CN107587117B - 一种气体扩散装置 - Google Patents

一种气体扩散装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107587117B
CN107587117B CN201710716215.7A CN201710716215A CN107587117B CN 107587117 B CN107587117 B CN 107587117B CN 201710716215 A CN201710716215 A CN 201710716215A CN 107587117 B CN107587117 B CN 107587117B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cover board
diffusion
diffusion part
space
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710716215.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107587117A (zh
Inventor
王杲祯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201710716215.7A priority Critical patent/CN107587117B/zh
Priority to US15/577,666 priority patent/US10619240B2/en
Priority to PCT/CN2017/102574 priority patent/WO2019033502A1/zh
Publication of CN107587117A publication Critical patent/CN107587117A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107587117B publication Critical patent/CN107587117B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45508—Radial flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45559—Diffusion of reactive gas to substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明实施例提供一种气体扩散装置包括盖板、第一扩散部、第二扩散部。所述第一扩散部与所述盖板配合形成第一扩散空间以及与所述第一扩散空间连通的进气口。所述第二扩散部与所述盖板配合形成第二扩散空间以及与所述第二扩散空间连通的出气口，所述第二扩散空间与所述第一扩散空间连通，以使得从所述进气口进入的气体经所述第一扩散空间和所述第二扩散空间传输后从所述出气口输出。其中在从所述进气口到所述出气口的方向上，所述第一扩散部与所述盖板之间的间隙高度逐渐变小，而所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度先逐渐变大，后逐渐变小。通过上述方式，本发明能够提高气体均匀扩散的效率，提升气体的利用率。

Description

一种气体扩散装置
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域，特别是涉及一种气体扩散装置。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有成本低，视角宽，对比度高，可实现柔性等优点，得到极大的关注。
OLED显示器件为实现其柔性显示的功能，需要进行薄膜封装(TFE)。TFE利用成膜设备，将气体例如N2，N2O，SiH4，NH3，HMDSO，TMA等通入腔室进行反应。TFE膜层的质量直接影响水气的侵入率，评价膜层质量的参数包括膜的均一性，厚度，表面平整度，致密性等。气体能否均匀的扩散，对膜层的表面平整度，致密性，均一性等成膜质量有直接的影响。目前，现有的气体扩散装置结构比较复杂而且扩散效果不理想，因此容易造成镀膜质量不理想。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种气体扩散装置，能够解决现有技术中气体扩散装置结构复杂且扩散不均匀等问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种气体扩散装置包括盖板、第一扩散部、第二扩散部。所述第一扩散部与所述盖板配合形成第一扩散空间以及与所述第一扩散空间连通的进气口。所述第二扩散部与所述盖板配合形成第二扩散空间以及与所述第二扩散空间连通的出气口，所述第二扩散空间与所述第一扩散空间连通，以使得从所述进气口进入的气体经所述第一扩散空间和所述第二扩散空间传输后从所述出气口输出。其中在从所述进气口到所述出气口的方向上，所述第一扩散部与所述盖板之间的间隙高度逐渐变小，而所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度先逐渐变大，后逐渐变小。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过两次扩散，在从进气口到出气口的方向上，第一扩散部与盖板之间的间隙高度逐渐变小，而第二扩散部与盖板之间的间隙高度先逐渐变大，后逐渐变小,第一扩散部与盖板之间的间隙高度逐渐变小有利于气体在第一扩散空间上升流动且进行第一次较充分扩散，而在第二扩散空间内均匀融合后再充分扩散从而输出均匀气体，能够提高气体均匀扩散的效率，提升气体的利用率。
附图说明
图1是本发明气体扩散实施例的侧视结构示意图；
图2是本发明气体扩散实施例中的中心区域以及两侧与盖板之间间隙高度变化示意图；
图3是本发明气体扩散实施例的左视结构示意图；
图4是本发明气体扩散实施例的第一扩散部与第二扩散部俯视结构示意图。
具体实施方式
参阅图1，本发明气体扩散装置实施例包括盖板11、第一扩散部12以及第二扩散部13。其中第一扩散部12与盖板11配合形成第一扩散空间121以及与第一扩散空间121连通的进气口122。第二扩散部13与盖板11配合形成第二扩散空间131以及与第二扩散空间131连通的出气口132，第二扩散空间131与第一扩散空间121连通，以使得从进气口122进入的气体经第一扩散空间121和第二扩散空间131传输后从出气口132输出。
其中在从进气口122到出气口132的方向上，第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度D逐渐变小，而第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H先逐渐变大，后逐渐变小。
本发明气体扩散装置实施例中的气体扩散装置一般应用于对显示器件，例如是OLED显示器件进行薄膜封装时的气体扩散等相关工序中，将气体材料放入包括气体扩散装置的成膜设备中，进行扩散、反应再输出对显示器件进行镀膜。气体扩散的均匀度，影响镀膜层的表面平整度，致密性、均一性等特征。
在本实施例中，由于第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度D逐渐变小，因此气体进入进气口122沿着第一扩散空间121往第二扩散空间131的方向逐渐缓慢上升扩散，高度的逐渐抬升利于气体进行第一次较充分地扩散，气体从第一扩散空间121进入第二扩散空间131，由于第二扩散空间131的间隙高度H逐渐变大后逐渐变小，气体随着间隙高度H的逐渐变大有利于气体在第一次扩散后较为快速地均匀融合，使气体能够变得均匀，接着气体随着间隙高度H逐渐变小，进一步将混合均匀的气体进行均匀扩散后出气，如此能够提高气体均匀扩散的效率，提升气体的利用率，从而能够提高为显示器件进行薄膜封装的有效性。
在本实施例中，在从进气口122到出气口132的方向上，第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度D逐渐变小可以指一直地逐渐变小例如光滑地逐渐变小(例如包括平滑、圆滑、弧面滑等)，也可以指例如总体上逐渐变小，不排除其间有微凸或者微凹或者小平面的情形存在。同理，第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H先逐渐变大，后逐渐变小，可以指先光滑地逐渐变小后光滑地逐渐变大，也可以指大体上先逐渐变大，后逐渐变小，不排除其间有微凸或者微凹或者小平面的情形存在。
继续参阅图1，可选的是，第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度D以直线方式逐渐变小，也即从进气口122到第一扩散部12的末端呈一斜面，且与盖板11呈一夹角。如此可以使得第一扩散空间121内气体能够均匀上升且扩散。当然在其他实施例中，第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度D在进气口122到出气口132的方向上也可以弧形的方式逐渐变小，此时弧形的开口可以朝向盖板11或者背离盖板11，或者是弧面与平面的方式组合逐渐变小，或者多种弧面的组合逐渐变小。此外还可以以阶梯状例如微小阶梯状的方式逐渐变小。
参阅图1，可选的是，在第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度D逐渐变小过程中，第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度的变化值为5-15mm，可选为6-12mm，可选为7-10mm。例如第一扩散部12邻近进气口122的位置与盖板11之间的间隙高度为15mm，则第一扩散部12末端即与第二扩散空间131连通的位置与盖板11之间的间隙高度为5mm。
继续参阅图1，可选的是，第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H以曲线方式先逐渐变大，后逐渐变小。具体地，第二扩散部13与盖板11相对的一面呈弧面的方式(即从侧视角度或者截面看为曲线)与盖板11之间的间隙高度H先逐渐变大，后逐渐变小。以曲线的方式先逐渐变大，后逐渐变小，如此能够让气体在第二扩散空间131较顺畅融合后均匀扩散，曲线性的设计能够避免气体在流通过程中受到阻碍而无法进行均匀扩散。
可选的是，第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H逐渐变大的过程中，第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H的变化值为5-10mm，可选为6-9mm，可选为7-8mm，例如第二扩散部13与第一扩散空间121接通的位置与盖板11的间隙高度H为5mm，则第二扩散部13远离盖板11的位置与盖板11的间隙高度H为10mm。
参阅图1，可选的是，第二扩散部13与盖板11之间的最大间隙高度H小于第一扩散部12与盖板11之间的最大间隙高度D。如此，气体在第二扩散空间131内随着间隙高度H逐渐变大的过程中可以较快速进行融合。当然在其他实施例中，第二扩散部13与盖板11之间的最大间隙高度H也可以等于第一扩散部12与盖板11之间的最大间隙高度D。可选的是，第一扩散部12与盖板11之间的最大间隙高度D与第二扩散部13与盖板11之间的最大间隙高度H的差值范围例如为2-5mm，如此既能保证融合的速度又能保证融合的均匀性和有效性。
参阅图1-3，可选的是，在第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H逐渐变小过程中，第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H的变化率从出气口132的中心区域1331向两侧1332逐渐变小。在本实施例中，变化率可以指高度变化的快慢。也即在第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H逐渐变小过程中，第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H在出气口132的中心区域1331的变化较快，且在出气口132的中心区域1331往两侧1332区域的高度变化较慢且高度变化值逐渐变小，换种说法，在第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H逐渐变小过程中，第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H在出气口132的中心区域1331的变化值相对较大，且在出气口132的中心区域1331往两侧1332区域的高度变化值逐渐变小，可以认为在第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H逐渐变小的过程中，中心区域1331的倾斜程度较大，而从中心区域1331的两侧1332倾斜程度逐渐变小，如此，使得出气口132出气更顺畅，符合流体力学的设计，能够引导气体均匀扩散并出气。
参阅图3，例如在第二扩散部13在出气口132的中心区域1331位置上具有一凸部133，例如凸部133呈弧形设置，且凸部133两侧与第二扩散部13两侧不接触。例如凸部133延伸进第二扩散空间131，从进气到出气的过程中，在该第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H逐渐变小的过程中，则第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H在凸部133的变化值比在非凸部区域的变化值要大，且从凸部顶部往凸部两侧变化率逐渐变小，即中心区域1331在第二扩散部13与盖板11之间的距离逐渐变小的过程中与盖板11之间间隙高度的变化率较大，往中心区域1331的两侧1332逐渐变小。
参阅图3，可选的是，在出气口132的位置处第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H从出气口132的中心区域1331向两侧1332逐渐增大。例如呈弧形设置的凸部133的顶部与盖板11之间的间隙高度最小，而凸部133的非顶部位置与盖板11之间的间隙高度从顶部位置向两侧逐渐增大，如此可以使得扩散出气的均匀度，均匀中心区域1331以及其两侧1332的出气。当然在出气口132的位置处第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H从出气口132的中心区域1331向两侧1332逐渐增大的方式有多种，例如三角形的凸部，或者从中心区域的一侧为圆弧一侧为直线均延伸至与第二扩散部13的第二扩散空间131内。又例如，中心区域为圆弧，而两侧呈直线的形式。
可选的是，进气口122呈点状设置且与第一扩散空间121远离盖板11的底部角落连通，出气口132呈条状设置且与第二扩散空间131靠近盖板11的顶部角落连通。在本实施例中，进气口122呈点状设置，是指进气口122的直径较小，相对于第一扩散空间121可以认为是呈点状设置。进气口122与第一扩散空间121的底部角落连通，而第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度逐渐变小，即第一扩散部12与第二扩散部13接通的位置邻近盖板11，如此可以使气体第一次较均匀地扩散后便于在第二扩散部13进行融合再扩散。在本实施例中，出气口132呈条状设置，条状的延伸方向与第二扩散部13的末端的宽度方向一致，如此使得在第二扩散空间131内融合后再扩散的气体能够均匀地输出。
参阅图4，可选的是，第一扩散空间121在盖板11上的投影相对于进气口122呈放射状展开，第二扩散空间131在盖板11上的投影相对于第一扩散空间121呈放射状展开，其中第一扩散空间121的展开角度大于第二扩散空间131的展开角度。第一扩散空间121呈放射状展开且从进气口122到出气口132的方向上，第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度逐渐变小，如此在垂直或者大致垂直出气的宽度方向上放射状展开，在高度方向上逐渐变小的设计，即有利于气体的充分扩散，又利于气体在第二扩散空间131的融合与进一步扩散。此外，第二扩散空间131相对于第一扩散空间121在盖板11的投影进一步呈放射状展开，能够保证气体的进一步扩散。当然，在其他实施例中，第一扩散空间121在盖板11上的投影相对于进气口122呈类放射状展开，例如类放射状展开后两侧边缘为曲线，或者一侧为曲线另一侧为直线，同理第二扩散空间131在盖板11上的投影相对于第一扩散空间121呈类放射状展开。呈放射状并不限定为图4的示意的形状，只要大体上呈放射状即可。
参阅图4，可选的是，第一扩散部12从进气到出气的方向上的长度大于第二扩散部13从进气到出气方向上的长度，使气体进行两次扩撒，在第一扩散空间121的扩散范围较大，而到第二扩散空间131扩散范围较小利于均匀出气。当然，在其他实施例中，第一扩散部12从进气到出气的方向上的长度也可以等于第二扩散部13从进气到出气方向上的长度。
综上所述，本发明实施例通过两次扩散，在从进气口122到出气口132的方向上，第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度D逐渐变小，而第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H先逐渐变大，后逐渐变小，有利于气体在第一扩散空间进行第一次较充分扩散，而在第二扩散空间内均匀融合后再充分扩散从而输出均匀气体，使得在对显示器件进行镀膜时形成表面平整、致密性好的膜层。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种气体扩散装置，其特征在于，包括：
盖板；
第一扩散部，所述第一扩散部与所述盖板配合形成第一扩散空间以及与所述第一扩散空间连通的进气口；
第二扩散部，所述第二扩散部与所述盖板配合形成第二扩散空间以及与所述第二扩散空间连通的出气口，所述第二扩散空间与所述第一扩散空间连通，以使得从所述进气口进入的气体经所述第一扩散空间和所述第二扩散空间传输后从所述出气口输出；
其中在从所述进气口到所述出气口的方向上，所述第一扩散部与所述盖板之间的间隙高度逐渐变小，而所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度先逐渐变大，后逐渐变小。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述第一扩散部与所述盖板之间的间隙高度以直线方式逐渐变小。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于：在所述第一扩散部与所述盖板之间的间隙高度逐渐变小过程中，所述第一扩散部与所述盖板之间的间隙高度的变化值为5-15mm。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度以曲线方式先逐渐变大，后逐渐变小。
5.根据权利要求1或4所述的装置，其特征在于：所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度逐渐变大的过程中，所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度的变化值为5-10mm。
6.根据权利要求1、2或4任一项所述的装置，其特征在于：所述第二扩散部与所述盖板之间的最大间隙高度小于所述第一扩散部与所述盖板之间的最大间隙高度。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：在所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度逐渐变小过程中，所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度的变化率从所述出气口的中心区域向两侧逐渐变小。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于：在所述出气口的位置处所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度从所述出气口的中心区域向两侧逐渐增大。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述进气口呈点状设置且与所述第一扩散空间远离所述盖板的底部角落连通，所述出气口呈条状设置且与所述第二扩散空间靠近所述盖板的顶部角落连通。
10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述第一扩散空间在所述盖板上的投影相对于所述进气口呈放射状展开，所述第二扩散空间在所述盖板上的投影相对于所述第一扩散空间呈放射状展开，其中所述第一扩散空间的展开角度大于所述第二扩散空间的展开角度。
CN201710716215.7A 2017-08-16 2017-08-16 一种气体扩散装置 Active CN107587117B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710716215.7A CN107587117B (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种气体扩散装置
US15/577,666 US10619240B2 (en) 2017-08-16 2017-09-21 Gas diffusion device and film-forming apparatus
PCT/CN2017/102574 WO2019033502A1 (zh) 2017-08-16 2017-09-21 气体扩散装置及成膜设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710716215.7A CN107587117B (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种气体扩散装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107587117A CN107587117A (zh) 2018-01-16
CN107587117B true CN107587117B (zh) 2019-06-11

Family

ID=61043055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710716215.7A Active CN107587117B (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种气体扩散装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10619240B2 (zh)
CN (1) CN107587117B (zh)
WO (1) WO2019033502A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11032945B2 (en) * 2019-07-12 2021-06-08 Applied Materials, Inc. Heat shield assembly for an epitaxy chamber
CN116637785A (zh) * 2023-06-01 2023-08-25 海目星激光科技集团股份有限公司 膜片烘干装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5805973A (en) 1991-03-25 1998-09-08 General Electric Company Coated articles and method for the prevention of fuel thermal degradation deposits
JP3131005B2 (ja) * 1992-03-06 2001-01-31 パイオニア株式会社 化合物半導体気相成長装置
EP0645472A1 (en) * 1993-09-23 1995-03-29 General Electric Company Coated article for hot hydrocarbon fluid and method of preventing fuel thermal degradation deposits
US6428847B1 (en) 2000-10-16 2002-08-06 Primaxx, Inc. Vortex based CVD reactor
US6663025B1 (en) 2001-03-29 2003-12-16 Lam Research Corporation Diffuser and rapid cycle chamber
KR20040083417A (ko) * 2001-12-04 2004-10-01 프라이맥스 인코포레이티드 화학 증착법 및 화학 증착 리액터
US8628616B2 (en) * 2007-12-11 2014-01-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Vapor-phase process apparatus, vapor-phase process method, and substrate
CN101772833B (zh) * 2008-02-20 2012-04-18 东京毅力科创株式会社 气体供给装置
KR101562327B1 (ko) * 2008-07-08 2015-10-22 주성엔지니어링(주) 가스분배판 및 이를 포함하는 기판처리장치
US8702867B2 (en) 2008-07-08 2014-04-22 Jusung Engineering Co., Ltd. Gas distribution plate and substrate treating apparatus including the same
KR101108879B1 (ko) 2009-08-31 2012-01-30 주식회사 원익아이피에스 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치
CN102011096B (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 上海大学 可控制蒸发气流分布和成分的真空蒸发系统
CN103160788B (zh) * 2011-12-16 2017-06-30 上海大学 真空蒸发系统
CN104711514B (zh) 2015-04-07 2017-05-31 合肥京东方光电科技有限公司 一种成膜装置及方法
US10487401B2 (en) 2015-10-02 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Diffuser temperature control

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019033502A1 (zh) 2019-02-21
US10619240B2 (en) 2020-04-14
CN107587117A (zh) 2018-01-16
US20190211447A1 (en) 2019-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10266945B2 (en) Gas mixing device and substrate processing apparatus
CN107587117B (zh) 一种气体扩散装置
JP6315179B2 (ja) 面発光装置及び液晶表示装置
TW201508354A (zh) 具多向性結構之導光板
US10209430B2 (en) LED light source, backlight module and liquid crystal display device
US20110228560A1 (en) Backlight moudle
KR200482352Y1 (ko) 웨이퍼 카세트의 기체 확산 장치
US20160116663A1 (en) Light down conversion film and display backlight unit using the same
CN101949526A (zh) 侧入式背光模块及其背板散热构造
TWI526748B (zh) 具光學調控膜之背光模組
US8979350B2 (en) Light guide plate and backlight module using same
US7872711B2 (en) Optical sheet for TFT-LCD back light unit and liquid crystal display having the optical sheet
JP2011181464A (ja) 面状照明装置およびこれを備えた液晶表示装置
WO2011093173A1 (ja) 導光体、照明装置及び液晶表示装置
TWI240091B (en) Light pipe having one or more integral diffusers
JP2000030520A (ja) 導光板及び面光源装置
WO2020237934A1 (zh) 背光模组和液晶模组
TW201610523A (zh) 背光模組
TW201514590A (zh) 光源模組
US20100315716A1 (en) Microstructure diffuser
CN103676238B (zh) 配向紫外线烘烤装置
US9128215B2 (en) Optical structure and backlight unit
US10670793B2 (en) Lighting device with light guide plate
WO2020220189A1 (zh) 一种晶片承载盘
CN208282030U (zh) 非对称配光透镜、发光模组及面板灯

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant