JPH02211624A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH02211624A JPH02211624A JP3106489A JP3106489A JPH02211624A JP H02211624 A JPH02211624 A JP H02211624A JP 3106489 A JP3106489 A JP 3106489A JP 3106489 A JP3106489 A JP 3106489A JP H02211624 A JPH02211624 A JP H02211624A
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- Japan
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- discharge tube
- sample
- flow
- gas
- process gas
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に半導体素子基
板等の試料をプラズマを利用してエツチング処理、成膜
処理等所定処理するのに好適なプラズマ処理装置に関す
るものである。
板等の試料をプラズマを利用してエツチング処理、成膜
処理等所定処理するのに好適なプラズマ処理装置に関す
るものである。
半導体素子基板等の試料をプラズマを利用して処理する
装置としては、例えば、特開昭６２−６５４２１号公報
に記載のような、処理室内でプロセスガスをマイクロ波
電界と磁界との相乗作用によりプラズマ化し、該プラズ
マを利用して試料をエツチング処理または成膜処理する
ものが知られている。
装置としては、例えば、特開昭６２−６５４２１号公報
に記載のような、処理室内でプロセスガスをマイクロ波
電界と磁界との相乗作用によりプラズマ化し、該プラズ
マを利用して試料をエツチング処理または成膜処理する
ものが知られている。
上記従来技術では、プラズマ処理中に試料から発生した
レジスト成分等の反応生成物やプラズマ中のガス成分等
（以下、反応物と略）が拡散現象によって処理室内に拡
散して堆積し、これが、異物増加の原因となっている。
レジスト成分等の反応生成物やプラズマ中のガス成分等
（以下、反応物と略）が拡散現象によって処理室内に拡
散して堆積し、これが、異物増加の原因となっている。
このため、処理室内での発ｍｊｌが増加し、この塵埃の
試料への付Ｍｌこより試料の歩留りが低下するといった
問題を有している。
試料への付Ｍｌこより試料の歩留りが低下するといった
問題を有している。
本発明の目的は、処理室内でのｙＡＪ］Ｉ！を抑制して
試料の歩留りを向上できるプラズマ処理装置を提供する
ことにある。
試料の歩留りを向上できるプラズマ処理装置を提供する
ことにある。
上記目的は、プラズマ処理装置を、プロセスガスの流れ
のカーテン作用により処理室内への反応物の拡散を防止
する手段を具備したものとすることにより、達成される
。
のカーテン作用により処理室内への反応物の拡散を防止
する手段を具備したものとすることにより、達成される
。
処理室内に導入されたプロセスガスは、プラズマ化され
、該プラズマを利用して試料は処理室内でエブヂング処
理、成膜処理等所定処理される。
、該プラズマを利用して試料は処理室内でエブヂング処
理、成膜処理等所定処理される。
この試料のプラズマ処理により反応物、例えば、試料か
らレジスト成分等の反応生成物が生成される。しかし、
このような反応物は、反応物拡散防止手段によるプロセ
スガスの流れのカーテン作用により処理室内への拡散を
防止される。従って、これら反応物の処理室内での堆積
は防止され、処理室内での発塵が抑制される。
らレジスト成分等の反応生成物が生成される。しかし、
このような反応物は、反応物拡散防止手段によるプロセ
スガスの流れのカーテン作用により処理室内への拡散を
防止される。従って、これら反応物の処理室内での堆積
は防止され、処理室内での発塵が抑制される。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。
る。
第１図、第２図で、プロセスガスな処理室１内にマスフ
ローコントローラ２．エアオペ３を介して放電管４．装
置本体５のすきまから方向変換部材６によりガス流れを
上向きに変換して導入する手段と図示しない処理室１内
を下方より排気するロータリーポンプ、ターボ分子ポン
プからなる排気手段とマイクロ波を発生するマグネトロ
ン７と磁界を発生するソレノイド８と下部電極９とアー
ス電極１１間にプラズマを介して高周波電力を印加する
高周波電源１１とにより構成されている。
ローコントローラ２．エアオペ３を介して放電管４．装
置本体５のすきまから方向変換部材６によりガス流れを
上向きに変換して導入する手段と図示しない処理室１内
を下方より排気するロータリーポンプ、ターボ分子ポン
プからなる排気手段とマイクロ波を発生するマグネトロ
ン７と磁界を発生するソレノイド８と下部電極９とアー
ス電極１１間にプラズマを介して高周波電力を印加する
高周波電源１１とにより構成されている。
下部電極９上に図示しない搬送装置により試料りを載置
した後、プロセスガスな処理室１内に導入してマイクロ
波と磁界の相互作用により放電管４内にプラズマを発生
し、下部電極９に負のバイアス電圧を発生しながらエツ
チングする。
した後、プロセスガスな処理室１内に導入してマイクロ
波と磁界の相互作用により放電管４内にプラズマを発生
し、下部電極９に負のバイアス電圧を発生しながらエツ
チングする。
本実施例によればプロセスガスはガス導入口１３近傍で
直接装置外に排気されることなく流線１４で示すように
放電管４内面近傍を上向きに流れた後、衡突して下方の
排気口１５に流れる。従って、試料νからのレジスト成
分、プラズマ中からのガス成分等の放電管４方向に向う
拡散は遮断されるとともに処理室ｌ外に順次排気されて
放電管４内面。
直接装置外に排気されることなく流線１４で示すように
放電管４内面近傍を上向きに流れた後、衡突して下方の
排気口１５に流れる。従って、試料νからのレジスト成
分、プラズマ中からのガス成分等の放電管４方向に向う
拡散は遮断されるとともに処理室ｌ外に順次排気されて
放電管４内面。
処理室ｌ内に堆積を生じることはない。このため、処理
室内でのｙＡ塵を抑制でき塵埃の試料への付着による歩
留りの低下を防止できる。
室内でのｙＡ塵を抑制でき塵埃の試料への付着による歩
留りの低下を防止できる。
次に本発明の第２の実施例を第３図、第４図により説明
