 내의 상기 스위칭용 박막 트랜지스터와 상기 피구동 소자 사이를, 상기 스위칭용 박막 트랜지스터에 선택 신호를 공급하는 선택 라인의 연장 방향으로 연장되어 해당 화소의 제1변측에 도달한다.
이상과 같이 구동 전원 라인을 배치함으로써, 구동 전원 라인의 존재에 의해서 다른 회로 소자에, 예를 들면 기생 용량의 발생 등의 전기적인 악영향을 미치게 하지 않고, 매트릭스의 인접 행 사이에 매우 간결한 배선 패턴으로 할 수 있다. 또한, 이 구동 전원 라인은 화소 영역 내에서 그 제2변측으로부터 제1변측으로 횡단되지만, 상술된 바와 같이 스위칭용 박막 트랜지스터와 피구동 소자 사이를, 예를 들면 선택 라인의 연장 방향으로 연장되는 패턴으로 함으로써, 매트릭스 배열에 있어서 배선 효율이 저하하기 쉬운 경사 방향으로의 배선 부분을 없앨 수도 있게 된다. 따라서, 배선 효율을 높일 수 있어, 화소의 발광 영역을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 다른 양태에서는, 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소 각각이,피구동 소자와, 구동 전원 라인으로부터의 전력을 피구동 소자에 공급하는 소자 구동용 박막 트랜지스터와, 선택 시에 데이터 라인으로부터 공급되는 데이터 신호에 기초하여 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터를 제어하는 스위칭용 박막 트랜지스터를 적어도 구비하는 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 각 화소에 있어서, 상기 스위칭용 박막 트랜지스터와 상기 데이터 라인과의 접속 영역과, 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터와 해당 구동 전원 라인이 접속되어 있는 영역은 해당 화소의 제1변 부근에 배치되어 있다.
데이터 라인과 스위칭용 박막 트랜지스터와의 접속 영역에서는, 예를 들면, 구동 전원 라인이 방해가 되지 않도록 화소의 제2변측에 배치하면 되며, 그리고 제1변측에 형성된 소자 구동용 박막 트랜지스터는 상기 화소 제2 변측으로부터 제1변측에 횡단되도록 연장된 구동 전원 라인과 접속하면 된다. 이와 같이 배치함으로써, 예를 들면 델타 배열의 경우에도 구동 전원 라인을 특별한 우회용 배선을 이용하거나, 행 사이에서의 경사 방향으로 배선할 필요가 없이, 구동 전원 라인의 배선 패턴이 간결해져서, 배선 길이를 더 짧게 하는 것이 용이해진다.
본 발명의 다른 양태에서는, 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소 각각이, 피구동 소자와, 구동 전원 라인으로부터의 전력을 피구동 소자에 공급하는 소자 구동용 박막 트랜지스터와, 선택 시에 데이터 라인으로부터 공급되는 데이터 신호에 기초하여 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터를 제어하는 스위칭용 박막 트랜지스터를 적어도 구비하는 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터의 게이트는, 대응하는 상기 스위칭용 박막 트랜지스터에 접속되어있고, 상기 구동 전원 라인은, 각 화소에 있어서, 해당 화소 내를 횡단하고, 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터의 게이트와 상기 스위칭용 박막 트랜지스터와의 접속 배선 경로와 교차한다.
화소 영역 내를 구동 전원 라인이 횡단하여 배치되는 경우에도, 예를 들면 상기 접속 배선 경로가 소자 구동용 박막 트랜지스터의 게이트와 일체인 경우, 이 배선 경로와 구동 전원 라인이 교차해도, 게이트와 구동 전원 라인과는 다른 재료를 이용하여, 각각 다른 공정에서, 다른 층으로 하여, 적어도 층간이 절연된 상태에서 형성할 수 있어, 특별한 절연 구조를 취하지 않고 2개를 교차시킬 수 있다. 그리고, 최단의 배선 길이로 구동 전원 라인을 배치하여 델타 배열 등에 대응시킬 수 있다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 어느 하나의 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 상기 복수의 화소는, 매트릭스의 열 방향에서는, 인접 행의 동일 색의 화소가 상호 행 방향으로 어긋나 배치되어 있다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 상기 데이터 라인은, 상기 매트릭스의 열 방향으로 각 화소의 사이를 지나 연장되고, 해당 데이터 라인에는, 행마다 해당 라인 좌측과 우측에 교대로 배치되어 있는 동일 색의 화소의 상기 스위칭용 박막 트랜지스터가 접속되어 있다.
본 발명의 다른 양태에서는, 상기 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 상기 구동 전원 라인은, 상기 데이터 라인과 교차하지 않고 열 방향으로 연장되어, 대응하는 화소의 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터에 접속되어 있다.
매트릭스 배치된 화소 영역 사이에, 화소 영역 내를 사행하도록 데이터 라인과 구동 전원 라인을 형성할 필요가 있는 경우라도, 이 2개의 라인을 교차시키지 않도록 레이아웃함으로써, 이들의 라인을 동일 재료를 이용하여 동시에 형성할 수 있어, 제조 공정의 공통화가 되모되며, 제조 비용의 저감 등에 있어서 유리하게 된다.
