JP4121384B2 - 発光表示パネルの駆動装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の発光素子を配列した発光表示パネルの駆動装置に関し、特に素子点灯用の駆動電源から、非走査状態における発光素子を介してリークする電流を抑制することができるパッシブ駆動型発光表示パネルの駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子をマトリクス状に配列して構成した表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ素子が注目されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐え得る高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列したパッシブ駆動型表示パネルが、すでに一部において実用化されている。図１にはパッシブ駆動型表示パネルと、その駆動装置の一例が示されている。このパッシブ駆動型駆動方式における有機ＥＬ素子のドライブ方法には、陰極線走査・陽極線ドライブ、および陽極線走査・陰極線ドライブの２つの方法があるが、図１に示す例は前者の陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。
【０００４】
すなわち、ｎ本のデータ線としての陽極線Ａ1 〜Ａn が縦方向に配列され、ｍ本の走査線としての陰極線Ｂ1 〜Ｂm が横方向に配列され、各々の交差した部分（計ｎ×ｍ箇所）に、ダイオードのシンボルマークで示した有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmが配置され、表示パネル１を構成している。
【０００５】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは、垂直方向に沿う陽極線Ａ1 〜Ａn と水平方向に沿う陰極線Ｂ1 〜Ｂm との各交点位置に対応して一端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるアノード端子）が陽極線に、他端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるカソード端子）が陰極線に接続されている。さらに、各陽極線Ａ1 〜Ａn は陽極線ドライブ回路２に接続され、各陰極線Ｂ1 〜Ｂm は陰極線走査回路３に接続されてそれぞれ駆動される。
【０００６】
前記陽極線ドライブ回路２は、図示せぬＤＣ−ＤＣコンバータ等からの供給電源ＶH を利用して動作するようになされており、この陽極線ドライブ回路２には、各陽極線Ａ1 〜Ａn を通じて駆動電流を個々のＥＬ素子に供給する駆動電源としての定電流源ＩX1〜ＩXnおよびドライブスイッチＳX1〜ＳXnが備えられている。そして、ドライブスイッチがオン制御されることにより、駆動電源ＩX1〜ＩXnからの電流が、陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子に対して供給されるように作用する。
【０００７】
また、前記陰極線走査回路３には、各陰極線Ｂ1 〜Ｂm に対応して走査スイッチＳY1〜ＳYmが備えられ、前記したＤＣ−ＤＣコンバータ等からの供給電源を分圧して得られた逆バイアス電圧ＶM または走査基準電位点としてのアース電位のうちのいずれか一方を、対応する陰極線に接続するように作用する。
【０００８】
これにより、陰極線を所定の周期で走査基準電位点（アース電位）に設定しながら所望の陽極線Ａ1 〜Ａn に駆動電源ＩC1〜IXn を接続することにより、前記各ＥＬ素子を選択的に発光させるように作用する。なお、前記駆動電源は定電圧回路等の電圧源を用いることも可能であるが、ＥＬ素子の電流・輝度特性が温度変化に対して安定しているのに対し、電圧・輝度特性が温度変化に対して不安定であること等の理由により、駆動電源としては図１に示すように定電流源を用いるのが一般的である。
【０００９】
また、前記陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３は、図１には示されていないが発光制御回路より指令を受け、発光制御回路に供給される画像データに応じて当該画像データに対応した画像を表示させるように作用する。この場合、陰極線走査回路３は、発光制御回路からの指令により画像データの水平走査期間に対応する陰極線のいずれかを選択してアース電位に設定し、その他の陰極線には逆バイアス電圧ＶM が印加されるように走査スイッチＳY1〜ＳYmを順次切り換える制御がなされる。なお、図１に示した状態は、第１の陰極線Ｂ1 が走査されている状態を示しており、他の陰極線には逆バイアス電圧ＶM が印加されている。
【００１０】
前記逆バイアス電圧ＶM は、走査選択がなされた陰極線との交点に接続されたドライブされているＥＬ素子の寄生容量を充電すると共に、ドライブされている陽極線と走査選択がなされていない陰極線との交点に接続されたＥＬ素子がリーク電流によりクロストーク発光することを防止するように作用する。この逆バイアス電圧ＶM の電圧値は、発光駆動されるＥＬ素子の順方向電圧Ｖf に近い値に設定されるのが一般的である。そして、走査スイッチＳY1〜ＳYmが水平走査期間毎に、順次アース電位に切り換えられるので、アース電位に設定された陰極線は、その陰極線に接続されたＥＬ素子を発光可能な状態に設定する。
【００１１】
一方、陽極線ドライブ回路２には、前記した発光制御回路より、画像データが示す画素情報に基づいて陽極線に接続されているＥＬ素子のいずれかを、どのタイミングでどの程度の時間にわたって発光させるかについて制御するドライブ制御信号が供給される。前記陽極線ドライブ回路２は、このドライブ制御信号に応じて、ドライブスイッチＳX1〜ＳXnのいくつかをオン制御し、陽極線Ａ1 〜Ａn を通じて画素情報に応じた該当ＥＬ素子に対して駆動電流を供給するように作用する。
【００１２】
斯くして、駆動電流の供給されたＥＬ素子は、当該画素情報に応じて発光駆動される。なお、図１に示した状態は、前記したとおり第１の陰極線Ｂ1 が走査されている状態であり、かつすべてのドライブスイッチＳX1〜ＳXnがオン状態となされているので、第１の陰極線Ｂ1 に対応するＥＬ素子のすべてが発光駆動されることになる。なお、以上説明したパッシブ駆動型表示パネルとその駆動装置については、次に示す例えば特許文献１に開示されている。
【００１３】
【特許文献１】
特開平９−２３２０７４号公報（段落０００２、図１３）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した発光表示パネルに使用される発光素子としての有機ＥＬ素子は、ダイオード特性を呈する発光エレメントとこれに並列に寄生容量が存在していることは周知のとおりである。したがって、図１に示した表示パネル１についての第１陽極線Ａ1 に対応した前記寄生容量に注目すると、図６（Ａ）に示したような等価回路で表すことができる。
【００１５】
すなわち、図６（Ａ）においては図１に基づいてすでに説明した各部に相当する部分を同一符号で示している。また、図６（Ａ）における符号Ｃ11，Ｃ12，Ｃ13，……Ｃ1mは、図１に示す第１陽極線Ａ1 に接続された各ＥＬ素子Ｅ11，Ｅ12，Ｅ13，……Ｅ1mにおける寄生容量を示しており、また、図６（Ａ）においては第１の陰極線Ｂ1 が走査状態になされた状態で示している。図６（Ａ）に示されたように、陽極線Ａ1 に定電流源ＩX1より定電流Ｉp を流すと、各寄生容量Ｃ11，Ｃ12，Ｃ13，……Ｃ1mにはそれぞれ、Ｉp ／ｍ（ｍは陽極線Ａ1 に接続されたＥＬ素子の数、すなわち寄生容量の数）の電流が流れる。
【００１６】
すなわち、第１陰極線Ｂ1 が走査されることにより、寄生容量Ｃ11を介して定電流源ＩX1より走査基準電位点（アース）に向かって電流が流れることは勿論のこと、他に非走査状態の陰極線における寄生容量Ｃ12，Ｃ13，……Ｃ1mを介して、逆バイアス電圧の供給源（以下においては、これを逆バイアス電圧ＶM と同符号で示す場合もある。）にも電流が流れ込む。これは、逆バイアス電圧の供給源は、一般的に供給電源ＶH の出力電圧を抵抗分割し、エミッタフォロア等のインピーダンス変換手段を介して定電圧を生成するようにしており、したがって、逆バイアス電圧供給源のインピーダンスは非常に低いためである。
【００１７】
それ故、点灯駆動しようとする走査状態のＥＬ素子に対して、予め設定された値の駆動電流を正確に供給することができないという問題が発生する。また、非走査状態おけるＥＬ素子の各寄生容量を介して、逆バイアス電圧の供給源側に電流がリークするために、駆動電力の浪費を伴うことになり、特に携帯用機器等に採用する場合においては、電池の寿命を短縮させるなどの問題も発生する。
【００１８】
この発明は、前記した問題点に着目してなされたものであり、非走査状態おけるＥＬ素子の各寄生容量を介して、逆バイアス電圧の供給源側に電流がリークするのを防止するように構成し、これにより、前記した問題点を改善した発光表示パネルの駆動装置を提供することを目的とするものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる発光表示パネルの駆動装置は、請求項１に記載のとおり、複数のデータ線と複数の走査線との各交点に発光素子が接続され、前記各走査線を走査基準電位点に接続することで、順次走査を実行すると共に、走査基準電位点に接続されない非走査状態の走査線には、前記発光素子に対する逆バイアス電圧を供給するように構成した発光表示パネルの駆動装置であって、前記データ線を介して供給される駆動電流の一部が、非走査状態における発光素子を介して、前記逆バイアス電圧の供給源に流入するのを阻止する逆流防止手段を備え、前記逆流防止手段は、前記逆バイアス電圧の供給源から前記走査線側に向かって電流を供給することが可能なダイオードである点に特徴を有する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、その実施の形態を図面に基づいて説明する。図２はその第１の実施の形態を示したものであり、すでに説明した図１に示す各部に相当する部分を同一符号で示している。したがって、個々の説明は省略する。
【００２１】
この図２に示す第１の実施の形態においては、陰極線走査回路３と逆バイアス電圧の供給源ＶM との間に、逆流防止手段としての定電流回路ＩY0が介在されている。この定電流回路ＩY0は、逆バイアス電圧の供給源ＶM から表示パネル１の走査線側に向かって電流を供給する機能を果たす。すなわち、図２に示した構成においては、前記した定電流回路ＩY0からの電流は、表示パネル１における各陰極線Ｂ1 〜Ｂm に向かって流れ、非走査状態のＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加することになる。したがって、発光表示パネル１の陰極線側から見た場合の前記定電流回路ＩY0は、インピーダンスはきわめて高い。
【００２２】
図６（Ｂ）は、前記した定電流回路ＩY0を配置した場合における第１陽極線Ａ1 におけるＥＬ素子の寄生容量に注目した等価回路を示している。すなわち、すでに説明した図６（Ａ）と同様な等価回路で示している。なお、この図６（Ｂ）においても、第１の陰極線Ｂ1 が走査状態になされた状態で示している。図６（Ｂ）に示されたように、陽極線Ａ1 に陽極線ドライブ回路２における定電流源ＩX1より定電流Ｉp を流すと、定電流源ＩX1からの電流Ｉp は、走査状態にあるＥＬ素子Ｅ11による寄生容量Ｃ11を介して走査基準電位点（アース）に向かって流れる。
【００２３】
一方、前記したとおり、陰極線走査回路３と逆バイアス電圧の供給源ＶM との間には、定電流回路ＩY0が介在されており、この定電流回路ＩY0は発光表示パネル１の陰極線側から見た場合のインピーダンスはきわめて高い。このために、非走査状態の陰極線における寄生容量Ｃ12，Ｃ13，……Ｃ1mを介して、前記定電流Ｉp の一部が、逆バイアス電圧の供給源ＶM 側に流れるのは阻止される。換言すれば、定電流源ＩX1によって設定された定電流Ｉp のほとんどすべてが走査状態のＥＬ素子に流れることになる。
【００２４】
したがって、図２に示した構成によると、点灯駆動しようとする走査状態のＥＬ素子に対して、予め設定された値の駆動電流をほぼ正確に供給することができる。さらに、非走査状態おけるＥＬ素子の各寄生容量を介して、逆バイアス電圧の供給源側に電流がリークするのを阻止することができるので、駆動電力の浪費を伴うなどの問題も解消することができる。
【００２５】
次に図３は、この発明にかかる駆動装置の第２の実施の形態を示したものである。なお、図３においては、すでに説明した図１および図２に示す各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって、個々の説明は省略する。この図３に示す第２の実施の形態においては、陰極線走査回路３における各走査スイッチＳY1〜ＳYmと逆バイアス電圧の供給源ＶM との間に、逆流防止手段としての定電流回路ＩY1〜ＩYmがそれぞれ介在されている。
【００２６】
この定電流回路ＩY1〜ＩYmは、図２に示した例と同様に逆バイアス電圧の供給源ＶM から表示パネル１の各走査線側に向かってそれぞれ定電流を供給する機能を果たし、非走査状態のＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加するように作用する。したがって、前記定電流回路ＩY1〜ＩYmは、発光表示パネル１の陰極線側から見た場合のインピーダンスはきわめて高い。
【００２７】
それ故、非走査状態の陰極線におけるＥＬ素子の寄生容量を介して、陽極線ドライブ回路２における定電流源ＩX1〜ＩXnからの定電流Ｉp の一部が、逆バイアス電圧の供給源ＶM 側に流れるのは阻止される。換言すれば、定電流源ＩX1〜ＩXnによって設定された各定電流Ｉp のほとんどすべてが走査状態のＥＬ素子に流れることになる。したがって、この図３に示す実施の形態においても、図２に示した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００２８】
なお、図２および図３に示した各実施の形態においては、前記したとおり定電流源ＩX1〜ＩXnによって設定された各定電流Ｉp のほとんどすべてが走査状態のＥＬ素子に流れることになる。これに加えて、走査状態のＥＬ素子には、逆バイアス電圧の供給源ＶM から、定電流回路ＩY0，ＩY1〜ＩYmおよび非走査状態のＥＬ素子における寄生容量を介して電流が流れ込み、前記定電流Ｉp で設定した点灯輝度よりも大きな輝度になる場合がある。
【００２９】
例えば図３に示す実施の形態のように、陽極線がｎ本、陰極線がｍ本からなり、陽極ドライブ回路２における各定電流源ＩX1〜ＩXnによって供給されるそれぞれの定電流をＩp とし、定電流回路ＩY1〜ＩYmより陰極線側に供給される定電流がそれぞれＩk であるとした場合、前記Ｉk は非走査状態のＥＬ素子における寄生容量を介して、走査状態のＥＬ素子に流れ込む。したがって、前記Ｉk による輝度変化の影響を避けるには、次の式（１）の関係が満足するようにＩp とＩk の関係を設定することが望ましい。
【００３０】
【数１】
〔Ｉk ×（ｍ−１）〕／ｎ＜＜Ｉp
∴Ｉk ＜＜Ｉp ×〔ｎ／（ｍ−１）〕 ……… 式（１）
【００３１】
図４は、この発明にかかる駆動装置の第３の実施の形態を示したものである。なお、図４においては、すでに説明した図１〜図３に示す各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって、個々の説明は省略する。この図４に示す第３の実施の形態においては、陰極線走査回路３における各走査スイッチＳY1〜ＳYmと逆バイアス電圧の供給源ＶM との間に、逆流防止手段としてのダイオードＤ1 〜Ｄm がそれぞれ介在されている。
【００３２】
すなわち、各ダイオードＤ1 〜Ｄm は、そのアノードが逆バイアス電圧の供給源ＶM 側に接続され、カソードが各走査スイッチＳY1〜ＳYmに接続されている。この構成により、非走査状態の陰極線におけるＥＬ素子の寄生容量を介して、陽極線ドライブ回路２における定電流源ＩX1〜ＩXnからの電流Ｉp の一部が、逆バイアス電圧の供給源ＶM 側に流れるのが阻止される。
【００３３】
換言すれば、定電流源ＩX1〜ＩXnによって設定された各定電流Ｉp のほとんどすべてが走査選択されたＥＬ素子に流れることになる。したがって、この図４に示す実施の形態においても、図２および図３に示した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、図４に示す実施の形態においては各ダイオードＤ1 〜Ｄm に対してそれぞれ抵抗体ＲY1〜ＲYmが直列に接続されている。
【００３４】
なお、図４に示した構成における前記抵抗体ＲY1〜ＲYmの各抵抗値については、前記逆バイアス電圧ＶM とＥＬ素子の順方向電圧Ｖf との関係で、次のような配慮が必要となる。すなわち図７（Ａ）は、図４に示した構成における定電流源ＩX1が接続された１本の陽極線に着目し、この陽極線に接続されたＥＬ素子Ｅ11に供給される電流を考察した場合の等価回路を示している。
【００３５】
図７（Ａ）に示すように、前記ＥＬ素子Ｅ11には定電流源ＩX1により電流Ｉp が流されることについては、すでに説明したとおりである。前記ＥＬ素子Ｅ11には、これに加えて逆バイアス電圧の供給源ＶM より各抵抗体ＲY1〜ＲYm、各ダイオードＤ1 〜Ｄm 、非走査状態のＥＬ素子による寄生容量Ｃ11〜Ｃ1mをそれぞれ介して電流が流入する。前記した状況から図７（Ａ）に示す等価回路は、図７（Ｂ）に示す等価回路に書き改めることができる。
【００３６】
すなわち、図７（Ａ）に示す各抵抗体ＲY1〜ＲYmは、非走査状態の陰極線に対応した各抵抗体の並列接続であると見なすことができ、各抵抗体の抵抗値をＲY とした時、その合成抵抗値は図７（Ｂ）に示すように、ＲY ／（ｍ−１）として示すことができる。また、図７（Ａ）に示す各寄生容量Ｃ11〜Ｃ1mは、それぞれ並列接続であると見なすことができ、各寄生容量の容量値をＣとした時、その合成容量値は図７（Ｂ）に示すように、（ｍ−１）×Ｃとして示すことができる。さらに、図７（Ｂ）に示すＥＬ素子Ｅ11のアノード電圧をＶf とし、図７（Ｂ）に示すループ▲１▼に着目した場合、図７（Ｂ）に示す等価回路は、図７（Ｃ）に示す等価回路に書き改めることができる。
【００３７】
図７（Ｃ）に示す等価回路においては、基準電位点を介して閉ループを構成しており、この閉ループにおける電圧成分をＶM0、抵抗成分をＲY ′、容量成分をＣ′とした場合、図７（Ｄ）に示す等価回路に書き改めることができる。そして、ダイオードのアノード・カソード間に生成される順方向電圧をＶDiとし、これは、ほぼ“０．６”であることから、次の式（２）を導くことができる。
【００３８】
【数２】
ＶM0＝ＶM −Ｖf −ＶDi
≒ＶM −Ｖf −０．６ ……… 式（２）
【００３９】
ここで、前記式（２）から逆バイアス電圧ＶM とＥＬ素子の順方向電圧Ｖf との関係が、ＶM −０．６＜Ｖf である場合には、逆バイアス電圧源からＥＬ素子に向かって過剰な電流が流れることはない。したがって抵抗体ＲY 、すなわち図４に示す抵抗体ＲY1〜ＲYmの値は任意に選択することで問題は発生しない。一方、ＶM −０．６≧Ｖf の場合には、逆バイアス電圧源からＥＬ素子に向かって過剰な電流が流れる可能性が生ずる。
【００４０】
この場合においては、図４に示す抵抗体ＲY1〜ＲYmの値を次のように配慮することが望まれる。すなわち、ＶM −０．６≧Ｖf の状態において、逆バイアス電圧源から陰極線側に流れ出るピーク電流値をＩKpeak とした時、ＩKpeak ＝ＶM0／ＲY ′として示すことができ、ＩKpeak の１／ｎ（ｎは陽極線の数）が、走査選択されたＥＬ素子に対して前記電流Ｉp に加えて流れることになる。そこで次の式（３）に示す展開をすることができる。
【００４１】
【数３】
ＩKpeak ／ｎ＜＜Ｉp
（ＶM0／ＲY ′）×（１／ｎ）＜＜Ｉp
（ＶM0／ＲY ）×〔（ｍ−１）／ｎ〕＜＜Ｉp
∴（ＶM0／Ｉp ）×〔（ｍ−１）／ｎ〕＜＜ＲY ……… 式（３）
【００４２】
以上のように、ＶM −０．６≧Ｖf の条件下においては、図４に示す各抵抗体ＲY1〜ＲYmの値は、式（３）に示す条件を十分に満足するように設定することが肝要である。なお、図４に示す実施の形態においては、逆流防止手段としてダイオードＤ1 〜Ｄm が用いられているが、このダイオードに代えて有機ＥＬ素子を利用することができる。このように、ダイオードに代えて有機ＥＬ素子を用いる場合には、発光表示パネル１へ発光画素を構成する有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmを成膜させると同時に、逆流防止手段として機能させる有機ＥＬ素子を成膜させることができる。
【００４３】
以上説明した図４に示す実施の形態においても、ダイオードＤ1 〜Ｄm またはこれに代わる有機ＥＬ素子を逆流防止手段として利用するようにしているので、陽極線ドライブ回路２における定電流源ＩX1〜ＩXnからの電流Ｉp の一部が、逆バイアス電圧の供給源ＶM 側に流れるのを効果的に阻止することができる。したがって、この図４に示す実施の形態においても、図２および図３に示した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４４】
図５は、この発明にかかる駆動装置の第４の実施の形態を示したものである。なお、図５においては、すでに説明した図１〜図４に示す各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって、個々の説明は省略する。この図４に示す第４の実施の形態においては、特に図３に示す実施の形態を基本構成としている。そして、定電流源ＩX1〜ＩXnを駆動させる供給電源ＶH を、そのまま抵抗体ＲY0により分圧することで、逆バイアス電圧ＶM を得るようにしている。
【００４５】
したがって、この図５に示す実施の形態においても、図２〜図４に示した実施の形態と同様の作用効果を得ることができ、加えて、図４に示した実施の形態に比較して逆バイアス電圧ＶM を得る電圧源の構成を簡素化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のパッシブ駆動型表示パネルとその駆動装置の例を示した結線図である。
【図２】この発明にかかる駆動装置における第１の実施の形態を示した結線図である。
【図３】同じく第２の実施の形態を示した結線図である。
【図４】同じく第３の実施の形態を示した結線図である。
【図５】同じく第４の実施の形態を示した結線図である。
【図６】図１および図２に示す表示パネルにおけるＥＬ素子の寄生容量に注目した等価回路図である。
【図７】図４に示す構成における抵抗体の好ましい値を考察するための等価回路図である。
【符号の説明】
１ 発光表示パネル
２ 陽極線ドライブ回路
３ 陰極線走査回路
Ａ1 〜Ａn 陽極線（データ線）
Ｂ1 〜Ｂm 陰極線（走査線）
Ｄ1 〜Ｄm ダイオード（逆流防止手段）
Ｅ11〜Ｅnm 有機ＥＬ素子（発光素子）
ＩX1〜ＩXn 駆動電源（定電流源）
ＩY0，ＩY1〜ＩYm 定電流回路（逆流防止手段）
ＲY0，ＲY1〜ＲYm 抵抗体
ＳX1〜ＳXn ドライブスイッチ
ＳY1〜ＳYm 走査スイッチ
ＶH 供給電源
ＶM 逆バイアス電圧（供給源）