する。第３図、第４図で、石英製の放電管４′に石英製
のガス導入口１３′２石英製の部材１６を介して石英製
分流板１７を設け、ガス導入口１３′がコネクター１８
を介してステンレス鋼製の配管１９に接続されている発
作は上記一実施例と同様の構成である。
する。第３図、第４図で、石英製の放電管４′に石英製
のガス導入口１３′２石英製の部材１６を介して石英製
分流板１７を設け、ガス導入口１３′がコネクター１８
を介してステンレス鋼製の配管１９に接続されている発
作は上記一実施例と同様の構成である。
本実施例によればプロセスガスは流路１４′で示すよう
に放電管４′内面近傍を全周航がりなから下方の排気口
１５に流れ、上記一実施例と同様の効果が得られる。
に放電管４′内面近傍を全周航がりなから下方の排気口
１５に流れ、上記一実施例と同様の効果が得られる。
次に本発明の第３の実施例を第５図、第６図により説明
する。第５図、第６図で、アース電極１０と試料押え旬
とを排気口すを除いて弾性部材４で連結しであることと
ガスの導入方向が試料ルの中心向きである以外は上記一
実施例と同様である。
する。第５図、第６図で、アース電極１０と試料押え旬
とを排気口すを除いて弾性部材４で連結しであることと
ガスの導入方向が試料ルの中心向きである以外は上記一
実施例と同様である。
本実施例によればプロセスガスはガス導入口１３’近傍
で直接装置外に排気されることなく流線１４′で示すよ
うに処理室１内の試料丘近傍を横切って排気口１５に流
える。従って、試料認からのレジスト成分の放電管４方
向に向う拡散は遮断されるとともに処理室ｌ外に順次排
気され放電管４内面、処理室ｌ内に堆積を生じることは
ない。
で直接装置外に排気されることなく流線１４′で示すよ
うに処理室１内の試料丘近傍を横切って排気口１５に流
える。従って、試料認からのレジスト成分の放電管４方
向に向う拡散は遮断されるとともに処理室ｌ外に順次排
気され放電管４内面、処理室ｌ内に堆積を生じることは
ない。
本発明によれば、処理室内での反応物の拡散。
堆積を防止できるので、処理室内での発塵な抑制でき試
料の歩留りを向上できる効果がある。
料の歩留りを向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のプラズマエツチング装置の
要部縦断面図、第２図は第１図のガス導入部分の縦断面
図、第３図は本発明の第２の実施例のプラズマエツチン
グ装置の要部縦断面図、第４図は第３図の放電管部分の
平面図、第５図は本発明の第３の実施例のプラズマエツ
チング装置゛の断面図、第６図は第５図の下部ｗＬ極部
分の平面図である。 ｌ・・・・・・処理室、４，４′・・・・・・放電管、
６・・・・・・方向変換部材、９・・・・・・下部電極
、１３．１３’ 、 １３’・・・・・・ガス導入口、
１５・・・・・・排気口、１７・・・・・・分流板、加
・・・・・・試イ 図
要部縦断面図、第２図は第１図のガス導入部分の縦断面
図、第３図は本発明の第２の実施例のプラズマエツチン
グ装置の要部縦断面図、第４図は第３図の放電管部分の
平面図、第５図は本発明の第３の実施例のプラズマエツ
チング装置゛の断面図、第６図は第５図の下部ｗＬ極部
分の平面図である。 ｌ・・・・・・処理室、４，４′・・・・・・放電管、
６・・・・・・方向変換部材、９・・・・・・下部電極
、１３．１３’ 、 １３’・・・・・・ガス導入口、
１５・・・・・・排気口、１７・・・・・・分流板、加
・・・・・・試イ 図
Claims (1)
- １、処理室内でプロセスガスをプラズマ化し、該プラズ
マを利用して試料を処理する装置において、前記プロセ
スガスの流れのカーテン作用により前記処理室内への反
応物の拡散を防止する手段を具備したことを特徴とする
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106489A JPH02211624A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106489A JPH02211624A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02211624A true JPH02211624A (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=12321041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3106489A Pending JPH02211624A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02211624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004535061A (ja) * | 2001-03-29 | 2004-11-18 | ラム リサーチ コーポレーション | 拡散装置と高速切替チャンバ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63111621A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | エツチング処理装置 |
| JPS63164311A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 化学気相成長方法 |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP3106489A patent/JPH02211624A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63111621A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | エツチング処理装置 |
| JPS63164311A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 化学気相成長方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004535061A (ja) * | 2001-03-29 | 2004-11-18 | ラム リサーチ コーポレーション | 拡散装置と高速切替チャンバ |
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