TW520631B - Method for producing multilayer ceramic substrate - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 19
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 4
- 239000011797 cavity material Substances 0.000 claims 28
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 claims 1
- 206010047924 Wheezing Diseases 0.000 claims 1
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 claims 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 12
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 11
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
- B32B38/14—Printing or colouring
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
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發明領域 本發明係關於多層陶瓷基板的製造方法,尤其是關於一 種製造具有用於安裝和容納電子元件之多級空腔的多層陶 免基板的方法。 發明背景 近年來,對電子元件進一步減小尺寸和重量、進一步增 強多功能、具備更高可靠性等方面的需要不斷增長,因此 需要改善在現行基板上安裝電干元件的技術。最典型的, 改善安裝技術的有效方法是實現基板的高佈線密度。 爲了滿足這種基板的高佈線密度,已經研製了通過疊 置、加壓和燒製複數個未加工陶瓷片來製造的多層陶瓷基 板’所述每個未加工陶瓷片上均具有印製的導電膜等。 爲了實現減小多層陶瓷基板的尺寸和厚度,在多層陶瓷 基板中形成用於安裝電子元件的空腔是有效的。當形成這 種空腔以便具有多級時,也就是說,當形成這種空腔使其 具有至少一第一空腔部分和與第一空腔部分的底面相通的 第二空腔部分時,比如可將所述第一空腔部分的底面用作 形成電子元件打線的導電焊墊的區域,同時使該電子元件 被容納在該第二空腔部分中。 但是,在基板製造過程中燒製的結果,這種具有多級空 腔的多層陶曼基板通常面臨如此的問題,即在空腔的周圍 産生不希望有的變形或破裂-,在空腔的底面端部生成裂 縫’儘管在具有單級空腔之多層陶瓷基板上這一點並不值 得注意。 -4 - 本紙張尺度適财S g家標準(CNS) A4規格(21GX297公爱)~ --—
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上述問題被假設是未加工之片層狀體的特定部分處剩餘 應力的結果所引起的。也就是說,當在燒結之前把將成爲 夕層陶瓷基片的未加工片層狀體加壓時,就難以在整個未 加工片層狀體上施加均勻的壓力,因爲在層狀體中存在相 對不均勻的多級空腔。這導致空腔的階梯狀底面平整性受 到破壞’或者導致空腔發生不希望有的變形。 爲了解決上述問題,曰本未審查專利公開特開平9_3 9 16〇 揭示一種加壓步驟,它的進行使.具有多級空腔的未加工片 層狀體被真空包裝,同時被夾在_一對橡膠片中間,然後在 靜態流體中被等向地加壓。 曰本未審查專利公開特開平9-1 8 1449揭示一種加壓步 驟,匕的進行使具有多級空腔的未加工片層狀體被具有多 、、及犬起的彈性件加壓,這種突起具有與多級空腔一樣的形 狀。 曰本未審查專利公開6-224559揭示一種未加工片層狀體 的製造方法,該層狀體被全面加壓並具有多級空腔。該方 法包括以下步驟:在未加工片層狀體上放置一個剛性板, 該板具有等於或略小於空腔開口的通孔,在空腔的每一級 通過在剛性板上施加壓力而借助於該剛性板從彈性件來加 壓未加工片層狀體。 但是,即使採用曰本未審查專利公開特開平9_3916〇中揭 示的方法,在加壓步驟中,橡膠片之一會擠進空腔内,導 致空腔階梯狀底面上的應力,以及底面上所不希望有的變 形。因此,對於未加工層狀體來說,有時會難以保持空腔 -5-
520631 A7 B7 五、發明説明(3 ) 底面的平整度。另外,橡膠片的擠入會導致空腔徑向尺寸 變寬,結果會破壞尺寸的精確度。 曰本未審查專利公開特開平9-1 8 1449中所述的方法需要 製備彈性件,該部件與擬在多層陶瓷基板中形成之空腔形 狀相對應。另外,加壓步驟中,需要使未加工層狀體中所 形成的多級空腔與彈性件中所形成的多級突起對準,而這 種對準是不容易的’並且因此還有礙提高效率的企圖。因 此,可以預料曰本未審查專利公開特開平9-18 1449中所述 的方法會提高多層陶竟基板的製造成本。 曰本未審查專利公開特開平6-224559揭示的方法需要在 每一級空腔處加壓未加工的片層狀體,因此,儘管保持了 空腔階梯狀底面的平整度,並且也不會使空腔的徑向尺寸 變寬,但是會導致生産率降低的問題。 發明之簡要說明 於是,本發明的目的在於提供一種製造其中具有多級空 腔之多層陶瓷基板的方法。 簡單的說,本發明的特徵是,將適當的方塊插入到多級 空腔的一部分内,從而使空腔表面上是單級的,並如此進 行加壓步驟。 具體地說,本發明製造多層陶竟基板的方法包括以下步 驟:(a)通過層壓複數個未加工陶瓷片製造未加工片層狀 體,一疊預定的未加工陶瓷片中具有通孔,從而在未加工 片層狀體中提供空腔,該空腔在未加工片層狀體之層壓方 向的一個端面處具有開口,並包括至少一個第一空腔部分 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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壓方向按壓,以 及(e)燒製未加工片層狀體。 前述的方塊可由任何材料製成,
即可。該方塊可以是: :在未加工陶瓷片中所含陶瓷材料的 ,/、要該材料能夠在未加 治結構保持在一定的程度 燒結溫度下不會燒結的無機材料,或者在未加工陶竟片中 所含陶瓷材料燒結的溫度下燒盡的硬化樹脂。 本發明的加壓步驟較佳者為以如下方式進行。它可以包 括製備彈性件和製備具有等於或略小於空腔開q通孔的 剛性板的子步驟。在剛性板的通孔與空腔的開^對準的同 時,進行加壓步驟,使該剛性板被置於未加工的片層狀體 之上,並借助所述剛性板在未加工的片層狀體上從彈性件 施加壓力。 在加壓步驟中最好是使用液壓。在這種情況下,未加工 的片層狀體、剛性板和彈性件在包裝容器内處於真空包裝 的狀態。 按照本發明在未加工的片層狀_體中所形成的空腔可以有 三級或者更多。例如,所述空腔還可包括一個與第二空腔 部分底面相通的第三空腔部分。 本發明涉及採用所謂無變形方法製造多層陶瓷基板的方 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 520631 A7 B7 五、發明説明(5 法。在這種情況下,本發明的製造方法還可以包括製備抑 制變形的無機材料步驟,這種材料在未加工陶瓷片中所含 陶瓷材料燒結的溫度下不被燒結,其中,該製造步驟包括 提供含有抑制變形之無機材料的抑制變形層,以覆蓋未加 工層狀體層壓方向的兩個端面的步驟,該抑制變形層之一 的襄面有通孔,以露出空腔的開口。然後在只有未加工層 狀體中所含的陶瓷材料會燒結的溫度下進行燒製的步驟。 在如上所述的較佳實、施例中,.所述的方塊可以包括抑制 變形的無機材料。 凰示之簡覃說明 圖1係根據本發明第一實施例多層陶瓷基板的製造過程中 進行加壓步驟的剖面圖; 圖2係根據本發明第二實施例多層陶瓷基板製造過程中被 加壓及所彳于未加工片層狀體21的剖面圖;及 圖3係根據本發明第三實施例多層陶瓷基板製造過程中被 加壓將所得未加'工片層狀體21的剖面圖。 發明詳細說明 圖1係根據本發明第-實施例製造多層陶-充基板過程中進 行加壓步料剖面圖。圖i赫出在該μ基板製造過程中 所得到的未加工片層狀體Γ。 沿未加工的片層狀體i層壓方向的兩端有第—端面2和第 =端面3,並在第一端面2處有帶開口 4的空腔5。空腔$具有 第-空腔部分6和與第—空腔部分6底面7相通的第二空腔部
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可按分散的方式在該未加工 上述的空腔5。 的片層狀體1中形成複數個如 爲了製造未加工片層狀體i, ΑΛ、S 7丨^ 衣備具有形成第一空腔部分 0的通孔之第一未加工陶瓷 片1〇、具有形成第二空腔部分9 的較小通孔之第二未加工陶杳 阔是片U,以及不具通孔之第三 未加工陶瓷片12。 U圖中未不出,但可以藉由層壓多個未加工陶曼片, 來形成每個未加工的„片1(Μ2,從而提供所欲的厚度。 未加工陶竟片10_12可以包括含有玻璃成分的玻璃陶竞。 通過層壓上述第一、第二和第三未加工陶竟片製成 未加工陶究片1。具體地說,將第二未加工喊片11疊置在 第三未加工陶曼片12上’然後在它們頂上再疊置第一未加 工陶瓷片10。 0儘官圖中未示出’但S未加工陶^^具有内部導電膜, 還具有其中帶通孔的導體,並在端面2和3上具有外部導電 膜。 另外,製備在未加工陶竟片1〇_12中所含陶瓷材料被燒結 的溫度下不會燒結的抑制變形的無機材料。當未加工陶瓷 片10-12包含上述玻璃成分時,例如可以使用氧化鋁粉末作 爲抑制變形無機材料。 提供採用前述抑制變形無機材料的第一抑制變形層13和 第二抑制變形層14,以分別覆蓋未加工陶瓷片i的第一端面 2和第二端面3。第一端面2上的第一抑制變形層13中有通孔 15攸而使空腔5的開口 4露出。最好是所述通孔15的形狀 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
