JPS62202524A - 半導体ウエハの加工処理装置 - Google Patents
半導体ウエハの加工処理装置Info
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- JPS62202524A JPS62202524A JP4436986A JP4436986A JPS62202524A JP S62202524 A JPS62202524 A JP S62202524A JP 4436986 A JP4436986 A JP 4436986A JP 4436986 A JP4436986 A JP 4436986A JP S62202524 A JPS62202524 A JP S62202524A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野］
この発明は、半導体ウェハ（以下、ウェハと略称する）
の加工処理装置に関し、詳しくは、半導体装置製造のウ
ェハ・プロセスでの酸化処理工程においで、処理チュー
ブ内に送入されるＨ２ガスと０２ ガスが反応すること
による局部的な温度上昇によって処理空間に生じる温度
勾配を緩和し、各ウェハ毎の処理のばらつきを回避して
、半導体の精度を大幅に向上しうるように改良されたも
のに関する。 【従来の技術およびその問題点】 半導体装置製造におけるウェハ・プロセスは、シリコン
などのウェハ上に多彩な物性加工を施して適切な特性を
もつようにするものであり、半導体の精度を決定づける
重要なものとなっている。 その加工工程は、酸化、拡散、エピタキシ、エツチング
などの種々のウェハ・プロセス技術を組み合わせて、ウ
ェハに立体的パターンで任意の不純物を任意の濃度に配
分してゆき、希望する特性をもった半導体デバイスを提
供しようとするものである。そのなかでも酸化および拡
散技術は、ウェハ特性を決定づけるうえで大変重要なも
のとなっている。すなわち、ウェハに不純物を混ぜ込ん
でいわゆるｐｎ接合を作るには、上記の酸化と拡散の加
工処理技術を組み合わせて行っていく作業を必要とする
。従来、それらの加工処理は、第５図に示すような加工
処理装置１を用いて行われている。これは、外部のガス
供給装置２から処理ガスが圧送される石英製処理チュー
ブ３を備えており、この処理チェーブ３は、これを囲む
ように設置される加熱炉などをもつ加熱手段４により加
熱される。上記加工処理語２２１を用いた作業は、次の
ようにして行われる。 すなわち、上記処理チューブ３の処理空間３ａ内にスラ
イス状のウェハ５を並べ、上記ガス供給装置！！２によ
り上記処理チューブ３に処理ガスＧを圧送し、上記加熱
手段４で加熱することによりウェハ５を加工処理する。 このとき、たとえば酸化処理工程においては、処理ガス
ＧとしてＮ２ ガスと０２ ガスとＮ１ ガスが採用さ
れ、これらの化学反応により上記各ウェハ５に酸化皮膜
が形成される。 ところで、上記の酸化処理工程においてＮ２ と０２
を反応させていわゆるウェットガス雰囲気をつくる場合
、上記のような加工処理装置１においては、上記処理チ
ューブ３内に圧送されたＮ２ ガスと０２ ガスが処理
チューブ３のガス入口側端部でいわゆる爆発状に反応燃
焼し、処理チューブ３のガス入り口側において急激な温
度上昇を誘発し、ウェハ加工処理に悪影響を及ぼす。そ
のため、従来においては処理チューブ３のガス入り口側
に処理チューブ３よりも狭幅な円板状のバフフルロを図
示しない取付手段を介して装着し、その悪影響を緩和し
ている。 しかしながら、上記加工処理装置１においては、バッフ
ル６の外周面６ａと処理チューブ内周面３ｂとの間の略
リング状の隙間３ｃからウェットガスＳが高速でウェハ
５側に流入し、これに直接的にぶつかるという不具合が
あった。 また、処理チューブ内周面３ｂ側のガス流れは速く、他
方、処理チューブ中央部３ｄのガス流れは遅くなること
から、両者の温度が違ってくることとなる。さらに、高
温ガスは処理空間３ａの上部に上がっていくこととなる
。そのため、処理空間３ａの幅方上下方向と長手方向に
おける温度勾配が均一に保持できず、ガス雰囲気のばら
つきを生じるという問題があった。 しかも、ガス雰囲気にばらつきが生じるため、酸化処理
が均一に行われなくなり、そのムラが生じるという問題
もあった。 さらに、ウェハ・プロセスにおいては多彩な加工処理技
術を立体的に組み合わせているため、他の処理工程、た
とえば拡散処理工程にも悪影響を及ぼし、結果的に半導
体精度が低下するという問題もあった。 この発明は、以上のような事情のもとで考え出されたも
ので、半導体装置製造のウェハ・プロセスでの酸化処理
工程において、処理チューブに圧入されたＮ２ ガス、
およびｏ２ ガスの化学反応にともなう急激な温度上昇
を緩衝し、処理空間内の温度勾配を均一化し、ガス雰囲
気がばらつくといった問題を回避し、ウェハ酸化処理に
おけるムラの発生を防止し、半導体精度を大幅に向上し
うる、半導体ウェハの加工処理装置を提供することをそ
の課題としている。
の加工処理装置に関し、詳しくは、半導体装置製造のウ
ェハ・プロセスでの酸化処理工程においで、処理チュー
ブ内に送入されるＨ２ガスと０２ ガスが反応すること
による局部的な温度上昇によって処理空間に生じる温度
勾配を緩和し、各ウェハ毎の処理のばらつきを回避して
、半導体の精度を大幅に向上しうるように改良されたも
のに関する。 【従来の技術およびその問題点】 半導体装置製造におけるウェハ・プロセスは、シリコン
などのウェハ上に多彩な物性加工を施して適切な特性を
もつようにするものであり、半導体の精度を決定づける
重要なものとなっている。 その加工工程は、酸化、拡散、エピタキシ、エツチング
などの種々のウェハ・プロセス技術を組み合わせて、ウ
ェハに立体的パターンで任意の不純物を任意の濃度に配
分してゆき、希望する特性をもった半導体デバイスを提
供しようとするものである。そのなかでも酸化および拡
散技術は、ウェハ特性を決定づけるうえで大変重要なも
のとなっている。すなわち、ウェハに不純物を混ぜ込ん
でいわゆるｐｎ接合を作るには、上記の酸化と拡散の加
工処理技術を組み合わせて行っていく作業を必要とする
。従来、それらの加工処理は、第５図に示すような加工
処理装置１を用いて行われている。これは、外部のガス
供給装置２から処理ガスが圧送される石英製処理チュー
ブ３を備えており、この処理チェーブ３は、これを囲む
ように設置される加熱炉などをもつ加熱手段４により加
熱される。上記加工処理語２２１を用いた作業は、次の
ようにして行われる。 すなわち、上記処理チューブ３の処理空間３ａ内にスラ
イス状のウェハ５を並べ、上記ガス供給装置！！２によ
り上記処理チューブ３に処理ガスＧを圧送し、上記加熱
手段４で加熱することによりウェハ５を加工処理する。 このとき、たとえば酸化処理工程においては、処理ガス
ＧとしてＮ２ ガスと０２ ガスとＮ１ ガスが採用さ
れ、これらの化学反応により上記各ウェハ５に酸化皮膜
が形成される。 ところで、上記の酸化処理工程においてＮ２ と０２
を反応させていわゆるウェットガス雰囲気をつくる場合
、上記のような加工処理装置１においては、上記処理チ
ューブ３内に圧送されたＮ２ ガスと０２ ガスが処理
チューブ３のガス入口側端部でいわゆる爆発状に反応燃
焼し、処理チューブ３のガス入り口側において急激な温
度上昇を誘発し、ウェハ加工処理に悪影響を及ぼす。そ
のため、従来においては処理チューブ３のガス入り口側
に処理チューブ３よりも狭幅な円板状のバフフルロを図
示しない取付手段を介して装着し、その悪影響を緩和し
ている。 しかしながら、上記加工処理装置１においては、バッフ
ル６の外周面６ａと処理チューブ内周面３ｂとの間の略
リング状の隙間３ｃからウェットガスＳが高速でウェハ
５側に流入し、これに直接的にぶつかるという不具合が
あった。 また、処理チューブ内周面３ｂ側のガス流れは速く、他
方、処理チューブ中央部３ｄのガス流れは遅くなること
から、両者の温度が違ってくることとなる。さらに、高
温ガスは処理空間３ａの上部に上がっていくこととなる
。そのため、処理空間３ａの幅方上下方向と長手方向に
おける温度勾配が均一に保持できず、ガス雰囲気のばら
つきを生じるという問題があった。 しかも、ガス雰囲気にばらつきが生じるため、酸化処理
が均一に行われなくなり、そのムラが生じるという問題
もあった。 さらに、ウェハ・プロセスにおいては多彩な加工処理技
術を立体的に組み合わせているため、他の処理工程、た
とえば拡散処理工程にも悪影響を及ぼし、結果的に半導
体精度が低下するという問題もあった。 この発明は、以上のような事情のもとで考え出されたも
ので、半導体装置製造のウェハ・プロセスでの酸化処理
工程において、処理チューブに圧入されたＮ２ ガス、
およびｏ２ ガスの化学反応にともなう急激な温度上昇
を緩衝し、処理空間内の温度勾配を均一化し、ガス雰囲
気がばらつくといった問題を回避し、ウェハ酸化処理に
おけるムラの発生を防止し、半導体精度を大幅に向上し
うる、半導体ウェハの加工処理装置を提供することをそ
の課題としている。
上記の問題を解決するため、この発明では、次の技術的
手段を採用した。 すなわち、この発明にかかる半導体ウェハの加工処理装
置は、Ｎ２ ガスおよび０２ ガスが送気される送気口
を一端にもち、内部に処理空間が形成され、かつ加熱手
段によって加熱される処理チューブを備え、上記処理空
間に装填される半導体ウェハに酸化皮膜形成処理を行な
うための装置であって、上記送気口と上記処理空間との
間に、処理チューブの軸方向にオーバラップしないよう
に開設された通孔をもつ少なくとも２枚のパンフルによ
って囲まれたガス緩衝室を設けている。
手段を採用した。 すなわち、この発明にかかる半導体ウェハの加工処理装
置は、Ｎ２ ガスおよび０２ ガスが送気される送気口
を一端にもち、内部に処理空間が形成され、かつ加熱手
段によって加熱される処理チューブを備え、上記処理空
間に装填される半導体ウェハに酸化皮膜形成処理を行な
うための装置であって、上記送気口と上記処理空間との
間に、処理チューブの軸方向にオーバラップしないよう
に開設された通孔をもつ少なくとも２枚のパンフルによ
って囲まれたガス緩衝室を設けている。
従来例における加工処理装置においては、処理チューブ
よりも狭幅の円板状パンフルによりガスの流れが処理チ
ューブ内周部と処理チューブ中央部とに分割された状態
におかれるので、その隙間からウェットガスが高速で流
入し、ウェハに直接的にぶつかるという不具合が生ずる
うえ、処理チューブ内周部におけるガス流れは速く、他
方、処理チニーブ中央部におけるガス流れは遅くなる。 しかも加熱されたガスは処理空間の上部に上がっていく
こととなる。そのため、上記処理空間内における温度勾
配はその幅太上下方向と長手方向の二重の方向において
不均一となり、加工処理に支障をきたすこととなる。 一方、この発明にかかる装置は、Ｈ！ガスおよび０．ガ
ス（以下、処理ガスと略称する）が送気される送気口を
一端にもち、内部に処理空間が形成され、かつ加熱手段
によって加熱される処理チューブを備え、上記送気口と
上記処理空間との間に、処理チューブの軸方向にオーバ
ラップしないように開設された通孔をもつ少なくとも２
枚のパンフルによって囲まれたガス緩衝室を設けている
。 したがって、この発明にかかる装置による酸化処理は次
のようにして行われる。まず、処理チューブの処理空間
内にウェハをｉＩ！置して処理ガスを上記処理チューブ
の一端に圧送する。このとき、処理ガスは、処理チュー
ブの端部において爆発的に燃焼して高熱を発する。すな
わち、Ｈ５と０２の化学反応によりウェットガス（水蒸
気）が生じることとなり、このウェットガスが上記処理
空間内に流入して加熱される。その結果、上記ウェハが
酸化されることとなり、その表面に酸化皮膜が形成され
ることとなる。このとき、上記ウェットガスは気体の体
積膨張により高速で上記送気口側に配置されている一枚
目のパンフルにぶつかり、これの通孔からガス緩衝室内
へ流入する。この時、上記通孔がディフューザとして働
き、ウェットガスは上記ガス緩衝室内へ一気に拡散させ
られ、ガス緩衝室内で混ざり合うこととなる。しかも、
各パンフルの通孔は処理チューブの軸方向において互い
にオーバラップしないようになっているため、従来のよ
うにウェットガスが直接的に処理空間内に流入すること
がなく、ガス緩衝室において均一な温度に撹拌されたも
のが二枚口のパンフルの通孔から上記処理空間内に供給
されることとなる。 そのため、従来例のように高速のウェットガスが直接的
にウェハにぶつかるといった不具合が解消される。 さらに、従来例における処理チューブに圧入されたＨ２
ガスおよび０２ ガスの化学反応にともなう急激な温
度上昇が緩衝され、処理空間の幅太上下方向ないし長手
方向における温度勾配が均一化されることとなり、従来
例におけるガス雰囲気がばらつくといった問題が回避さ
れる。 しかも、ガス雰囲気が一定に落ち着くため、加工処理が
均一に行われ、ウェハ酸化処理におけるムラの発生を防
止しうる。 さらに、他の処理工程、たとえば拡散処理工程にも良い
結果をもたらし、従来例のものに比べ半導体精度を大幅
に向上しうる。
よりも狭幅の円板状パンフルによりガスの流れが処理チ
ューブ内周部と処理チューブ中央部とに分割された状態
におかれるので、その隙間からウェットガスが高速で流
入し、ウェハに直接的にぶつかるという不具合が生ずる
うえ、処理チューブ内周部におけるガス流れは速く、他
方、処理チニーブ中央部におけるガス流れは遅くなる。 しかも加熱されたガスは処理空間の上部に上がっていく
こととなる。そのため、上記処理空間内における温度勾
配はその幅太上下方向と長手方向の二重の方向において
不均一となり、加工処理に支障をきたすこととなる。 一方、この発明にかかる装置は、Ｈ！ガスおよび０．ガ
