JPS6091621A - 半導体加熱処理装置 - Google Patents
半導体加熱処理装置Info
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- JPS6091621A JPS6091621A JP19913583A JP19913583A JPS6091621A JP S6091621 A JPS6091621 A JP S6091621A JP 19913583 A JP19913583 A JP 19913583A JP 19913583 A JP19913583 A JP 19913583A JP S6091621 A JPS6091621 A JP S6091621A
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- Japan
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- gas
- heat
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- wafers
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造（二用いられる加熱処理装
置に係り、特に半導体ウェーハに不純物拡散、拡散用不
純物層デポジション、スラツピング、酸化等を施すだめ
の加熱処理装置の改良に関する。
置に係り、特に半導体ウェーハに不純物拡散、拡散用不
純物層デポジション、スラツピング、酸化等を施すだめ
の加熱処理装置の改良に関する。
従来の半導体加熱処理装置を第１図に示す。図において
、（１１は石英管で形成された開管型の耐熱管で、加熱
炉（２）中に均熱板（３）を介して挿入され、その一端
の雰囲気ガス導入管（４）から雰囲気ガスを導入して管
内を所定の雰囲気にする。そして管内に内装された半導
体クエーへαＱ、αＱ・・・（二加熱処理を施すように
なっている。また、導入された雰囲気ガスを管内に均一
（二分布して流すことと、予熱のために均熱管の管端部
にホモジナイザ（５）が設けられている。なお、導入ガ
スは処理の目的により異なるも、例えば、オキシ塩化り
ん（ＰＯＣＪｉ）を含んだＮｔガスと０２ガスにょるり
んドープ膜の形成、０２ガスとＮ２ガスによる不純物の
スラツピング、ｏｚガスまたは水蒸気を含む０２ガスに
よる酸化膜の形成等が達成される。
、（１１は石英管で形成された開管型の耐熱管で、加熱
炉（２）中に均熱板（３）を介して挿入され、その一端
の雰囲気ガス導入管（４）から雰囲気ガスを導入して管
内を所定の雰囲気にする。そして管内に内装された半導
体クエーへαＱ、αＱ・・・（二加熱処理を施すように
なっている。また、導入された雰囲気ガスを管内に均一
（二分布して流すことと、予熱のために均熱管の管端部
にホモジナイザ（５）が設けられている。なお、導入ガ
スは処理の目的により異なるも、例えば、オキシ塩化り
ん（ＰＯＣＪｉ）を含んだＮｔガスと０２ガスにょるり
んドープ膜の形成、０２ガスとＮ２ガスによる不純物の
スラツピング、ｏｚガスまたは水蒸気を含む０２ガスに
よる酸化膜の形成等が達成される。
上記従来の技術によると、耐熱管内の半導体クエーへで
ホモジナイザに近いものと、末端部に位置するものとで
は導入ガスの温度に差を生じる。
ホモジナイザに近いものと、末端部に位置するものとで
は導入ガスの温度に差を生じる。
このため、不純物ドープ膜のデポジションでは表面濃度
、スラツピングの場合には拡散層の深さ、酸化の場合に
は酸化膜厚等に差を生じ、形成される半導体装置の電気
的特性に差ができるという重大な問題がある。
、スラツピングの場合には拡散層の深さ、酸化の場合に
は酸化膜厚等に差を生じ、形成される半導体装置の電気
的特性に差ができるという重大な問題がある。
この発明は半導体加熱処理装置に係り、特に半導体ウェ
ー八に加熱処理を施す加熱処理装置における処理条件の
均一化をはかることを目的とする。
ー八に加熱処理を施す加熱処理装置における処理条件の
均一化をはかることを目的とする。
この発明の半導体加熱処理装置は、加熱炉中に挿入され
た耐熱管にウェー八を装入し、管端に突設されたガス導
入管から雰囲気ガスを導入して管内を所定の雰囲気とし
加熱処理を行なうものにおいて、耐熱管端のガス導入管
に連接し非直線状の導入ガス予熱管部を耐熱管の内端に
設けたことを特徴とする。
た耐熱管にウェー八を装入し、管端に突設されたガス導
入管から雰囲気ガスを導入して管内を所定の雰囲気とし
加熱処理を行なうものにおいて、耐熱管端のガス導入管
に連接し非直線状の導入ガス予熱管部を耐熱管の内端に
設けたことを特徴とする。
以下にこの発明を１実施例につき第２図を参照して詳細
に説明する。なお、第２図（二おいて従来の装置を示す
第１図と変わらない部分しついては同じ符号を付けて示
し、説明も省略する。
に説明する。なお、第２図（二おいて従来の装置を示す
第１図と変わらない部分しついては同じ符号を付けて示
し、説明も省略する。
第２図において、Ｉは石英で形成された導入ガス予熱管
部で、−例のらせん状にして耐熱管中に占める長さを短
かく、しかしてこの導入ガス予熱管の長さを極力長くす
るように設けられる。上記について実用上内径を４〜１
ｆｕｌｌｌにして最終の到達温度が半導体ウェーへの所
望処理温度値の７０％以上になるよう（二予め実験によ
って定める。さらに導入ガス予熱管の別の実施例を示す
第３図の如く九十九折型の導入ガス予熱管Ｑυも好適で
ある。
部で、−例のらせん状にして耐熱管中に占める長さを短
かく、しかしてこの導入ガス予熱管の長さを極力長くす
るように設けられる。上記について実用上内径を４〜１
ｆｕｌｌｌにして最終の到達温度が半導体ウェーへの所
望処理温度値の７０％以上になるよう（二予め実験によ
って定める。さらに導入ガス予熱管の別の実施例を示す
第３図の如く九十九折型の導入ガス予熱管Ｑυも好適で
ある。
上述の如く形成される導入ガス予熱管はその一端を導入
ガス管（４）に連接し、他端を仕切板（１りを貫通させ
、ここから噴出する雰囲気ガスをホモジナイザ（５）（
二噴きつける。
ガス管（４）に連接し、他端を仕切板（１りを貫通させ
、ここから噴出する雰囲気ガスをホモジナイザ（５）（
二噴きつける。
また、上記導入ガス予熟管部が収められている耐熱管の
管端から仕切板ａ４までは必要に応じてＮｔガスを充た
しである。さらに、導入ガス予熱管から噴出されたガス
流に対しては図示のようなバッフル板峙を設けるとガス
圧の均一化に効果がある。
管端から仕切板ａ４までは必要に応じてＮｔガスを充た
しである。さらに、導入ガス予熱管から噴出されたガス
流に対しては図示のようなバッフル板峙を設けるとガス
圧の均一化に効果がある。
この発明の装置によると、１回の加熱処理により得られ
るクエーへシニおける特性のばらつきが低下するという
顕著な効果がある。
るクエーへシニおける特性のばらつきが低下するという
顕著な効果がある。
例えば、拡散不純物）ｆａのデポジションにおいて、裏
面濃度のばらつきを調査したところ、従来の装置による
約５％が２％以下に低減した。
面濃度のばらつきを調査したところ、従来の装置による
約５％が２％以下に低減した。
第１図は従来の加熱処理装置の断面図、第２因はこの発
明の１実施例の加熱処理装置の断面図、第３図は別の１
実施例の導入ガス予熱管を示す斜視図である。 １ 耐熱管（石英管） ２ 加熱炉 ３ 均熱板 ４ ガス導入管 １０ 半導体ウェー八 １１ 、２１ ガス予熱管 代理人 弁理士 井 上 −男 ＠１図 第 ２ 囚 １３１１：／／ 第 ３ 図
明の１実施例の加熱処理装置の断面図、第３図は別の１
実施例の導入ガス予熱管を示す斜視図である。 １ 耐熱管（石英管） ２ 加熱炉 ３ 均熱板 ４ ガス導入管 １０ 半導体ウェー八 １１ 、２１ ガス予熱管 代理人 弁理士 井 上 −男 ＠１図 第 ２ 囚 １３１１：／／ 第 ３ 図
Claims (1)
- 加熱炉中に挿入された耐熱管（ニウェーハを装入し、管
端に設けられたガス導入管から雰囲気ガスを導入して管
内を所定の雰囲気にし加熱処理を行なう半導体加熱処理
装置において、耐熱管端のガス導入管に接続し非直線状
の導入ガス予熱管部を耐熱管の内端部に設けたことを特
徴とする半導体加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19913583A JPS6091621A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 半導体加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19913583A JPS6091621A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 半導体加熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091621A true JPS6091621A (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=16402722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19913583A Pending JPS6091621A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 半導体加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091621A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202524A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハの加工処理装置 |
| JPH02201920A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Arubatsuku B T U Kk | 半導体基板用熱処理炉 |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP19913583A patent/JPS6091621A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202524A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハの加工処理装置 |
| JPH02201920A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Arubatsuku B T U Kk | 半導体基板用熱処理炉 |
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