TW543114B - Diffuser and rapid cycle chamber - Google Patents

Description

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尤有關於電漿製造系 五、發明說明d)

本發明係關於半導體設備製造， 統内之擴散器。 —技夏技复主描述 半導體製造系統係用於處理半導體晶圓以製造 路。特別是，以電漿為基礎之半導體製程係廣泛地使於 蝕刻、氧化、化學氣相沈積（CVD)等。習知之電漿製、皮/、 統，常控制氣體或電漿在電漿製造室内之流動以糸= 佳之處理晶圓之環境。 一最 此外 大氣環境 如，欲處 負載鎖上 腔室。當 大氣壓力 室中提供 器手臂移 入及抽出 CVD等）該 在晶 晶圓送回 中後，在 回大氣壓 ，此等 及真空 理一晶 ’該晶 該晶圓 。在大 一真空 送至處 腔室之 晶圓。 圓被處 在真空 負載鎖 力。當 系統通常 間移送晶 圓，在大 圓負載鎖 被置於晶 氣環境下 狀態。該 理室中。 氣體或電 此程序改 理之後， 狀態中之 中之真空 達到大氣 包含其 圓以確 用於處理以及在 保一潔淨的處理環境。例 氣¥丨兄下之晶圓被移送至 係一在 圓負載 之空氣 晶圓接 該處理 漿中處 變晶圓 在真空 負栽鎖 壓力藉 壓力時 晶圓 真空與大氣環境間循環之 鎖中時’該負載鎖會包令； 接著被抽出以在負載鎖腔 著以一在真空中運作之機 室藉由將晶圓曝露在被壓 理（例如：蝕刻、氧化、 之特性。 傳送模組中-之機器手臂將 中。在晶圓被置於負載鎖 由吹入例如氮之氣體被改 ，在有需要的情況下晶圓

$ 5頁 『543114 五、發明說明（2) 被移送至一晶圓匣中以進行其他處理步驟。 在半導體製程中，處理系統之價值依晶圓可被處理之 速率的擴展性而定。即，具有較高處理速率之處理系統可 在一定的時間内比具有較慢處理速率之系統產生更多處理 過之晶圓。因此，處理速度愈快，因愈大之生產量而使得 該生產系統更有價值。 然而，在傳統之半導體處理系統中，晶圓之處理速率 大部分依賴那一個腔室，例如負載鎖，真空移送模組及處 理^，可在低壓及高壓狀態間循環之速度而定。不幸地， 習知之處理系統中之腔室之 進入氣體與離開氣體之最大 可能將晶圓移出定位。此外 該氣體可能帶入小粒子至真 圓表面。如眾所週知地，表 所製作出之積體電路損壞。 域速度需要維持在某一準位 循環速度通常在實行時受限於 區域速度。例如，過高之速度 ’假如氣體之最大速度太高， 空室中並將某些粒子散佈在晶 面被粒子污染可導致由此晶圓 因此’為了防止此等損壞，區 之下。 腔室通常包含擴散器藉由將 ;寬廣的區域中以將輸入氣體減 配有-薄膜。_通常由織：在=之介面處裝 小孔之平板組成。在此組態巾，在=金屬或具有許多 氣流擴展至較寬廣的區域中。該薄/之—洞穴用於將 此阻力使得薄膜後方之壓力能平=膜；氣流提供一阻力。 薄膜阻力提供一均勻之氣流。—=勻之壓力及均勻之

