TW543206B

TW543206B - EL display device and electronic device

Info

Publication number: TW543206B
Application number: TW091104560A
Authority: TW
Inventors: Shunpei Yamazaki
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 1999-06-28
Filing date: 2000-06-21
Publication date: 2003-07-21
Also published as: US6552496B2; CN1967858A; US20030214246A1; KR20010029845A; EP1065723A3; US7256422B2; CN1967858B; TW515109B; US6380687B1; CN1607872B; KR100684481B1; CN1203556C; CN1279518A; US20080024069A1; EP1065723B1; EP1065723A2; US7548027B2; US20050006667A1; US20020093290A1; US6774573B2

Description

543206 A7 _ B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 1 ·發明部份 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關E L (電發光）顯示裝置，由半導體元件（使用半導體薄膜之一元件）構成，建造於基體中，且係有關具有E L顯示裝置作爲顯示器之電子裝置。 2 .有關技藝之說明製造T F T於基體上之技術近年來大有進步，且其應用於主動矩陣式顯示裝置上之發展亦有進步。明確言之，使用多晶矽薄膜之T F T較之使用普通非晶質矽薄膜之 T F T具有較高之電場效應遷移率，且故此可高速操作。結果，可由構製於與像素同一基體上之驅動電路執行普通由基體外之驅動電路所執行之像素控制。此式主動矩陣顯示裝置由於許多優點而受重視，此等可由加裝各種電路及元件於此式主動矩陣顯示裝置之同一基體上而獲得，諸如減少製造成本，顯示裝置小型化，增加生產率，及提高產出。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在具有像素部份及用以驅動像素部份之驅動電路在同一基體上之單石式顯示裝置中，驅動電路構製於像素部份之週邊中，且故此，與僅構製像素部份於基體上相較，所需之基體大小較大該驅動電路之大小。故此，可切製一基體之顯示裝置之數隨可製造如何小之驅動電路之獨用表面積而改變。明確言之，在像素部份具有對角線1吋或以下之顯示 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 543206 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝置，需裝置該驅動電路於極小之基體上，及驅動電路之獨用面積對基體大小有巨大之影響。然而，不管像素部份之大小，驅動電路之功能相同，且爲構製具有相功能之驅動電路於非常小之面積中，多種因素，諸如增加T F T特性及小型化技術成爲關鍵。發明槪要本發明著眼於以上問題，且本發明之目的在進一步小型化主動矩陣式E L顯示裝置，並降低小型化成本。而且，本發明之另一目的在進一步小型化設有主動矩陣式E L 顯示裝置作爲顯示裝置之電子裝置，並降低小型化成本。主動矩陣式E L顯示裝置之每一像素構製有一 E L元件。EL元件指一發光元件，在此由一陰極，一 EL層，及一陽極構成。EL元件之輸出光（此後稱爲EL光）自基體方向基體反方輸出。此顯示於圖6 A及6 B。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在圖6A之結構中，EL元件由ITO (氧化銦鍚）所製之一像素電極（陽極），一 EL層，及一MgAg電極（陰極）所構成，依次自E L元件底端開始。而且，陰極本身薄，且故此構製一保護電極（在此爲鋁電極）以資保護，且同時輔助陰極功能。在此情形，E L光自T F T 構製處之基體方輸出。故此，整個像素電極表面積中在下方不構製T F T及接線之部份成爲有效之發光區。另一方面，在圖6 B之結構中，E L元件由鋁薄膜所製之一像素電極（陽極），一 MgAg電極（陰極），一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - 543206 A7 B7 五、發明説明（3 ) EL層，及一 I T ◦電極（陽極）構成，依次自EL元件之底端開始。在此情形，EL光自TFT並不發射通過像素電極，且故此，所有光輸出至基體之對面（E L顯示裝置之頂面）。像素電極之整個表面區故此成爲有效之發光區。在圖6 A之情形，故此，在像素電極下方之元件或接線需儘可能少。然而，在圖6 B之情形，不管像素下方有何物件，均無關係，此全然爲一死空間。爲澄淸本發明之要點，本發明之目的在有效利用主動矩陣式E L顯示裝置之像素電極下方之死空間，其中，使 E L元件由圖6 B之方法發光。明確言之，用以驅動像素電極之驅動電路構製於像素部份中安排成矩陣狀態之每一像素之像素電極下方。而且，不獨驅動電路，其他信號處理電路（諸如分波電路，增強電路，r補償電路，記憶器，及微分放大電路）亦可構製。換言之，普通構製於像素部份之周邊中之電路及元件可安排於像素部份內之死區中，且可有效利用基體表面積。注意包含諸如用作E S D (電狀態變壞）反制之保護性元件，如構製於像素部份之周邊中之元件。而且，本發明不獨可應用於主動矩陣式E L顯示裝置 ’且亦可應用於具有驅動電路構製於同一基體上，並具有簡單矩陣式之像素部份之E L顯示裝置上。換言之，本發明可有效用於E L顯示裝置上，其中，像素部份之e L光輸出至與基體相對之方，且其中，其他電路或元件構製於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -6 · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ••I裝. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 A7 B7 五、發明説明（4 基體上。附圖簡述在附圖中：圖1顯示一 E L顯示裝置之斷面結構；圖2 A至2 E顯示製造E L顯示裝置之程序圖3 A至3 D顯示製造E L顯示裝置之程序圖4A至4D顯示製造E L顯示裝置之程序圖5 A至5 C顯示製造E L顯示裝置之程序；圖6 A至6 B用以說明自E L顯示裝置輸出光之方向 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖7 A至7 B顯示E L模組之外觀；圖8 A至8 C顯示製造接觸結構之程序；圖9顯示E L顯示裝置之像素部份之構成；圖1 0顯示E L顯示裝置之斷面結構；圖1 1 A至1 1 B顯示E L顯示裝置之像素部份之頂部結構；圖1 2顯示E L顯示裝置之像素部份之頂部結構；& 圖1 3A至1 3 F顯示電子裝置之特定實例。符號說明 11 12 13 基體絕緣薄膜源區 -訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7 - 543206 A7 B7 五、發明説明（5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 4 汲 1 6 分隔區 1 7 通道形成 1 8 閘絕緣薄膜 1 9 閘電極 2 0 層間絕緣薄膜 2 1 源接線 2 2 汲接線 4 7 鈍化薄膜 4 9 像素電極 5 1 陰極 5 2 E L 層 2 0 1 開關 T F T 2 0 3 E L 元件 2 0 2 電流控制 T F T 5 0 5 保護薄膜 5 1 6 摻雜 1^ 5 1 9 光阻罩 2 0 0 1 主體 2 0 0 2 外殻 2 0 0 3 顯示部份 2 0 0 4 鍵盤 2 1 0 3 聲音輸入部份 2 10 4 操作開關 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •I裝· 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 543206 A7 B7 五、發明説明（6 ) 2 10 5 電池 2 10 6 影像接收部份 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2302 信號電纜 2303 頭固定帶 2 3 0 4 顯示監視器 2305 光學系統 2 5 0 2 攝影部份 2602 支持座較佳蹇施例之詳細說明實施例模式首先，圖1顯示本發明之主動矩陣式E L顯示裝置之斷面結構之設計。圖1中參考編號11標示一基體，及參考編號1 2標示一絕緣薄膜’此成爲一基層（此後稱爲基層薄膜）。一玻璃基體’一石央基體’一結晶玻璃基體，一陶瓷基體，一矽基體，一金屬基體，或一塑膠基體可用作基體1 1。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，基層薄膜1 2在使用含有移動離子之基體，或具有導電性之基體之情形特別有效，但無需構製於石英基體上。可構製含矽之絕緣薄膜，作爲基層薄膜1 2。注意含砂之絕緣薄膜一辭特別表示諸如氧化砂薄膜，氮化砂薄膜，或氮氧化矽薄膜（由S i OxNy標示，其中X及y 爲隨意整數）等絕緣薄膜，且在此規格中包含預定比率之石夕，氧，及氮。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 543206 A7 B7 五、發明説明（7 ) 梦考編號2 0 1標不一開關T F T，及參考編號 2 0 2標示一電流控制T F 丁，二者由n通道τ F T構成。