TW544652B - Active matrix type display apparatus, active matrix type organic electroluminescence display apparatus, and driving methods thereof - Google Patents

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544652 A7 ____B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 本發明係關於一主動陣列型式顯示器裝置，該裝置之每 一像素中具有一主動裝置’及利用該主動裝置及一驅動方 法控制像素單元中之顯示，具體地說，本發明係關於一使 用根據流入之電流改變亮度之電光裝置的主動陣列型式顯 不器裝置，一種使用有機材料電致發光（以下稱之為有機 EL(電致發光））裝置之主動陣列型式有機el顯示器裝置作 為電光裝置，及其驅動方法。 一液晶頰示器使用一液晶單元作為一像素顯示器裝置， 例如’具有大量像素配置成陣列型式，及根據顯示影像的 資訊控制各像素的光強度，因而影響影像顯示器的驅動。 相同顯示器的驅動係受一使用有機EL裝置作為一像素顯 示器裝置及其他的有機EL顯示器所影響。 因為有機EL顯示器為一種所謂自行發光型顯示器使用 一發光裝置作為一像素的顯示器裝置，不過，比較液晶顯 示器，有機EL顯示器具有優點如較高的影像可見度，不 而需要背光，及較高的回應速度。另外，各發光裝置的亮 度由流入的電流值控制。即是有機EL顯示器與液晶顯示 器或其他電壓控制型式的顯示器最大不同為有機EL顯示 器為電流控制型式。 如同液晶顯示器，有機EL顯示器使用一被動陣列方法 及一主動陣列方法作為驅動方法。雖然前者構造簡單，不 過，前者具有問題如很難達成大的高清晰度顯示器。因此 ，最近發展的主動陣列方法利用一主動裝置控制流經一像 -5- 紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（21 〇 X 297公I)" —-- 544652 Λ7 B7 五、發明説明 素内的發光裝置的電流，例如，在像素内也配置一絕緣閉 極場效電晶體（一般為一薄膜電晶體，TFT)。 圖1所示為一主動陣列型式有機EL顯示器中之一像素電 路（一像素單元的電路）的傳統例子（更詳細的說明請參見 美國專利第5,684,365號和日本專利待審未決（Lai扣〇pen) 第 Hei 8-234683 號）。 k圖1清楚看出’根據傳統例子的像素電路包括：一有 機EL裝置1〇1具有一陽極連接一正電源供應vdd; 一 TFT 102具有一沒極連接有機EL裝置101的陰極及一源極連接 接地（以下稱”接地”）；一電容器1〇3連接TFT 1〇2的閘極及 接地之間；及一 TFT 104具有一汲極連接打丁 1〇2的閘極， 一源極連接一資料線106，及一閘極連接一掃描線1〇5。 因為有機EL裝置在許多情況下具有一整流性質，有機El 裝置可稱為一 0LED(有機發光二極體）。所以，在圖^及其 他圖中，使用二極體符號表示有機£[裝置作為〇led。不 過，在下列說明中，0LED並不需要整流性質。 所形成的像素電路的操作如下。首先，如果掃描線ι〇5 的電位達到一選擇狀態（在此為高位準）及一寫入電位Vw施 加在資料線106，TFT 104導電，電容器103充電或放電， 及TFT 102的閘極電位變為寫入電位Vw。並 線輯電位達到一非選擇狀態(在此為低㈣ 電截斷掃描線105，同時TFT 102的閘極電位由電容器ι〇3 穩定定位。 °° 假没一值相當於TFT i 〇2的閘極對源極電壓，電流 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 1297公釐） * -------— 544652 A 7 B7 五 發明説明（3 流過TFT 102及OLED 1〇1，及〇lED 101繼續發光其亮度 相當於該電流值。選擇掃描線1〇5及傳輸供應資料線1〇6的 焭度資料至像素内部的操作以下稱作，，寫入”。如上述，一 旦圖1所示的像素電路寫入電位Vw，〇LED 以固定亮 度繼續發光直到下一次寫入。 可將大量的該等像素電路（以下將簡稱為像素）111以圖2 所示的陣列型式配置，並經由資料線丨丨^丨到丨丨^爪，從一 電壓驅動型式資料線驅動電路（電壓驅動器）丨丨4重複執行 寫入的動作，同時利用一掃描線驅動電路丨丨3循序選擇掃 描線112-1至112-n，便形成一主動陣列型式顯示器裝置（有 機EL顯示器）。本例所示為m行及n列的像素排列，無疑地 ，在本例中，資料線的數目為m，掃描線的數目為η。 各發光裝置在被動陣列型式顯示器裝置中只當發光裝置 被選擇時瞬間發光，然而發光裝置在主動陣列型式顯示器 裝置中則繼續發光即使在寫入完成以後。如此，主動降列 型式顯示器裝置作為一大型高清晰度顯示器使用特別有利 ，其中比較被動陣列型式顯示器裝置主動陣列型式顯示器 裝置可以減少發光裝置的尖峰亮度及尖峰電流。 在主動陣列型式有機EL顯不器中，一 TFT(薄膜場效 電晶體）一般在一玻璃基板上形成作為一主動裝置。不過 ’已知使用非結晶矽及多晶矽形成的TFT具有較差的結晶 性及較差的對單晶矽的導電機構的控制性，及因而形成的 TFT具有大的特性變化。 如果一複晶矽T F T在一較大的玻璃基板上形成，特別， -7- 本紙張尺度適川中國國家標準(CNS) A4規格（21() X 297公釐） 544652 A7 B7 五、發明説明（4 ) 為了避免如玻璃基板熱變形的問題，複晶矽TFT通常在 非結晶碎膜形成後利用雷射退火方法結晶。不過^大玻璃 基板用雷射能照射很難均勻，因而複矽晶的結晶狀態根據 在基板内的位置而變化。結果，在同一基板形成的TFT的 低臨限值Vth每個像數不同相差數百mV或在某些情況下， 為1 V或更多。 在那種情況中，即使不同像素寫入相同電位Vw，例如 ，TFT的每個像素之低臨限值Vth仍然不同。這樣造成每 個像素流經OLED(有機EL裝置）的電流Ids差異很大，因而 電流Ids偏離理想值。所以，不能期待該顯示器具有高圖 像品質。這種情況屬實不只是低臨限值Vth變化而且載體 移動率μ等也發生變化。 