<발명의 실시예>
이하, 도면을 이용하여 본 발명이 적합한 실시의 형태(이하, 실시예라 함)에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 m행 n열의 액티브 매트릭스형 EL 표시 장치의 화소 레이아웃을 도시하고 있다. 1화소는 도 1에서 각각 일점쇄선으로 둘러싼 영역이 해당하며, 회로 구성은 상술한 도 4와 마찬가지로, 각 화소는 피구동 소자인 유기 EL 소자(50), 스위칭용 TFT(제1 TFT)(10), 소자 구동용 TFT(제2 TFT)(20) 및 유지 용량 Cs를 구비하고 있다.
제1 TFT(10)는 그 게이트가 게이트 라인(GL)(40)에 접속되고, nch로 구성된 제1 TFT(10)는, 그 드레인에 데이터 라인(DL)(42)이 접속되며, 소스는 유지 용량 Cs에 접속되어 있다. 유지 용량 Cs는 소스와 일체의 제1 전극과, 이 제1 전극과 대향하여 설치된 제2 전극으로 구성되어 있고, 제2 전극은, 행 방향으로 배선된 용량 라인(SL)(46)과 일체로 형성되어 있다. 제1 TFT(10)의 소스 및 유지 용량 Cs의 제1 전극은, 제2 TFT(20)의 게이트에 접속되어, pch로 구성된 제2 TFT(20)는, 그 소스에 구동 전원 라인(VL)(44)이 접속되며, 드레인은 유기 EL 소자(50)의 양극에접속되어 있다.
1 화소는 이상과 같은 회로 구성을 구비하고, 각 화소는, 여기서는 R, G, B 중 어느 하나에 대응하고 있어, 동일 색의 화소는 행마다 소정 피치만큼(도 1에서는 약 2화소) 어긋나 열 방향으로 배열된 델타 배열로 되어 있다. 또한, 데이터 라인 DL(42)은 행마다 어긋나고, 또한 데이터 라인(42)을 기준으로 하여 그 좌우에 상호 배치되는 동일 색의 화소의 제1 TFT(10)에 접속되어 있고, 화소 사이를 사행하면서 열 방향으로 연장된다.
그리고, 본 실시예에서는 구동 전원 라인(44)이 각 화소를 그 형성 영역 내를 횡단하고 열 방향으로 연장되어 각 화소의 제2 TFT(20)와 접속되고, 해당 제2 TFT(20)를 통해 유기 EL 소자(50)에 전류를 공급하는 레이아웃으로 되어 있다.
구체적으로는, 우선, 구동 전원 라인(44)은, 예를 들면 도 1의 1행째의 R화소를 예로 들어 설명하면, R 화소의 제1 TFT(10)가 R용 데이터 라인(42)과 접속되어 있는 영역에서는, R 화소의 데이터 라인 배치 변(제1변: 이 화소에서는 좌측)과 반대의 제2변(여기서는 우측)에 배치되어 있다.
또한, 본 실시예에서는 각 화소의 제1 및 제2 TFT(10, 20)는 화소의 열 방향에 따른 대향 변(제1 및 제2변) 중, 동일한 변의 부근(여기서는 데이터 라인이 배치되는 제1변측)에 배치되어 있다. 따라서, 구동 전원 라인(44)은 제2 TFT(20)와 접속하기 위해서, 제2변측으로부터 데이터 라인(42)이 배치되는 제1변측으로 R 화소 내를 횡단하여 연장되고, 제2 TFT(20)와의 접속 영역에서는 화소의 제1변측에 배치되어 있고, R용 데이터 라인(42)와 더불어 열 방향으로 연장되어 있다.
1행째의 R 화소에 인접하는 G 화소에 있어서도, 마찬가지로, G용 데이터 라인(42)이 G 화소의 제1 TFT(10)와 접속되는 영역에서는, 구동 전원 라인(44)은 이들의 접속의 방해가 되지 않도록, G용 데이터 라인(42)과 반대측인 화소의 제2변측(우측)에 배치되고, G 화소의 제2 TFT(20)와 접속되는 영역에서는 구동 전원 라인(44)은 G용 데이터 라인(42)과 동일한 화소의 제1변측(좌측)에 배치되어 있다.
도 1의 2행째에 있어서는, 예를 들면 상기 1행째의 R 화소의 아래 행에 상당하는 G 화소에 주복하면, 2행째의 G 화소의 제1 TFT(10)와 G용 데이터 라인(42)과의 접속 영역에서는, 1행째의 R 화소에서의 제1변측(여기서는 좌측)으로부터 거의 직선 형상으로 열 방향으로 연장된 구동 전원 라인(44)이, 2행째의 G 화소에서의 제2변측, 즉 G용 데이터 라인(42)이 배치되는 제1변측과 반대측의 변(좌측)에 배치되어 있다.