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與空腔5的開口 4形狀基本相同 可以設置前述抑制變形層13和14,以便藉由含有抑 形無機材料的漿料形成片製成無機材料片,並將它與未加 工的陶曼片10-12疊置在-起,以便分別與端面2和3鄰接。 在這種情況下,可以通過改變要被層壓的前述無機材料片 的數量而調整抑制變形層13和14的必要深度。 d後衣備方塊16,並將其插入到第二空腔部分9中,其中 所述的方塊16的三維形狀與未加工片層狀體丨的除第一 ^腔 部分6之外的空腔5的三維形狀基本相同,在本實施例, 即與第二空腔部分9的三維形狀基本相同,並且具有至少等 於第二空腔部分9的深度的高度。當插入所述的方塊16時, 使用譬如在電路板上安裝晶片元件所用的安裝設備。 舉例來說,當未加工片層狀體i的表面尺寸爲 lOOmmxlOOmm、厚度爲imm,並且關於空腔5的尺寸是第 一空腔部分6表面尺寸爲3mmx3mm、深度爲300以m,而 第二空腔部分9表面尺寸爲2mmx2mm、深度爲200 “ m 時’將所述的塊16設計成表面尺寸爲丨98mmxl 98mm、 深度210//m。 如上面所定的尺寸使該方塊16容易被插入到第二空腔部 分9中’因爲在方塊16和第二空腔部分9内表面之間留有少 量的間隙。另外’方塊1 6略微從一第二空腔部分9的開口 8中 伸出。只要像上面所述那樣該方塊丨6的高度被預設成大 於第二空腔部分9的深度,就能夠有效的製造方塊16,因爲 不需要精確確定方塊16的高度。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 520631 A7 B7
五、發明説明 較佳者,該方塊16包含與抑制變形層13和14中所含的抑 制變形無機材料相同的無機材料。爲了保持作爲方塊丨6的 形狀,使該無機材料具有加入到無機材料粉末去的粘合劑 等,形成糊狀物,並將這種糊狀物切成具有所要尺寸的片 斷。 該方塊16可以包括在未加工陶瓷片1〇-12所含陶瓷材料燒 結溫度下不致燒結的無機材料,而且這種無機材料與抑制 變形的無機材料不同。另外,該方塊16可以由包含這種無 機材料的燒結緻密體製成。 _ — 然後,如上述之插入方塊16的結果,具有表面上爲單級 空腔的未加工片層狀體1沿其層壓方向受到加壓。在這一加 壓步驟中,使用彈性件17和剛性板1 8。 彈性件17由厚度比如爲i〇mm的矽橡膠製成。 剛性板18具有通孔19,它等於或略小於空腔5的開口 4, 由剛性件,如金屬、樹脂或陶瓷製成。剛性板18厚度比如 爲大約1mm。 將剛性板18置於未加工片層狀體1上,同時使通孔丨9與空 腔5的開口 4對準。根據第一實施例,將剛性板1 8放置成, 使其與第一抑制變形層13鄰接。然後,在作爲包裝容器的 塑膠袋20中被真空包裝的同時,將未加工片層狀體1、抑制 變形層13和14、剛性板18以及$性件17放置在液壓機的水 箱中,從而在比如60°C的溫度下接受500 kgf/cm2的液壓。 在前述的加壓步驟中,首先,借助於與所述剛性板18鄰 接的第一抑制變形層13,由剛性板使未加工片層狀體1的第 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 520631
一端面2保持平整。另外,方塊16的存在使第一空腔部分6 的端面7保持平整,並使第一空腔部分6的端面7和第二空腔 邛分9的側面不可能受橫向推力的影響,從而使空腔$具有 較高的尺寸精確性。 、 田由上述無機材料粉末糊狀物所形成的成型元件製成該 方塊16時,方塊16受到變形,以便在加壓步驟中減小它的 厚度,因此,方塊16與第二空腔部分9的内表面之間的空隙 便消除,從而使該方塊Μ能更有效地實現上述功能。 接著,從塑膠袋20中取出未加工片層狀體1,在不受加壓 的情況下進行燒製,可能包括在比如45〇〇c下脫脂4小時, 然後在900t下燒製20分鐘。 在前述的燒製步驟中,由於抑制變形層13和14中所含的 抑制邊形無機材料基本上不會燒結,所以抑制變形層13和 14基本上不會變形。因此,在燒製步驟中,構成未加工片 層狀體1的未加工陶瓷片10_12只沿其深度方向變形,沿著 其主平面的方向基本上不變形,因爲它們受到抑制變形層 13和14的約束。方塊16不約束前述未加工陶瓷片1〇_12在 燒製步驟中在深度方向的變形。 已經過上述燒結的未加工片層狀體〗提供所需的多層陶瓷 基板。通常,從所述的多層陶瓷基板中除去抑制變形層13 和14以及方塊16。在燒製步驟中r,抑制變形層13和14基本 上不燒結,並且如果方塊16含有上述無機材料,該方塊16 基本上也不燒結。這使得易於除去抑制變形層13和14以及 方塊16。然而,當該方塊16是由燒結的緻密體製成時,最