$ 6頁 543114 五、發明說明（3) 然而’裝配有薄膜之習知之擴 如，此等擴散器較昂貴因為其需维個缺點。例 循環之排入部分之速度。此外會= = 因此使得抽取循環之速度=此;t膜 此黧丨*工此在排入及/或抽取循環中卡入小粒子。因 奸笼私、ί子A’抽取及排入之效率可能會隨著時間而退化或 .可能會釋放至排入氣流中並停留在晶圓表面上一。 卜’在擴散器中之薄膜可能會很難清理。 因:述之原因，需要一擴散器，可提供所需之大空間 ^循壞之抽取及排入期間之低流速及對氣流之低阻抗。 =可使侍，圓處理速率提高。此外，可處理抽取及排入兩 之擴散器具有節省成本之優點及/或將較大的擴散器與 可用空間配合之能力。 之綜合說昍 / ^ 一般來說，本發明藉由提供一擴散器及一用於排入及 或抽取氣體之快速循環室來達到此等需求。可了解本發 月可以種種方式來應用，包含例如製程、設備、系統、裝 置或方法。數個本發明之實施例說明於後。- 依照本發明之實施例，本發明提供一擴散器，包含一 本體及一反射器。該本體包含一穿過中心部分之喷嘴且在 上側具有一弧線表面以在弧線表面之上定義出一開放空

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間。該喷嘴被配置成容許氣體流過且在喷嘴中膨脹。該反 係配置於噴嘴之上且被安排成在氣流膨脹時將氣;從 喷嘴反射至本體中之開放空間。在此組態中，氣體在喷 中、反射器部分及位於渦輪葉間之本體之開放空間中緩 流動使得氣流以低速流出開放空間。 & 在另一 系統中循環 器。該擴散 擴散器，包含 穿過中心部 面之上定義 且在喷嘴中 氣流膨脹時 組態中，氣 流入腔室中 放空間分成 每一膨脹空 提供一實質 在又一 制輸入氣體 制器可被用 閥開啟時流 本發明 擴散器可用 實施例 氣體之 器裝設 一本體 分之噴 出一開 膨脹。 將氣體 流在喷 。該渦 一組膨 間進入 上均勻 實施例 之速度 於限制 入噴嘴 提供比 於將氣 中，本 腔室。 在該腔 、一反 嘴且在 放空間 該反射 從喷嘴 嘴、反 輪葉組 脹空間 該腔室 之流出 中 ，一 0在一 氣流流 之爆發 習知技 體排入 發明 ^ r一用於在一半導體處理 该腔室包含一組封閉牆及一擴散 室之一 射器及 上侧具 。該噴 器配置 反射至 射器及 配置於 使得氣 。渦輪 開放空 流量限 實施例 入喷嘴 氣流。 術更多 或抽出 封閉牆中 一組渦輪 有一弧線 嘴被配置 於噴嘴之 本體中之 開放空間 本體之開 體以'實質 葉之數目 間並進入 制器被配 + ’-分 以減緩氣 之一孔 葉。該 表面以 成容許 上且被 開放空 中膨脹 放空間 上相等 及形狀 腔室之 置於入 別的音 流-並防 隙中。該 本體具有 在弧線表 氣體流過 安排成在 間。在此 並以低速 中以將開 之量流出 被選擇以 氣流。 口上以限 速氣流限 止在上游 ^優點。例如，本發明 一腔室。例如，當用於

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五、發明說明（5) 入時’喷嘴、反射器及擴展空洞將輸入之氣流慢慢地擴 展。由於進入腔室之低的且均勻之氣流，在腔室中之晶圓 不會被移出定位。此外，在腔室中之微粒亦很少會進入氣 /爪中且散布在晶圓之表面上。因此，配備有本發明之此等 擴散器之擴散器及腔室可增加一半導體處理系統中之晶圓 之生產率及/或裝置良率。在另一方面，該擴散器亦可用 於將腔室抽成真空。藉由以此模式使用擴散器，該腔室不 需要使用另外的抽取埠或裝置，因此可節省腔室中之空 或I使用較大的擴散器。 工曰 由後述之發明之綜合說明 本發明之種種目的及優點可 及圖式而更加了解。 鼓佳實施例之詳細始沭 本發明描述一擴散器及一快速循環室，用於排 或抽取氣體。錢文中，為了提供對本發明詳細的 做許多詳細之細節說明。然而，對於習知本技蓺之 =顯：2 =發明不需此等細節之某些：全部即可 Λ 、在其他例子中，I為人知的製程步驟不加以詳細的 S兒明以避免對本發明產生不必要之混淆。 V、、’ 、 圖1顯示依照本發明之一實施例之具 理之半導體處理系統1〇。之一例之概要圖示上m 之機器手臂m從晶圓S104中拿起一晶圓1〇2。載入：