η通道TFT之場效遷移率大於ρ通道TFT之場效遷移率，且故此電流可局速流，且容易使大量之電流流於η 通道TFT中。而且，即使同量電流，η通道TFT可製成較小。故此，當使用η通道T F T爲電流控制T F 丁時 ’可更有效利用像素電極下面之死空間。注意在本發明中無需限制開關T F Τ及電流控制 TFT於η通道TFT，且可使用ρ通道TFT作爲開關丁 F T，電流控制T F T，或二者。開關TFT2 0 1構製具有：一主動層，包含一源區 13，一汲區14，LDD區15a至15d，一分離區 1 6，及通道形成區1 7 a及1 7 b ; —閘絕緣薄膜1 8 ;閘電極1 9 a及1 9 b，一第一層間絕緣薄膜2 0，一請先閲讀背面之注意事項再寫本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製源接線2 1 ，及一汲接線2 2。注意閘絕緣薄膜1 8或第間絕緣薄膜2 0可構製於基體上所有相同T F T之間亦可構製於不同T F T之間，此視電路或元件而定。圖1 A所示之開關T F T 2 0 1具有閘電極1 9 a及 b電相接，形成所謂雙閘結構。不獨雙閘結構，當然所謂多閘結構（包含具有二或更多通道形成區串連之動層之結構），諸如三閘結構亦可使用。多閘結構在降低T F T之斷電流値上極爲有效，且由降低開關丁 F T之斷電流，則可使用一替代物，其中關丁 F T之汲極中不構製一電容器（用以維持電流控層且 9 且主充分，開本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - 543206 A7 ___________B7_ 五、發明説明（8 ) 制T F T之閘電流之一電容器）。結果，可甚至更有效利用像素內之死空間。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，開關TFT20 1中之LDD區1 5 a至 1 5 d構製經由閘絕緣薄膜1 8不重疊於閘電極1 9 a及 1 9 b。此結構在降低斷電流値上非常有效。而且， LDD區1 5 a至1 5 d之長度（寬度）可設定於自 0 · 5至3 _ 5//m，普通在2 _ 0及2 · 5#m之間。注意更宜構製一偏置區（半導體層構成之一區，具有與通道形成區相同之組成份，且閘電壓不施加於其上）於通道形成區及L D D區之間，用以降低斷電流値。而且，當使用具有二或更多閘電極之多閘結構時，構製於通道形成區之間之分隔區1 6 (加有與源區或汲區相同雜質元素且在相同濃度上之一區）可有效降低斷電流値。其次，電流控制T F T 2 0 2構製具有：一主動層，包含一源區26，一汲區27，一 LDD區28，及一通道形成區2 9 ;閘絕緣薄膜1 8 ;閘電極3 0 ;第一層間絕緣薄膜2 0 ;源接線3 1 ;及汲接線3 2。注意閘電極 2 0具有單閘結構，但亦可使用多閘結構。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製開關T F T 2 0 1之汲極電連接至電流控制 T F T 2 0 2之閘極。明確言之，電流控制T F T 2 0 2 之閘電極3 0經汲接線（亦稱爲連接線）2 2電連接至開關TFT2 0 1之汲區1 4。而且，源接線3 1連接至一電流供應線，以供應預定之電壓。電流控制T F T爲一元件，用以控制注射於E L元件本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 543206 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明 (9 ) 1 I 2 0 3 中之電流量且如慮及E L 元件之惡化，則不宜太 1 1 I 多電流流過〇故此 j 宜設計通道長度（L )，俾不致過度 1 1 電流流於電流控制 Τ F T 2 0 2中。電流量宜每像素自 1 ! 請 1 I 0 • 5 至 2 β A ( 更宜在 1 及1 · 5 // A 之間）〇閱 1 I 根道長度讀 1 據以上，當開關 T F T之通取作L 1 (其中背 1 I L 1 = L 1 a + L 1 b ) 且其通道寬度爲W 1 ，及電流之注意 1 1 控制丁 F T 之通道長度取作 L 2，及其通道寬度爲W 2 時事項 s 1 5 如顯示於圖 9 5 則宜 W 1 自0 · 1至5 β m ( 普通在丹填寫本 •裝 1 0 • 5 及 2 β m 之間 ) 及 W 2自 0 . 5 至1 0 β m ( 普頁 1 I 通在 0 • 5 及 2 β m 之間 ) 。而且，宜L ISO • 2至 1 1 8 β m ( 通在 2 及 1 5 "m之間），及L 2 自1至 1 I 5 〇 β m ( 普通在 1 0 及 3 0 // m 之間）。注意本發明並 1 訂不限於以上之數値〇 1 1 圖 1 所示之 Ε L 顯示裝置亦具; 有特徵，即L D D區 1 I 2 8 構製於電流控制 1 I Τ F T 2 0 2 中汲區 2 7及通道形成區2 9 之間，且 ! | L D D 區 2 8 具有一區經由絕緣薄膜1 8 重疊及一區不重 1 1 疊 _ 電極 3 0 〇 1 電流控制 T F T 2 0 2 具有較大量之電流流過，俾使 1 E L 元件 2 0 3 發亮 > 且故此，宜採取行動，以反制由於 1 I 熱載子注射而惡化〇而且，當顯示: 黑色時，電流; 控制 1 1 I T F Τ 設定於斷狀態 j 但如此時斷電流高，則不能淸楚顯 1 1 示里 y \ w 色且此發生問題諸如對比降低。故此，需抑制斷 1 1 電流値 0 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12 - 543206 A7 _____B7_ 五、發明説明（1〇 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 知道一種結構（其中，L D D區重疊閘電極）對付由於熱載子注射所引起之惡化極爲有效。然而，如使整個 L D D重疊閘電極，則斷電流値升高，且故此，本發明之申請者由加一創新結構於以上結構，同時解決熱載子及斷電流値問題，其中，構製不重疊於閘電極之一 L D D區成串連。重疊於閘電極之LDD區在此點之長度可自0.1至 3 // m (宜在〇 · 3及1 · 5 // m之間）。如太長，則寄生電容變大，且如太短，則熱載子防止效果變弱。而且，不重疊於閘電極之LDD區之長度可設定於自1.〇至 3 · 5 // m (宜在1 · 5及2 · 0 // m之間。如太長，則充分之電流不能流過，且如太短，則斷電流値降低效果變弱。一寄生電容形成於以上結構中，在閘電極及L D D區重疊之區域中，且故此，此區宜不構製於源區2 6及通道形成區2 9之間。電流控制T F T中載子（在此爲電子）流動方向恆相同，且故此，構製L D D區僅於汲區方上即夠。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製注意如電流控制T F T 2 0 2之驅動電壓（施加於源區及汲區間之電壓）等於或低於1 0 V，則熱載子注射難以再引起問題，且故此，亦可略去L D D區2 8。在此情形，有效層由源區26，汲區27，及通道形成區29構成。而且，自增加電流之可容許量之觀點來看，使電流控本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - 543206 Α7 Β7 五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 制TFT2 0 2之有效層（尤其是通道形成區）之薄膜厚度厚（宜自5 0至1 OOnm，更宜在6 0及8 Onm之間）有效。反之，自減少開關T F T 2 0 1之斷電流値之觀點來看，使有效層（尤其是通道形成區）之薄膜厚度薄 (宜自20至50nm，更宜在25及40nm之間）有效。以上說明像素內所構製之T F T之結構。注意一驅動電路（嚴格言之，驅動電路之一部份）亦同時構製於同一像素內。一 CMO S電路，形成驅動電路之基本單位顯示於圖1。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在圖1中，使用一 TFT作爲CMOS電路之一 η通道丁 F Τ 2 0 4，此具有儘可能降低熱載子注射，儘可能減少操作速度下降之結構。注意此處所指之驅動電路表示一資料信號驅動電路（包含一轉移暫存器，一位準轉移器，一緩衝器，一閂，一 D / Α變換器，及一抽樣電路），及一閘信號驅動電路（包括一轉移暫存器，一位準轉移器，及一緩衝器）。當然，亦可構製其他信號處理電路（諸如一分波電路，一增強電路，一 r補償電路，記憶器，或一微分放大電路）。 η通道TFT2 0 4之主動層包含一源區3 5，一汲區36，一 LDD區37，及一通道形成區38，且 L D D區3 7經閘絕緣薄膜1 8重疊一閘電極3 9。 L D D區僅構製於汲區方上，此乃考慮不降低操作速度之故。而且，無需考慮η通道TFT2 0 4之斷電流値本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -14 - 543206 A7 B7 五、發明説明（12 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，但需更強調操作速度。故此，LDD區37宜完全覆蓋閘電極，儘可能降低電阻性組成件。換言之，消除所有偏置爲佳。 CM〇S電路之p通道TFT2 0 5由於熱載子注射所引起之惡化幾不考慮，且尤其是，無需構製一 LDD區。主動層故此包含一源區40，一汲區4 1，及一通道形成區4 2，及閘絕緣薄膜1 8及閘電極4 3構製於其上。且當然，亦可採取行動，由構製一 L D D區來對付熱載子，如η通道TFT204者。而且，n通道TFT204及p通道TF丁205各由第一層間絕緣薄膜2 0覆蓋，並構製源接線4 4及4 5 。而且，二者由汲接線4 6電連接。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，參考編號4 7標示一第一鈍化薄膜，且其薄膜厚度可設定自1 0 nm至1 //m (宜在2 0 0至 5 0 0 n m之間）。含砍之一絕緣薄膜（尤其是，宜使用氮氧化矽薄膜或氮化矽薄膜）可用作鈍化薄膜材料。鈍化薄膜4 7擔任防止所構製之T F T受鹼金屬及濕氣之侵害。最後欲構製於T F T上之一 E L層包含鹼金屬，諸如鈉。言之，第一鈍化薄膜4 7作用如保護層，俾此等鹼金屬 (移動離子）不致穿透進入TFT。而且，參考編號4 8標示一第二層間絕緣薄膜，此作用如平面化薄膜，用以使由於T F T所引起之不平平坦。一有機樹脂薄膜宜作爲第二層間絕緣薄膜4 8，可使用其一聚醯亞胺，聚醯胺，壓克力，或BCB (苯環丁烯）。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 15 - 543206 A7 B7 五、發明説明（13 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此等有機樹脂薄膜具有容易形成良好平坦表面之優點，並具有低特定介質常數。E L層對不平坦極爲敏感，且故此宜由第二層間絕緣薄膜幾乎吸收T F T不平坦。而且，低特定介質常數材料宜製厚，以減小閘接線或資料線及E F 元件之陰極間所形成之寄生電容。故此，該厚度宜自 0 · 5至5//m (更宜在1 · 5及2 · 5//m之間）而且，參考編號4 9標示一像素電極，由透明傳導性薄膜所構成。在第二層間絕緣薄膜4 8及第一鈍化薄膜 4 7中打開一接觸孔後，構製像素電極4 9，俾在開口部份處連接至電流控制T F T 2 0 2之汲接線3 2。注意如像素電極4 9及汲區2 7並不直接相接，如圖1 ，則即使 E L層中之鹼金屬擴散通過像素電極，鹼金屬亦不經此像素電極進入主動層中。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一第三層間絕緣薄膜5 0由氧化矽薄膜，氮氧化矽薄膜，或有機樹脂薄膜構製於像素電極4 9上，具有厚度自 0 · 3至1 // m。一開口部份由鈾刻法構製於第三層間絕緣薄膜5 0中像素電極4 9上，並蝕刻該開口部份之邊緣，俾成錐形。錐形角度可設定自10至60° (宜在30 至5 0 °之間）。一陰極5 1構製於第三層間絕緣薄膜5 0上。包含低功函數材料之一材料，諸如鎂（Mg)，鋰（Li)，或鈣（C a )用作陰極5 1 。宜使用由MgAg (由Mg及 Ag以Mg ·· Ag = l 〇 : 1 )所構成之材料）所製之電極。而且，可提出一 MgAgA 1電極，一L i A 1電極本紙張尺度適用中國國家標準YcNS ) A4規格（210X297公釐1 - 16 - "~ 543206 A7 B7 五、發明説明（14 ) ，及一 L i F aA 1電極作爲他例。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 EL層52構製於陰極5 1上。陰極5 1在此點需在完全由E L層覆蓋之狀態，且該E L層構製具有較陰極 5 1爲大之圖案。由如此作，可防止陰極5 1及其後所製之一陽極間之短路。而且，需使用多室式（亦稱爲簇工具式）直空蒸發機器，連續構製陰極5 1及EL層5 2，而不曝露於大氣中。此在避免E L層5 2由於濕氣而降低品質。有關構製陰極5 1及EL層5 2，可使用已知之技術。首先，例如，由使用一第一蔽罩，構製與所有像素相對應之陰極，且其次，由使用一第二蔽罩，構製一紅發光 E L層於與紅色相對應之像素中。然後可依次構製綠發光 E L層及藍發光E L層，同時精確控制第二蔽罩之移動。注意，當與RGB相對應之像素對對齊成條形時，可簡單移動第二蔽罩，如上述，但爲達成所稱三角形安排像素結構，可使用一特殊第三蔽罩於綠發光E L層上，並可使用一特殊第四蔽罩於藍發光E L層上。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，以上說明中顯示使用一蔽罩，由蒸發構製一發光E L層於每一色中之一例，但亦可使用噴墨方法，網印，及離子塗鍍。而且，可構製一肋包圍像素，分隔E L層之每一色。而且，以上說明中顯示使用紅，綠，及藍三色執行色顯示之例，但假設E L顯示裝置顯示單色光，則可構製發紅，綠，或藍任一色之光之一 E L層於整個表面上。當然 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17 - " 543206 A7 ______B7 五、發明説明（15 ) ’亦可構製白色發光E L層，以製造單色顯示E L顯示裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可使用單層結構或疊層結構作爲E L層5 1，但宜使用疊層結構，因其具有良好之發光效率。一般言之，一孔注射層，一孔輸送層，一發光層，及一電子輸送層依次構製於像素電極上，但具有一孔輸送層，一發光層，及一電子輸送層之結構，或具有一孔注射層，一孔輸送層，一發光層，一電子輸送層，及一電子注射層之結構亦可使用。本發明可使用任何已知之結構，且亦可執行摻雜螢光顏料於E L層中。例如經公開之以下美專利及日本專利申請書中所發表之材料可用作有機EL材料：美專利4，356，429 ;美專利4，5 3 9，5 0 7，美專利 4，720，432;美專利 4，769，292;美專利 4，8 8 5，2 1 1 ;美專利 4，9 5 0，9 5 0 ;美專利 5，059，861;美專利 5，047，687; 美專利 5 ，073 ，446 ;美專利 5，059，862 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ;美專利5，0 6 1，6 1 7 ;美專利 5，151 ，629 ;美專利 5，294，869;美專利5，2 9 4，8 7 0 ;日本專利申請公報H e i 1 〇 — 189525號；日本專利申請公報He i 8 — 241048號；及日本專利申請公報Hei8-7 8 1 5 9 號。明確言之，諸如由以下通式所表示之一之材料可用作本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐Ί ^18- 543206 A7 _B7五、發明説明（16 ) 孔注射層° 化學1 其中Q爲N或一 c — R (碳鏈）；Μ爲一金屬，一金屬氧化物，或一金屬鹵化物；R爲氫，一烷基，一芳烷基，一烯基，或一鹼基烯丙基；及Τ 1及τ 2爲不滿和六構件環，包含諸如氫’院’或歯素等替代物。而且，可使用芳族叔胺爲有機材料，用作孔輸送層，宜包含四烯丙基二胺，由以下通式表示。化學2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中，Ar e爲丙炔圍，η爲自1至4之整數，及AR， R7，r8，及R9各爲所選之烯丙基。而且，可使用金屬氧化物作爲E L層，電子輸送層，或電子注射層之有機材料。可使用以下通式所表示之材料作爲金屬氧化物。化學3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19 - 543206 A7 B7 五、發明説明（17 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，R2至R7可被取代，且亦可使用以下之一金屬氧化物。化學4 其中R2至R7可定義如上述：Li至L 5爲碳水化合物團，包含1至1 2碳原子；及二LiSLs，或二L2&L3 可形成苯環。而且，亦可使用以下金屬氧化物。化學5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中’ R2至Re可被取代。故此包含具有有機配合基之配位化學物作爲有機E L元素材料。注意以上僅爲有機e L材料之一些例，此等可用作本發明之E L材料，且絕對無需限制E L材料於此等。本紙張尺度適;^^^家辟（CNS ) A4· (21Gx297公着）:20- 一 -- 543206 A7 ______B7 五、發明説明（18 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，可使用聚合材料作爲E L材料。可提出諸如以下之聚合物作爲典型之聚合材料：聚對苯乙烯（p p V ) 及聚芴。爲顏色化，宜使用例如氰聚苯乙烯於紅發光材料，聚苯乙烯於綠發光材料，及聚苯乙烯或聚鹼苯於藍發光材料。注意E L顯示裝置約分爲四種色顯示方法：構製與r (紅），G (綠），及B (藍）相對應之三種e L元件之方法，合倂白色發光E L元件與濾色器之方法，合倂藍或藍-綠發光E L元素及螢光物質（螢光色改變層，C cm )之方法，及使用透明電極作爲陰極（相對電極）並覆蓋與R，G，及B相對應之E L元件之方法。圖1之結構爲使用構製與R，G，及B相對應之三種 E L元件之方法之情形。注意雖圖1中僅顯示一像素，但可如此執行與紅，綠，及藍色分別對應之具有相同結構之像素，及該色顯示。然而，可實施本發明，而不管發光之方法，且可使用所有以上四方法於本發明中。在如此構製至E L層5 2後，構製由透明傳導性薄膜經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上 2 5 層 L E 於 3 5 極陽 1 之成構所 } 自膜定薄設性可導度傳厚物膜化薄氧。間，之中 m形層 L E η 情由 ο之對 ο明需 2 發 3 及本5 ο 在極 ο C陽 1 方此在上故宜 1 且 C 圖， m向出 η 光輸 ο 之} ο 發向 3 所方至中之 ο 層反 8 L 相「TJ 趟沒。基與明 5 透極光陰之由發意所注 2 5 之 IX 5 極陰及 9 4 極電素像含包或本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -21 - 543206 A7 B7 五、發明説明（19 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一陰極），EL層52，及陽極53所構成之發光元件在此整個說明中稱爲EL元件。EL元件在圖1中由參考編號2 0 3標示。參考編號5 4標示一第二鈍化薄膜，且其薄膜原度可設定自l〇nm至lnm (宜在200及500nm間）。構製第二鈍化薄膜5 4之目的主要在保護EL層52，防止濕氣，但如構製具有散熱作用之第二鈍薄化5 4亦有效。注意E L層在熱方面較弱，如上述，且故此，宜在儘可能低溫上（宜自室溫至1 2 0 °C之範圍中）執行薄膜沉積。故此，可說電漿CVD，濺散，真空蒸發，離子塗鎪，及溶液施敷（旋塗）爲所需之薄膜沉積方法。如此完成具有圖1所示之結構形之像素部份。在本發明之像素部份中，由η通道TFT204及P通道 TFT2 0 5所構成之CMOS電路構製於像素電極經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 9下方，且由此CM〇S電路作爲一基本單位，可構成各種元件，驅動電路，及一信號處理部份。注意圖1 並不意謂一 CM〇S電路構製於一像素中，而是意謂普通構製於像素部份之周邊中之電路，諸如驅動電路可構製於像素部份內。普通構製於像素部份之周邊中之元件，驅動電路，及信號處理部份使用T F T構製於每一像素之像素電極下方。一般言之，此等構製於像素部份內部（像素部份內）。注意本發明之要點爲有效利用基體表面區，安排普通構製於像素部份之周邊中之電路或元件於E L顯示裝置（本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22 - 543206 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 此與基體相對輸出光）之像素部份內之死空間中（在像素電極下面）。故此，本發明並不限於圖1之TFT結構。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例1 使用圖2 A至5 C說明本發明之較佳實施例。在此說明製造形1所示之像素部份之方法。注意該等圖顯示一 CMO S電路，作爲驅動電路之基本單位，以簡化說明。首先，如顯示於圖2A，製備一基體501，其表面上構製一基層薄膜（未顯示於圖中）。疊置10 0 nm厚度之氧氮化矽薄膜及2 0 0 nm厚度之氧氮化矽薄膜於實施例1之結晶玻璃上，並用作基層薄膜。此際，宜設定與結晶玻璃基體接觸之薄膜之氮濃度於1 0及2 5重量％之間。各元件當然亦可直接構製於石英基體上，而不製造基層薄膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，由已知之薄膜沉積方法，構製4 5 nm厚之一非晶質矽薄膜5 0 2於基體5 0 1上。注意無需限制此於非晶質矽薄膜，且亦可使用任何其他薄膜，假設此爲具有非晶質結構之半導體薄膜（包括微晶半導體薄膜）。而且，亦可使用包含非晶質結構之化合物半導體薄膜，諸如非晶質矽鍺薄膜。可整個引用本發明之受讓人之日本專利申請書公報 He i 10 - 24773 5號作爲自此至圖2C之程序。在以上專利申請書中，發表有關晶化半導體薄膜之一方法，使用諸如N i之一元素作爲催化劑。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23 - 543206 Α7 Β7 五、發明説明（21 ) 首先，構製一保護性薄膜504，具有開口部份 503a及503b。在實施例1中使用1 5〇nm厚之氧化矽薄膜。然後由旋塗法構製含鎳（N i ) 5 0 5之一層（含N i層）於保護性薄膜5 0 4上。有關製造含N i 層，可參考以上專利申請書。其次，如顯示於圖2 B，在惰性大氣中以5 7 0 °C熱處理1 4小時，晶化該非晶質矽薄膜。晶化約與基體平行進行，使區域與Ni (此後稱爲Ni加進區）506a及 5 0 6 b如原狀接觸，形成具有結晶結構之多晶矽薄膜 5 0 7，其中，棍形晶體對齊一起。然後加進週期表團1 5中之一元素（宜爲磷）於N i 加進區5 0 6 a及5 0 6 b中，留保護性薄膜5 0 5於原地作爲蔽罩，如顯示於圖2 C。如此構製加有高度磷之區域（此後稱爲加磷區）508a及508b。其次，如顯示於圖2 C，在惰性大氣中以6 0 0 t熱處理1 2小時。存在於多晶矽薄膜5 0 7中之N i由於熱處理而遷移，且最後幾乎完全爲加磷區5 0 8 a及 5 0 8 b所捕捉，如箭頭所示。此可視爲由磷吸除金屬元素（實施例1中之N i )之效果現象。由此處理而留於多晶矽薄膜5 0 9中之N i之濃度降低至少至2 X 1 017原子/cm3，如由S IMS (二次離子質譜儀）所量度。N i爲半導體之壽命促短劑，且如 N i之濃度降至此程度，則對T F T之特性無有害之影響。而且，此濃度幾乎爲目前S IMS可量度之極限，且故本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -24 - 請先閲讀背之注項再填寫本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 A7 B7 五、發明説明（22 ) 此，預期實際濃度更低（低於2 X 1 〇17原子/cm3) 〇如此獲得多晶矽薄膜5 0 9，由使用催化劑晶化，且其中之催化劑然後減少至其不會引起T F T受損之程度。其後由造形法構製使用此多晶矽薄膜5 〇 9之主動層 5 1 0至5 1 3。注意用以在其後造形法中執行蔽罩對齊之記號可在此時使用以上多晶矽薄膜製造（閱圖2 D )。其次’由電漿CVD構製5 0 nm厚之氧氮化矽薄膜，如顯示於圖2 E，而且，由在氧化大氣中在9 5 0 °C上熱處理1小時，執行熱氧化步驟。注意氧化環境可爲氧大氣，或加有鹵元素之氧大氣。在主動層及以上氧氮化矽薄膜之介面中由以上熱氧化步驟進行氧化，及氧化約1 5 n m厚之多晶矽薄膜，形成約3 0 nm厚氧化矽薄膜。換言之，由3 0 nm厚之氧化矽薄膜及5 0 nm厚之氧氮化矽薄膜形成8 0 nm厚之一閘絕緣薄膜5 1 4。其次製造一光阻罩5 1 5，如顯示於圖3 A，並經由閘絕緣薄膜5 1 4加進雜質元素，此施加ρ型導電性（此後稱爲P型雜質元件）。可使用週期表團13中之一元素，普通爲硼或鎵爲P型雜質元素。此程序（稱爲通道摻雜程序）爲用以控制T F T之臨限電壓之程序。注意實施例1中由電漿激發之離子摻雜法加進硼，而不分離二硼氫（B2H6)之質體。當然，亦可使用執行分離質體之離子植入法。由此程序製造摻雜區5 1 6至本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 B7 五、發明説明（23 ) 1 0 1 5 至至 5 X 1 0 1 0 1 8 原子/ c m 原子/ c m 3之間） 518，包含濃度1 3 (普通在5 X 1 0 之硼。請先閲 ik 背面之注意事項再填寫本頁其次構製光阻罩5 19 a及5 19b，如顯示於圖 3 B ’並經由閘絕綠薄膜5 χ 4加進雜質元素，此施加^ 型導電性（此後稱爲η型雜質元素）。可使用週期表團 1 5中之一元素作爲η型雜質元素。注意在實施例1中由電漿激發電漿摻雜法加進1 X 1 〇 1 8原子/ c m 3濃度之磷而不分離磷化氫（PH3)之質體。當然，亦可使用執行分離質體之離子植入。調節劑量，俾如以上構製之η型摻雜區5 2 0及 5 2 1中包含在濃度2 X 1 016至5 X 1 〇19原子/ cm3 (普通在 55Χ1011 至 5xl〇14 原子/ cm3 之間）之η型雜質元素。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後執行活化所加之η型雜質元素及ρ型雜質元素之程序，如顯示於圖3 C。活化措施無需任何限制，但以爐退火程序較佳，因爲已製造閘絕緣薄膜。而且，可能慣及主動層及（在圖3 Α之程序中成爲通道形成區之部份之）閘絕緣薄膜之介面，且故此，宜在儘可能高之溫度上執行熱處理。實施例1中使用具有高抗熱力之晶化玻璃，且故此，由在8 0 0 °C上爐退火1小時，執行活化程序。注意可使處理環境成爲氧化大氣，執行熱氧化，且可使用惰性大氣，執行熱處理。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26 - 543206 Α7 Β7 五、發明説明（24 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由以上程序界定η型摻雜區5 2 0及5 2 1之邊緣部份，即η型摻雜區5 2 0及5 2 1之周邊中之一區域（其中未加有η型雜質元素，由圖3 Α之程序所構製之Ρ型摻雜區）之邊界。此意謂可在其後完成TFT之時刻，構製 L D D區及通道形成區間之一極爲良好之連接部份。其次構製2 0 0至4 0 0 nm厚之導電性薄膜，並造形，形成閘電極5 2 2至5 2 5。注意可構製一單層電極薄膜作爲閘電極，但當需要時，宜使用二層或三層之疊層薄膜。可使用已知之導電性薄膜爲閘電極材料（閱圖3 D )° 明確言之，可使用選自鉅（T a )，鈦（T i )，鉬 (Mo)，鎢（W )，鉻（C I* )，及導電性矽（S i ) 所組成之群中之一元素之一薄膜；或以上元素之氮化物之薄膜（普通爲氮化钽薄膜，氮化鎢薄膜，氮化鈦薄膜；或以上元素之合倂之合金薄膜（普通爲Mo - W合金或Mo 一 T a合金）；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製或以上元素之矽化物薄膜（普通爲矽化鎢薄膜或矽化鈦薄膜）。當然可使用一單層薄膜或一疊層。實施例1中使用由5 0 nm厚之氮化鎢（WN)薄膜及3 5 0 n m厚之鎢（W )薄膜所構成之疊層薄膜。此薄膜可由濺散製造。而且，如加進惰性氣體，諸如X e或 N e作爲濺散氣體，則可防止薄膜由於應力而剝開。