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の発光素子を配列した発光表示パネルの駆動装置に関し、特に素子点灯用の駆動電源から、非走査状態における発光素子を介してリークする電流を抑制することができるパッシブ駆動型発光表示パネルの駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子をマトリクス状に配列して構成した表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ素子が注目されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐え得る高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列したパッシブ駆動型表示パネルが、すでに一部において実用化されている。図１にはパッシブ駆動型表示パネルと、その駆動装置の一例が示されている。このパッシブ駆動型駆動方式における有機ＥＬ素子のドライブ方法には、陰極線走査・陽極線ドライブ、および陽極線走査・陰極線ドライブの２つの方法があるが、図１に示す例は前者の陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。
【０００４】
すなわち、ｎ本のデータ線としての陽極線Ａ1 〜Ａn が縦方向に配列され、ｍ本の走査線としての陰極線Ｂ1 〜Ｂm が横方向に配列され、各々の交差した部分（計ｎ×ｍ箇所）に、ダイオードのシンボルマークで示した有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmが配置され、表示パネル１を構成している。
【０００５】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは、垂直方向に沿う陽極線Ａ1 〜Ａn と水平方向に沿う陰極線Ｂ1 〜Ｂm との各交点位置に対応して一端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるアノード端子）が陽極線に、他端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるカソード端子）が陰極線に接続されている。さらに、各陽極線Ａ1 〜Ａn は陽極線ドライブ回路２に接続され、各陰極線Ｂ1 〜Ｂm は陰極線走査回路３に接続されてそれぞれ駆動される。
【０００６】
前記陽極線ドライブ回路２は、図示せぬＤＣ−ＤＣコンバータ等からの供給電源ＶH を利用して動作するようになされており、この陽極線ドライブ回路２には、各陽極線Ａ1 〜Ａn を通じて駆動電流を個々のＥＬ素子に供給する駆動電源としての定電流源ＩX1〜ＩXnおよびドライブスイッチＳX1〜ＳXnが備えられている。そして、ドライブスイッチがオン制御されることにより、駆動電源ＩX1〜ＩXnからの電流が、陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子に対して供給されるように作用する。
【０００７】
また、前記陰極線走査回路３には、各陰極線Ｂ1 〜Ｂm に対応して走査スイッチＳY1〜ＳYmが備えられ、前記したＤＣ−ＤＣコンバータ等からの供給電源を分圧して得られた逆バイアス電圧ＶM または走査基準電位点としてのアース電位のうちのいずれか一方を、対応する陰極線に接続するように作用する。
【０００８】
これにより、陰極線を所定の周期で走査基準電位点（アース電位）に設定しながら所望の陽極線Ａ1 〜Ａn に駆動電源ＩC1〜IXn を接続することにより、前記各ＥＬ素子を選択的に発光させるように作用する。なお、前記駆動電源は定電圧回路等の電圧源を用いることも可能であるが、ＥＬ素子の電流・輝度特性が温度変化に対して安定しているのに対し、電圧・輝度特性が温度変化に対して不安定であること等の理由により、駆動電源としては図１に示すように定電流源を用いるのが一般的である。
【０００９】
また、前記陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３は、図１には示されていないが発光制御回路より指令を受け、発光制御回路に供給される画像データに応じて当該画像データに対応した画像を表示させるように作用する。この場合、陰極線走査回路３は、発光制御回路からの指令により画像データの水平走査期間に対応する陰極線のいずれかを選択してアース電位に設定し、その他の陰極線には逆バイアス電圧ＶM が印加されるように走査スイッチＳY1〜ＳYmを順次切り換える制御がなされる。なお、図１に示した状態は、第１の陰極線Ｂ1 が走査されている状態を示しており、他の陰極線には逆バイアス電圧ＶM が印加されている。
【００１０】
前記逆バイアス電圧ＶM は、走査選択がなされた陰極線との交点に接続されたドライブされているＥＬ素子の寄生容量を充電すると共に、ドライブされている陽極線と走査選択がなされていない陰極線との交点に接続されたＥＬ素子がリーク電流によりクロストーク発光することを防止するように作用する。この逆バイアス電圧ＶM の電圧値は、発光駆動されるＥＬ素子の順方向電圧Ｖf に近い値に設定されるのが一般的である。そして、走査スイッチＳY1〜ＳYmが水平走査期間毎に、順次アース電位に切り換えられるので、アース電位に設定された陰極線は、その陰極線に接続されたＥＬ素子を発光可能な状態に設定する。
【００１１】
一方、陽極線ドライブ回路２には、前記した発光制御回路より、画像データが示す画素情報に基づいて陽極線に接続されているＥＬ素子のいずれかを、どのタイミングでどの程度の時間にわたって発光させるかについて制御するドライブ制御信号が供給される。前記陽極線ドライブ回路２は、このドライブ制御信号に応じて、ドライブスイッチＳX1〜ＳXnのいくつかをオン制御し、陽極線Ａ1 〜Ａn を通じて画素情報に応じた該当ＥＬ素子に対して駆動電流を供給するように作用する。
【００１２】
斯くして、駆動電流の供給されたＥＬ素子は、当該画素情報に応じて発光駆動される。なお、図１に示した状態は、前記したとおり第１の陰極線Ｂ1 が走査されている状態であり、かつすべてのドライブスイッチＳX1〜ＳXnがオン状態となされているので、第１の陰極線Ｂ1 に対応するＥＬ素子のすべてが発光駆動されることになる。なお、以上説明したパッシブ駆動型表示パネルとその駆動装置については、次に示す例えば特許文献１に開示されている。
【００１３】
【特許文献１】
特開平９−２３２０７４号公報（段落０００２、図１３）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した発光表示パネルに使用される発光素子としての有機ＥＬ素子は、ダイオード特性を呈する発光エレメントとこれに並列に寄生容量が存在していることは周知のとおりである。したがって、図１に示した表示パネル１についての第１陽極線Ａ1 に対応した前記寄生容量に注目すると、図６（Ａ）に示したような等価回路で表すことができる。
【００１５】
すなわち、図６（Ａ）においては図１に基づいてすでに説明した各部に相当する部分を同一符号で示している。また、図６（Ａ）における符号Ｃ11，Ｃ12，Ｃ13，……Ｃ1mは、図１に示す第１陽極線Ａ1 に接続された各ＥＬ素子Ｅ11，Ｅ12，Ｅ13，……Ｅ1mにおける寄生容量を示しており、また、図６（Ａ）においては第１の陰極線Ｂ1 が走査状態になされた状態で示している。図６（Ａ）に示されたように、陽極線Ａ1 に定電流源ＩX1より定電流Ｉp を流すと、各寄生容量Ｃ11，Ｃ12，Ｃ13，……Ｃ1mにはそれぞれ、Ｉp ／ｍ（ｍは陽極線Ａ1 に接続されたＥＬ素子の数、すなわち寄生容量の数）の電流が流れる。
【００１６】
すなわち、第１陰極線Ｂ1 が走査されることにより、寄生容量Ｃ11を介して定電流源ＩX1より走査基準電位点（アース）に向かって電流が流れることは勿論のこと、他に非走査状態の陰極線における寄生容量Ｃ12，Ｃ13，……Ｃ1mを介して、逆バイアス電圧の供給源（以下においては、これを逆バイアス電圧ＶM と同符号で示す場合もある。）にも電流が流れ込む。これは、逆バイアス電圧の供給源は、一般的に供給電源ＶH の出力電圧を抵抗分割し、エミッタフォロア等のインピーダンス変換手段を介して定電圧を生成するようにしており、したがって、逆バイアス電圧供給源のインピーダンスは非常に低いためである。
【００１７】
それ故、点灯駆動しようとする走査状態のＥＬ素子に対して、予め設定された値の駆動電流を正確に供給することができないという問題が発生する。また、非走査状態おけるＥＬ素子の各寄生容量を介して、逆バイアス電圧の供給源側に電流がリークするために、駆動電力の浪費を伴うことになり、特に携帯用機器等に採用する場合においては、電池の寿命を短縮させるなどの問題も発生する。
【００１８】
この発明は、前記した問題点に着目してなされたものであり、非走査状態おけるＥＬ素子の各寄生容量を介して、逆バイアス電圧の供給源側に電流がリークするのを防止するように構成し、これにより、前記した問題点を改善した発光表示パネルの駆動装置を提供することを目的とするものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる発光表示パネルの駆動装置は、請求項１に記載のとおり、複数のデータ線と複数の走査線との各交点に発光素子が接続され、前記各走査線を走査基準電位点に接続することで、順次走査を実行すると共に、走査基準電位点に接続されない非走査状態の走査線には、前記発光素子に対する逆バイアス電圧を供給するように構成した発光表示パネルの駆動装置であって、前記データ線を介して供給される駆動電流の一部が、非走査状態における発光素子を介して、前記逆バイアス電圧の供給源に流入するのを阻止する逆流防止手段を備え、前記逆流防止手段は、前記逆バイアス電圧の供給源から前記走査線側に向かって電流を供給することが可能なダイオードである点に特徴を有する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、その実施の形態を図面に基づいて説明する。図２はその第１の実施の形態を示したものであり、すでに説明した図１に示す各部に相当する部分を同一符号で示している。したがって、個々の説明は省略する。
【００２１】
この図２に示す第１の実施の形態においては、陰極線走査回路３と逆バイアス電圧の供給源ＶM との間に、逆流防止手段としての定電流回路ＩY0が介在されている。この定電流回路ＩY0は、逆バイアス電圧の供給源ＶM から表示パネル１の走査線側に向かって電流を供給する機能を果たす。すなわち、図２に示した構成においては、前記した定電流回路ＩY0からの電流は、表示パネル１における各陰極線Ｂ1 〜Ｂm に向かって流れ、非走査状態のＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加することになる。したがって、発光表示パネル１の陰極線側から見た場合の前記定電流回路ＩY0は、インピーダンスはきわめて高い。
【００２２】
図６（Ｂ）は、前記した定電流回路ＩY0を配置した場合における第１陽極線Ａ1 におけるＥＬ素子の寄生容量に注目した等価回路を示している。すなわち、すでに説明した図６（Ａ）と同様な等価回路で示している。なお、この図６（Ｂ）においても、第１の陰極線Ｂ1 が走査状態になされた状態で示している。図６（Ｂ）に示されたように、陽極線Ａ1 に陽極線ドライブ回路２における定電流源ＩX1より定電流Ｉp を流すと、定電流源ＩX1からの電流Ｉp は、走査状態にあるＥＬ素子Ｅ11による寄生容量Ｃ11を介して走査基準電位点（アース）に向かって流れる。
【００２３】
一方、前記したとおり、陰極線走査回路３と逆バイアス電圧の供給源ＶM との間には、定電流回路ＩY0が介在されており、この定電流回路ＩY0は発光表示パネル１の陰極線側から見た場合のインピーダンスはきわめて高い。このために、非走査状態の陰極線における寄生容量Ｃ12，Ｃ13，……Ｃ1mを介して、前記定電流Ｉp の一部が、逆バイアス電圧の供給源ＶM 側に流れるのは阻止される。換言すれば、定電流源ＩX1によって設定された定電流Ｉp のほとんどすべてが走査状態のＥＬ素子に流れることになる。
【００２４】
したがって、図２に示した構成によると、点灯駆動しようとする走査状態のＥＬ素子に対して、予め設定された値の駆動電流をほぼ正確に供給することができる。さらに、非走査状態おけるＥＬ素子の各寄生容量を介して、逆バイアス電圧の供給源側に電流がリークするのを阻止することができるので、駆動電力の浪費を伴うなどの問題も解消することができる。
【００２５】
次に図３は、この発明にかかる駆動装置の第２の実施の形態を示したものである。なお、図３においては、すでに説明した図１および図２に示す各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって、個々の説明は省略する。この図３に示す第２の実施の形態においては、陰極線走査回路３における各走査スイッチＳY1〜ＳYmと逆バイアス電圧の供給源ＶM との間に、逆流防止手段としての定電流回路ＩY1〜ＩYmがそれぞれ介在されている。
【００２６】
この定電流回路ＩY1〜ＩYmは、図２に示した例と同様に逆バイアス電圧の供給源ＶM から表示パネル１の各走査線側に向かってそれぞれ定電流を供給する機能を果たし、非走査状態のＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加するように作用する。したがって、前記定電流回路ＩY1〜ＩYmは、発光表示パネル１の陰極線側から見た場合のインピーダンスはきわめて高い。
【００２７】
それ故、非走査状態の陰極線におけるＥＬ素子の寄生容量を介して、陽極線ドライブ回路２における定電流源ＩX1〜ＩXnからの定電流Ｉp の一部が、逆バイアス電圧の供給源ＶM 側に流れるのは阻止される。換言すれば、定電流源ＩX1〜ＩXnによって設定された各定電流Ｉp のほとんどすべてが走査状態のＥＬ素子に流れることになる。したがって、この図３に示す実施の形態においても、図２に示した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００２８】
なお、図２および図３に示した各実施の形態においては、前記したとおり定電流源ＩX1〜ＩXnによって設定された各定電流Ｉp のほとんどすべてが走査状態のＥＬ素子に流れることになる。これに加えて、走査状態のＥＬ素子には、逆バイアス電圧の供給源ＶM から、定電流回路ＩY0，ＩY1〜ＩYmおよび非走査状態のＥＬ素子における寄生容量を介して電流が流れ込み、前記定電流Ｉp で設定した点灯輝度よりも大きな輝度になる場合がある。
【００２９】
例えば図３に示す実施の形態のように、陽極線がｎ本、陰極線がｍ本からなり、陽極ドライブ回路２における各定電流源ＩX1〜ＩXnによって供給されるそれぞれの定電流をＩp とし、定電流回路ＩY1〜ＩYmより陰極線側に供給される定電流がそれぞれＩk であるとした場合、前記Ｉk は非走査状態のＥＬ素子における寄生容量を介して、走査状態のＥＬ素子に流れ込む。したがって、前記Ｉk による輝度変化の影響を避けるには、次の式（１）の関係が満足するようにＩp とＩk の関係を設定することが望ましい。
【００３０】
【数１】
〔Ｉk ×（ｍ−１）〕／ｎ＜＜Ｉp
∴Ｉk ＜＜Ｉp ×〔ｎ／（ｍ−１）〕 ……… 式（１）
【００３１】
図４は、この発明にかかる駆動装置の第３の実施の形態を示したものである。なお、図４においては、すでに説明した図１〜図３に示す各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって、個々の説明は省略する。この図４に示す第３の実施の形態においては、陰極線走査回路３における各走査スイッチＳY1〜ＳYmと逆バイアス電圧の供給源ＶM との間に、逆流防止手段としてのダイオードＤ1 〜Ｄm がそれぞれ介在されている。
【００３２】
すなわち、各ダイオードＤ1 〜Ｄm は、そのアノードが逆バイアス電圧の供給源ＶM 側に接続され、カソードが各走査スイッチＳY1〜ＳYmに接続されている。この構成により、非走査状態の陰極線におけるＥＬ素子の寄生容量を介して、陽極線ドライブ回路２における定電流源ＩX1〜ＩXnからの電流Ｉp の一部が、逆バイアス電圧の供給源ＶM 側に流れるのが阻止される。
【００３３】
換言すれば、定電流源ＩX1〜ＩXnによって設定された各定電流Ｉp のほとんどすべてが走査選択されたＥＬ素子に流れることになる。したがって、この図４に示す実施の形態においても、図２および図３に示した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、図４に示す実施の形態においては各ダイオードＤ1 〜Ｄm に対してそれぞれ抵抗体ＲY1〜ＲYmが直列に接続されている。
【００３４】
なお、図４に示した構成における前記抵抗体ＲY1〜ＲYmの各抵抗値については、前記逆バイアス電圧ＶM とＥＬ素子の順方向電圧Ｖf との関係で、次のような配慮が必要となる。すなわち図７（Ａ）は、図４に示した構成における定電流源ＩX1が接続された１本の陽極線に着目し、この陽極線に接続されたＥＬ素子Ｅ11に供給される電流を考察した場合の等価回路を示している。
【００３５】
図７（Ａ）に示すように、前記ＥＬ素子Ｅ11には定電流源ＩX1により電流Ｉp が流されることについては、すでに説明したとおりである。前記ＥＬ素子Ｅ11には、これに加えて逆バイアス電圧の供給源ＶM より各抵抗体ＲY1〜ＲYm、各ダイオードＤ1 〜Ｄm 、非走査状態のＥＬ素子による寄生容量Ｃ11〜Ｃ1mをそれぞれ介して電流が流入する。前記した状況から図７（Ａ）に示す等価回路は、図７（Ｂ）に示す等価回路に書き改めることができる。
【００３６】
すなわち、図７（Ａ）に示す各抵抗体ＲY1〜ＲYmは、非走査状態の陰極線に対応した各抵抗体の並列接続であると見なすことができ、各抵抗体の抵抗値をＲY とした時、その合成抵抗値は図７（Ｂ）に示すように、ＲY ／（ｍ−１）として示すことができる。また、図７（Ａ）に示す各寄生容量Ｃ11〜Ｃ1mは、それぞれ並列接続であると見なすことができ、各寄生容量の容量値をＣとした時、その合成容量値は図７（Ｂ）に示すように、（ｍ−１）×Ｃとして示すことができる。さらに、図７（Ｂ）に示すＥＬ素子Ｅ11のアノード電圧をＶf とし、図７（Ｂ）に示すループ▲１▼に着目した場合、図７（Ｂ）に示す等価回路は、図７（Ｃ）に示す等価回路に書き改めることができる。
【００３７】
図７（Ｃ）に示す等価回路においては、基準電位点を介して閉ループを構成しており、この閉ループにおける電圧成分をＶM0、抵抗成分をＲY ′、容量成分をＣ′とした場合、図７（Ｄ）に示す等価回路に書き改めることができる。そして、ダイオードのアノード・カソード間に生成される順方向電圧をＶDiとし、これは、ほぼ“０．６”であることから、次の式（２）を導くことができる。
【００３８】
【数２】
ＶM0＝ＶM −Ｖf −ＶDi
≒ＶM −Ｖf −０．６ ……… 式（２）
【００３９】
ここで、前記式（２）から逆バイアス電圧ＶM とＥＬ素子の順方向電圧Ｖf との関係が、ＶM −０．６＜Ｖf である場合には、逆バイアス電圧源からＥＬ素子に向かって過剰な電流が流れることはない。したがって抵抗体ＲY 、すなわち図４に示す抵抗体ＲY1〜ＲYmの値は任意に選択することで問題は発生しない。一方、ＶM −０．６≧Ｖf の場合には、逆バイアス電圧源からＥＬ素子に向かって過剰な電流が流れる可能性が生ずる。
【００４０】
この場合においては、図４に示す抵抗体ＲY1〜ＲYmの値を次のように配慮することが望まれる。すなわち、ＶM −０．６≧Ｖf の状態において、逆バイアス電圧源から陰極線側に流れ出るピーク電流値をＩKpeak とした時、ＩKpeak ＝ＶM0／ＲY ′として示すことができ、ＩKpeak の１／ｎ（ｎは陽極線の数）が、走査選択されたＥＬ素子に対して前記電流Ｉp に加えて流れることになる。そこで次の式（３）に示す展開をすることができる。
【００４１】
【数３】
ＩKpeak ／ｎ＜＜Ｉp
（ＶM0／ＲY ′）×（１／ｎ）＜＜Ｉp
（ＶM0／ＲY ）×〔（ｍ−１）／ｎ〕＜＜Ｉp
∴（ＶM0／Ｉp ）×〔（ｍ−１）／ｎ〕＜＜ＲY ……… 式（３）
【００４２】
以上のように、ＶM −０．６≧Ｖf の条件下においては、図４に示す各抵抗体ＲY1〜ＲYmの値は、式（３）に示す条件を十分に満足するように設定することが肝要である。なお、図４に示す実施の形態においては、逆流防止手段としてダイオードＤ1 〜Ｄm が用いられているが、このダイオードに代えて有機ＥＬ素子を利用することができる。このように、ダイオードに代えて有機ＥＬ素子を用いる場合には、発光表示パネル１へ発光画素を構成する有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmを成膜させると同時に、逆流防止手段として機能させる有機ＥＬ素子を成膜させることができる。
【００４３】
以上説明した図４に示す実施の形態においても、ダイオードＤ1 〜Ｄm またはこれに代わる有機ＥＬ素子を逆流防止手段として利用するようにしているので、陽極線ドライブ回路２における定電流源ＩX1〜ＩXnからの電流Ｉp の一部が、逆バイアス電圧の供給源ＶM 側に流れるのを効果的に阻止することができる。したがって、この図４に示す実施の形態においても、図２および図３に示した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４４】
図５は、この発明にかかる駆動装置の第４の実施の形態を示したものである。なお、図５においては、すでに説明した図１〜図４に示す各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって、個々の説明は省略する。この図４に示す第４の実施の形態においては、特に図３に示す実施の形態を基本構成としている。そして、定電流源ＩX1〜ＩXnを駆動させる供給電源ＶH を、そのまま抵抗体ＲY0により分圧することで、逆バイアス電圧ＶM を得るようにしている。
【００４５】
したがって、この図５に示す実施の形態においても、図２〜図４に示した実施の形態と同様の作用効果を得ることができ、加えて、図４に示した実施の形態に比較して逆バイアス電圧ＶM を得る電圧源の構成を簡素化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のパッシブ駆動型表示パネルとその駆動装置の例を示した結線図である。
【図２】この発明にかかる駆動装置における第１の実施の形態を示した結線図である。
【図３】同じく第２の実施の形態を示した結線図である。
【図４】同じく第３の実施の形態を示した結線図である。
【図５】同じく第４の実施の形態を示した結線図である。
【図６】図１および図２に示す表示パネルにおけるＥＬ素子の寄生容量に注目した等価回路図である。
【図７】図４に示す構成における抵抗体の好ましい値を考察するための等価回路図である。
【符号の説明】
１ 発光表示パネル
２ 陽極線ドライブ回路
３ 陰極線走査回路
Ａ1 〜Ａn 陽極線（データ線）
Ｂ1 〜Ｂm 陰極線（走査線）
Ｄ1 〜Ｄm ダイオード（逆流防止手段）
Ｅ11〜Ｅnm 有機ＥＬ素子（発光素子）
ＩX1〜ＩXn 駆動電源（定電流源）
ＩY0，ＩY1〜ＩYm 定電流回路（逆流防止手段）
ＲY0，ＲY1〜ＲYm 抵抗体
ＳX1〜ＳXn ドライブスイッチ
ＳY1〜ＳYm 走査スイッチ
ＶH 供給電源
ＶM 逆バイアス電圧（供給源）
Claims (3)
- 複数のデータ線と複数の走査線との各交点に発光素子が接続され、前記各走査線を走査基準電位点に接続することで、順次走査を実行すると共に、走査基準電位点に接続されない非走査状態の走査線には、前記発光素子に対する逆バイアス電圧を供給するように構成した発光表示パネルの駆動装置であって、
前記データ線を介して供給される駆動電流の一部が、非走査状態における発光素子を介して、前記逆バイアス電圧の供給源に流入するのを阻止する逆流防止手段を備え、
前記逆流防止手段は、前記逆バイアス電圧の供給源から前記走査線側に向かって電流を供給することが可能なダイオードであることを特徴とする発光表示パネルの駆動装置。 - 前記ダイオードに対して直列に抵抗体が介在されたことを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
- 前記発光素子が、有機化合物を発光層に用いた有機ＥＬ素子により構成され、前記ダイオードが同じく有機ＥＬ素子により構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光表示パネルの駆動装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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