JPS60200521A - 処理装置 - Google Patents
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- JPS60200521A JPS60200521A JP5605884A JP5605884A JPS60200521A JP S60200521 A JPS60200521 A JP S60200521A JP 5605884 A JP5605884 A JP 5605884A JP 5605884 A JP5605884 A JP 5605884A JP S60200521 A JPS60200521 A JP S60200521A
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- processing chamber
- chamber
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- duct
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、処理技術、特に、被処理物を一度に多数枚処
理する技術に関し、たとえば、半導体装置の製造におい
てウェハをバッチ処理するのに使用して有効な技術に関
する。
理する技術に関し、たとえば、半導体装置の製造におい
てウェハをバッチ処理するのに使用して有効な技術に関
する。
半導体装置の製造において、ウニ・・をバッチ処理する
低圧ＣＶＤ装置として、処理室が処理ガスを一方向に流
通し得るように構成されるとともに、この処理室におい
て、治具に収納された複数枚のウェハをガス流路の途中
に配置し、処理待るように構成されているもの、が考え
られる。
低圧ＣＶＤ装置として、処理室が処理ガスを一方向に流
通し得るように構成されるとともに、この処理室におい
て、治具に収納された複数枚のウェハをガス流路の途中
に配置し、処理待るように構成されているもの、が考え
られる。
しかし、かかる低圧ＣＶＤ装置においては、装置蚕体に
比べてウェハ処理空間が小さいため、床面積が有効に活
用され得ないという問題点があること、が本発明者によ
って明らかにされた〇〔発明の目的〕 本発明の目的は、床面積の利用率を高めることができる
処理技術を提供することにある。
比べてウェハ処理空間が小さいため、床面積が有効に活
用され得ないという問題点があること、が本発明者によ
って明らかにされた〇〔発明の目的〕 本発明の目的は、床面積の利用率を高めることができる
処理技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通９である。
を簡単に説明すれば、次の通９である。
すなわち、処理室の中央部と周辺部とに互いに対向する
開口群を設けるとともに、この開口群の間に被処理物の
列を複数配設し得るように構成することによシ、処理流
体の流れの中に被処理物を高密度に置けるようにしたも
のである。
開口群を設けるとともに、この開口群の間に被処理物の
列を複数配設し得るように構成することによシ、処理流
体の流れの中に被処理物を高密度に置けるようにしたも
のである。
〔実施例１〕
第１図は本発明の一実施例である低圧ＣＶＤ装置を示す
一部切断斜視図である。
一部切断斜視図である。
本実施例において、この低圧ＣＶＤ装置は処理室１を備
えており、処理室１は石英ガラスによりほぼ円板形状に
形成されたベース２上に石英ガラスにより一面が閉塞さ
れだほぼ円筒形状に形成されたチャンバ３を被せること
により構成されるようになっている。チャンバ３の側壁
には周辺部の開口としての小孔４が多数、処理室１内外
を連通させるように径方向に穿設されている。
えており、処理室１は石英ガラスによりほぼ円板形状に
形成されたベース２上に石英ガラスにより一面が閉塞さ
れだほぼ円筒形状に形成されたチャンバ３を被せること
により構成されるようになっている。チャンバ３の側壁
には周辺部の開口としての小孔４が多数、処理室１内外
を連通させるように径方向に穿設されている。
処理室１の内部には導管５がベース２を貫通してほぼ中
心線上に沼って挿入されておシ、導管５の挿入部におけ
る管壁には中央部の開口としての小孔６が多数、管内外
を連通させるように径方向に穿設されている。導管５の
挿入端は閉塞されておシ、導管５は処理室ｌの外部から
処理ガスを導入されるようになっている。
心線上に沼って挿入されておシ、導管５の挿入部におけ
る管壁には中央部の開口としての小孔６が多数、管内外
を連通させるように径方向に穿設されている。導管５の
挿入端は閉塞されておシ、導管５は処理室ｌの外部から
処理ガスを導入されるようになっている。
処理室１内の下部にはターンテーブル７が導管５の周囲
を回転し得るように設けられておシ、ターンテーブル７
は、被処理物としてのウェハ８を複舷枚ターンテーブル
７主面に対して平行に整列させて保持した治具９を複数
体立脚した状態で載置し得るように構成されている。治
具９は石英ガラスからなり、整列状態に保持した隣り合
うウェハ８．８間にガスを流通させ得るように構成され
ている。
を回転し得るように設けられておシ、ターンテーブル７
は、被処理物としてのウェハ８を複舷枚ターンテーブル
７主面に対して平行に整列させて保持した治具９を複数
体立脚した状態で載置し得るように構成されている。治
具９は石英ガラスからなり、整列状態に保持した隣り合
うウェハ８．８間にガスを流通させ得るように構成され
ている。
処理室１は、気密性が良く、開閉自在な円筒形状の減圧
室１０内に配置される。減圧室１０は、図示しないポン
プ等によシ減圧され得る構造になっている０１１は、ヒ
ータであシ、減圧室１０外部に設けられ、減圧室１０内
、つまり処理室１を加熱するためのものである。
室１０内に配置される。減圧室１０は、図示しないポン
プ等によシ減圧され得る構造になっている０１１は、ヒ
ータであシ、減圧室１０外部に設けられ、減圧室１０内
、つまり処理室１を加熱するためのものである。
次に作用を説明する。
複数枚のウェハ８を治具９に整列させて収容し、この治
具９を複数、ターンテーブル７上に導管５を取り囲むよ
うに立脚状態に配して載置する。
具９を複数、ターンテーブル７上に導管５を取り囲むよ
うに立脚状態に配して載置する。
チャンバ３がベース２に被せられ、減圧室１０が閉じら
れる。ターンテーブル７が適当な駆動装置（図示せず）
により回転されると、ターンテーブル７上の各治具９に
保持されたウェハ８群は導管５の周囲を公転することに
なる。一方、減圧室１０内が図示しないポンプ等によシ
所定の圧力に減圧される。
れる。ターンテーブル７が適当な駆動装置（図示せず）
により回転されると、ターンテーブル７上の各治具９に
保持されたウェハ８群は導管５の周囲を公転することに
なる。一方、減圧室１０内が図示しないポンプ等によシ
所定の圧力に減圧される。
公転が安定し、減圧室１０内が所定圧力に保たれ、ヒー
タ１１で加熱される処理室ｌの内部が所定の雰囲気にな
ると、導管５にモノシラン（ＳｔＨ，）等の処理ガス（
破線矢印参照）が導入される。処理ガスは導管５を通っ
て処理室１において、導管５の小孔６群から吹き出して
処理室１内を径方向に流れ、チャ７３３０周辺部小孔４
群に吸い込まれるようにして処理室１外に流出し、減圧
室１０に接続されたポンプ等（図示せず）により排気さ
れる。
タ１１で加熱される処理室ｌの内部が所定の雰囲気にな
ると、導管５にモノシラン（ＳｔＨ，）等の処理ガス（
破線矢印参照）が導入される。処理ガスは導管５を通っ
て処理室１において、導管５の小孔６群から吹き出して
処理室１内を径方向に流れ、チャ７３３０周辺部小孔４
群に吸い込まれるようにして処理室１外に流出し、減圧
室１０に接続されたポンプ等（図示せず）により排気さ
れる。
処理室１を径方向に流通する処理ガスは、その間に配さ
れたウェハ８にＣＶＤＪＩＱを生成させる。
れたウェハ８にＣＶＤＪＩＱを生成させる。
このとき、処理ガスはウェハ８の主表面とほぼ平行方向
に流れるため、成膜はウェハ８群全体にわたって均一に
行われることになる。しかも、ウェハ８群の各列は導管
５の周囲を公転しているため、尚該成膜は一層均一化さ
れる。
に流れるため、成膜はウェハ８群全体にわたって均一に
行われることになる。しかも、ウェハ８群の各列は導管
５の周囲を公転しているため、尚該成膜は一層均一化さ
れる。
〔実施例２〕
第２図は本発明の他の実施例を示す一部切断斜視図そあ
る。
る。
本実施例において、この低圧ＣＶＤ装置の処理室１２は
、石英ガラスによシはぼ正方形板状に形成されたベース
１３上に石英ガラスにより一面が覆われ、はぼ立方形筒
状に形成されたチャンバ１４を被せることによシ構成さ
れるようになっている。チャンバ１４の一対の側壁には
周辺部の開口としての小孔１５が多数、処理室１２内外
を連通させるように穿設されている。
、石英ガラスによシはぼ正方形板状に形成されたベース
１３上に石英ガラスにより一面が覆われ、はぼ立方形筒
状に形成されたチャンバ１４を被せることによシ構成さ
れるようになっている。チャンバ１４の一対の側壁には
周辺部の開口としての小孔１５が多数、処理室１２内外
を連通させるように穿設されている。
処理室１２の内部には第２図に図示するように縦配管１
６ａと、それから水平に複数本分岐された横配管１６ｂ
とからなる導管１６が配設されており、導管１６の縦配
管１６ａはベース１３を貫通して外部に突き出されてい
る０導管１６は上下の横配管１６ｂが処理室１２の中央
部においてその長手方向が小孔１５付きの側壁とほぼ平
行になるように配設されており、横配管１６ｂの各両端
は閉塞され、その鋼部管壁には中央部の開口としての小
孔１７が多数、前記小孔付き側壁と１１ぼ直角に穿設さ
れている。
６ａと、それから水平に複数本分岐された横配管１６ｂ
とからなる導管１６が配設されており、導管１６の縦配
管１６ａはベース１３を貫通して外部に突き出されてい
る０導管１６は上下の横配管１６ｂが処理室１２の中央
部においてその長手方向が小孔１５付きの側壁とほぼ平
行になるように配設されており、横配管１６ｂの各両端
は閉塞され、その鋼部管壁には中央部の開口としての小