ス（以下、処理ガスと略称する）が送気される送気口を
一端にもち、内部に処理空間が形成され、かつ加熱手段
によって加熱される処理チューブを備え、上記送気口と
上記処理空間との間に、処理チューブの軸方向にオーバ
ラップしないように開設された通孔をもつ少なくとも２
枚のパンフルによって囲まれたガス緩衝室を設けている
。 したがって、この発明にかかる装置による酸化処理は次
のようにして行われる。まず、処理チューブの処理空間
内にウェハをｉＩ！置して処理ガスを上記処理チューブ
の一端に圧送する。このとき、処理ガスは、処理チュー
ブの端部において爆発的に燃焼して高熱を発する。すな
わち、Ｈ５と０２の化学反応によりウェットガス（水蒸
気）が生じることとなり、このウェットガスが上記処理
空間内に流入して加熱される。その結果、上記ウェハが
酸化されることとなり、その表面に酸化皮膜が形成され
ることとなる。このとき、上記ウェットガスは気体の体
積膨張により高速で上記送気口側に配置されている一枚
目のパンフルにぶつかり、これの通孔からガス緩衝室内
へ流入する。この時、上記通孔がディフューザとして働
き、ウェットガスは上記ガス緩衝室内へ一気に拡散させ
られ、ガス緩衝室内で混ざり合うこととなる。しかも、
各パンフルの通孔は処理チューブの軸方向において互い
にオーバラップしないようになっているため、従来のよ
うにウェットガスが直接的に処理空間内に流入すること
がなく、ガス緩衝室において均一な温度に撹拌されたも
のが二枚口のパンフルの通孔から上記処理空間内に供給
されることとなる。 そのため、従来例のように高速のウェットガスが直接的
にウェハにぶつかるといった不具合が解消される。 さらに、従来例における処理チューブに圧入されたＨ２
ガスおよび０２ ガスの化学反応にともなう急激な温
度上昇が緩衝され、処理空間の幅太上下方向ないし長手
方向における温度勾配が均一化されることとなり、従来
例におけるガス雰囲気がばらつくといった問題が回避さ
れる。 しかも、ガス雰囲気が一定に落ち着くため、加工処理が
均一に行われ、ウェハ酸化処理におけるムラの発生を防
止しうる。 さらに、他の処理工程、たとえば拡散処理工程にも良い
結果をもたらし、従来例のものに比べ半導体精度を大幅
に向上しうる。
以下、この発明の実施例を図面を参照して具体的に説明
する。 まず、第一の実施例を第１図ないし第３図により詳説す
る。 第１図に示すように、この例における半導体ウェハの加
工処理袋Ｗｌｌは、外部の図示しないガス供給装置から
処理ガスＧが圧送される円筒形状の処理チューブ１２を
備えており、この処理チューブ１２はこれを囲むように
設置される外部の加熱手段１３により加熱されるように
なっている。 そして、上記処理チューブ１２の一方には上記ガス供給
装置からの処理ガスＧが圧入される送気口１２ａが設け
られ、その他方には排気口１２ｂが形成されている。ま
た上記処理チューブ１２は、その内部に上記送気口１２
ａ側で処理ガスＧが燃焼することにより生じるウェット
ガスＳが流入する処理空間１２ｃをもち、かつ上記排気
口１２ｂを備えるようにして形成された蓋部１２ｄによ
り複数のスライス状ウェハ５を出し入れできるようにな
っている。さらに、上記処理チューブ１２の処理空間１
２Ｃには、これに流入してくる上記ウェットガスＳの温
度勾配を均一にするためのガス緩衝室１４が設けられて
いる。このガス緩衝室１４哄、第２図に示すように、上
記処理チューブ１２の処理空間１２ｃと上記送気口１２
ａとの間に処理チューブ１２の軸方向に一定間隔をおい
て配置された第一バフフル１５と第二バフフル１６、お
よび、上記処理チューブ内壁１２ｅとにより囲まれる。 そして上記第一バッフル１５および第二バ・７フル１６
は、ともに上記処理チューブ１２の内径に対応した直径
をもっている。上記送気口１２ａ側における第一バッフ
ル１５の外周側端部近傍には、複数の通孔１５ａが円杖
に並ぶように開設されており、他方、第二バッフル１６
の外周側端部近傍には、複数の通孔１６ａが同じように
して開けられている。ただし、両道孔１５ａ、１６ａは
互いにバッフルの周方向に変位していて、処理チューブ
１２の軸方向からみて互いにオーバラップしないように
される。 なお、この例においては、ウェハ５にはシリコンウェハ
が採用される。 上記の構成において、その動作を第１図ないし第３図に
より詳述する。 まず、第１図に示すように、蓋部１２ｄを介して処理チ
ューブ１２の処理空間１２Ｃ内にウェハ５を載置する。 次に、外部のガス供給装置から処理ガスＧを上記処理チ
ューブ１２内に圧送する。 このとき、処理ガスＧは処理チューブ１２の上記送気口
１２ａ側端部において爆発的に燃焼して高熱を発する。 すなわち、Ｈ２と０２ の化学反応によりウェットガス
（水蒸気）Ｓが生じることとなり、このウェットガスＳ
が上記処理空間１２ｃ内に流入して加熱する。その結果
、上記各ウェハ５が酸化されることとなり、その表面に
シリコン酸化皮膜が形成されることとなる。このとき、
上記ウェットガスＳは気体の体積膨張により高速で上記
送気口１２ａ側に配置されている一枚目のバフフル１５
にぶつかり、これの通孔１５ａからガス緩衝室１４内へ
流入する。この時、通孔１５ａがディフューザとして働
き、ウェットガスＳは上記ガス緩衝室１４内へ一気に拡
散させられることとなる。そのため、各通孔１５Ｂから
流入したウェットガスＳはガス緩衝室１４内で混ざり合
うこととなる。しかも、上記通孔１５ａ、１６ａは互い
にパンフル１５．１６の周方向に変位していて、処理チ
ューブ１２の軸方向において互いにオーバ、ラップしな
いようになっているため、上記ガス緩衝室１４内で均一
に撹拌されたウェットガスＳが減速されて処理空間１２
ｃ内へ流入し、上記ウェットガスＳの拡散は処理チュー
ブ１２の周方向で均一に行われることとなる。このよう
に、上記ウェットガスＳはガス緩衝室１４において攪拌
されることとなり、均一なガス雰囲気のものが上記処理
空間１２ｃ内に供給されることとなる。 したがって、従来例における処理デユープ１２に圧入さ
れたＨ２ ガスおよび０２ ガスの化学反応にともなう
急激な温度上昇が緩衝され、処理空間１２Ｃの幅太上下
方向ないし長手方向における温度勾配が均一化され、ウ
ェハ酸化処理におけるムラの発生が防止される。 さらに、他の処理工程、たとえば拡散処理工程にも良い
結果をもたらし、従来例のものに比べ半導体精度を大幅
に向上し、結果的に半導体装置の製品精度が高められる
こととなる。 もちろん、この発明の範囲は上記実施例に限定されない
、たとえば、上記実施例におけるガス緩衝室１４の個数
ないし形態は特に限定されるものではなく、ウェットガ
スＳを効果的に攪拌しうるように設定されるものであり
、上記バッフル１５゜１６の個数および形態を変えるこ
とにより自在に設定できる。たとえば、第４図に示す第
二の実施例のように、パンフル１５．１６の通孔１５ａ
。 １６ａをその位置がパンフルの半径方向において異なる
ように開設し、これら通孔ｔｓａ、１６ａが処理チュー
ブ１２の軸方向において互いにオーバラップしないよう
に設定してもよい、こうすれば、上記第一実施例のもの
に比べ処理空間１２Ｃの幅方向におけるウェットガスＳ
の温度勾配をさらに効果的に均一化することが可能とな
る。
する。 まず、第一の実施例を第１図ないし第３図により詳説す
る。 第１図に示すように、この例における半導体ウェハの加
工処理袋Ｗｌｌは、外部の図示しないガス供給装置から
処理ガスＧが圧送される円筒形状の処理チューブ１２を
備えており、この処理チューブ１２はこれを囲むように
設置される外部の加熱手段１３により加熱されるように
なっている。 そして、上記処理チューブ１２の一方には上記ガス供給
装置からの処理ガスＧが圧入される送気口１２ａが設け
られ、その他方には排気口１２ｂが形成されている。ま
た上記処理チューブ１２は、その内部に上記送気口１２
ａ側で処理ガスＧが燃焼することにより生じるウェット
ガスＳが流入する処理空間１２ｃをもち、かつ上記排気
口１２ｂを備えるようにして形成された蓋部１２ｄによ
り複数のスライス状ウェハ５を出し入れできるようにな
っている。さらに、上記処理チューブ１２の処理空間１
２Ｃには、これに流入してくる上記ウェットガスＳの温
度勾配を均一にするためのガス緩衝室１４が設けられて
いる。このガス緩衝室１４哄、第２図に示すように、上
記処理チューブ１２の処理空間１２ｃと上記送気口１２
ａとの間に処理チューブ１２の軸方向に一定間隔をおい
て配置された第一バフフル１５と第二バフフル１６、お
よび、上記処理チューブ内壁１２ｅとにより囲まれる。 そして上記第一バッフル１５および第二バ・７フル１６
は、ともに上記処理チューブ１２の内径に対応した直径
をもっている。上記送気口１２ａ側における第一バッフ
ル１５の外周側端部近傍には、複数の通孔１５ａが円杖
に並ぶように開設されており、他方、第二バッフル１６
の外周側端部近傍には、複数の通孔１６ａが同じように
して開けられている。ただし、両道孔１５ａ、１６ａは
互いにバッフルの周方向に変位していて、処理チューブ
１２の軸方向からみて互いにオーバラップしないように
される。 なお、この例においては、ウェハ５にはシリコンウェハ
が採用される。 上記の構成において、その動作を第１図ないし第３図に
より詳述する。 まず、第１図に示すように、蓋部１２ｄを介して処理チ
ューブ１２の処理空間１２Ｃ内にウェハ５を載置する。 次に、外部のガス供給装置から処理ガスＧを上記処理チ
ューブ１２内に圧送する。 このとき、処理ガスＧは処理チューブ１２の上記送気口
１２ａ側端部において爆発的に燃焼して高熱を発する。 すなわち、Ｈ２と０２ の化学反応によりウェットガス
（水蒸気）Ｓが生じることとなり、このウェットガスＳ
が上記処理空間１２ｃ内に流入して加熱する。その結果
、上記各ウェハ５が酸化されることとなり、その表面に
シリコン酸化皮膜が形成されることとなる。このとき、
上記ウェットガスＳは気体の体積膨張により高速で上記
送気口１２ａ側に配置されている一枚目のバフフル１５
にぶつかり、これの通孔１５ａからガス緩衝室１４内へ
流入する。この時、通孔１５ａがディフューザとして働
き、ウェットガスＳは上記ガス緩衝室１４内へ一気に拡
散させられることとなる。そのため、各通孔１５Ｂから
流入したウェットガスＳはガス緩衝室１４内で混ざり合
うこととなる。しかも、上記通孔１５ａ、１６ａは互い
にパンフル１５．１６の周方向に変位していて、処理チ
ューブ１２の軸方向において互いにオーバ、ラップしな
いようになっているため、上記ガス緩衝室１４内で均一
に撹拌されたウェットガスＳが減速されて処理空間１２
ｃ内へ流入し、上記ウェットガスＳの拡散は処理チュー
ブ１２の周方向で均一に行われることとなる。このよう
に、上記ウェットガスＳはガス緩衝室１４において攪拌
されることとなり、均一なガス雰囲気のものが上記処理
空間１２ｃ内に供給されることとなる。 したがって、従来例における処理デユープ１２に圧入さ
れたＨ２ ガスおよび０２ ガスの化学反応にともなう
急激な温度上昇が緩衝され、処理空間１２Ｃの幅太上下
方向ないし長手方向における温度勾配が均一化され、ウ
ェハ酸化処理におけるムラの発生が防止される。 さらに、他の処理工程、たとえば拡散処理工程にも良い
結果をもたらし、従来例のものに比べ半導体精度を大幅
に向上し、結果的に半導体装置の製品精度が高められる
こととなる。 もちろん、この発明の範囲は上記実施例に限定されない
、たとえば、上記実施例におけるガス緩衝室１４の個数
ないし形態は特に限定されるものではなく、ウェットガ
スＳを効果的に攪拌しうるように設定されるものであり
、上記バッフル１５゜１６の個数および形態を変えるこ
とにより自在に設定できる。たとえば、第４図に示す第
二の実施例のように、パンフル１５．１６の通孔１５ａ
。 １６ａをその位置がパンフルの半径方向において異なる
ように開設し、これら通孔ｔｓａ、１６ａが処理チュー
ブ１２の軸方向において互いにオーバラップしないよう
に設定してもよい、こうすれば、上記第一実施例のもの
に比べ処理空間１２Ｃの幅方向におけるウェットガスＳ
の温度勾配をさらに効果的に均一化することが可能とな
る。
第１図はこの発明の第一実施例の断面図、第２図はその
要部の拡大斜視図、第３図はその作用説明図、第４図は
この発明の第二実施例の斜視図、第５図は従来例の断面
図である。 ５・・・半導体ウェハ、１２・・・処理チューブ、１２
ａ・・・送気口、１２ｃ・・・処理空間、１４・・・ガ
ス緩衝室、１５．１６−・・バッフル、１５ａ、Ｌ６ａ
−・・通孔、Ｇ・・・Ｈ２ガス、 ０２ ガス。
要部の拡大斜視図、第３図はその作用説明図、第４図は
この発明の第二実施例の斜視図、第５図は従来例の断面
図である。 ５・・・半導体ウェハ、１２・・・処理チューブ、１２
ａ・・・送気口、１２ｃ・・・処理空間、１４・・・ガ
ス緩衝室、１５．１６−・・バッフル、１５ａ、Ｌ６ａ
−・・通孔、Ｇ・・・Ｈ２ガス、 ０２ ガス。
Claims (1)
- （１）Ｈ＿２ガスおよびＯ＿２ガスが送気される送気口
を一端にもち、内部に処理空間が形成され、かつ加熱手
段によって加熱される処理チューブを備え、上記処理空
間に装填される半導体ウェハに酸化皮膜形成処理を行な
うための装置であって、上記送気口と上記処理空間との
間に、処理チューブの軸方向にオーバラップしないよう
に開設された通孔をもつ少なくとも２枚のバッフルによ
って囲まれたガス緩衝室を設けたことを特徴とする、半
導体ウェハの加工処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4436986A JPS62202524A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体ウエハの加工処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4436986A JPS62202524A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体ウエハの加工処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202524A true JPS62202524A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=12689596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4436986A Pending JPS62202524A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体ウエハの加工処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202524A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130925A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Tel Sagami Ltd | 縦型加圧酸化装置 |
| US5288948A (en) * | 1989-06-26 | 1994-02-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Structure of a semiconductor chip having a conductive layer |
| JPH06349738A (ja) * | 1993-06-08 | 1994-12-22 | Nec Corp | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
| JP2002306877A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-22 | Juki Corp | ミシンの天秤駆動装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086822A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体薄膜気相成長装置 |
| JPS6091621A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-23 | Toshiba Corp | 半導体加熱処理装置 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4436986A patent/JPS62202524A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086822A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体薄膜気相成長装置 |
| JPS6091621A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-23 | Toshiba Corp | 半導体加熱処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130925A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Tel Sagami Ltd | 縦型加圧酸化装置 |
| US5288948A (en) * | 1989-06-26 | 1994-02-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Structure of a semiconductor chip having a conductive layer |
| JPH06349738A (ja) * | 1993-06-08 | 1994-12-22 | Nec Corp | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
| JP2002306877A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-22 | Juki Corp | ミシンの天秤駆動装置 |
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