TW517300B - Method and apparatus for wet-cleaning substrate - Google Patents

Method and apparatus for wet-cleaning substrate Download PDF

Info

Publication number
TW517300B
TW517300B TW090127758A TW90127758A TW517300B TW 517300 B TW517300 B TW 517300B TW 090127758 A TW090127758 A TW 090127758A TW 90127758 A TW90127758 A TW 90127758A TW 517300 B TW517300 B TW 517300B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cleaning
tank
solvent
substrate
concentration
Prior art date
Application number
TW090127758A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhito Inagaki
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2000341092A external-priority patent/JP2002143790A/ja
Priority claimed from JP2000341094A external-priority patent/JP4419315B2/ja
Priority claimed from JP2000341093A external-priority patent/JP2002143791A/ja
Priority claimed from JP2000363155A external-priority patent/JP2002166237A/ja
Priority claimed from JP2000369632A external-priority patent/JP4352606B2/ja
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW517300B publication Critical patent/TW517300B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/10—Salts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
    • Y10T436/12—Condition responsive control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

517300 A7 B7
五、發明説明（ 發明背景 發明範圍： 本發明係關於用氟化銨水溶液作清洗溶劑清洗一基材之 方法及裝置，A更特別係關於_新基材清洗方法及裝置， 該方法及裝置係以清洗溶劑耗用量少，而且能均勻一致及 穩定地清洗為標的而發展之方法及裝置。 相關技藝說明： 氟化銨與氫氟酸混合之水溶液及氟化銨或氫氟酸係作清 洗一半導體基材之清洗溶劑之用，該基材係如在製造半導 體及液晶顯示器（LCD)方法中之一玻璃基材。清洗該半導 體基材之主要目的係在藉蝕刻自該基材表面移除一氧化層 (一熱氧化層或一天然氧化層），而清洗玻璃基材之目的同 樣地係在藉姓刻自該玻璃基材移.除一表面層。偶而，前述 之氟化錄水溶液係所需之氫氟酸與銨之混合液，該混合液 係溶解於水之NH4F及有時含表面添加劑。 在半導體及液晶顯示器製造技術領域中，適用於精密處 理之技藝係需要高度整合，以提供重量更輕，體積更小， 及消耗低功率之產品。就前述情況而言，在使用前述清洗 溶劑之基材清洗技藝中係需要一更精準的清洗方法。 在相關技藝中，半導體基材之濕洗通常使用之方法係儲 存一清洗溶劑於一配置在清洗通風設備之一清洗槽中，裝 載相當數量半導體基材於一稱之為晶圓卡匣之容器，而後 連同該卡匣一起浸該基材於該清洗溶液中清洗，同時在不 需特別控制下，使清潔空氣流經該清洗通風設備。 -4* ** 517300 A7
在該相關技藝中’在該清洗溶劑中之氯 隨清洗時間而增加，如圖1所示。圖1#'_曲線圖，以^ 開始使用a亥清洗洛劑作清洗處理後所耗用時間(清洗 ㈣清洗溶劑中之以㈣度間之關係'。結果，前述㈣ 技蟄之該清洗方法係無法有效地作均勾與穩定之清洗，其 原因係在濃度之頗不-致升高以及氧切或該玻璃基材表 面層之蝕刻速度隨時間耗用的增加，圖2如所示，結果係導 致難以提供高半導體基材及液晶顯示器基材產量之問題。 隨清洗時間而升高之該該清洗溶劑中的m農度係因 下列原因而發生。原因之一係自該清洗溶劑析出之水含量 係Ik β >糸空氣排出該清洗通風設備之外。另一原因係氫氧 化銨及氫氟酸在氟化銨水溶液中自氟化銨（NH4F)解離，這 樣，氫氧化銨係同樣地隨清潔空氣以銨氣狀態排出該清洗 通風設備之外。 就該原因而言，該清洗溶劑活性成分濃度之升高（包括不 均勻濃度），在相關技藝中，係藉不斷地更換清洗溶劑控制 之。但完成前述措施係需相當大量之清洗溶劑。特定言 之’因氟化錢清洗溶劑係在濃度為4〇重量％下使用，若與 其他正常需要約數重量％濃度之清洗溶劑相比較，故需要 大量之化學物消耗於每一溶液更換周期。 根據圖3所示方法，該使用過的氫氟酸清洗溶劑（氫氟酸 清洗溶劑5)係也需要作廢流體處理（廢水處理）。但在此情 況下之該廢流體處理係不但需要耗用大量廢水處理劑之資 源’而且會因資源耗用量之增加而增加廢料量（廢水及淤渣） -5- 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 300
之2玫，如圖4之材料平衡圖所示。圖3係一流程圖（自半導 豆衣迨過私中釋放之氟化銨廢流體的處理流程），以說明使 用心之π洗，谷劑的廢流體處理方法。圖4係說明有關圖3所 示廢流體處理方法之材料平衡。 、王球核保問題係成為整個世界所關注之事，及半導體或 $ s曰顯不器基材製造方法對環保之影響係爭論不休。目 則，社會人士係長期探索，以求得不僅能減低基材製造方 法之清洗成本，而且符合環保需求，包括資源節約，減低 廢料排放量及環境清潔之措施。 t此，一具有在大氣壓力下安裝，易於控制溫度，濕度 及清潔空氣流或類似者之清洗槽的裝置係建議作一清洗裝 置之用，該裝置之結構係可使在該清洗槽中之一清洗溶劑 的化學成分係可維持在一預定值範圍以内，而毋需不斷地 更換該清洗溶劑（見曰本專利特許公開申請案第 號）雖然，該清洗裝置係使用一濕潤空氣幕，但仍因清潔 空氣水平流動而難以保持應清洗基材之清潔度，及尚需= 每次玫進與取出該應清洗基材時，切斷該氣流，結果導致 干擾操作之問題。 如前述之說明，該相關技藝之基材濕洗方法係也無法有 效地作均勻與穩定之清洗，其原因係在濃度之頗不—致升 高以及氧化矽層（或該玻璃基材）蝕刻速度之隨時間耗用、 增加（即清洗過程開始使用清洗溶劑起之時間耗用），择、 係導致難以提供高半導體基材及液晶顯示器基材產旦 題。 里之問 -6 - 517300
如本發明測量前述清洗溶劑中氫氟酸（HF)濃度之結果， 可確定該清洗溶劑之氫氟酸（HF)濃度係隨清洗耗用時間而 增加，如圖6所示，及該氧化矽之蝕刻速度係以圖5及圖6所 示結果’隨該清洗溶劑之氫氟酸（HF)濃度而增加，如圖了所 示。也可確定具有清洗槽安裝在清洗通風設備中之該清洗 裝置係可使清潔空氣通過以排出廢氣，特定言之，係顯著 傾向使蝕刻速度增加。 隨请洗耗用時間而增加之該清洗溶劑的氫氟酸（hf)濃度 係因下述原因導致。原因之一係自該清洗溶劑析出之水。 另一原因係氫氧化銨及氫氟酸在氟化銨水溶液中自氣化敍 (NHJ)解離，這樣，氫氧化銨係銨氣狀態排出。 就該原因而言，該清洗溶劑活性成分濃度之升高（包括不 均勻濃度），係藉不斷地更換清洗溶劑而控制。但完成前述 措施係需相當大量之清洗溶劑。特定言之，因氣化錄：主先 溶劑係在濃度為40重量％下使用，若與其他正常需要$數 重量％濃度之清洗溶劑相比較，故需要大量之氟化錢及氣 氟酸消耗於每一溶液更換周期。 Λ 根據圖3所示方法，該使用過的氫氟酸清洗溶劑（氣氣酸 清洗溶劑）係也需要作廢流體處理（廢水處理）。 文 ) 但在此情況 下之該廢流體處理係不但需要耗用大量廢水處理劑之資 源，而且會因資源耗用量之增加而增加廢料量（廢水^ 及淤渣36，46)之釋放，如圖8之材料平衡圖所示。 固8係說 明有關圖3所示廢流體處理方法之材料平衡。 在曰本專利特許公開申請案第9-22891號（該發明桿題係
517300 A7 B7 五、發明説明 一濕洗處理之裝置及方法”）中，係彼露一濕洗處理裝置，就 耗用時間觀點而言，該裝置係具有均勻蝕刻/清洗處理之效 不 4 /然洗處理裝置係具有二槽，即一化學混合物槽及一 混合物控制槽’成分控制之化學物係自該混合物控制槽供 應至一化學槽（一蝕刻槽及一清洗槽）’該槽係配置在一預 定位置’以保持成分改變之化學物在該化學槽中達一預定 成分。 但該成分控制槽係僅適於儲存該供應至該化學槽之成分 控制化學物，及該成分控制化學物係僅適於供成分控制 用。就此而言，該前述裝置係不同於根據本發明及下述^ 明之濕洗基材方法及裝置’及說明其操作與效果係也大不 相同。 用氟化銨水溶液或氟化銨與 材之方法係呈現因該清洗溶劑 水量隨耗用時間改變（蒸發）而 刻速度改變問題。 前述問題係因使用該方法時 隨耗用時間逐漸增加所導致。 加用之清洗溶劑作為抑止清洗 措施。 氫氟酸混合液清洗或蝕刻基 中化孥成分（NHqF及HF)或含 ‘致之氧化矽或玻璃基材蝕 °亥巧冼溶劑中氫氟酸濃度 換σ之，目前係以不斷更 溶劑中不同成分濃度變2 但前述措施係需要相當大量之清洗溶匈 ^ ⑷（符疋而言，因蠢 化銨清洗溶劑係以高達數十份重量百八 ^ 77 ^之）辰度使用（例 如’約40重量％ )，因而，若與其他正赍兩 1 *為要約數重署〇/、筐 度之清洗溶劑.相比較，每一溶劑更換用加y 矣周期係需要消耗大量 -8-
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 517300 A7 B7 五、發明説明（6 ) 一- 化學物質’結果係隨清洗溶劑使用量之增加而增加氣化錢 或氫氟酸之消耗（化學成本）。 如圖3所示，該使用過之清洗溶劑係也需要作廢水處理。 但在此情況下之該廢流體處理係不但需要耗用大量資源（廢 水處理劑），而且會因資源耗用量之增加而增加廢料量（.廢 水及淤渣）之釋放（見圖4)。 圖3係該使用過的清洗溶劑之廢流體處理方法。如圖3所 示，自清洗槽1排放之廢流體係載運至一 pH值控制槽2，以 20%氫氧化鈣溶液使之中和。而後，該中和之廢流體係載 運至一凝塊沉澱槽3，供與如硫酸鋁之化學物質起凝塊沉澱 作用，凝塊沉澱後，進而載運至一凝聚槽4，供以如聚丙烯 酿胺凝聚劑的聚合物凝聚劑使之凝固及沉澱，最後係以廢 料及淤渣拋棄。 在如圖4所示廢流體處理方法中，2.〇 Kg之2〇0/。氫氧化 鈣，0.3 Kg之8%硫酸鋁及16 Kg之聚合物凝聚劑係可產生 1.0 Kg之40%氟化銨水溶液，2.6 Kg之7〇〇/〇固態淤渣及2.3 Kg之廢水的廢料。 全球環保問題係成為整個世界所關注之事，及半導體戒 液晶顯示器基材製造方法對環保之影響係爭論不休。目 月il ’社會人士係長期探索，以求得不僅能減低基材製造方 法之清洗成本，而且符合環保需求，包括資源節約，減低 廢料排放量及環境清潔之措施。 發明概述 本發明之第一標的係以使用一在水中分解氫氟酸成/活 本紙張尺度適财S S家標準(CNS) S^(21〇X297公f 517300
性：分之清洗溶劑濕洗基材的技藝，實現減少因使用該清 先二d所V致之％境負㈣，其中包括減低清洗用化學物質 肖不毛減乂廢料i之釋放及控制環境污染等，同時可使 一清洗過程可均勻一致及穩定完成。 本發明之第二標的係以連續浸潰應清洗基材於複數清洗 槽二該槽中至少-清洗槽儲有含氟化銨及/或氫氟酸水溶清 洗溶劑之供清洗一基材的方法與裝置，實現減少因使用該 ^洗溶劑所導致之環境負擔，其中包括減低清洗用化學物 質之消耗，減少廢料量之釋放及控制環境污染等，同時藉 控制在該清洗溶劑中隨清洗耗用時間而增加之hf濃度，而 使一清洗過程可均勻一致及穩定完成。 本發明之第三標的係提供一清洗基材方法及一基材清洗 叙置’該方法與裝置係具有使一基材清洗過程均勾與穩定 地完成之效果，及也可使廢料排放減量，以及使資源消耗 減少。 一清洗基材之方法係藉儲存一溶解活性成分於水之清洗 溶劑於一配置在一清洗通風設備中之清洗槽内，而後浸潰 该應清洗基材於該清洗溶劑中清洗，於清洗之同時，使清 >糸空氣流經該清洗通風設備，一根據本發明實例之濕洗基 材方法係包括於清洗應清洗基材之同時，供應濕潤清潔空 氣控制相對濕度於一預定範圍之.步驟，該濕潤之清潔空氣 係以垂直向下流動方式供應至在該清洗槽中之清洗溶劑液 面’同時以一預定排放速度排放該清洗通風設備中之空 氣0 10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) ▼… 裝· -訂· 517300 A7 B7 明説明（8~) — ~' 根據前述說明之清洗方法，該供應之清潔空氣最好係限 制其相對濕度於40至50%以内及其溫度限制於室溫溫度， 如是係使本發明提供更高之效果。在該清洗通風設備中之 大氣壓力最好係限制於稍高於該清洗通風設備外界之壓 力，以防止該清洗通風設備外界之空氣進入。以此方式， 在該清洗通風設備中清潔空氣之清潔度係可保持，及該清 潔空氣之流動狀況，溫度及濕度係保持穩定，以使濕洗可 更穩定地連續操作。 根據前述之清洗方法’ 一氧化碎層或一表面層係可自一 矽基材或一玻璃基材有效地藉蝕刻溶液移除，該钱刻溶液 係至少氟化銨及氫氟酸之一溶解於水作清洗溶劑用之水溶 液。 一清洗基材之裝置係藉儲存溶解活性成分於水之清洗溶 劑在一配置於一清洗通風設備内之清洗槽中，而後，浸潰 邊應 k之基材於違清洗〉谷劑中清洗，於清洗之同時，使 清潔空氣流經該清洗通風設備，一根據本發明實例之濕洗 基材裝置係包括一清潔空氣供應器，以供應該清潔空氣至 該 洗通風没備中’使之遠清潔空氣垂直向下流動而達在 該清洗槽中之清洗溶劑液面’一濕潤器，該濕潤器係配置 該清洗通風設備中，以維持該清潔空氣在該清洗通風設備 中之相對濕度於一預定範圍以内，一濕度計係配置在該清 洗槽中之鄰近清洗溶劑液面處並連接至該濕潤器，一排放 管係供排放該清洗通風没備中空氣用，及一排放速度控制 係配置於該排放官處’其中自該濕潤器供應之蒸氣或霧 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 517300 A7 B7 五、發明説明 狀水滴係藉反饋於該濕潤器之該濕度計測得之濕度控制於 一預定範圍以内，及該清洗通風設備中空氣係以在該排放 速度控制器控制下之一預定範圍以内的排放速度排放。 根據該濕洗裝置，該清潔空氣供應器最好係包括一鼓風 機及濾塵器連接於該鼓風機排氣之一側，該供應蒸氣或霧 狀水滴用之濕潤器係垂直向下朝向該清洗槽中清洗溶劑液 面，及該排放速度控制器係包括一調節風門，該風門係可 自動調節開度及一氣流流量表或一壓力表配置在該排放管 之上’而该專表係連接至該調節風門，以藉該等表測得之 反饋值控制該調節風門之開度。 該濕、洗裝置最好係更進一步包括一如濕潤器之單元，以 供應溫度控制於一預定範圍内之蒸氣或霧狀水滴及一空調 器’供控制向該清洗溶劑液面垂直向下供應之清潔空氣的 溫度在一預定範圍以内。. 根據本發明一實例之基材清洗方法及裝置係實現發明者 所發現之基本事實，即該隨耗用時間增加之HF濃度係以自 另一清洗槽供應一清洗溶劑或以一不同清洗方法之清洗槽 控制’因而，提供一均句與穩定之基材清洗方法（一均勻與 穩定蝕刻速度）。根據本發明係可確定，使用前方法清洗該 基材確能減低更換該清洗溶劑之頻率，減少清洗用化學物 質之消耗及因供廢流體處理用化學物質之消耗減少而降低 廢料釋放量等。 一清洗基材之方法係連續浸潰應清洗基材於複數清洗 槽，該清洗槽至少應包括一儲有含氟化銨及/或氫氟酸水溶 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7
液之清洗溶劑的清洗槽，而根據本發明一實例之濕洗基材 方法係包括自另一清洗槽供應一清洗溶劑至該儲有氟化銨 及/或氫氟酸清洗溶劑之清洗槽的步驟，以控制前述該儲有 氣化錄及/或氫氟酸清洗劑之清洗槽中該清洗溶劑的Ηρ濃度 增高。 該根據本實例之濕洗基材方法，其特徵在該前述之另一 清洗槽係儲有不含氟之銨水溶液之槽。該前述之另一清洗
裝 槽也可係儲有純水或儲有酒精之槽。而且，所使用之酒精 係以異丙基酒精為最佳。 /月洗基材之方法係連續浸潰應清洗基材於複數清洗 槽，該清洗槽至少應包括一儲有含氟化銨及/或氫氟酸水溶 液之清洗溶劑的清洗槽，而根據本發明一實例之濕洗基而 根據本發明一實例之濕洗基材方法係包括自一不同清洗方 法之清洗槽供應一清洗溶劑至該儲有氟化銨及7或氫氟酸清 洗浴劑之清洗槽的步驟，以控制前述該儲有氟化銨及/或氫 氟酸清洗劑之清洗槽中該清洗溶劑的濃度增高。
该根據本實例之濕洗基材方法，其特徵在該前述不同清 洗方法之清洗槽係儲有不含氟之銨水溶液之槽。該前述不 同清洗方法之清洗槽也可係儲有純水或儲有酒精之槽。而 且’所使用之酒精係以異丙基酒精為最佳。 根據本發明第二標的之濕洗基材裝置係包括複數清洗 槽，孩清洗槽至少應包括一儲有含氟化銨及/或氫氟酸水溶 液之清洗溶劑的清洗槽，及管路配置在該儲有含氟化銨及/ 或氫氟酸水溶液之清洗溶劑的清洗槽與其他儲有控制該儲 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董) 517300 A7 B7 五、發明説明（11 ) 有氟化銨及/或氫氟酸清洗劑之清洗槽中該清洗溶劑的HF濃 度增高溶液的清洗槽之間，其中另一清洗槽係用於同一清 洗方法之清洗槽。 根據本發明一實例之濕洗基材裝置係包括複數清洗槽’ 該清洗槽至少應包括一儲有儲有含氟化銨及/或氫氟酸水溶 液之清洗溶劑的清洗槽，及管路配置在該儲有含氟化銨及/ 或氫氟酸水溶液之清洗溶劑的清洗槽與其他儲有控制該儲 有氟化銨及/或氫氟酸清洗劑之清洗槽中該清洗溶劑的HF濃 度增咼溶液的清洗槽之間’其中另一清洗槽係用於不清洗 方法之一清洗槽。 如前述，該根據本實斜之濕洗基材方法及裝置，其特徵 在於清洗浸於該清洗溶劑之基材時，該清洗槽中清洗溶劑 HF濃度之升高係藉（1)自與該清洗槽安裝在一起構成一清洗 過程系列之另一清洗槽供應該清洗溶劑或（2)自一構成不同 於知述洗過程之清洗過程的清洗槽供應該清洗溶劑，沖 淡遠清洗)谷劑方式控制。雖然，在構成一清洗過程系列之 該複數清洗槽任一清洗槽中的清洗溶劑或在構成不同清洗 過私系列之該清洗槽中的清洗溶劑，於一預定清洗時間期 限過後’係在該廢水處理過程中當作廢料處理，而本實例 之方法及裝置係可有效地利用前述之清洗溶劑作稀釋劑 用’因而’提供一均勻及穩定之基材清洗過程。 根據本發明一實例之方法及裝置係鑒於前述之清洗或蝕 刻過粒問題而提供，該問題係包括由於該清洗溶劑中之化 學成分（NHj，HF)或含水量隨耗用時間的改變（蒸發）而改 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300
變（j：治六Λ ^ 士曰_口）乳化石夕或玻璃基材所需之蝕刻速度。 耗因該清洗溶劑中之氫氣酸濃度在過程中隨 更換兮、、主、*、 私員丨不「月况〒，不斷地 “々劑係已成為抑止該清洗溶劑中不同成 改，交之措施。 人 一仁對則述措施而言，係需要相當大量之清洗溶劑。特定 σ之，因氟化銨清洗溶劑係以高達數十份重量百分比之濃 度使：:例曲如，約40重量％)，因而，若與其他正常需要： 數重里❶/〇》辰度之清洗溶劑相比較，每一溶劑更換周期係需 要消耗大量化學物質，結果係隨清洗溶劑使用量之增加而 增加氟化銨或氫氟酸之消耗（化學產品成本）。 如圖3所示，該使用過之清洗溶劑係也需要作廢水處理。 但在此情況下之該廢流體處理係不但需要耗用大量資源（廢 水處理劑）’而且會因資源耗用量之增加而增加廢料量（麥 水及淤渣）之釋放（見圖8)。 圖3係該清洗溶劑之廢流體處理方法。如圖3所示，自清 洗槽1排放之廢流體係載運至一 pH值控制槽2，以20%氫氧 化鈣溶液使之中和。而後，該中和之廢流體係載運至一凝 塊沉澱槽3，供與如硫酸鋁之化學物質起凝塊沉澱作用，凝 塊沉澱後，進而載運至一凝聚槽4，供以如聚丙烯醯胺凝聚 劑的聚合物凝聚劑使之凝固及沉澱，最後係以廢料及淤渣 拋棄。 在如圖8所示廢流體處理方法中，2· 0 Kg之20%氫氧化 鈣，0· 3 Kg之8%硫酸鋁及1.6 Kg之聚合物凝聚劑係可產生 -15- 本紙張尺度家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 517300 A7 _______ B7 _ 五、發明説明（13 ) 1.0 Kg之40%氟化銨水溶液，2 6 Kg之70%固態淤渣及2.3 Kg之廢水的廢料。 本實例係鑒於前述而提供，即提供一基材清洗方法及一 基材清洗裝置’該方法與裝置係具有使一基材清洗過程均 句與穩定地完成之效果，及也可使廢料排放減量，以及使 資源消耗減少。 在一以該氟化銨（重量％)與氟化氫（重量％)之比超過5〇 (> 50)之溶液作一清洗溶劑用之氟化銨水溶液清洗基材方法 中’根據本發明一實例之清洗基材方法係包括隨該清洗溶 劑耗用時間以銨成分補充該清洗溶劑之步驟。 在一以該氟化敍（重量％)與氟化氫（重量之比超過5〇 (>〕〇)之溶液作一清洗溶劑用之氟化銨水溶液清洗基材裝置 中，根據本發明一實例之清洗基·材裝置係包括一基材清洗 槽°亥巧洗槽中係儲有清洗溶劑及一補充裝置，供以銨成 分補充在該基材清洗槽中之清洗溶劑。 當氟化銨水溶液或氟化銨，氟化氫混合液作清洗溶劑， 供清洗或蝕刻該基材時，該清洗溶劑之濃度與成分係隨耗 用時間而變。 、一根據本發明者之實驗發現，當該氟化銨，氟化氫混合水 ^液作清洗溶劑時，濃度與成分之改變係視氟化銨與氟化 氫之比而定。 當該氟化銨（重量％)與氟化氫（重量％)成分比係超過5〇 ’該氟化錄與氟化氫之比係隨該耗用時間而 支。結果，在該清洗溶劑中之氟化氫率增加。 -16-
517300
里Ά)與氣化氫（重量 、里里/。）之戍分 ，泫氟化銨與氟化氫之比 另一方面，當該氟化銨(重 比未超過50 ( ^ 50)時，例如 難改變。 換§之’當以氟化錢（重 超過50 ( ^ 50)之水溶液作 水補充前述該清洗溶劑之 時間而定。 畺0/〇)與氟化氫（重量％ )成分比 該清洗溶劑用清洗該基材時，未 過程係視使用該清洗溶劑^耗= 〜、至里y。）興齓化氫重量％ 超過50 (>50)之水溶+ 里/0)成分比 、 合夜作该清洗溶劑用清洗該基材砗 銨成分補充前述該清洗、、交句 〃 守’以 』i ^月冼岭劑之過程係視使用該 耗用時間而定。 死a則所 ”如刖述况明’當亂化銨(重量％ )與氟化氫(重量。成分 超過50、（>5G)時’該氟化錢與氟化氫之比係隨耗用時 、交。但過多之氟化氫係可藉以銨成分補充該清洗溶劑之 法使之轉換為氟化銨，結果，該HF濃度係保持恆定。 用刖述方法’該清洗溶劑之消耗量係隨該清洗溶劑補充 頻率之減少而減低，就該清洗溶劑而言，係進而因減少廢 水處理所需化學物質之量，而減少自廢水處理釋出之廢水 與淤渣之量。 " 因此’根據本實例，該基材清洗過程係均勻與穩定，及 除此之外’自廢水處理釋出之廢料量係隨該清洗溶劑耗用 量之減少而降低。 同時’在用氟化銨（重量％ )與氟化氫（重量。/。）比未超過5〇 (S 5 0)之氟化|安及氟化氫水溶液清洗一基材的裝置中，根 據本發明一實例之清洗基材裝置係包括一基材清洗槽，該 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 517300 A7 B7 五、發明説明（15 ) 清洗槽係儲有清洗溶劑及一補充裝置，供以水補充在該基 材清洗槽中之清洗溶劑。 當敗化錢’氟化氫混合水溶液用作清洗溶劑清洗或蝕刻 基材時’該清洗溶劑之濃度與成分係隨耗用時間而變。 根據本發明者之實驗發現，當該氟化銨，氟化氫混合水 溶液作清洗溶劑時，濃度與成分之改變係視氟化銨與氟化 氫之比而定。 當氣化錢（重量％ )與氟化氫（重量％ )成分比未超過5〇 ($ 50)，例如，該氟化銨與氟化氫之比係難以改變。 就此而g，根據本實例，當氟化銨（重量％ )與氟化氫（重 量％)成分比未超過5〇 ( $ 50)之水溶液作清洗基材用之清洗 溶劑時，以水補充該清洗溶劑之過程係隨該清洗溶劑之奉 耗用時間而定。 如前述，因當氟化銨（重量％)與氟化氫（重量％)成分比未 超過50 ( S 50)時，氟化銨與氟化氫之比係難以改變，故僅 以水補充該清洗溶劑係足以維持濃度之恆定。 ，因此該清洗溶劑之消耗量係.隨該清洗溶劑補充頻率之 減少而減低，就該清洗溶劑而言，係進而因減少廢水處理 所”匕學物質之量’而減少自廢水處理釋出之廢：與二杳 之量。 、 係均勻與穩定， 隨該清洗溶劑耗 及 用 因此，根據本實例，該基材清洗過程 除此之外，自廢水處理釋出之廢料量係 量之減少而降低。 圖式簡單說明 -18-
本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) Α4規格(210X297公釐) 517300 A7 B7
五、發明説明（16 ) 本發明之前述說明及其他標的與特性係於參照隨附圖 與下列最佳實例之說明後更瞭解，該圖式係包括. 濃度間之關係曲線圖； ⑽系根據在相關技藝中之—清洗方法的、清洗過程開 ^吏用-清洗溶劑後’耗用時間與該清洗溶劑氫氟酸（hf) 圖2係當圖2所示該清洗溶劑使用時，該清洗耗用時間與 一半導體基材蝕刻速度間之關係曲線圖； 圖3係-流程圖’以說明使用過之清洗溶劑的廢流體處理 過程’即根據相關技藝之清洗方法’自一半導體製造過程 中釋出的氟化銘廢流體處理過程； 圖4係說明圖3所示廢流體處理過程之材料平衡簡圖； 圖5係根據在相關技藝中之一清洗方法的於一清洗過程開 始使用一清洗溶劑後，耗用時間（清洗時間）與一半導體基 材表面上氧化矽蝕刻速度間之關係曲線圖； 圖6係當圖5所示該清洗溶劑使用時，該清洗耗用時間與 該清洗溶劑氩氟酸（HF)濃度間之關係曲線圖； 、 圖7係當圖6所示該清洗溶劑使用時，該清洗溶劑氫氟酸 (HF) /辰度與一半導體基材表面上氧化矽蝕刻速度間之關係 曲線圖； 圖8係說明廢流體處理過程之材料平衡簡圖； 圖9係說明根據本發明一實例之濕洗裝置結構的簡圖，以 及使用該濕洗裝置執行操作之基材清洗方法； 圖1 〇係說明當使用本發明清洗方法與使用相關技藝清洗 方法相比時，一半導體基材表面上氧化矽蝕刻速度的曲線 -19 - 本紙張尺度it财® g家標準(CNS) A4%;^(21QX 297公爱) 5173〇〇 A7 B7 五、發明説明（
圖11係說明在一清洗溶劑中，㈣時間與名虫刻速度間之 關係的特性曲線圖； 圖12說明耗用時間與該清洗溶劑HF濃度間之關係的特性 曲線圖； 圖13係說明根據本發明一清洗系統之流程圖； 圖14至圖18說明根據本發明實例之濕洗裝置結構的簡 圖，以及使用該濕洗裝置執行操作之基材清洗方法； 圖19係說明當使用本發明法與使用相_技’藝清洗 方法相比時，-半導體基材表面上氧化耗刻速度改變及 該清洗溶劑HF濃度改變曲線圖； 圖20係在一清洗溶劑中，該耗用時間與該蝕刻速度間之 關係特性曲線圖； 圖21係該耗用時間與該清洗溶劑肝濃度間之關係特性曲 線圖； 圖22係視該耗用時間而定之^^札^與Η]ρ比變化特性曲線 圖； 圖23係說明根據本發明_實例之清洗基材裝置簡@ ; 圖24係控制視銨成分補充而定之該姓刻速度與該HF漢度 情況的曲線圖； 圖25係說明根據本發明另_實例之清洗基材裝置簡圖； 圖26係在—清洗溶劑中耗科間與似彳速度㈣之特性 曲線圖； 圖27係"玄，月洗洛劑中耗用時間與HF濃度關係之特性曲線
517300 A7 B7 五、發明説明（18 ) 圖； 圖28係視耗用時間而定之NHj與HF比改變特性曲線圖； 圖29係說明根據本發明之另一實例的清洗基材裝置簡 圖； 圖30係視水補充而定之HF濃度改變特性曲線圖； 圖3 1係視水補充而定之蝕刻速度改變特性曲線圖； 圖32係控制視水補充而定之該蝕刻速度與該hf濃度情況 的曲線圖；及 圖3 3係說明根據本發明之另一實例的清洗基材裝置簡 圖。 裝 最佳實例詳細說明 圖9係說明一清洗基材裝置（一濕洗裝置）簡圖，以及操作 该濕洗裝置之一基材清洗方法。圖10係說明當使用本發明 清洗方法與使用相關技藝清洗方法相比時，一半導體基材 表面上氧化矽蝕刻速度的曲線圖。
一基材清洗裝置100係具有下述結構。一清洗槽112係配 置在一具有一（未示出）樞動門之.清洗通風設備（一通風室） 111之下端，及一濕度計（或任何型別之濕度測量計）i丨3， 该濕度計係安裝在該清洗槽π 2上端鄰近清洗溶劑1 3 1液面 之處。一濕潤器114及一空調器115係配置在該清洗槽112之 正上方，及一濾塵器Π5係連接至該空氣器U5進氣口，而 濕度計11 3係連接至該濕潤器114。該濾塵器1丨6進氣口係藉 一空氣導管連接至該空氣器n 5排氣口處之一鼓風機，該鼓 風機係未示出。一控制隨清洗耗用時間上升之溫度，以保 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 B7
持一清洗溶劑於室溫的溫度控制裝置（未示出）最好係配置 在該清洗槽112中。 一排氣導管1 17係連接至該清洗通風設備u丨之周壁i丨u 上’即連接至該周壁接近該清洗槽1 12上端之部份。該排氣 導管11 7係具有一自動調節風門i丨8及一空氣流量計n 9 (或 一流體壓力計）在該自動調節風門之下游。該空氣流量計 I 19係可配置在該自動調節風門1丨8之上游或在該清洗通風 設備111之中。 雖僅該清洗槽112 ( —蝕刻槽）係示於圖9之該清洗通風設 備111中，但一沖洗槽及一烘乾槽（未示出）係可配置在該清 洗通風設備111中該清洗槽鄰近之處。在此情況下，例如， 係可使用該沖洗槽，以供浸潰該基材於離子交換水用，及 使用該烘乾槽，以藉吹送清潔空氣烘乾該噴灑異丙基酒精 (IPA)後之基材表面。該清洗通風設備111，該沖洗槽及該 烘乾槽，係依序安裝在用隔壁隔成之個別隔離室中，相鄰 之隔離室係藉開啟在室壁上配置之樞轉門使之彼此相通。 下述係說明使用基材清洗裝置100清洗一矽基材之一方 法。以溶解氟化銨及氟化氫酸於水達預定濃度之一預定量 室溫清洗溶劑13 1係供應於該清洗槽112中。於該自動調節 風門118開啟至一適當開度後，至該濕潤器114及該空調器 II 5之電源係使之ON。因該清洗通風設備111係需具有一相 對濕度，以防止水之更進一步蒸發，以控制水自該清洗溶 劑13 1蒸發之損耗，該相對濕度（最好係接近飽和濕度）之目 標值係藉該濕潤器114設定。溫度目標值係藉該空調器11 5 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 ___ —_B7 ___ 五、發明説明（2〇 ) 設定’以限制該清洗通風設備u i内部至一預定溫度。該排 放速度之目標值係藉該自動調節風門n 8之驅動機構設定， 以控制該清洗通風設備n丨中之空氣（每單位時間）排放速 度。 相當數量之矽基材（矽晶圓）係裝載於一晶圓卡匣中，其 中該基材係藉垂直平行且彼此相間隔一定間隔方式裝載。 而後’該石夕基材連同該晶圓卡匣一併浸入該清洗溶劑1 3 i 中’以開始該清洗過程。在該清洗過程中之矽基材係以藉 該#刻過程自每一石夕基材表面移除一自然氧化層之方式清 洗。 在該清洗過程中，空氣（限制其溫度於接近室溫及壓力高 於大氣壓力）係自該鼓風機經該濾塵器丨丨6，該空調器n 5及 該濕潤器114垂直向下供應至該清洗溶劑13丨在清洗槽丨丨2中 之液面區域。在此情況下，自該鼓風機吹送之空氣係經該 濾塵器116過濾後之高度清潔空氣及該空之溫度係以該空調 器11 5控制於一預定範圍以内（通常係大致在室溫範圍）。空 氣之相對濕度係藉該濕潤器114噴灑霧狀純水水滴方式控制 在一預定範圍以内。與該清洗溶劑液面接觸後之清潔空氣 係以一預定流速經該自動調節風門11 8排出。 根據前述說明之該清洗過程，限制壓力高於大氣壓力及 溫度與濕度於預定值之該濕潤清潔空氣係以垂直向下方式 供應至在該清洗槽112中之清洗溶劑1 3 1整個液面。因此， 與使該清潔空氣平行流經清洗溶劑液面之過程相比較，該 前述之清洗過程係確增強控制水自該清洗溶劑蒸發損失之 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 517300 A7 __________B7_____ 五、發明説明（21 ) 功能，及係也提供在該清洗溶劑液面上更高之空氣移動功 能。此外，當處理載有該矽晶圓之晶圓卡匣時，前述之清 洗過程係提供在該晶圓間更有效之清潔空氣移動。 根據前述之清洗過程，因在該清洗通風設備111中之大氣 壓力係限制於一稍高於該清洗通風設備大氣壓力，故該清 洗通風設備11 1外之空氣係防上進入該清洗通風設備111。 以此方式之配置，該前述之清洗過程係消除，由於外界空 氣進入該清洗通風設備，以及在該清洗通風設備中清潔空 氣的流通狀況’溫度及濕度之變化所致使在該清洗通風設 備中之清 >糸空氣受污染的缺點，因而使該濕洗可更穩定連 續操作。 在根據本發明之一實例中，圖9所示之清洗裝置係用於根 抓前述之該清洗過程清洗該矽晶圓。換言之，在一比較範 例中，该矽晶圓係以相似於該實例之方式清洗，即使用圖9 所示之該清洗裝置100清洗，但未操作該空調器丨丨5及該濕 潤器114，以及使該自動調節風門丨丨8固定於一開度不動。 該結果係示於圖1 〇。 根據該範例之結果，隨清洗過程耗用時間之蝕刻速度上 升係很緩慢，及除此之外，飯刻.速度之恨定上升係示如圖 10。因該理由，係無更換溶劑之需求，即使該同一清洗溶 劑長期使用亦然。 換言之’根據該比較範例之結果，隨清洗過程耗用時間 之蝕刻速度上升係較高於該範例之速度上升，及除此之 外，係可見不一致之姓刻速度上升。因此，該溶液係在該 -24- 517300 A7 —__ B7_ 五、發明説明（22 1 " 1 清洗過程中更換。但在清洗溶劑更換後，短時間之清洗係 仍會致使姓刻速度上升，及該蝕刻速度係很快地高過於根 據δ亥不品更換清洗溶劑範例所使用方法之。 該利用超音波之濕潤器係可用於圖9所示之清洗裝置，或 採用供應彿水之水蒸氣至該清洗通風設備中之方式濕潤。 前述以預定流速供應限定溫度與濕度之清潔空氣的操作係 也可有效應用於補充包括氟化銨，氫氟酸，水性銨，水及 月b減低表面張力溶液各種成分之清洗溶劑。 泫清洗溶劑中活性成分濃度及水分之測量係可用（丨）以預 疋波長吸收光’（2)紅外線/紫外線吸收光譜，及（3)折射 率’比重’光透過率及傳導率或類似者，或使用一如（4) Karl Fischer滴定儀之測量單元及（5)液體（離子）色譜分離底 類似者等方法測量之。 使用前述清洗方法係可降低蝕刻速度之改變或不一致， 因此，對至少以氫氟酸作活性成分用溶解於水之清洗溶劑 而言，清洗係受清洗時間耗用之影響，如圖1〇所示。因 此，使用前述清洗溶劑之清洗過程係均勻一致與穩定，可 確實因減少前述清洗溶劑更換頻率而降低廢流體處理（廢水 處理）用之化學物質的量（延長該清洗溶劑之使用壽命）。該 前述清洗方法係也具有減少廢料排放量之效果，即減少淤 渣及廢水（污水）排放，因而減低化學物質之耗用量。 根據本實例之清洗方法，該清洗過程開始後耗用時間與 姓刻速度間之固定線性關係係如圖丨〇所示，在該清洗過程 開始時之蝕刻速度（當耗用時間為如圖2所示為0時之垂直軸 -25- I紙張尺度適用中國S家標準(CNS) A4祕(21GX 297公釐)------- 517300 A7
濃度而定先始時，該清洗溶劑中之氫氟酸(HF) 過程開始後之:二;=:。…速度則係由該清洗 因此，在該清洗過程 上+丄 度及於該清洗^卩^ 劑中氫氟酸（HF)濃 ♦。上 。王开佼之耗用時間係估計該蝕刻速度之所 、染序爭古 去係更進一步具有以均勻一致及恆等蝕刻
Si門St再清洗效果。換言之，所需之蝕刻時間(該清洗 “上口後之耗用時間）係僅藉設定該所需姓刻時間即可。 ^ Λ所而蝕刻時間或該所需清洗溶劑之HF濃度係僅藉 將前述線性關係換算為數字即可。 。日本專利特許公開申請案第9- 22891號（發明標題‘‘濕洗過 ί-用^裝1及方法”）係披露一供自一矽晶圓表面蝕刻及清 先氧化物用之裝置。在該裝置中，一儲有化學溶劑之清 洗：在限定清洗晶圓所需之溫度，濕度及清潔空氣流速 的％境下安裝，同時使清潔空氣以限定之70%或更高相對 濕度’水平流向該清洗槽中化學溶劑液面上方。 但根據前述之裝置，該清潔空氣，於使之連續流動時， 係垂直吹於該晶圓表面，同時，於清洗後自該清洗槽中取 出该晶圓卡運送至下一清洗槽之操作時，係會導致對該晶 圓表面上清潔空氣氣流之干擾。因此，該應清洗之表面上 係會钻有顆粒（外物）。欲消除該項缺點時，係需於每次傳 送該晶圓匣時，應作停止供應清潔空氣惱人之操作。 換言之，根據本發明一實例之清洗方法及裝置，其特徵 在於清洗該基材之同時係垂直向下自一在該清洗槽上方之 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) ^17300
部份供應清潔空氣 晶圓匣時，該清潔 拫少有顆粒粘著之 動中傳送。 至該清洗溶劑之液面 空氣係以平行.於每一 慮。因此，該晶圓匣 。因此，於傳送該 晶圓表面流動，故 係可該清潔空氣流 本實例之濕洗方法係可使該清洗過程均勻一致，以 之清潔產品，㈣，係也可減低該清洗溶 奐頻率。結果，該廢流體處理負擔係可減輕，此係 、於凋配°亥清洗溶劑之化學物質耗用量減低而導致該廢 机體排放里減少所致。&外，資源係因該廢流體處理用化 卞物貝耗用量減低而節省，結果，使該廢流體處理 淤渣及廢水量減少。 根據本發明一實例之濕洗方法，因該清洗過程具有增加 使水分自該清洗溶劑減少蒸發之效果，以及水分蒸發之損 八控制於預定範圍以内，故該線性關係穩定地存在於清洗 所而犄間與清洗溶劑活性成分濃度之間，進而更增加本發 明實例之效果。 又 根據本發明一實例之濕洗方法，因該溶劑係以至少溶解 氣化錢及氟化氫酸之一於水方式調製而作清洗溶劑用，以 供藉姓刻自該矽基材表面移除該氧化層，該清洗過程係可 使清洗時間與姓刻速度間之線性關係均勻一致，進而成一 高度可重複性之清洗過程，同時具有精確之蝕刻速度控 制。 工 根據根據本發明一實例之濕洗裝置，係使該根據本發明 一實例之清洗方法可精準地，或更精確地及有效地，或更 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 517300 A7
精確地與穩定地操作。 供清洗該基材用之根撼士 — ^ ^ ^ , 康本^明貫例的方法與裝置係以參 考&附圖式之方式作詳細說明。 少 =發㈣_於供q氟化録水溶液或氟化鍵氟 水浴液作清洗溶劑清洗(或卿亥基材之過程，及；特； 係關於用濃度在清洗過程中自妒 、主^ 、柱τ自始至終固定不變之清洗溶劑 >月>先該基材之清洗過程，在該清洗過程令係以所需之成 分m水性錄’氟㈣水溶&，視該清洗溶劑中 各種成分濃度而定補充該清洗溶劑，α改正濃度之改變， 同時視該清洗溶劑使用時間之長短而更換該清洗溶劑。 圖11說明熱氧化物，如氟化銨氫氟酸混合溶液，之耗用 蚪間與蝕刻速度間關係特性曲線圖。在該清洗溶劑中NHJ (40重量％)與HF (50重量％)之成分比係4〇〇/1。該清洗溶劑 之溫度係限定於25。（：，及該熱氧化物層係si〇2。 由圖11可確定，對該熱氧化物之蝕刻速度係隨該耗用時 間而增加。 雖然在用前述清洗溶劑清洗該基材之過程中，該蝕刻速 度係隨時改變，但在蝕刻速度與耗用時間之間係具有相當 南度之相互關係（一百分比關係）。即在該清洗溶劑中含水 量或化學成分（NH4F，HF)係隨耗用時間而變（蒸發），更特 別係該清洗溶劑中HF (致使蝕刻該熱氧化物之直接成分）澴 度係以固定速度增加，其原因在該含水量或該銨成分係以 固定速度自該清洗溶劑蒸發所致。 圖12係說明該清洗溶劑中HF濃度隨耗用時間改變之曲線 -28 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公釐) 517300 A7 ____ _Β7 五、發明説明（26 ) 圖，及由圖12可確定，該hf濃度係隨耗用時間以固定速度 增加。 因此’用氟化銨水溶液或氟化銨氫氟酸混合液清洗（蝕刻） 該基材之過程係需保持該清洗溶劑之HF濃度穩定與均勻一 致。 有關於此，根據本發明一實例，係提供一如圖丨3所示之 清洗系統’以保持該清洗溶劑之HF濃度於一預定範圍以 内0 在該清洗系統中，該清洗溶劑之HF濃度係定期測量，以 依測量結果作後續操作之依據。 下述係說明該清洗系統應用於測量該HF濃度，以作測量 用之目標濃度時之情況。 如圖13所示’在本實例中之該清洗系統中，該hf濃度係 用〉辰度測里早元疋期測置（母6 χ η時間測量*次，例如；π 係小於8之正整數），如前述（步驟132)說明，該HF濃度係隨 耗用時間而變。 根據該清洗系統，該清洗溶劑中成分濃度（例如，HF)之 測量係可藉以預定波長吸收光，紅外線/紫外線吸收光譜， 折射率，比重，光透過率及傳導率或類似者，或使用一如 Karl Fischer滴定儀之測量單元及液體（離子）色譜分離底類 似者等方法測量之。 如該HF濃度在該預定範圍以内，即於該清洗過程開始（本 驟133，134)後，濃度測量結果應為〇· 〇5至〇. 1重量％。 而後，於使用至一預定期限達該溶劑應更換時限（步驟 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 517300 A7. B7 五、發明説明（27 ) —-- S135)時，在該清洗槽中之全部清洗溶劑係予更換。在該清 洗系統中，該溶劑更換時限係設定為每耗用48小時（步= 1 3 1)更換一次。 當清洗溶劑更換完成後，換下之溶劑濃度係測量至—預 定時間，即完成清洗溶劑更換後1〇分鐘。 該清洗系統係連續清洗，直至達該溶劑更換時限為止， 同時，因濃度應予測量，故需計算耗用時間。而後，該 濃度係可經於耗用後一預定時限（6xn時間，例如；11係小於 8之正整數）之重複測量濃度而確定（步驟136)。 在前述流程中，在該溶劑更換時限或該耗用時間之前， 測里δ亥》辰度係未構成任何不同。 換言之，當該HF濃度測量結果在該預定範圍〇〇5至〇1重 量％以外時，該清洗溶劑係應補充，以改正該Ηρ濃度（步驟 138卜 如測量之HF濃度超過前述預定範圍時，該清洗溶劑係補 充銨成分，以降低該HF濃度（步驟1 39)。 在該步驟中，係供應與該設定之HF濃度及該量得之HF濃 度間克分子數相符之銨成分，以使該HF濃度恢復至前述預 定範圍以内。 特定言之，該清洗溶劑應補充之銨氣或水性銨係以表達 式[測得之HF濃度（重量％ )—設定之HF濃度（重量％ ) X (錄克 刀子$ / HF克分子量）X清洗溶劑總重計算所得之量。 用該銨成分補充係可致使HF中和，以提供氟化銨，及結 果係控制該清洗溶劑中之HF濃度。用水性銨補充係可提供 -30- 517300 A7 B7 五、發明説明（28 ) 沖淡與中和化雙重效果。 換言之，當測得之HF濃度低於該預定範圍時，該清洗溶 劑係補充HF成分，以提升該HF濃度。 在該步驟中，供應之該HF成分係應符合該設定之HF濃度 與該測得之HF濃度間之差異，以使該HF濃度恢復至前述預 定範圍以内。 特定言之，該清洗溶劑應補充之如HF氣及氟氫酸的HF成 分係以表達式[測得之HF濃度（重量。/。）—設定之HF濃度（重 量％)] X清洗溶劑總重計算所得之量。 在該清洗系統中，如經數次測量濃度後，該HF濃度未在 該預定範圍以内時，系統係會發出一錯誤信號暫時中斷操 作。特定言之，如連續四次測量，該HF濃度皆未在該預定 範圍以内時，該清洗系統係會發出一錯誤信號暫時中斷操 作，例如（步驟137)。 當正常測量結果係該HF濃度超出該預定範圍，用該成分 柄充以改正該HF濃度’可使用該清洗溶劑之触刻過程均勻 與穩定（即保對該氧化物之蝕刻速度恆定），消除如相關技 藝所需要之經常更換該清洗溶劑。因此，該清洗溶劑之使 用#命係可延長，不僅可因溶劑更換次數之減少而減低清 洗溶劑之消耗（資源節省），同時，對該清洗溶劑而言，也 可減少用於廢水處理之廢水處理劑（資源節省）。因化學物 質消耗量之減少係也可減少自該廢水處理排放之淤渣與廢 水（減少排放廢料量）之量。 因此，本發明之該實例係可使該基材清洗過程均勻一致 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 訂
517300 A7 ____ B7 _ 五、發明説明（29 ) 與穩定’但也可對環保，包括資源節省及廢料排放量減少 或類似者有所貢獻。 如前述說明，使用本實例之方法及裝置係可使以氟化銨 水溶液清洗該基材之過程均勻一致與穩定，及也可減少該 清洗溶劑更換頻率，不僅可節省化學物質資源（該清洗溶劑 及廢水處理劑），也化學物質消耗量之減少而實質減少淤渣 與廢水之排放量。 本發明實例係將參照隨附圖式說明。 圖14係說明根據本發明一實例之濕洗裝置結構的簡圖， 以及使用該濕洗裝置之一基材清洗方法的操作。該清洗裝 置係具有一 SC- 1槽151，一沖洗槽152，一 SC-2槽153，一沖 洗槽154。一 BHF槽155，一沖洗槽156，一沖洗槽157及一 烘乾槽1 5 8，該槽係採一槽接一槽方式配置。 一以溶解銨及水性過氧化氫（H202)於水之方式調製的清 洗溶劑係儲存於該SC- 1槽1 5 1中，同時，一以溶解氟氫酸及 水性過氧化氫（H202)於水之方式調製的清洗溶劑係儲存於 該SC-2槽153中。前述之銨係溶解為銨水合物（NH4OH)。一 以溶解氟化銨（NH4F)及氫氟酸（HF)於水之方式調製的（具 有之正常HF濃度為約〇· 1重量％及該NH4F濃度約40重量％) 清洗溶劑係儲存於該BHF槽1 55中，而純水（離子交換水）係 儲存於每一沖洗槽152，154，156及157中。該烘乾槽158之 使用係藉熱清潔空氣吹向沖洗後以異丙基酒精蒸氣噴過之 該基材表面，以排除該表面上之異丙基酒精（IPA)方式快速 烘乾該基材表面。 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 B7 五、發明説明（3(3 下述係說明一自動稀釋劑供憑單元之結構，該單元係供 恢復該HF濃度至於該HF濃度上升前所設定之值，其方式係 稀釋該BHF槽155中之清洗溶劑，即視在該BHF槽155中清洗 溶劑之量及該HF濃度上升之程度決定應自該sc- 1槽1 5 1中 途供應至該BHF槽155之一預定量清洗溶劑。因此，該SC- 1 槽151及該BHF槽155係藉一具有泵161之管線22連接在一 起。該泵161之排放管162係具有一電磁闊及一積分流量計 相連在一起。該BHF槽155係具有一清洗溶劑液面計及一 HF 濃度測量單元，供測量清洗溶劑·自動取樣之HF濃度用。該 槽係同樣具有一自動控制單元，供自動開啟該電磁閥至一 預定時限。而且，該液面計及該HF濃度測量單元係連接至 該自動控制單元。 一供垂直或水平傳送該晶圓卡匣之卡匣傳送機構係自該 SC- 1槽151上方伸延至該烘乾槽158上方。該整具濕洗裝置 係安裝在一用壁隔離之室中，以自該SC-1槽151上方供應清 潔空氣及自該烘乾槽158上方排氣。 下述係說明使用前述基材清洗裝置操作一矽基材清洗方 法之貝例。，一相當數置之碎基材（碎晶圓）係以垂直或平行 相隔方式裝載於一晶圓卡匣中。該卡匣係用該卡匣傳送機 構支撐，而後放入該SC- 1槽1 5 1，以連同該卡匣一起浸潰該 石夕基材於該清洗溶劑中清洗。清洗過程中之石夕基材係以藉 I虫刻自每一石夕基材表面移除該熱氧化物或自然氧化層方式 清理。於該清洗過程後，該卡匣係用該傳送機構吊起，傳 送至該沖洗槽1 52之正上方。而後，該卡匣係放入該沖洗槽 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
裝 訂
k 517300
中，以連同該卡匣一起浸潰該矽基材於純水中沖洗。而後 係以相似之步驟在該8(：-2槽153及該沖洗槽154至丨57中清洗 與沖洗該矽基材，最後，沖洗後該矽基材係在該烘乾槽158 中烘乾。 在該清洗裝置中，該8(：-1槽151中一預定量清洗溶劑（無 HF成分）係間歇地供應至該]6^^槽155，以sc“溶劑中之水 稀釋該BHF槽155中之清洗溶劑的^^濃度，而達限制該BHF 槽1中清洗溶劑HF濃度隨清洗耗用時間上升之目的，這 樣，即保持該HF濃度大致恆等及提供恆等之蝕刻速度。稀 釋劑之間歇性供應係根據下步驟執行。在基材清洗過程 中’該泵16 1係憑保持於可操作收態。 忒BHF槽1 5 5中清洗溶劑之液面係於一預定時限用該液面 計間歇性測量，及測得之數值係傳送至該自動控制單元。 與該液面測量同步者係用HF濃度測量單元之該清洗溶劑Hf 濃度的測量及測得之數值係也傳送至該自動控制單元。在 該自動控制單元中，該BHF槽155中清洗溶劑之量係根據所 測得之值計算，及稀釋劑應供應之量係根據計算所得之清 洗溶劑量及所測得之HF濃度值計算。而後，該電磁閥係響 應自該自動控制單元所發信號而開啟，以開如供應該稀釋 劑。當所需供應之稀釋劑量已達，且以該積分流量計測 量’ 一代表前述事實之信號係傳送至該自動控制單元。而 後，該自動控制單元係該傳送之信號閉合該電磁閥，因 此，終止一間歇性供應稀釋劑循環。而後，該間歇性供廉 稀釋劑係根據該相似之步驟重覆。 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 B7 五、發明説明（32 ) 在根據本發明一實例之清洗方法及裝置中，可供稀釋該 HF濃度用之稀釋劑係包括銨水溶液與水性過氧化氫之混合 液（SC- 1 :該混合水溶液），氫氣酸水性過氧化氫混合液 (SC- 2)，硫酸水性過氧化氫混合液，磷酸，硫酸硝酸混合 液，發煙硝酸及醋酸，離交換水及親水性有機溶液[酒精 (異丙基，乙醇，曱醇），丙酮，二曱基亞砜（DMS〇)，Ν·曱 基四氫吡咯（ΝΜΡ)，二氧陸圜，及二甲基甲醯胺（DMF)]。 該等稀釋劑係可單獨使用或選用適當稀釋劑混合使用。 在前述之稀釋劑中，該銨水溶液與水性過氧化氫之混合 液（SC- 1),，離交換水及酒精係適於作稀釋劑用。當供應sc_ 1時，前述之錄成分係具有因SC-丨之供應而轉換目標清洗溶 劑中之HF成分成NHJ之效果及也可以稀釋劑中之水及水性 過氧化氫稀釋該HF成分。如前述說明，sc- 1係具有高HF濃 度稀釋效果之稀釋劑。 而且，前述之稀釋劑係可為新品或為其他標的使用過之 再生品。由前述之節約資源之觀點，再生品係最佳。稀釋 劑之供應係可與補充作目標清洗溶劑成分用之氟化銨，氯 氟酸，銨，水及減低表面張力之溶液或類似者同時進行， 以供稀釋該HF濃度。 下述係參照圖1 5說明根據本發明另一實例之濕洗穿置会士 構，以及使用該濕洗裝置之一基材清洗方法的操作。該濕 洗裝置結構係相似於圖14所示者，而不同之處在一、、中、先样 172及一 BHF槽175係藉一具有泵181之管線ι82連接在一起3 以用該沖洗槽1 7 6中之純水（離子交換水）稀釋該b η f槽1 7 5中 -35- 本紙張尺度適用中國國家搮準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 ____ B7__ 五、發明説明（33 ) " _ 清洗溶劑之HF濃度。 下述係參照圖16說明根據本發明另一實例之濕洗裝置結 構’以及使用該濕洗裝置之一基材清洗方法的操作。該濕 洗裝置結構係相似於圖14所示者，而不同之處在一烘乾槽 208及一 BHF槽205係藉一具有泵2〇1之管線212連接在一起。 在此情況下，一安裝在該烘乾槽2〇8之IPA供應管線係連接 至該管線2 12。根據該清洗裝置，該清洗溶劑hf濃度之上升 係藉供應液態IPA至該BHF槽205中之方式控制。 下述係參照圖1 7說明根據另一實例之濕洗裝置結構，以 及使用該濕洗裝置之一基材清洗方法的操作。該濕洗裝置 結構係相似於圖14所示者，而不同之處在一 s〇 1槽221及一 BHF槽225係藉一具有泵231a之管線232a連接在一起，及一 沖洗槽226及該BHF槽225係藉一具有泵23 lb之管線232b連接 在一起。根據該清洗裝置，在該BHF槽225中之清洗溶劑HF 濃度係用該SC- 1槽221中之水及該沖洗槽226中之純水稀 釋。 下述係參照圖1 8說明根據另一實例之濕洗裝置結構，以 及使用該濕洗裝置之一基材清洗方法的操作。該濕洗裝置 結構係全然不同於圖14至圖17所示濕洗裝置之結構與操 作。即該濕洗裝置係使用二不同系統之清洗裝置。一清洗 裝置240之一清洗溶劑（不#HF)及液態IPA係供應至另一清 洗裝置250之一清洗溶劑中，以控制HF濃度之上升，因而保 持該HF濃度於恒等。 特定言之，該清洗裝置240係具有一 SC- 1槽241，一沖洗 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 517300 A7 B7 五、發明説明（34 ) '— 槽242，一 SC-2 槽243，一 沖洗槽244，一 DHF 槽 245，一沖 洗槽246，一沖洗槽247及一烘乾槽248，諸槽係依前述順序 配置成串。该清洗裝置250係具有一 NH4F槽25 1，一 BHF槽 252，一 DHF槽253。沖洗槽254 , 255及一烘乾槽（一旋轉烘 乾機）256 ’诸槽係依前述順序配置成串。該清洗裝置mo
之SC - 1槽241係藉具有泵257a之一管線258a連接至該NH4F 槽，及該清洗裝置240之烘乾槽係藉具有泵25几之一管線 25 8a連接至該DHF槽253。該使用之旋轉烘乾機256係設定以 高速繞一垂直軸線自由旋轉，即藉高速旋轉該基材，以震 動掉因離心力所凝聚於該基材經純水沖洗後，噴於基材表 面上的IPA蒸氣。 自該清洗裝置240之沖洗槽（例如，242)供應純水至該 NHJ槽25 1及泫DHF槽253係可替I代圖1 8所示之sc“溶液及 液態IPA的供應。同時，除圖18所示實例外，自該清洗裝置 250之沖洗槽254供應純水係也屬可行。 圖19係根據使用本發明一實例之清洗方法（範例）實驗結 果與使用相關技藝之清洗方法實驗結果相比較所得之氧化 矽蝕刻速度及清洗溶劑HF濃度隨耗用時間改變的曲線圖。 根據本貫例之範例，一預定稀釋劑之預定量係藉使用圖14 所示該清洗裝置間歇地供應，以控制在該BHF槽丨5 5中清洗 溶液HF澴度之上升。換言之，根據該比較用範例，清洗係 在不供應稀釋刻情況下完成。如.圖丨9所示，根據本實例之 綠蝕刻速度及該hf濃度係保持恒定，即使耗用時間不同亦 然。換3之，根據比較用範例之該蝕刻速度及該HF濃度係 -37- [紙張尺度適财®國家鮮(C^S)錢格(21Qx 297公董' 517300 A7 ____ B7 五、發明説明（35 ) 逐漸上升。 該清洗溶劑中活性成分濃度及水分之測量係可用（1)以預 定波長吸收光，（2)紅外線/紫外線吸收光譜，及（3)折射 率，比重，光透過率及傳導率或類似者，或使用一如（4) Karl Fischer滴定儀之測量單元及（5)液體（離子）色譜分離底 類似者等方法測量之。 使用前述清洗方法及裝置係可降低蝕刻速度之改變或不 一致，因此，對至少以氫氟酸作活性成分用溶解於水之清 洗溶劑而言’清洗係受清洗時間耗用之影響。因此，使用 前述清洗溶劑之清洗過程係均勻一致與穩定，且能提高該 半導體基材及液晶顯器基材之產量，可確實因減少清洗溶 劑更換頻率（延長該清洗溶劑之使用壽命）而減少用於廢流 體處理（廢水處理）之化學物質的量。該前述清洗方法及裝 置係也具有減少廢料排放量（即淤渣及廢水（污水））之效 果，因而減低化學物質耗用量。 如前述之說明，根據本發明之該實例的濕洗方法及裝 置，該清洗過程係可均勻一致地提供高穩定品質之清潔產 品’以及高產量之半導體基材及液晶顯示器基材，且可減 少該清洗溶劑之更換頻率。結果，該廢流體處理負擔係可 減輕，此係因用於調配該清洗溶劑之化學物質耗用量減低 而導致該廢流體排放量減少所致。此外，資源係因該廢流 體處理用化學物質耗用量減低而節省，結果，使該廢流體 處理排放之淤渣及廢水量減少。 下述係參照圖式說明根據本發明另一實例之一基材清洗 •38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 ___B7 五、發明説明（36 ) ' ~ 方法及一基材清洗裝置。 本發明係關於供以用氟化銨水溶液或氟化銨氟化氫混合 水溶液作清洗溶劑清洗（或蝕刻）該基材之過程，及更特別 係關於以銨成分補充該清洗溶劑之過程，該銨成分之補充 係視該清洗溶劑之累積使用時間及該清洗溶劑中各成分之 濃度而定。 圖20說明熱氧化物，如氟化銨氫氟酸混合溶液，之耗用 時間與姓刻速度間關係特性曲線圖。該NH4F ( 40重量％ )與 HF ( 5 0重篁％ )之成分比係400/ 1。該清洗溶劑之溫度係限定 於25。(：，及該熱氧化物層係Si〇2。 由圖20可確定，對該熱氧化物之蝕刻速度係隨該耗用時 間而增加。 ' 如前述，雖用前述清洗溶劑清洗該基材之過程中，該餘 刻速度係隨時改變，但在蝕刻速度與耗用時間之間係具有 相當高度之相互關係（一百分比關係）。其意義係在該清洗 溶劑中之含水量或化學成分（NHj，HF)隨耗用時間而變 (蒸發），更特別係該清洗溶劑中HF (致使蝕刻該熱氧化物 之直接成分）濃度係以固定速度增加，其原因在該含水量或 該銨成分係以固定速度自該清洗溶劑蒸發所致。 圖2 1係說明該清洗溶劑中Hf濃度隨耗用時間改變之曲線 圖，及由圖2 1可確定，該HF濃度係隨耗用時間以固定連产 增加。 在本實例中，該NH4F與HF之比[NH4F (重量％)/HF (重量 %)]如何隨耗用時間改變係用氟化銨水溶液與氫氟酸思合 -39- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 ___________ B7_ _ __ 五、發明説明（37 ) /夜檢疋。檢定結果係示於圖2 2。 由圖22可確定，成分隨耗用時間之改變係視氟化銨與與 氟化氫之比而定。 特疋s之’當氟化錢（重量％ )與氟化氫（重量％ )之成分比 未超過50 ( $ 50)時，成分比係難以隨耗用時間改變。換言 之’當氟化銨（重量。/。）與氟化氫（重量％)成分比超過50 50)時’成分比係隨耗用時間改變（很少）。此係因含高比 例氣化銨之該清洗溶劑係受銨成分蒸發之影響，如表示式 NH4F—NH3个+HF所示。（即水蒸氣係在此刻同時發生）。 如前述說明，當用氟化銨氫氟酸混合溶液清洗（蝕刻）基 材之過程中，該氟化銨（重量％ )與氟化氫（重量％ )成分比大 於50 (> 50)時，在任何時間用銨成分補充該清洗溶劑係具 有維持该清洗效果（姓刻速度）恒定之效果。 隨耗用時間，用銨成分補充係可控制該HF濃度之上升， 以保持該姓刻速度恒定。 結果，使用該清洗方法係可提供更高該半導體基材及該 液晶顯示器基材之產量，及也可減少溶劑更換頻率，且可 因化學物質耗用量，如該清洗溶劑及廢水處理劑之減少， 而減少淤渣及廢水之釋出。 用於補充之銨成分係可為氣態或液態之銨。而以水（純水） 稀釋水性銨至一所需濃度或可溶解銨成分之親水性溶劑溶 液（丙酮及各類酒精或類似者），或與氟化銨之混合液為最 佳。 除該銨成分外，含水量之蒸發係發生於該清洗溶劑。因 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 _______ B7 五、發明説明（38 ) 此原因’除該錄成分外，補充以正確量之水（純水），係可 足以保持與初始清洗時之完全相同之成分。因對每一氧化 物之該蝕刻速度係受水含量之影響較低（而受該HF濃度影響 較大），故僅以銨成分補充係屬無效。但在此情況中，於 忒清洗溶劑HF濃度係藉補充銨成分保持恒定時，該nh4F濃 度係因含水篁隨耗用時間蒸發而逐漸增加。 下述係說明根據本發明另一實例之基材清洗裝置。 圖23係說明根據本發明另一實例之基材清洗裝置。 垓基材清洗裝置係包括一基材清洗槽27丨，槽中儲有供清 洗该基材用之氟化銨氫氟酸混合溶液清洗溶劑及一循環泵 272 ’供循環該溢流清洗溶劑至該基材清洗槽27 1。該作為 清洗目標之基材係裝載於一基材承載器中，供浸潰該基材 包括該基材承載器於基材清洗槽27丨中清洗（蝕刻）。 該基材清洗裝置之特點係該基材清洗槽27丨具有一水性銨 健存槽277 ’作供應銨成分用，及銨成分之補充量係藉一控 制單元274控制。 不同前述之可用銨成分供應裝置係包括一連續流量泵及 重力滴落裝置，及如空氣及氮氣等氣體之強迫饋送。 如前述’該熱氧化物之蝕刻速度係隨該清洗溶劑中以一 固定速度隨耗用時間增加之HF成分而增加。 就此而言，根據該基材清洗裝置，該水性銨係藉該控制 單元274按耗用時間自一水性銨儲存槽277供應至該基材清 洗槽271 ’以保持該hf成分於能使該蝕刻速度維持恒定之程 度0 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 ______B7 _ 五、發明説明（39 ) 銨成分補充之最佳量及時機係藉圖2〇，圖2 1及圖22所 示，計算該HF成分隨耗用時間增加所需數據設定。 該清洗溶劑最好係用符合蒸發損失之敍成分補充，即補 充於一所需時間内可保持該清洗溶劑於配製後所具有（初始） 濃度的銨成分。添加銨成分之量係應根據連續或間歇監控 所得該清洗溶劑之濃度計算。 圖24係取決於銨成分補充之該蝕刻速度及該hf濃度控制 狀態曲線圖。該蝕刻速度及該HF濃度係藉間歇補充銨成 分，使之保持於該固定範圍以内。 連、’’η補充或間歇補充係皆能滿足補充錢成分之條件。前 者係更適於保持該濃度自始至終恆定。 前述之基材清洗裝置係根據測得之數據控制補充銨成分 時機，而一具有如圖25所示濃度測量單元285之裝置係也可 使用’該單元係測量循環中該清洗溶劑濃度，及根據測得 之濃度資訊，以真時控制銨成分之補充。該濃度測量單元 係以一常備單元方式安裝在該清·洗裝置中，以反饋於清洗 過程中測量之結果，或具有反應測量在預定情況下添加該 銨成分之效果，而不需安裝成常備單元。 特定言之，該銨成分補充之控制係用該濃度測量單元2 8 5 測量該清洗溶劑中每一成分（氟化銨，氟化氫及含水量或類 似者）濃度的過程行之，而後傳送該測量結果至一電腦或— 中央監控板或類似者之控制單元284，根據需求或不需要之 判斷計算應補充銨成分之量，然後傳送一補充指令至_水 性銨饋送管線（該水性銨儲存槽287)。而後，以濃度測量單 -42-
517300 五、發明説明（40 ) 元2 8 5確疋疋否按該指令補充錢成分。 該清洗溶劑中成分濃度之測量係 傳=:Γ或使用一如KarlFischer滴定儀 7L及液體（離子）色譜分離底類似者等方法測量之。 如前述說明，根據該清洗過程中每一點之里各成 蝕刻速度，以銨成分補充該清洗溶 ^ 蚀刻過程均勻與穩定(即保持該姓刻速度：二 除如相關技藝需要之頻頻更換該清洗溶劑。因此，該产洗 溶劑之使用壽命係可延長，進而.使之不僅因減少溶劑^ 頻率而減少該清洗溶劑之消耗（資源節約），而且也減少供 該清洗溶劑用之廢水處理劑（資源節約）。因而可因： 質耗用量之減少而減低該廢水處理所釋放之淤渣及廢：旦 (減少釋放廢料量）。 里 如前述說明，本實例係不僅使該基材清洗過程均勾—致 與穩定’ @且對資源節省及減少釋放廢料量之環保也貢 獻0 如前述說明’使用本實例係之方法與裝置係可使用氟化 銨水溶液清洗基材之過程均句一致與穩定，同時係也可減 少該清洗溶劑之更換頻率，進而實質因化學物f耗用量之 減少而減低所釋放之m廢水4(清洗溶劍及廢水處 之資源節約）。 下述係參考隨附圖式說明根據本發明另一實例之基 洗方法及裝置。 Θ -43- 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS) A4~£i^；297公^ 裝 訂 線 517300 A7 _____ B7 五、發明説明（41 ~) ^ - 本發明係關於用氟化銨水溶液與氫氟酸混合液作清洗溶 劑之清洗（或蝕刻）該基材過程，更特別係關於以水補充該 /月洗/谷^丨之過程，水之補充係視該清洗溶劑累積使用時間 及該清洗溶劑中各成分濃度而定。 圖26說明熱氧化物，如氟化銨氫氟酸混合溶液，之耗用 時間與蝕刻速度間關係特性曲線圖。在該清洗溶劑中nhj (40重量％)與HF (50重量％)之成分比係4〇〇/ i，該清洗溶劑 之溫度係限定於25。(：，及該熱氧化物層係si〇2。 片 由圖26可確定，對該熱氧化物之蝕刻速度係隨該耗用時 間而增加。 舂如前述說明’用前述清洗溶劑清洗該基材之過程中， 該蝕刻速度係隨時改變，但在蝕刻速度與耗用時間之間係 具有相當高度之相互關係。即在該清洗溶劑中含水量及化 學成分（NH4F，HF)係隨耗用時間而變（蒸發），更特別係該 清洗溶劑中HF (致使蝕刻該熱氧化物之直接成分）濃度係因 該含水量及該錄成分自該清洗溶劑蒸發而致使以固定速度 增加。 圖27係說明該清洗溶劑中HF濃度隨耗用時間改變之曲線 圖，及由圖27可確定，該HF濃度係隨耗用時間以固定速度 增加。 在本實例中，該NH4F與HF之比[NH4F (重量〇/0)/hf (重量 % )]如何隨耗用時間改變係用氟化銨水溶液與氫氟酸混合 液檢定。檢定結果係示於圖28。 由圖2 8可確定，成分隨耗用時間之改變係視氟化錢與與 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 ___ B7 五、發明説明（42~~ - 氟化氫之比而定。 特定言m化錄（重量％)與氟化氫（重量％)之成分比 未超過50 (S50)時，成分比係難以隨耗用時間改變。換士 之，當氣化錢（重量％)與氟化氫（重量％)成分比超過^ (>50)時，成分比係隨耗用時間改變（拫少）。此係因含高比 例氟化銨之該清洗溶劑係受銨成分蒸發之影響，如表=式 NHJ—簡3 t +HF所示。（即水蒸氣係在此刻同時發生）。二 如前述說明，用水於任何時間補充該清洗溶劑之方法係 具有保持清洗效果（該蝕刻速度）恒定之效果，即在該用Z 化銨氫氟酸混合溶液清洗（蝕刻）基材之過程中，氟化錢（重 量％ )與氟化氫（重量％)之比係未超過5〇 ( $ 50)。
隨耗用時間補充水係可控制HF濃度之上升，以維梏 刻速度恆定。 X 結果’使用該清洗方法係可提供更高該半導體基材及該 液晶顯示器基材之產量，及也可減少溶劑更換頻率，且可 因化學物質耗用量，如該清洗溶劑及廢水處理劑之減少， 而減少淤渣及廢水之釋出。 應補充之水係可為氣體（蒸氣）或液態之水。同時，固綠 (冰）或可依所需比例溶於水（純水）之親水性溶劑（丙酮及各 類酒精或類似者）與水之混合液係也使用。 圖29說明根據本發明另一實例之基材清洗裝置。 該基材清洗裝置係包括一基材清洗槽291，槽中儲有供清 洗該基材用之氟化銨氫氟酸混合溶液清洗溶劑及一循環系 292，供循環該溢流清洗溶劑至該基材清洗槽29 1。該作為 -45- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱） 517300 A7 _______ Β7 五、發明説明（43 ) 清洗目標之基材係裝載於一基材承載器中，供浸潰該基材 包括泫基材承載器於基材清洗槽291中清洗（蝕刻）。 該基材清洗裝置之特點係該基材清洗槽291係具有一連續 肌1泵293，作供水之用，及補充之水量係藉一控制單元 294控制。 除前述用泵作供水裝置外，供水裝置尚包括重力滴落裝 置’及如空氣及氮氣等氣體之強迫饋送。 如刚述說明’該熱氧化物之蝕刻速度係隨該清洗溶劑中 以一固定速度隨耗用時間增加之HF成分而增加。 就此而言’根據前述之裝置，水係經該連續流量泵293供 應至該基材清洗槽丨中，水係藉該控制單元294隨耗用時間 供應至該槽中，以保持該HF濃度恆定，進而使該蝕刻速度 保持恆定。 圖3 0係視水補充而定之hf濃度變化曲線圖，及確定該隨 耗用時間增加之HF濃度係藉水之補充而恢復至其初始濃 度。因藉水之補充控制該HF濃度係連帶地控制該蝕刻速 度’故該姓刻速度係也可如圖3丨所示藉補充水使之減緩。 最佳水補充量及最佳補充時機係藉圖26及圖27所示，供 计异水隨耗用時間蒸發之損失所需數據設定。 該清洗溶劑最好係用符合蒸發損失之水量補充，即補充 於一所需時間内可保持該清洗溶劑於配製後所具有之（初始） 濃度的水量。添加水之量係應根·據連續或間歇監控所得該 清洗溶劑之濃度計算。 圖32係係取決於水補充之該蝕刻速度及該hf濃度控制狀 -46- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A7 B7 五 發明説明（ 44 怨曲線圖。該蝕刻速度及該HF濃度係藉間歇補充水，使之 保持於該固定範圍以内。 連續補充或間歇補充係皆能滿足補充水之條件。前者係 更適於保持該濃度自始至終怪定。 ' 則述之基材清洗裝置係根據測得之數據控制補充水時 機，而一具有如圖33所示濃度測量單元305之裝置係也可使 1，該單元係測量循環中該清洗溶劑濃度，及根據測得之 濃度資訊，以真時控制水之補充。該濃度測量單元係以一 韦備早疋方式安裝在該清洗裝置中，以反饋於清洗過程中 測量之結果，或具有即時反應測量結果之效果，或具有反 装 應/則1在預定情況下添加該錢成分之效果，而不需安裝成 常備單元。 九
特定言之，該水補充之控制係用該濃度測量單元3〇5測量 該清洗溶劑中每一成分（氟化銨，氟化氫及含水量或類似者） 農度的過程行之，而後傳送該測量結果至一電腦或一中央 監控板或類似者之控制單元3〇4，根據需求或不需要之判斷 計算應補充水之量，然後傳送一補充指令至水供應管線（該 連續流量泵303)。而後，水是否根據指令補充係藉該濃度 測量單元305之測量確定。 在本實例中，該清洗溶劑中成分濃度之測量係可藉以預 定波長吸收光，紅外線/紫外線吸收光譜，折射率，比重， 光透過率及傳導率或類似者，或使用Fiseher滴定 儀之測量單元及液體（離子）色譜分離底類似者等方法測量 之0 -47- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公釐) 517300 A.7 B7 五、發明説明（45 ) --- 如前述說明，根據該清洗過程中每一點之蝕刻速度及各 成分濃度，以水補充該清洗溶劑係可使該清洗溶劑清洗之 蝕刻過程均勻與穩定（即保持該蝕刻氧化物之速度1恆"定）， 以及可消除如相關技藝需要之頻頻更換該清洗溶劑。因 此，該清洗溶劑之使用壽命係可延長，進而使之不僅因減 少溶劑更換頻率而減少該清洗溶劑之消耗（資源節約），而 且也減少供該清洗溶劑用之廢水處理劑（資源節約）。因而 可因化學物質耗用量之減少而減低該廢水處理所釋放之於 渣及廢水量（減少釋放廢料量）。 如前述說明，本實例係不僅使該基材清洗過程均勻一致 與穩定，而且對資源節省及減少釋放廢料量之環保也貢 獻。 ’、 如前述說明，使用本實例係、之方法與裝置係可使用氣化 銨水溶液清洗基材之過程均句一致與穩定，同時係也可減 少該清洗溶劑之更換頻率’進而.實質因化學物質耗用量之 減少而《低所㈣之於漬及廢纟量（清洗溶劑及廢水處理劑 之資源節約）。 雖本發明係以最佳實例特別說明，但修改，變更及合併 係可行。因此應瞭解，除前述外係可作各種修改，但不脫 離本發明之範圍。 -48- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

Claims (1)

  1. 517300
    釋I洗基材之方法’該方法係藉—過程濕洗該基材，該 每1轾係儲存以溶解活性成分於水方式碉制 八β衣之—清洗溶劑 於一清洗槽中，該清洗槽係配置在一渣、味、， 牡’月’先逋風設備中， 及而後浸潰應清洗之基材於該清洗溶劑中清洗，同時 使清潔空氣流入該清洗通風設備，該方法係 系匕括步驟： 清洗該應清洗之基材’同時以垂直向下方式供應控制 相對濕度於一預定範圍以内之清潔濕潤空氣至在該清洗 槽中之該清洗溶劑液面，並以在|_定範圍以内之排放 速度排放在該清洗通風設備中之 2·如申請專利範圍第1項之濕洗基 之〉月 >糸空氣係應限制於4 0至5 0 %相對濕度範圍以内及其 溫度係應為室溫。 丨· 3·如申請專利範圍第1項之濕洗基_法，其中該清洗溶 劑係使用至少溶解氟化銨及氫I喊之一於水的清洗溶靈 1㈣ 法’其中該應供應 4. 濕洗基材用之裝置，該裝置係藉一過程濕洗該基 材^，^該過程係儲存以溶解活性成分於水方式調製之一清 蚝溶劑於一清洗槽中，該清洗槽係配置在一清洗通風設 備中，及而後浸潰應清洗之基材於該清洗溶劑中清洗， 同時，使清潔空氣流入該清洗通風設備，該供濕洗一基 材用之裝置係包括： 一清潔空氣供應器，該器係供應該清潔空氣至該清洗 通風設備中並以垂直向下方式吹向在該清洗槽中之該清 洗溶劑液面； -49 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
    517300 8 8 8 8 AB CD 六 、申請專利範圍 一濕潤器，該器係作供應蒸氣或霧狀水滴至該清洗通 風設備中之用，以維持在清洗通風設備中之清潔空氣的 相對濕度於一預定範圍以内； 一濕度計，該濕度係配置在該清洗槽中之鄰近清洗溶 劑液面處並連接至該濕潤； 一排放管’該管係供排放該清洗通風設備中空氣之 用；及 一排放速度控制裝置，該裝置係配置在該排放管之 上；其中 相έ里之蒸氣或務狀水滴，該蒸氣或霧狀水滴係自該 濕潤器供應並藉反饋至該濕潤器之該濕度計測得的濕度 控制於一預定範圍以内；及 在該清洗通風設備中之空氣係藉該排放速度控制裝置 以一預定範圍以内之速度排放。 5. 如申請專利範圍第4項置，其中 該清潔空氣供應器係包括一鼓風機及一濾塵器，該遽 塵器係連接於該鼓風機排氣之一側； 该濕潤裔係以垂直向下朝向該清洗槽中清洗溶劑液面 供應蒸氣或霧狀水滴；及 該排放速度控制裝置係包括一調節風門，該風門係可 自動調綠開度及一氣流流量表或一壓力表配置在該排放 管之上，而該等表係連接至該調節風門，以藉反饋至該 調節風門之該等表測得的值門開度。 6. 如申請專利範圍第4或第5項_珠:暴_置，係更進一 50 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 517300 A B c D 、申請專利範圍 步包括： 一空調器，該空調器係控制該以垂直向下方式供應之 清潔空氣溫度於一預定範圍以内，其中 濕潤器係一供應溫度控制於一預定内之蒸氣 淹狀水滴的單元。 氟化銨水溶液作清洗溶劑之清洗基法，該方 各4包括步驟： _請 測量濃度，係測量在該清洗溶劑中一預定成分之濃 度；及 補充該清洗溶劑，係於測量癒ϋ超出該預定範圍時， 用一成分補充該清洗溶劑，以該預定成分之濃度 T2：!； cCjl 8·如申請專利範圍第7項之清洗基法， 該應測量之成分係包括HF ;選㉚/ 當測量結果低於該預定範圍時，係用該HF成分補充綠 清洗溶劑，當測量結果超出該預定範圍時，係用一銨成 分補充該清洗溶劑。 9·如申請專利範圍第7項之清洗基法，其中該清洗 劑係耗用一預定時間後更換。丨丨.，[::丨 1 一 W- > 10. Μ請專利範圍第7項之清洗基^法，其中該濃度 1 一耗用預定時間測量一次。 氟化财料料洗溶 福_.括： ·~ 一·"一- 一基材清洗槽，該槽係儲有該清洗溶劑； 一漢度測量儀，該測量係供測量該清洗溶劑中一預 | u·幽 其中 該 溶
    該裝置 定 51 - 本紙張尺度適财a S家標準(CNS) A4規格 517300 圍範利 專請 中 8 8 CD 成分之濃度用；及 一補充裝置，該裝置係供用一 、 用，以於該濃度測量儀測量結，分補充該清洗溶劑 ，改正該預定成分之濃度。__在該預定範圍以内 ^ 改正δ亥預定成分之濃度。|顧| 12·如申請專利範圍第η項之清洗基^_ 該應測量之成分係包括HF ; 當測量結果低於該預定範圍時， 清洗溶劑，當測量結果超出該 ^用該册成分補充 分補充該清洗溶劑。喊圍時，係用-銨 13·如申請專利範圍第丨丨項之清洗 括： ：If置，係更進一步 雜雜 :溶劑更換裝置，該裝置係供遽患用一預定時間後 其中 該 成 包 換該清洗溶劑之用 請專利範圍第11項之清洗基裝置，其中該濃度 '係於每一耗用預定時間測量錄㈢農;度一次。 b洗基材之方法，該方法係藉二：過程連續浸潰應清 材於複數清洗槽中，該清洗槽係至少其中一槽儲 一含氟化錄及/或氫氟酸水溶液之清洗溶劑，該濕洗 材之方法係包括步驟： 供應一清洗溶劑，該步驟係自另一清洗槽供應 洗溶劑至該儲有一含氟化銨及/或氫氟酸水溶液之清 槽 ^ 14.
    以控制在該儲有一含氟化敍 g或氫氟酸水溶液 更 洗 有 基 清 洗 之 清洗槽中氟化氫濃度上升。 16.如申請專利範圍第丨5項之濕洗基 圈_ _法，其中該其他 _ 清 -52- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱） 517300 申請專利範圍 A BCD
    洗槽係包括一槽，該槽係儲有不 17. 如申請專利範圍第1 5項之濕洗基 洗槽係包括一槽，該槽係儲有純 18. 如申請專利範圍第15項之濕洗基 洗槽係包括一槽，該槽係儲有I ‘謂 19 之錢水溶液。 法’其中該其他清 法’其中該其他清 酒_| 酵j请專利範圍第18項之濕洗基_法，其中該酒精係 基酒精。 〜
    20. 洗基材之方法’ 4方法係藉_過程連續浸潰應清洗 材於複數清洗槽中，該複數清洗槽係至少其中一槽 儲有一含氟化銨及/或氫氟酸水溶液之清洗溶劑，該濕 洗基材之方法係包括步驟： 供應一清洗溶劑，該步驟係自一不同清洗過程中之另 一清洗槽供應一清洗溶劑至該儲有一含氟化銨及/或氫 I酸水溶液之清洗槽，以控制在該儲有一含氟化銨及/ 或氫氟酸水溶液之清洗槽中氟化氫濃度上升。 21. 如申請專利範圍第2〇項之濕洗基_丨法，其中在該不同 清洗過程中之清洗槽係包括一槽槽係儲有不含氟之 11 ij luiii 錢水溶液。 丨 22. 如申請專利範圍第20項之濕洗基;法，其中在該不同 清洗過程中之清洗槽係包括一槽槽係儲有純水。
    23·如申請專利範圍第20項之濕洗基讎薇 清洗過程中之清洗槽係包括一槽 24·如申請專利範圍第23項之濕洗基 係包括異丙基酒精。
    法，其中在該不同 係儲有酒精。 法，其中在該酒精 53
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 x 297公釐) 517300 A B c D 六 25. •專利範圍 _:濕洗基材之裝置，該裝置係包括： 數清洗槽，該複數清洗槽係至少其中一槽儲有一含 氟化銨及/或氫氟酸水溶液之清洗溶劑；及 管線，該管線係配置在該儲有一含氟化銨及/或氫氟酸 水溶液之清洗溶劑的清洗槽與另一儲有一溶液供控制該 儲有一含氟化銨及/或氫氟酸水溶液之清洗溶劑的清洗 氟化氫濃度上升之清洗槽之間；其中 一清洗槽係包括在同一清洗過程之一清洗槽。 II#、洗基材之裝置，該裝置係包括： 26. 清洗槽，該複數清洗槽係至少其中一槽儲有一含 氟化銨及/或氫氟酸水溶液之清洗溶劑；及 管線’該管線係配置在該儲有一含氟化銨及/或氫氟酸 水溶液之清洗溶劑的清洗槽與另一儲有一溶液供控制該 儲有一含氟化銨及/或氫氟酸水溶液之清洗溶劑的清洗 氟化氫濃度上升之清洗槽之間；其中 另一清洗槽係包括在一不同清洗過程之一清洗槽。 27. Ojjm 洗基材之方法，該方法係以氟化銨（重量％)與氟化 重量％)之比〉5 0之一氣化錄水溶液作一清洗溶劑清 洗該基材，該方法係包括步驟： 補充該清洗溶劑，該步驟係用成分隨該清洗溶劑 之耗用時間補充該清洗溶劑。. 28.舞龜請專利範圍第27項之清洗基，其中 j 該水溶液中之氟化氫濃度係丨.〇重量％。 29· 洗基材之裝置，該裝置係以氟化銨（重量％ )與氟化 54 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS) A4規格(210X297公董) 517300 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 氫（重量％ )之比< 50之一氟仆松士、竹、产a 為丨士 氧化鉍水，夺夜作一清洗溶劑清 洗該基材’該裝置係包括： 一基材清洗槽，該槽係儲有該清洗溶劑；及 一補充裝置，該裝置係用水 清洗溶劑。 請專利範圍第29項之清洗基
    基材清洗槽中之該 其中 該水溶液中之氟化氫濃度係m10重量％。 先基材之方法，該方法係以氟化錢（重i %)與氣化 裏|_量％)之比S 50之一氟化銨水溶液作一清洗溶劑清 洗該基材，該方法係包括步驟·· 補充該清洗溶劑，該步驟係用該清洗溶劑之耗用 時間補充該清洗溶劑 32. 請專利範圍第31項之清洗基 該水溶液中之氟化氫濃度係 33· _洗基材之裝置，該裝置係以氟化銨（重量％)與氟化
    法，其中 於1 · 0重量％ ° 量％ )之比S 50之一氟化銨水溶液作一清洗洛劑/月 洗該基材，該裝置係包括： 一基材清洗槽，該槽係儲有該清洗溶劑；及 一補充裝置，該裝置係用水補g基材清洗槽肀之该 清洗溶劑。 — 34·如申請專利範圍第33項之清洗基 II 置，其中 在該水溶液中之氟化氫濃度係彳重量％ -55- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
TW090127758A 2000-11-08 2001-11-08 Method and apparatus for wet-cleaning substrate TW517300B (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000341092A JP2002143790A (ja) 2000-11-08 2000-11-08 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP2000341094A JP4419315B2 (ja) 2000-11-08 2000-11-08 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP2000341093A JP2002143791A (ja) 2000-11-08 2000-11-08 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP2000363155A JP2002166237A (ja) 2000-11-29 2000-11-29 基板の湿式洗浄方法および湿式洗浄装置
JP2000369632A JP4352606B2 (ja) 2000-12-05 2000-12-05 基板の湿式洗浄方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW517300B true TW517300B (en) 2003-01-11

Family

ID=27531708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090127758A TW517300B (en) 2000-11-08 2001-11-08 Method and apparatus for wet-cleaning substrate

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6799589B2 (zh)
EP (1) EP1205539A3 (zh)
KR (1) KR20020035779A (zh)
TW (1) TW517300B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683195A (zh) * 2011-03-11 2012-09-19 索尼公司 制造半导体装置的装置和方法及制造电子设备的方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030086659A (ko) * 2002-05-06 2003-11-12 삼성전자주식회사 반도체 장비용 세척장치 및 그에 따른 세척방법
KR100610452B1 (ko) * 2003-04-08 2006-08-09 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 폴리머 제거용 세정제 조성물
US7267726B2 (en) * 2003-04-22 2007-09-11 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for removing polymer residue from semiconductor wafer edge and back side
US20050026455A1 (en) * 2003-05-30 2005-02-03 Satomi Hamada Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20050008532A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-13 Jenkins Brian V. Method of inhibiting corrosion of copper plated or metallized surfaces and circuitry during semiconductor manufacturing processes
SE527166C2 (sv) * 2003-08-21 2006-01-10 Kerttu Eriksson Förfarande och anordning för avfuktning
JP4272232B2 (ja) * 2003-10-08 2009-06-03 セメス・カンパニー・リミテッド 多層構造を有する基板洗浄設備
JP2005228965A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法およびその製造装置
US8287751B1 (en) * 2004-07-13 2012-10-16 National Semiconductor Corporation System and method for providing a continuous bath wetdeck process
KR100626037B1 (ko) * 2004-11-18 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 마스크 세정방법
US20060196527A1 (en) * 2005-02-23 2006-09-07 Tokyo Electron Limited Method of surface processing substrate, method of cleaning substrate, and programs for implementing the methods
US7977037B2 (en) * 2006-08-24 2011-07-12 Micron Technology, Inc. Photoresist processing methods
JP2008066351A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5143498B2 (ja) * 2006-10-06 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体
JP2008244327A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd パーティクル測定方法、パーティクル測定装置及び記憶媒体
WO2009126148A1 (en) * 2008-04-08 2009-10-15 Nalco Company A method of monitoring a surfactant in a microelectronic process by absorbance
KR100849070B1 (ko) * 2007-04-20 2008-07-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 ｃｍｐ 방법
DE102007030957A1 (de) * 2007-07-04 2009-01-08 Siltronic Ag Verfahren zum Reinigen einer Halbleiterscheibe mit einer Reinigungslösung
KR101396929B1 (ko) * 2007-10-30 2014-05-20 (주)코미코 불순물 제거용 세정액 및 이를 이용한 불순물 제거방법
EP2401655B1 (en) * 2009-02-25 2014-03-12 Avantor Performance Materials, Inc. Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition
US8324114B2 (en) 2010-05-26 2012-12-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for silicon oxide residue removal
US8938509B2 (en) * 2010-10-06 2015-01-20 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for supporting sharing of privileges in a peer to peer system
US9005464B2 (en) 2011-06-27 2015-04-14 International Business Machines Corporation Tool for manufacturing semiconductor structures and method of use
CN102489468B (zh) * 2011-12-23 2015-06-24 保定天威英利新能源有限公司 一种石墨材质基板表层氮化硅的清洗方法
SG11201500393RA (en) * 2012-07-19 2015-04-29 Nissan Chemical Ind Ltd Cleaning fluid for semiconductor, and cleaning method using same
KR20140135904A (ko) * 2013-05-16 2014-11-27 삼성에스디아이 주식회사 박막 태양전지를 형성하는 제조방법, 박막 태양전지를 형성하는 제조장치, 및 상기 제조방법에 의해 형성된 버퍼층을 포함하는 박막 태양전지
JP6163434B2 (ja) * 2014-01-16 2017-07-12 株式会社東芝 薬液処理装置及び薬液処理方法
JP6433730B2 (ja) * 2014-09-08 2018-12-05 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP6383254B2 (ja) * 2014-11-04 2018-08-29 株式会社東芝 処理装置および処理方法
KR102511986B1 (ko) * 2015-09-02 2023-03-21 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2017157800A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体
DE102021104076B3 (de) * 2021-02-22 2022-06-30 Mühlbauer Technology Gmbh Vorrichtung zur Reinigung von gedruckten 3D-Objekten
CN115579311B (zh) * 2022-12-02 2023-05-02 湖北江城芯片中试服务有限公司 混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质
CN117123531B (zh) * 2023-10-26 2024-02-13 泰兴荟萃人力资源有限公司 一种人力资源档案整理用的清洁装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56214A (en) 1979-06-12 1981-01-06 Sumitomo Metal Ind Ltd Automatic control for moisture in hot air
JPS63151028A (ja) * 1986-12-16 1988-06-23 Nec Corp 遠心乾燥装置
US5369154A (en) * 1990-04-12 1994-11-29 The Dow Chemical Company Polycarbonate/aromatic polyester blends containing an olefinic modifier
US5472516A (en) * 1994-04-15 1995-12-05 At&T Corp. Process and apparatus for semiconductor device fabrication
TW294831B (zh) * 1995-04-26 1997-01-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JPH08334461A (ja) * 1995-06-07 1996-12-17 Nisso Eng Kk 半導体ウエハエッチング用バッファードフッ酸の組成測定方法
JP3636504B2 (ja) 1995-07-06 2005-04-06 ステラケミファ株式会社 ウエットプロセス装置及び方法
KR100238234B1 (ko) * 1997-03-20 2000-01-15 윤종용 반도체소자용 인-시튜 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법
AU8070498A (en) 1997-06-13 1998-12-30 Cfmt, Inc. Methods for treating semiconductor wafers
US6158447A (en) 1997-09-09 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Cleaning method and cleaning equipment
US6261845B1 (en) * 1999-02-25 2001-07-17 Cfmt, Inc. Methods and systems for determining chemical concentrations and controlling the processing of semiconductor substrates
WO2001039262A1 (en) 1999-11-26 2001-05-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for wet-etching semiconductor wafers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683195A (zh) * 2011-03-11 2012-09-19 索尼公司 制造半导体装置的装置和方法及制造电子设备的方法
CN102683195B (zh) * 2011-03-11 2017-10-24 索尼半导体解决方案公司 制造半导体装置的装置和方法及制造电子设备的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020035779A (ko) 2002-05-15
US6938626B2 (en) 2005-09-06
US20020059943A1 (en) 2002-05-23
EP1205539A2 (en) 2002-05-15
US6799589B2 (en) 2004-10-05
US20050000545A1 (en) 2005-01-06
EP1205539A3 (en) 2002-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW517300B (en) Method and apparatus for wet-cleaning substrate
JP6139505B2 (ja) 枚葉式基板処理のためのエッチングシステム及び方法
JP5454108B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN102036742B (zh) 用于制备气体在液体中的无气泡溶液的气化系统和方法
US20100154833A1 (en) Resist film removing apparatus, resist film removing method, organic matter removing apparatus and organic matter removing method
US8282766B2 (en) Etch apparatus and method of etching silicon nitride
CN103208443B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP2002086084A (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP5302931B2 (ja) 空気浄化加湿装置
KR100458784B1 (ko) 기판의 처리방법 및 처리 장치
JP2012119491A (ja) フォトレジストの除去方法
JP2014510417A (ja) マスク層のエッチング速度と選択性の増大
JP2011247454A5 (zh)
JP2008147637A (ja) エッチング方法およびエッチング装置
JP3914722B2 (ja) 水系レジスト剥離液管理装置及び水系レジスト剥離液管理方法
TWI231891B (en) Resist stripping equipment
US20060130880A1 (en) Substrate treating apparatus and method
JP4243154B2 (ja) スラリー供給方法
KR19990062480A (ko) 레지스트 박리액, 이를 이용한 레지스트 박리방법, 레지스트 박리액 재생장치, 및 레지스트 박리액 관리장치
JP3914721B2 (ja) 非水系レジスト剥離液管理装置及び非水系レジスト剥離液管理方法
JP2007316360A (ja) 水系フォトレジスト剥離液の管理方法および管理装置
CN105525278A (zh) 用于pecvd镀硅或硅化物膜的真空腔体的清洗方法
JP4352606B2 (ja) 基板の湿式洗浄方法
JP2002166237A (ja) 基板の湿式洗浄方法および湿式洗浄装置
JP2002151457A (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees