546182 κι ____ Β7____ 五、發明說明（） [技術領域] 本發明，係關於用來修整進行硏磨、切削、拋光加工 等加工工具之加工面的修整工具、修整裝置、修整方法、 具有此種修整工具或裝置之加工裝置、以及半導體元件製 造方法。 [習知技術] 用來進行硏磨、切削、拋光加工等之加工工具，由於 會隨著加工時間產生加工面之磨耗而劣化，因此會進行定 期修整以能隨時進行良好加工。作爲此種加工工具，例如 有，在半導體晶圓之製程中用來進行晶圓表面形成之電路 構成膜等之拋光加工的化學機械硏磨裝置(CMP裝置)所使 用之硏磨墊，此硏磨墊亦會相隔一定期間以修整工具加以 修整。此種修整方法及裝置，例如，在日本專利特開平 10-71557號公報中已有揭示。 圖18中，顯示了此種使用修整工具來修整硏磨墊之硏 磨面的習知例。此處，係顯示將作爲加工工具之硏磨墊 100之輪圈圓盤狀墊面(加工面）1〇1，使用具備環狀修整面 之111之修整工具110來進行修整之例。修整工具110之 修整面111，於圖中係由繪有剖面線之窄幅的環狀平面構 成，與墊面101對向。在將硏磨墊100以通過其中點、垂 直延伸於墊面101之旋轉軸〇1爲中心旋轉之狀態下，一 邊使修整工具110以通過其中點、垂直延伸於墊面iOl之 旋轉軸01爲中心旋轉，一邊如圖18所示，將修整面111 抵接於墊面101來進行墊面101之修整(表面狀態之回復及 3 __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 線· 546182 A7 ______B7___ 五、發明說明（ 平坦化）。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，以此方式進行修整時，墊面101被修整工具 110硏削之量，於墊面101之內周位置A及外周位置C處 會大於中央周位置B，修整後墊面101之截面形狀會成爲 如圖18(A)所示的，墊面101之內周位置A及外周位置C 低於中央周位置B，而有半徑方向截面形狀向上凸起之傾 向的問題。此係因墊面101被修整工具110硏削之量，係 對應墊面101圓周上與修整面Π1之接觸長度，由圖中淸 楚可知，於內周位置A及外周位置C之接觸長度S1及S3 ，較於中央周位置B之接觸長度S2長之故。 又，爲了將旋轉之修整工具110之修整面111均勻的 接觸於旋轉之硏磨墊100之墊面101，需將硏磨墊100及 修整工具110之任一方以萬向調芯機構加以調芯保持，而 有修整裝置之構成複雜化的問題。 --線· 再者，即使如前所述以調芯機構加以支撐，若修整工 具110相對墊面101偏於外周側或內周側時，修整面111 與墊面101之抵接面壓力將失衡，而產生修整後墊面101 之平坦性受損之問題。例如，修整工具110之旋轉中心軸 02由圖18所示之狀態偏向外周側時(旋轉中心軸02於圖 18中產生從硏磨墊1〇〇之旋轉中心軸〇1離開之偏移時）， 外周側之抵接面壓力變高，如圖18(B)所示，外周位置C 變得較內周位置A低，而產生修整後墊面ιοί之全體變成 朝上凸起之截面形狀的問題。反之，當修整工具110之旋 轉中心軸02由圖18所示之狀態偏向內周側時(旋轉中心軸 4 幸、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 546182 A7 ___B7___ 五、發明說明（2) 02於圖18中產生接近硏磨墊100之旋轉中心軸01之偏 移時），外周側之抵接面壓力變高，如圖i8(B)所示，內周 位置A變得較外周位置C低’而產生修整後墊面101之全 體變成朝上凹陷之截面形狀的問題。 習知之修整工具，其金剛砂（金剛粒子）等磨粒於修整 面之全體，係以一定之平均分佈密度來分佈。因此，修整 面各部之單位面積之硏磨能力，於全體是一定的。此外， 習知修整面之形狀，爲圓形或圓環狀。 修整工具，如前所述的，由於係用以進行硏磨墊之修 整，因此並非是硏磨粒之平均分佈密度越高越好，而是爲 了使硏磨墊之硏磨面具有適當之粗糙度，具有一適當程度 之平均分佈密度，因此，應於修整面之全面，以前述之平 均分佈密度來分佈硏磨粒。亦即，於修整面之全面，以一 定的平均分佈密度來分佈硏磨粒，係習知之技術常識。 然而，前述習知之修整工具，欲以高精度來使硏磨墊 之硏磨面平坦化是非常困難的。由於研磨墊之平坦性低， 因此欲使用該種硏磨墊以高精度將半導體晶圓硏磨成平坦 ，是非常困難的。 又，修整之進行，係將基材所支撐之硏磨墊之硏磨面 與修整工具之修整面彼此抵接，相對移動前述基材與修整 工具來進行。前述相對移動，例如，係使支撐硏磨墊之基 材及修整工具兩者皆旋轉來進行。由於製造誤差等因素， 欲使前述基材之旋轉軸與修整工具之旋轉軸完全平行之非 常困難的，因此，實際上兩者之旋轉軸係些微的相互傾斜 __ 5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) . |線· 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 546182 A7 ___B7____ 五、發明說明) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以往，無視於此種傾斜爲了平坦的修整硏磨墊’於修 整工具與其旋轉軸之間採用了萬向機構，利用使用萬向機 構之修整工具之角度追隨性來進行修整。例如，由於CMP 裝置要求能以高精度將半導體晶圓等修整爲平坦，因此亦 要求硏磨墊須具備高精度且平坦。所以，以往，在修整 CMP裝置等所使用之硏磨墊時，利用採前述萬向機構之角 度追隨性被認爲是必須不可欠的。 然而，近年來，由於半導體元件進一步的微細化，曰 漸要求能以高精密度將半導體晶圓等硏磨得更爲平坦，隨 此，亦要求硏磨墊須具備高精度且平坦。是以，產生了必 須以更高的精密度將硏磨墊修整爲平坦之需求。 [發明欲解決之課題] -線· 本發明有鑑於上述問題，其第1目的，在提供一種能 充分確保修整後加工面之平坦性的修整工具及裝置，且提 供一種使用以此種修整裝置加以修整之加工工具的製造裝 置。本發明之又一目的，係提供一種修整工具及裝置，其 於修整時保持修整工具及加工工具之裝置中不需要調芯機 構。 本發明之第2目的，係提供一種能以良好之精度將修 整後硏磨墊之硏磨面修整成平坦的修整工具，以及使用此 硏磨工具之修整裝置。 本發明之第3目的，係提供一種能以更高的精密度將 硏磨墊修整成平坦的修整方法及裝置，使用以高精密度修 6 546182 A7 ___B7__ 五、發明說明) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 整成平坦之硏磨墊來硏磨被硏磨物的硏磨裝置，與習知半 導體製造方法相較’能提昇良率以低成本製造半導體元件 的半導體元件製造方法。 以下，將說明用以達成上述目的之發明，但各發明並 非是用來達成此等目的。根據發明之構成及後述發明之實 施形態、實施例等，將能明白那一發明能達成某種目的。 [用以達成上述目的之手段] 用以達成前述目的之第1發明，係一修整工具，用以 進行具有輪圏圓盤狀或圓盤狀加工面之加工工具之修整， 其特徵在於：具有抵接於前述加工工具之加工面以進行修 整之略呈長方形的修整面’該修整面係配置成，該修整面 之前述略呈長方形之短邊方向中心線在進行修整時’與通 過前述加工工具之前述輪圈圓盤狀或圓盤狀加工面中心之 半徑方向一致。 爲達成前述目的之本案第2發明’係前述第1發明中 ，前述短邊方向中心線平行延伸之前述略呈長方形之兩長 邊形狀，在將前述修整面抵接於前述加工面時’前述加工 面與前述修整面之接觸長度，在前述加工面之所有徑方向 位置皆相等之形狀。 爲達成前述目的之本案第3發明，係一修整裝置，其 特徵在於，具備：保持具有輪圏圓盤狀或圓盤狀加工面之 加工工具，以垂直於前述加工面、通過即述輪圏圓盤或圓 盤中心之軸爲中心使用其旋轉的加工工具保持機構；以及 ，前述第1發明或第2發明之修整工具。 7 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 546182 A7 _ B7__ 五、發明說明（[7 ) 爲達成前述目的之本案第4發明，係前述第3發明中 ，具有複數個前述修整工具，此等複數個修整工具係配置 成同時修整前述加工面。 爲達成前述目的之本案第5發明，係一種加工裝置， 其特徵在於··具有以前述第1發明或第2發明之修整工具 加以修整之前述加工工具。 爲達成前述目的之本案第6發明，係一種加工裝置’ 其特徵在於：具有以前述第3發明或第4發明之修整裝置 加以修整之前述加工工具。 爲達成前述目的之本案第7發明，係一修整工具’用 以修整具有圓形外周之加工工具的加工面，其特徵在於： 具備修整面，係由具第1單位面積之切削能力的圓形區域 ，與具較第1單位面積之切削能力爲高之第2單位面積之 切削能力、對前述圓形區域爲同心狀之圓環區域所構成； 前述修整面之前述圓形區域之直徑，大於前述加工面半徑 內之有效使用寬度，前述修整面之前述圓環區域之外徑， 約爲前述加工面外徑的一半。 爲達成前述目的之本案第8發明，係一修整工具，用 以修整具有圓形外周之加工工具的加工面，其特徵在於： 具備修整面，係由硏磨粒以第1平均分佈密度分佈之圓形 區域，與硏磨粒以高於第1平均分佈密度之第1平均分佈 密度分佈、對前述圓形區域爲同心狀之圓環區域所構成； 前述修整面之前述圓形區域之直徑，大於前述加工面半徑 內之有效使用寬度，前述修整面之前述圓環區域之外徑， 8 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝 訂·· i線· 546182 A7 _____B7______ 五、發明說明（"]) / 約爲前述加工面外徑的一半。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲達成前述目的之本案第9發明，係前述第8發明中 ，前述第1平均分佈密度爲前述第2平均分佈密度之10% 〜50% 〇 爲達成前述目的之本案第發明，係一修整裝置，其 特徵在於，具備：前述第7發明至第9發明任一項之修整 工具，與使該修整工具旋轉之旋轉機構。 本發明中，由於具備前述第7發明至第9發明中任一 項之修整工具，因此能發揮各工具所具有之作用效果來進 行修整。 --線· 爲達成前述目的之本案第Η發明，爲一修整方法，係 使被基材所支撐之加工工具之加工面與修整工具之修整面 抵接，藉相對移動前述基材與前述修整工具，來修整前述 加工面，其特徵在於，具備：設定階段，係調整、設定以 前述基材作爲基準之前述修整面之相對傾斜爲期望傾斜； 以及修整階段，係一邊保持以前述設定階段所設定之前述 相對傾斜，一邊修整前述加工面。 爲達成前述目的之本案第12發明，係前述第11發明 中’前述設定階段包含獲得對應前述加工面表面形狀之資 訊的階段，與根據前述資訊調整、設定前述相對傾斜的階 段。 爲達成前述目的之本案第13發明，係前述第11或第 I2發明中，包含交互重複複數次前述設定階段與前述修整 階段的階段。 _ 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 546182 A7 _ B7___ 五、發明說明) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲達成前述目的之本案第14發明，係前述第11至第 13發明中任一項之修整方法，其中，前述修整階段之前述 加工面之修整，係在前述修整面之一部分從前述加工面之 周圍突出的狀態下進行。 爲達成前述目的之本案第15發明，係前述第11至第 14發明中任一項之修整方法，其中，前述相對傾斜，係相 對通過前述加工面中心附近及前述修整面中心附近之直線 ，繞大致與此正交之既定軸線周圍的傾斜。 -線· 爲達成前述目的之本案第16發明，爲一修整裝置，係 使被基材所支撐之加工工具之加工面與修整工具之修整面 抵接，藉相對移動前述基材與前述修整工具，來修整前述 加工面，其特徵在於，具備：傾斜調整機構，係能調整、 設定以前述基材作爲基準之前述修整面之相對傾斜爲期望 傾斜；以及移動機構，係一邊保持以前述傾斜調整機構設 定之前述相對傾斜，一邊使前述基材與前述修整工具相對 移動以修整前述加工面。 爲達成前述目的之本案第17發明，係前述第16發明 爲用以修整具有圓形外周之加工工具之加工面，前述修整 工具具備修整面，由具第1單位面積之切削能力的圓形區 域，與具較第1單位面積之切削能力爲高之第2單位面積 之切削能力、對前述圓形區域爲同心狀之圓環區域所構成 ;前述修整面之前述圓形區域之直徑，大於前述加工面半 徑內之有效使用寬度，前述修整面之前述圓環區域之外徑 ，約爲前述加工面外徑的一半。 10 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4續Γ格（210 X 297公釐） — 546182 A7
Q 五、發明說明（1 ) 爲達成前述目的之本案第18發明，係前述第16發明 或第17發明中，具備控制部，以根據對應前述加工面表面 形狀之資訊，使前述傾斜調整機構動作，以使前述相對傾 斜成爲期望之傾斜。 爲達成前述目的之本案第19發明，係前述第18發明 中，具備測量部，以取得前述資訊。 爲達成前述目的之本案第20發明，爲一修整裝置’係 使被基材所支撐之加工工具之加工面與修整工具之修整面 抵接，藉相對移動前述基材與前述修整工具，來修整前述 加工面，其特徵在於，具備：傾斜調整機構，係能調整、 設定以前述基材作爲基準之前述修整面之相對傾斜爲期望 傾斜；移動機構，係一邊保持以前述傾斜調整機構設定之 前述相對傾斜，一邊使前述基材與前述修整工具相對移動 以修整前述加工面；測量部，以取得對應前述加工面表面 形狀之資訊；以及控制部，係回應既定之指令信號， ⑴使前述移動機構動作以進行前述修整、 (ii)於前述⑴之修整後，根據從前述測量部取得之前述 資訊，判定現在設定之前述相對傾斜是否爲期望之傾斜、 (ii〇於前述(ii)中判定爲期望之傾斜時，即結束前述相 對傾斜之調整、 (iv)於前述(ii)中判定非爲期望之傾斜時，在使前述傾 斜調整機動作，以使前述相對傾斜成爲期望之傾斜或接近 此之傾斜後，重複前述⑴以後之動作。 ^ 爲達成前述目的之本案第21發明，係前述第2〇發明 11 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I - --線- 546182 A7 __B7_ 五、發明說明（/〇) 爲用以修整具有圓形外周之加工工具之加工面，前述修整 工具具備修整面，由具第1單位面積之切削能力的圓形區 域，與具較第1單位面積之切削能力爲高之第2單位面積 之切削能力、對前述圓形區域爲同心狀之圓環區域所構成 ;前述修整面之前述圓形區域之直徑，大於前述加工面半 徑內之有效使用寬度，前述修整面之前述圓環區域之外徑 ，約爲前述加工面外徑的一半。 爲達成前述目的之本案第22發明，係前述第16至第 21發明中任一項之修整裝置，其中，前述加工面之修整’ 係在前述修整面之一部分從前述加工面之周圍突出的狀態 下進行。 爲達成前述目的之本案第23發明，係前述第16至第 22發明中任一項之修整裝置，其中，前述相對傾斜’係相 對通過前述加工面中心附近及前述修整面中心附近之直線 ，繞大致與此正交之既定軸線周圍的傾斜。 爲達成前述目的之本案第24發明’爲一加工裝置’具 備具有加工面之加工工具，與保持被加工物之保持部，於 前述加工工具之前述加工面與前述被加工物之間施加負載 ，藉相對移動前述加工工具與前述被加工物’來加工前述 被加工物’其特徵在於：前述加工面係以前述第11發明至 第15發明中任一項之修整方法加以修整者。 爲達成前述目的之本案第25發明，爲一加工裝置’具 備具有加工面之加工工具’與保持被硏磨物之保持部’於 前述加工工具之前述加工面與前述被硏磨物之間施加負載 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音心事項再填寫本頁) · 線· 546182 A7 ____B7_ 五、發明說明（（ί ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，藉相對移動前述加工工具與前述被硏磨物，來加工前述 被硏磨物，其特徵在於：前述加工面係以前述第16發明至 第23發明中任一項之修整裝置加以修整者。 爲達成前述目的之本案第26發明，爲一加工裝置’具 備具有加工面之加工工具，與保持被加工物之保持部，於 前述加工工具之前述加工面與前述被加工物之間施加負載 ，藉相對移動前述加工工具與前述被加工物’來加工前述 被加工物，其特徵在於：具備前述第16發明至第23發明 中任一項之修整裝置。 爲達成前述目的之本案第27發明，係一半導體元件製 造方法，其特徵在於：具有使用前述第5發明、第6發明 、前述第24發明至第26發明中任一項之加工裝置，來使 半導體晶圓表面平坦化之製程。 [發明之最佳實施形態] --線- 以下，參照圖式說明本發明之較佳實施形態。當然， 此等實施形態之說明，並非限制本發明之範圍的說明。 《第1實施形態》 圖1中，顯示了使用本發明之修整工具1所構成之硏 磨墊用修整裝置DA。此修整裝置DA，係用以修整CMP 裝置所使用之硏磨墊15之墊面(硏磨面）15a的裝置，由以 真空吸附等方式保持並旋轉之墊保持機構10，與具有修整 工具2(用以修整此墊保持機構1〇所保持、旋轉之硏磨墊 15之墊面15a)之修整工具保持機構1所構成。墊保持機構 10 ’係由以真空吸附方式保持硏磨墊15的墊保持頭11， —__ 13 幸”氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) 546182 A7 ___B7_ 五、發明說明（I u ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 連接於墊保持頭11的旋轉軸12，透過此旋轉軸12使墊保 持頭11以其旋轉中心軸03爲中心旋轉之未圖7K的旋轉驅 動裝置所構成。又，硏磨墊15，係如圖2所示，係由具輪 圏圓盤狀之墊面的板狀構件構成’被墊保持頭Π保持 成通過其中心點、與墊面15a垂直之軸線爲上述旋轉中心 軸03 〇 —線- 修整工具保持機構1，係由具有如圖2所示之長方形 修整面3之修整工具2，與將此修整工具2保持成能上下 移動自如之保持汽缸機構5所構成。修整工具2，具有略 大於硏磨墊15之墊面15a之半徑方向尺寸的長邊方向尺寸 ，且左右邊(長邊)3a，之寬度尺寸爲w之長方形修整面3 。保持汽缸機構5，係由固設於基座4上之汽缸管6，嵌合 設於汽缸管6內於軸方向滑動自如之活塞頭7a ’連接於此 活塞頭7a、貫通汽缸管6向上方延伸之桿7b所構成’於 桿7b之上端固設修整工具2加以保持。 修整工具保持機構1，係將修整工具2保持成修整面3 對向於以墊保持機構1〇加以保持、旋轉之硏磨墊15之墊 面15a。此時，如圖2所示，修整工具2係被保持成修整 面3之寬度方向(短邊方向）中心線L1朝輪圈圓盤狀之墊面 15a之半徑方向延伸，以保持汽缸機構5向上移動使修整 面3壓接於墊面15a。此時之按壓力’係以保持汽缸機構5 設定成適當之値，以進行墊面15a之修整。 若係上述構成之修整裝置DA的話’由於修整工具2 係固定保持，藉由墊保持機構1〇來使硏磨墊15旋轉，因 14 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 546182 A7 _____B7____ 五、發明說明（I γ ·/ 此不需要習知修整裝置般之調芯機構，裝置構成較簡單。 不過，若係以上述具有長方形修整面3之修整工具2 進行修整時，由於修整面3之墊面15a之圓周方向接觸長 度S，會視徑方向位置而變化(雖然僅有些許），因此修整後 墊面15a之平坦性有降低之可能性。例如，如圖2所示， 當比較內周位置A之周方向接觸長度Si與外周位置B之 周方向接觸長度So時，由於內周位置A之曲率大於外周 位置B之曲率，因此其全體易成爲如圖18(c)所示之向上凹 之截面形狀。 針對此情形之模擬結果顯示於圖3。此處，於橫軸顯 示硏磨墊15之硏磨面15a之半徑方向位置（由此圖可知， 墊面15a係內徑約爲60mm外徑約爲70mm之輪圏圓盤狀) ，於縱軸顯示修整後墊面相對平坦面之變動量(％)。此模擬 中，顯示了使用修整面3之寬度尺寸w爲10mm、20mm、 30mm、40mm、50mm之五種修整工具2，在相同條件下進 行修整後墊面15a相對平坦面之變動量。由此圖中可知， 寬度尺寸w越小平坦性越爲良好，例如，若係具有w= 10 〜20mm程度之修整面3的修整工具2的話，實用上即充 分足夠。 然而，由於希望能縮短修整時間提高修整效率，因此 ’要求能增大修整面3之寬度尺寸w。接著，就圖3所示 之越加大寬度尺寸w平坦性越低之原因加以考察。如圖4 所示，將修整工具2之修整面3(寬度尺寸w)抵接於硏磨墊 15之硏磨面15a時，於半徑r之周位置D的周方向接觸長 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： -線· 546182 A7 ______B7_ 五、發明說明（/f) 度S ’右將應此接觸長度S之圓周角設爲2 /5的話，此 等之關係可以下式（1)及(2)來表示。 β = arcsin(w// (2r))(l) s-r · 2β (2) 此處，若修正修整面3之左右邊3a，3b之形狀，以使 式(2)所求出之接觸長度s對所有的半徑s(亦即，於所有的 周位置)皆相等的話，於墊面15a全面修整量會相等，即使 加大寬度w，亦能使修整後之墊面15a平坦。又，以此方 式修正之修整面3’之左右邊3a’，3b’之形狀例顯示於圖5。 圖5中，橫軸係距墊中心位置之半徑方向(γ軸方向）之位 置，縱軸係與此成直角之Y軸方向位置，以近似於長方形 之線所圍部分即爲修整面。若係具備此修整面3,(具有以此 方式修正之左右邊3a，3b)之修整工具2時，即能加大寬度 尺寸w以提高修整效率。 又，如圖6所示，若使用複數個具有此寬度尺寸w之 大修整面3’之修整工具2，來構成修整裝置的話，即能以 更短的時間、以良好的效率進行硏磨面15a之修整。又， 以此方式使用複數個修整工具時，各修整工具亦可不是上 述修正了左右邊形狀，而是長方形且寬度方向尺寸w之較 小者。 此第1實施形態之發明之製造裝置，具有使用以上說 明之修整工具2所構成之修整裝置DA加以硏磨之硏磨墊 15而構成，使用此硏磨墊15進行晶圓之硏磨的CMP裝置 ，即爲前述第6發明之加工裝置。又，各修整工具最好是 16 才、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） I — II 丨 - - - - ----· I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： i線. 546182 A7 ____ B7____ 五、發明說明（f ¢) 能安裝於同一基板。 又，第1實施形態中，硏磨墊雖係輪圏圓盤狀，但前 述第1發明至第6發明亦能應用於圓盤狀之硏磨墊。 若使用以上說明之第1實施形態之發明的話，由於修 整工具係固定保持狀態而僅使加工工具旋轉來進行修整， 因此不需調芯機構，能使裝置構成簡單。此外，藉由使用 近似於長方形之修整工具，能使加工面與修整面之圓周上 的接觸長度在所有徑方向位置相等，而能提升修整後加工 面之平坦性。 《第2實施形態》 圖7，係顯示本發明第2實施形態之修整裝置的槪略 構成圖。圖8，係以示意方式顯示硏磨墊25之修整時，修 整工具21之修整面與硏磨墊25之位置關係的槪略俯視圖 。圖9，係以示意方式顯示修整工具21的槪略放大截面圖 〇 本實施形態之修整裝置，如圖7所示，具備修整工具 21，以及使修整工具21相對基座22旋轉之旋轉機構23， 以修整基材24所支撐之CMP裝置用硏磨墊25之硏磨面 25a。基材24及硏磨墊25，可以是CMP裝置之硏磨工具 ’基材24亦可以是與硏磨工具不同之構件。若爲前者時， 本實施形態之修整裝置，係配置在CMP裝置之修整站(修 整區域）。 硏磨墊25之硏磨面25a，如圖8所示，具有圓形之外 周。本例中，硏磨墊25係構成爲圓環狀，並除去中心部。 17 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公楚) ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 入uo. -線 546182 A7 _B7___ 五、發明說明（I L) 當然，作爲本實施形態之修整裝置之修整對象的硏磨墊， 並不限於圓環狀之硏磨墊，例如，亦可是未除去中心部之 圓形硏磨墊。本實施形態中，硏磨墊25之圓環狀硏磨面 25a之全體，爲硏磨半導體晶圓等被硏磨物時有效使用之 有效使用區域，硏磨墊25之半徑內有效使用寬度，爲外徑 與內徑差的一半。 硏磨墊25及基材24,係藉由作爲致動器之使用電動 馬達之未圖示的機構，而能如圖7中之箭頭a，b所示般， 進行旋轉及上下動作。又，基材24，係透過萬向機構（未 圖示），機械性的連結於旋轉軸26。當然，並不一定非設 置萬向機構不可。此外，圖8中，01係代表硏磨墊25之 中心，以此中心01爲旋轉中心來進行旋轉。 本實施形態中，修整工具21，如圖9所示，具備：由 圓板構成之基板31，分佈在基板31上面作爲硏磨粒之金 剛砂32，將金剛砂32固著於基板31之鎳鍍層33。於修整 工具21之上面中心部之圓形區域R1，金剛砂32係以平均 分佈密度D1分佈。另一方面，於修整工具21上面、相對 圓形區域R1成同心狀之圓環區域R2，金剛砂32則係以高 於平均分佈密度D1平均分佈密度D2分佈。 在硏磨CMP硏磨裝置所使用之硏磨墊之際，當平均 分佈密度D1超過平均分佈密度D2之50%時，硏磨墊25 之半徑方向厚度分佈成爲向下凹之厚度分佈，而變得無法 滿足CMP裝置之硏磨墊所要求之平坦度。又，當平均分佈 密度D1不滿平均分佈密度D2之10%時，硏磨墊25之半 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·. ，線- 546182 A7 __ B7____ 五、發明說明（Γ )
I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 徑方向厚度分佈成爲向上凸之厚度分佈，而變得無法滿足 CMP裝置之硏磨墊所要求之平坦度。因此，平均分佈密度 D1，最好是平均分佈密度D2之10%〜50%。 本實施形態中，於圓形區域R1與圓環區域R2之間， 雖在基板31形成有同心圓狀之槽31a，但並不一定非形成 此種槽31a不可。藉由圓形區域R1及圓環區域R2，構成 修整工具21之修整面。圖8中，02係代表圓形區域Ri 及圓環區域R2之中心，旋轉機構23，以此中心02爲旋 轉中心來進行旋轉。 -1線' 如前所述，由於平均分佈密度D2係設定的較平均分 佈密度D1爲高，因此圓環區域R2之每單位面積的切削能 力，高於圓形區域R1之每單位面積的切削能力。又，本 實施形態，雖係使用金剛砂32作爲硏磨粒子來形成硏磨面 ，但並不限於此，例如，不使用硏磨粒而使用其他切削刀 ，藉由適當的設定該切削刀之分佈密度，亦能將圓環區域 R2之每單位面積的切削能力，設定成高於圓形區域R1之 每單位面積的切削能力。 又，前述修整工具21，基本上，雖能以使用金剛砂作 爲硏磨粒之習知修整工具同樣的，以電塗膜方法來加以製 造，但爲了改變各區域Rl，R2之金剛砂32之平均分佈密 度，例如，在將金剛砂32分佈於圓形區域R1時以遮板 (mask板)等遮蔽圓環區域R2，且在將金剛砂32分佈於圓 環區域R2時以遮板等遮蔽圓形區域R1，於兩區域Ri，R2 分別分佈金剛砂32即可。當然，修整工具21之製造方法 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " ' 546182 A7 五、發明說明（ff) ，亦可採用其他各種方法。 如圖8所示，修整面之圓形區域R1之直徑，係設定 得略大於硏磨墊25半徑內之前述有效使用寬度。修整面之 圓環區域R2之外徑，則係設定爲硏磨墊25外徑的大致一 半。 根據此修整裝置，如圖7及圖8所不，即在硏磨藝j 25 之硏磨面(本實施形態中係下面)以既定壓力（負載)壓接於修 整工具21之修整面的狀態下，硏磨墊25及修整工具21分 別如箭頭a，c所示般進行旋轉，據以進行硏磨墊25之硏磨 面25a之修整。 根據本實施形態，由於修整工具21之修整面，係由每 單位面積之切削能力相對較低之圓形區域R1與每單位面 積之切削能力相對較高之圓環區域R2所構成，因此藉適 當的設定此等之切削能力，即能以高精度使硏磨墊之硏磨 面平坦。 爲確認此效果，本案發明人等，藉由與前述實施形態 之修整裝置相同的修整裝置或將之加以變形之修整裝置， 對初期爲完全平坦之硏磨墊25施以既定時間之硏磨後，根 據普列斯頓公式進行之模擬，獲得了硏磨墊25半徑方向之 厚度分佈。該模擬結果顯示於圖1〇及圖11。 獲得圖10中之模擬結果A時之模擬條件如下。亦即 ，設前述實施形態中，圓環狀硏磨墊25之內徑爲60mm、 硏磨墊25之外徑爲170mm、硏磨墊25與修整工具21之 間的負載爲3kgf、硏磨墊25之旋轉速度爲395rpm、修整 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 · -線· 546182 A7 .. B7 Π ------ 五、發明說明（（) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 工具21之旋轉速度爲175rpm、硏磨墊25與修整工具21 之旋轉方向爲同方向、修整工具21之圓形區域R1之直徑 爲70mm、修整工具21之圓環區域R2之內徑爲80mm、圓 環區域R2之外徑爲100mm、硏磨墊25之中心01與修整 工具21之中心02間之距離爲52.5mm、圓環區域R2之硏 磨粒平均分佈密度D2規格化爲1時之圓形區域R1之硏磨 粒平均分佈密度D1爲0.25(即Dl/D2=0.25)。 獲得圖1〇中之模擬結果B時之模擬條件，係設D1/ D2=0.5，其他條件則與模擬結果A時之條件相同。獲得 圖10中之模擬結果C時之模擬條件，係設Dl/D2 = 0.75 ，其他條件則與模擬結果A時之條件相同。獲得圖10中 之模擬結果D時之模擬條件，係設Dl/D2= 1 ’其他條件 則與模擬結果A時之條件相同。 線- 相對於模擬結果A，B，C爲本發明各實施例之模擬結 果，模擬結果D則爲比較例之模擬結果。 獲得圖11中之模擬結果E時之模擬條件，係去除圓 形區域R1而僅以圓環區域R2構成修整工具21之修整面 ，並設圓環區域R2之內徑爲80mm、圓環區域R2之外徑 爲100mm，其他條件則與模擬結果A時之條件相同。 獲得圖11中之模擬結果F時之模擬條件，係去除圓 環區域R2而僅以圓形區域R1構成修整工具21之修整面 ，並設圓形區域R1之直徑爲70mm，其他條件則與模擬結 果A時之條件相同。 模擬結果E，F，係分別相當於習知技術之修整裝置例 21 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 546182 _ B7 _ 五、發明說明（>θ) 的模擬結果。又，圖11中之G，係代表硏磨墊25之修整 前初期之厚度分佈。 由圖10所示之模擬結果A〜D可知，藉設定成 D1<D2，與設定成D1二D2之情形相較，可使修整後硏磨 墊25之厚度平坦。特別是圖1〇所示之模擬例中，如模擬 結果A般，設Dl/D2=0.25的話，可使硏磨墊25大致完 全平坦。 僅以圓環區域R2構成修整工具21之修整面時，如圖 11中之模擬結果E般，獲得向上凸之厚度分佈。另一方面 ，僅以圓形區域R1構成修整工具21之修整面時，如圖11 中之模擬結果F般，獲得向下凹之厚度分佈。本發明實施 例之模擬結果A〜C中，因圓環區域R2而向上凸之厚度分 佈的傾向與因圓形區域R1而向下凹之厚度分佈的傾向’ 得到了合成之厚度分佈特性，該兩者之貢獻程度應係由D1 /D2所決定。圖10所示之模擬例中，在Dl/D2=0_25 之情形時，由於兩者之傾向彼此大致完全抵消’因此被認 爲能獲得大致完全平坦的厚度分佈。 以上，由於係根據以模擬之理論計算，因此在現實結 果上，與模擬結果會有些許偏差。然而，本案發明人等實 際進行實驗後，雖然條件之數値須視需要適當的加以變更 ，但獲得了與模擬時相同傾向之實驗結果。實際之條件， 在硏磨墊25修整後能成爲最平坦般，例如，適當決定D1 /D2等即可。又，平均分佈密度Dl，D2之値本身，可考 慮金剛砂32之粒徑等來適當決定，以滿足此種比例，且使 _ 22 _ 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . i線· 546182 A7 -^__B7___ 五、發明說明（/^) 修整後硏磨墊25之硏磨面達到期望程度之粗糙度即可。 以上，若根據使用圖7至圖11所說明之實施形態之發 明的話，即能提供一以良好之精度使修整後硏磨墊之硏磨 面平坦的修整工具、及使用此修整工具之修整裝置。 《第3實施形態》 圖12，係以示意方式顯示本發明第3實施形態之硏磨 裝置的槪略構成圖。圖13，係以示意方式顯示硏磨墊44 之修整時，修整工具51之修整面53與硏磨墊44之位置關 係的槪略俯視圖。 本實施形態之硏磨裝置，具備：硏磨工具41，將晶圓 42保持於位在圖右側所示之硏磨站(硏磨區)之硏磨工具41 下側的晶圓保持具43，將硏磨劑(硏磨液)透過形成於硏磨 工具41之供應路(未圖示）供應至晶圓42與硏磨工具41 之間的硏磨劑供應部（未圖示），配置在圖左側所示之修整 站(修整區）、用以修整位在修整站之硏磨工具41之硏磨墊 44之硏磨面的修整裝置46,且配置在修整站的移位計47 ，由電腦等所構成的控制部48，在控制部48之控制下驅 動各部馬達的驅動部49，以及鍵盤等的輸入部50。 硏磨工具41，具有硏磨墊44，以及用以支撐硏磨墊 44中與硏磨面相反側之面的基材45。本實施形態中，硏磨 墊44之形狀，如圖13所示，雖形成爲去除了旋轉中心附 近部分的環狀，但不限定於此，例如亦可是圓板狀。硏磨 工具41，藉由作爲致動器之使用電動馬達之未圖示機構， 如圖12中箭頭A，B，C所示，能進行旋轉、上下動作及左 23 才、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· -線· 546182 A7 ____ B7___
五、發明說明（>D 右搖動(來回移動）。又，硏磨工具41，藉由作爲致動器之 使用電動馬達之未圖示移動機構，如圖12所示，能向硏磨 站及修整站移動。 硏磨工具41，透過能鎖住之萬向機構55，機械連接 於旋轉軸56。圖中雖未顯示，此萬向支撐構造55，雖具有 與習知使用之萬向機構基本上相同之構成，但亦具有以電 磁致動器進行動作的鎖止機構，在控制部48之控制下，在 下述狀態之間，亦即，使硏磨工具41相對旋轉軸56傾斜 自如之狀態（萬向狀態），與使硏磨工具41相對旋轉軸56 無法傾斜之狀態(萬向鎖止狀態)間進行切換。 晶圓42，係保持於晶圓保持具43上，晶圓42之上面 即爲被硏磨面。晶圓保持具43，藉由作爲致動器使用電動 馬達之未圖示機構，如圖12中箭頭D所示，能進行旋轉 〇 本實施形態中，係將硏磨工具41之直徑設爲較晶圓 42之直徑小，裝置全體之設置面積變小，且易於進行高速 、低載重硏磨。當然，本發明中，硏磨工具41之直徑亦可 設爲與晶圓42之直徑相同或較大。 接著，說明使用該硏磨裝置所進行之晶圓42之硏磨。 硏磨工具41，於硏磨站，係一邊旋轉一邊搖動，以既定之 壓力(載重)壓接在晶圓保持具43上之晶圓42上面。旋轉 晶圓保持具43亦使晶圓42旋轉，使晶圓42與硏磨工具 41之間進行相對運動。於此狀態下，將硏磨劑從硏磨劑供 應部供應至晶圓42與硏磨工具41之間，使其擴散，來硏 24 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----I---------· I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . ί線- 546182 A7 B7__ 五、發明說明（y1^) 磨晶圓42之被硏磨面。亦即，使硏磨工具41與晶圓42之 相對運動所產生之機械硏磨，及硏磨劑之化學作用起相乘 作用，來進行良好之硏磨。 修整裝置46，具備修整工具51。本實施形態中，修 整工具51，具有上面外周側之環狀部分爲高一段之平面而 構成的圓板狀工具本體52,該高一段之環狀部分上面爲分 佈有金剛砂等硏磨粒之構造。此硏磨粒分佈之環狀區域， 即構成修整面53。當然，修整工具51之構成，並不限定 於此種構成。此外，修整面53並不限於爲環狀，例如亦可 是圓形狀。 又，本實施形態中，修整裝置46，具備使修整工具 51如箭頭E般旋轉之旋轉機構61，以及能調整並設定修 整面53之箭頭F方向之傾斜的傾斜調整機構62。 傾斜g周整機構62 ’具有固疋於基座63的支架64，以 軸65支撐於支架64成能傾斜動作的傾斜動構件66，未圖 示之作爲致動器的電動馬達，使前述電動馬達動作來使傾 斜動構件66傾斜動作，且使前述電動馬達停止時，於該位 置保持傾斜動構件66。當然，傾斜調整機構62並不限定 於此種構造，而可採用各種構造。圖中雖未詳細圖示，於 傾斜動構件66上固定旋轉機構61之基座側，旋轉機構61 之旋轉側則固定於修整工具51之工具本體62。旋轉機構 61 ’具有電動馬達(未圖示)以作爲致動器。 傾斜調整機構62之軸65，延伸於圖12中紙面之垂直 之方向，延伸於圖13所示直線G(圖13所示之修整時，通 25 張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " —— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -線· 546182 A7 ___B7_ 五、發明說明（γψ 過硏磨墊44之中心〇i及修整工具51之修整面53之中心 02的直線）之正交方向。據此，本實施形態，能調整並設 定繞此軸65軸線(箭頭F方向)之修整面53之傾斜。雖然 能調整修整面53之此方向F之傾斜者最佳，但亦可將傾斜 調整機構62構成爲非此方向而係能調整其他方向之傾斜。 又，本實施形態中，傾斜調整機構62，雖係構成爲能如前 述般能調整並設定修整面53之傾斜，但相反的，亦能構成 爲調整並設定硏磨工具41之傾斜。 硏磨墊44之硏磨面(本實施形態中，爲下面)之修整， 係如圖12及圖13所示，位於修整站之硏磨工具41之硏磨 墊44在施加負載的狀態下，被壓接抵於修整工具51之修 整面53，硏磨工具44及修整工具51分別如箭頭Α，Ε所 示般旋轉，與硏磨同樣的進行。但硏磨工具41之箭頭C 方向之搖動，則無。如圖12及圖13所示，此修整，係在 修整面53之一部分從硏磨墊44突出於其外周側及內周側 的狀態下進行。此修整中，萬向機構55爲萬向鎖止狀態， 此外，傾斜調整機構62，則仍保持預先設定之修整工具51 之修整面53之傾斜。因此，硏磨墊44之修整中，以硏磨 工具41之基材45之硏磨墊支撐面(下面)爲基準之修整面 53之相對傾斜，不會變化。 本實施形態中，配置於修整站之移位計47，係構成能 獲得對應硏磨墊44之硏磨面表面形狀資訊的測量部。移位 計47，係在控制部48之控制下獲得此資訊。本實施形態 中，雖未圖示，但作爲移位計係使用市售之接觸觸針式移 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 --線· 546182 A7 _B7 _ 五、發明說明 位計，其觸針接觸硏磨墊44之硏磨面而視其高度上下移動 ，使觸針滑向硏磨墊44之半徑方向，即能測定硏磨墊44 之硏磨面表面形狀。又，由於硏磨墊44之同一半徑之圓周 上各位置之高度實質上相同，因此亦可僅測定沿硏磨墊44 某一半徑之一線上各位置之高度。作爲移位計44，亦可取 代接觸觸針式移位計，而使用例如光學式移位計等。 控制部48，作爲通常控制，係控制各部以在硏磨站進 行前述硏磨動作，並控制各部以既定之頻率於修整站進行 前述修整。 此外，控制部48，亦進行圖14所示之傾斜調整控制 。圖14，顯示傾斜調整控制動作的槪略流量圖。控制部48 ，回應作業員操作來自輸入部50之傾斜調整指令信號，開 始傾斜調整控制。此指令信號，例如，在將修整工具51換 新時賦予即可。當然，即使在使用相同修整工具51之期間 ，亦可以既定頻率賦予傾斜調整指令信號。傾斜調整指令 信號，亦可不由作業員從輸入部賦予，而係例如由控制部 48本身來判斷對應預先設定之頻率的時間，自動產生。 控制部48，在開始傾斜調整控制後，首先，進行前述 硏磨墊44之修整(步驟S1)。當此修整結束後，控制部48 ，即將控制信號送至移位計47，使其進行前述硏磨墊44 之表面形狀測量，以取得該表面形狀資料(步驟S2)。此表 面形狀之測量時，例如，係在使修整工具51之旋轉停止， 使硏磨墊44之硏磨面從修整工具51之修整面53浮起，使 硏磨工具41旋轉的狀態下進行。 27 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) "~' 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 . 546182 B7 五、發明說明（τ() --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，控制部48，藉由判定在步驟S2最新取得之表 面形狀’相對理想之完全平坦之表面形狀’是否爲預先所 定容許範圍內之表面形狀，來判定以傾斜調整機構62現在 設定之修整工具51之修整面53之傾斜’是否爲期望之傾 斜(步驟S3)。 i線· 於步驟S3判定並非是容許範圍內之表面形狀(亦即， 現在之修整面53之傾斜並非是期望之傾斜)時，控制部48 ，即使傾斜調整機構62動作來調整修整面53之傾斜，以 使修整後之表面形狀成爲容許範圍內之表面形狀’或成爲 接近該表面形狀之傾斜，並設定於該傾斜(步驟S4)，回到 步驟S1。又，作爲表面形狀與修整面53之傾斜的關係， 可能使用自實驗數據等所求之式或查閱表(look UP table)， 來求出所需之傾斜量。或者’以傾斜之調整量作爲某一程 度之小的固定量，僅於傾斜之增減方向自步驟S2所得之表 面形狀來加以求出。 另一方面，當步驟S3判定係容許範圍內之表面形狀 時，控制部48，即結束傾斜控制調整，進行前述一般控制 〇 根據本實施形態，如前所述，於硏磨墊44之修整中， 以硏磨工具41之基材45之硏磨墊支撐面(下面)爲基準之 修整面53的相對傾斜，係保持爲以傾斜調整機構62事先 調整並設定之傾斜。然後，以控制部48進行之前述傾斜調 整控制的結果，最終設定之修整面53之相對傾斜，係排除 了硏磨工具41之旋轉軸與修整工具51之旋轉軸之傾斜差 28 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 ^爱) 546182 A7 ___B7 五、發明說明（/]) --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的影響，而設定成能獲得極力接近於理想之完全平坦之表 面形狀的硏磨墊44之表面形狀的傾斜。 因此，根據本實施形態’利用萬向機構角度追隨性之 硏磨墊的修整技術中，過去妨礙硏磨墊之平坦化提昇的主 要因素獲得了消除，且能完全排除硏磨工具41之旋轉軸與 修整工具51之旋轉軸之傾斜差的影響。因此’若根據本實 施形態，與習知技術相較’能以較高之精度將硏磨墊修整 成平坦。此外，若根據本實施形態，由於利用以此方式高 精度的修整成平坦之硏磨墊44 ’於硏磨站硏磨晶圓42 ’因 此能以高精度將晶圓42硏磨成平坦。 此外，本實施形態中，亦可使用圖7所示之修整工具 21來取代修整工具51。如此，能同時獲得以上所述之本實 施形態之效果，與前述第2實施形態所述之使修整工具21 爲特殊構造之效果。 --線· 《第4實施形態》 圖15，係以示意方式顯示本發明第4實施形態之修整 裝置的槪略構成圖。圖16，係以示意方式顯示修整工具72 之修整面84與硏磨墊44之位置關係的槪略俯視圖。 前述第3實施形態中，修整裝置46係組裝於硏磨裝置 中。此外，第3實施形態中，以傾斜調整機構62進行之傾 斜調整係自動化。 相對於此，本實施形態之修整裝置，係與硏磨裝置獨 立構成。又，本實施形態中，，以傾斜調整機構進行之傾 斜調整係由作業員以手動進行之方式構成。 29 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 546182 A7 _ B7 _ 五、發明說明（>{f) 本實施形態之修整裝置，例如，係用以修整前述第3 實施形態之圖12所示之硏磨裝置中，將修整裝置46去除 之硏磨裝置所使用之硏磨墊44之硏磨面（圖15中之下面) 〇 本實施形態之修整裝置，具備：以真空吸附等方式保 持硏磨墊44的墊保持具71，修整工具72，傾斜調整機構 73，上下動機構74，移位計75，以及顯示部76。 墊保持具71，具有用以在硏磨墊44中支撐與硏磨面 相反側之面的圓板狀基材81。本實施形態中，硏磨墊44 之形狀，亦如圖16所示，係去除了旋轉中心附近部分的環 狀，但不限定於此，例如亦可是圓板狀。墊保持具41，藉 由作爲致動器之使用電動馬達之未圖不機構，能如圖15圖 16中之箭頭Η所示，進行旋轉。墊保持具71，不進行上 下動及搖動。墊保持具71，並不透過萬向機構而固定於旋 轉軸72。因此，墊保持具71無法傾斜。 本實施形態中，修整工具72，具有矩形體狀之工具本 體83，其上面全體分佈了金剛砂等硏磨粒構造。此硏磨粒 所分佈之長方形區域，即構成修整面84。當然，修整工具 72之構成、以及修整面74之形狀，並不限定於此種構成 及形狀。 傾斜調整機構73,係構成爲能調整並設定修整面84 之箭頭J方向之傾斜。傾斜調整機構73，具有：固定於基 座側構件85之支架86，藉由軸87以能傾斜動之方式支撐 於支架86的傾斜動構件88，調整螺絲89，固定於構件85 30 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 546182 A7 __B7____ 五、發明說明e/j) 、將調整螺絲支撐爲旋轉自如的支撐構件90，螺合調整螺 絲89、能如圖15中之箭頭K所示般於構件85上左右動的 左右動構件91，以調整傾斜動構件88之傾斜、鎖止支架 86及解除該鎖止的鎖止螺絲(未圖示）。左右動構件91之上 面及傾斜動構件88之前端部下面，成彼此卡合之推拔面。 此傾斜調整機構73，在操作員解除前述鎖止螺絲將調整螺 絲89旋轉至一方或另一方時，左右動構件91即對應該旋 轉方向及量而左右動。由於左右動構件91及傾斜動構件 88之推拔面係呈卡合狀態，因此對應左右動構件91之左 右動，而決定傾斜動構件88之圖15中箭頭J方向之傾斜 。傾斜動構件88與修整工具72之工具本體73，係透過連 結構件92而固定。因此，操作員藉由解除前述鎖止螺絲將 調整螺絲89旋轉至一方或另一方，即能調整修整面84之 箭頭J方向傾斜，於該調整後以前述鎖止螺絲加以鎖止， 即能保持該傾斜。當然，傾斜調整機構73並不限定於此種 構造，可採用其他之各種構造。 傾斜調整機構73之軸87，係延伸於與圖15之紙面垂 直的方向，相對圖16所示之直線Μ(圖16所示之，通過硏 磨墊44之中心01及修整工具72之修整面84之中心03 的直線)延伸於其正交方向。據此，本實施形態中，能調整 並設定繞此軸87之軸線(箭頭J方向）的修整面84之傾斜 。雖然能調整修整面84之此方向J之傾斜是最佳的，但亦 能將傾斜調整機構73構成爲非此J方向，而是能調整其他 方向之傾斜。又，本實施形態中，傾斜調整機構73，雖係 31 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： i線· 546182 A7 __B7_ 五、發明說明（j Ρ) 如前述般構成爲能調整並設定修整面84之傾斜，但相反的 ，亦可構成爲能調整並設定墊保持具71之傾斜。 上下動機構74，係由汽缸所構成。亦即，上下機構 34，具有··固定於基座93之汽缸管94，於汽缸管94內嵌 合成能於軸方向（上下方向)滑動自如的活塞95，連結於活 塞95、貫通汽缸管94向上方延伸之活塞桿96。桿96之上 端，係固定於構件85。藉由適當地設定汽缸管94內以活 塞95區劃之兩側之室的供排氣及其壓力，即能使活塞桿 96朝箭頭L方向上下動，且決定修整工具72之修整面84 對硏磨墊44的按壓力。 移位計75，係與圖12中之移位計47同樣的，構成爲 能獲得對應硏磨墊44之硏磨面表面形狀之資訊的測量部， 可使用與移位計47相同者。顯示部76，係用來顯示以移 位計75所測量之表面形狀。 根據本實施形態，硏磨墊44之硏磨面(本實施形態中 ，爲下面)之修整，如圖15及圖16所示，係藉由上下動機 構向上動作，將硏磨墊44在施加負載的狀態下，抵接按壓 於修整工具72之修整面84，使墊保持具71如箭頭Η所示 般旋轉而進行。如圖15及圖16所示，此修整’係在修整 面84之一部分從硏磨墊44突出於其外周側及內周側的狀 態下進行。此修整中，墊保持具71之傾斜不變，此外，傾 斜調整機構73，則仍保持預先設定之修整工具72之修整 面84之傾斜。因此，硏磨墊44之修整中，以墊保持具71 之基材81之硏磨墊支撐面(下面)爲基準之修整面84之相 32 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 --線· 546182 κι ___Β7__ 五、發明說明？] i) 對傾斜，不會變化。 ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線- 本實施形態中，大致對應前述圖12中控制部48之圖 14所示之調整控制機構，係由操作員來擔任。亦即，操作 員，首先，係進行前述修整動作。此修整動作結束後，操 作員，即使用移位計75來進行硏磨墊44之表面形狀的測 量，將測量之表面形狀顯示於顯示部76。然後，操作員觀 察顯示部76所顯示之表面形狀，來判定此表面形狀，是否 相對理想之完全平坦的表面形狀爲預先設定之容許範圍的 表面形狀，據以判定以傾斜調整機構73現在設定之修整工 具72之修整面84之傾斜，是否爲期望之傾斜。若不是容 許範圍內之表面形狀的話，操作員即根據顯示部76所顯示 之表面形狀，以傾斜調整機構73來調整修整面84之傾斜 ，以使修整後之表面形狀成爲容許範圍內之表面形狀，或 成爲接近該表面形狀之傾斜，並設定於該傾斜，且重複以 上動作，直至所測量、顯示之表面形狀成爲容許範圍內之 表面形狀。成爲容許範圍內之表面形狀後，即結束修整面 84之傾斜調整，又，該硏磨墊44之修整即結束。 根據本實施形態，由於需要操作員之作業，因此與前 述第3實施形態相較，雖略爲繁雜，但與前述第1實施形 態同樣的，與習知方式相較，能以更高的精度將硏磨墊4 修整成平坦。 又，前述第3實施形態中，取代圖12中之傾斜調整機 構62及旋轉機構61，而設置圖is中之傾斜調整機構73 及連結構件92亦可。相反的，於前述第4實施形態中，取 33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐] ~ -- 546182 A7 _______Β7_____ 五、發明說明上） 〆’ 代圖15中之傾斜調整機構73及連結構件92，而設置圖12 中之傾斜調整機構62及旋轉機構61亦可。此時，設置進 行控制順序（相當於前述操作員之操作）控制部及輸入部的 話，即使是與硏磨裝置獨立之修整裝置亦能謀求自動化。 謀求此種獨立之修整裝置之自動化時’並不一定需要在該 修整裝置中設置移位計75。此時’在從墊保持具71暫時 取下硏磨墊44之狀態下，使用與該修整裝置獨立另一移位 計測量該硏磨墊4之硏磨面表面形狀，將該資料由輸入部 輸入控制部即可。 又，前述第3實施形態之圖12所示之硏磨裝置中去除 了修整裝置46之硏磨裝置，使用前述第4實施形態之修整 裝置加以修整之硏磨墊44者，爲本發明其他實施形態之硏 磨裝置。 《第5實施形態》 圖17,係顯示本發明實施形態之半導體元件製造方法 的流程圖。圖13，係以示意方式顯示硏磨墊44之修整時 ’修整工具51之修整面53與硏磨墊44之位置關係的槪略 俯視圖。 步驟S201係使矽晶圓表面氧化之氧化製程。步驟 S202係以CVD等在矽晶圓表面形成絕緣膜之CVD製程。 步驟S203係在矽晶圓上以蒸鍍等製程形成電極膜之電極形 成製程。步驟S204係在矽晶圓植入離子之離子植入製程。 CVD製程或電極形成製程後，進至步驟s2〇9，判斷 是否要進行CMP製程。若不要進行時進至步驟S2〇6，但 ______ 34 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I · --線 546182 A7 __B7 —___ 五、發明說明q j) --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 若要進行時就進至步驟S205。步驟S205係CMP製程，該 製程，係使用本發明之硏磨裝置，進行層間絕緣膜之平坦 化，或半導體元件表面之金屬膜之硏磨所造成的鑲嵌 (damascene)之形成等。 CMP製程或氧化製程後進至步驟S206。步驟S206係 微影製程。於微影製程中，係進行對矽晶圓塗佈光阻劑、 使用曝光裝置之曝光將電路圖案轉印至矽晶圓、使曝光之 矽晶圓顯影。進一步的，其次之步驟S207，係將顯影之光 阻像以外之部分以蝕刻法加以削除，然後進行光阻剝離， 去除蝕刻完成後不需之光阻的蝕刻製程。 其次，在步驟S208判斷是否完成所需之全部製程， 若尙未完成即回到步驟S200，反覆之前的步驟，將電路圖 案形成於矽晶圓上。若步驟S208判斷已完成全部製程即結 束。 •線- 本發明之半導體元件製造方法，由於在CMP製程中 係使用本發明之硏磨裝置，故能以良好之精度將晶圓硏磨 成平坦。因此，能提高CMP製程之良率，與習知半導體元 件製造方法相較，具有能以低成本製造半導體元件之效果 〇 又，於前述半導體元件製造方法以外之半導體元件製 造方法之CMP製程中，亦可使用本發明之硏磨裝置。 根據本發明之半導體元件製造方法，與習知半導體元 件製造方法相較，能以低成本製造半導體元件，具有能降 低半導體元件之製造價錢的效果。 ______ 35 T紙張尺度適用中闇家標準（CNS)A4規格（21Q χ 297公髮）" *-- 546182 B7 五、發明說明 / [產業上之可利用性] 本發明之修整工具、修整裝置，可使用於硏磨裝置之 硏磨墊之硏磨等。此外，本發明之加工裝置，例如可作爲 硏磨裝置，於半導體元件之製程中使用於晶圓之硏磨。再 者，本發明之半導體元件製造方法，可使用於具有微細圖 案之半導體元件之製造。 [圖式之簡單說明] 圖1，係以示意方式顯不本發明一實施形態之修整裝 置之構成的槪略構成圖。 圖2,係顯示圖1所示之修整裝置中硏磨墊與修整裝 置之位置關係的槪略俯視圖。 圖3,係顯示使用長方形之修整工具來進行修整時之 硏磨墊面平坦性之模擬結果的圖。 圖4,係顯示本發明之長方形修整工具與硏磨墊之接 觸長度關係的說明圖。 圖5，係顯示進行使本發明之長方形修整工具中，與 硏磨墊之周方向接觸長度完全相等之修正時，左右邊形狀 之例的圖。 圖6,係顯示本發明一實施形態之修整裝置的槪略俯 視圖。 圖7,係顯示本發明一實施形態之修整裝置之構成的 槪略構成圖。 圖8，係以示意方式顯示使用圖7所示之修整裝置進 行硏磨墊之修整時，修整工具之修整面與硏磨墊之位置關 __36 】中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I---— — — — — —----· I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂： --線· 546182 A7 _—------ B7 __ 五、發明說明cy() 係的槪略俯視圖。 0 9 ’係以不意方式顯示圖7所示之修整裝置所使用 之修整工具的槪略放大截面圖。 圖1〇 ’係顯示修整後硏磨墊之厚度分佈之模擬結果的 圖。 圖11，係顯示修整後硏磨墊之厚度分佈之另一模擬結 果的圖。 圖12,係以示意方式顯示本發明之一實施形態之硏磨 裝置之構成的槪略構成圖。 圖13 ’係以示意方式顯示圖12所示之硏磨裝置之硏 磨墊的修整時，修整工具之修整面與硏磨墊之位置關係的 槪略俯視圖。 圖14 ’係顯示傾斜調整控制動作的槪略流程圖。 圖I5 ’係以示意方式顯示本發明之一實施形態之修整 裝置之構成的槪略構成圖。 圖16，係以示意方式顯示圖15所示之修整裝置中， 修整工具之修整面與硏磨墊之位置關係的槪略俯視圖。 圖17 ’係顯示半導體元件製程的流程圖。 圖18 ’係顯示習知之修整裝置之構成及修整後加工面 形狀的槪略圖及截面圖。 [符號說明] 1 修整工具保持機構 2, 21，51，72 修整工具 3, 53, 74, 84 修整面 -______ 37 氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -線· 546182 A7 _B7 五、發明說明 4, 22, 63, 93 基座 5 保持汽缸機構 6, 94 汽缸管 7a 活塞頭 7b，96 (活塞)桿 10 墊保持機構 11 墊保持頭 12, 26, 56 旋轉軸 15, 25, 44 硏磨墊 15a，25a 硏磨墊面(硏磨面) 23, 61 旋轉機構 24, 45 基材 31 基板 31a 同心圓狀槽 32 金剛砂 33 鎳鍍層 34 上下機構 41 硏磨工具 42 晶圓 43 晶圓保持具 46 修整裝置 47 移位計 48 控制部 49 驅動部 38 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐：) ----I---------· I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線- 546182 A7 _B7 五、發明說明（^/|) 50 輸入部 52 修整工具本體 55 萬向機構 62, 73 傾斜調整機構 64, 86 支架 65, 87 軸 66, 88 傾斜動構件 71 墊保持具 76 顯示部 85 基座側構件 89 調整螺絲 91 左右動構件 Dl，D2 平均分佈密度 DA 修整裝置 01，02, 03 旋轉中心軸 Rl，R2 圓形區域 Si 內周位置A之周方向接觸長度 So 外周位置B之周方向接觸長度 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）