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520631 A7 B7 五、發明説明(10 ) 好在燒製步驟之前除去該方塊16。 圖2係根據本發明第二實施例製造多層陶瓷基板過程所得 未加工片層狀體21的剖面圖。圖2所示的未加工片層狀體21 與圖1所示的未加工片層狀體1不同,未加工片層狀體21具 有三級空腔22。 具體地說,未加工片層狀體21具有第一端面23和第二端 面24以及在第一端面23處的開口 25。空腔22包括第一空腔 部分26、與第一空腔部分26的底面27相通的第二空腔部分 29,以及與第二空腔部分29的底-面30相通的第三空腔部分 32 ° 通過層壓具有形成第一空腔部分26之通孔的第一未加工 片陶瓷片33、具有形成第二空腔部分29之通孔的第二未加 工片陶瓷片34、具有形成第三空腔部分32之通孔的第三未 加工片陶瓷片35、沒有通孔的第四未加工片陶瓷片36,得 到未加工片層狀體21。 設置第一抑制變形層37和第二抑制變形層38,用以分別 覆蓋未加工片層狀體21的第一端面·23和第二端面24。第一 抑制變形層37中有通孔39,從而使空腔22的開口 25露出來。 在沿層壓方向按壓未加工片層狀體21之前,在第一空腔 部分26之外的空腔22中插入方塊40和塊41,即插入到第二 實施例的第二和第三空腔部分294口32内。該方塊40的三維 形狀與第二空腔部分29的三維形狀基本相同,方塊41的三 維形狀與第三空腔部分32的三維形狀基本相同。 方塊40和41的高度分別至少爲第二和第三空腔部分29和 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 520631 A7 B7 五、發明説明(
32深度。具體地說,插入第三空腔部分32内的塊41的高度 最好等於第三空腔部分32的深度。 由於在得到未加工片層狀體21之後的加壓步驟、燒製步 驟等基本與未加工片層狀體1的這些步驟相同,因此省略對 它們的說明。 圖3是說明在本發明第三實施例製造多層陶瓷基板的過程 中所得未加工片層狀體21的截面圖。 由於未加工片層狀體21、抑制變形層37和38以及與它們 相關的結構基本上與圖2所示的相同,因此相應的元件採用 同樣的附圖標記,並省略對它們的描述。 把由在未加工片33-36中所含陶瓷材料的燒結溫度下會燒 盡的硬化樹脂形成的方塊42插入到圖3所示的未加工片層狀 體21的第二和第三空腔部分29和32中。 較佳者,這種硬化樹脂在硬化之前被倒入第二和第三空 腔部分29和33中,爲的是在插入之後進行硬化。爲了實現 這一點,最好使未加工片層狀體21在未加工陶瓷片33-36中 鄰接者之間具有優異的枯著性。例如,在未加工陶曼片3 3 -36的每個層壓步驟,使未加工片層狀體21被暫時地加壓, 或者在層壓之後,使未加工片層狀體21在較低的壓力下被 暫時地加壓。 例如,用在大約60°C固化的熱固性樹脂作爲硬化樹脂。 藉由將這種樹脂置於溫度設定約爲60°C的爐内使其固化。 另外’可以用光固化樹脂作爲硬化樹脂。這種樹脂通過光 輻射而固化。或者可以按與第二和第三空腔部分29和30不 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
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520631 A7 B7 五 發明説明(12 同的形狀,例如爲球狀實體來製得所述硬化樹脂。在置於 空腔22内之後,比如通過加熱而使這種樹脂被軟化,以便 適應於第二和第三空腔部分29和30的形狀,然後,在保持 已爲適宜之形狀的同時再被硬化。 採用前述硬化樹脂,使各自具有預定形狀的圖1所示的方 塊16或圖2所示的方塊40和41被插入時産生的對準精確度 問題變得容易。 圖3所示第三實施例的加壓步驟、燒製步驟等也按照圖1 中第一實施例同樣的方式進行。由硬化樹脂製成的方塊42 在燒製步驟中燒盡,因此不需要分離步驟以除去樹脂。 儘管已經採用附圖所示各實施例描述了本發明,但是在 本發明的範圍内可以有各種其他的改變。 例如,可以用剛性加壓代替液壓被用於加壓步驟。 在未加工片層狀體中形成的空腔可以是4級或更多。 儘管分別關於未加工片層狀體1和21設置了抑制變形層13 和14以及抑制變形層37和38,並且在附圖所示各實施例中 採用了包括所謂無變形方法的燒結·步驟,但也可以不設置 這些抑制變形層而進行燒製。 如上所述,在本發明中,在其中具有至少包括第一空腔 部分和與第一空腔部分底面相通之第二空腔部分的空腔的 未加工片層狀體沿層壓方向受按壓時,製備其形狀與除 第一空腔部分之外的空腔的三維形狀基本上相同的方塊, 並且該方塊的高度基本上爲除第一空腔部分之外的空腔的 深度。然後,將所述的方塊插入除第一空腔部分之外的空 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 訂
線 520631 A7 B7 五、發明説明(13 ) 腔内。因而,這種安排使加壓步驟中空腔變形的風險得以 減少,尤其是每個空腔部分底面的變形,於是,製成其中 具有精確空腔的多層陶瓷基板。 當使用在構成未加工片層狀體的未加工陶瓷片中所含陶 瓷材料燒結的溫度下不會燒結的無機材料的方塊時,即使 在未加工片層狀體燒製之後也易於除去這種方塊,因爲這 種方塊基本不燒結。 另外,當使用由在未加工陶兗;片中所含陶瓷材料燒結的 溫度下會燒盡的樹脂製成的方塊時,這種塊被倒入空腔 内,然後再硬化成熱固性樹脂。這樣當方塊被插入時不需 要高度的精確度,因此能有效的進行插入步驟,而且由於 方塊被燒盡而省略了用於在燒結之後除去該方塊的附加步 驟。 進行本發明的加壓步驟,以便借助剛性板由彈性部件在 未加工片層狀體上施加壓力,以便製備彈性件和具有等於 或略小於空腔開口之通孔的剛性板,並在將所述剛性板置 於未加工片層狀體上的同時,使剛性板的通孔與空腔的開 口對準,從而所述彈性件容易在空腔内部施加均勻的壓 力,同時,該剛性板保持其中具有開口之未加工片層狀體 的平整度。因而,可以得到更高品質的多層陶瓷基板。 即使空腔的形狀被改變,前述_彈性件可以一直被使用。 這與製備其形狀與空腔形狀相匹配的彈性件情況相比,降 低了成本,也避免了對準的問題。 當藉由施加液壓來進行加壓步驟,並且同時將未加工片 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520631 A7 B7 五、發明説明(14 ) 層狀體、剛性板和彈性件如前述那樣用包裝容器真空包裝 時,可以在未加工片層狀體上更均勻地施加壓力。 當把本發明用於所謂無變形方法中時,其中進行燒結步 驟,提供含有在未加工陶瓷片中所含陶瓷材料燒結溫度下 不會燒結的抑制變形無機材料的抑制變形層,從而沿未加 工片層狀體的層壓方向覆蓋未加工片層狀體的端面,所述 空腔變得更深,加深的量等於抑制變形層的厚度。但是根 據本發明,空腔的表面'深度減小了,減少的量等於方塊的 厚度,因爲方塊被插入到空腔内-,因此使得它容易在整個 未加工片層狀體上施加等向性的壓力。 另外,採用前述的無變形方法,使得多層陶瓷基板具有 更精讀的尺寸。 當採用這種無變形方法構成所述的方塊時,以便包括在 抑制變形層中所含的抑制變形無機材料,使得可以保持無 機材料所包括的前述優點,並實現了材料的通用性,從而 可以降低成本。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 520631ι· 一種製造多層陶瓷基板的方法,包括: 提供包括層壓疊層的未加工片層狀體 複數個未加工陶曼片,部分未加工陶宪片中 以在未加工 層狀體中提供空腔,該空腔沿未加工片層 狀體的層壓方向的一個端面處具有開口;該空腔具有階 梯狀戴面,並包括第-空腔部分,它具有底面和第一橫 向長度,還包括與第一空腔部分底面相通的第二空腔 分,所述第二空腔料具有深度和第二橫向長度,其中 第一橫向長度大於第二橫向長度; 提供一個方塊,所述方塊的三維形狀與第二空腔部分 的二維形狀基本上相同,並且高度等於或大於第二空腔 部分的深度; 將所述方塊插入到第二空腔部分中; 使未加工片層狀體沿其層壓方向受到加壓;以及 燒製該未加工片層狀體。 2·如申請專利範圍第旧之方法,其中該方塊包括在未加工 片層狀體所含陶瓷材料燒結溫度下不會燒結的無機材 料。 如申凊專利範圍第1項之方法,其中該方塊包括在未加工 片層狀體所含陶瓷材料燒結溫度下燒盡的硬化樹脂。 4·如申請專利範圍第3項之方法一,更包括將所述樹脂在其硬 化刖引入到第二空腔部分内,然後再硬化該樹脂的步 驟。 5·如申請專利範圍第1項之方法,其中所述加壓包括提供剛 -18-申請專利範 性板,它具有等於或略小於未加卫片層狀體上的空腔開 口的通孔,所述通孔與空腔的開口對準,通過借助於剛 性板從彈性件在未加工片層狀體上施加壓力進行加壓。 6. 如申請專利範圍第5項之方法,其中藉由將未加工片層狀 體、剛性板和彈性件置於包裝容器中的真空包裝狀態, 並施加液壓而進行加壓。 7. 如申請專利範圍第β之方法,其中該㈣載面包括至少 2級,亚包括與第二空腔部分底面相通的第三空腔部分, 該第-工腔部分具有深度和第三橫向長度,其中第二橫 =長度大於第三橫向長度’該方塊的三維形狀與第二和 第三空腔部分的結合的三維形狀基本上相同,並被插入 到第二和第三空腔部分中。 8. 如申請專利範圍第7項之方法,其中該方塊包括在未加工 片層狀體所含陶竟材料燒結溫度下不會燒結的無機材 料。 9·如申請專利範圍第7項之方法,其中該方塊包括在未加工 片層狀體所含.材料燒結溫度下燒盡的硬化樹脂。 10· ^申晴專利犯圍第9項之方法,更包括將該樹脂在其硬化 别弓丨入到第二空腔部分内,然後再硬化誶樹脂的步驟。 U·如申請專利範圍第7項之方法,更包括以下步驟: 提供一對包括抑制變形無哮材料的抑制變形層,該抑 ^變形無機材料在未加工片層狀體中所含陶㈣料的燒 ’胤度下不會燒結;將該抑制變形層安排得用以覆蓋未 加工片層狀體沿其層壓方向的兩個端面,其中的一個抑 -19- 本纸張尺度itffl t B國家標準(CNS) A4規格(2ι〇 χ 297公爱] 六、申請專利範圍 制變形層其中有通孔,以露出空腔的開口,以及 在只疋未加工片層狀體中所含陶瓷材料會燒結的條 下進行燒製。 12.如申請專利第叫之方法,其中該方塊包括抑制變 形無機材料。 13·如申請專利範圍第_之方法,其中所述加壓包括提供 剛性板,它具有等於或略小於未加工片I狀體上的空腔 開口的通孔,該通孔與空腔的開口對準,通過借助於剛 性板從彈性部件在未加工片層狀體上施加壓力來進行加 壓。 14.如申請專利範圍第13項之方法,其中藉由將未加工片層 狀體'剛性板和彈性部件置於包裝容器中的真空包裝狀 悲並施加液壓而進行加壓。 K如申請專利範圍第14項之方法,其中該方塊包括在未加 工片層狀體所含陶瓷材料的燒結溫度下不會燒結的無機 材料。 16·如申請專利範圍第14項之方法,其中該方塊包括在未加 工片層狀體的含陶瓷材料的燒結溫度下燒盡的硬化樹 脂。 17·如申請專利範圍第16項之方法,更包括將該樹脂在其硬 化前引入到第二和第三空腔哿分内,然後再硬化所述樹 脂的步驟。 18.如申請專利範圍第1項之方法,其中該方塊的高度大於第 二空腔部分和第三空腔部分的深度。 -20 - 紙張尺度通用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 520631 A B c D 々、申請專利範圍 19. 如申請專利範圍第1項之方法,更包括以下步驟: 提供一對包括抑制變形無機材料的抑制變形層,所述 抑制變形無機材料在未加工片層狀體中所含陶瓷材料的 燒結溫度下不會燒結;將該抑制變形層安排得覆蓋未加 工片層狀體沿其層壓方向的兩個端面,其中的一個抑制 變形層其中有通孔,以露出空腔的開口,以及 在只有未加工片層狀體中所含陶瓷材料會燒結的條件 下進行燒製。 ' — 20. 如申請專利範圍第19項之方法,其中該方塊包括抑制變 形無機材料。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001084487A JP3711883B2 (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW520631B true TW520631B (en) | 2003-02-11 |
Family
ID=18940150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091104142A TW520631B (en) | 2001-03-23 | 2002-03-06 | Method for producing multilayer ceramic substrate |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6758926B2 (zh) |
JP (1) | JP3711883B2 (zh) |
KR (1) | KR100473773B1 (zh) |
CN (1) | CN1200597C (zh) |
DE (1) | DE10212629A1 (zh) |
GB (1) | GB2374315B (zh) |
TW (1) | TW520631B (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10252636A1 (de) * | 2002-11-11 | 2004-05-19 | Epcos Ag | Keramisches Vielschichtsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN1304334C (zh) * | 2004-05-24 | 2007-03-14 | Tdk株式会社 | 氧化锆装载板、陶瓷基片的制造方法 |
KR100849455B1 (ko) | 2005-04-19 | 2008-07-30 | 티디케이가부시기가이샤 | 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법 |
CN101180247B (zh) | 2005-04-21 | 2011-01-12 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷基板的制造方法以及陶瓷基板 |
US20090090452A1 (en) * | 2005-06-29 | 2009-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Process for producing nonflat ceramic substrate |
US7799405B1 (en) * | 2006-12-01 | 2010-09-21 | Siemens Energy, Inc. | Three dimensional reinforced CMC articles by interlocking two dimensional structures |
KR100896609B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2009-05-08 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 기판의 제조 방법 |
KR100978655B1 (ko) | 2008-05-26 | 2010-08-30 | 삼성전기주식회사 | 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판의 제조방법 |
JP5332038B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2013-11-06 | 三菱電機株式会社 | セラミック構造体の製造方法 |
KR20110019536A (ko) * | 2009-08-20 | 2011-02-28 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
CN104103525B (zh) * | 2014-06-24 | 2017-05-24 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | Ltcc基板空腔结构缺陷的控制方法 |
CN108695040B (zh) * | 2018-08-13 | 2021-10-08 | 西南应用磁学研究所 | 一种带有空气腔体的ltcf器件及其制作方法 |
KR102107985B1 (ko) | 2019-06-05 | 2020-05-07 | 주식회사 케이에스엠컴포넌트 | 플라즈마 처리 장치용 세라믹 구조체 및 그의 제조방법 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4920640A (en) * | 1988-01-27 | 1990-05-01 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Hot pressing dense ceramic sheets for electronic substrates and for multilayer electronic substrates |
GB2222800B (en) * | 1988-09-16 | 1992-02-19 | Stc Plc | Hybrid circuits |
US5116440A (en) * | 1989-08-09 | 1992-05-26 | Risho Kogyo Co., Ltd. | Process for manufacturing multilayer printed wiring board |
JP3225666B2 (ja) * | 1993-01-27 | 2001-11-05 | 株式会社村田製作所 | キャビティ付きセラミック多層ブロックの製造方法 |
JPH06224557A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | キャビティ付きセラミック多層ブロックの製造方法 |
JPH07142628A (ja) * | 1993-11-19 | 1995-06-02 | Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk | Icパッケージ基板の製造方法と装置 |
JPH07193163A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Murata Mfg Co Ltd | キャビティ付き多層ブロックのプレス方法 |
JP2881376B2 (ja) * | 1994-03-07 | 1999-04-12 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | グリーンシート積層方法及び装置 |
US5478420A (en) * | 1994-07-28 | 1995-12-26 | International Business Machines Corporation | Process for forming open-centered multilayer ceramic substrates |
US5538582A (en) * | 1994-09-14 | 1996-07-23 | International Business Machines Corporation | Method for forming cavities without using an insert |
JPH08162769A (ja) | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Fujitsu Ltd | 多層プリント基板の製造方法 |
JP3089973B2 (ja) | 1995-03-07 | 2000-09-18 | 住友金属工業株式会社 | ガラスセラミックス積層体の焼結方法 |
JPH0939160A (ja) | 1995-07-25 | 1997-02-10 | Nec Corp | セラミック多層配線板の製造方法 |
US5746874A (en) * | 1995-09-29 | 1998-05-05 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for forming cavity substrates using flexible preform insert |
JPH09181449A (ja) | 1995-12-22 | 1997-07-11 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | セラミック多層基板の製造方法 |
JP2870476B2 (ja) * | 1996-04-11 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | セラミック多層配線基板の製造方法 |
US5643818A (en) * | 1996-05-02 | 1997-07-01 | International Business Machines Corporation | Removal of residues from metallic insert used in manufacture of multi-layer ceramic substrate with cavity for microelectronic chip |
US5676788A (en) * | 1996-06-21 | 1997-10-14 | International Business Machines Corporation | Method for forming cavity structures using thermally decomposable surface layer |
JP2000127123A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 多層セラミックパッケージの製造方法 |
-
2001
- 2001-03-23 JP JP2001084487A patent/JP3711883B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-05 GB GB0205177A patent/GB2374315B/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-06 TW TW091104142A patent/TW520631B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-14 US US10/096,874 patent/US6758926B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-21 DE DE10212629A patent/DE10212629A1/de not_active Withdrawn
- 2002-03-23 KR KR10-2002-0015841A patent/KR100473773B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-25 CN CNB021080240A patent/CN1200597C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB0205177D0 (en) | 2002-04-17 |
JP2002290038A (ja) | 2002-10-04 |
CN1382011A (zh) | 2002-11-27 |
DE10212629A1 (de) | 2002-10-02 |
JP3711883B2 (ja) | 2005-11-02 |
US20020134488A1 (en) | 2002-09-26 |
CN1200597C (zh) | 2005-05-04 |
GB2374315A (en) | 2002-10-16 |
US6758926B2 (en) | 2004-07-06 |
KR20020075305A (ko) | 2002-10-04 |
KR100473773B1 (ko) | 2005-03-09 |
GB2374315B (en) | 2003-08-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |