CN105047131B - 一种amoled像素电路的控制方法 - Google Patents
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- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- RYMZZMVNJRMUDD-HGQWONQESA-N simvastatin Chemical compound C([C@H]1[C@@H](C)C=CC2=C[C@H](C)C[C@@H]([C@H]12)OC(=O)C(C)(C)CC)C[C@@H]1C[C@@H](O)CC(=O)O1 RYMZZMVNJRMUDD-HGQWONQESA-N 0.000 claims 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 208000032005 Spinocerebellar ataxia with axonal neuropathy type 2 Diseases 0.000 description 6
- 208000033361 autosomal recessive with axonal neuropathy 2 spinocerebellar ataxia Diseases 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
本发明公开了AMOLED像素电路的控制方法，包括：打开第一TFT开关管和第二TFT开关管，分别使第一电源和第二电源处于低电平和高电平，使数据输入端处于高电平；关闭第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，第一电源和第二电源分别跳跃至高电平和低电平，使数据输入端处于高电平；关闭第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，使第一电源和第二电源都处于高电平，数据输入端输入数据电平；打开第一TFT开关管和关闭第二TFT开关管，使第一电源和第二电源处于高电平，数据输入端输入数据电压；关闭第一TFT开关管和第二TFT开关管，使第一电源和第二电源分别处于高电平和低电平。本电路具有更高的补偿精度。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种AMOLED像素电路的控制方法。
【背景技术】
与液晶显示(LCD)相比，有机发光(AMOLED)显示器在近些年正受到广泛的关注。图1显示了一个简单AMOLED的2-TFT像素电路。从图中可以看出，数据线Vdata提供了驱动TFT所需要的信号电压，扫描线scan决定TFT开关管S1的开关状态，存储在电容Cs上的电压被TFT驱动管T1转化为通过OLED的电流。因为T1管阈值电压存在漂移，这个简单的电路不能被用做像素电路来驱动OLED，因为OLED的电流和亮度在某一特定的电压范围内随着时间的延长而衰减。由于在栅源电压作用下，不能准确预测TFT的阈值电压的漂移过程，有必要对T1管的阈值电压漂移进行补偿，以稳定OLED亮度。
在多种阈值电压补偿方法中，基于电压编程的像素电路由于稳定时间快而吸引了众多人的注意。在这种电压编程电路中，存储电容器Cs被预先充入一定的电压Vc，在补偿期间，电压通过一个二极管连接的驱动管T1放电，直到电压达到阈值电压值，然后Cs停止充电，如图2所示。此时，T1关闭，Cs停止放电。然后，数据电压加到Cs上，形成T1的栅极电压Vdata+Vth。如果T1在饱和范围，通过T1的电流不受Vth的影响。
然而，这种方法有两个缺陷：其一，电路的时间常数由驱动管T1的跨导gm决定。当电容电压下降时，gm也随着下降，这样电流非常低，达到理想的阈值电压Vth时间很长。其二，即便Vc达到Vth值，由于阈值电流的影响，Vc会继续下降，这样就不可能准确地测量阈值电压。
【发明内容】
为了克服现有技术的不足，本发明提供了一种补偿效果更好、精度更高的AMOLED像素电路的控制方法及装置。
一种AMOLED像素电路的控制方法，所述AMOLED像素电路包括第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管、电容和OLED，所述OLED的阳极和阴极分别与第一电源和所述TFT驱动管的漏极连接，所述TFT驱动管的源极与第二电源连接，所述TFT驱动管的栅极通过第二TFT开关管与数据输入端连接，所述第一TFT开关管连接在所述OLED的阴极和所述TFT驱动管的栅极之间，所述TFT驱动管的栅极通过所述电容接地，所述控制方法包括如下步骤：