孔１７が多数、前記小孔付き側壁と１１ぼ直角に穿設さ
れている。
処理室１２内のベース１３上には複数のスタンド１８が
導管１６の横配管１６ｂの両脇に適宜配され、各スタン
ド１８はウェハ８を複数枚整列させて保持した治具９を
横配管１６ｂに揃えて平行状態に支持し得るように構成
されている。
導管１６の横配管１６ｂの両脇に適宜配され、各スタン
ド１８はウェハ８を複数枚整列させて保持した治具９を
横配管１６ｂに揃えて平行状態に支持し得るように構成
されている。
処理室１２は、気密性が良く、開閉自在な立方形筒状の
減圧室１９内に配置される。減圧室１９内は、図示しな
いポンプ等によシ減圧され得る構造になっている。２０
は、ヒータであり、減圧室１９外部に設けられ、減圧室
１９内、つまり処理室１２内を加熱するだめのものであ
る０次に作用を説明する。
減圧室１９内に配置される。減圧室１９内は、図示しな
いポンプ等によシ減圧され得る構造になっている。２０
は、ヒータであり、減圧室１９外部に設けられ、減圧室
１９内、つまり処理室１２内を加熱するだめのものであ
る０次に作用を説明する。
複数枚のウェハ８を治具９に整列させて収容し、この治
具ａを複数、スタンド１８に支持せしめ、導管工６の横
配管１６ｂの両脇において対向せしめる。
具ａを複数、スタンド１８に支持せしめ、導管工６の横
配管１６ｂの両脇において対向せしめる。
チャンバ１４がベース１３に被せられ減圧室１９が閉じ
られる。減圧室１９が減圧され所定圧力に保たれる一方
処理室１２がヒータ２０により加熱されて処理室１２の
内部が所定の雰囲気になると、導管１６に処理ガスが導
入される０処理ガスは導管１６を通り処理室１２におい
て、導管１６の横配管１６ｂに開設された中央部小孔１
７群から吹き出して処理室１２内を直線的に横切るよう
に流れ、チャンバ１４の周辺部小孔１５群に吸い込まれ
るようにして処理室１２外に流出し、減圧室１９に接続
されたポンプ等（図示せず）によシ排気される。
られる。減圧室１９が減圧され所定圧力に保たれる一方
処理室１２がヒータ２０により加熱されて処理室１２の
内部が所定の雰囲気になると、導管１６に処理ガスが導
入される０処理ガスは導管１６を通り処理室１２におい
て、導管１６の横配管１６ｂに開設された中央部小孔１
７群から吹き出して処理室１２内を直線的に横切るよう
に流れ、チャンバ１４の周辺部小孔１５群に吸い込まれ
るようにして処理室１２外に流出し、減圧室１９に接続
されたポンプ等（図示せず）によシ排気される。
処理室１２を横切るように流通するとき、処理ガスはそ
の間に配されたウェハ８にＣＶＤ膜を生成させる。この
とき、処理ガスはウェハ８の玉表面とほぼ平行方向に流
れるため、成膜はウェハ８群全体にわたって均一に行わ
れることになる。
の間に配されたウェハ８にＣＶＤ膜を生成させる。この
とき、処理ガスはウェハ８の玉表面とほぼ平行方向に流
れるため、成膜はウェハ８群全体にわたって均一に行わ
れることになる。
〔効果〕
（１）処理室の中央部と周辺部とに互いにほぼ対向する
開口群を処理流体の流れを形成するように設け、中央部
の開口群の周囲に被処理群を複数列に並べることにより
、処理室における有効処理領域全増加することができる
ため、床面積の利用率を高めることができる。
開口群を処理流体の流れを形成するように設け、中央部
の開口群の周囲に被処理群を複数列に並べることにより
、処理室における有効処理領域全増加することができる
ため、床面積の利用率を高めることができる。
（２）処理流体の流れと被処理物との表面とが平行にな
るように開口群および被処理物群を配することにより、
処理流体が被処理物群全体にわたって均一に接触するだ
め、被処理物群全体における処理状態が均一になる。
るように開口群および被処理物群を配することにより、
処理流体が被処理物群全体にわたって均一に接触するだ
め、被処理物群全体における処理状態が均一になる。
（３）被処理物群を中央部の開口の周シを公転させるこ
とにより、処理状態を一層均一化させることができる。
とにより、処理状態を一層均一化させることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、周辺部の開口は処理室壁に開設するに限らず
、処理室内面に市って敷設した導管に開設してもよい。
、処理室内面に市って敷設した導管に開設してもよい。
開口は小孔に限らず、スリットや網目でもよい。
処理流体は中央部の開口から周辺部の開口へと流通させ
るに限らず、周辺部の開口から中央部の開口へと流通さ
せてもよい。
るに限らず、周辺部の開口から中央部の開口へと流通さ
せてもよい。
導管の本数、被処理物の列数、開口の数、それらの形状
、構造等に限定はないθ 〔利用の分野〕 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
おいて使用される低圧ＣＶＤ装置に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、たとえ
ば、酸化装置、エピタキシャル装置等に適用できる。
、構造等に限定はないθ 〔利用の分野〕 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
おいて使用される低圧ＣＶＤ装置に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、たとえ
ば、酸化装置、エピタキシャル装置等に適用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す一部切断斜視図、
第２図は本発明の他の実施例を示す一部切断斜視図であ
る。 １．１２・・・処理室、２．１３・・・ベース、３゜１
４・・・チャンバ、４，１５・・・小孔（周辺部開口）
、５．１６・・・導管、６．１７・・・小孔（中央部開
口）、７・・・ターンテーブル、８・・・ウェハ（被処
理物）、９・・・治具、１０．１９・・・減圧室、１１
．２０・・・ヒータ、１８・・・スタンド。
る。 １．１２・・・処理室、２．１３・・・ベース、３゜１
４・・・チャンバ、４，１５・・・小孔（周辺部開口）
、５．１６・・・導管、６．１７・・・小孔（中央部開
口）、７・・・ターンテーブル、８・・・ウェハ（被処
理物）、９・・・治具、１０．１９・・・減圧室、１１
．２０・・・ヒータ、１８・・・スタンド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、処理室の中央部と周辺部とに互いにほば対向する開
口＃が処理流体の流れを形成するように設けられ、処理
室が複数の被処理物を並べてなる列を複数、処理流体の
流れと直交する方向に置けるように構成されている処理
装置０ ２、中央部の開口群が、処理室の中央部に配設された導
管に開設されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の処理装置。 ３、周辺部の開口群が、処理室の側壁に開設されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置
０ ４、被処理物群の列が、中央部の開口群の周囲を公転す
るように構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の処理装置〇
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5605884A JPS60200521A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5605884A JPS60200521A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200521A true JPS60200521A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13016478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5605884A Pending JPS60200521A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200521A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300512A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-07 | Komatsu Ltd | 気相成長装置 |
| JPH01302815A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Shinetsu Sekiei Kk | ウエハ熱処理装置 |
| JP2012009870A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-12 | Asm Internatl Nv | 太陽電池の処理方法 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5605884A patent/JPS60200521A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300512A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-07 | Komatsu Ltd | 気相成長装置 |
| JPH01302815A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Shinetsu Sekiei Kk | ウエハ熱処理装置 |
| JP2012009870A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-12 | Asm Internatl Nv | 太陽電池の処理方法 |
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