此時構製閘電極5 2 3及5 2 5，俾η型摻雜區 5 2 0及5 2 1之部份分別與置於其間之閘絕緣薄膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -27 - 543206 A7 B7 五、發明説明（25 ) 5 1 4重疊。重疊部份其後成爲LDD區，重疊於閘電極。注意二閘電極5 2 4可在斷面上看見，但實際上電連接〇質次’以自我對齊之方式加進η型雜質元素（實施例 1中使用磷），以閘電極522至525作爲蔽罩，如顯示於圖4Α。調節加進量，俾磷以摻雜區5 2 0及5 2 1 之濃度之1/10至1/2 (普通在1/4及1/3之間 )加進於如此所形成之摻雜區5 2 6至5 3 2中。明確言之，濃度宜爲1 X 1 〇16至5 xl 018原子/ cm3 ( 普通在3xl017及3xl018原子/ cm3之間）。其次構製光阻罩5 3 3 a至5 3 3 d，其形狀在覆蓋閘電極，如顯示於圖4 B，並加進一 η型雜質元素（實施例1中使用磷），形成含有高濃度磷之摻雜區534至 5 4 0。在此亦執行使用磷化氫（ρ Η 3 )之離子摻雜法，並調節此等區域之磷濃度自1 X 1 〇2。至1 X 1 〇2ΐ 原子/ cm3 (普通在2 X 1 02Q至5 X 1 02。原子/ c m 3之間）。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製由此程序製造η通道T F T之源區及汲區，且在開關 TFT中，留下由圖4Α之程序所構製之η型摻雜區 5 2 9至5 3 1之一部份。此等留下之區相當於圖1之開關 TFT 之 LDD 區 1 5 a 至 1 5 d。其次，如顯示於圖4C，移去光阻罩5 3 3 a至 533d，並構製新光阻罩541。然後加進一 ρ型雜質元素（在實施例1中使用硼），形成含有高濃度硼之摻雜本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28 - 543206 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（26 ) 區542及543。在此，由離子摻雜法，使用二硼氫（ B2H6)加進硼至3x1 02Q至3x1 022原子/ cm 3 (普通在之濃度。 X 1 0 至 X 1 0 2 1 原子/ c 之間）注意已以1 X 1 016至5 X 1 018原子/ cm3之濃度加進磷於摻雜區5 4 2及5 4 3中，但在此以磷之濃度之至少3倍加進硼。故此，完全變換已製成之N型摻雜區爲P型，且用作P型摻雜區。其次，在移去光阻罩541後，如顯示於圖4D，構製一第一層間絕緣薄膜5 4 4。使用含矽之一單層之絕緣薄膜作爲第一層間絕緣薄膜，但亦可使用相同之疊層薄膜。而且，薄膜厚度宜在400nm及1 · 5//m之間。實施例1中使用8 0 0 nm厚氧化矽薄膜在2 0 0 nm厚氧氮化矽上之一疊層結構。其後，活化以其各別濃度所加之η型摻雜區及p型摻雜區。爐退火宜爲一活化措施。在實施例1中使用電爐在惰性大氣中以5 5 0 °C執行熱處理4小時。而且，亦在含有3至1 0 0%氫之大氣中以3 0 0至 4 5 0 °C執行熱處理1至1 2小時，執行氫化。此爲由熱激發之氫終接半導體薄膜中之懸空鍵之一程序。亦可執行電漿氫化法（使用由電漿激發之氫），作爲氫化之另一措施。注意在構製桌一*層間絕緣薄膜5 4 4之期間中’亦可執行氫化步驟。即是’在構製2 0 0 n m氧氮化砂薄膜後請先閲讀背之注意事項再本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 - 5432〇6 A7 B7 _ 五、發明説明（27 ) ，可執行如上之氫處理，然後可構製其餘8 0 0 nm厚之氧化矽薄膜。其次構製第一層間絕緣薄膜5 4 4中之接觸孔，並構製源接線545至548及汲接線549至551。在實施例1中，使用一疊層薄膜作爲電極，具有一 1 〇〇 nm 之鈦薄膜，一 3 0 0 nm之含鈦之鋁薄膜，及一 1 5 0 n m鈦薄膜之三層結構由連續濺散法構成。當然亦可使用其他導電性薄膜。其次構製一第一鈍化薄膜5 5 2，具有厚度5 0至 500nm(普通在200及300nm之間）。使用一 3 0 0 nm厚之氮氧化矽薄膜作爲實施例1中之鈍化薄膜 3 4 4。氮化矽薄膜亦可取代氧氮化矽薄膜。在構製氧氮化矽薄膜之前，此際使用含氫之氣貘，諸如H2或NH3執行電漿處理有效。由此預處理所激發之氫供應至第一層間絕緣薄膜3 4 4，並由執行熱處理，提高第一鈍化薄膜5 5 2之薄膜品質。同時，加於第一層間絕緣薄膜5 4 4中之氫擴散至較下面，且可有效氫化主動層。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次’由有機樹脂構製第二層間絕緣薄膜5 5 3，如顯示於圖5B。可使用諸如聚醯亞胺，壓克力，及BCB (本環丁院）作爲有機樹脂。尤其是’需平坦化第二層間絕緣薄膜5 5 3上由T F T所形成之不平，且故此，宜使用具有超平坦化特性之壓克力薄膜。實施例1中構製一 2 _ 5nm厚之壓克力薄膜。本紙張尺度適财關家縣（CNS ) A4規格（210X297公釐)-30 · 543206 B7 五、發明説明（28 ) 其次，構製進入汲接線5 5 1之接觸孔於第二層間絕緣薄膜5 5 3及第一鈍化薄膜5 5 2中，並構製一像素電極5 5 4。構製一 2 0 0 nm厚之鋁合金薄膜（含有1重量％之鈦），作爲實施例1之像素電極。其次，構製一 5 0 0 n m厚之含矽絕緣薄膜（實施例 1中之氧化矽薄膜），並構製一開口部份於與像素電極 5 5 4相對應之位置處，構製一第三層間絕緣薄膜5 5 5 。由使用濕蝕刻法，當構製該開口部份時，可容易製造具有錐形之一側壁。如開口部份之側壁並不充分緩和時，則 E L層由於不平坦所引起之品質下降成爲顯著問題。其次，使用真空蒸發法，連續構製一陰極（M g A g 電極）556及一 EL層557，而不曝露於大氣中。陰極5 5 6之薄膜厚度可設定自1 4 0至3 0 0 NM (普通在200及2 5 0ΝΜ之間，及EL層5 5 7之厚度可設定自80至2 OOnm (普通在1 〇〇及1 20nm之間在此步驟中，首先，依次構製與色紅相對應之像素，與色綠相對應之像素，及與色藍相對應之像素之陰極。如在此際對陰極造形，則需曝露於大氣，且不能連續製造其次所構製之E L層。故此，宜在使用諸如金屬蔽罩，由真空蒸發沉積之時刻，對陰極實際造形。然後由真空蒸發構製發出各別色之E L層5 5 7，以覆蓋構製於每一像素上之陰極5 5 6。注意E L層具有較一溶液爲小之電阻，且故此需個別構製每一色之E L層，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 請先閲讀背面意事項再 % 本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 A7 B7 五、發明説明（29 ) 而不使用照相製版技術。然後使用一金屬蔽罩或類似者，以覆蓋除所需之像素以外之區域，並選擇性構製E L層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 換言之，設置一蔽罩，以覆蓋除與色紅相對應之像素以外之所有區域，並使用該蔽罩，選擇性構製紅發光E L 層及陰極。其次，設置一蔽罩，以覆蓋除與色綠相對應之像素以外之所有區域，並使用該蔽罩，選擇性構製綠發光 E L層及陰極。同樣，設置一蔽罩，以覆蓋除與色藍相對應之像素以外之所有區域，並使用該蔽罩，選擇性構製藍發光E L層及陰極。注意在此說明所有所用之蔽罩不同，但亦可使用相同之蔽罩。如使用實施例1所示之製造方法，俾在使用真空蒸發沉積之時刻執形造形，則可連續製造陰極5 5 6及E L層 5 5 7，而不曝露於大氣中，且可增加El元件之發光效效率。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製注意可使用已知之材料作爲E L層。考慮驅動電壓，則宜使用一有機材料作爲該已知材料。例如，可使用由一孔注射層，一孔輸送層，一發射層，及一電子注射層所構成之一 4層結構作爲E L層。而且，在實施例1中顯示一例’使用M g A g電極作爲E L元件之陰極，但亦可使用另外已知材料。其次’構製由透明傳導性薄膜所製之一陽極5 5 8，覆盖EL層5 5 7。在實施例中構製一；[1 〇 nm厚之氧化銦鏡（I T〇）薄膜，並執行造形，形成陽極。而且，亦可使用一透明傳導性薄膜，其中，在2及2 0 %間之氧本紙張尺度適财®國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公董)7^2^ 543206 A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 化鋅（Ζ η 0 )與氧化銦或氧化鍚薄膜混合。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 最後，構製由氮化矽所構成之一第二鈍化薄膜5 5 9 ，具有厚度3 0 0 nm。E L層5 5 7由第二鈍化薄膜 5 5 9防止諸如濕氣等。而且，第二鈍化薄膜5 5 9亦擔任釋放由EL層5 5 7所產生之熱之任務。如此完成具有如圖5 C所示之結構之一主動矩陣式 E L顯示裝置。注意實施例1之製造程序僅爲一例。例如，雖形成實施例1中之主動層之半導體薄膜可由日本專利申請書公報He i 10 - 247735號所述之裝置製造，但其他已知之裝置亦可使用。此公開專利之整個說明列作參考。而且，LDD區等之安排僅顯示一較宜之例，且無需限制該結構於實施例1之安排。注意在使用多晶矽薄膜作爲主動層之情形，實施例1之結構較宜，因爲可靠性增加，且完全利用使用多晶矽薄膜作爲主動層之優點。實施例2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在依實施例1完成至圖5 C後，而且，宜由使用殼材料，諸如高度氣密之保護薄膜（諸如層形薄膜或紫外線硬化樹脂薄膜）或陶瓷密封罐執行包裝（密封），俾不曝露於大氣中。由使殼材料內部爲惰性環境，並由置一乾燥劑 (例如，氣化鋇）於殼材料內，E L層之可靠性（壽命）此時增加。而且，在由包裝處理增加氣密程度後，附裝一連接器本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33 - 543206 A7 B7 五、發明説明（31 ) (可撓性印刷電路，F P C )，用以連接基體上所構製之元件或電路之輸出端及外部輸入端之間，完成所製之產品。在此可運輸狀態中之E L顯示裝置在整個本說明書中稱爲E L模組。在此使用圖7 A及7 B，說明E L模組之構造。構製一像素部份7 0 2，一閘信號方驅動電路7 0 3，一資料信號方驅動電路7 0 4，及一信號處理部份（驅動電路以外之一電路群，諸如分波電路及增強電路）7 0 5於基體 701上。閘信號方驅動電路703，資料信號方驅動電路7 〇 4，及信號處理部份7 0 5由本發明構製於像素部份之內部上。而且，雖未顯示於圖中，但來自各別驅動電路及信號處理部份之接線經由F P C 7 0 6連接至外部裝備。此時構製殼材料7 0 7，包圍像素部份。注意殼材料 7 0 7爲具有大不規則之形狀，其中，內部大小（深度）大於像素部份7 0 2之外部大小（高度），或具有片形狀，且由透明材料製造。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ffiil ’殼材料7 〇 7由黏著劑7 〇 8固定於基體 7 0 1上’俾與基體7 〇 1形成一氣密空間7 0 9，如顯示於圖7 B。此際，；e L元件在完全密封於上述氣密空間中之狀態’且完全不在外部大氣中。注意可構製多個殻材料 7 0 7。宜使用一絕緣物質，諸如璃或聚合物作爲殼材料 7 0 7。以下可作爲一例··非晶質玻璃（諸如矽酸硼玻璃本紙張尺度適用中國國( CNS)八4娜（21GX297公慶）^34 - " ' ^ 543206 A7 B7 五、發明説明（32 ) 或石英）；結晶玻璃；陶瓷玻璃，有機樹脂（諸如丙烯酸樹脂，苯乙烯樹脂，及環氧樹脂）：及矽樹脂。可使用黏著劑’諸如環氧樹脂或丙烯酸樹脂作爲黏著劑7 0 8之材料。而且，亦可使用熱硬化樹脂或光硬化樹脂作爲黏著劑。注意需使用一材料，此儘可能不發射氧及濕氣。而且，宜由惰性氣體（諸如氬，氦，或氮）塡滿殼材料7 0 7及基體7 0 1間之空間7 0 9。並不限於氣體，且亦可使用惰性液體（諸如液體氟酸碳，普通爲氟鹼）。有關惰性液體，可參考諸如日本專利申請書公報H e i 8 一78519號所述之材料。有效製造乾燥劑於空間7 0 9內。可使用日本專利申請書公報He i 9 — 1 4 8 0 6 6中所述之材料作爲乾燥劑。普通可使用氧化鋇。構製具有E L元件之多個隔離之像素於像素部份中，且所有像素具有一陽極作爲公共電極。在由參考編號 7 1 1所標示之一區域中，經由與像素電極相同材料所製之一連接線7 1 2連接陽極7 1 0至一輸入/輸出接線 7 1 3。輸入/輸出接線7 1 3爲用以施加預定電壓於陽極7 1 0上之接線，且經由導電性糊漿7 1 4連接至 F P C。在此使用圖8A至8 C，說明用以在區域7 1 1中實現接觸結構之製造程序。首先，依據實施例1之程序，獲得圖5 A之狀態。此本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -5-t» 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 A7 B7 五、發明説明（33 )

際移去基體之邊緣部份中之接觸部份（由圖7 B中之參考編號7 1 1所示之區域）中之第一層間絕緣薄膜5 4 4及閘絕緣薄膜5 1 4，並構製輸入一輸出接線7 1 3。當然 ’此可與與圖5A之源接線及汲接線同時構製（閱圖8A )° 其次蝕刻圖5 B中之第二層間絕緣薄膜5 5 3及第一鈍化薄膜5 5 2，移去由參考編號8 0 1所標示之一區域，並構製一開口部份8 0 2。然後構製連接線7 1 2，以覆蓋開口部份8 0 2。連接線7 1 2當然可與圖5 B中之像素電極5 5 4同時構製（閱圖8B)。在此狀態中，在像素部份中執行E L元件構製程序（構製第三層間絕緣薄膜，陰極，及E L層之程序）。此際並不使用蔽罩等構製第三層間絕緣薄膜及E L元件於圖 8A至8 C所示之區域中。在構製EL層5 5 7後，使用另一蔽罩構製陽極5 5 8。如此經由連接線7 1 2電連接陽極5 5 8及輸入一輸出接線7 1 3。而且，構製第二鈍化薄膜5 5 9，獲得圖8 C所示之狀態。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如此達成由圖7B之參考編號711所示之區域中之接觸結構。然後連接輸入-輸出接線7 1 3經殼材料 707及基70 1間之空間而至FPC706 (注意此空間由黏著劑7 0 8塡滿，即是，黏著劑7 0 8需具有一厚度可充分塡平輸入-輸出之隆起）。黏著劑707所形成之部份被壓於殼材料7 0 7及基體7 0 1之間，且故此，如此處有一元件或電路，則可能受損壞，但如僅一接線通本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -36 · 543206 A7 B7 五、發明説明（34 ) 過，如圖7 B中者，則無問題。注意製造實施例2中所示之主動矩陣式E L顯示裝置之方法可依實施例1執行。實施例3 使用圖1 0，說明實施例3之本發明之主動矩陣式 E L顯示裝置之像素部份之斷面結構。注意在圖1 〇中，與圖1相同之部份註以與圖1相同之符號。在圖1 0中，參考編號1 0 0 1標示一電流供應線，此連接至電流控制T F T之一源區（未顯示於圖中）。而且，參考編號1 0 0 2標示一資料線，此連接至一開關 TFT之源區（未顯示於圖中）。電流供應線1 0 0 1及資料線1 〇〇 2存在於在與閘接線平行之方向上安排之相鄰像素之間。故此，用以相互連接不同像素中所構製之驅動電路TFT (形成驅動電路之一部份之T F T )之接線需越過電流供應線1 1及資料線1 0 0 2。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此情形，可提出諸如實施例3中所示之方法。首先爲用以在與閘電極3 9及4 3同時製造一第一連接線 1 0 0 3，並使第一連接線1 〇〇 3通過諸如資料線等接線下方之方法。此方法使用於實施例3中，以連接電流供應線1001及CMOS電路1000b。而且，其次爲製造一第二連接線1 〇〇 4之方法，此越過電流供應線1 〇〇 1及/或資料線1 q 〇 2。此方法 37 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 543206 A7 ___B7_ 五、發明説明（35 ) 用以連接實施例3中之一 CMOS電路1 〇〇〇 a及 CMOS電路l〇〇〇b。在此情形，在打開第二層間絕緣薄膜5 5 3中之一接觸孔後，可在圖5 B之程序中構製第一連接線1 〇〇 4 ( 非像素電極）。其次構製一層間絕緣薄膜，覆蓋第二連接線1 0 0 4，打開一接觸孔，並可構製像素電極。注意電流供應線1 0 0 1及資料線1 0 〇 2構製於實施例3之同層上，但二者亦可構製於分開之層上。即是，電流供應線1 0 0 1或資料線1 0 0 2可構製於圖1 〇之第二連接線1 0 0 4之層中。在此情形，第二連接線可構製於與閘接線同層上，通過電流供應線及資料線上方。實施例3之特徵故此爲使用構製於與電流供應線及資料線不同層中之連接線，且依此，電流供應線及資料線相交。可使用與閘接線，或構製於資料接線及閘電極間之〜層中之一接線相同之接線作爲實施例3之連接線。注意實施例3之結構可由參考實施例1製造。而且，可實施實施例3之構造與實施例2所示之E L顯示裝置合倂0 實施例4 使用實施例3之構造及構製一驅動電路於一像素內之情形之一例說明於實施例4中。明確言之，顯示製造一轉移暫存器於一像素部份內（內部）之一例。圖1 1 A爲像素部份之一像素之放大頂視圖，及圖本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38 - 請先閲讀背面之 2 頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 A7 B7 五、發明説明（36 ) 請先閲讀背之注意事項再 1 1 B爲該像素之電路圖。開關TFT2 0 1及電流控制 TFT202具有與圖1相同之符號。參考編號1 1 0 1 標示一儲存電容器，此執行儲存供應至電流控制 T F T 2 0 2之閘極之電壓經一框週期之工作。注意假定由使用多閘結構於開關T F T 2 0 2上，而儘可能降低開關TFT2 0 2之斷電流，則可略去儲存電容器1 1 0 1 〇儲存電容器1 1 0 1在實施例4中構製於電流控制 TFT202及電流供應線1102之間。當然，電容器亦可構製於電流控制T F T之源區及電流控制 T F T 2 0 2之一閘電極（包含閘接線）之間。而且，轉移暫存器之一部份（正反電路）顯示在像素內，及一正反電路由以下三部份構成··一反相器1 1 0 3 ，及定時反相器1 1 0 4及1 1 0 5。正反器在實際轉移暫存器中串連。而且，V g爲閘信號，V s爲源信號（資料信號），經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 V d d :(電流供應線1 1 〇 2 )爲施加於E L元件2 〇 3 之一陰極上之陰極信號，爲時脈信號（V。，上一橫意爲反相之Vek) ，Vdd2爲定時反相前方信號，及 Vdd3爲定時反相器之負荷方信號。注意在實施例4中’ 地電位施加於V d d 1上。構製一正反電路於一像素上，具有實施例4中之結構，並與構製於相鄰像素內之另一正反電路串連。當VcR 然後橫過像素之間時，可使用連接線1 1 〇 6至1 1 1 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39 - 543206 A/ 五、發明説明（37 ) ，如由圖1 0之參考編號1 0 0 4所標示之連接線。注意連接線1 1 1 4及1 1 1 5可與資料線及電流供應線同時製造。換言之，如不在同一層上相交’則並無問題，且當一接線與另接線相交時，操作者可適當設定在何層上構製另一接線。注意可自由合倂實施例4之構造及實施例1至3之任

一之構造。實施例5 與實施例4不同之一主動矩陣式E !^顯示裝置之結構之例說明於實施例5中。明確言之，圖1 2顯示圖1 1所示之像素結構之閘接線之不同材料之一例。注意圖1 2之結構幾乎與圖1 1者相同，故僅說明其不同部份。在實施例5中，由使用三閘結構於開關T F T中，設定斷電流等於或小於1 0 p A (宜等於或小於1 P A )。故此略去圖1 1中所示之儲存電容器1 1 0 1。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在圖1 2中，參考編號6 1 a至6 1 c標示由氮化鎢薄膜及鎢薄膜之疊層薄膜所構成之閘電極，與實施例1之閘電極相似。此等各可由一獨立之圖案構成，如顯示於圖 12，且可製成一圖案，其中各電連接，但在製造時，閘電極在電浮動狀態。亦可使用其他導電性薄膜，諸如一氮化鉅薄膜及一鉅薄膜之疊層薄膜，或組及鎢之一合金薄膜作爲閘電極 6 1 a至6 1 c。然而，宜使用具有較優之處理特性之一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40 - 543206 A7 B7 五、發明説明（38 ) 薄膜，能製造等於或小於3 //m (宜等於或小於2 /zm) 之細寬度。而且宜使用不含有會擴散進入主動層中之元素之一薄膜作爲絕緣薄膜。另一方面’使用具有電阻低於閘電極6 1 a至6 1 c 之一導電性薄膜作爲閘接線6 2，普通爲宜有鋁作爲其主要組成份之合金薄膜，或具有銅作爲其主要組成份之合金薄膜。在閘接線6 2上無需特別細處理特性。而且，閘接線並不重疊主動層，且故此，如閘接線含有容易擴散通過絕緣薄膜之鋁或銅，亦無問題。在製造實施例5之結構中，宜在實施例1之圖4D之步驟中構製第一層間絕緣薄膜5 4 4之前，執行一活化程序。在此情形，使閘電極6 1 a至6 1 c在曝露狀態中施加熱處理，但閘電極6 1 a至6 1 c不由在充分惰性大氣中執行熱處理而氧化，宜在氧濃度等於或低於1 p prn中。即是’不由氧化而增加電阻値，且閘電極不由不易移去之一絕緣薄膜（氧化物薄膜）覆蓋。在完成活化程序後，然後構製具有鋁或銅作爲其主要組成份之一導電性薄膜，且可由濺散法構製閘接線。閘電極6 1 a至6 1 c及閘接線6 2間之接觸部份此際維持良好之歐姆接觸，且可施加預定之閘電壓於閘電極6 1 a至 6 1 c 上。由諸如實施例5之結構儘可能降低閘接線之接線電阻 ’此在減小接線滯後上極爲有效。注意實施例5中之圖 1 2所示之像素結構並不任何限制本發明，且僅爲一較宜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -41 - 請先閲讀背面之注意事項本經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 B7 五、發明説明（39 ) 至3 實例。而且，可自由合倂實施例5之構造及實施例之任一之構造。請先聞讀背之注意事項再實施例6有效使用具有高度散熱效果之材料作爲圖1 所示之結構中之主動層及基體11間所構製之基層薄膜 1 2。明確言之，相當大量之電流在長時間中流於電流控制T F T中，且故此，電流控制T F T容易溫度上升，且由於自我發熱而引起品質下降，成爲一問題。在此情形，可使基層薄膜具有散熱效果而控制T F T之熱品質下降，如在實施例6。可提出含有選自B (硼），（：（碳），及N (氮）所組之群中之至少一元素，及選自A 1 (鋁），Si (矽），及P (磷）所組之群中之至少一元素之一絕緣薄膜作爲具有散熱特性之發光材料。例如，可使用：一氮化鋁化合物，普通爲氮化鋁（經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 1 X N y ); 一碳化矽化合物，普通爲碳化矽（S i x C y );一氮化硼化合物，普通爲氮化硼（BxNy):或一磷化硼化合物，普通爲磷化硼（PxPy)。而且，氧化鋁化合物，普通爲氧化鋁（A 1 x〇y)具有較優之光透明特性，並具有導熱系數爲2 OWm — iK — 1，且可說爲較佳材駚之一。注意X及y爲以上透明材料之隨意整數。以上化合物亦可與另一元素合倂。例如，可使用氧氮化鋁，由A 1 Nx〇y表示，其中，氮加於氧化鋁中。此材料不獨具有散熱效果，且亦有效防止諸如濕氣及鹼金屬之穿透。注意X及y爲以上氧氮化鋁之隨意整數。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42 - 543206 Α7 Β7 日本專利申請書公報Sh〇62— 表之材料。即是，亦可使用包含S i Μ之絕緣薄膜（注意Μ爲稀土元素，，Y b (釔），S m (釤），E r ( a (鑭），Gd (釔），Dy (鏑）之群中之一元素）。此等材料不獨具效防止諸如濕氣及鹼金屬等物質之穿碳薄膜，諸如鑽石薄膜或非晶質碳（等特性者；稱爲似鑽石之碳）。此等數，且爲極爲有效之輻射層。注意如黃帶化，且傳導係數降低，且故此，膜厚度（宜在5及1 0 0 nm之間）而且，可使用由具有以上散熱效果之材料本身所製之薄膜’且可使用此等薄膜及含矽之一絕緣薄膜之疊層。注意可自由合倂實施例6之構造及實施例1至5之任一之構造。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（40 ) 而且，亦可使用 90260號中所發，A 1 ，N，〇，及宜爲選自C e (硒）餌），Y (鏡），L ，及N d (鈸）所組有散熱效果，且亦有進。而且，亦可使用尤其是具有接近鑽石具有非常高之導熱係薄膜厚度增加，則有宜使用儘可能薄之薄請先閲讀背 ιέ 之注意事項再填寫本頁實施例7 宜使用有機E L材料作爲實施例1中之E L層，但本發明亦可使用無機 E L材料實施。然而，本無機E l材料具有極高之驅動電壓’且故此，應使用具有能抵抗此驅動電壓之電壓電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公羡） -43 - 543206 A7 B7 五、發明説明（41 ) 阻之T F 丁。另一方面，假定在將來發展出具有較低驅動電壓之無機E L材料，則可應用其於本發明中。而且，可自由合倂實施例7之構造及實施例1至6之任一之構造。實施例8 由實施本發明所構製之主動矩陣式E L顯示裝置（ E L模組）較之液晶顯示裝置在發亮位置上具有較高之能見度，因爲此爲自我發射式裝置。故此，本發明可實施於直視E L顯示器（表示裝有E L模組之顯示器）。可提出以下作爲此E L顯示器之例：個人電腦監視器，電視廣播接收監視器，及廣告顯示監視器。而且，可實施本發明於含有顯示器之所有電子裝置上，包含以上E L顯示器，作爲一組成件。可提出以下作爲此種電子裝置之例：E L顯示器，電視攝影機，數位攝影機，頭戴顯示器，車用導航系統，個人電腦，便攜式資訊端未機（諸如行動電腦，行動電話機，或電子書），及影像回放裝置，使用記錄媒體（明確言之，執行記錄媒體之回放，並設有能顯示影像之顯示器之裝置，諸如小巧碟（C D )，雷射碟（L D )，或數位影碟（DVD))。此等電子裝置之例顯示於圖13A至 1 3 F ° A爲個人電腦，包含一主體2001 ，一殼本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -44 - 請先閲讀背面之注意事項再旁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖 543206 A7 B7 五、發明説明（42 ) 鍵盤2 Ο Ο 4。本 2002，一顯示部份2003，及發明可使用於顯示部份2 0 0 3中。圖13B爲電視攝影機，包含一主體2101，一顯示部份2 102，一聲音輸出部份2 103 ’操作開關 2104，電池2105，及一影像接收部份2106。本發膽可用於顯示部份2 1 0 2中。圖1 3 C爲頭戴EL顯示器（右方）之一部份，包含一主體2301，一信號電纜2302，一頭固定帶 2303，一顯示監視器2304，一光學系統2305 ，及一顯示裝置2 3 0 6。本發明可使用於顯示裝置 2 3 0 6 中。圖1 3D爲影像回放裝置（明確言之，一 DVD回放裝置），設有一記錄媒體，包含一主體2401 ，一記錄媒體（諸如CD，LD 2 4 0 3，顯示部份（ )2 4 0 5。顯示部份請先閲讀背面之注意事項再填本頁或DVD) 2402，操作開關 )2 4 0 4，及一顯示部份（b a )主要用於顯示影像資訊，及經濟部智慧財產局員工消費合作社印製影像部份（b )主要用以顯示字元資訊，及本發明可用於影像部份（a )及影像部份（b )中。注意本發明可用作影像回放裝置，裝置中具有記錄媒體，諸如C D回放裝置及遊戲裝備。圖13E爲行動電腦，包含一主體2501 ，一攝影部份2 5 0 2，一影像接收部份2 5 0 3，操作開關 2 5 0 4，及一顯示部份2 5 0 5。本發明可用於顯示部份2 5 0 5中。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -45 - 543206 A7 B7 五、發明説明（43 ) 請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁圖13F爲一EL顯示器，包含殼2601 ，一支座 6 0 2，及一顯示部份2 6 0 3。本發明可使用於顯示部份2 6 0 3中。本發明之E L顯示器在大螢幕之情形特別有利，且有利於具有對角線大於或等於1 0吋之顯示器（尤其是大於或等於30吋者），因其能見度之範圍廣大。而且，如E L材料之發光在將來提高，則可使用本發明於前置或後置式投影器中，使用透鏡或類似者放大並投射含有影像資訊之輸出光。故此，本發明之應用範圍非常廣大，且可應用本發明於所有各方面之電子裝置中。而且，實施例8之電子裝置亦可使用實施例1至7之任一種之合倂之構造達成。由實施本發明’可製造驅動電路及其他信號處理電路於主動矩陣式E L顯示裝置之像素部份內（在像素部份之同一區域中），光自與基體相反方輸出，且達成主動矩陣式E L顯示裝置之小型化。而且，由安排基體上所構製之丁 FT成最佳構造之 TFT，達成高度可靠之主動矩陣式EL顯示裝置，適合電路及元件所需之性能。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後由安裝此式之主動矩陣式E L顯示裝置成一顯示器，則可產生高度可靠之小型電子裝置。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46

Claims

543206 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍第9 1 1 04560號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國92年1月23日修正 1 _一種發光裝置，包括：基體；多個閘接線，在基體上於一方向上彼此平行地延伸；多個資料接線，在基體上於另一方向上彼此平行地延伸’其中’該多個資料接線與該多個閘接線相交會且多個像素中的每一像素由該多個資料接線及該多個閘接線界定，至少第一薄膜電晶體，設置在個別像素處，該第一薄膜電晶體包括成對的第一雜質區、在成對的第一雜質區之間的通道區、在第一雜質區與通道區之間成對的第二雜質區、及在通道區上的閘電極，其中該閘電極電連接至對應的閘接線；至少第二薄膜電晶體，設置在個別像素處，該第二薄膜電晶體包括成對的第三雜質區、在成對的第三雜質區之間的通道區、在第三雜質區之一與通道區之間的第四雜質區、及位於通道區的閘電極，其中，另一第三雜質區鄰近通道區；層間絕緣膜，在該第一及第二薄膜電晶體上；電發光元件，在該層間絕緣膜上，其中該第二薄膜電晶體電連接至電發光元件； · 驅動電路，包括第三薄膜電晶體’在基體上；及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 0^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍訊號處理電路，包括第四薄膜電晶體，在基體上。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該第三雜質區之一電連接至該電發光元件。 3 ·如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該發光裝置適於倂入選自個人電腦、攝影機、頭戴式顯示器、影像播放裝置、及行動電腦所組成的群類之電子設備中。 4·一種發光裝置，包括：基體；多個閘接線，在基體上於一方向上彼此平行地延伸；多個資料接線，在基體上於另一方向上彼此平行地延伸’其中，該多個資料接線與該多個閘接線相交會且多個像素中的每一像素由該多個資料接線及該多個閘接線界定至少第一薄膜電晶體，設置在個別像素處，該第一薄膜電晶體包括成對的第一雜質區、在成對的第一雜質區之間的通道區、在第一雜質區與通道區之間成對的第二雜質區、及在通道區上的閘電極，其中該閘電極電連接至對應的閘接線；至少第二薄膜電晶體，設置在個別像素處，該第二薄膜電晶體包括成對的第三雜質區、在成對的第三雜質區之間的通道區、在第三雜質區之一與通道區之間的第四雜質區、及位於通道區的閘電極，其中，另一第三雜質區鄰近通道區； . 層間絕緣膜，在該第一及第二薄膜電晶體上；本紙張尺度適用中國國家操準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 2 - 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍電發光元件，在該層間絕緣膜上，其中該第二薄膜電晶體電連接至電發光元件；驅動電路，包括第三薄膜電晶體，在基體上；及訊號處理電路，包括第四薄膜電晶體，在基體上；其中，該成對的第二雜質區未與該閘電極重疊，及其中，該第四雜質區與該閘電極至少部份地重疊。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中，該第三雜質區之一電連接至該電發光元件。 6 ·如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中該發光裝置適於倂入選自個人電腦、攝影機、頭戴式顯示器、影像播放裝置、及行動電腦所組成的群類之電子設備中〇 7·—種發光裝置，包括：至少二通道區；基體；多個閘接線，在基體上於一方向上彼此平行地延伸；多個資料接線，在基體上於另一方向上彼此平行、也延伸，其中，該多個資料接線與該多個閘接線相交會且多個像素中的每一像素由該多個資料接線及該多個閘接線界定 j 至少第一薄膜電晶體，設置在個別像素處，該第一薄膜電晶體具有至少二閘電極，其中，每一該閘電極電連接至對應的閘接線； . 至少第二薄膜電晶體，設置在個別像素處；本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3 - ------IT------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 543206 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍層間絕緣膜，在該第一及第二薄膜電晶體上；電發光元件，在該層間絕緣膜上，其中該第二薄膜電曰曰體電連接至電發光兀件；驅動電路，包括第三薄膜電晶體，在基體上；及分波電路，包括第四薄膜電晶體，在基體上。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之發光裝置，其中該發光裝置適於倂入選自個人電腦、攝影機、頭戴式顯示器、影像播放裝置、及行動電腦所組成的群類之電子設備中〇 9 · 一種發光裝置，包括·· 基體；多個閘接線，在基體上於一方向上彼此平行地延伸；多個資料接線，在基體上於另一方向上彼此平行地延伸’其中’該多個資料接線與該多個閘接線相交會且多個像素中的每一像素由該多個資料接線及該多個閘接線界定至少第一薄膜電晶體，設置在個別像素處，該第一薄膜電晶體具有至少二閘電極，其中，每一該閘電極電連接至對應的閘接線；至少第二薄膜電晶體，設置在個別像素處；層間絕緣膜，在該第一及第二薄膜電晶體上；電發光元件，在該層間絕緣膜上，其中該第二薄膜電晶體電連接至電發光元件； · 驅動電路，包括第三薄膜電晶體，在基體上；及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 4 - --------0^ II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍升壓電路，包括第四薄膜電晶體，在基體上。 1 ◦•如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，其中該發光裝置適於倂入選自個人電腦、攝影機、頭戴式顯示器、影像播放裝置、及行動電腦所組成的群類之電子設備中。 1 1 . 一種發光裝置，包括：基體；多個閘接線，在基體上於一方向上彼此平行地延伸；多個資料接線，在基體上於另一方向上彼此平行地延伸’其中’該多個資料接線與該多個閘接線相交會且多個像素中的每一像素由該多個資料接線及該多個閘接線界定至少第一薄膜電晶體，設置在個別像素處，該第一薄膜電晶體具有至少二閘電極，其中，每一該閘電極電連接至對應的閘接線；至少第二薄膜電晶體，設置在個別像素處；層間絕緣膜，在該第一及第二薄膜電晶體上；電發光元件，在該層間絕緣膜上，其中該第二薄膜電晶體電連接至電發光元件；驅動電路，包括第三薄膜電晶體，在基體上；及伽瑪電路，包括第四薄膜電晶體，在基體上。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述之發光裝置，其中該發光裝置適於倂入選自個人電腦、攝影機、.頭戴式顯示器、影像播放裝置、及行動電腦所組成的群類之電子設本紙張尺度適财國國家襟準（CNS)〜祕（21Gx297公楚）Γ5Τ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 543206 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍備中。 13·—種發光裝置，包括：基體；多個聞接線，在基體上於一方向上彼此平行地延伸；多個貪料接線，在基體上於另一方向上彼此平行地延伸’其中’該多個資料接線與該多個閘接線相交會且多個像素中的每一像素由該多個資料接線及該多個閘接線界定至少弟溥膜電晶體’设置在個別像素處，該第一^薄膜電晶體具有至少二閘電極，其中，每一該閘電極電連接至對應的閘接線；至少第二薄膜電晶體，設置在個別像素處；層間絕緣膜，在該第一及第二薄膜電晶體上；電發光元件，在該層間絕緣膜上，其中該第二薄膜電晶體電連接至電發光元件；驅動電路，包括第三薄膜電晶體，在基體上；及記憶體，包括第四薄膜電晶體，在基體上。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項所述之發光裝置，其中該發光裝置適於倂入選自個人電腦、攝影機、頭戴式顯示器、影像播放裝置、及行動電腦所組成的群類之電子設備中。本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -6 - Aw ^IT (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)