TW522177B - System and process for recycling of spent fluid from plating bath - Google Patents
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Description
522177 五、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明(1 ) 本發明提供一種從電鍍池選擇性移除有機及無機污染物 <系統及方法,特別是,本發明的方法有關使用一個能量 源,並與單獨使用或連同一個觸媒的化學氧化劑相配合, 以將電鍍池中之一或多個有機污染物氧化到在適當化學調 整之後電鍍池可恢復再度使用之程度。 發明背景 使用弘鍍池以將金屬薄膜電鍍在譬如電路板及半導體晶 圓等電组件上,電鍍池用之典型金屬包括銅、鎳、銀及錫 。半導體晶圓製造中,對於高速微處理器及記憶體元件的 運作而言,一致性高品質銅薄膜的形成很重要。半導體元 件中之銅膜需要接近L7歐姆_公分的,且膜的厚=近 1微米。半導體處理用之典型鋼電鍍溶液包含疏酸、銅離子 、各種有機添加物(濕化劑、增亮劑、有機酸如蹲與績酸、 及絡合劑)之水飾喪,it些有輸口物係用以$成高品質 的一致性電鍍,請見美國專利5,328,589、4 : 3,267,〇1()、3,77(),598號1鍍程序使用隨時間經過時,池 中有機組份容易劣化並分解成有機冷染物,這此有機、亏丸 物因爲造成電鍍效率、電料率、膜型態、膜應力、及= 電鍍金屬膜的電性質產生改變而損害電鍍程序。在電錢程 序使用隨時間經過時,、池中亦累積有將劣化所電鍍:二 之無機污染物,由於電鍍池中隨時間經 吴 1糸軔的有機血 無機万染物,需將失效的電鍍池更換新” 電鍍程序。 …鍍…維持 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) iai >^i I ϋ I 1· _ I ϋ —ϋ ·ϋ ϋ .^1 I W 一I ϋ 1 I i_i I I i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522177 ------—___JB7_______ 五、發明說明(2 ) 解決電鍍池中污染物累積之一項技術揭露於W099/19544 就’此申請案中移除一部份的電鍍溶液並以新的電鍍溶液 所取代。即使連續添加及移除溶液,有時池中的〉、亏染物濃 度仍變得太高而使電鍍程序劣化,隨後完全移除電鍍池, 以廢料方式處置,並更換新的電鍍溶液。 更換電鍍池因爲將減少電鍍工具的產出且很費時所以造 成昴貴的製造成本,更換電鍍池亦產生有害環境而須適當 處置的大量液體廢料,將此有害廢料棄置於受控制的掩埋 場時需要昴貴費用,將電鍍池預先處理移除有害組份以將 大多數失效電鍍池以廢料拋棄的過程因爲必須將金屬離子 移除或降低至足以符合國家及當地環境排放法規的程度, 所以亦相當複雜且困難。移除金屬離子時需要額外的設備 及化學物,且可能包括如電積金屬法等程序。此外通常需 在排放之前先以化學沉澱或化學氧化來移除其餘有機添加 物或其殘留組份。一旦已移除金屬離子及有機污染物之後 則用廠房的廢水設備以水性物質方式處理其餘流體。 、已知影響液體中之有機污染物的氧化劣化之效率與速率 〈各種程序變數係包括:自、#及鐵離子之出現、溶液中 的氫氧化離子、及譬如碳酸與醋酸離子等自由基清除器或 自:基引發劑。添加熱輻射、聲輻射、或電磁輻射亦將影 響氧化程序之效率及速率。 亦知過氧化氫特職與紫外線與熱配合時係爲—種有效 的氧化劑,但使用過氧化氫將造成用水加以處理之化學物 的稀釋,水對於過氧化氫作爲一種溶劑並爲與有機物質起 -5- 本紙張尺财關家標準(CNS)^格(21()T^;公€------ _______II--I - I I Γ I I I I ^ >—^ — — — — 1— . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 522177 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(3 ) 化學反應之一種副產品。印刷電路板電鍍業目前可接受的 一種方式係將過f的過氧化氫添加至失效的電鍍溶液並加 熱溶液以氧化所出現之有機添加物。 除了已知的程序變化之外,已採用各種程序與裝置來處 .理含有機污染物之廢電鍍溶液,譬如美國專利4,289,594號 揭示一種用於降低化學鍍銅廢溶液中之電鍍有機絡合劑及 落解銅離子濃度的方法,此方法包括在第一槽中將銅離子 以化學方式還原成低於8 ppm濃度的銅金屬,然後在溶液送 到第二槽之後將絡合劑化學沉澱,此方法的最後步驟需使 溶液在出現紫外線(UV)情形之下與臭氧氣體相接觸,以移 除留在池中的微量有機添加物,隨後將所留下的液體材料 送到一個常用的廠房廢料處理系統,此發明需將銅降爲低 於8 ppm以減少臭氧氧化處理所需時間。 種相關方法中’美國專利4,5 12,9 0 0號首先在失效電鏡 池中使銅離子以化學方式沉澱成低於8 ppm的濃度,需降低 銅離子濃度以減少氧化過程時間,在一項後續處理步驟中 使用過氧化氫子降低最高達60%的溶液中留下之有機絡合劑 。一項較佳實施例中,在絡合劑的化學沉澱之後及以臭氧 處理溶液之前,將過氧化氫添加至溶液。利用一個離線式 有機碳分析器來決定此步驟所需的過氧化氫量,過氧化氫 可與紫外線合併及或加熱最高達9〇°C溫度、且能比臭氧及 紫外線單獨使用時更快的速率降低所留的絡合劑濃度。一 項最後處理步驟中,以硫酸將溶液的pH値調整至4與6之間 ,然後將處於出現紫外線情形之臭氧氣體噴佈通過溶液以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------m-裝—·—^訂·—·------- # (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522177 A7 _ B7 五、發明說明(4 ) 進一步降低有機濃度。隨後將剩餘的液體材料送到廠房廢 料處理系統加以處置,該程序根據描述係比採用單獨使用 具有紫外線的臭氧或單獨使用過氧化氫之情形更爲快速。 美國專利4,849,114及4,792,407號已揭露使用過氧化氫配 .合臭氧與紫外線以氧化及還原銅離子自由水中之毒性有機 化合物的濃度之實行方式。美國專利5,562,822號揭露使用 紫外線及臭氧氣體在流體中產生羥基,並使用所生的羥基 從廢料流體物流中移除污染物。 美國專利5,290,439號揭露一種用於純化液體流的紫外線 輻射設備之裝置及用途。美國專利5,043,080號揭露採用中 等壓力多色頻汞弧光燈來處理受污染的地下水。 所有上述程序均需將來自化學鍍池的廢料中的銅離子加 以還原以移除有機污染物,如此將需要金屬離子沉澱反應 之額外化學物及不同反應的多個槽,由於程序及處理之後 有値化學武劑操法再度使用而造成損失,故增加複雜度 與成本’在該等採用過氧化氫的程序中,因爲常將或更 大容積的水及氧化反應程序產生的水加入過氧化氫,故稀 釋了所處理的液體。 本技藝需要一種還原電鍍廢料並簡化失效化學電鍍溶液 的處理 < 方法及系統,若能在程序及系統(較佳爲線上處理 程序及系統)通當處理之後再度使用電鍍溶液,則可減少化 學廢料並降低將失效電鍍溶液更換爲新溶液之時間與成本 。亦需要可簡化作爲氧化劑的過氧化氫使用並盡量減少將 水加入待處理液體中造成的稀釋影響之方法及系統,因爲 -7- $、、、氏張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 一 M _—— ϋ § I ^ 一5 口,a i-i ϋ ϋ ϋ -1 I - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522177 五、發明說明( 改變所含的污染物量,亦需要_貞測並 等處=度污染物的溶液,並指出何時已經完成此 本=提供一種自液體電鍍溶液移除—或多個有嶋 物m及方法。本發明與f知技藝極爲不同而顯著維持 中的銅離子濃度。此外,本發明藉由將氧化劑與外 邶旎I源相合併而將廢電鍍液體處理簡化爲單一步驟,其 中利用能量源及化學氧化劑來破壞電鍍溶液中之—或多個 有=污染物。本發明亦將一個受控制氣體流供入液體=以 盡量減少液體電鍍溶液受到液體化學氧化劑之稀釋,以在 處理程序期間控制溶劑的蒸發並從液體中移除揮發性酸性 卣化物。本發明以單通路程序從電鍍溶液中移除一或多個 有機污染物,並利用適當的感測器來指示處理程序的結束 ,本發明將回收已處理的流體以供再度使用而非將流體棄 置或試圖回收絡合劑(參照美國專利5,091,070及4,734,175號) 。如下討論移除氧化劑以防止釋回到處理溶液中並移除氯 離子及劣化的碳產物之策略,此外,本發明可在電鍍溶液 回到系統之前移除金屬離子與粒子。 發明概論及目的 本發明提供一種用於藉由化學氧化劑與能量源的組合來 處理液體以移除一或多個有機污染物來回收失效的電鍍池 之系統及程序。一或多個有機污染物與氧化劑及能量源相 接觸一段足以使之化學劣化爲易於從液體移除之二氧化碳 、氧化有機產物及其他氣體之時間。在氧化處理期間,液 -8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------—^—-----^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 522177 A7 五、發明說明( 體係以氧化氣體噴佈以進一步氧化液體、剝離一或夕彳 機化合物或酸性由化物之液體、並以液體蒸發來二二 的濃度。進行液體傳送以盡量加大氣體與液體接觸面積並 控制液體之氧化化學反應速率及蒸發速率。以一或多個感 測器裝置來監測氧化程序的狀態,使用感測器決定二 成氧化程序、及是否從溶液消除一或多個有機淳染::: 低於-低限値濃度,並移除所殘留的氧化劑及舞能以师 取或回收。此外,可利用—個譬如碳滤器、微孔性或= 性濾器或油布等過遽器預先處理含有一或多個有機污染物 之液體。選擇用媒體移除之一或多個有機污染物的吸收將 可降低在溶液中需由氧化系統移除之一或多個有機冷染物 値,故降低了對於氧化系統的需求。氧化程序之後,則以 -破滤器或其他媒體移除受氧化的有機物及溶解的氯離子。 聲 依需要,化學氧化物及能量源可一個光觸媒相耦合,光 觸媒通常爲-料如鈥n等金屬或其氧化物以增加 有機π染物的氧化速率。即時監測氧化程序並指示出氧化 程序已經完成,當—或多個有機〶染物氧化之後,自流體 移除殘留的氧化劑、已氧化的有機物、及氯化物。 濟 部 智 慧 財 員 工 消 費 社 印 —從失效電鍍》容液移除有機冷染物之後,有㊆亏染物自由 /合液可依需要輸送過一個金屬雜質移除階段。此階段移除 了經由銅陽極溶解或添加物導入造成的譬如鐵等不良金屬 離子s如鐵等離子將對電鍍程序的性能有不良影響,使 :液通過—個濾器以移除在處理期間可能已進入電鍍池或 可肊已况澱的粒子,純化的銅溶液隨後補充溶劑、添加物 本紐尺度適对關規格⑽X 297公爱) -9· 522177
發明說明(7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 及銅離Ί達成溶液的有機構造而再度導人電鍍程序中。 本發明I-目的係提供—種從失效的電鍍池中移除一或 多個有機化合物之手絲。太义 ·、 ^本發明包含一個導管以言穿失效 池;一個氧化單元,其中包含-個能量源及化學品;一個 化學濃度感測器;及-㈣於移除或分解料氧化劑之裝 置。能量源及化學氧化劑在通過氧化單元時係導向溶液來 分解-或多個選擇的有機物,並移除變成二氧化碳及已氧 化類型,溶液濃度係由通過溶液的一氧氣流所控制,在化 學乳化程序期間使電鍍池中的液體溶劑進行蒸發,通過溶 液的此氣流亦可從溶液移除揮發性酸性自化物,已處理的 溶液係通過-個化學監測單元,此化學監測單元在氧化處 理之後顯示-或多個有機物質濃度。自已處理溶液移除熱 能,然後傳送一個吸收性物質,而在再循環回到電鍍程序 之前先行移除已氧化的種類。 本發明另一目的係提供一種移除在電鍍池中出現的氯離 子之方法’當溶液轉移或通過一個吸收性物質時,實質同 時移除氯離子與已氧化種類。 本發明之另一目的係提供一種將電鍍池中出現的一或多 個有機污染物移除至低於約1至9 9 · 9 9 %、較佳6 0至9 9 9 9 %濃 度的預定低限値之方法,其中利用將失效溶液通過一個導 管並在導管中出現化學氧化劑情形之下將電鍍池暴露於一 能量源’有機污染物通常以20至2〇000 ppm容積出現在電鍍 溶液中。 另一目的係提供一種從一失效電鍍池移除一或多個有機 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------裝—.-----^訂—^------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 522177
、發明說明( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 口物 < 系統,此失效電鍍池包含一個通過該失效電鍍地 的導^管包含:通過導管時均位於池的路徑中之二 :能!源及一個觸媒及一個化學氧化劑導入埠,以將-咸 夕t &疋有機物分解成氧化組份;一個氧化劑及熱能再« ·、=置,位於導管下游處;一個化學濃度監測裝置,用於 j i氧化㈣的$成’·及—個吸收床,用於自池移除 化礙及/或氧化種類。 |月另目的係從失效的電鍍溶液移除一或多個無機 料(譬如鐵、鈉及卸、或其他非銅金屬離子雜質),本發明 壁目的係彳文失政的電鍍溶液移除一或多個陰離子雜質, 上酸鹽、亞磷酸鹽、碳酸鹽、醋酸鹽、甲酸鹽及磷酸 鹽’稭由將有機‘染物自由溶液通過—個特定離子吸收床 或:他特子移除程序,譬如在溶液回到電鍍程序之前 的電滲柝,來達成此種一或多離子的移除。 娜本㈣的另-目的係在溶液送回到電鍍程序之前移除膠 肢θ染物。 ^發明的另—目的係在電鍍程序再度使用之前將回收電 厪’奋液之化學性質調整爲添加物及銅離子的原始濃度。 圖式簡單説明 圖1顯示本發明之第一實施例。 圖2顯示本發明之第二實施例。 圖3顯示本發明之第三實施例。 圖4顯示本發明之第四實施例。 圖5顯示範例1之氧化程序的結果。 -11 - 本紙張尺度適財國國家i^CNS)A4規格⑽χ挪公爱)-—_ --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I ϋ I ϋ 11 ϋ 11 Βϋ ϋ I - tl 五、發明說明(10) 化劑添加埠28,以將氧化劑導至氧化單元12。氧化單元u 可連接至圖示的電鍍系、统,而可整批或連續地直接取回失 效流體,並可依需要連接至進行離線處理之_個分離的失 效流體貯槽(未圖示),兩情科,電鍍池在通過氧化單元12 =均在-段時間内受到—個㈣源或聲音源(譬如超音波能 ㈣、熱能量22及化學氧化劑混合物)及能量強度,以轉換 實質所有的敎-或多個有機冷染物種類,而移除變成其 分解產物,通常爲各種氧化種類、二氧化竣及水。 旦σ依待處理合$、有機物値、及待移除的不同有機物數 量來採用-或多個氧化單元,若系統中採用不只一個單元 則可並聯排列以分割位於其間的流體進行更佳處理,或 ^串聯以確保適當處理所有選擇的有機物。大部份情形係 =移除所有的有機污染物,且首先針對概呈無污染物的 ' 口夕〔行重組。但邯份情形中,可能需要選擇性移除僅 或夕個但並非所有的有機污染物(譬如對於電鍍系統造成 問題者或比其他更頻繁形成者)。此外,此系統的構造可在 =的系統運作期間中選擇性移除一或多種有機物而非所 幾污木物,然後週期性(如每隔十次週期)修改該系统 ’以:多除大部份或所有有機污染物。 中Ζ、 _個滅^制裝置22藉由與外部源的接觸來控制丄2 ^體溫度’熱控制裝置22能從氧化單元Η供應或移去 热说,可获士 可由、+、曰由一個電阻加熱器或利用微波輻射提供熱能, 無a、、%冷部备或將冷卻劑循環通過熱控制裝置22來移除 此以溫度感測裝置4〇測量12中的液體溫度。另一實施 522177 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 例中,如目1所示在氣體經由導管14輸送至氧化反應器並經 由埠26離開反應器之前先行加熱或冷卻,以控制液體溫度 。在氣體注入液體之前先加熱氣體將可控制液體溫度,且 可控制過多溶劑1酸性自化物從液體之蒸發,並加速氧化 反應。12中的液體溫度可爲5-⑽。c範圍、較佳對於氧化程 序爲45-90°C溫度範圍。 在使用一氣體作爲其中一種或唯一的氧化劑之系統中, 利用通過溶液之-股氧化劑氣流來控制電艘溶液的濃度, 以在化學氧化程序期間影響電鍍池中揮發性酸性_化物及 液體溶劑之蒸發及化學氧化。利用氣體流率、反應時間、 氣泡尺寸及接觸時間、紫外線強度及液體與氣體溫度,在 氧化單元中文處理時控制反應速率及從溶移除溶劑及酸性 鹵化物。 利用位於液體中的一個感測器18來指示氧化程序的狀態 ,感測器1 8決足了氧化程序的時程。在通過氧化單元12之 後,依需要以一個氧化劑捕獲器15移去殘留的氧化劑,爲 了安全與下游程序相容性的考量,可防止氧化劑離開再循 環系統1 1 〇 以熱移除裝置34在氧化劑捕獲器15中從已處理液體移除 熱能,譬如,冷卻流體可經過一個閉迴路冷卻器再循環通 k衣置3 4 ’或另外使用直接附接至1 $表面的熱電冷卻器, 以溫度感測裝置38測量液體溫度,從已處理液體移除熱量 將可使液體回到初始溫度,並使有機清除器16具有最佳的 污染物移除性能。
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明可用的化學氧化劑包括:臭氧氣體、過氧化氫、 氧氣、過醋酸、過二硫酸及其鹽、過硫酸銨、及過單硫酸 鉀。這些氧化劑可單獨使用或作爲這些化學氧化劑的混合 物,實施本發明特別有效的範例包括但不限於··臭氧及過 氧化氫、或臭氧及過硫酸銨,氧化溶液中的過氧化氳濃度 可爲0.1至30%容積、較佳濃度爲〇 5至1〇%容積。噴佈入液 體内的臭氧氣體濃度在氣體中可爲⑴丨至別❶义重量範圍、較 佳濃度爲3至20%重量。系統中的氧化劑範圍係基於化學計 1化學性★ ’利用盡可能降低的過量氧化劑將所需的一或 多個有機污染物移除至預定低限値。 可以批次或連續方式添加化學氧化劑,譬如可在氧化程 序開始時一次添加過氧化氫。另外可在氧化程序開始時一 次添加過氧化氫,並將臭氧氣體連續噴佈入氧化單元12。 一項較佳實施例中,以感測器18取得流體的初始污染的測 里値,並伙源13及22施加能量將一劑量的過氧化氫及臭氧 氣體製成溶液。某時程之後,以感測器丨8取得電鍍池中有 機污染物濃度的另一測量値,且將額外的過氧化氫及或臭 氧氣體導往氧化單元12中的液體,測量及添加氧化劑的程 序持續到一或多個有機污染物濃度到達程序的低限値爲止。 此系統可用的能量源包括電能量源、熱能量源、聲能量 源、微波能量源及電磁能量源。亦可用能量源的組合實施 本發明’包括但不限於紫外線及熱、或紫外線加上熱與百 萬級音波能量。 可用於從系統移除熱之裝置包括:施.加至表面氧化單元 -15· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^---.----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 等 522177 A7 B7 五、發明說明(13 ) 或捕獲器15之電熱冷卻器、熱交換器、或可流過所處理 液體之液體冷卻覆套套筒。 本發明系統用之感測器18可包括在線上或可從池中抽標 各液而用離線式分科器加以分析,本發明可用的感測器包 括總有機碳(TOC)分析器、週期性電量剝除分析器、氧化還 原電位感測器、離子選擇性感測器譬如1)11感測器及其他此 型感測器、氣體與液體臭氧濃度偵測器、非散佈性紅外錦 二氧化碳偵測器、紅外線與紫外線/可見光分光光度計、黏 度計、氣體與液體感測器包括石英微平衡與表面聲波吸收 型、傳導性感測器、表面張力分析器、折射率偵測器、高 性能液體色譜法及氣體色譜法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在單元15中的過量化學氧化劑已移除且移除熱量之後, 隨後依需要以一種有機物清除物質16來移除氧化單元12中 未移除的殘留添加物或分解组份,清除物質16對於特定物 質可具有選擇性而僅移除相關物質、或在需移除所有有機 物的應用中可能不具有選擇性,清除物質16亦可依需要移 除失效溶液中出現的氯離子,選擇性有機清除物質的範例 包括尺寸排除樹脂及超過濾薄膜,本發明可如圖旧示關閉 閥46與48並開啓閥5〇而使有機清除物質達成旁通。 純化及再生的溶液隨後㈣—個導回到電鍍系統再 度使用、或儲存在-個分離的辟槽(未圖示)或 中而送回電鍍系統。 ^ 本發明第二項實施例中,可如^所示 與圖2相同的號碼係與圖^示元 j m 卞和付。但除了能量源13 -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522177 A7 --------— B7 —_ 五、發明說明(14 ) 及化學氧化劑14與26、咸測哭彳δ 4 aL _ w j叩18 <外,仍有使紫外線13附 近液體出現之-或多個有機冷染物的氧化程序速率增快之 一個觸媒21。此目的所用的血刑結 |⑺们興型觸媒包括但不限於:鐵、 不绣鋼、鼓、飽、金、叙力 跟訊、其氧化物及合金以及這些 金屬的鹽,這些觸媒可僅罟# + ^ 3、 放在把1源附近或依需要連接 至一個電位以增加效率。 、、如圖3所示,-個預遽裝置31位於再循環系統的入口町 游及氧化單元12上游處,此步驟可移除在流體所出現的任 何顆粒物質及/或可藉由物理分離、化學吸附及物理吸附在 欲體中的-或多個冷染物而預先處理液體,並降低系統中 或多個污染物量。可利用離心、吸收布/墊或濾器特別 是碳濾器(較佳方法爲碳濾器)進行移除。 妓濾器本身無法提供足夠的有機碳污染物移除,但可有 效降低一或多個有機碳污染物的初始値,使氧化處理更有 效率且可降低池中顆粒物的量値。 另外,可使用譬如聚乙烯等各種塑膠,包括超高分子量 聚乙烯、聚丙烯、PTFE樹脂、熱塑性過氟聚合物,譬如 PFA、PVDF等;玻璃纖維或墊或碳纖維或壓實碳粒子製成 的微孔性濾器及/或超過濾濾器等其他濾器,而大致移除任 何顆粒物(但部份有機組份仍可能留在濾器中)。 此外,可單獨使用或與任何下列各物合併使用油布、吸 收墊及其他從池移除油、渣滓及其他有機污染物之此等裝 置。通過預濾'裝置31之後,流體通過氧化單元12以移除其 餘的有機碳污染物。以感測器18決定氧化程序的狀態,且 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公釐) -----------裝---·-----tx· — ^-------· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 522177 五、發明說明(15) 氧化程序持續到抵達所處理溶液的化學純度低限値爲止。 以捕獲器15移除殘留熱能及化學氧化劑,隨後在有機物清 除器16中移除氧化單元12中(及依需要在觸媒中)之一或多個 有機污染物的氧化反應產生的殘留物,已清理的流體係回 到池或一個儲槽以供進一步使用。 圖4顯示最接近完成的系統,此實施例中,以一或多個濾 器31預先處理流體,然後在出現觸媒2丨情形下以一個能量 源及化學氧化劑的組合在氧化單元12中進行處理。以感測 器18決定一或多個有機污染物之氧化程序的狀態,且氧化 私序持績到所處理溶液抵達化學純度低限値爲止。然後以 捕獲斋15處理以移除過度的化學氧化劑及熱能,並以一個 有機清除器16、金屬離子移除裝置41、一個最後過濾來移 除磕浮粒子42,接著是一個化學補充階段43,然後回到池 或一儲槽中。 系統係由數個下列市售組份製成。 將可作爲化學氧化劑及噴佈氣體之臭氧氣體輸送至液體 並較佳由靜音放電法產生。高純度臭氧產生器可購自麻州 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 華本的應用科學與技術公司,亦可由當場電解含硫酸溶液 來產生臭氧,臭氧產生器應能夠產生佔氧氣重量之〇 5至約 2〇%臭氧氣體。另外可依需要使用瓶裝的臭氧氣體或其他種 產生臭氧的方法,亦可將臭氧氣體與硫酸相接觸以產生過 二硫酸。 可利用對臭氧及池中流體呈化學惰性的裝置將所產生的 氣臭氧導入液體中,此等物質包括但不限於⑧樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑽χ 297公爱 18- 522177 A7 B7_ 五、發明說明(16 ) 、聚偏氟乙烯、聚氟燒氧基氟聚合物、或Teflon⑧樹脂。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用於將臭氧氣體噴佈入液體成爲氣泡之孔狀或熔狀 Teflon®樹脂基礎的擴散器可購自喬治亞州費爾本的玻瑞司 孔狀用品公司。以燒結金屬管構成的散佈器可購自麻州貝 福德的密尼布公司,燒結玻璃或陶瓷噴佈器可購自賓州匹 茲堡的費雪科技公司,噴佈器之較佳孔尺寸爲2至50微米, 且選擇受液體溶液濕潤時可對氣體至液體質量轉移提供最 多小泡之材料。 以石英或Kynar⑧構成的一個靜態混合器及氣體喷射器亦 可將譬如臭氧、氧、或臭氧/氧混合物等氣體氧化劑導入液 體中,其中以混合器幫助氣體及液體相混合。一個Kynar⑧ 靜態混合物可購自依利諾州維農之柯爾帕門儀器公司。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦可經由一個譬如孔狀中空纖維、中空管、或平板聚合 性薄膜等薄膜裝置,使液體與臭氧氣體相接觸而將臭氧氣 體導入液體中。臭氧氣體可處理等.於或低於液體之壓力以 使一個氣泡將臭氧自由轉移入液體中。另外,臭氧氣體的 壓力可有效大於液體壓力,使中空纖維裝置成爲一個氣體 噴佈器。一個Teflon⑧樹脂中空纖維或中空管臭氧接觸器可 購自馬里蘭州愛克頓的W.L.高爾聯合公司,平板Teflon⑧樹 脂薄膜濾器裝置可購自麻州貝福德的密尼布公司。 可藉由改變液體流、產生器生成的臭氧氣體濃度、液體 pH値、及液體與氣體溫度,來控制液體中的臭氧氣體濃度 。較佳將最高濃度的臭氧氣體導入液體中,而在液體中具 有一或多有機物質的最高分解速率。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 522177 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(17 ) 可藉由壓力分配或使用機械或膜片泵將液體化學氧化劑 配合氣體氧化劑導入氧化單元中,可自麻州貝福德的密尼 布公司購得可有效地化學分配液體氧化劑或固體氧化劑之 濃縮水性溶液之抗蝕膜片泵Wafergard⑧化學分配泵。 紫外線可在13中使用對於氧化程序作爲一個電磁能量源 ’依據所移除的有機種類來選用一或多個紫外線,其通常 爲約100至800毫微米(nm)的波長、較佳約15〇至3〇〇毫微米 或200至800毫微米。更佳至少有兩個uv光源,第一 光源 具有較佳150至300毫微米波長,第一 uv光源具有較佳2〇〇 至800¾微米波長,燈的功率應大於i瓦特且小於2〇⑻瓦特 ,更佳介於25至1200瓦特之間,較低波長的光可特別有效 地氧化介面活性劑及其他典型的有機物質,較高波長光可 特別有效地氧化各種絡合劑,譬如乙二胺四乙酸(Edta), 紫外線光源亦可作爲熱能量源。 適當光源範例爲汞蒸氣型紫外燈,另一型爲購自康州費 爾非德的佛達特技術之GPH287T5VH-S400-CB型。 較佳以購自紐約州康寧的康寧公司或紐澤西州凡蘭的埃 司玻璃的一個石英窗口或套筒來隔離實際流體與光線,該 窗口或套筒安裝在氧化單元12内且由譬如VIT〇Ts^^tefl〇n 樹脂密封劑等惰性材料與氧化單元中的流體相密封,以石 英裝置密封的此等裝置及紫外燈範例請見美國專利 5,272,091及5,868,924號,其中揭示以提及方式整體併入本 文中。 流體較佳在一段時間内受到紫外線、氧化劑氣體及液體 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — II — — — — — — - — —.— — — — I- ^ «ΙΓ — — — — — — . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 522177 A7 五、發明說明(18 ) 化學氧化劑,此時間足以實皙氧彳 卜 ,、虱化車父小的氧化種類、二氧 化碳、及水等出現之所有一或多侗 及夕個有機污染物。依據相較 於光線(流體深度、通過光線之汸舰 、 率、紫外線波長及 強度、液體溫度、觸媒的使用、氢 J虱化劑氣體濃度、所出現 .有機污染物値及其他因素,流體在轰仆留-丄#此土 也杜虱化早凡中常費時2至 240分鐘、較佳爲30至12〇分鐘。本發明的—項實施例中, 氧化單元爲一個内部裝有—紫外燈之簡單的管,另可爲— 個較平的氧化單元或密封盒,其具有比高度更大的長度與 寬度以將池擴展爲-股細寬度綵帶狀流體進行後續氧化處 理,當待滲透流體値較低且均勻時,係爲更有效的配置而 有更快更完全的氧化。另一方式係使用_個貯槽或儲槽並 粉臭氧射入槽中,同時以紫外線刺激該槽。 亦可具有其他的燈排列方式,譬如在氧化單元並聯使用 兩個或更多個紫外光源,以確使最大能量通量進入溶液中 進行氧化程序。 可由多種感測裝置18監測12中的氧化反應狀態之分析, 譬如,總有機碳分析器可購自曰本京都的島津公司,而臭 氧氣體及液體濃度監測器可購自麻州尼德漢的IN USA公司 ,可實施本發明的氧化還原感測器可購自麻州比福利的歐 利恩研究公司。 在氧化單元12之後,經由捕獲器15從系統移除殘留的臭 氧及化學氧化劑。對於氧化劑氣體,可以簡單的除氣器型 式來移除氣體,譬如在與流體相反的薄膜侧具有眞空之薄 膜裝置,僅需將氣體拉過薄膜並以適當方式處置。可將一 21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^1 ^1 ^1 一口、 I ^1 ϋ I 1· n I #. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
522177 五、發明說明(19) 個如氮氣等惰性氣體噴佈過溶液進行氧化劑氣體的移除。 另外,臭氧捕獲器可爲觸媒性薄膜,譬如顯示於美國專利 5,891,402號’此裝置中,一個觸媒留置在一微孔性PTFE基 材内,且含有臭氧的液體係流過薄膜以將臭氧還原成氧。 可將溶液與一觸媒相接觸來移險過多的化學氧化劑,譬如 可用購自威斯康辛州妙瓦基的歐爵區化學公司之一個銷線 網來分解過氧化氫。 f有臭氧的流體可通過一個觸媒物質床以從液體移除臭 氧,液體中的臭氧轉換成臭氧副產物而用眞空或其他適當 裝置由液體移除,適當的觸媒物質包括美國專利5,891,4〇2 號所描述,譬如二氧化鎂、氧化銅、二氧化鈦、鉑、活性 碳。另外可藉由以一種譬如氮等氣體來噴佈帶有臭氧的流 體’並將溶液暴露於來自一汞彳瓜燈的2 5 4毫微米波長光線, 以從溶液移除臭氧。 在氧化單元12之後,及連同自液,體移除化學氧化劑時, 較佳亦在捕獲器15中移除液體之殘留熱能。另外亦可僅將 任何殘留熱能留在液體中,特別是在使用之前加熱。用於 在捕獲器15中從液體移除熱能之適當裝置包括與得自紐澤 西州新布朗司威克的麥克麥司特卡爾的冷卻水系統、或與 自行包圍式再循環液體冷卻器配合使用之熱交換器。用於 從液體移除熱量之熱電模组可附接至捕獲器15表面且可購 自加州范奴的ΙΝΒ產品公司。 在臭氧移除之後,失效的電鍍溶液通過譬如吸收濾、器及/ 或床等一或多個有機清除器裝置以移除已氧化種類。清除 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·1„ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522177 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(20 ) 器單元用之一種較佳裝置係爲移除殘留的選定有機物之濾 器,可選用一種針對待移除之有機物質(利用超過濾、斥水 性/親水性或其他裝置而依據電荷、尺寸排除),或選用一種 依需要移除所有殘留有機物質之裝置。此濾器可爲一個碳 、活性碳或焦碳濾器,譬如得自康州橘郡的Κχ工業L p的 擠製碳濾、器或得自新罕布什爾的梭非德的飛伯丁公司之碳 濾恭(熱結合碳粒子及聚合纖維之基體)。本發明亦可採用其 他預定移除或清除有機組份之濾器。並且,可使用一種含 有一複合纖維基體之纖維性結構以固定活性碳或修改的樹 脂,此技術亦得自北卡州夏洛特的AQF技術LLC (美國專利 5’486,4 10號)。聚偏氟乙烯基礎的超過濾薄膜係得自麻州貝 福德的密尼布公司之切線流動過濾裝置。 若對於π除备單元選用一個床,則較佳使用陽離子與陰 離子樹脂粒子之一個混合床。一或多個床較佳亦包含部份 或所有活性碳或焦碳以移除譬如氯離子等任何非離子性種 類。樹脂較佳爲色譜法用之陰離子與陽離子交換樹脂。另 外,特別在僅移除選定的有機物時,可使用含有配位體的 媒體及其他此種高選擇性物質,以確保實際上僅移除所需 移除的有機物。 在移除殘留的有機分解物質之後,溶液可依需要送到一 個金屬離子移除階段。經由移除一或多個金屬離子雜質來 、、屯化失政的屯鍍落液時可包含譬如密尼布的 技術之褶鈹濾匿,其中包含一個離子交換樹脂及/或配位體 以移除譬如鐵等—或多個金屬離子雜質。另外,上述得自 --------^--.---— ln^__wi . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 522177 A7 B7 五、發明說明( 21 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AQF技術LLC的纖維性結構可用於固定功能性樹脂以移除一 或多個金屬雜質,此樹脂的範例可得自愛克龍工業,愛克 龍的Diph〇mx⑧樹脂特別設計用於從酸性銅電鍍溶液中二除 鐵離子。 .、 譬如選擇性電鍍一或多個金屬離子雜質之其他技術可用 於純化失效的電鍍溶液。另外,所處理溶液的電滲析可用 於移除一或多個金屬陰離子或陽離子雜質。 在離子交換樹脂之後或相配合處,可包括用以移除任何 齡物之遽器,可包括微孔性遽器,譬如得自麻州貝福德 的密尼布公司之親水性及斥水性UPE、pTFE PTFE微孔性濾、器。 所有以上實施例的目標均爲從劣化的電鍍添加物移除選 定的一或多種有機冷染物,並減少其他不良物質譬如鐵及/ 或氣離子或顆粒,並回收已清理的流體以供重覆使用而非 拋棄。系統抵達新溶液程度的能力取決於數項因素:包括 初始的一或多個有機污染物値、任何預處理、紫外光波長 及強度、溶液溫度、所導入的化學氧化劑濃度及氧化區域的停留時間。 爲顯示本發明之新方法及系統而提供下列範例,但可瞭 解這些範例僅爲示範性質而未必限制本發明。 範例1 圖1顯示一個來自系統的反應器在出現銅離子情形之下從 一銅電鍍落液移除電鍍添加物,以一個總有機碳分析器及 一個臭氧氣體監測器來監測氧化程序狀態。將含有得自紐 請 訂 聲 -24- 522177 A7 B7 22 五、發明說明( 澤西州玻哥大的日光系統公司400瓦特中等壓力汞弧燈的之 一個水冷卻覆套石英管置放在得自紐澤西州凡蘭的ACe玻 璃的一個3升玻璃反應器中心處,以得自麻州華本的愛司特 克思公司的AX8400臭氧產生器經由一個陶瓷噴佈器將臭氧 氣體供應至反應器中的溶液,將得自麻州尼德漢的IN USA 公司的一個臭氧氣體監測器連接至反應器氣體出口 26並連 同總碳分析器作爲氧化反應狀態之終點監測器。 製備pH値約0.5每升約含70克硫酸銅並包含約45 ppm總有 機碳濃度的電鑀添加物之兩升溶液,並裝入反應器中,然 後和15 X)重里的臭氧氣體1佈入含有電艘添加物之硫酸銅溶 液中,令400瓦特紫外燈發光,且用紫外燈的發熱及熱交換 器的冷卻效果將溶液溫度控制在70°C。 氧化程序的結果顯示於圖5,圖5的結果顯示:本發明的 系統及方法能減少在溶液中出現銅離子情形之下的有機電 鍍添加物濃度。如圖5所示,臭氧氣體濃度監測器之反應係 測量氧化程序期間之臭氧氣體消耗。氧化程序完成時,臭 氧氣體濃度回到約15%重量之進給氣體濃度,此結果顯示臭 氧氣體濃度監測器可有效作爲反應器中氧化程序狀態之測 量方式。 範例2 圖1顯示以一個來自系統的反應器在出現銅離子情形之下 以臭氧氣體及過氧化氫自一銅電鍍溶液移除高濃度的電錢 添加物’利用一個總有機碳分析器及一個臭氧氣體監測哭 來監測氧化程序的狀態。將含有得自紐澤西州玻哥大的日 25 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ▼-裝---·------訂 i _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 錚 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522177 A7 B7 23 五、發明說明( 光系統公司400瓦特中等壓力汞弧燈的之一個水冷卻覆套石 英管置放在得自紐澤西州凡蘭的ACE玻璃的一個3升玻璃反 應备中心處’以得自麻州華本的愛司特克思公司的AX8400 臭氧產生裔經由一個陶瓷喷佈器將臭氧氣體供應至反應器 中的落液’將得自麻州尼德漢的IN USA公司的一個臭氧氣 體監測器連接至反應器氣體出口 26並連同總碳分析器作爲 氧化反應狀態之終點監測器。 製備pH値約爲1且每升約含有125克硫酸銅並包含約1450 PPm總有機碳濃度的電鍍添加物之兩升溶液,並裝入反應器 中’知传自又需蘭化學公司的180毫升30%重量的過氧化氨 加入溶液中,然後將15%重量濃度之臭氧氣體噴佈入含有電 鍍添加物之硫酸銅溶液中。令4〇〇瓦特紫外燈發光,且利用 紫外燈的發熱及熱交換器的冷卻效果將溶液溫度控制在7〇 °C。 氧化程序的結果顯示於圖6。90分鐘之後,總有機碳濃度 降低86% ; 180分鐘之後,總有機碳濃度降低98%。圖6的結 果顯示:本發明的系統及方法能減少在溶液中出現銅離子情 形下的有機電鍍添加物濃度。如圖6所示,臭氧氣體濃度監 測器之反應係測量氧化程序期間之臭氧氣體消耗。當氧化程 序完成時,臭氧氣體濃度回到約15%重量之進給氣體濃度。 範例3 圖1顯示以一個來自系統的反應器在出現銅離子情形之下 以臭氧氣體、過氧化氫、及碳過濾自一銅電鍍溶液移除電 鍍添加物,利用一個總有機碳分析器及一個臭氧氣體監測 -26. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------訂---------#. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522177 A7 B7________ 五、發明說明(24 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 器來監測氧化程序的狀態。將含有得自紐澤西州玻哥大的 曰光系統公司400瓦特中等壓力汞弧燈的之一個水冷卻覆套 石英管置放在得自紐澤西州凡蘭的ACE玻璃的一個3升玻璃 反應器中心處,以得自麻州華本的愛司特克思公司的 AX8400臭氧產生器經由一個陶瓷噴佈器將臭氧氣體供應至 反應器中的溶液,將得自麻州尼德漢的IN USA公司的一個 臭氧氣體監測器連接至反應器氣體出口。將得自康州橘郡 的KX工業L.P.的碳濾器連接至反應器出口,已氧化溶液則 泵輸過濾器,總碳分析器作爲程序狀態之終點監測器。 製備pH値約爲1且每升約含有125克硫酸銅並包含約2250 ppm總有機碳濃度的電鍍添加物之兩升溶液,並裝入反應器 中,將得自艾需蘭化學公司的180毫升的過氧化氫加入溶液 中,然後將15%重量濃度之臭氧氣體噴佈入含有電鍍添加物 之硫酸銅溶液中。令400瓦特紫外燈發光,且利用紫外燈的 發熱及熱交換器的冷卻效果將溶液溫度控制在70。(3。9〇分 鐘之後,從反應器移除溶液並泵輸通過碳濾器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 程序結果顯示於圖7。在90分鐘之後,以氧化程序將總有 機碳濃度從2250 ppm降至245 ppm,碳過濾則進一步將總有 機碳濃度從245 ppm降至11 ppm。圖7結果顯示··本發明的 系統及方法犯減少在〉谷液中出現銅離子情形下的有機電名戶 添加物濃度。 範例4 圖1顯示以一個來自系統的反應器在出現銅離子情形之下 以臭氧氣體及碳過濾於線上連續程序自一銅電鍍溶液移除 •27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 522177 A7
五、發明說明(25 ) 電鍍添加物,利用一個總有機碳分析器來監測氧化程序的 狀態。以兩個3升Teflon⑧PFA容器作爲反應器且互相並聯, 各個反應器容納一個石英管,其中設有得自紐澤西州玻哥 大的日光系統公司400瓦特中等壓力采孤燈。以一股氮氣流 冷部石英管’使用一個具有Teflon⑧齒輪之齒輪泵將液體系 輸過反應器。以得自麻州華本的愛司特克思公司的Αχ84〇〇 臭氧產生器經由各反應器中的一個陶瓷噴佈器將臭氧氣體 供應至各個反應器,將得自麻州尼德漢的爪USA公司的_ 個臭氧氣體監測器連接至反應器氣體出口。一個3升的第三 Teflon⑧PFA反應器容器係連接至第二反應器出口,且一股 氮氣流及一個25瓦特254毫微米紫外燈可在碳過遽之前從已 處理溶液移除臭氧。一個得自康州橘郡的KX工業L.P.的碳 濾、器係連接至最後的反應器出口,已氧化溶液則泵輸過遽 器,在碳過濾之後的已處理溶液樣本之總碳分析則作爲氧 化程序狀態之終點監測器。 將pH値約爲0.5且每升約含有70克硫酸銅並包含約5〇 ppm 總有機碳濃度的電鍍添加物之溶液連續進給入反應器中。 在前兩個反應器中,將15%重量濃度之臭氧氣體噴佈入含有 電鍵添加物之硫酸銅溶液及含銅離子的溶液中。令4〇〇瓦特 紫外燈發光,且利用紫外燈的發熱將溶液溫度控制在9〇°c。 程序結果顯示於圖8。進給溶液的總有機碳濃度介於48至 70 ppm之間。不論有機碳的進給濃度如何,本發明的系統 及方法均能在溶液中出現銅離子情形下以氧化及碳過遽將 有機電鍍添加物濃度的進給濃度降至小於1 〇 ppm。 -28 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ,裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -------0. 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製
Claims (1)
- 2 4六、申請專利範圍 2. 3 4. 5. 6. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 二種自-笔鍍池回收失效流體之系統,包含一電鍍池的 個出口;從該電鍍池連接至該出口之一或多個氧化 凡,各該氧化單元耦合至一或多個受控制的能量源;及 當通過該氧化單元時導向該電鍍池的流體之化學氧化, ,用以分解-或多個選定的姆亏染物;一或多個咸; 斋,用以感測氧化反應的狀態;一個捕獲器,用以從該 流體㈣化學氧化劑及熱能;—個清除器,用以移除= 機物及無機物及其殘留物,·及來自該系統之一個出口、。 如申請專利範圍第!項之系統,其中來自該系統的出口係 連接至-個人口,其中該人口係附接至選自該電錢池及 一分離的儲槽中之一個流體儲存單元。 如申請專利範圍第1項之系統,其中該清除器進_步移除 鼠離子。 丨、 如申請專利範圍第1項之系統,進一步包含一個無機的移 除系統,以移除一或多個有害金屬離子及陰離子,該無 機的移除系統安裝在該捕獲器下游處。 如申請專利範圍第1項之系統,其中來自該系統的出口係 前往一個分離的儲槽的一入口。 如申請專利範圍第1項之系統,其中來自該系統的出口在 送往該入口之前先送往一化學添加物補充階段。 一種用於自一電鍍池回收失效流體之方法,包含以下步 驟:提供自一電鍍池前往一或多個氧化單元之一個導管 ,該等單元包含一或多個受控制的能量源及化學氧化劑 ;將一失效的電鍍池供應至該氧化單元;使該失效的電 --------^,------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -29 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公董) 522177 A8 B8 C8 D8 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 鏡池暴露於該一或多個能量源及該一或多個氧化單元内 的氧化劑,以由一個感測器決定降低該流體中之—或多 個選定的有機污染物;自該流體移除該熱能、化學氧化 劑及已氧化有機物;並使該流體回到該電鍍池。 8·如申请專利範圍第1項之系統,其中該一或多個氧化單元 包含一個觸媒,以對於該一或多個選定的有機污染物加 強該一或多個受控制能量源之氧化反應。 9·如申請專利範圍第1項之系統,其中可使用位於該氧化單 π上游之一個預濾器以降低送到該氧化單元的物質値, 其中孩物質選自一或多個選定的有機污染物及顆粒物 質。 10.如申請專利範圍第丨項之系統,其中使用一個油布或吸收 墊,以降低送到該氧化單元的有機物質値。 U.如=請專利範圍第i項之线,其中來自㈣統的出口係 傳送到該電鍍池的入口,該清除器進一步移除氯離子, 進步包含:一個無機的移除系統,以移除一或多個有 :金屬離子及陰離子;以及一個預濾器,安裝在該氧化 單元上游以移除顆粒物。 12.如申請專㈣圍第β之系統,纟中利用紫外線破壞未使 用的氧化劑。 如申Μ專利圍第1項之系統,其中以選自床與遽器型式 的一觸媒物質來移除未使用的氧化劑。 如申巧專利範圍第1項之系統,其中利用選自吸收濾器與 吸收來型式〈一個有機清除器,來移除該一或多個已氧 -30- 297¾) (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 裝 訂 ------- ^2177申請專利範圍 其中與該一或多個已氧化 其中利用陰離子及/或陽 其中利用一個含有離子交 化的有機物。 如申清專利範圍第【項之系統, 、隹妒 τ〜用&目石灭、活性碳 移::、=多個修改的樹脂之一個有機清除器,來 妙k邊一或多個已氧化有機物。 16. ==利範園J1項之系統,其中利用-個有機的清除 ;以固:已氧化有機物,並使用-個纖維基 _以固定該有機清除器媒體。 17. 如申請專利範圍第1項之系統: 有機物一起移除氯離子。 8.如申4專利範圍第1項之系統 離子又換樹脂來移除氯離子。 1 9.如申請專利範圍第1項之系統, 換樹脂的褶皺隸,來移除一或多個金屬離子°雜^ 2〇.請專利範圍第!項之系統,其中利用離子特定樹脂, 來壤擇性移除一或多個金屬離子雜皙。 2丨申請專利範圍請之系統,其中以用於固定功能性樹 曰〈個纖維性結構中所含的離子特定樹脂,來選 移除一或多個金屬離子雜質。 A如申請專利範圍第巧之系統,其中經由選擇性電鍍出— 或多個金屬離子雜質,以移除一或多個金屬離子雜質。 23. 如申請專利範圍第β之系統,其中在已經移除—或多個 有機物及-或多個金屬離子雜質之後,使用滤器移除顆 粒物。 24. 如申請專利範圍第β之系統,其中經由自一孔狀中空纖 ------------_裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----------線4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 - 522177(請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) t —中空管及一平板聚合性薄膜所選出之一或多個薄 吴構成的—個薄膜裝置使該液體與該臭氧氣體相接觸, 而將臭氧導入該氧化系統中。 :叫專利範圍第1項之系統,其中經由一個薄膜接觸器 使孩液體與該臭氧氣體相接觸,而將臭氧導入該氧化系 統中。 26. ^請專利範圍第i項之系、统,其中以孔狀或溶狀pTFE 树月曰、或陶瓷、或燒結金屬擴散器導入臭氧。 27. 如申請專利範園第巧之系統,其中以靜態混合器與氣體 噴射器之組合導入臭氧。 28. 如申請專利範圍第丨項之系統,進一步包含安裝在該系統 内之一個氧化終點感測器,以偵測該氧化處理的終點。 29. 如申凊專利範圍第28項之系統,其中使用該氧化終點感 測器以當偵測到該氧化程序完成之後控制並停止該氧化 程序。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 30. 如申請專利範圍第丨項之系統,進一步包含安裝在該系統 内的一個氧化終點感測器以偵測該氧化處理的終點,該 終點偵測器係選自:氧化還原計、非散佈性紅外線二氧 化碳偵測器、紅外線及紫外線/可見光分光光度偵測器、 黏度計、總有機碳(TOC)分析器、週期性電量剝除分析 器、氧化還原電位感測器、離子選擇性感測器、氣體與 液體臭氧濃度偵測器、氣體與液體感測器包括石英微平 衡與表面聲波吸收型、傳導性感測器、表面張力分析器 、折射率偵測器、高性能液體色譜法及氣體色譜法。 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 522177 A8 B8 C8 -------^_ _ 六、申請專利範圍 31·如申請專利範圍第1項之系統,其中該系統用之氧化劑可 單獨使用或組合使用並選自下列各物:過氧化氫、臭氧 氣m、氧氣、過二硫酸及其鹽、過單硫酸神及其混合物。 32. 如申請專利範圍第1項之系統,其中該等能量源可單獨使 用或組合使用並選自下列各物··電能量源、熱能量源、 聲能量源、微波能量源、電磁能量源、及以上組合。 33. 如申請專利範圍第丨項之系統,其中藉由選自溶劑、液體 氧化劑、及水等一個稀釋流體的蒸發,可使通過該溶液 的一股受控制氣體流的噴佈維持該流體的濃度。 34. 如申請專利範圍第1項之系統,其中在注入該流體之前先 加熱該氧化劑氣體並用以加熱該流體、控制液體蒸發、 並加速氧化。 3 5.如申請專利範圍第1項之系統,其中一股受控制氣體流噴 佈通過該溶液而從該溶液移除揮發性酸性卣化物。 裝--------訂—------- (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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---|---|---|---|
US09/578,388 US6391209B1 (en) | 1999-08-04 | 2000-05-25 | Regeneration of plating baths |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI795737B (zh) * | 2020-03-04 | 2023-03-11 | 奧地利商奧特斯奧地利科技與系統技術有限公司 | 用於處理電路板和/或基板製造的含金屬鹽介質的方法 |
TWI820131B (zh) * | 2018-05-09 | 2023-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 電鍍系統及用於去除電鍍系統內的含錫陰極電解液的銅汙染物之方法 |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7192523B2 (en) * | 1996-12-17 | 2007-03-20 | Global Biosciences, Inc. | Methods for treating agricultural waste and producing plant growth-enhancing material |
US20030201227A1 (en) * | 1996-12-17 | 2003-10-30 | Perriello Felix Anthony | Remediation of odorous media |
US6923914B2 (en) * | 1996-12-17 | 2005-08-02 | Global Biosciences, Inc. | Remediation of metal contaminants with hydrocarbon-utilizing bacteria |
US6835312B2 (en) * | 2001-05-15 | 2004-12-28 | Global Biosciences, Inc. | Method and apparatus for treatment of septic systems with alkane-utilizing bacteria |
US7182871B2 (en) * | 1996-12-17 | 2007-02-27 | Global Biosciences, Inc. | Wastewater treatment with alkanes |
US6669846B2 (en) * | 1996-12-17 | 2003-12-30 | Global Biosciences, Inc. | Wastewater treatment with alkanes |
US6269533B2 (en) * | 1999-02-23 | 2001-08-07 | Advanced Research Corporation | Method of making a patterned magnetic recording head |
US7022211B2 (en) * | 2000-01-31 | 2006-04-04 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
US6496328B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-12-17 | Advanced Research Corporation | Low inductance, ferrite sub-gap substrate structure for surface film magnetic recording heads |
EP1229154A4 (en) * | 2000-03-17 | 2006-12-13 | Ebara Corp | METHOD AND DEVICE FOR ELECTROPLATING |
KR100802810B1 (ko) * | 2000-05-08 | 2008-02-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 액 처리 장치, 액 처리 방법, 반도체 디바이스 제조 방법,반도체 디바이스 제조 장치 |
US6942779B2 (en) * | 2000-05-25 | 2005-09-13 | Mykrolis Corporation | Method and system for regenerating of plating baths |
WO2001096632A2 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | Applied Materials, Inc. | A method and apparatus for conditioning electrochemical baths in plating technology |
JP4488396B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2010-06-23 | オルガノ株式会社 | 廃水処理方法 |
US6569307B2 (en) * | 2000-10-20 | 2003-05-27 | The Boc Group, Inc. | Object plating method and system |
JP2004531640A (ja) * | 2001-02-07 | 2004-10-14 | マイクロリス・コーポレイシヨン | 水性めっき液の脱気方法 |
US7700819B2 (en) | 2001-02-16 | 2010-04-20 | Kci Licensing, Inc. | Biocompatible wound dressing |
US6890414B2 (en) * | 2001-09-04 | 2005-05-10 | The Boc Group, Inc. | Purification system and method |
US6733679B2 (en) * | 2001-11-06 | 2004-05-11 | Intel Corporation | Method of treating an electroless plating waste |
US7138014B2 (en) * | 2002-01-28 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition apparatus |
US6986835B2 (en) * | 2002-11-04 | 2006-01-17 | Applied Materials Inc. | Apparatus for plating solution analysis |
JP4510369B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2010-07-21 | 日本リーロナール有限会社 | 電解銅めっき方法 |
US7205153B2 (en) | 2003-04-11 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Analytical reagent for acid copper sulfate solutions |
US20060141157A1 (en) * | 2003-05-27 | 2006-06-29 | Masahiko Sekimoto | Plating apparatus and plating method |
US20050016857A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-27 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of additives concentration in electroplating baths for interconnect formation |
US20050145498A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-07-07 | Clark James R. | Apparatus and method for treating used electroless plating solutions |
US6942810B2 (en) * | 2003-12-31 | 2005-09-13 | The Boc Group, Inc. | Method for treating metal-containing solutions |
DE102004021260B4 (de) * | 2004-04-30 | 2009-12-31 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren für eine erhöhte Badlebensdauer in einem Einzelbadplattierungsverfahren |
KR100601490B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-07-18 | 삼성전기주식회사 | 스택형 비아홀 충전 동도금액의 재생 처리방법 |
ITMI20041966A1 (it) * | 2004-10-15 | 2005-01-15 | Sea Marconi Technologies Sas | "processo per la degradazione e/o detossificazione di cantaminanti chimici e biologici" |
DE102004061255B4 (de) * | 2004-12-20 | 2007-10-31 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren für den kontinuierlichen Betrieb von sauren oder alkalischen Zink- oder Zinklegierungsbädern und Vorrichtung zur Durchführung desselben |
US7631652B2 (en) * | 2005-01-07 | 2009-12-15 | Archer Jr Harry L | Flush rinse apparatus for electroplating operations |
JP4753197B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-08-24 | 奥野製薬工業株式会社 | めっき浴の調整方法 |
US7851222B2 (en) * | 2005-07-26 | 2010-12-14 | Applied Materials, Inc. | System and methods for measuring chemical concentrations of a plating solution |
ES2698205T3 (es) * | 2005-11-25 | 2019-02-01 | Macdermid Enthone Inc | Procedimiento y dispositivo para la purificación de soluciones de proceso |
DE102007036651A1 (de) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | A.C.K. Aqua Concept Gmbh Karlsruhe | Prozessrecycling galvanischer Bäder |
FR2932270B1 (fr) * | 2008-06-06 | 2010-07-30 | Millipore Corp | Methode et dispositif de mesure de la purete d'une eau ultrapure |
KR102178191B1 (ko) | 2008-09-02 | 2020-11-13 | 머크 밀리포어 리미티드 | 크로마토그래피 막, 이를 포함하는 장치 및 이의 이용방법 |
FR2935800B1 (fr) * | 2008-09-09 | 2010-11-19 | R & I Alliance | Procede et dispositif de detection de fuites dans une conduite de liquide souterraine, notamment une conduite d'eau |
US20100320081A1 (en) | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Mayer Steven T | Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
CN102781846B (zh) | 2009-06-29 | 2015-04-08 | 普罗特高公司 | 电化学处理废水的设备和方法 |
CN101805083A (zh) * | 2010-03-26 | 2010-08-18 | 南通市申海特种镀饰有限责任公司 | 一种从电镀废水中回收贵金属的工艺方法 |
CN102120663B (zh) * | 2011-03-29 | 2012-07-04 | 北京惟泰安全设备有限公司 | 一种焦化废水深度处理系统及处理工艺 |
CA2836460C (en) | 2011-05-17 | 2021-09-21 | Natrix Separations Inc. | Methods of using a fluid treatment device |
US9421617B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-08-23 | Tel Nexx, Inc. | Substrate holder |
US9117856B2 (en) | 2011-07-06 | 2015-08-25 | Tel Nexx, Inc. | Substrate loader and unloader having an air bearing support |
JP5802483B2 (ja) * | 2011-08-25 | 2015-10-28 | 株式会社キッツ | メッキ処理工程の水処理装置とメッキ処理工程の水処理方法 |
CN102787345B (zh) * | 2012-08-02 | 2015-01-28 | 华夏新资源有限公司 | 表面处理化学铜制程清洗液中铜的循环利用系统 |
KR20140075636A (ko) * | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 전기충진 진공 도금 셀 |
US9613833B2 (en) | 2013-02-20 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
CN104058530A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-09-24 | 宁波大学 | 增强了触媒拦截的大容量光催化废水降解装置 |
GB2529040A (en) * | 2014-08-06 | 2016-02-10 | Greenthread Ltd | Apparatus and method for water treatment |
US20160108301A1 (en) * | 2014-10-16 | 2016-04-21 | Hudson Gencheng Shou | High-efficiency coolant for electronic systems |
CN106868577B (zh) * | 2015-05-12 | 2018-06-08 | 江苏理工学院 | 减少污染的超临界复合电铸体系回收利用装置 |
EP3133175A1 (en) * | 2015-08-19 | 2017-02-22 | Enthone, Inc. | System and process for recovering catalytic precious metal from aqueous galvanic processing solution |
CN106087031A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-11-09 | 胜宏科技(惠州)股份有限公司 | 一种去除电镀液中有机物的方法 |
WO2018030844A1 (ko) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | 한국과학기술원 | 탄소질 구조체 및 이의 제조방법, 상기 탄소질 구조체를 포함하는 전극 재료 및 촉매, 상기 전극 재료를 포함하는 에너지 저장 디바이스 |
CN106153593A (zh) * | 2016-09-22 | 2016-11-23 | 常州罗盘星检测科技有限公司 | 可加药的水质监测装置 |
CN106474785A (zh) * | 2017-01-03 | 2017-03-08 | 东莞市友立金属处理材料有限公司 | 一种双桶活性炭处理过滤机 |
JP6299912B1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-03-28 | 栗田工業株式会社 | pH及び酸化還元電位を制御可能な希釈薬液の製造装置 |
CN107777818A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-03-09 | 惠安县泰达商贸有限责任公司 | 加热式工业污水处理系统 |
US10711366B2 (en) | 2017-12-28 | 2020-07-14 | Lam Research Corporation | Removal of electroplating bath additives |
CN109095683A (zh) * | 2018-09-05 | 2018-12-28 | 江苏华洋新思路能源装备股份有限公司 | 一种核电站废水重金属去除装置 |
US11585007B2 (en) | 2018-11-19 | 2023-02-21 | Lam Research Corporation | Cross flow conduit for foaming prevention in high convection plating cells |
JP2022065220A (ja) * | 2019-03-06 | 2022-04-27 | シャープ株式会社 | 海水淡水化装置および海水淡水化方法 |
JP6900975B2 (ja) * | 2019-06-12 | 2021-07-14 | 栗田工業株式会社 | pH調整水製造装置 |
US20220307152A1 (en) * | 2019-06-28 | 2022-09-29 | Lam Research Corporation | Byproduct removal from electroplating solutions |
JPWO2022163866A1 (zh) * | 2021-02-01 | 2022-08-04 | ||
CN114229987A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-25 | 北京化工大学 | 一种平板陶瓷膜催化氧化装置及处理生物难降解废水的工艺 |
CN114605002A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-06-10 | 中山国昌荣电子有限公司 | 一种pcb电镀废水的处理方法与应用 |
TWI818791B (zh) * | 2022-11-02 | 2023-10-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 化學鍍鎳液之處理系統及處理方法 |
KR102627865B1 (ko) * | 2023-07-05 | 2024-01-23 | 주식회사 하이피텍 | 도금 시스템용 스컴 제거장치 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL291575A (zh) | 1962-04-16 | |||
US3770598A (en) | 1972-01-21 | 1973-11-06 | Oxy Metal Finishing Corp | Electrodeposition of copper from acid baths |
US3920547A (en) * | 1974-05-06 | 1975-11-18 | Houston Research Inc | Method of destroying cyanides |
US4110776A (en) | 1976-09-27 | 1978-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor integrated circuit with implanted resistor element in polycrystalline silicon layer |
US4289594A (en) | 1980-05-09 | 1981-09-15 | International Business Machines Corporation | Treatment of waste compositions |
US4512900A (en) | 1983-12-13 | 1985-04-23 | International Business Machines Corporation | Method for treating waste compositions |
US4652352A (en) * | 1985-11-04 | 1987-03-24 | Saieva Carl J | Process and apparatus for recovering metals from dilute solutions |
US4724084A (en) * | 1986-03-28 | 1988-02-09 | The Boeing Company | System for removing toxic organics and metals from manufacturing wastewater |
DE3668914D1 (de) | 1986-04-11 | 1990-03-15 | Ibm Deutschland | Verfahren zur regenerierung eines stromlosen verkupferungsbades und vorrichtung zur durchfuehrung desselben. |
US4792407A (en) | 1986-11-25 | 1988-12-20 | Ultrox International | Oxidation of organic compounds in water |
US4849114A (en) | 1988-02-18 | 1989-07-18 | Ultrox International | Oxidation of toxic compounds in water |
JP2591026B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1997-03-19 | 日本鋼管株式会社 | めっき液中のFeイオン除去方法 |
DE3929137C1 (zh) | 1989-09-01 | 1991-02-28 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | |
US5043080A (en) | 1990-02-26 | 1991-08-27 | Solarchem Enterprises Inc. | Treating contaminated effluents and groundwaters |
US5288373A (en) * | 1990-03-15 | 1994-02-22 | Xinyu Yang | Process of removing cyanide from waste water |
US5290439A (en) | 1992-06-12 | 1994-03-01 | Claus Buchwald | Device for purifying a flow of liquid by means of ultraviolet radiation |
US5272091A (en) | 1992-07-27 | 1993-12-21 | Millipore Corporation | Water purification method and apparatus |
JP2818693B2 (ja) | 1992-11-18 | 1998-10-30 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | 固定された粒子物質を含有する繊維状構造物およびその製造方法 |
DE4241867A1 (de) | 1992-12-11 | 1994-06-16 | Hahnewald Gmbh | Verfahren zur Verlängerung der Nutzungsdauer von Elektrolytlösungen durch Eliminierung organischer Störstoffe |
US5328589A (en) | 1992-12-23 | 1994-07-12 | Enthone-Omi, Inc. | Functional fluid additives for acid copper electroplating baths |
US5417852A (en) | 1993-01-15 | 1995-05-23 | Sun River Innovations, Ltd. | Apparatus for removing contaminants from waste fluids |
KR100240470B1 (ko) * | 1993-04-22 | 2000-01-15 | 에모또 간지 | 주석도금액의회수재생방법 |
US5891402A (en) | 1994-03-02 | 1999-04-06 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Catalyst retaining apparatus and use in an ozone filter |
DE19525509C2 (de) | 1994-07-22 | 1997-10-02 | Lpw Anlagen Gmbh | Anwendung der UV/H¶2¶O¶2¶-Oxidationsbehandlung zur betriebsmäßigen Wiederverwendungs- oder Weiterverwendungsaufbereitung eines Bades für die galvanotechnische Beschichtung von Gegenständen mit metallischen Überzügen |
US5523001A (en) * | 1994-12-30 | 1996-06-04 | At&T Corp. | Treatment of electroless plating waste streams |
US5637231A (en) * | 1995-06-07 | 1997-06-10 | Huron Valley Technology, Inc. | Method and apparatus for using ozone in a pressure vessel to treat stream of pollutants |
CA2197525A1 (en) * | 1996-02-14 | 1997-08-15 | Mahabala R. Adiga | Plating waste water treatment and metals recovery method |
US5868924A (en) | 1997-02-14 | 1999-02-09 | Barnstead/Thermolyne Corporation | Water purifier |
US6024856A (en) | 1997-10-10 | 2000-02-15 | Enthone-Omi, Inc. | Copper metallization of silicon wafers using insoluble anodes |
DE19810859A1 (de) | 1998-03-13 | 1999-09-16 | A C K Aqua Concept Gmbh Wasser | Kombinationsverfahren zur Behandlung eines schäumend eingestellten galvanischen Bads |
-
2000
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Cited By (2)
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TWI820131B (zh) * | 2018-05-09 | 2023-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 電鍍系統及用於去除電鍍系統內的含錫陰極電解液的銅汙染物之方法 |
TWI795737B (zh) * | 2020-03-04 | 2023-03-11 | 奧地利商奧特斯奧地利科技與系統技術有限公司 | 用於處理電路板和/或基板製造的含金屬鹽介質的方法 |
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