DE102004021260B4

DE102004021260B4 - Verfahren für eine erhöhte Badlebensdauer in einem Einzelbadplattierungsverfahren

Info

Publication number: DE102004021260B4
Application number: DE102004021260A
Authority: DE
Inventors: Markus Nopper; Axel Preusse; Matthias Bonkass
Original assignee: Advanced Micro Devices Inc
Current assignee: GlobalFoundries Inc
Priority date: 2004-04-30
Filing date: 2004-04-30
Publication date: 2009-12-31
Anticipated expiration: 2024-05-01
Also published as: US20050241947A1; DE102004021260A1

Abstract

Verfahren zum Betreiben einer Einzelbadplattierungsanlage mit:
einer Prozesskammer (101);
einem Vorratsbehälter (103), der ausgebildet ist, eine Plattierungslösung aufzunehmen und zu halten;
einem Zufuhrsystem (102), das mit der Prozesskammer (101) und dem Vorratsbehälter (103) verbunden und ausgebildet ist, eine justierbare Menge an Plattierungslösung der Prozesskammer (101) zuzuführen; und
einem Aufbereitungssystem (110), das zwischen der Prozesskammer (101) und dem Vorratsbehälter (103) angeordnet ist, und einen Auslassbehälter (111) und einen Aufbereitungsbehälter (113) aufweist, wobei das Verfahren umfasst:
Zuführen einer vordefinierten Menge der Plattierungslösung mit mindestens einem organischen Additiv von dem Vorratsbehälter (103) zu einem Substrat (101a), das in der Prozesskammer (101) angeordnet ist;
Durchführen eines Einzelbadplattierungsprozesses;
Sammeln eines nicht verbrauchten Anteils der Plattierungslösung aus der Prozesskammer (101) in dem Auslassbehälter (111) des Aufbereitungssystems (110);
Wiederaufbereiten des nicht verbrauchten Anteils der Plattierungslösung in dem Aufbereitungsbehälter (113) des Aufbereitungssystems (110); und
Zuführen des nicht verbrauchten, wiederaufbereiteten...

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen das Gebiet der Herstellung integrierter Schaltungen und betrifft insbesondere Herstellungsprozesse, die das Aufbringen von Plattierungslösungen auf die Oberfläche eines Substrats beinhalten, wobei jedes Substrat mit einer vordefinierten Menge eines Elektrolyts beaufschlagt wird, das dann unmittelbar abgeführt wird, um im Wesentlichen gleichförmige Prozessbedingungen für jedes Substrat aufrecht zu erhalten.
In einer integrierten Schaltung werden eine große Anzahl von Schaltungselementen, etwa Transistoren, Kondensatoren, Widerstände und dergleichen, in oder auf einem geeigneten Substrat typischerweise in einer im Wesentlichen ebenen Konfiguration gebildet. Eine wichtige Prozessphase während der Herstellung integrierter Schaltungen ist der Bereich der Herstellung metallenthaltender Gebiete auf einem Substrat durch nasschemische Prozesse, etwa das Plattieren. Auf Grund der großen Anzahl an Schaltungselementen und der erforderlichen komplexen Struktur der integrierten Schaltungen können im Allgemeinen die elektrischen Verbindungen der einzelnen Schaltungselemente nicht in der gleichen Ebene eingerichtet werden, auf der die Schaltungselemente hergestellt werden, sondern es sind eine oder mehrere weitere „Verdrahtungs-”Ebenen erforderlich, die auch als Metallisierungsschichten bezeichnet werden. Diese Metallisierungsschichten enthalten typischerweise Metallleitungen, die die elektrische Verbindung innerhalb der Schicht herstellen, und enthalten ferner mehrere Zwischenschichtverbindungen, die auch als Kontaktdurchführungen bezeichnet werden, wobei die Metallleitungen und die Kontaktdurchführungen auch gemeinsam als Verbindungsstruktur bezeichnet werden. Des weiteren wird die Verbindung der integrierten Schaltung oder Teilen davon mit der Peripherie überlicherweise durch eine Vielzahl von Kontaktflächen bewerkstelligt, die in technisch hoch entwickelten Bauelementen sogenannte Lothöcker aufweisen, die eine direkte Verbindung mit entsprechenden Bereichen eines Gehäusesubstrats mittels Wiederverflüssigung der Lothöcker ermöglichen.
Zwei häufig angewendete Techniken zum Abscheiden eines Metalls auf einem Substrat sind das Elektroplattieren und das stromlose Plattieren. Im stromlosen Plattierungsprozess kann ein katalytisches Material aufgebracht werden, bevor die metallenthaltende Lösung mit der Substratoberfläche in Kontakt gebracht wird. Beim Elektroplattierungsprozess ist eine Stromverteilungsschicht, die manchmal als eine Saatschicht bezeichnet wird, erforderlich, um die spezifizierten Substratgebiete, die ein Metall erhalten sollen, elektrisch mit einer externen Stromquelle verbinden, so dass die metallenthaltende Lösung, die mit den spezifizierten Gebieten in Kontakt ist, chemisch reduziert und als ein Metall abgeschieden wird. Typischerweise wird der Plattierungsprozess in einer Plattierungsanlage mit einer Plattierungskammer ausgeführt, in der das Substrat mit der Plattierungslösung in Kontakt gebracht wird. Obwohl einfache Badreaktoren für diesen Zweck verwendet werden können, so zeigt es sich, dass für anspruchsvollere Anwendungen ein Brunnen-Typ-Reaktor die bevorzugte Anlage für das Plattieren von Metall auf ein Substrat ist. Im Allgemeinen umfasst eine Plattierungsanlage des Brunnentyps eine Prozesskammer und davon getrennt einen Vorratsbehälter, der die Plattierungslösung enthält, die dann mittels eines Leitungssystems zu der Prozesskammer zugeführt wird. In der Prozesskammer wird die Plattierungslösung auf das Substrat aufgebracht, das mit seiner zu prozessierenden Oberfläche so angeordnet ist, um dem Elektrolytstrom zugewandt zu sein, wobei in gegenwärtig verwendeten Systemen die überschüssige Lösung in den Vorratsbehälter zurückgeführt wird.
In modernen integrierten Schaltungen wird häufig das sogenannte Damaszener-Verfahren bei der Herstellung von Metallisierungsschichten angewendet, insbesondere, wenn Kupfer und Kupferverbindungen benutzt werden, da Kupfer nicht in effizienter Weise abgeschieden und strukturiert werden kann durch gut etablierte Prozesstechniken, etwa die chemische Dampfabscheidung (CVD) und anisotrope Ätzprozesse. Somit erscheinen die Plattierungstechniken die geeigneten Prozesse zum Füllen eines auf Kupfer basierenden Metalls in Kontaktdurchführungen und Gräben zu sein, die in einem geeigneten dielektrischen Zwischenschichtmaterial gebildet sind. Obwohl nass-chemische Abscheideverfahren für Kupfer und Kupferverbindungen auf dem Gebiet der Herstellung gedruckter Leiterplatten gut etabliert sind, so ist dennoch das zuverlässige und reproduzierbare Auffüllen von Kupfer in Kupferverbindungen in Kombination mit einer vorhergehenden Abscheidung sehr dünner Barrierenschichten eine äußerst komplexe Aufgabe, die beispielsweise erfordert, dass Kupfer und Kupferverbindungen in Kontaktdurchführungen mit Abmessungen von 0,1 μm oder sogar weniger bei einem Aspektverhältnis von 5 und größer abgeschieden wird. Daher ist auf einem lokalen Maßstab ein äußerst nicht konformer Abscheideprozess erforderlich, um die Kontaktdurchführungen und Gräben von der Unterseite zur Oberseite hin aufzufüllen, wobei gleichzeitig eine ausgezeichnete gleichförmige globale Abscheiderate erforderlich ist, um Fluktuationen über das Substrat hinweg zu minimieren. Folglich kann die sich ergebende Gleichförmigkeit der abgeschiedenen Metallschicht und/oder deren Qualität in Bezug auf das erwünschte Fehlen von Hohlräumen in Kontaktdurchführungen und Gräben deutlich von der Zusammensetzung der Plattierungslösung und von der Art und Weise, wie die Plattierungslösung auf das Substrat aufgebracht wird, abhängen. Beispielsweise sind mehrere sensible Additive, zu meist organische Verbindungen, in einer Plattierungslösung enthalten, um das geforderte Abscheideverhalten und die Metalleigenschaften zu erzielen, d. h. sogenannte Aufheller, Nivellierer und Suppressoren sind u. a. mit einer Plattierungsbasislösung gemischt. Typischerweise sind einige dieser Additive äußerst instabil und können leicht mit anderen Komponenten, etwa Sauerstoff, reagieren, so dass das „Altern” dieser instabilen Produkte zu einer Änderung der Prozessbedingungen führen kann, wenn nichtverbrauchte Plattierungslösung kontinuierlich in den Vorratsbehälter der Plattierungsanlage zurückgeführt wird, da selbst eine geringe Verschiebung bei der Zusammensetzung der Plattierungslösung deutlich die lokale Abscheiderate beeinflussen und damit die Gesamtlebensdauer des Plattierungsbades begrenzen kann.
Es wurde daher vorgeschlagen, ein sogenanntes Einzelanwendungsverfahren für anspruchsvolle Anwendungen anzuwenden, etwa für die Kupferabscheidung für integrierte Schaltungen der 65 nm- oder 45 nm-Technologie. In diesen Einzelanwendungsverfahren wird ein vordefiniertes Volumen der Plattierungslösung der Prozesskammer zugeführt und wird nach Beendigung des Plattierungsprozesses des einzelnen Substrats entsorgt. Da die nicht verbrauchte Plattierungslösung entsorgt anstatt in den Vorratsbehälter zurückgeführt wird, wird der negative Einfluss der flüchtigen Produkte, Nebenprodukte und dergleichen auf die verbleibende Plattierungslösung reduziert, da dann ein Zerfall der sensiblen Additive im Wesentlichen in der Prozesskammer während des Plattierungsprozesses stattfindet. Somit können die Prozessbedingungen für die nachfolgenden Substrate gleichförmiger im Vergleich zu dem zuerst beschriebenen Vorgehen beibehalten werden. Jedoch zieht das Einzelanwendungsverfahren deutlich erhöhte Betriebskosten auf Grund der beträchtlichen Mengen teurer verbrauchter Chemikalien und auf Grund des Prozesses zum Entsorgen und/oder Aufbereiten oder Behandeln größerer Mengen giftiger Abfallprodukte nach sich.
Die Druckschrift US 2002/0153254 A1 offenbart ein Verfahren und ein System zum Regenerieren von Plattierbädern für Mehrfachanwendungen. Die nicht verbrauchte Plattierlösung kann in ein Reservoir zurückgeführt und anschließend wieder aufbereitet werden.
Angesichts der zuvor erläuterten Situation besteht ein Bedarf für eine effiziente Technik für Einzelbadverfahren, die dazu beträgt, eines oder mehrere der zuvor beschriebenen Probleme zu vermeiden oder deren Wirkung zumindest deutlich zu verringern.
ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
Im Allgemeinen richtet sich die vorliegende Erfindung an ein Verfahren zum Plattieren von Substraten gemäß dem Einzelanwendungsverfahren, wobei eine vordefinierte Menge einer Plattierungslösung einem einzelnen Substrat zugeführt wird, wobei eines oder mehrere der zuvor erkannten Probleme vermieden oder zumindest verringert werden können, dahingehend, dass die Plattierungslösung aus der Prozesskammer nach Beendigung des Plattierungsprozesses für das einzelne Substrat abgeführt, wieder aufbereitet und dann mit einem weiteren Substrat wieder verwendet wird.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird durch das Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
Weitere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind in den angefügten Patentansprüchen definiert und gehen deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung hervor, wenn diese mit Bezug zu den begleitenden Zeichnungen studiert wird; es zeigen:
1a schematisch eine grundlegende anschauliche Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die ein Wiederaufbereitungssystem zum Wiederaufbereiten von Plattierungslösung umfasst, die aus einer Prozesskammer abgeführt wird;
1b und 1c schematisch weitere anschauliche Ausführungsformen einer Plattierungsanlage mit einem Wiederaufbereitungssystem; und
2 schematisch eine Plattierungsanlage gemäß einer weiteren anschaulichen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, in der eine Steuereinheit zum Steuern des Betriebs des Wiederaufbereitungssystems auf der Grundlage von Messergebnissen vorgesehen ist.
Mit Bezug zu den Zeichnungen werden nunmehr weitere anschauliche Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung detaillierter beschrieben. Es sollte beachtet werden, dass die vorliegende Erfindung besonders vorteilhaft in Verbindung mit Kupferplattierungsanlagen ist, da anspruchvolle moderne integrierte Schaltungen Metallisierungsschichten äußerst größenreduzierten Metallleitungen und Kontaktdurchführungen aufweisen, die sehr leitfähige Metalle, etwa Kupfer und Kupferlegierungen erfordern. Auf Grund der reduzierten Strukturgrößen kann daher selbst eine sehr subtile Änderung der Prozessbedingungen deutlich die Eigenschaften der Metallleitungen und Kontaktdurchführungen beeinflussen; daher wird eine vordefinierte Menge einer Plattierungslösung zugeführt, vorteilhafterweise für jedes einzelne zu bearbeitende Substrat, wobei abgeführte Plattierungslösung gesammelt und wieder aufbereitet wird für die Verwendung mit nachfolgenden Substraten, wodurch der Chemikalienverbrauch und das Entsorgen oder Behandeln von chemischen Abfallprodukten deutlich verringert wird. Ferner ermöglicht es die vorliegende Erfindung im Vergleich zu dem konventionellen Vorgehen, in welchem eine frische Plattierungslösung für jedes Substrat zugeführt wird, die Elektrolytbadzusammensetzung gemäß spezifischer Prozesserfordernisse einzustellen, indem beispielsweise selektiv unerwünschte Zerfallsprodukte entfernt werden, wobei gleichzeitig gewünschte Zerfallsprodukte, die während des Prozesszyklusses erzeugt werden, beibehalten werden. Die vorliegende Erfindung kann jedoch auch auf beliebige Plattierungsanlagen und Plattierungsprozesse angewendet werden – unabhängig davon, ob stromlose Plattierungsprozesse oder Elektroplattierungsprozesse betrachtet werden – die Plattierungslösungen aufweisen, die zusätzlich oder alternativ andere Materialien anstelle von Kupfer enthalten, wobei die beteiligten Mikrostrukturen kritische Abmessungen deutlich unter 100 nm aufweisen können, oder wobei die Abmessungen der zu beschichtenden Strukturen deutlich größer sein können. Beispielsweise kann die vorliegende Erfindung wirksam auf Mikrostrukturen und integrierte Schaltungen mit moderaten Strukturgrößen, d. h. weniger kritische Abmessungen im Vergleich zu modernsten Produkten, angewendet werden, wobei der Plattierungsprozess mit einer vordefinierten Menge an Plattierungslösung mit nachfolgendem Wiederaufbereiten nicht verbrauchter Anteile die Produktzuverlässigkeit und die Produktionsausbeute im Vergleich zu konventionellen Verfahren verbessern kann, wobei dennoch die Produktionskosten gering gehalten werden. Ein weiteres Beispiel kann die Herstellung von Lothöckern zur Anbindung an ein entsprechendes Substrat sein, wobei die vorliegende Erfindung zu einer verbesserten Gleichförmigkeit der Lothöcker führen kann, da insbesondere deren Anzahl ständig steigt, während die Größe und die Abstände bei jeder neuen Schaltungsgeneration abnehmen.
1a zeigt schematisch eine Plattierungsanlage 100 gemäß einer anschaulichen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Plattierungsanlage 100 umfasst eine Prozesskammer 101, die ausgebildet ist, ein Substrat 101a aufzunehmen und in Position zu halten, das mit einem geeigneten Metall, etwa einem Metall auf Kupferbasis, zu beschichten ist. Die Prozesskammer 101 ist mit einem Zufuhr- bzw. Versorgungssystem 102 gekoppelt, das wiederum so ausgebildet ist, um eine einstellbare Menge einer Plattierungslösung der Prozesskammer 101 zuzuführen. Zu diesem Zwecke kann eine Dosierpumpe und/oder ein steuerbares Ventilelement (nicht gezeigt), wie sie im Stand der Technik gut bekannt sind, vorgesehen sein, um in justierbarer Weise eine vordefinierte Menge einer Plattierungslösung der Prozesskammer 101 zuzuführen. Das Zufuhrsystem 102 ist mit einem Vorratsbehälter 103 verbunden, der eine Plattierungslösung mit einer geforderten Zusammensetzung enthält. Beispielsweise kann die Plattierungslösung ein Elektrolyt mit einem oder mehreren organischen Additiven repräsentieren, die das geforderte Plattierungsverhalten in Verbindung mit einem spezifizierten Plattierungsprozess gewährleisten. Wie zuvor dargelegt ist, sind in modernsten integrierten Schaltungen Metallisierungen auf Kupferbasis erforderlich, wobei geringe Mengen organischer Additive erforderlich sein können, um einen geeigneten Abscheideprozess zu erzielen. Beispielsweise kann eine Saatschicht auf Kupferbasis für einen nachfolgenden Elektroplattierungsprozess für den Hauptanteil des Metallmaterials mittels eines stromlosen Saatschichtprozesses aufgebracht werden, wobei empfindliche organische Komponenten in die Plattierungslösung mit einer präzise gesteuerten Konzentration eingebracht werden müssen. In anderen Ausführungsformen kann der Vorratsbehälter 103 eine Elektroplattierungslösung auf Kupferbasis beinhalten, wobei z. B. Aufheller, Nivellierer und Suppressoren und dergleichen erforderlich sind, um ein Füllverhalten von unten nach oben sicherzustellen, um damit zuverlässig und im Wesentlichen ohne Hohlräume Kontaktdurchführungen und Gräben aufzufüllen.
Die Prozesskammer 101 ist ferner mit einer Auslassleitung 105 verbunden, die wiederum mit einem Aufbereitungssystem 110 verbunden ist, das mit dem Vorratsbehälter 103 mittels einer Leitung 106 verbunden ist. Das Aufbereitungssystem 110 ist so ausgebildet, um einen nicht verbrauchten Anteil an Plattierungslösung, der von der Auslassleitung 105 zugeführt wird, aufzunehmen, und das System 110 kann ferner so ausgebildet sein, um die nicht verbrauchte Plattierungslösung wieder aufzubereiten, indem beispielsweise mindestens eine nicht gewünschte Komponente in der Plattierungslösung selektiv entfernt wird, wie dies im Weiteren mit Bezug zu 1b detaillierter beschrieben ist.
Während des Betriebs führt die Plattierungsanlage 100 eine vordefinierte Menge einer Plattierungslösung von dem Vorratsbehälter 103 zu der Prozesskammer 101 mittels des Zufuhrsystems 102 zu, wobei die vordefinierte Menge in einer Ausführungsform entsprechend den Prozesserfordernissen einstellbar ist. Beispielsweise kann die vordefinierte Menge der Plattierungslösung von der Substratgröße, der speziellen Substratschicht, die mit einem Metall zu beschichten ist, der Art der herzustellenden Metallschicht, etwa eine Saatschicht oder eine Metallvollschicht und dergleichen abhängen. Ferner ist es bei modernen Halbleiterbauelementen äußerst vorteilhaft, die vordefinierte Menge an Plattierungslösung gemäß einer Ausführungsform für jedes einzelne, in der Kammer 101 zu bearbeitende Substrat zuzuführen. Während und/oder nach dem Plattierungsprozess wird die nicht verbrauchte Plattierungslösung, in der einige Inhaltsstoffe zerfallen können oder chemisch reagieren können, wodurch unerwünschte und gewünschte Nebenprodukte in der nicht verbrauchten Plattierungslösung erzeugt werden, von der Prozesskammer 101 mittels der Auslassleitung 105 abgeführt und dem Aufbereitungssystem 110 zugeführt, in welchem eine oder mehrere unerwünschte Komponenten selektiv von der nicht verbrauchten Plattierungslösung entfernt werden können, indem beispielsweise geeignet gewählte oder eingestellte Filterelemente, etwa Aktivkohlefilter und dergleichen, vorgesehen werden. In anderen Ausführungsformen, wie dies auch detaillierter mit Bezug zu 1b beschrieben ist, können ein oder mehrere organische Additive so behandelt werden, dass diese eine chemische Reaktion ausführen, d. h., das eine oder die mehreren organischen Additive können so behandelt werden, dass diese aufgespalten werden oder dass ein Zerfall davon in Gang gesetzt wird, so dass ein oder mehrere Nebenprodukte dieser Reaktion besser aus der Plattierungslösung im Vergleich zu dem ursprünglichen organischen Additiv entfernt werden können.
In einer Ausführungsform ist das Aufbereitungssystem 110 ferner so ausgebildet, um ein oder mehrere Additive zu ergänzen, um damit eine erforderliche Konzentration des einen oder der mehreren Additive in der wieder aufbereiteten Plattierungslösung vor dem Zuführen der wieder aufbereiteten Plattierungslösung zu dem Vorratsbehälter 103 mittels der Leitung 106 zu erhalten. Folglich enthält der Vorratsbehälter 103, der die wieder aufbereitete Plattierungslösung aufnimmt, die Plattierungslösung entsprechend einem spezifizierten vorgeschriebenen Zustand, wobei die Lebensdauer des Elektrolyts in dem Vorratsbehälter 103 im Wesentlichen unbegrenzt ist, mit Ausnahme der Menge an Lösung, die auf das Substrat aufgebracht wird, während die geringen Konzentrationen der Additive und möglicherweise beliebiger gewünschter Nebenprodukte, die bei dem Abscheideprozess gebildet werden, innerhalb eines spezifizierten Bereichs mittels des Aufbereitungssystems 110 gehalten werden. Somit ist der Betrieb der Plattierungsanlage 100 nicht nur im Hinblick auf den Chemikalienverbrauch und den Aufwand beim Behandeln oder Entsorgen von Abfallprodukten des Plattierungsprozesses vorteilhaft, sondern auch in Hinblick auf das Einstellen der Eigenschaften der Plattierungslösung, da beispielsweise spezielle Nebenprodukte beibehalten werden können, die in einer frischen Plattierungslösung, wie sie typischerweise in Plattierungsanlagen mit Einzelanwendung gemäß dem Stand der Technik verwendet wird, nicht vorhanden sind.
1b zeigt schematisch die Plattierungsanlage 100 gemäß weiterer anschaulicher Ausführungsformen. In einer speziellen Ausführungsform umfasst das Aufbereitungssystem 110 einen Auslassbehälter 111, der mittels einer Leitung 112 mit einem Aufbereitungsbehälter 113 verbunden ist. Der Auslassbehälter 111 ist ferner mit der Auslassleitung 105 verbunden, um die verbrauchte Plattierungslösung aus der Prozesskammer 101 aufzunehmen. Die Leitung 112 kann beliebige geeignete Mittel zum Steuern oder Einstellen des Zuführens der nicht verbrauchten Plattierungslösung zu dem Aufbereitungsbehälter 113 aufweisen. Beispielsweise können zu den geeigneten Mitteln zum Zuführen der Lösung von dem Auslassbehälter 111 zu dem Aufbereitungsbehälter 113, steuerbare Ventilelemente und/oder Pumpen und dergleichen gehören, die der Einfachheit halber in 1b nicht gezeigt sind. Der Auslassbehälter 111 kann eine damit verknüpfte Behandlungseinrichtung 123, etwa eine Ultraviolettstrahlungsquelle und/oder einen Ozongenerator, aufweisen, die so angeordnet ist, dass die nicht verbrauchte Plattierungslösung in dem Ablassbehälter 111 einer Vorbehandlung zum Initiieren eines Zerfalls mindestens eines organischen Additivs unterzogen wird. In anderen Ausführungsformen kann die Behandlungseinrichtung 123 zusätzlich oder alternativ eine Quelle eines oxidierenden Mittels, etwa Schwefelsäure, Wasserstoffperoxid und dergleichen aufweisen, um ein oder mehrere Additive durch Oxidation aufzubrechen oder einen Zerfall zu bewirken.
Der Aufbereitungsbehälter 113 ist so ausgebildet, um die dem Auslassbehälter 111 zugeführte Plattierungslösung tatsächlich wieder aufzubereiten. In einer Ausführungsform kann der Aufbereitungsbehälter 113 mit einer Behandlungseinheit 114a gekoppelt sein, die eine Ultraviolettstrahlungsquelle 114 und/oder einen Ozongenerator 115 und/oder eine Quelle 118 zur Bereitstellung eines oxidierenden Mittels aufweist. In anderen Ausführungsformen kann das Aufbereitungssystem 110 zusätzlich ein Messsystem 116 aufweisen, das so ausgebildet ist, um den Anteil mindestens einer organischen Komponente in der Plattierungslösung in dem Aufbereitungsbehälter 113 zu bestimmen. Beispielsweise kann das Messsystem 116 für Messungen für periodische spannungsbedingte Abstreifvorgänge (CVS) aufweisen, wie sie es im Stand der Technik für das Bestimmen der Konzentration von Additiven in Elektrolytbädern bekannt ist. Das Messsystem 116 kann zusätzlich oder alternativ andere Messeinrichtungen aufweisen, die im Stand der Technik zum Bestimmen von Komponenten und Konzentrationen von Elektrolytlösungen gut bekannt sind. In einer noch weiteren Ausführungsform kann das Aufbereitungssystem 110 ein Messsystem 117 aufweisen, das so ausgebildet ist, um die Konzentration zumindest einer anorganischen Komponente der Plattierungslösung in dem Aufbereitungsbehälter 113 zu bestimmen. Beispielsweise kann das Messsystem 117 mit spektrometrischen Einrichtungen, Autotitrationseinrichtungen, und dergleichen ausgerüstet sein, um ein Maß für eine Konzentration von Fluoriden, Kupfer, Sulfaten oder anderen anorganischen Komponenten der Plattierungslösung in dem Aufbereitungsbehälter 113 zu bestimmen. Des weiteren kann das Aufbereitungssystem 110 ein Filterelement 121 für das selektive Entfernen oder zumindest das Reduzieren mindestens einer spezifizierten Komponente der Lösung in dem Aufbereitungsbehälter 113 umfassen. Z. B. kann das Filterelement 121 in Form eines Aktivkohlefilters vorgesehen sein, um Nebenprodukte einer chemischen Reaktion zu entfernen, die durch die Behandlungseinheit 114a bewirkt wird, d. h. von einem oder mehreren der Einrichtungen 114 und/oder 115 und/oder 118. In anderen Ausführungsformen kann zusätzlich oder alternativ das Filterelement 121 so ausgebildet sein, um selektiv ungewünschte Zerfallsprodukte zu entfernen, während im Wesentlichen gewünschte Zerfallsprodukte beibehalten werden, wobei das Filterelement 121 in Kombination mit einem oder mehreren der Einrichtungen 114, 115 und 118 vorgesehen sein kann oder ohne diese Einrichtungen. In einer speziellen Ausführungsform ist das Filterelement 121 mit einem Teilchenfilter 122 versehen, der ausgebildet ist, Teilchen mit einer Größe über einem spezifizierten Schwellwert zu entfernen. Wie gezeigt kann das Filterelement 121 so angeordnet sein, dass die Lösung in dem Aufbereitungsbehälter 113 wirksam innerhalb des Behälters 113 rezirkuliert wird, was beispielsweise durch einen Umwälzkreislauf oder eine andere geeignete Einrichtung erreicht werden kann, die es ermöglicht, eine Konvektion oder Umwälzung innerhalb des Aufbereitungsbehälters 113 aufrecht zu erhalten. Z. B. kann eine Umwälzpumpe (nicht gezeigt) vorgesehen sein, um kontinuierlich oder zeitweilig die Plattierungslösung in dem Aufbereitungsbehälter 113 umzuwälzen. In anderen Ausführungsformen können eine oder mehrere Dosierpumpen 120 zusätzlich vorgesehen werden, um anorganische Komponenten zuzuführen, etwa Säure, Sulfate, Chloride und dergleichen. Wie ferner in einigen Ausführungsformen dargestellt ist, kann ein Teilchenfilter 125 in der Leitung 106 vorgesehen sein, die den Aufbereitungsbehälter 113 mit dem Vorratsbehälter 103 verbindet, und/oder es kann ein Teilchenfilter 124 in dem Zufuhrsystem 102 vorgesehen sein.
Während des Betriebs der Plattierungsanlage 100 aus 1b wird die nicht verbrauchte Plattierungslösung dem Auslassbehälter 111 zugeführt, der als ein Puffer dienen kann, um in steuerbarer Weise die nicht verbrauchte Plattierungslösung dem Aufbereitungsbehälter 113 zuzuführen. Wenn die Behandlungseinrichtung 123 in Kombination mit dem Auslassbehälter 111 vorgesehen ist, kann die in dem Auslassbehälter 111 zwischengespeicherte nicht verbrauchte Plattierungslösung einer Vorbehandlung unterzogen werden, wodurch die Verweildauer der Lösung in dem Aufbereitungstank 113 verkürzt wird. Während der Vorbehandlung kann die nicht verbrauchte Plattierungslösung selektiv gefiltert und/oder behandelt werden mittels Ultraviolettstrahlung und/oder Ozon und/oder einem oxidierenden Mittel, um Additive aufzuspalten und/oder zumindest teilweise ungewünschte Nebenprodukte zu entfernen. Abhängig von den Betriebsbedingungen in der Prozesskammer 101 kann mehr oder weniger nicht verbrauchte Plattierungslösung in den Auslassbehälter 111 zugeführt werden, wodurch die Effizienz der Vorbehandlung beeinflusst wird. D. h., wenn Substrate kontinuierlich in der Prozesskammer 101 bearbeitet werden, wird eine moderat hohe Menge an nicht verbrauchter Plattierungslösung dem Auslassbehälter 111 zugeführt, wodurch die vorbehandelte Lösung, die bereits in dem Auslassbehälter 111 enthalten ist, „verdünnt” wird. Daher kann die Kapazität der Behandlungseinrichtung 123 und/oder die Einstellung jeglicher Behandlungseinrichtungen, die darin enthalten sind, an spezielle Prozessbedingungen so angepasst sein, dass ein gewünschter Vorbehandlungseffekt erreicht wird. Beispielsweise kann durch eine Messeinrichtung, die ähnlich zu den Einrichtungen 116 und/oder 117 sein kann, eine oder mehrere Eigenschaften der nicht verbrauchten Plattierungslösung in dem Auslassbehälter 111 bestimmt werden und damit verwendet werden, um den Betrieb der Behandlungseinrichtung 123 entsprechend einzustellen, wodurch eine im Wesentlichen konstante Vorbehandlungswirkung in Übereinstimmung mit den Prozessbedingungen in der Prozesskammer 101 erreicht wird.
Ein Teil der nicht verbrauchten Plattierungslösung des Auslassbehälters 111 kann, unabhängig davon, ob eine Vorbehandlung ausgeführt wird oder nicht, dem Aufbereitungsbehälter 113 mittels der Leitung 112 zugeführt werden, wobei, wie zuvor dargestellt ist, die Zufuhr der Plattierungslösung zu dem Aufbereitungsbehälter 113 in einer gesteuerten Weise ausgeführt werden kann. Beispielsweise kann die Zufuhr von Plattierungslösung zu dem Aufbereitungsbehälter 113 auf der Grundlage der Betriebsbedingungen in dem Auslassbehälter 111, etwa dem Flüssigkeitspegel, dem Vorbehandlungsstatus der Plattierungslösung und dergleichen gesteuert werden, und/oder kann auf der Grundlage des Zustands des Aufbereitungsbehälters 113, etwa dem Flüssigkeitspegel, dem Status der Einrichtungen für das Wiederaufbereiten des Fluids in dem Behälter 113 und dergleichen gesteuert werden. In anderen Ausführungsformen kann eine im Wesentlichen kontinuierliche Zufuhr von Plattierungslösungen von dem Auslassbehälter 111 zu dem Aufbereitungsbehälter 113 vorgesehen sein, wobei die Durchflussrate so gesteuert werden kann, dass diese den erforderlichen Betriebsbedingungen des Auslassbehälters 111 und/oder des Aufbereitungsbehälters 113 entspricht. Es sollte beachtet werden, dass die Größe und die Kapazität des Aufbereitungssystems 110 vorteilhafterweise einem maximalen Durchsatz der Prozesskammer 101 angepasst sind, so dass selbst bei einer maximalen Auslastung der Anlage 100 der Betrieb aufrecht erhalten werden kann, ohne dass im Wesentlichen das Einführen größerer Mengen an neuer Plattierungslösung erforderlich ist.
In dem Aufbereitungstank 113 kann eine Konvektion oder Zirkulation der Plattierungslösung, die darin enthalten ist, durch beispielsweise eine Pumpe erreicht werden, um somit unerwünschte Substanzen und/oder Teilchen mittels des Filterelements 121 und des Teilchenfilters 122 zu entfernen. Da das Filterelement 121 in Form einer selektiven Filtereinheit vorgesehen sein kann, können gewisse gewünschte Substanzen beibehalten werden, die während des Durchlaufens der Prozesskammer 101 sich gebildet haben können, wodurch das Einstellen eines gewünschten Zustands der Plattierungslösung möglich ist, der sich von einem weniger wirksamen Zustand einer frischen Plattierungslösung unterscheidet. Alternativ oder zusätzlich können die Ultraviolettstrahlungsquelle 114 und/oder der Ozongenerator 115 und/oder die Zufuhr für das oxidierende Mittel 118 aktiviert werden, um somit einen Zerfall organischer Additive zu bewirken, deren Nebenprodukte dann entfernt werden können, beispielsweise durch das Filterelement 121 oder andere geeignete Einrichtungen. Die Gesamtkonzentration organischer Verbindungen oder die Konzentration einer oder mehrerer spezieller organischer Verbindungen kann durch die Messeinrichtung 116 überwacht werden, während die Konzentrationen zumindest einer anorganischen Verbindung durch die Messeinrichtung 117 überwacht werden kann. In einigen Ausführungsformen kann die Funktion der Behandlungseinrichtungen 114 und/oder 115 und/oder 118 auf der Grundlage der Messergebnisse aus den Einrichtungen 116 und/oder 117 gesteuert werden, wie dies später beschrieben ist.
Das Aufbereitungssystem 110 kann in einer weiteren Ausführungsform eine oder mehrere Dosierpumpen 119 zum steuerbaren Einführen eines oder mehrerer Additive in die Plattierungslösung in dem Aufbereitungsbehälter 113 aufweisen.
In anderen Ausführungsformen können der Betrieb der einen oder mehreren Dosierpumpen 119 zum Einführen von Additiven in den Aufbereitungsbehälter 113 sowie der Betrieb der Dosierpumpen 120 zum Zuführen anorganischer Verbindungen auf den Messergebnissen beruhen, die von den Einrichtungen 116 und/oder 117 erhalten werden. Auf diese Weise kann eine gewünschte Zusammensetzung der Plattierungslösung in dem Aufbereitungsbehälter 113 erhalten werden und kann dann schließlich dem Vorratsbehälter 103 mittels der Leitung 106 zugeführt werden, wobei der Teilchenfilter 126 ferner die Zahl unerwünschter Teilchen über einer vorbestimmten Größe verringern kann. In dem Vorratsbehälter 103, der eine ausreichende Kapazität aufweist, um gewisse Verzögerungen bei dem Zuführen der wieder aufbereiteten Plattierungslösung überbrücken zu können, enthält daher eine Plattierungslösung entsprechend den spezifizierten Erfordernissen, wobei mit Ausnahme für gewisse kleine Verluste, die durch das Abscheiden und Leckage hervorgerufen werden, die Lebensdauer des Elektrolytbades, d. h. der Plattierungslösung, im Wesentlichen nicht beschränkt ist, anders als dies im konventionellen Plattierungsanlagen der Fall ist. Aus dem Vorratsbehälter 103 kann die wieder aufbereitete Plattierungslösung in die Prozesskammer 101 über den Teilchenfilter 124 gepumpt werden, um wiederum Teilchen und/oder Bläschen zu entfernen, die noch in der Plattierungslösung enthalten sein können.
Es sollte beachtet werden, dass die Ausführungsform, wie sie in 1b dargestellt ist, lediglich anschaulicher Natur ist und dass diverse Modifizierungen durchgeführt werden können. Z. B. können in einigen Ausführungsformen zwei oder mehrere Auslassbehälter 111 vorgesehen sein, um eine effiziente Vorbehandlung mit einem vordefinierten Volumen an Plattierungslösung ausführen zu können, sobald einer der Auslassbehälter 111 einen spezifizierten Pegel erreicht hat, bei welchem die nicht verbrauchte Plattierungslösung aus der Kammer 101 dann zu einem weiteren Auslassbehälter 111 durch ein entsprechendes Ventilelement geführt wird. Auf diese Weise kann eine Plattierungslösung mit einem gut definierten Status hinsichtlich der Vorbehandlung dem Aufbereitungsbehälter 113 von einem der Auslassbehälter 111 zugeführt werden, während einer oder mehrere der anderen Auslassbehälter nunmehr nicht mehr verbrauchte Plattierungslösung aufnehmen, ohne den Vorbehandlungsprozess zu beeinflussen. In ähnlicher Weise können zwei oder mehrere Aufbereitungsbehälter 113 vorgesehen sein, um einen wirksamen Wiederaufbereitungsprozess der Plattierungslösung zu erreichen, wobei beispielsweise jeder der Aufbereitungsbehälter 113 so ausgebildet ist, um eine oder mehrere spezifizierte Aufgaben, etwa Teilchenfilterung, Aufspalten organischer Additive, Dosieren von Additiven und dergleichen, ausführen kann. Somit kann durch das Ausführen zweier oder mehrerer Aufgaben in sequentieller Weise in unterschiedlichen Aufbereitungsbehältern 113 jeder Prozessschritt während der Wiederaufbereitung der Plattierungslösung effizienter im Vergleich zu einem einzelnen Aufbereitungsbehälter 113 durchgeführt werden.
1c zeigt schematisch eine weitere anschauliche Ausführungsform der Plattierungsanlage 100, in der das Aufbereitungssystem 110 ein erstes schaltbares Ventilelement 127 aufweist, das so ausgebildet ist, um die nicht verbrauchte Plattierungslösung, die von der Auslassleitung 105 zugeführt wird, zu einem ersten Aufbereitungs-/Auslassbehälter 111 und zu einem zweiten Auslass-/Aufbereitungsbehälter 113 zu lenken. Das Aufbereitungssystem 110 umfasst ferner ein zweites schaltbares Ventilelement 126, das ausgebildet ist, selektiv Plattierungslösung aus den Behältern 111 und 113 zu empfangen und einen der Behälter mit der Leitung 106 zu verbinden, die ihrerseits mit dem Vorratsbehälter 103 verbunden ist. Die Behälter 111 und 113 können jeweils so ausgestattet sein, wie dies in 1b für den Aufbereitungsbehälter 113 gezeigt ist, um eine wieder aufbereitete Plattierungslösung zu erzeugen, die dem Vorratsbehälter 103 zugeführt werden kann.
Während des Betriebs der Plattierungsanlage 100 kann einer der Behälter 111, 113 als ein Auslassbehälter während einer ersten Phase des Plattierungsprozesses ausgewählt werden, beispielsweise der Behälter 113, während der andere Behälter 111 von der Auslassleitung 105 mittels des schaltbaren Ventilelements 127 abgekoppelt wird. Der Behälter 111 wird dann zum effizienten Wiederaufbereiten der darin enthaltenen Plattierungslösung benutzt, während der Behälter 113 als ein Auslasspuffer während des anhaltenden Plattierungsprozesses in der Kammer 101 dient. Es sollte beachtet werden, dass in einigen Ausführungsformen mehrere Behälter 111, 113 vorgesehen sein können, wenn beispielsweise die Zeitdauer für das Aufbereiten einer Lösung in dem Behälter 111 die Zeitdauer übersteigt, die zum vollständigen Füllen des Behälters 113 während des Plattierungsprozesses erforderlich ist. Nachdem der Wiederaufbereitungsprozess in dem Behälter 111 abgeschlossen ist, kann die darin enthaltene Plattierungslösung über das schaltbare Ventilelement 126 dem Vorratsbehälter 103 zugeführt und kann dann in dem sich im Gange befindlichen Plattierungsprozess wieder verwendet werden. Zu diesem Zeitpunkt wird der Behälter 111 als der Auslassbehälter durch entsprechendes Schalten des Ventilelements 127 ausgewählt, wodurch der Behälter 113 von der Auslassleitung 105 abgekoppelt wird. Während dieser Phase wird der Behälter 113 als ein Aufbereitungsbehälter betrieben, um in effizienter Weise die darin enthaltene Plattierungslösung wieder aufzubereiten, die dann dem Vorratsbehälter 103 für die weitere Wiederverwendung zugeführt werden kann.
2 zeigt schematisch eine weitere anschauliche Ausführungsform einer Plattierungsanlage 200 mit einem Aufbereitungssystem 210, das über eine Auslassleitung 205 mit einer Prozesskammer 201 verbunden ist. Das Aufbereitungssystem 210 ist mit einem Vorratsbehälter 203 mittels einer Leitung 206 verbunden, während der Vorratsbehälter 203 mit der Prozesskammer 201 über ein Zufuhrsystem 202 verbunden ist. Das Aufbereitungssystem 210 kann eine Messeinrichtung 216 zum Bestimmen mindestens einer organischen Komponente und/oder eine Messeinrichtung 217 zum Bestimmen mindestens einer anorganischen Komponente aufweisen. Ferner umfasst das Aufbereitungssystem 210 eine Behandlungseinheit 214, eine Zufuhreinheit 219 zum Zuführen organischer Additive und/oder eine Zufuhreinheit 220 zum Zuführen anorganischer Verbindungen zu der Plattierungslösung, die in dem Aufbereitungssystem 210 enthalten ist. Zu dem Aufbereitungssystem 210 ist zu sagen, dass es in ähnlicher Weise aufgebaut sein kann, wie dies bereits mit Bezug zu dem Aufbereitungssystem 110 dargelegt ist, das in den 1a bis 1c gezeigt ist. Die Plattierungsanlage 200 umfasst ferner eine Steuereinheit 230, die mit zumindest einer der Messeinrichtungen 216 und 217 und mit mindestens einer der Einheiten 214, 219 und 220 verbunden ist.
