JPS59213127A - 炉心管 - Google Patents

炉心管

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Publication number
JPS59213127A
JPS59213127A JP8789883A JP8789883A JPS59213127A JP S59213127 A JPS59213127 A JP S59213127A JP 8789883 A JP8789883 A JP 8789883A JP 8789883 A JP8789883 A JP 8789883A JP S59213127 A JPS59213127 A JP S59213127A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
core tube
tube
furnace core
wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8789883A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Takura
田倉 昌幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Corp
Pioneer Electronic Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Corp, Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Corp
Priority to JP8789883A priority Critical patent/JPS59213127A/ja
Publication of JPS59213127A publication Critical patent/JPS59213127A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ガスを流し拡散あるいはアニール等の熱処
理を行なう電気炉に使用する炉心管に関するものである
従来の拡散炉等の電気炉に使用される炉心管を含む半導
体加熱処理装置は第1図に示すように、一端が開口し、
他端にはガス導入管2が設けられた炉心管」と、炉心管
1を加熱するために周囲に電気ヒータ3を設置し、ヒー
タ3からの熱が炉心管1を均等に加熱するようにヒータ
3と炉心管1の側壁間に均熱管4が介在している。また
、炉心管1の内部には拡散やアニール処理を行なうため
にホルダー5にシリコンウェハー6が起立して取付けら
れている。このガス導入管2は第1図に示すように炉心
管1の長手方向の中心線上に配置されてあったシ、また
、第2図に示すように、ガス導入管2の後方に穴をあけ
た円板7を炉心管l内に配置したもの、あるいは第3図
に示すように、ガス導入管2の先端に直接穴をあけたフ
ィルター8を設けたシしたものがある。
上記の構成において、炉心管1内に挿入されたシリコン
ウェハー6に拡散等の処理を行なう場合には、第4図に
示すようにガス導入管2をコネクター9で連結したガス
供給装置10の電磁バルブ弁11を開くことによって、
電磁バルブ11に接続したガスが、ガス導入管2を通し
て炉心管1内に導入される。
このガスは処理の種類によって、一種類の場合もあるが
、通常は第4図のように多種のガスA、B、Cを同時に
炉心管1に流すことができるようになっておシ、シリコ
ンウェハー6は、このガスによって不純物を拡散したシ
、酸化膜を成長させたルする。
かかる従来の構成にあっては、例えば、第1図の装置の
場合、多種のガスを流した時にガス混合を起こさせ、均
一性のよいガスを得ることが困難なため、制御性に欠け
るばかシではなく、高温に保たれた炉心管lの内部に置
かれたシリコンウェハー6に冷たいガスを直接あてるこ
とにな)、ウェハー6に熱応力を加えて結晶欠陥を発生
させたシ、ウェハー6のそりを増長させるなどの欠点が
あった。
これらの欠点を解決するために、第2図や第3図に示す
装置が提案されているが、炉心管製造が難しく、コスト
が高いばかシではなく、その保守においても定期的な洗
浄が難しく、かつ強酸を使用するため、作業者に対し、
その危険性が高いものとなっていた。
さらに、第3図の場合は、ガス導入管3の先端が折れや
すく、強度的な面でも欠点があった。
この発明は上記欠点の解消を目的としてなされたもので
、ガス導入管を炉心管の内部に沿うように配置すること
により、多種ガスの混合及びガスの加熱を同時に行ない
、均一性のよいウェハー処理を行なえるようにしたもの
である。
以下、本発明の炉心管の一実施例について図面を用いて
説明する。
第5図は炉心管の側面図であり、炉心管1の一端にはガ
ス導入管2が挿通されており、炉心管1内にある導入管
2の先端部分は炉心管1の周囲の内壁に沿って設置され
ている。
第6図は第5図より90°角度を変えて見たところで、
ガス導入管2の先端の開口は炉心管lの長手方向の中心
線から所定角度θをもって配置されている。
また、第7図は第5図を入方向から見た図で、ガス導入
管2の先端部が炉心管の内壁に沿って屈曲されている。
かかる構成において、ガス導入管2よりガスを流入する
と、第5図のように炉心管1の内壁を長手方向に沿って
螺旋状にガス流が流れ、ガスの攪拌が行なわれる。仁の
時、第1図で示した電気ヒータ3や゛均熱管4によって
充分に加熱された炉心管1の内壁を伝ってガスが流れる
ため、ガスが高温となル、ウェハーに対する熱応力緩和
に貢献する。
尚、第5図ではガス導入管2の開口を下側に配置したが
、炉心管内壁の上部或いは側部に配置するようにしても
よい。また、炉心管内に微量のガスを流す場合には、第
8図に示すように、ガス導入管2の先端部21をしはシ
こみ、開口部を挾ばめた形状のものを使用することによ
シ、充分な攪拌効果を得ることができる。
以上のようにこの発明は、攪拌した均一なガスを高温で
ウェハーに提供できるので、制御性のよい均一なウェハ
ー処理が達成できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の炉心管を含む半導体加熱処理装置を示す
図、第2図及び第3図は他の従来の炉心管におけるガス
導入部を示す図、第4図は第1図装置によるガス導入装
置を取シ付けた図、第5図は本発明に係る炉心管の実施
例を示す図、第6図は第5図を90°回転したときの図
、第7図は第5図をA方向から見た図、第8図は本発明
に係る炉心管のガス導入管の他の実施例を示す図である
。 1・・・・・・炉心管 2・・・・・・ガス導入管 3・・・・・・電気ヒータ 4・・・・・・均熱管 6・・・・・・ウェハー 特許出願人  パイオニア株式会社 f。 第5図 第6図 第7図 第8図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 周囲を加熱した管内に半導体ウェハーを載置し、管内に
    導入したガス流によって半導体ウェハーを処理するよう
    Kした炉心管であって、前記ガス流を炉心管の長手方向
    に内壁に沿って螺旋状に流すようにしたことを特徴とす
    る炉心管。
JP8789883A 1983-05-19 1983-05-19 炉心管 Pending JPS59213127A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8789883A JPS59213127A (ja) 1983-05-19 1983-05-19 炉心管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8789883A JPS59213127A (ja) 1983-05-19 1983-05-19 炉心管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59213127A true JPS59213127A (ja) 1984-12-03

Family

ID=13927709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8789883A Pending JPS59213127A (ja) 1983-05-19 1983-05-19 炉心管

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JP (1) JPS59213127A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61290713A (ja) * 1985-06-19 1986-12-20 Hitachi Ltd 処理装置
JPH02106822U (ja) * 1989-02-13 1990-08-24

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61290713A (ja) * 1985-06-19 1986-12-20 Hitachi Ltd 処理装置
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