그리고, 이 구동 전원 라인(44)은 2행째의 G 화소 영역을 역시 제2변측으로부터 제1변측으로 횡단하고, G 화소의 제2 TFT(20)와 이 구동 전원 라인(44)과의 접속 영역에서는, G 화소의 제1변측인 우측에 배치되어, G 화소의 제1변측에 배치되는 데이터 라인(42)(G용)와 더불어 열 방향으로 연장되어 있다.
구동 전원 라인(44)이 각 화소를 횡단하는 위치는, 각 화소의 발광 영역을 실질적으로 규정하는 유기 EL 소자(50)의 형성 영역에 영향을 끼치지 않는 위치에 있는 것이 바람직하다. 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 각 화소의 발광 영역은, 실질적으로는 유기 EL 소자(50)의 형성 영역, 특히 화소마다 개별로 형성되는 양극의 연장 영역에 의해서 거의 규정된다. 화소의 남은 영역에는, 이 유기 EL 소자(50)를 구동하기 위한 제1 및 제2 TFT(10, 20)와 유지 용량 Cs 등이 배치되고, 이들 남은 영역은 원래, 발광에는 기여하지 않는다. 따라서, 구동 전원 라인(44)은, 가능한 한 이들 1화소 내의 발광에 기여하지 않은 영역을 지나가도록 배치함으로써 발광 면적이 감축되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 본 실시예에서는, 구동 전원 라인(44)은 화소의 제2변측으로부터, 화소 내의 제1 TFT(10)와 유기 EL 소자(50)과의 사이를, 게이트 라인(40)의 연장 방향을 따라서 횡단하고, 해당 화소의 제1변측에서 데이터 라인(42)와 더불어 열 방향으로 연장되는 레이아웃이 채용되어 있다.
제2 TFT(20)는 유기 EL 소자(50)에 구동 전원 라인(44)으로부터의 전류를 공급하기 때문에, 유기 EL 소자(50)의 형성 영역의 근처에 배치되는 경우가 많고, 한편 게이트 라인(40)으로부터의 선택 신호를 받아 데이터 신호를 수신하는 제1 TFT(10)는, 게이트 라인(40)의 근처에 배치되는 경우가 많다. 따라서, 가능한 한 유기 EL 소자(50)의 형성 영역을 피하고, 또한 데이터 라인(42)과는 교차하지 않도록 구동 전원 라인(44)을 배치하기 위해, 구동 전원 라인(44)을 발광 영역(유기 EL 소자(50)의 형성 영역)과 제1 TFT(10)의 형성 영역 사이에 통과시키는 것은 바람직하다.
여기서, 제2 TFT(20)의 게이트 전극은, 제1 TFT(10)의 소스(또는 드레인)에 전기적으로 접속되어 있고, 상술된 바와 같이 유기 EL 소자(50)와 제1 TFT(10)와의 사이를 횡단하는 구동 전원 라인(44)은, 이 제2 TFT(20)의 게이트와 제1 TFT(10)의소스 사이의 배선 경로와 교차하게 된다. 한편, 도 1에 도시한 바와 같이, 구동 전원 라인(44)은 데이터 라인(42)과 교차하지 않고 배선되고, 이 2개의 라인(42, 44)은 모두, 예를 들면 Al 등의 동일 재료를 이용하여, 이것을 동시에 패터닝하여 형성되어 있다. 또한, 게이트 라인(40), 유지 용량 라인(46), 및 제2 TFT의 게이트 전극은, 상기 구동 전원 라인(44) 및 데이터 라인(42) 사이에 층간 절연층을 사이에 두고 아래층에, 예를 들면 Cr 등을 이용하여, 이들은 동시에 패터닝하여 형성되어 있다. 따라서, 상술된 바와 같이, 구동 전원 라인(44)이 화소 내를 횡단함으로써, 이 구동 전원 라인(44)과, 제2 TFT(20)의 게이트가 교차하게 되더라도, 제2 TFT(20)의 게이트와 상기 구동 전원 라인(44)과의 층간은 층간 절연층에 의해 절연되어 있어, 구동 전원 라인(44)은, 이 제2 TFT(20)의 게이트 전극, 혹은 이 게이트 전극과 일체인 배선층의 상층에 비교적 자유롭게 배선할 수 있다. 단, 커플링 용량 등이 형성되기 때문에, 가능한 한 배선끼리 중첩되지 않도록 하는 것이 바람직하다.
도 2는 상술한 바와 같은 회로 레이아웃에 기초한 화소 평면 구조의 일례를 도시하고 있고, 도 3의 (a), 도 3의 (b)에 도 2의 A-A선을 따라 취한 단면(제1 TFT 단면), B-B선을 따라 취한 단면(제2 TFT 단면)을 각각 나타내고 있다. 도 2에 도시한 예에서는, 동일 색의 화소가 행마다 1.5 화소 어긋난 델타 배열로 되어 있다. 도 2에서는, 1 화소를 구성하는 유기 EL 소자(50), 제1, 제2 TFT(10, 20), 및 유지 용량 Cs는, 게이트 라인(40)과, 데이터 라인(42)에 의해 규정된 영역에 구성되어 있다.
제1 TFT(10)는 게이트 라인 GL과 데이터 라인 DL과의 교차부 근방에 형성되어 있다. 도 2의 예에서는 1행째의 각 화소의 제1 TFT(10)는 해당 화소의 좌측(화소의 제1변측)에 배치되고, 2열째의 각 화소의 제1 TFT(10)는 해당 화소의 우측(화소의 제1변측)에 각각 배치되어 있다.
유리 등의 투명 절연 기판(1) 상에는, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 TFT(10)의 능동층(6)이 형성되어 있고, 이 능동층(6)에는 레이저 어닐링 처리에 의해서 a-Si를 다결정화하여 얻어진 p-Si가 이용되고 있다. 게이트 라인(40)으로부터 해당 게이트 라인(40)과 일체의 게이트 전극(2)이 돌출 형성되고, 능동층(6)을 덮어 형성된 게이트 절연막(4) 상에 2개소 게이트 전극(2)이 배치되고, 회로적으로 더블 게이트 구조의 TFT가 형성되어 있다. 능동층(6)은 게이트 전극(2)의 바로 아래의 영역이 채널 영역(6c)으로 되고, 채널 영역(6c)의 양측에는, 여기서는 인(P) 등의 불순물이 도핑된 드레인 영역(6d), 소스 영역(6s)이 형성되고, nch-TFT가 구성되어 있다.
제1 TFT(10)의 드레인 영역(6d)은, 제1 TFT(10) 전체를 덮어 형성되는 층간 절연막(14) 상에 형성되고, 화소에 대응한 색의 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인(42)과는, 해당 층간 절연막(14) 및 게이트 절연막(4)에 개구된 컨택트 홀에 의해 접속되어 있다.
제1 TFT(10)의 소스 영역(6s)에는, 유지 용량 Cs가 접속되어 있다. 이 유지 용량 Cs는, 제1 전극(7)과 제2 전극(8)이 층간에 게이트 절연막(4)을 사이에 두고 중첩되어 있는 영역에 형성되어 있다. 제1 전극(7)은, 도 2와 같이 게이트라인(40)과 마찬가지로 행 방향으로 연장되고, 게이트와 동일 재료로 형성된 용량 라인(46)과 일체로 형성되어 있다. 또한, 제2 전극(8)은, 제1 TFT(10)의 능동층(6)과 일체로, 해당 능동층(6)이 제1 전극(7)의 형성 위치까지 연장하여 구성되어 있다. 이 제2 전극(8)은, 도 2에 도시한 바와 같이 제1 및 제2 TFT(10, 20)의 배치되는 화소의 제1변측에서 커넥터(48)를 통해 제2 TFT(20)의 게이트 전극(24)에 접속되어 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 TFT(20)는, 1 화소 내에서, 상기 제1 TFT(10)와 마찬가지로 이 화소에 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인(42)의 배치 사이드에 형성된다. 즉, 대강 사각형의 화소의 열 방향으로 연장되고 대향하는 2변 중, 데이터 라인(42)이 배치되는 제1변측에, 제1 TFT(10) 및 제2 TFT(20) 모두가 배치되어 있다. 이 제2 TFT(20)는 도 3의 (b)와 같은 단면 구조를 구비하고, 본 실시예에서는, 데이터 라인(42)의 연장 방향(열 방향)을 따른 긴 채널(16c)을 구비하고 있다. 제2 TFT(20)의 능동층(16)은 상기 제1 TFT(10)의 능동층(6)과 동시에 기판(1) 상에 형성된 것으로, 레이저 어닐링 처리에 의해, a-Si가 다결정화되어 형성된 다결정 실리콘이 이용되고 있다.
이 제2 TFT(20)의 채널 길이 방향은 가늘고 긴 형상의 1 화소의 길이 방향을 따르도록 배치되어 있다. 반드시, 이러한 방향으로 채널 길이 방향을 설정할 필요는 없고, 또한 도시한 바와 같이 채널 길이를 매우 길게 할 필요는 없다. 그러나, 데이터 라인의 연장 방향으로 채널 길이 방향이 향하고, 또한 충분히 긴 채널 길이로 하면, 예를 들면 펄스 형상의 레이저를 이 채널 길이 방향으로 주사한 경우,제2 TFT(20)의 모든 능동층 영역이 1회의 펄스만으로 다결정화되지 않고, 반드시 복수회 레이저 조사를 받아 다결정화하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 서로 다른 위치의 화소의 제2 TFT(20) 간에 트랜지스터 특성에 큰 차가 생기는 것을 방지하는 것이 가능해진다.
다결정 실리콘으로 이루어지는 능동층(16) 상에는 게이트 절연막(4)이 형성되고, 이 게이트 절연막(4) 상에 제1 TFT(10)와 마찬가지로, 제2 TFT(20)의 게이트 전극(24)이 형성되어 있다. 이 제2 TFT(20)의 게이트 전극(24)은 상기 커넥터(48)에 의해서, 제1 TFT(10)의 능동층(6)과 일체의 유지 용량 Cs의 제2 전극(8)에 접속되어 있고, 화소의 제1변측의 끝에 배치된 커넥터(48)로부터 연장되어 게이트 절연막(4) 상의 능동층(16) 상방을 넓게 덮도록 패터닝되어 있다.
제2 TFT(20)의 능동층(16)은, 게이트 전극(24)에 의해 상방이 덮여져 있는 영역이 채널 영역(16c)으로써, 이 채널 영역(16c)의 양측에는 각각 소스 영역(16s)와, 드레인 영역(16d)이 형성되어 있다. 능동층(16)의 소스 영역(16s)은, 화소의 제1변측(도 2에서는 화소의 제1변측으로, 또한 커넥터(48)와 유기 EL 소자(50) 사이)에 있어서, 능동층(16) 상의 게이트 절연막(4) 및 층간 절연막(14)을 관통하여 형성된 컨택트홀을 통하여, 구동 전원 라인(44)과 접속되어 있다. 상술된 바와 같이, 구동 전원 라인(44)은, 제1 TFT(10)와 데이터 라인(42)과의 접속 영역에서는, 화소의 제2변측에 배치되어 있는데, 제2 TFT(20)와 구동 전원 라인(44)과의 접속 영역보다 아래의 위치(도면 중 아래 방향)에서는, 화소의 제1변측에서 데이터 라인(42)과 더불어 열 방향으로 연장되어 있다. 그리고, 도 2의 2행째의 화소에서는, 이 구동 전원 라인(44)은, 유지 용량 Cs와 유기 EL 소자(50) 사이를 이 화소의 제2변측으로부터 제1변측으로 행 방향으로 횡단하여 제2 TFT(20)의 능동층(16)과 접속되고, 이 2행째의 화소에 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인(42)과 평행하게 열 방향으로 연장되어 있다.
또, 제1 TFT(10) 및 제2 TFT(20)는, 도 2및 도 3에 도시한 바와 같은 형상이나 구조에 한정되지 않지만, 구동 전원 라인(44)을 간결하게 배선하기 위해서, 적어도 제1 TFT(10)와 데이터 라인(42)과의 컨택트 위치, 제2 TFT(20)와 구동 전원 라인(44)과의 컨택트 위치가, 각각 화소의 동일 변측(예를 들면, 제1변측)에 배치하는 것이 필요하다.
커넥터(48)는, 도 2와 같이 데이터 라인(42)과, 능동층(16)과 구동 전원 라인(44)과의 접속 위치와의 사이에, 구동 전원 라인(44)을 피하도록 배치되어 있고, 커넥터(48)는 데이터 라인(42) 및 상기 구동 전원 라인(44)과 동일한, 예를 들면 Al을 이용하여, 이들의 라인과 동시에 패터닝 형성하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 도 2에 도시한 예에서는, 커넥터(48)가 구동 전원 라인(44)과 능동층(16)과의 컨택트를 행 방향으로 우회하도록 배치되어 있음으로써, 각 화소는 제1 TFT(10) 및 유지 용량 Cs의 형성 영역과, 제2 TFT(20) 및 유기 EL 소자(50)의 형성 영역에 있어서, 그 행 방향의 중심이 서로 조금씩 어긋나 있는데, 전체로는, 거의 구형 혹은 구형에 가까운 형상으로 되어 있다. 물론, 구형 또는 구형에 근사한 형상에는 한정되지 않지만, 화소의 데이터 라인이 지나가는 변측에 제1 및 제2 TFT(10, 20)를 배치하고, 그 일부로서는 구동 전원 라인 VL도 동일한 변을 지나가는 구성을 채용하는 것이 바람직하다.
커넥터(48)로부터 능동층(16)의 연장 영역을 향하여 인출된 제2 TFT(20)의 게이트 전극(24)은, 커넥터(48) 부근에서, 사이에 층간 절연막(14)을 두고 구동 전원 라인(44)과 교차하고 있다.
제2 TFT(20)의 드레인 영역(16d)은, 매트릭스의 다음행에 상당하는 게이트 라인(40)의 근방에서, 게이트 절연막(4) 및 층간 절연막(14)을 관통하여 형성된 컨택트 홀을 통하여, 상기 구동 전원 라인(44) 등과 동일 재료로 동시에 형성된 커넥터(26)와 접속되어 있다. 이 커넥터(26)는, 능동층(16)과의 컨택트 위치로부터 유기 EL 소자(50)의 후술하는 양극 형성 영역으로 연장되어, 상기 구동 전원 라인(44), 데이터 라인(42) 및 커넥터(48, 26)를 덮어서 기판 전면에 형성된 제1 평탄화 절연층(18)에 개구된 컨택트홀을 통해 유기 EL 소자(50)의 양극(52)과 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 상기 제1 평탄화 절연층(18) 상에는, 유기 EL 소자(50)의 양극(52)의 형성 중앙 영역만 개구되고, 양극(52)의 엣지를 덮고, 또한 배선 영역 및 제1 및 제2 TFT의 형성 영역을 덮어 제2 평탄화 절연층(61)이 형성되어 있다. 그리고, 유기 EL 소자(50)의 발광 소자층(51)이, 양극(52) 및 제2 평탄화 절연층(61) 상에 형성되어 있다. 또한 발광 소자층(51) 상에는 전 화소 공통의 금속 전극(57)이 형성되어 있다.
유기 EL 소자(50)는, ITO(Indium Tin Oxide) 등으로 이루어지는 투명한 양극(52)과, 예를 들면 Al 등의 금속으로 이루어지는 음극(57) 사이에 유기 화합물이 이용된 발광 소자층(유기층)(51)이 형성되어 구성되어 있고, 본 실시예에서는, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이 기판(1)측으로부터 양극(52), 발광 소자층(51), 음극(57)이 이 순서대로 적층되어 있다.
발광 소자층(51)은, 이 예에서는 양극측으로부터, 예를 들면 홀 전송층(54), 유기 발광층(55), 전자 수송층(56)이, 예를 들면 진공 증착에 의해 순서대로 적층되어 있다. 또한, 적어도 발광층(55)은 발광색마다 다른 재료가 이용되고 있지만, 다른 홀 수송층(54), 전자 수송층(56)은, 도 3에 도시한 바와 같이 전 화소에 대하여 공통으로 형성하는 것도 가능하다. 각 층에 이용되는 재료는, 일례로서 이하와 같다.
홀 수송층(54): NBP
발광층(55):레드(R)…호스트 재료(A1q3)에 적색의 도우펀트(DCJTB)를 도핑,
그린(G)…호스트 재료(Alq3)에 녹색의 도우펀트(Coumarin 6)를 도핑,
블루(B)…호스트 재료(Alq3)에 청색의 도우펀트(Perylene)를 도핑,
전자 수송층(56): Alq3,
또한, 음극(57)과 전자 수송층(56) 사이에는, 예를 들면 불화리튬(LiF) 등을 이용한 전자 주입층을 형성하고 있어도 된다. 또한 홀 수송층은 각각 다른 재료를 이용한 제1 및 제2 홀 수송층으로 구성되어 있어도 된다. 또한, 각 발광 소자층(51)은 적어도 발광 재료를 함유하는 발광층(55)을 구비하고 있지만, 이용하는 재료에 따라서는 상기 홀 수송층이나, 전자 수송층 등은 반드시 필요하지 않은 경우도 있다. 또, 약칭으로써 기재한 재료의 정식 명칭은, 각각,
「NBP」…N, N'-Di((naphthalene-1-yl)-N, N'-diphenyl-benzidine),
「Alq3」…Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum,
「DCJTB」…(2-(1,1-Dimethylethyl)-6-(2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile,
「Coumarin 6」…3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin,
「BAlq」…(1,1'-Bisphenyl-4-Olato)bis(2-methyl-8-quinolinplate-N1,08)Aluminum,
이다. 단, 물론 이러한 구성에는 한정되지 않는다.
도 2에도 도시되어 있는 바와 같이, 델타 배열이 채용되어 있어도, 배선이 경사 방향으로 인출되는 영역이 없고, 본 실시예에서는 각 화소, 특히 유기 EL 소자(50)의 형성 영역은 대강 구형으로 하는 것이 가능하게 되어 있다. 예를 들면, 도 5에 도시한 바와 같은 레이아웃에서는, 델타 배열의 화소의 변이량이 클수록, 화소의 형상은 「>」이나 「<」와 같이 크게 굴곡하게 되어, 유기 EL 소자의 형성 영역도 마찬가지로 굴곡한 패턴으로 되지 않을 수 없게 된다. 여기서, 상술된 바와 같이 발광 소자층(51)은, 현재, 진공 증착에 의해 형성되어 있어, 화소마다 개별 패턴의 증착층을 형성하기 위해서는, 패턴에 따른 개구부를 구비한 증착 마스크를 기판과 증착원과의 사이에 배치하여 증착을 행할 필요가 있다. 이러한 증착 마스크에 형성한 개구부에 의해 유기층을 패터닝하는 경우, 도중에 크게 굴절한 것과 같은 복잡한 개구 패턴은 단순한 구형의 패턴과 비교하여 균일한 증착이 어려워진다고 생각된다. 따라서, 본 실시예와 같이 화소의 각 소자의 레이아웃 및 구동 전원 라인(44)의 배선 패턴을 연구함으로써, 유기 EL 소자(50)의 유기층(증착층)을 보다 균일하게 형성하는 것도 가능해진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 있어서는, 델타 배열과 같이 동일 색의 화소가 소정 피치씩 어긋나 배치되어 있는 경우에 있어서도, 각 화소에 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인과, 각 화소에 전력을 공급하는 구동 전원 라인을 간결하게 배선할 수 있다. 특히, 구동 전원 라인의 배선 패턴에 대해서도 데이터 라인과 마찬가지로 배선 길이를 최소한으로서 배선할 수 있어, 각 화소의 발광 영역을 최대한 확보하여 밝고 고해상도의 컬러 표시 장치를 실현하는 것이 가능해진다.

Claims (9)

  1. 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소의 각각이,
    피구동 소자와,
    구동 전원 라인으로부터의 전력을 상기 피구동 소자에 공급하는 소자 구동용 박막 트랜지스터와,
    선택 시에 데이터 라인으로부터 공급되는 데이터 신호에 기초하여 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터를 제어하는 스위칭용 박막 트랜지스터를, 적어도 구비하는 액티브 매트릭스형 표시 장치로서,
    각 화소에서, 상기 구동 전원 라인은 상기 스위칭용 박막 트랜지스터가 상기 데이터 라인과 접속되어 있는 영역에서는, 해당 화소의 대향하는 제1 및 제2변 중 상기 데이터 라인과 반대측의 제2변측에 배치되고, 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터와 상기 구동 전원 라인이 접속되어 있는 영역에서는, 상기 데이터 라인측의 제1변측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구동 전원 라인은, 화소의 제2변측으로부터, 화소 내의 상기 스위칭용 박막 트랜지스터와 상기 피구동 소자 사이를 횡단하고 상기 화소의 제1변측으로 연장되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 구동 전원 라인은, 화소의 제2변측으로부터, 화소 내의 상기 스위칭용 박막 트랜지스터와 상기 피구동 소자 사이를, 상기 스위칭용 박막 트랜지스터에 선택 신호를 공급하는 선택 라인의 연장 방향으로 연장되어 상기 화소의 제1변측에 도달하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  4. 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소의 각각이,
    피구동 소자와,
    구동 전원 라인으로부터의 전력을 상기 피구동 소자에 공급하는 소자 구동용 박막 트랜지스터와,
    선택 시에 데이터 라인으로부터 공급되는 데이터 신호에 기초하여 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터를 제어하는 스위칭용 박막 트랜지스터를, 적어도 구비하는 액티브 매트릭스형 표시 장치로서,
    각 화소에 있어서, 상기 스위칭용 박막 트랜지스터와 상기 데이터 라인과의 접속 영역과, 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터와 해당 구동 전원 라인이 접속되어 있는 영역은, 해당 화소의 제1변 부근에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  5. 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소의 각각이,
    피구동 소자와,
    구동 전원 라인으로부터의 전력을 상기 피구동 소자에 공급하는 소자 구동용 박막 트랜지스터와,
    선택 시에 데이터 라인으로부터 공급되는 데이터 신호에 기초하여 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터를 제어하는 스위칭용 박막 트랜지스터를, 적어도 구비하는 액티브 매트릭스형 표시 장치로서,
    상기 소자 구동용 박막 트랜지스터의 게이트는, 대응하는 상기 스위칭용 박막 트랜지스터에 접속되어 있고,
    상기 구동 전원 라인은, 각 화소에 있어서, 해당 화소 내를 횡단하고, 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터의 게이트와 상기 스위칭용 박막 트랜지스터와의 접속 배선 경로와 교차하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 화소는, 매트릭스의 열 방향에서는, 인접 행의 동일색의 화소가 상호 행 방향으로 어긋나 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 데이터 라인은, 상기 매트릭스의 열 방향으로 각 화소의 사이를 지나서 연장되고, 상기 데이터 라인에는, 행마다 해당 라인 좌측과 우측에 교대로 배치되어 있는 동일 색의 화소의 상기 스위칭용 박막 트랜지스터가 접속되어 있는 것을특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 구동 전원 라인은, 상기 데이터 라인과 교차하지 않고 열 방향으로 연장되어, 대응하는 화소의 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 구동 전원 라인은, 상기 데이터 라인과 교차하지 않고 열 방향으로 연장되어, 대응하는 화소의 상기 소자 구동용 박막 트랜지스터에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100612392B1 (ko) * 2004-10-13 2006-08-16 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 발광 표시 패널
KR100689913B1 (ko) * 2003-09-30 2007-03-09 산요덴키가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 표시 장치
KR100710764B1 (ko) * 2003-11-28 2007-04-24 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 액티브 매트릭스형 디스플레이 및 그 제조 방법
US7557784B2 (en) 2004-11-22 2009-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. OLED pixel circuit and light emitting display using the same
US7880698B2 (en) 2004-11-22 2011-02-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Delta pixel circuit and light emitting display
US8076674B2 (en) 2004-05-24 2011-12-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4122949B2 (ja) * 2002-11-29 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、アクティブマトリクス基板及び電子機器
KR100528913B1 (ko) 2003-04-29 2005-11-16 삼성에스디아이 주식회사 평판표시소자
JP4443179B2 (ja) * 2003-09-29 2010-03-31 三洋電機株式会社 有機elパネル
JP4488709B2 (ja) * 2003-09-29 2010-06-23 三洋電機株式会社 有機elパネル
KR100741961B1 (ko) 2003-11-25 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 구동방법
KR101026812B1 (ko) * 2003-11-28 2011-04-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
JP3985788B2 (ja) * 2004-01-22 2007-10-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US20050231447A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Shuo-Hsiu Hu Pixel arrangement in a display system
JP2005352147A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Tohoku Pioneer Corp アクティブマトリクス型発光表示パネル
KR100636503B1 (ko) * 2004-06-25 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치와 그의 제조방법
JP4846998B2 (ja) * 2004-10-08 2011-12-28 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置
US7382384B2 (en) 2004-12-07 2008-06-03 Eastman Kodak Company OLED displays with varying sized pixels
KR100698697B1 (ko) * 2004-12-09 2007-03-23 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
US8866707B2 (en) * 2005-03-31 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, and apparatus using the display device having a polygonal pixel electrode
US7868883B2 (en) * 2005-05-27 2011-01-11 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus having the same
JP2007103584A (ja) * 2005-10-03 2007-04-19 Ricoh Co Ltd トランジスタ素子、表示装置およびこれらの製造方法
US8026669B2 (en) * 2006-03-31 2011-09-27 Canon Kabushiki Kaisha Display device
JP5309468B2 (ja) * 2006-05-31 2013-10-09 株式会社ニコン 液晶表示素子、表示装置、観察装置およびカメラ
US8654045B2 (en) 2006-07-31 2014-02-18 Sony Corporation Display and method for manufacturing display
JP5109302B2 (ja) * 2006-07-31 2012-12-26 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
US7507998B2 (en) * 2006-09-29 2009-03-24 Tpo Displays Corp. System for displaying images and method for fabricating the same
JP4600420B2 (ja) * 2007-04-20 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4600419B2 (ja) * 2007-04-20 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4655061B2 (ja) * 2007-04-20 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5056265B2 (ja) * 2007-08-15 2012-10-24 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP2009116206A (ja) * 2007-11-09 2009-05-28 Sony Corp El表示パネル及び電子機器
KR101627724B1 (ko) * 2007-12-03 2016-06-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
JP5245879B2 (ja) 2008-03-26 2013-07-24 ソニー株式会社 画像表示装置及び短絡事故の修復方法
TWI453910B (zh) 2009-02-04 2014-09-21 Sony Corp Image display device and repair method of short circuit accident
US8836337B2 (en) * 2009-06-05 2014-09-16 Beijing Visionox Technology Co., Ltd. Organic electroluminescence device and testing method thereof
US9412951B2 (en) 2009-11-13 2016-08-09 Beijing Visionox Technology Co., Ltd. Organic materials and organic electroluminescent apparatuses using the same
JP2011243441A (ja) * 2010-05-19 2011-12-01 Nec Lighting Ltd 有機el装置
KR102061791B1 (ko) * 2012-11-13 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI518657B (zh) 2014-03-31 2016-01-21 友達光電股份有限公司 有機電致發光顯示器的畫素單元
JP2016075868A (ja) * 2014-10-09 2016-05-12 Nltテクノロジー株式会社 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素レンダリング方法
KR102357345B1 (ko) * 2015-01-27 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106531043B (zh) * 2015-09-11 2019-07-23 群创光电股份有限公司 显示装置
CN105116579B (zh) * 2015-09-30 2019-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其驱动方法
KR102528296B1 (ko) * 2015-11-18 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2017098375A1 (en) * 2015-12-11 2017-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10224386B2 (en) * 2016-09-23 2019-03-05 Apple Inc. Display with power supply mesh
KR102595916B1 (ko) 2018-03-09 2023-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
WO2019187047A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス
US11387283B2 (en) * 2018-09-28 2022-07-12 Sharp Kabushiki Kaisha Display device for reducing driving load of data lines

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5822026A (en) * 1994-02-17 1998-10-13 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate and color liquid crystal display
JP3256110B2 (ja) * 1995-09-28 2002-02-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3069280B2 (ja) * 1995-12-12 2000-07-24 松下電器産業株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示素子及びその駆動方法
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
US7119870B1 (en) * 1998-11-27 2006-10-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid crystal display device having particular drain lines and orientation control window
JP2000227770A (ja) * 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーel表示装置
JP2000221524A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Sanyo Electric Co Ltd カラー液晶表示装置
US6724149B2 (en) * 1999-02-24 2004-04-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance
JP3710969B2 (ja) * 1999-09-30 2005-10-26 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4497596B2 (ja) * 1999-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP2001109395A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd El表示装置
JP4596582B2 (ja) * 1999-11-05 2010-12-08 三洋電機株式会社 表示装置
JP3736399B2 (ja) * 2000-09-20 2006-01-18 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路及び電子機器及び電気光学装置の駆動方法及び電気光学装置
JP4925528B2 (ja) * 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP2002251167A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100689913B1 (ko) * 2003-09-30 2007-03-09 산요덴키가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 표시 장치
KR100710764B1 (ko) * 2003-11-28 2007-04-24 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 액티브 매트릭스형 디스플레이 및 그 제조 방법
US8076674B2 (en) 2004-05-24 2011-12-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display device
US9007280B2 (en) 2004-05-24 2015-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Pixel circuit of display panel and display device using the same
KR100612392B1 (ko) * 2004-10-13 2006-08-16 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 발광 표시 패널
US8063852B2 (en) 2004-10-13 2011-11-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Light emitting display and light emitting display panel
US7557784B2 (en) 2004-11-22 2009-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. OLED pixel circuit and light emitting display using the same
US7880698B2 (en) 2004-11-22 2011-02-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Delta pixel circuit and light emitting display

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