Während des Betriebs der Plattierungsanlage 200 kann die Steuereinheit 230 Messergebnisse von mindestens einer der Messeinrichtungen 216, 217 empfangen, wobei die Messergebnisse Informationen oder eine Indikation einer Eigenschaft mindestes einer Komponente der Plattierungslösung die dem Aufbereitungssystem 210 zugeführt wird, enthalten. Beispielsweise kann eine Messung mit zyklischer voltrametrischer Abstreifung ausgeführt werden, um eine Konzentration eines oder mehrerer Additive in der Plattierungslösung zu bestimmen. Basierend auf den Messergebnissen kann dann die Steuereinheit 230 einen Sollwert für einen oder mehrere Steuerparameter der Einheiten 214 und/oder 219 und/oder 220 bestimmen, um damit deren Betrieb auf der Grundlage der erhaltenen Messergebnisse zu steuern. Beispielsweise können die in der Steuereinheit 230 empfangenen Messresultate die Konzentration eines oder mehrerer nicht gewünschter Zerfallsprodukte in der Plattierungslösung kennzeichnen und ein entsprechendes Filterelement und/oder ein Ozongenerator und/oder eine UV-Strahlungsquelle und/oder eine Quelle zum Zuführen eines oxidierenden Mittels können entsprechend durch die Steuereinheit 230 so angesteuert werden, um effizienter oder weniger effizient das eine oder mehrere nicht gewünschte Zerfallsprodukt zu entfernen, wenn die bestimmte Konzentration höher oder geringer als der spezifizierte Schwellwert oder Wertebereich ist. In ähnlicher Weise kann ein Messergebnis die Konzentration gewünschter Additive anzeigen. Auf der Grundlage des Ergebnisses kann eine entsprechende Dosierpumpe, die von der Einheit 230 gesteuert wird, dann ein spezielles organisches Additiv in einer erforderlichen Menge zuführen. Das gleiche gilt für die Zufuhr beliebiger anorganischer Verbindungen zu der Plattierungslösung, wobei der Betrieb der Einheit 220 auf der Grundlage entsprechender Messergebnisse gesteuert werden kann. Somit kann eine Regelschleife mittels der Steuereinheit 230 geschaffen werden, wodurch ein effizienteres und automatisches Überwachen und Steuern des Aufbereitungsprozesses der Plattierungslösung möglich ist, die somit innerhalb enger Prozessgrenzen in einer automatisierten Weise gehalten werden kann.
Es gilt also: die vorliegende Erfindung stellt eine Plattierungsanlage und ein Verfahren zum Betreiben der Anlage bereit, wobei ein Einzelanwendungs-Plattierungsprozess durchgeführt werden kann, wobei die Qualität eines Elektrolytbades innerhalb spezifizierter Erfordernisse aufrecht erhalten werden kann, indem nicht verbrauchte Plattierungslösung entsprechend wieder aufbereitet wird. Da der Hauptteil der Plattierungslösung in einen Vorratsbehälter zurückgeführt wird, werden nicht nur die Herstellungskosten deutlich auf Grund des Fehlens eines unnötigen Chemikalienverbrauchs und auf Grund des Fehlens des Aufwands beim Entsorgen/Behandeln von Nebenprodukten des Plattierungsprozesses deutlich gesenkt, sondern es können auch spezielle Eigenschaften der Plattierungslösung im Wesentlichen ohne zeitliche Begrenzung aufrecht erhalten werden, wobei insbesondere gewünschte Zerfallsprodukte, die während des Prozesszyklus erzeugt werden, in der Plattierungslösung erhalten werden können.

Claims

Verfahren zum Betreiben einer Einzelbadplattierungsanlage mit: einer Prozesskammer (101); einem Vorratsbehälter (103), der ausgebildet ist, eine Plattierungslösung aufzunehmen und zu halten; einem Zufuhrsystem (102), das mit der Prozesskammer (101) und dem Vorratsbehälter (103) verbunden und ausgebildet ist, eine justierbare Menge an Plattierungslösung der Prozesskammer (101) zuzuführen; und einem Aufbereitungssystem (110), das zwischen der Prozesskammer (101) und dem Vorratsbehälter (103) angeordnet ist, und einen Auslassbehälter (111) und einen Aufbereitungsbehälter (113) aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Zuführen einer vordefinierten Menge der Plattierungslösung mit mindestens einem organischen Additiv von dem Vorratsbehälter (103) zu einem Substrat (101a), das in der Prozesskammer (101) angeordnet ist; Durchführen eines Einzelbadplattierungsprozesses; Sammeln eines nicht verbrauchten Anteils der Plattierungslösung aus der Prozesskammer (101) in dem Auslassbehälter (111) des Aufbereitungssystems (110); Wiederaufbereiten des nicht verbrauchten Anteils der Plattierungslösung in dem Aufbereitungsbehälter (113) des Aufbereitungssystems (110); und Zuführen des nicht verbrauchten, wiederaufbereiteten Anteils als wiederaufbereitete Plattierungslösung zu dem Vorratsbehälter (103) für eine Wiederverwendung mit einem weiteren Substrat (101a).
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Wiederaufbereiten des nicht verbrauchten Anteils das Initiieren eines Zerfalls des mindestens einen organischen Additivs umfasst.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Wiederaufbereiten des nicht verbrauchten Anteils das selektive Filtern des nicht verbrauchten Anteils umfasst, um mindestens eine ungewünschte Komponente zu verringern.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Wiederaufbereiten des nicht verbrauchten Anteils ferner das Entfernen mindestens eines Nebenprodukts des Zerfalls des mindestens einen organischen Additivs umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, das ferner umfasst: Bestimmen mindestens einer Eigenschaft des nicht verbrauchten Anteils und/oder der wiederaufbereiteten Plattierungslösung, und Steuern des Wiederaufbereitungsvorganges auf der Grundlage der mindestens einen Eigenschaft.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die mindestens eine Eigenschaft eine Indikation einer Konzentration des mindestens einen organischen Additivs und/oder eines Zerfallprodukts davon umfasst.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die mindestens eine Eigenschaft eine Indikation einer Konzentration mindestens einer anorganischen Komponente der Plattierungslösung umfasst.
Verfahren nach Anspruch 5, das ferner Ergänzen des mindestens einen organischen Additivs auf der Grundlage der mindestens einen Eigenschaft vor dem Zuführen der wiederaufbereiteten Plattierungslösung zu dem Vorratsbehälter umfasst.
Verfahren nach Anspruch 5, das ferner Ergänzen mindestens einer anorganischen Komponente auf der Grundlage der mindestens einen Eigenschaft vor dem Zuführen der wiederaufbereiteten Plattierungslösung zu dem Vorratsbehälter (103) umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Vorbehandeln des nicht verbrauchten Anteils vor dem Wiederaufbereiten des Anteils umfasst, um damit einen Zerfall des mindestens einen organischen Additivs zu bewirken.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die vordefinierte Menge an Plattierungslösung so bestimmt wird, um als Plattierungslösung für ein einzelnes Substrat (101a) zu dienen.