為了解決此問題，本發明之創作人曾發表一種電流寫入 型式像素電路，如圖3的例子所示（請參見國際出版號碼 W0 01/06484) 〇 如圖3所示，現行寫入型像素電路包括：一 OLED 121， 具有一陽極連接正電源Vdd ; — Ν-通道TFT 122，具有一 汲極連接OLED 121的陰極及一接地的源極；一電容器123 連接於TFT 122的閘極和接地之間；一P-通道TFT 124，具 有一汲極連接一資料線128，及一閘極連接一掃描線127 ; 一 N-通道TFT 125，具有一汲極連接TFT 124之源極，及一 接地的源極；及一個P-通道TFT 126，具有一汲極連接TFT 125之汲極、一源極連接TFT 122之閘極，及一閘極連接掃 描線127。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公货） 544652 A7 B7 五、發明説明（5 ) 一一^ 所形成的像素電路與圖1所示的像素電路在下列特徵中 大不相同·如果是圖i所示像素電路，供應電壓型式的亮 度資料至像素，然而如果是圖3所示像素電路，則供應電 流型式的亮度資料至像素。 首先，當要寫入亮度資料時，掃描線127轉成選定的狀 ® (本例為低位準），且一相當於該亮度資料的電流Iw經由 貝料線128傳遞。電流〜從TFT 124流到TFT 125。如此， Vgs為在TFT 125中發生的一閘極至源極的電壓。由於tft 12〕之閘極與汲極之間發生短路，而使打丁 125於一飽和區 中操作。 如此，按照眾所熟知的M0S電晶體方程式，下式成立：
Iw = j^lCoxlWl/；Ll/2 (Vgs _ Vthl) 2 ...(1) 在公式（1)中’ Vthl為TFT 125的低臨限值；μΐ·為τρτ 125 的載體移動率；C〇xl為TFT 125每單位面積的閘極電容； W1為TFT 125的通道寬；及L1為TFT 125的通道長度。 “:、後 3又丨^〜為流經OLED 12 1的電流，電流i(jrv的電流 值由TFT 122串連OLED 121控制。在圖3所示的像素電路 中，TFT 122的閘極至源極電壓與VgS重疊，在公式（！）中 ，因而假設TFT 122在一飽和區中操作。
Idrv -,u2Cox2W2/L2/2 (Vgs - Vth2) 2 ...⑺ 另外，MOS電晶體在一飽和區中的操作條件，一般而言 為： I Vds I > I Vgs - Vt | ...(3) -9- 各紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210〆297公釐） 544652 A7 B7 五、發明説明（6 ) A式（2)及A式（3)中參數的意義與公式（1)相同。因為TFT 125及TFT 122在一小像素内相鄰形成，因而可以認為… =μ2，Coxl = Cox2，及Vthl =嫌2。然後，從公式⑴及 公式（2)導出
Idrv/Iw = (W2/W1) / (L2/L1) …⑷ 4別’即使載體移動率μ ’每單位面積的閘極電容C〇χ ，及低臨限值Vth的值本身在一板表面内或由板至板發生 I化，流經OLED 121的電流idrv與寫入電流1〜保持一定 比例，及因而可以準確控制〇LED 12 1的發光亮度。特別 ，例如，如果設計Idrv/I\v = 1，導致W2 = W1及L2 = L1， 則不論TFT特性的變化，寫入電流Iw及流經〇led 121的電 流Idrv為同值。 圖4為一示意圖顯示電流寫入型式像素電路的另外電路 例子。根據本電路例子的像素電路的電晶體導電型式（N通 道/P通道）與根據圖3所示電路例子的像素電路相反。特別 ’圖3的N通道TFTs 122及125由P通道的TFTs 132及135取 代，及圖3的P通道TFTs 124及126由N通道的TFTs 134及136 所取代。電流方向及其他也不相同。不過，操作原理完全 相同。 可將前述如圖3和圖4所示之電流寫入型式像素電路以障 列的方式排列，而構成一主動陣列型式有機EL顯示器裝 置。圖5為該主動陣列型式有機EL顯示器裝置之構造的一個 例子。 在圖5中，掃描線1 4 2 -1至1 4 2 - η的配置為電流寫入型式 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（210 X 297公釐） 544652 A7 B7 五 發明説明（7 ) 像素電路1 4 1每列一線對應m行χ η列的數目並配置成陣列 型式。圖3的TFT 124的閘極（或圖4的TFT 134的閘極）及圖 3的TFT 126的閘極（或圖4的TFT 136的閘極）連接各像素至 掃描線142-1至142-n。掃描線142-1至142-11依序由一掃描 線驅動電路143驅動。 資料線144-1至144-m逐一按照像素電路141的每一行排 列。每一條資料線144-1至144-m的一端連接至一電流驅動 型資料線驅動電路（電流驅動器cs)145之每一行的一個輸 出鲕子。貝料線驅動電路145經由資料線144-1至144-m寫 入亮度資料至每一個像素。 如果一供應電流值型式的亮度資料的電路，即是圖3或 圖4所示電流寫入型像素電路用來作為一像素電路，會有 寫入低亮度資料困難的問題。寫入幾乎接近黑的低亮度資 料，例如，寫入一非常小幾乎接近零的電流。在這種情況 下：即圖3的電路例子，TFT125的阻抗變高，及需要長時 :穩疋具有南寄生電容的資料線的電位。這種情況對同樣 在圖5的資料線驅動電路145的内部操作中發生。因此通常 難以快速地和準確地供應非常小的電路。 黑貝料寫入表示窝入泰、、云伯衣十 ^ . 土 衣丁冩入私•值為零，而理論上窝入全堅兩 要無限時間。較特別，如果在 王…、而 入高袁产資料丄+ …、足則的知描猶環中寫 :「…枓(較大電流）’圖3的資料線128及 广“至⑷，都處於較高電位。 ：+ 寫入黑’作為圖3 TFT 125作用的結果資料中 。因為當電位降低TF ' 、包位降低 5的閑極至源極電壓Vgs減少， -11 - 544652 A7 ______ B7 五、發明説明（8 ) 驅動電流減少及電位下降快速減緩。然後，理論上，經過 -無限時間後’資料線的電位變為TFT 125的低臨限值電 壓 Vth。 因為實際上寫入時間為有限（一般為一掃描周期或更少） ，圖3中TFT 122的閘極至源極電源比TFT 125在寫入結束 的低臨限值電壓Vth較高。如前述，因為TFT 122位於τρτ 125附近，TFT 122的低臨限值電壓幾乎為vth。所以，tft 122的閘極至源極電壓比低臨限值電壓Vth高即表示τρτ 122不完全切斷。 圖6的一曲線（A)顯示這種狀態。作為一種現象，實際上 寫入黑的像素發射弱光（這種現象以下稱作”黑浮動"）。本 有機EL顯示器的一大優點而為液晶顯示器所沒有是高對 比率。兩對比率來自顯不全黑能力而無需傳遞電流經過發 光裝置。不過，既使輕微黑浮動都會降低影像的對比率， 如此’表7F运種問題不能忽視。 為了解決這種問題，本發明在上述專利申請（見國際出 版號碼W0 01/06484)中也設計一種技術用於產生高對比影 像顯示器由提供一洩漏裝置（以下稱電流偏壓裝置或電流 偏壓電路）予各資料線。圖7顯示該電路結構的一個例子。 一 N通道TFT 129連接一資料線128及圖7中一接地之間為 一洩漏裝置。在一最簡單的情況，供應一固定電位作為TFT 129的一閘極電位Vg。 TFT 129於取消一來自資料線驅動電路的驅動電流1(1方 向饋送一偏壓電流ib(圖5資料線驅動電路145)。所以，寫 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(以0 X 297公釐） 544652 A 7 B7 五、發明説明（9 ) 入黑資料線電位的下降的速率如上述為快速，及特別，在 有限時間内資料線電位變為比低臨限值電壓Vth為低，表 示全黑寫入的能力。如此，提供各資料線的洩漏裝置形成 而對比影像頭器。圖6的一曲線（B)顯示本狀態。 不過’傳統技術提供各資料線的洩漏裝置具有下列問題 。如圖7所示，實用上使用一 TFT作為洩漏裝置（電流偏壓 裝置）。如開始所述，不過，TFT具有大的特性變化及偏壓 電流lb趨向改變。在寫入亮度資料流至圖7的像素的一實 際寫入電流Iw為從由資料線驅動電路驅動的電流Id減去偏 壓電流lb的結果’致使發光裝置的亮度從資料線中變化及 實際出現顯示影像線紋形式變化（線紋變化）。 出現線紋變化是一個值得重視的問題特別在偏壓電流Ib 的電泥值設定較高時。所以不能的偏壓電流Ib設定為高電 流值。雖然一簡單電阻組件可用作電流偏壓電路，一般很 難在一小面積中提供一具有良好的準確度的適當電阻值， 及基本上該電阻組件與TFT並無不同其中很難控制變化。 基於上述問題創造本發明及因而本發明的一目標為提供 一主動陣列型式顯示器裝置，一主動陣列型式有機電致（el) 發光顯π器裝置，及其驅動方法，即能高品質顯示黑及低 亮度層次而沒有顯示影像變化及在使用電流寫入型像素電 路時顯示影像的亮度不變。 發明概要 一 ί 了達成上述目標，根據本發明提供一主動陣列型式顯 不备裝置包括··一像素單元由配置像素電路成陣列型式形 -13-
544652 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 成；像素電路各包括一電光裝置以根據流入的電流而改變 亮度；一資料線驅動電路用於供應一寫入電流其大小等於 各像素電路經資料線的亮度及藉由寫入亮度資料；及提供 各資料線一電流驅動電路用於取消寫入電流方向饋送資料 線一驅動電流。以下具體實施例中電流驅動電路相當於電 流偏壓電路。電流驅動電路包括；一轉換單元接收一以電 流型式饋送驅動電流值的資訊，用於轉換供應電流成為一 電壓型式；一定位單元用於定位由轉換單元轉換而獲得的 電壓；及一驅動器用於轉換由定位單元定位的電壓轉換成 電流，饋送資料線作為驅動電流的電流。 在形成的主動陣列型式顯示器裝置或主動陣列型式有機 EL顯示器裝置使用一有機EL裝置作為電光裝置，如果首 先在無資料寫入像素期間供應一電流型式的驅動電流值的 資訊，電流驅動電路轉換電流成為一電壓型式及保持該電 壓。然後，在資料寫入像素時，電流驅動電路轉換保留電 壓成為電流及於取消寫入電流方向將饋送資料線的電流作 為驅動電流，因而使用電流作為偏壓電流。在這種情況下 ，常數驅動電流根據驅動電流值的資訊流經資料線，及偏 壓電流在資料線中不變。 圖式簡單說明 圖1顯示為一根據傳統方式之電壓寫入型式像素電路的 電路構造； 圖2為一方塊圖顯示根據傳統方式之一種使用電壓寫入 型式像素電路的主動陣列型式顯示器裝置； -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 544652 A7 B7 五、發明説明（11 ) 圖3顯示為根據一第一個傳統例子之電流寫入型式像素 電路的電路構造； 圖4顯示為根據一第二個傳統例子之電流寫入型式像素 電路的電路構造； 圖5為一方塊圖顯示根據傳統方式之一種使用電流寫入 型式像素電路的主動陣列型式顯示器裝置； 圖6為一曲線圖協助說明一電流偏壓電路的效用； 圖7顯示根據傳統方式使用一洩漏裝置之電流寫入型式 像素電路的電路構造； 圖8為根據本發明一第一具體實施例的一主動陣列型式 顯示器裝置構造示意圖； 圖9為一結構斷面圖顯示一有機EL裝置之結構的例子； 圖10為一電路圖顯示一電流偏壓電路的一第一具體實施 例； 圖11為一定時圖用來協助說明根據第一具體實施例使用 電流偏壓電路的主動陣列型式有機EL顯示器裝置的操作； 圖12為一電路圖顯示電流偏壓電路的第二具體實施例； 圖13為一電路圖顯示第二具體實施例的第一修改； 圖1 4為弟*一修改的定時圖， 圖1 5為一電路圖顯示第二具體實施例的第二修改； 圖16為一電路圖顯示電流偏壓電路的第三具體實施例； 圖1 7為該第三具體例子的定時圖； 圖1 8為根據本發明之第二具體實施例之主動陣列型式顯 不為裝置的構造不意圖， -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Λ4規格（210 X ：297公货） 544652 A7 B7 五、發明説明（12 ) 圖1 9為一電路圖顯示電流偏壓電路的一具體實施例； 圖20為一定時圖用來協助說明根據第二具體實施例的主 動陣列型式顯示器裝置的操作； 圖2 1為一曲線圖顯示一般認為理想的亮度顯示曲線；及 圖2 2為一曲線圖顯示根據本發明的亮度顯示曲線。 較佳具體實施例詳細說明 以下參考附圖詳細說明本發明的較佳具體實施例。 [第一具體實施例] 圖8為根據本發明一第一具體實施例的一主動陣列型式 顯不器裝置構造示意圖。在下面說明的例子中使用一有機 EL裝置作為各像素的一電光裝置，及使用一場效電晶體 ’例如一複矽晶TFT，作為各像素的一主動裝置致使本發 明應用於藉由在形成該複矽晶TFT的基板上形成一有機el 顯π器裝置所獲得一主動陣列型式有機顯示器裝置。 在圖8中，電流寫入型式像素電路丨丨對應㈤行χ ^列的數 目配置成一陣列型式。圖3所示電路構造的一電路係用來 =為電流窝入型式像素電路u。掃描線12 “至124配置成 每列像素電路11一線。掃描線12-1至12-11依序由一掃描驅 動電路1 3驅動。 :貝料線^-丨至^,配置成每行像素電路n一線。各資料 線14-1至14_m的一端子連接電流驅動型式各資料線驅動· 路（電流驅動器）15的—輸出端子。t料線驅動電路]I 亮度資料經資料線14_d14_m至各像素電路u。例如’ 置的由電流偏壓電路16_e16_m配置成由各資料線^至 -16-
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AT --------- B7 五、發明説明（13 ) 14 m包路所形成的電流偏壓電路（電流驅動電路）1 ό位於 =料線驅動電路15的對侧。配置一控制線17成為電流偏壓 電路16中的電流偏壓電路16-1至16-m所共有。 以下說明—有機EL裝置的結構的例子。圖9顯示一有機 ELI置的結構斷面。從圖9清楚看出，有機裝置由產生 一透明導電膜製成的第一電極22(例如陽極）於一透明玻璃 製成的基板21上面而形成，進一步由沉積一空穴載層23， 發光層24，電子承載層25，產生一有機層27於第一電極22 上面，及一電子注入層26,及然後形成一金屬製成的第二 電極28(例如陰極）於有機層27上面。藉由施加一直接電流 電壓E於第一電極22及第二電極28之間，當一電子及一空 穴在發光層24内互相結合時以便發光。 以下以一些例子說明電流偏壓電路16(16-1至l6_m)的具 體構造。 (第一具體例） 圖1 0為一電路圖顯示電泥偏壓電路1 6的一第一具體例。 在圖10中，例如，一N通道TFT 31連接於一資料線14及接 地之間。例如，一P通道TFT 3 2連接於TFT 31的汲極及閘 極之間。TFT 3 2的閘極連接一控制線17。一電容器3 3連接 於TFT 3 1的閘極及接地之間。 根據第一具體例的電流偏壓電路16的電路操作以下說明 。首先，在一垂直消隱期間其間沒有資料寫入，控制線^ 7 設定為低位準因而造成T F T 3 2進入導電狀態，及一電流源 CS經資料線14饋送一電流lb。如此，因為TFT 3丨的閘極及 -17- 544652
AT B7 五、發明説明（14 ) 汲極之間由TFT 3 2造成短路，TFT 31於一飽和區内操作。 雖然，圖8的資料線驅動電路1 5可用來作為饋送電流lb用 的電流源C S，饋送電流lb專用電流源應與資料線驅動電路 1 5分開提供。同樣的情況也適用於以下說明的其他具體例。 因為電流lb在TFT 3 1的汲極及源極之間流動，閘極至源 極電壓Vgs等於根據MOS電晶體曲線產生的電流lb的大小： lb =μΟοχΛν/ί/2 (Vgs-Vth)2 ...(5) 其中參數的意義與公式（1)的意義相同。 TFT 31的閘極至源極電壓Vgs儲存在電容器33内。如果 這種狀況，控制線17設定為高位準以造成TFT 32成為非導 電狀態，電容器33保留TFT 31的閘極至源極電壓Vgs。然 後，當資料寫入各像素，TFT 31轉換電容器33保留的電壓 轉換成為電流及經資料線14饋送電流。如此，當TFT 3 1在 飽和區操作，TFT 3 1作為一電流源操作以饋送一電流其值 等於根據公式（5)的寫入電流lb的值。 公式（5)中的參數一般在資料線或製造板中變化。不過 ，由根據第一具體例的電流偏壓電路饋送的電流值與這些 參數值無關，及等於寫入電流lb值。如此，由根據第一具 體例的電流偏壓電路饋送的電流值在資料線或製造板中不 變。為了讓TFT 31在飽和狀態區中操作，公式（3)需要成 立，即是資料線電位相當高。 如果使用根據第一具體施例的電流偏壓電路作為圖8中 的電流偏壓電路1 6-1至1 6-m，則參考圖11的定時圖說明主 動陣列型式有機EL顯示器裝置如下。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 544652 A7 B7
五、發明説明（ 首先，資料寫入各傻音雷玖】丨、" ]6 15Α像素包路丨丨又珂，選擇電流偏壓電路 16-1至16-m的控制線17(低位準 ^ 1 在此點，貨料線驅動電 路15饋运電流11}至電流壓 17„ ^ ^ μ gB 私峪a·1至16-m。然後控制線 1 7叹疋於一非選擇狀態（高位 τ, Α, ^ )昧非有特別理由，電流 lb的電流值各資料線丨心丨至丨^⑺相同。 然後’寫入資料同時依序選搂 ^ 10 〒低斤選擇像素電路11的掃描線12-1 土 1 2-Π。在本寫入操作中，如 u 上迷 电流偏流電路16-1至 16-m維持饋送電流Ib。如此， ^ _ 8所不的王動陣列型式有 機EL顯示器裝置能成為高品皙 把风為冋口口貝黑位準顯示器，如參考圖7 的說明’同時沒有TFT曲線變化產吐％雜一… 求又亿產生的顯不影像的條紋變 化0 另外，如果寫入一偏壓電流值至電流偏壓電路16-丨至 16-m，根據第一具體實施例構造有機紅顯示器裝置以使 用資料線驅動電路15及使用資料線丨^丨至^瓜用於寫入現 有儿度貝料所以’根據第一具體實施例的有機顯示 器裝置具有其他優點其中構造比圖5所示根據傳統方#式的 有機EL顯示器裝置較為簡單。 另外，較合理，使用一垂直消隱周期寫入一偏壓電流值 至各框的電流偏壓電路16-1至1心m，其間沒有資料寫入像 素電路1 1。 (第二具體例） 圖12為一電路圖顯示電流偏壓電路16的一第二具體例。 圖1 2中，T F T 3 1的一閘極及一汲極連接一共同點。一 p 通道TFT 34，例如，連接於TFT 3 1的汲極（閘極）及一資料 -19- 本紙張尺度適用中®國家標準(CNS) Λ4規格(21〇x挪公釐） 544652 A7 _—__ B7 五、發明説明（16 ) 線Μ之間。例如，一 p通道tft 3 5連接TFT 3 1的閘極（汲極） 。TFT 34及3 5連接一控制線17。 一電容器33連接於TFT 35的汲極及一接地之間。例如， N通道TFT 36的閘極連接TFT 35的汲極。TFT 36具有一汲 極連接資料線14及一源極接地。TFT 3 1及TFT 36的位置相 鄰’因而具有幾乎相同的電晶體特性，因而形成一電流 反射電路。 以下說明根據第二具體例的電流偏壓電路16的電路操作 。首先，控制線17設定為低位準因而造成TFT 34及TFT 35 進入導電狀態，及一電流源CS經資料線14饋送一電流Iw 。因為TFT 31的閘極及汲極之間的短路，TFT 3 1在一飽和 區内操作。電流Iw在節點N分割成電流11及π，電流11流 經在傳導狀態的TFT 34至TFT 31，同時電流;[2流至丁 FT 36。 因為TFT 35在導電狀態所以容許TFT 3 1及TFT 36的閘極 的電位相同，則下列公式成立： …⑺ 11 = pCoxWl/Ll/2(Vgs -Vth)2 12 =^CoxW2/L2/2 (Vgs - Vth) 2 Iw = II + 12 其中參數的意義與公式（1)的思義相同。因為TFT 31及TFT 36位置相鄰，假設TFT 31及TFT 36的載體移動率μ，每單 位面積閘極電容Cox ’及低臨限值電壓vth相等。 下列公式可從公式（6)至（8)導出。 12= (W2/L2) / (Wl/Ll + W2/L2) .Iw (9) -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（21〇X 297公I) 544652 Λ 7 Β7 五、發明説明（17 ) TFT 31的閘極至源極電壓Vgs經TFT 35儲存在電容器33内 。如果這種狀況，控制線17設定為高位準以造成TFT 34及 TFT 35成為非導電狀態，電容器33保留TFT 31的閘極至源 極電壓Vgs。所以，如果，TFT 36在飽和區操作，TFT 36 仍作為電流源操作即饋送公式（9)獲得的電流12。 如此，雖然移動率μ，閘極電容Cox，及低臨限值電壓Vth 在公式（6)及（7)中通常在資料線或製造板内變化，根據第 二具體例由電流偏壓電路饋送的電流值與這些參數無關， 並等於電流12。因為電流12代表一偏壓電流值，所以公式 (9)以電流lb取代電流12而求得。 lb = (W2 /L2) / (W1 /LI + W2 /L2) -Iw ...(10) 偏壓電流值lb在資料線或製造板中不變。 雖然在根據圖1 0的第一具體例電流偏壓電路中寫入電流 Iw與偏壓電流lb重疊，根據圖12的第二具體例電流偏壓電 路的特徵為寫入電流Iw與偏壓電流lb之間的比例可由設定 TFT 31的通道長度及通道寬度及TFT 36形成電流反射電路 ，即是藉由設定一反射比而加以控制。為了讓TFT 3 6在飽 和狀態區中操作，公式（3)成立，即是資料線電位相當高。 (第二具體例第一修改）
雖然根據弟^一具體例構造的電流偏壓電路由同樣的控制 線17控制TFT 34及TFT 35，根據第二具體例構造的電流偏 壓電路可由控制線17A及控制線17B分別控制TFT 34及TFT 3 5 (控制線1及2 )，如圖1 3所示。如此，如圖1 4定時圖所示 ，在用於控制TFT 34的控制線1(1 7A)之前，用於控制TFT -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準iCNS) A4規格（210 X 297公資） 544652 A7 __ B7 五、發明説明（18 ) 35的控制線2(1 7B)成為非選擇狀態。 如此’因為TFT 35成為非導電狀態係在TFT 34由分開的 TFT 34及TFT 35的控制線17A及17B控制之前，所以沒有 根據第二具體例的電流偏壓電路，TFT 34的阻抗增加的情 況及預定電流Iw不會在控制線1 7成為非選擇狀態時流到 TFT 3 1。因而，可以執行更可靠的操作。 (第二具體例第二修改） 根據第二具體例構造的電流偏壓電路致使TFT 3 1的汲極 及閘極直接短路，及TFT 35插入TFT 31的閘極（汲極）及TFT 3 6的閘極之間。不過，如圖丨5所示，如果構造致使TFT 3 1 的閘極及TFT 36的閘極直接相互連接及TFT 35插入TFT 31 的閘極及汲極之間，根據第二具體例的電流偏壓電路可確 實執行相同的操作。 [第三具體實施例] 圖16為一電路圖顯示電流偏壓電路16的一第三具體例。 在第三具體例中，除了構造根據第二具體例第一修改外 ’插入一 P通道TFT 37於資料線14及TFT 36的汲極之間， 及TFT 37由控制線17C(控制線3)控制。如圖17定時圖所示 ’如果控制線1設定為低位準，控制線3則設定為高位準。 如此，如果控制線1設定為低位準以造成TFT 34處於寫 入導電狀態’控制線3設定為高位準以造成T F T 3 7處於非 導電狀態，致使寫入電流Iw不流入TFT 36。 因此，
Iw =MCoxWl/Ll/2 (Vgs - Vth) 2 ...(H) -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 544652 A7 B7 五、發明説明（19 ) lb =pCoxW2/L2/2(Vgs - Vth)2 ...(12) 如此，求得下列公式。 lb = (W2/L2) / (Wl/Ll) *Iw ...(Π) 這表示雖然從公式（1 〇)可以清楚看出，偏壓電流lb不可 避免低於根據第二具體例第一修改電流偏壓電路的寫入電 流IW ’根據第三具體例的電流偏壓電路容許偏壓電流比及 寫入電流Iw之間的比例可自由選擇。另外，本電流偏壓電 路的操作可依要求由設定控制線3至高位準而停止。 在電流偏壓電路1 6的具體例及其修改中，如上述，電 路係主要使用P通道MOS電晶體作為開關電晶體，及主要 使用N通道MOS電晶體作為其他電晶體。不過，這只是 一個例子，本發明的應用不受其限制。 [弟—具體實施例] 圖1 8為根據本發明之第二具體實施例之主動陣列型式顯 不器裝置的構造示意圖。第二具體實施例中，如第一具體 實施例，在下面說明的例子中使用一有機EL裝置作為各 像素的一電光裝置，及使用一場效電晶體，例如一複矽晶 TFT，作為各像素的一主動裝置致使本發明應用於藉由在 形成1¾複矽晶TFT的基板上形成一有機£[顯示器裝置所獲 得一主動陣列型式有機EL顯示器裝置。. 在圖18中，電流寫入型式像素電路41對應⑺行“列的數 目配置成一陣列型式。例如圖4所示電路構造的一電路係 用來作為電流寫入型式像素電路41。掃描線42」至42_n的 配置為像素電路41每列一線。掃描線42-1至42-11依序由— -23- 本紙依尺|適财關家標準(CNS) A4規格(21()χ---- 544652 A 7 B7 五、發明説明（2〇 掃描驅動電路43驅動。 資料線44-1至44-m逐一按照像素電路41的每一行排列。 每一條資料線44-1至44-m的一端連接至一電流驅動型式資 料線驅動電路（電流驅動器）45之每一行的一個輸出端子。 貝料線驅動電路45經由資料線44-1至44-m寫入亮度資料至 每一個像素電路4 1。 在第二具體實施例中，資料線驅動電路45由兩列電流驅 動器（CD)45A-1至45A_m及45B-1至45B-m形成。兩列（系統） 電泥驅動器45A-1至45A-m及45B-1至45B-m由外部供應亮 度資料sin°同時，兩列電流驅動器及45B-1 至45B-m由兩系統的驅動控制訊號控制用於驅動操作，其 控制訊號在一掃描線周期循環中為反向極性及相位相反。 一水平掃描器（HSCAN)46用於水平掃描兩列的電流驅動 4 5A-1至45A-m及45B-1至45B-m。水平掃描器46供應水平 起動脈衝hsp及一水平時鐘訊號hck。水平掃描器46，例如 ，由一偏移暫存器形成，及依序產生一寫入控制訊號系統 we 1至wem以在供應水平起動脈衝hsp後對應水平時鐘訊號 hck的轉換（上升邊緣及下降邊緣）。供應寫入控制訊號系 統至兩列的電流驅動器電路45A-1至45A-m及45B-1至45B-m ° 如此，由兩列（系統）電流驅動器45A_1至45A-m及45B-1 至45B-m形成資料線驅動電路45。兩列電流驅動器μα」 至45A-m及45B-1至45B-m可在寫入狀態及驅動狀態之間交 替操作，每次變換掃描線。如此便可確保一時間掃描周期 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 544652
AT B7 五、發明説明（21 ) 用於寫入資料線驅動電路45及一時間的掃描周期用於用於 驅動資料線44-1至44-m，因而可以執行可靠操作。 在第二具體實施例中，一電流偏壓電路47位於資料線驅 動電路4 5的對側，例如，也由兩列（系統）的電流偏壓電路 47A-1至47A-m及47B-1至47B-m形成，其配置為資料線44-1至44-m的每線兩電路以對應兩列的電流驅動器45 A-1至 45A-m及4 5B-1至45B-m形成資料線驅動電路45。 提供兩控制線系統，即是，寫入控制線48(48-1及48-2) 及一驅動控制線49(49-1及49-2)用於兩列電流偏壓電路 4 7A-1至47A-m及47B-1至47B-m。圖19所示電路構造的一 電路，例如，係用來作為電流偏壓電路47(47A-1至47A-m 及47B-1至47B-m)。 圖1 9中，例如，一 N通道T F T 5 1的汲極連接資料線4 4。 TFT 51的閘極連接一驅動控制線48。一 P通道TFT 52連接 於TFT 51的源極及接地之間。例如，一N通道TFT 53連接 於TFT 52的汲極及閘極之間。TFT 53的閘極連接一寫入控 制線49。一電容器54連接於TFT 52的閘極及接地之間。
根據上述具體例的電流偏壓電路47的基本構造及操作與 圖10與根據第一具體例的電流偏壓電路16相同，但是根據 上述具體例的電流偏壓電路47的資料電流流動方向與根據 第一具體例的電流偏壓電路1 6的方各不同。結果，電流偏 壓電路4 7的電晶體型式（N通道/P通道）與根據第一具體例 電流偏壓電路1 6的型式相反。同時，電流偏壓電路47的構 造與根據第一具體例電流偏壓電路1 6的構造不同其中TFT -25- 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X ‘297公釐） 544652 A7 B7 五、發明説明（22 ) 5 1係插入資料線44及電流偏壓電路47之間。 以下參考圖20定時圖說明根據第二具體實施例形成的主 動陣列型式有機EL顯示器裝置的操作。 首先，在第一列的電流驅動器45A-1至45A-m處於垂直 消隱周期的窝入狀態的期間中，偏壓資料（高位準亮度資 料sin)寫入電流驅動器45 A-1至45A-m。偏壓資料以電壓型 式或電流型式供應。然後，將第一列的電流驅動器45 A-1 至45 A-m進入資料線驅動狀態及設定寫入控制線bwl (48-1) 及驅動控制線bdl (49-1)至高位準，將偏壓電流lb寫入第一 列電流偏壓電路47A-1至47A-m。 同樣，在第二列的電流驅動器45B-1至45B-m進入資料 線寫入狀態期間，寫入偏壓電流至電流驅動器45B-1至 45B-m。然後，將第二列的電流驅動器45B-1至45B-m寫入 資料線驅動狀態及設定寫入控制線bw2(48-2)及驅動控制 線bd2(49-2)至高位準，將偏壓電流lb寫入第二列電流偏壓 電路 47B-1 至 47B-m。 在一用於由第一列電流驅動器45A-1至45A-m在一亮度 資料寫入周期中驅動的掃描循環中，設定驅動控制線bd 1 為高位準，即是，設定第一列電流偏壓電路47A-1至47A-m操作。在一用於由第二列電流驅動器45B -1至45B-m驅動 的掃描循環中，設定驅動控制線bd2為高位準，即是，設 定第二列電流偏壓電路47B-1至47B-m操作。 資料線驅動電路45產生偏壓電流lb對應已知偏壓資料。 偏壓電流lb的電流值，由於TFT的特性變化在電路（資料線） -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 :< 297公釐） 544652
AT _ ______B7 五、發明説明（23 ) 中產生變化。 另一方面，在第一具體實施例（圖8)中，偏壓電流及影 像資料電流由單資料線驅動電路產生，及因而取消偏壓電 流值的錯誤。特別，產生的偏壓電流Ib首先寫入分配給資 料線14-1至14-m各線一條的電流偏壓電路丨^丨至^-爪，及 由電流偏壓：電路16-1至16-m保留。 然後，如果亮度資料等於資料線驅動電路45在寫入亮度 資料時獲得的偏壓資料，資料線驅動電路45產生一驅動電 流等於偏壓電泥值Ib。在這種情況下，因為電流偏壓電路 16-1至16-m饋送電泥用於取消經資料線κι至的驅動 電流，則不論偏壓電流值Ib為何，寫入像素電路丨丨的電流 值為零。 如此，如果亮度資料等於資料線驅動電路45獲得的偏壓 資料，則不論資料線驅動電路45出現的變化，透過資料線 是有可能瞭解準確的黑位準和黑位準周圍的層次，如此便 能顯示一具有較小亮度變化的影像。 第二具體實施例能提供同樣的效果因為主動陣列型式有 機EL顯示器裝置具有兩列電流驅動器45a]至45Α-Π1及 45B-1至45B-m作為資料線驅動電路45，具有兩列電流偏 壓電路47A-1至47A-m及47B-1至47B-m以定位由兩列電流 驅動器45A-1至45A-m及45B-1至45B-II1產生的偏壓電流值 ’及兩列電流偏壓電路47A-1至47A-m及47B-1至47B-m設 定與電流偏壓驅動器45A-1至45A-m及45B-1至45B-m在寫 入亮度資料期間同步操作。 本紙張尺度適用中國國家槔準(CNS) A4規格（2U) X 297公釐） 544652 A7 B7 五、發明説明 必須注意雖然第二具體實施例以電流偏壓電路4 7作為 具fa例而加以說明’該電路的基本構造及操作與第一具體 實施例的第一具體例的電流偏壓電路16相同，第二具體實 施例並不雙本例限制，及第一具體實施例的其他具體例或 其4改的電路構造的電路也可以使用。
由根據第一及第二具體實施例的主動陣列型式有機EL 顯示器裝置標準化的影像顯示器裝置的明暗層次顯示方法 說明如下。下列說明的例子其中亮度資料定為8位元數位 訊號。 圖21為一曲線圖顯示一般認為理想的明暗層次顯示曲線 。圖22為一曲線圖顯不根據本發明的一明暗層次顯示曲線 。在圖中，水平軸表示數位輸入值（〇_255)，垂直軸表示 對應數位輸入值的亮度值或電流值。 在圖的㈣圖中，亮度資料定為8位元數位訊號 ’可顯示的亮度值最大極限為256( = 28)級。如此，如圖21 所示，從肉眼觀看的觀點考慮，用較小亮度級以低亮度顯 示較為制。同時，為了加強影像的對比，較理想，不論 輸入設定在最低亮度部份的少數級至幾乎零亮度。圖期 示從這種考慮產生的曲線（所謂γ曲線特性）。 另-万面’圖22的曲線，最小輸人部份的電流幾乎為零 ’如圖21 ’但是其他部份的電流則為圖21曲線上升一偏壓 電流lb後獲得(圖21曲線加偏壓電流比)。在根據第一及第 二具體實施例的主動阵列型式有機弘顯示器裝置中，從 資料線驅動電路15及45的驅動電流Μ減前面電流偏壓電路 -28-
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4^i77i〇X 297公釐I
裝 訂
544652 A 7 B7 五、發明説明（25 ) 1 6及47的偏壓電流lb為像素電路1 1及4 1的實際寫入電流 I w，致使寫入電流I w的曲線與圖2 2的曲線重疊。 在圖5根據傳統例子的主動陣列型式有機EL顯示器裝置 中，至少在低亮度區的一像素的發光亮度幾乎與寫入電流 Iw成比例。所以，發光亮度具有圖2 1的特性，因而達成理 想的明暗層次顯示。如此，由根據第一及第二具體實施例 的主動陣列型式有機EL顯示器裝置的資料線驅動電路1 5 及45驅動的最小電流，用於黑的電流（零電流）除外，為偏 壓電流lb。所以，不需要處理接近零的非常小電流值。 如上述，在根據第一及第二具體實施例的主動陣列型式 有機EL顯示器裝置中，用於饋送資料線一相當亮度資料 大小的電流的資料線驅動電路饋送資料線一由偏壓電流值 lb加顯示器的亮度資料所得的電流。如此，如果偏壓電流 lb設定為大量，如傳統例子一樣影像不會產生變化。所以 ，藉由預先將偏壓電流lb的電流值加寫入電流，便可在低 亮度區準確再生明暗層次。 較特別，如果偏壓電流lb加寫入電流Iw相當於顯示的原 來亮度及然後寫入，電流偏壓電路1 6及47於取消偏壓電流 lb的方向饋送一大小為lb的電流，致使電流Iw流至像素電 路11及4 1用於顯示原來明暗層次。 如此，如從饋送寫入電流I w的資料線驅動電路1 5及4 5觀 看，I b為一最小電流位準，用於黑的電流除外（零電流）。 所以，如果低亮度寫入資料接近黑，並不需要處理接近零 的非常小電流值，因而可以執行高速度及高準確度操作。 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（21〇x 297公寶.) 544652 A7 B7 五 、發明説明（26 ) 如果寫入電流Iw設定為零，較大的偏壓電流lb的效果容許 快速全黑寫入一像素。 必須說明前述具體實施例使用一有機EL裝置作為一像 素的一顯示器裝置，及使用一複矽晶薄膜電晶體作為像素 的一主動裝置致使本發明應用於藉由在形成該複矽晶薄膜 電晶體的基板上形成一有機裝置所獲得一主動陣列型式有 機EL顯示器裝置。不過，本發明並不限於此，及本發明 適用於一主動陣列型式顯示器裝置，一般使用供應電流型 式的亮度資料的電流寫入型式像素電路。 如上述，根據本發明，驅動電流從取消亮度資料方向經 各資料線饋入作為一偏壓電流及防止偏壓電流值在資料線 中變化。所以能夠實現高速度寫入包括黑資料的低亮度資 料及顯示一影像而亮度不變。 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 544652 Λ 8 138 C8 D8 申請專利範圍 1. 一種主動陣列型式顯示器裝置，該裝置包括： 一像素單元由配置像素電路成陣列型式而形成，該像 素電路各具有一電光裝置以根據一流入的電流改變其亮 度；
    裝 一資料線驅動電路用於供應一大小相當於各該像素電 路經一資料線的亮度的寫入電流及藉由寫入亮度資料； 及 一電流驅動電路提供各資料線用於在取消該寫入電流 方向饋送該資料線一驅動電流； 其中該電流驅動電路包括： 一轉換單元供應一電流型式饋送的一驅動電流值的資 訊，用於轉換該供應電流成為一電壓型式； 一定位單元用於定位由該轉換單元轉換獲得的該電壓 ;及
    一驅動器用於轉換由該定位單元定位的該電壓成為一 電流，及將該電流饋送該資料線作為該驅動電流。 2. 如申請專利範圍第1項之主動陣列型式顯示器裝置， 其中該轉換單元包括一第一絕緣閘極場效電晶體用於 藉由供應該電流在一狀態的該驅動電流值的資訊產生一 閘極及一源極之間的一電壓，其間該第一絕緣閘極場效 電晶體的一汲極及該閘極之間電短路； 該定位單元包括一電容器用於定位產生於該第一絕緣 閘極場效電晶體的源極及閘極之間的電壓；及 該驅動益包括·一弟二絕緣閘極場效電晶體用於根據由 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X 297公釐） ABCD 544652 六、申請專利範圍 該電容器定位的該電壓的偏壓饋送該驅動電流予該資料 線。 3. 如申請專利範圍第2項之主動陣列型式顯示器裝置， 其中該轉換單元包括一第一開關裝置用於選擇性供應 該第一絕緣閘極場效電晶體該電流型式的該驅動電流值 之該資訊；及 該定位單元包括一第二開關裝置用於選擇性供應該電 容器產生於該第一絕緣閘極場效電晶體的該源極及該閘 極之間的該電壓及在該第一開關裝置之前轉入一非導電 狀態。 4. 如申請專利範圍第2項之主動陣列型式顯示器裝置， 其中該第一絕緣閘極場效電晶體及該第二絕緣閘極場 效電晶體為一相同的電晶體。 5. 如申請專利範圍第2項之主動陣列型式顯示器裝置， 其中該第一絕緣閘極場效電晶體及該第二絕緣閘極場 效電晶體為兩個不同電晶體相鄰配置。 6. 如申請專利範圍第1項之主動陣列型式顯示器裝置， 其中該驅動電流值的資訊係經該資料線供應該電流驅 動電路。 7. 如申請專利範圍第1項之主動陣列型式顯示器裝置， 其中該驅動電流值的該資訊係在無資料寫入該像素電 路期間供應該電流驅動電路。 8. 如申請專利範圍第1項之主動陣列型式顯示器裝置， 其中提供各資料線該兩資料線驅動電路，及同時一資 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐）
    544652 A 8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 料線驅動電路驅動該資料線，另一資料線驅動電路捕捉 影像資訊；及 提供各資料線該兩該電流驅動電路，及該兩電流驅動 電路在一亮度資料寫入期間與該兩資料線驅動電路同步 操作。 9. 如申請專利範圍第1項之主動陣列型式顯示器裝置， 其中該資料線驅動電路饋送該資料線一由該驅動電流 值與顯示該亮度資料實質上相加獲得的一寫入電流。 10. —種主動陣列型式顯示器裝置的驅動方法，該主動陣列 型式顯示器裝置包括：一像素單元由配置電流寫入型式 像素電路成以陣列方式而形成，該像素電路各使用，作 為一顯示裝置，一電光裝置以根據流入電流改變其亮度 :一資料線驅動電路用於供應一大小相當於各該像素電 路經一資料線的亮度的一寫入電流及藉由寫入亮度資料； 及提供各資料線一電流驅動電路用於取消該寫入電流方 向饋送該資料線一驅動電流； 其中該驅動方法的特徵為： 供應該電流驅動電路電況型式的饋送該驅動電流值的 資訊其間無亮度資料寫入該像素電路及該電流驅動電路 定位電壓形式的電流；及 然後，一相當於該定位電壓的電流饋送資料線作為該 驅動電流來自該電流驅動電路其間亮度資料寫入該像素 電路。 11. 一種主動陣列型式有機電致發光顯示器裝置，包括： 一像素單元由配置像素電路成陣列而形成，該像素電 -33- 本紙浪尺度適州中國國家標準(CNS) A4規格（210X 297公釐）
    裝
    544652 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 路各具有一有機電致發光裝置包括一第一電極，一第二 電極，及一有機層包括一發光層位於該第一電極及該第 二電極之間； 一資料線驅動電路用於供應一大小相當於各該像素電 路經一資料線的亮度的一寫入電流及藉由寫入亮度資料 :及 提供各資料線一電流驅動電路用於取消該寫入電流方 向饋送該資料線一驅動電流； 其中該電流驅動電路包括： 一轉換單元供應一電流型式饋送驅動電流值的資訊， 用於轉換該供應電流成為電壓型式； 一定位單元用於定位由該轉換單元轉換得的該電壓； 及 一驅動器用於轉換由該定位單元定位的電壓成為一電 流，及饋送資料線該電流作為該驅動電流。 12.如申請專利範圍第11項之主動陣列型式有機電致發光顯 示器裝置， 其中該轉換單元包括一第一絕緣閘極場效電晶體用於 藉由供應該電流形式的該驅動電流值的該資訊產生一閘 極及一源極之間的一電壓，其間該第一絕緣閘極場效電 晶體的一汲極及一閘極之間電短路； 該定位單元包括一電容器用於定位該第一絕緣閘極場 效電晶體的該閘極及該源極之間產生的電壓；及 該驅動器包括一第二絕緣閘極場效電晶體用於根據由 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐）
    裝
    544652 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該電客器定位的該電壓的偏壓馈送該資料線該驅動電流。 13. 如申請專利範圍第12項之主動陣列型式有機電致發光顯 糸器裝置， 其中該轉換單元包括第一開關裝置用於選擇性供應該 弟一絕緣鬧極場效電晶體該電流型式的該驅動電流值的 該資訊；及 該定位單元包括一第二開關裝置用於選擇性供應該電 容器產生於該第一絕緣閘極場效電晶體的該源極及該閘 極之間的該電壓及在該第一開關裝置之前轉入一非導電 狀態。 14. 如申請專利範圍第12項之主動陣列型式有機電致發光顯 示器裝置， 其中該弟一閘極場效電晶體及該該第二閘極場效電晶 體為一個相同的電晶體。 15. 如申請專利範圍第12項之主動陣列型式有機電致發光顯 示器裝置， 其中該第一絕緣閘極場效電晶體及該該第二絕緣閘極 場效電晶體為兩個不同電晶體相鄭配置。 16. 如申請專利範圍第11項之主動陣列型式有機電致發光顯 示器裝置， 其中該驅動電流值的該資訊係經該資料線供應至該電 流驅動電路。 17. 如申請專利範圍第11項之主動陣列型式有機電致發光顯 示器裝置， -35- 本紙張尺度適用中國國家標苹(CNS) A4規格(210X 297公釐） 544652 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中該驅動電流值的該資訊係在無資料寫入該像素電 路期間供應至該電流驅動電路。 18. 如申請專利範圍第Π項之主動陣列型式有機電致發光顯 示器裝置， 其中提供各資料線的該兩資料線驅動電路，及其中一 資料線驅動電路驅動該資料線，另外該資料線驅動電路 捕捉影像資訊；及 提供各資料線該兩電流驅動電路，及該兩電流驅動電 路在一亮度資料寫入期間與該兩資料線驅動電路同步操 作。 19. 如申請專利範圍第11項之主動陣列型式有機電致發光顯 示器裝置， 其中該資料線驅動電路饋送資料線一由該驅動電流值 與顯示亮度資料相加獲得的一電流。 20. —種主動陣列型式有機電致發光顯示器裝置的驅動方法 ，該主動陣列型式有機電致發光顯示器裝置包括：一像 素單元由配置電流寫入形式像素電路成陣列型式而形成 ，該像素電路各使用，作為一顯示裝置，一電光裝置以 根據一流入的電流改變其亮度；一資料線驅動電路用於 供應一大小相當於各該像素電路經一資料線的亮度的一 寫入電流及藉由寫入亮度資料；及一電流驅動電路提供 各資料線用於在取消該寫入電流方向饋送該資料線一驅 動電流， 其中該驅動方法其特徵為： -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 544652 8 8 8 8 A B c D 六、申請專利範圍 供應該電流驅動電路電流型式的饋送驅動電流值的資 訊其間當亮度資料不寫入該像素電路及該電流驅動電路 定位電壓型式的該電流，及 然後，一相當於該定位電壓的電流饋送該資料線作為 該驅動電流來自該電流驅動電路當該亮度資料寫入該像 素電路。 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X297公釐）
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