第9頁 543114 五、發明說明（6) 1〇6及氣壓移送模組108兩者都包含在大氣壓力下之空氣 虽機器手臂11G拿起晶圓1〇2時，在晶圓負載鎖112中 銘二1老16開啟以接f晶圓102 °該機器手臂110將晶圓102 :'大氣壓力下之空氣中之晶圓負載鎖ιΐ2中之晶 圓支持具114上。在晶圓1〇2姑署认日门 ^ $姓目11yl 隹日日圓被置於晶圓負載鎖112中之晶 門桩」曰上之後，該機器手臂11 〇收回且門1 1 6被關 ‘•ΐί二：圓=貞112被「抽取」，其係藉由將空氣 Ϊ:出來直至負載鎖室達到真空狀態。 ^ ηΊι8ΘΛ ^112 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^112 模;:ί整個製程中都保持真空狀態 ς多送I、且1 22需要週期十生地抽取以確保最佳《直空狀熊 或做為系統啟動之一部分，或做 ^ 心 晶圓支持具114 — 水处里至126。特別是，當腔室門124開啟時，該真空 手臂120將晶圓1。2號放置在電漿處理室126中之晶圓二 具（未严不）上。該電漿處理室126，在本技藝中係習知、 ΐι;(Γ/:真空之初始狀態。在晶圓102被置於電漿處理 至126中後，腔室門124關閉且通常藉由排入一種或更 氣體（例如原始氣體、電漿等）並將氣體抽出電漿處理室 12 6 , „ , « 1 〇 2 it 0 ^ , , , κ. 物理的改复，例如蝕刻、氧化、CVD等。 在晶圓102破處理之後，腔室門124開啟且真空 臂120將晶圓102從電漿處理室126取出。接著，處於真空

543114 、發明說明（7) 狀態下之晶圓負載鎖11 2之門11 8開啟以接受晶圓1 〇 2。真 空機器手臂1 2 0接著將晶圓1 0 2置於晶圓支持具1丨4上且在 真空移送模組122側之門118關閉。在門116及門118兩者皆 封閉時’晶圓負載鎖11 2被「排氣」，其係藉由排入氣體 至晶圓負載鎖11 2中直到達到大氣壓力。該排入之氣體較 佳者為乾淨、乾燥之氮氣。 當晶圓負載鎖11 2達到大氣壓力時，在氣壓移送模組 1Y8侧之門11 6開啟以接受大氣壓力之機器手臂1 1 〇。該機 器t臂1 1 〇接著將處理過之晶圓拿起並送回載入埠丨〇 6之晶 圓E 1 0 4中。當所有在匣中之晶圓都做完相似的處理後， 在晶圓匣1 04中之晶圓1 〇 2可被移除以進行其他的程序。應 注意該半導體處理系統100可能具有多個晶圓匣1〇4、電漿 處理室1 2 6及晶圓負載鎖11 2以容許同時處理多個晶圓。 —顯而易見的，半導體處理系統丨〇〇之生產速率取決於 月f至112、122及126排入及/或抽取氣體之效率。例如，晶 圓負載鎖11 2抽取得愈快，晶圓1 〇 2可愈快地返回晶圓匣 1/4以做其他處理。因此，本發明提供一擴散器，具有此 等腔室’可以有效率地排入及/或抽取氣體以增加半導體 處理系統之生產速率。 圖2顯不依照本發明之一實施例之擴散器2 0 0之一例之 上側透視圖。該擴散器2 0 0包含一本體2 〇 2、一反射器 204、一二腳架2〇6、一對導引渦輪葉21〇及212及一位於反 射器204下方無法以此角度看見之喷嘴。該三腳架2〇6具有 一組手臂2 0 6且係藉由螺絲2 1 4固定在本體2 〇 2上。該反射

第11頁 543114 五、發明說明（8) 器2 0 4係配置於本體2 0 2之中心部分且係固定在手臂2 〇 6上 以將反射器2 0 4固定在定位上。此外，導引渦輪葉2丨〇及 212係裝置於手臂206之下且朝下朝反射器204下之本體中 心擴展。手臂2 0 6可能是一三腳盤或三腳架；然而亦可用 其他構造來將反射器204及導引渦輪葉21〇及212固定。較 佳著為’手臂206係藉由一環狀構造216固定於本體202 上。此外，擴散器2 0 0可包含任何數目之導引渦輪葉或完 全不具有渦輪葉。本體2 0 2較佳者為一圓形；然而其亦可 採任何其他適於擴展氣流之形狀。擴散器2 〇 〇可用於在 一半導體製造系統中排入或抽取氣體，例如用於晶圓負載 鎖11 2 '真空移送模組1 2 2及電漿處理室1 2 6。在此例中， 本體2 0 2包含在環狀構造21 6中之複數孔2 〇 8以藉由螺絲固 疋擴政器2 0 0。在此，術語「腔室」包含晶圓負載鎖11 2、 真空移送模組1 2 2、電漿處理室1 2 6及任何其他需要排入及 /或抽取氣體之腔室。 圖3A至3C例示具有喷嘴3〇2之擴散器200可置於腔室 3 0 0中之數種方式。例如，圖3 a顯示依照本發明之一實施 例之具有噴嘴30 2之擴散器2 00固定在腔室300之地板上之 圖例在另一方面，圖3 B顯示依照本發明之_實施例之具 有喷嘴302之擴散器2〇〇固定在腔室3 00之天花板上之圖八 例。可選擇地，擴散器2 0 0可固定在腔室30ff之地板及天花 板兩者上，如圖3C所示。擴散器200亦可固定在腔室3〇〇之 邊蹁上。較佳者為，擴散器2 〇 〇係由金屬所製造以提供 堅硬的外形。 543114 五、發明說明（9) 圖4A顯示依照本發明之一實施例之不具有導引渦輪葉 210及2 12之擴散器200沿著AA’線之剖面圖。如圖所示，擴 散器20 0包含一本體202、一反射器2 04及喷嘴30 2。該本體 202係具有在中心4 04之孔40 2以將喷嘴302配合在孔402_ 中。喷嘴302可與本體202為分開單元或形成一體。在擴散 器200之上侧，弧線表面406被形成以在弧線表面40 6之上 孔402之附近定義出一開放空間4 08。環狀構造216位於弧 線表面4 0 6之外頂部邊緣以將手臂2 0 6固定在本體2 〇 2上。 _反射器2 0 4係同軸地配置在本體2 0 2之孔4 0 2之中心4 0 4 上且係適於將氣體從喷嘴30 2反射至在弧線表面40 6上形成 之開放空間408中。欲反射氣體，在喷嘴302侧之内表面 41 8係朝下朝反射器2 0 4之外底部邊緣彎曲。這可容許來 自喷嘴30 2之氣體在進入開放空間4〇8之前膨脹。 喷嘴302亦與本體202中之孔402同軸配置且在本體2〇2 之一底表面410下擴展。然而，噴嘴3〇2亦可整個位於孔 402中不朝下伸出。底表面41〇係緩慢地傾斜使得牆41〇之 直徑漸漸地朝反射器204增加。較佳者為，喷嘴3〇2之 410對於其直徑係形成一低於或等於6度 口 ：角度容許進入喷嘴30 2之氣體在向上穿過噴嘴口時】 在一實施例中，擴散器20〇亦可包含一入口412，一 限制器416。當排入—氣體，例如氮氣，一壓 制器416之上游提供氣體至在下游之入 口 412。&動限制器416適於限制來自壓力調節器且

第13頁 543114 五、發明說明（10) "" —---- 其I用一具有中心孔以容許氣體通過之圓盤來實行。孔之 ίί:，整以#供想要之流量限制。閥414係-關閉閥， -9= rf乳體經由入口 4 1 2流入喷嘴3 Q 2或關閉氣體以在擴散 =在抽取模式下運作時防止氣體流入喷侧2。流動限 ' 6之位置在其他實施例中可做變化。例如，假如流 動限制器416位於上游，其愈靠近閥414愈好。在一實施 中，流動限制器41 6可與閥414結合。在另一實施例中，法 動限，器41 6可位於閥41 4之下游且經過配置使得在限= 下之氣.流在進入噴嘴3〇2之前變得實質上均勻。流動限》 器416亦可用於時間腔室填充中之線性或僅在初始 ^ 腔室填充，依輸入壓力而定。 注之 在抽取模式中，擴散器2〇〇係以一T形管418耦合至〜 2^°Λ—触侧’'㈣418縣合至人°312以經由二散： 一排入氣體。在另一侧，T形管41 8係耦合至一泵浦（夫。 不）以經由擴散器2 〇 〇從腔室抽取氣體以在腔室中圖 狀態。 τ捉供真空 在運作中，在流動限制器416之上游，氣流處於高 力。流動限制器41 6中之孔之直徑及上游壓力決定流g婆 只要下游/上游壓力比維持少於極限壓力比（例如，對 為· 5 2 8 )’則其與下游壓力無關。流動限制器4丨6限制」氮 流動且將氣流加速至一高速（例如，音速）。-此外，流=體 制器41 6防止在閥4 1 4開啟時流入腔室之氣爆。因此，固= 之流量容許腔室排入時間及最大排入壓力之控制調節7定 流動限制器41 6之下游之壓力係接近腔室壓力，

第14頁 543114 五、發明說明（li) -- 在於擴散器2 0 0之低限制，擴散器20 0係動作以將進入腔室 之氣流膨脹。在排入及抽出間交替，腔室壓力在剛開始^ 入腔室時之真空基礎壓力及最大壓力間變化，該最大^力 通常為在氣體流入腔室時之大氣壓力。 擴散器2 0 0動作以經由流動限制器41 6中之孔來調節氣 流並接著藉由逐漸地擴展流動區域以減緩來自入口 2孔' 之下游的氣體速度，使得氣流經由一大區域以一低的且均 勻的速度流入腔室。特別是，進入喷嘴3〇2之氣流藉由以 低$或.等於6度擴展之傾斜之牆410在喷嘴302内。接 著，來自喷嘴30 2之氣流導向反射器204，其反射且更進一 步將氣流在擴散器20 0内之開放空間408中擴展。在離開反 射器20 4後，氣流進入開放空間4 08，在此氣流更進一步地 在擴散器200之全部開放空間内膨脹。較佳者為，擴散器 2 0 0之谷量維持最小使得該腔室可在最小的時間内被淨空 (即，抽出）。 擴散器2 0 0亦可具有一組導引渦輪葉以將開放空間4 〇 8 分隔以提供均勻之流速。圖4B顯示依照本發明之一實施例 之具有導引渦輪葉210及212之擴散器200沿著AA，線之剖面 圖。如圖所示，導引渦輪葉21 〇及21 2位於擴散器20 0之開 放空間408中。在此組態中，導引渦輪葉21〇及2 12被配置 成將開放空間30 8分成擴展空間4 60、462及464。例如，導 引渦輪葉210將開放空間308分成擴展空間460及462，而導 引滿輪葉212將開放空間308分成擴展空間462及464。 較佳者為，導引渦輪葉21〇及21 2之間隔可使面對腔室

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之環狀區域450、4 52及4 54係相等的。該相等的環狀區域 450 452及454谷„午貫質上相等的氣流量分別從擴展空間 460、462及464流入腔室。在—實施例中，導引渴輪葉21〇 及2 1 2可垂直調整及/或水平調整以達到均勻之流量。 本發明提供比習知之擴散器更多之優點。:ί明之擴 散器可用於排入氣體至一腔室或從一腔室抽出氣體以提供 一真空的狀態。例如，當用於排入氣體至一腔室時，穿過 喷嘴及反射器之氣體擴展流入之氣流。該反射器反射氣體 至擴展.空間，於此處氣流更進一步地減緩並膨脹以提供實 質上均勻之流入腔室之氣流。 由於從擴展空間流入腔室之低速且均句之氣流，在腔 室中之晶圓不會被移出定位。此外，纟腔室之微小粒子也 很少會被巧動而停在晶圓上。因&，裝配有本發明之擴散 器之擴散益及腔室可增加半導體處理系統中之晶 量。 在另方面，畲用於抽出氣體時，該腔室可更加快 地被抽成真空，因為沒有經由一限制而連接至腔室之容旦 存在。此外’該腔室不需使用另外的抽取埠或裝置，ς = 可節省腔室之空間。在此模式中，本發明之流量 ； 許更快速的將腔室抽取成真空，原因在於沒有容量被連ς 至腔室。 _ 安 本發明f提供其他實用的及成本上之優點。例如， 發明之擴散器較易於清潔，原因在於沒有習知之具有 之擴散器之織物、燒結之金屬或多孔的牆表面。本發明之

第16頁 543114 五、發明說明（13) 擴散器之堅硬的形狀確保此部分不會磨損或被阻塞。此 外，本發明之擴散器比習知之薄膜擴散器在生產及維護上 都更便宜。 ’ 在以上詳細說明中所提出之具體的實施態樣或實施例 / 僅為了易於說明本發明之技術内容，本發明並非狹義地限 制於該實施例，在不超出本發明之精神及以下之申請專利 範圍之情況，可作種種變化實施。

第17頁 543114 圖式簡單說明 圖1顯示依照本發明之一實施例之具有自動化晶圓處 理之半導體處理系統之一例之概要圖示； 圖2顯示依照本發明之一實施例之擴散器之一例之上 側透視圖； 圖3A至3C例示具有喷嘴之擴散器可置於腔室中之數種 方式； 圖4A顯示依照本發明之一實施例之不具有導引渦輪葉 或氣流限制器之擴散器沿著AA’線之剖面圖； 圖4B顯示依照本發明之一實施例之具有導引渦輪葉之 擴痕器沿著AA，線之剖面圖； 符號說明 100〜半導體處理系統 102〜晶圓 104〜晶圓匣 I 0 6〜載入埠 II 0〜機器手臂 108〜氣壓移送模組 11 2〜晶圓負載鎖 11 4〜晶圓支持具 11 6〜門 - 11 8〜門 120〜真空機器手臂 122〜真空移送模組

543114 圖式簡單說明 124〜腔室門 126〜電漿處理室 200〜擴散器 202〜本體 2 0 4〜反射器 20 6〜手臂 208〜孔 210、212〜導引渦輪葉 21 4〜螺絲 21 6'環狀構造 3 0 0〜腔室 302〜喷嘴 308〜開放空間 31 2〜入口 402〜孔 404〜中心 4 0 6〜弧線表面 408〜開放空間 41 0〜内牆 41 2〜入口 41 4〜閥 41 6〜流動限制器 41 8 ’〜内表面 418〜T形管

543114 圖式簡單說明 450、452、454〜環狀區域 4 6 0、4 6 2、4 6 4〜擴展空間

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Claims (1)

1. 543114 _案號91106254_年月日_魅_ 六、申請專利範圍 至渦輪葉上以將渦輪葉定位。 9、如申請專利範圍第1項之擴散器，其中該喷嘴具有一傾 斜之内牆以朝反射器增加直徑。 1 0、如申請專利範圍第9項之擴散器，其中該喷嘴之内牆 係以一小於或等於6度之角度傾斜。 11、如申請專利範圍第1項之擴散器，其中尚包含： 一入口，連接至喷嘴以讓氣體流入喷嘴； 一流動限制器，配置於入口上以限制輸入氣體之流入 速度，其中該流動限制器減少氣體之流入速度。

   1 2‘、如申請專利範圍第11項之擴散器，其中該流動限制器 係一圓盤，具有孔以容許輸入氣體流入入口。 1 3、如申請專利範圍第1 2項之擴散器，其中尚包含： 一閥，連接於入口與流動限制器之間，該閥被配置成 在擴散器被用於經由開放空間擴散氣體時開啟以容許輸入 氣體穿過入口，在擴散器被用於從擴散器抽取氣體時關閉 以阻止輸入氣體流入入口。 1 4、如申請專利範圍第1 3項之擴散器，其中該喷嘴係與本 體一體形成。

   1 5、如申請專利範ί第1項之擴散器，其中該擴散器係使 用於一半導體製造系統中之一晶圓負載鎖。 1 6、如申請專利範圍第1項之擴散器，其中該擴散器係使 用於一半導體製造系統中之一電漿製程室。 1 7、如申請專利範圍第1項之擴散器，其中該擴散器係使 用於一真空轉移模組以將氣體從真空轉移模組抽出。

   第22頁 543114 _案號 91106254_年月日__ 六、申請專利範圍 1 8、一種半導體製造系統中循環氣體用之腔室，包含： 一組封閉牆；及 一擴散器，裝設在該腔室之一封閉牆中之一孔隙中， 該擴散器包含： 一本體，具有穿過中心部分之喷嘴，該本體在上側具 有一弧線表面以在弧線表面之上定義出一開放空間，其中 該喷嘴被配置成容許氣體流過且在喷嘴中膨脹；及

   一反射器，配置於喷嘴之上且被安排成在氣流膨脹時 將氣體從喷嘴反射至本體中之開放空間，其中氣流在開放 空間中膨脹使得氣流以實質上均勻且低於氣體進入喷嘴之 速度流出開放空間；及 一組渦輪葉，配置於本體之開放空間中以將開放空間 分成一組膨脹空間使得氣體以實質上相等之量流出每一膨 脹空間進入該腔室。 1 9、如申請專利範圍第1 8項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該喷嘴係與本體一體形成。 2 0、如申請專利範圍第1 8項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該喷嘴係與本體分別形成。

   21、如申請專利範圍第1 8項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該反射器係同軸配置於喷嘴之上。 2 2、如申請專利範圍第1 8項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該擴散器尚包含： 一組手臂，固定在本體之上方以將反射器定位。 2 3、如申請專利範圍第2 2項之半導體製造系統中循環氣體

   第23頁 543114 _案號911Q6254_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 用之腔室，其中該手臂組係固定至渦輪葉上以將渦輪葉定 位。 2 4、如申請專利範圍第2 2項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該喷嘴具有一傾斜之内牆以朝反射器增加 直徑。 2 5、如申請專利範圍第2 4項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該喷嘴之内牆係以一小於或等於6度之角 度傾斜。 2 6、如申請專利範圍第1 8項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該擴散器尚包含： 一入口，連接至喷嘴以讓氣體流入喷嘴； 一流動限制器，配置於入口上以限制輸入氣體之流入 速度，其中該流動限制器減少輸入氣體之流入速度以輸出 至入口。 2 7、如申請專利範圍第2 6項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該流動限制器係一圓盤，具有孔以容許輸 入氣體流入入口。 2 8、如申請專利範圍第2 6項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該擴散器尚包含： 一閥，連接，於入口與流動限制器之間，該閥被配置成 在擴散器被用於經由開放空間擴散氣體時開啟以容許輸入 氣體穿過入口，在擴散器被用於從擴散器抽取氣體時關閉 以阻止輸入氣體流入入口。 2 9、如申請專利範圍第1 8項之半導體製造系統中循環氣體

   第24頁 543114 _案號 91106254_年月日__ 六、申請專利範圍 用之腔室，其中該腔室係一在真空與大氣壓力間循環之晶 圓負載鎖。 3 〇、如申請專利範圍第1 8項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該腔室係一電漿製程室。 3 1、如申請專利範圍第1 8項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該腔室係一真空轉移模組，具有一機器手 臂以將一晶圓在處於真空狀態下之一晶圓負載鎖與一電漿 製程室間移動以處理該晶圓。 3 2、如申請專利範圍第1 8項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該擴散器固定於其上之該封閉牆係該腔室 之地板。 3 3、如申請專利範圍第1 8項之半導體製造系統中循環氣體 用之腔室，其中該擴散器固定於其上之該封閉牆係該腔室 之天花板。 34、一種排洩氣體用之裝置，包含： 一本體，具有穿過中心部分之喷嘴，該本體在上側具 有一弧線表面以在弧線表面之上定義出一開放空間供氣流 膨脹，其中該喷嘴被配置成容許氣體流過且在喷嘴中膨 脹； * 一反射器，配置於喷嘴之上且被安排成在膨脹氣流時 將氣體從喷嘴反射至本體中之開放空間，其中氣流在開放 空間中膨脹使得氣流以實質上均勻且低於排洩氣體時氣體 來自喷嘴之速度流出膨脹空間； 一入口，連接至喷嘴以讓氣體流入喷嘴；及

   第25頁 543114 _案號91106254_年月曰 修正_六、申請專利範圍 一流動限制器，配置於入口上以限制輸入氣體之流入 速度，其中該流動限制器減少輸入氣體之流入速度以輸出至入口0 該 中 其 置 裝 之 用 體 氣 :/ Lbf 之 項 4 0 3 第成 圍形 範體 利一 專體 請本 申與 如係 、 嘴 5 +^ 置 裝 之 用 體 氣 LFT 之 項 4 ο 3 第成 圍形 範別 利分 專體 請本 申與 如係 、 嘴 6 喷 置 裝 之 用 體 氣 L二 與 。 之上 項之 4 實 3 口 第喷 圍於 範置 利配 專軸 請同 申係 如器 、射 7反 3 / 亥 亥 二一一口 二U口 中 中 其 其 該流 中氣 其得 ，使 置展 裝擴 之狀 用 體放 氣間 洩空 排放 之開 項將 4 成 3 / 第置 圍配 範係 利面 專表 請線 申弧 如之 、體 38本 尚 中 其 置 裝 之 用 體 氣 U% > Ltr 之 項 4 3 第 〇 圍 服範 膨利 中專 間請 空申 EK 口 月士 膨、 在9 ^ 3 間膨 空 一 脹每 膨出 將流 以量 中之 間等 空相 脹上 膨質 之實 體以 本體 於氣 置得 配使 ’ 間 葉空 輪脹 咼彭 、、/ 組組:一 一 含 成 包 分 尚 中 其 置 裝 之 用 體 氣 、、/ Luh 之 項 4 3 第 圍 範 利 專 請 。 中 間如 空 、 長 ο 月 4 含 包 位 定 器 射 反 將 以 方 上 之 體 本 在 定 固 臂 手 組 - 置 裝 之。 用位 體定 氣葉 洩輪 排渦 之將 項以 ο上 4 一 第葉 圍輪 範渦 利至 專定 請固 申係 如組 、 臂 1 手 4 一 置 裝 。 之徑 用直 體加 氣增 洩器 排射 之反 項朝 4 以 3 1^ 第牆 圍内 範之 利斜 專傾 請一 申有 如具 、 嘴 2+^1 玄 亥 兮°=口 中 中 其 其 9

   第26頁 543114 _案號91106254_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 43、 如申請專利範圍第42項之排洩氣體用之裝置，其中該 喷嘴之内牆係以一小於或等於6度之角度傾斜。 44、 如申請專利範圍第34項之排洩氣體用之裝置，其中該 流動限制器係一圓盤，具有孔以容許輸入氣體流入入口。 4 5、如申請專利範圍第4 1項之排洩氣體用之裝置，其中尚 包含： 一閥，連接於入口與流動限制器之間，該閥被配置成 在擴散器被用於經由開放空間擴散氣體時開啟以容許輸入 氣體穿過入口，在擴散器被用於從擴散器抽取氣體時關閉 以阻止輸入氣體流入入口。 4 6、如申請專利範圍第3 9項之排洩氣體用之裝置，其中該 喷嘴係與本體一體形成。 47、 如申請專利範圍第34項之排洩氣體用之裝置，其中該 裝置係使用於一半導體製造系統中之一晶圓負載鎖。 48、 如申請專利範圍第34項之排洩氣體用之裝置，其中該 裝置係使用於一半導體製造系統中之一電漿製程室。

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