在第一阶段，打开所述第一TFT开关管和第二TFT开关管，分别使所述第一电源和第二电源处于低电平和高电平，所述TFT驱动管被关闭，使所述数据输入端处于高电平；
在第二阶段，关闭所述第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，所述第一电源和第二电源分别跳跃至高电平和低电平，使所述数据输入端处于高电平，所述TFT驱动管被打开，所述OLED的阴极处的电压通过所述TFT驱动管放电；
在第三阶段，关闭所述第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，使所述第一电源和第二电源都处于高电平，所述数据输入端输入数据电平，所述TFT驱动管被关闭；
在第四阶段，打开所述第一TFT开关管和关闭第二TFT开关管，使所述第一电源和第二电源处于高电平，所述数据输入端输入数据电压；
在第五阶段，关闭所述第一TFT开关管和第二TFT开关管，使所述第一电源和第二电源分别处于高电平和低电平。
优选地，
所述第一电源在所述第四阶段的高电平比在第三阶段的高电平要低。
优选地，
优选地，
所述第一TFT开关管的控制端与第一扫描信号端连接，所述第二TFT开关管的控制端与第二信号扫描端连接。
本发明还提供了一种AMOLED像素电路的控制方法，所述AMOLED像素电路包括第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管、电容和OLED，所述OLED的阳极和阴极分别与第一电源和所述TFT驱动管的漏极连接，所述TFT驱动管的源极与第二电源连接，所述TFT驱动管的栅极通过第二TFT开关管与数据输入端连接，所述第一TFT开关管连接在所述OLED的阴极和所述TFT驱动管的栅极之间，所述TFT驱动管的栅极通过所述电容接地，所述控制方法包括如下步骤：
在第一阶段，打开所述第一TFT开关管和第二TFT开关管，分别使所述第一电源和第二电源处于低电平和高电平，所述TFT驱动管被关闭，使所述数据输入端处于高电平；
在第二阶段，关闭所述第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，所述第一电源和第二电源分别跳跃至高电平和低电平，使所述数据输入端处于高电平，所述TFT驱动管被打开，所述OLED的阴极处的电压通过所述TFT驱动管放电；
在第三阶段，关闭所述第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，使所述第一电源和第二电源都处于高电平，所述数据输入端输入数据电平，所述TFT驱动管被关闭；
在第四阶段，打开所述第一TFT开关管和关闭第二TFT开关管，使所述第一电源和第二电源处于低电平，所述数据输入端输入数据电压；
在第五阶段，关闭所述第一TFT开关管和第二TFT开关管，使所述第一电源和第二电源分别处于高电平和低电平。
优选地，
优选地，
所述第一TFT开关管的控制端与第一扫描信号端连接，所述第二TFT开关管的控制端与第二信号扫描端连接。
通过上述方案，可以有效对驱动管的阈值电压漂移进行补偿，从而减小电压误差。
【附图说明】
图1是现有技术中一种简单AMOLED的2-TFT像素电路；
图2是图1的OLED和T1的等效电路；
图3是本发明一种实施例的AMOLED像素电路；
图4是图3所示的AMOLED像素电路的一种实施例的控制时序示意图；
图5是图3所示的AMOLED像素电路的另一种实施例的控制时序示意图；
图6是一种实施例的AMOLED像素电路的ΔVth与放电时长tcomp的关系图；
图7是图1的AMOLED像素电路的ΔVth与放电时长tcomp的关系图。
【具体实施方式】
以下对发明的较佳实施例作进一步详细说明。
如图3所示，本发明一种实施例的AMOLED像素电路，包括第一TFT开关管S1、第二TFT开关管S2S2、TFT驱动管T1、电容CS和OLED，所述OLED的阳极和阴极分别与第一电源VDD和所述TFT驱动管T1的漏极连接，所述TFT驱动管T1的源极与第二电源VSS连接，所述TFT驱动管T1的栅极通过第二TFT开关管S2与数据输入端Vdata连接，所述第一TFT开关管S1连接在所述OLED的阴极和所述TFT驱动管T1的栅极之间，所述TFT驱动管T1的栅极通过所述电容Cs接地，所述第一TFT开关管S1的控制端(栅极)和第二TFT开关管S2的控制端分别与第一扫描信号端scan1和第二信号扫描端scan2连接。本实施例中，TFT是采用a-Si TFT。
如图4所示，一种实施例的AMOLED像素电路的控制方法，包括如下步骤：
在第一阶段(phase)，电容COLED充电阶段，第一扫描信号端scan1和第二信号扫描端scan2处于高电平，第一TFT开关管S1和第二TFT开关管S2被打开；数据输入端Vdata输入数据高电平Vdata，第二电源VSS和第一电源VDD分别处于高电平和低电平的情况下，第一电源VDD要足够低，使OLED反偏充当一个电容COLED，第二电源VSS要足够高，可以关闭TFT驱动管T1。
这样，数据高电平Vdata通过第一TFT开关管S1对电容CS充电，直至电容CS的电压为Vdata1，第一数据高电平Vdata1依次通过一TFT开关管S1和第二TFT开关管S2对电容COLED充电，直至电容COLED的电压(即Vd点的电压)为Vdata1。
在第二阶段，电容COLED放电阶段，第一扫描信号端scan1和第二信号扫描端scan2分别处于低电平和高电平，关闭第一TFT开关管S1和打开第二TFT开关管S2；数据输入端Vdata保持在数据高电平Vdata1；所述第一电源VDD和第二电源VSS分别跳跃到高电平VDD1和低电平，由于第一电源VDD的跳变，电容COLED的电压(即Vd点的电压)跳变到更高的一个电压VC0，而由于第二TFT开关管S2打开，TFT驱动管T1打开，因此，COLED开始通过TFT驱动管T1以一个恒定的速率放电，假设放电时间为tcomp。
在第三阶段，编程期，数据输入端Vdata输入数据电平Vdata，第一扫描信号端scan1和第二信号扫描端scan2分别继续保持低电平和高电平，第一电源VDD继续保持高电平，第二电源VSS上升到高电平，TFT驱动管T1被关闭，COLED停止放电，最终电容COLED的电压(即Vd点的电压)Vd为：
其中，Vind代表不受ΔVth影响的部分，Vth0是TFT驱动管T1的初始阈值电压，Vdata2表示第二阶段数据输入端Vdata的ΔVth是TFT驱动管T1的阈值电压漂移量，μFET是TFT的场效应迁移率，Ci是TFT绝缘层电容，W/L是TFT的沟道宽长比。
在第四阶段，第一扫描信号端scan1和第二信号扫描端scan2分别跳跃至高电平和低电平，这样，第一TFT开关管S1和第二TFT开关管S2分别被打开和关闭，由于电荷分享的影响，CS和COLED上的压降将会发生变化，假定CS/COLED＝a，在两个电容上的最后的电压为：
另外，VDD下降至高电平VDD2(VDD2比VDD1略低)，VSS继续保持高电平，以保证OLED仍然能够反偏形成一个COLED，否则，由于Vd电压下降，OLED可能无法形成一个COLED。
在第五阶段，驱动OLED期。第一扫描信号端scan1下降至低电平而将第一TFT开关管S1关闭，第二信号扫描端scan2维持低电平，第二TFT开关管S2维持关闭状态，驱动管T1被打开，第一电源VDD上升至高电平VDD1，第二电源VSS下降至低电平，OLED被点亮，流过OLED的电流IOLED：
其中，OLED的驱动电压即为
其中，与ΔVth有关的电压误差Verror：
图6是一种实施例的AMOLED像素电路中TFT驱动管的电压误差Verror一定的情况下(如图6中曲线中的0、-1、1、-2、2、3、4)，ΔVth与放电时长tcomp之间的关系，可以看到，在tcomp在3至4μs之间能够达到电压误差Verror能够到达0。如图7所示，是图1的AMOLED像素电路中TFT驱动管的电压误差Verror一定的情况下(如图6中曲线中的10、15、20、25、30、35)，ΔVth与放电时长tcomp之间的关系，可以看出，在10μs之内电压误差Verror仍无法达到0。
电压误差Verror是一个关于ΔVth的抛物线，假定0≤ΔVth≤ΔVth,max，电压误差Verror的最大值发生要么在抛物线的最高点，要么定义范围0≤ΔVth≤ΔVth,max的边缘。为了得到最佳的补偿结果，驱动电压的最大电压误差Verror应该最小化。可以求得补偿时间的最佳值：
最大的电压误差Verror,max为：
因此，电压误差Verror取决于Vdata2、Vth0和ΔVth,max。
在另一实施例中，AMOLED像素电路中的TFT采用a-Si TFT，其与上一个实施例的区别在于第四阶段：
第一电源VDD下降至低电平，第二电源VSS也下降至低电平。这样，OLED仍然反偏能够维持作为一个COLED，而第一电源VDD和第二电源VSS同时下降到低电平，保证了驱动管T1不会导通，且CS和COLED上的电压仍为Vg，并不会受到影响。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。
Claims (4)
1.一种AMOLED像素电路的控制方法，所述AMOLED像素电路包括第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管、电容和OLED，所述OLED的阳极和阴极分别与第一电源和所述TFT驱动管的漏极连接，所述TFT驱动管的源极与第二电源连接，所述TFT驱动管的栅极通过第二TFT开关管与数据输入端连接，所述第一TFT开关管连接在所述OLED的阴极和所述TFT驱动管的栅极之间，所述TFT驱动管的栅极通过所述电容接地，其特征是，所述控制方法包括如下步骤：
在第一阶段，打开所述第一TFT开关管和第二TFT开关管，分别使所述第一电源和第二电源处于低电平和高电平，所述TFT驱动管被关闭，使所述数据输入端处于第一数据高电平Vdata1；
在第二阶段，关闭所述第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，所述第一电源和第二电源分别跳跃至第一高电平和低电平，使所述数据输入端处于第一数据高电平，所述TFT驱动管被打开，所述OLED的阴极处的电压通过所述TFT驱动管放电，
所述放电时长 其中，CS为所述电容的容量，COLED为所述OLED反偏时等效的电容容量，μFET是所述TFT驱动管的场效应迁移率，Ci是所述TFT驱动管绝缘层电容，W/L是所述TFT驱动管的沟道宽长比，ΔVth,max所述TFT驱动管的最大阈值电压漂移量；在第三阶段，编程期，数据输入端DATA输入数据电平Vdata，关闭所述第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，使所述第一电源处于第一高电平和第二电源处于高电平，所述数据输入端输入数据电平Vdata2，所述TFT驱动管被关闭；此时d点的电压为
其中，
其中，Vind代表不受ΔVth影响的部分，Vth0是TFT驱动管T1的初始阈值电压，Vdata2表示第二阶段数据输入端DATA的电压，ΔVth是TFT驱动管T1的阈值电压漂移量，μFET是TFT的场效应迁移率，Ci是TFT绝缘层电容，W/L是TFT的沟道宽长比；
在第四阶段，打开所述第一TFT开关管和关闭第二TFT开关管，使所述第一电源处于第二高电平和第二电源处于高电平，所述数据输入端输入数据电压；所述第二高电平低于所述第一高电平；
在第五阶段，关闭所述第一TFT开关管和第二TFT开关管，使所述第一电源处于第一高电平和第二电源处于低电平；
OLED被点亮，流过OLED的电流IOLED：
其中，OLED的驱动电压即为
其中，与ΔVth有关的电压误差Verror：
在时，
其中CS为所述电容的容量，COLED为所述OLED反偏时等效的电容容量，μFET是所述TFT驱动管的场效应迁移率，Ci是所述TFT驱动管绝缘层电容，W/L是所述TFT驱动管的沟道宽长比，ΔVth,max所述TFT驱动管的最大阈值电压漂移量；最大电压误差Verror,max为：
2.如权利要求1所述的AMOLED像素电路的控制方法，其特征是，所述第一TFT开关管的控制端与第一扫描信号端连接，所述第二TFT开关管的控制端与第二信号扫描端连接。
3.一种AMOLED像素电路的控制方法，所述AMOLED像素电路包括第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管、电容和OLED，所述OLED的阳极和阴极分别与第一电源和所述TFT驱动管的漏极连接，所述TFT驱动管的源极与第二电源连接，所述TFT驱动管的栅极通过第二TFT开关管与数据输入端连接，所述第一TFT开关管连接在所述OLED的阴极和所述TFT驱动管的栅极之间，所述TFT驱动管的栅极通过所述电容接地，其特征是，所述控制方法包括如下步骤：
在第一阶段，打开所述第一TFT开关管和第二TFT开关管，分别使所述第一电源和第二电源处于低电平和高电平，所述TFT驱动管被关闭，使所述数据输入端处于高电平；
在第二阶段，关闭所述第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，所述第一电源和第二电源分别跳跃至高电平和低电平，使所述数据输入端处于高电平，所述TFT驱动管被打开，所述OLED的阴极处的电压通过所述TFT驱动管放电，
所述放电时长 其中，CS为所述电容的容量，COLED为所述OLED反偏时等效的电容容量，μFET是所述TFT驱动管的场效应迁移率，Ci是所述TFT驱动管绝缘层电容，W/L是所述TFT驱动管的沟道宽长比，ΔVth,max所述TFT驱动管的最大阈值电压漂移量；
在第三阶段，编程期，数据输入端DATA输入数据电平Vdata,关闭所述第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，使所述第一电源和第二电源都处于高电平，所述数据输入端输入数据电平，所述TFT驱动管被关闭；
其中，
其中，Vd为d点的电压，Vind代表不受ΔVth影响的部分，Vth0是TFT驱动管T1的初始阈值电压，Vdata2表示第二阶段数据输入端DATA的电压，ΔVth是TFT驱动管T1的阈值电压漂移量，μFET是TFT的场效应迁移率，Ci是TFT绝缘层电容，W/L是TFT的沟道宽长比；
在第四阶段，打开所述第一TFT开关管和关闭第二TFT开关管，使所述第一电源和第二电源处于低电平，所述数据输入端输入数据电压；
在第五阶段，关闭所述第一TFT开关管和第二TFT开关管，使所述第一电源和第二电源分别处于高电平和低电平；
OLED被点亮，流过OLED的电流IOLED：
其中，OLED的驱动电压即为
其中，与ΔVth有关的电压误差Verror：
在时，
其中CS为所述电容的容量，COLED为所述OLED反偏时等效的电容容量，μFET是所述TFT驱动管的场效应迁移率，Ci是所述TFT驱动管绝缘层电容，W/L是所述TFT驱动管的沟道宽长比，ΔVth,max所述TFT驱动管的最大阈值电压漂移量；最大电压误差Verror,max为：
4.如权利要求3所述的AMOLED像素电路的控制方法，其特征是，所述第一TFT开关管的控制端与第一扫描信号端连接，所述第二TFT开关管的控制端与第二信号扫描端连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510456464.8A CN105047131B (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种amoled像素电路的控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510456464.8A CN105047131B (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种amoled像素电路的控制方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105047131A CN105047131A (zh) | 2015-11-11 |
| CN105047131B true CN105047131B (zh) | 2018-07-13 |
Family
ID=54453625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510456464.8A Expired - Fee Related CN105047131B (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种amoled像素电路的控制方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105047131B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN105789486B (zh) * | 2016-03-28 | 2018-05-15 | 华南理工大学 | 一种有机薄膜的选择性定向沉积方法 |
| CN107680522B (zh) * | 2017-09-30 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板检测方法及其装置 |
| CN114005409B (zh) * | 2021-10-29 | 2022-11-25 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | 像素驱动电路、方法及显示面板 |
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| CN103545343A (zh) * | 2013-10-28 | 2014-01-29 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 高精度电压编程像素电路及oled显示器 |
-
2015
- 2015-07-29 CN CN201510456464.8A patent/CN105047131B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105047131A (zh) | 2015-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180713 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |