TW294831B - - Google Patents

Description

經濟部中央標準局貝工消费合作杜印裝 五、發明説明（1 ) 發明背骨 發明領碎 本發明有關一種半導體裝置，諸如於不同基質（諸如 一種玻璃基質或其它不同基質）上之薄膜電晶體（TFT )和薄膜二極體（TFD)，或使用此種半導體裝置製造 一種薄膜積體電路，特別是一種活性基質液晶顯示裝置製 造方法中，去除電路上形成之絕緣膜保護膜的方法。 相關技藝說明 液晶顯示裝置用於許多電視機，文字處理機等作爲又 薄又輕之顯示裝置。特別是，活性基質液晶顯示裝置中， 薄膜電晶體（T F T )和其它.元1牛係使用稹體電路（諸如 I C和LS I )製造技術於每一條顯相素軸上形成，該活 性基質液晶顯示裝置視認爲是可顯示較佳影像之液晶顯示 裝置。 並使用TFT之活性基質顯示裝置區增加時，需要更 小之電路電阻。慣用於電路之鉻電阻過高。通常，使用低 溫處理多晶矽薄膜（其高速操作較非晶相矽薄膜佳）充作 半導體層時，因爲製程包括植入步驟和雷射照射步驟，因 此，電極一電路閘門於此步驟之充分持久性很重要。 經電鍍之銨被視爲可符合諸如電阻低且加工持久性較 佳之條件的材料。 圖1 A — 1 D顯示製造一種所需基質元件（物件）諸 如，絕緣體，絕緣膜或半導體上主要含鋁之電極或電路 本紙張尺度遙用中國國家橾隼（CNS ) A4規格（210 X 2?7公釐） (请先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) .装. 訂 A7 B7 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 五、發明説明 :2 ) 1 I 1 1 之 方 法 〇 1 1 圖 1 A 中 ， 以 噴 鍍 > 蒸 發 等 將 主 要 含 鋁 之 電 極 或 電 路 1 1 1 1 形 成 於 基 質 元 件 1 0 上 〇 然 後 以 該 電 極 或 電 路 1 1 充 1 請 1 I 作陽 極 於 一 種 電 解 溶 液 中 將 該 鋁 表 面 電 鋁 一 層 經 氧 化 之 先 閲 1 | 讀 I 1 鋁層 ( 氧 化 層 ) 1 2 〇 氧 化 層 1 2 係 用 來 改 善 耐 電 壓 性 或 背 1 I 之 1 形成 Τ F T 之 支 脈 閘 門 區 〇 圖 1 B 中 f 氧 化 暦 1 2 形 成 後 注 意 1 I ，形 成 — 層 二 氧 化 矽 膜 或 氮 化 矽 膜 充 作 中 間 層 絕 緣 膜 1 3 事 項 I }· 填 1 〇 窝 本 gr 裝 I 因 爲 必 須 形 成 一 個 與 電 極 或 電 路 1 1 接 觸 之 電 路 9 所 貝 1 1 以所 需 之 光 罩 1 4 ( 通 常 使 用 一 種 光 阻 ) 形 成 孔 ―广 部 分 1 1 1 5 9 然 後 以 蝕 刻 劑 ( 蝕 刻 材 料 ) 9 諸 如 緩 衝 氫 氟 酸 ( 1 1 B Η F ) 蝕 刻 電 極 或 電 路 1. 1* 之 部 分 ， 如 圖 1 C 所 示 〇 訂 | 孔六 1 5 形 成 後 9 將 光 罩 1 4 去 除 9 並 於 與 電 極 或 電 路 1 I 1 1 )〇 接 han 觸 時 以 蒸 發 或 噴 鍍 沈 積 所 需 之 金 屬 線 路 ( 圖 1 D 1 1 1 通 常 9 活 性 基 質 液 晶 顯 示 裝 置 具 有 一 種 構 造 > 其 中 液 1 線 1 晶材 料 位 於 二 個 玻 璃 基 質 之 間 9 且 T F T 形 成 於 玻 璃 基 質 1 1 之一 〇 基 質 所 需 條 件 之 一 係 T F T 形 成 於 其 上 者 鹼 金 靥 溶 1 | 解度 低 〇 其 係 因 爲 若 使 用 一 種 含 大 量 N a 9 K 等 之 基 質 ( 1 I 諸如 一 種 鈉 鈣 玻 璃 ) 9 諸 如 N a 和 K 之 鹸 金 屬 於 T F T 基 1 | 質形 成 時 溶 解 9 因 此 該 T F T 之 特 性 大 爲 折 損 〇 因 此 通 1 1 1 常使 用 含 少 量 鹸 金 靥 之 低 鹸 玻 璃 〇 1 1 另 外 的 條 件 係 於 T F T 基 質 形 成 過 程 之 加 熱 處 理 後 發 1 1 生之 基 質 縮 小 作 用 小 〇 其 係 因 爲 假 如 熱 處 理 後 之 基 質 縮 小 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（2丨OX 2?7公釐） 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 _____________B7_ 五、發明説明（3 ) 作用很大，隨後感光石印製程中圖形光罩難以安置排列標 記。於感光石印製程中因基質縮小導致之排列標記變異之 最大容許値爲2 或更小。若基質爲1 0 Omm平方和 5 0 Omm平方，該値分別相當於2 0 ppm和4 ppm 。製造TFT製程中，非晶相矽TFT所需之加熱處理爲 3 5 0 °C 3小時，而低溫處理多晶矽T F T所需之加熱處 理則爲6 0 0 °C 4小時。玻璃基質符合此所加熱處理之所 需上述條件。 符合（1 )鹸含量低和（2 )耐熱性較佳條件，且用 於活性基質液晶顯示裝置之玻璃材料實例係Corning Glass Works 之# 7 0 5 9和# 1 7 3 7和 Nippon Electric Glass Co. Ltd 之 NA_ 。 特別是 # 1 7 3 7 被 認爲是熱處理後縮小量少的基質，因爲其應變點比其它玻 璃基質髙。雖然鋁容易電鍍，但難以藉著蝕刻去除氧化鋁 Ο 慣例上，氧化銘（aluminum oxide)(例如，氧化銘 (alumina)膜之蝕刻通常使用含有鉻酸酐之磷酸溶液進 行。（見J I S H8 6 8 0之^鋁和鋁合金之陽極氧化 物塗料厚度測試方法^以及J I S H9 5 0 0 '鋁和鋁 合金之電鍍方法標準)但是，於製造性上仍有許多問題 ，部分是因爲鉻酸是一種污染性物質，因此其需要較麻煩 之廢棄液體處理。 因氧化鋁蝕刻方法無法使用鉻酸，因此已硏發一種使 用BHF之方法，其中將市售之5 0%氫氟酸與4 0%氟 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） I------------^------ΐτ-----·-IΜ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2〇48Sl a7 _ B7 五、發明説明（4 ) 化銨以1 : 6至1 : 1 Ο 0之比例互相混合，或使用含有 乙酸之BHF (ABHF) 〇BHF通常用來蝕刻二氧化 矽膜等，並加入氟化銨避免光阻剝落。但是，使用這些蝕 刻劑會導致氧化鋁表面上有1至2 0 大小之正方晶體 或長方形晶體澱稹。因爲澱積部分之氧化鋁與其它部分之 蝕刻率不同，因此會留下突出部分。部分因爲其上形成之 膜條件太差，使得難以形成穩定之半導體電路。 使用BHF或ABHF會導致上述# 1 7 3 7基質表 面澱積1至2 0 //m大小之正方形或長方形晶體，因此該 表面混濁。但是，以慣用BHF蝕刻時，並未於上述 并7 0 5 9基質發現此現象，其中該基質通常充作低溫處 理之 T F T。 . 5一 爲了衡量上述現象，表1顯示#7 0 5 9和 # 1 7 3 7之組成物。 ^---------„-I装------iT-----^ — 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 本紙法尺度通用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X 297公釐） A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（5 ) 表 1 (低鹸玻璃基質（％ )) # 7 0 5 9 #17 3 7 S i 0 2 4 7.7 5 7.3 B a 0 9 . 9 9 . 9 A 5 2 〇 3 11.7 16.7 B 2 0 3 13.3 6 C a 0 <0.1 4 . 2 S r 0 < 0, . 1 1 . 8 M g 0 <0.1 0 . 7 N a 0 <0.1 <0.1 F e 2 〇 a <0.1 <0.1 K 2 0 <0.1 <0.1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS )A4規格（210X2.97公釐）_ 8 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 A7 _B7__ 五、發明説明（6 ) 如表1所示，#1 737之氧化鋁（Aj?2〇3 )含 量比# 7 0 5 9多。斟酌蝕刻氧化鋁膜時發生類似現象之 事實，認爲突出部發生生在含有大量氧化鋁部分。 如果使用以係數爲1 0至1 0 0之純水稀釋氫氟酸製 之DHF替代上述BHF則不會產生突出部分。因爲 DHF對氧化鋁/鋁之閘門電路蝕刻率之比例爲1至2， 足以使用其以時間控制形成接觸孔。但是，因爲蝕刻時光 阻會由基質剝落，因此不可能於TFT基質製程中使用 D H F ° 發明摘要 本發明之目的係提出一種具有高度重複性以蝕刻氧化 鋁屬而且不含鉻酸（污染性物質）之蝕刻劑，其不會於氧 化鋁基質表面沈積晶體，以及提出一種充分耐蝕刻之光阻 〇 本發明之另一’目的係提出一種蝕刻劑，其於蝕刻低鹼 且高耐熱玻璃基質上生生之天然氧化膜，二氧化矽膜，氮 化矽膜和氧化鋁膜等時，不會導致突出部分。因此，提供 一種製造具有高度重複性之穩定TF Τ之蝕刻劑。 本發明中，使用一種氟化敍（其爲慣用BHF —種組 份）濃度低之蝕刻材料蝕刻氧化鋁。 更特別的是本發明中，使用一種由氫氟酸，氟化銨和 純水以體積比例n : η : 1 0 0 (其中η爲0. 5至5 ) 混合製得之蝕刻材料蝕刻。以重置％計，氫氟酸和氟化銨 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > Α4規格（210X 297公釐） _ 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 B7 五、發明説明（7 ) 之含量分別爲0. 49至2. 0%和0. 19至2. 0% 。本發明中，使用市售5 0 %氫氟酸和4 0 %氟化銨水溶 液。該溶液中可含有表面活性劑。 如本發明，含大量氧化鋁之基質上形成的氧化鋁膜， 二氧化矽膜和氮化矽膜係使用氟化銨（慣用BHF組份之 一）濃度低之蝕刻材料蝕刻。 更特別的是本發明中，使用氫氟酸，氟化銨和水以重 量比例爲X:Y: (100 - X — Y)混合製成之水溶液 蝕刻材料進行蝕刻，其中X和Υ滿足以下關係式。 Υ<-2Χ+1 0 (0<Χ<5 » 0<Υ<1 0) 〇 % 本發明中，使用市售5 0%氫氟酸和4 0%氟化銨水 溶液。該溶液中可含有表面活性劑。 圚5 A至5 G顯示於具有大量氧化鋁之低鹼玻璃基質 表面上生成TFT·之方法。圖5A中，於基質101上形 成基底氧化膜1 〇 2之後，於其上形成活性層1 0 3至 1 0 5。然後，形成二氧化矽等製成之閘門絕緣膜1 0 6 。鋁等製成之閘門電極1 〇 7至1 1 0製成且蝕刻之後， 於這些閘門電極上生成陽極氧化膜。該陽極氧化膜形成之 後，可使用蝕刻劑分隔電鍍用之閘門線路和電路。該蝕刻 劑亦可用於形成由二氧化矽，氮化矽等製成之中間絕緣層 之接觸孔。使用上述蝕刻劑時’該基質表面上不會發現沈 積物質。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） L-II-----,——黎------1T-----,- — 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 經濟部中央橾準扃貝工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（8 ) 使用氧化鋁所用低濃度氟化銨（其爲慣用B H F組份 之一）蝕刻劑，可於室溫下選擇性蝕刻。這種情況下，氧 化鋁對鋁之蝕刻率比例爲1至3。 圖4顯示使蝕刻情況較佳之氫氟酸和氟化敍之混合比 例範圍，以及產生光阻剝落和基質上形成沈積物質之範圍 。上述蝕刻劑中，假如氟化銨濃度高於上述範圍，水對於 整體蝕刻劑之濃度比例偏低。因氟化銨對水之溶解度低， 因此氧化鋁（或鋁）之反應產物必然會沈積長方形晶體。 若氟化敍之濃度低於上述範圍，該蝕刻劑會導致光阻剝落 。因此，上述範圍之蝕刻劑適於蝕刻氧化鋁，且蝕刻表面 之平坦度得到改善。 圖1 2顯示以一種氫氟酸.和戈化銨之水溶液蝕刻劑蝕 刻生成於含有大量氧化鋁基質上之氧化鋁等的實例時，使 蝕刻情況較佳之氫氟酸和氟化銨重量％之混合比例範圍， 以及於基質上形成沈積物質之範圍。即，圖1 2顯示.沈積 物質形成和不形成'之範圍，其中水平和垂直軸表示水溶液 中氫氟酸和氟化銨之比例（全體溶液：1 0 0重量％)。 一般認爲本發明中所敘述之沈稹物質的形成係受因氟化銨 之氧化鋁或（鋁）的反應產物生成率及其對水之溶解度影 響。 圖12之斜線範圍內，溶解力較反應產物形成趨勢佔 主導地位，因此此範圍適於蝕刻，且可以改善蝕刻表面之 平坦度。其它範圍內，因爲被認爲由反應產物生成趨勢佔 優勢，因此反應產物可能形成沈積物質。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） .-------U-I批衣------.玎------丨1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___B7__ 五、發明説明（9 ) 附圖簡沭 Η 1 A至1 d顯示慣用實例中使用鋁之電路情況； 圖2 A至2 D顯示本發明更具體化實例之閘門電路製 程： 圖3 A至3 D顯示如一種具體化實例中閘門用之接觸 孔製程： Η 4顯示氧化鋁蝕刻情況下氫氟酸和氟化銨之間混合 比例之依存關係； Μ 5 A至5 G顯示於具有大量氧化鋁之低鹼玻璃基質 上形成TFT之方法； 圖6A至6G顯示一種艮體北實例之製程； 圖7顯示使用一種整體活性基質電路之液晶顯示器； 圖8 A至8 E顯示一種具體化實例之製程； Η 9 A至9 B顯示整體型活性基質電路之示意圖和電 鍍法： ’ 圖1 Ο A至1 OF顯示一種具體化實例之製程： 圖1 1A至1 1E顯示一種具體化實例之製程：以及 圖1 2顯示使蝕刻情況較佳蝕刻劑組份範圍，其中， 於含有大量氧化鋁之基質上形成氧化鋁等，然後進行蝕刻 〇 具體化窗例之詳細說明 具體化實例1 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） • _ 1 〇 _ -------^-丨^------ίτ------il (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 _B7_ 五、發明说明（10 ) 敘述一種本發明之具體化實例，其中於玻璃基質上形 成一個閘門電極。如圖2 A所示，藉由蒸發等方法於玻璃 基質2 0 0上形成4 0 0 0A厚主要含有鋁之膜2 0 1。 爲避免生成突出物，膜201含有〇. 2%之Sc。 於一電解液中使用鋁膜2 0 1充作陽極電鍍形成厚度 大約1 4 0A之氧化層2 0 2。本方法中，該電解液係將 含有3 %酒石酸之伸乙基乙二醇溶液以含水氨中和製成， 而施加1 0 V之電壓。 形成光阻2 0 3充作光罩（圖2 B )後，使用以下（ 圖2C)之蝕刻劑蝕刻，形成閘門電極2 0 4。氧化層 2 0 2和鋁膜2 0 1係以不同蝕刻劑蝕刻。 氧化層2 0 2之蝕刻劑是=··«將氫氟酸，氟化銨和純 水以3 : 2 : 1 5 0之體積比例（所含之氫氟酸和氟化銨 分別爲0. 968%和0. 516%，其以蝕刻劑重量％ 計）混合製得。蝕刻時間爲室溫（2 2 °C )下1 1秒.，且 進行3 0 %過度蝕4。使用上述混合比例之蝕刻劑，以顯 微鏡觀察該基質表面時，該氧化鋁表面並未發現沈穑物。 鋁膜2 0 1係以一種主要含磷酸，乙酸和硝酸之溶液 蝕刻劑蝕刻。該溶液含7 2%磷酸，2%乙酸，9至 10%硝酸（分別以體稹％計），其它組份爲水，並加熱 至3 5°C蝕刻時間爲9 0秒。因此，閘極2 0 4上方有氧 化層2 0 2形成，且於其它區域得到沒有任何沈積物質之 平滑表面。（圖2 D ) 該具體化實例同樣可用於閘極鋁分離方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐）~~ • _ I D _ -------------^------tr-----^——0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消費合作杜印製 A7 __B7_ 五、發明説明（11 ) 具體化實例2 將說明本發明一項用於形成位於玻璃基質之閘極接觸 部分實例。圖3 A中，以第一具體化實例中之相同方法於 玻璃基質3 0 1上形成鋁閘極3 0 1。形成之氧化層 3 0 2厚度爲1 7 Ο 0A。氧化層3 0 2形成後得到之閘 極厚度爲3 0 0 0A。 然後以濺鍍或蒸發法形成5 0 0 A厚之氮化矽膜 3 0 3及9 Ο Ο 0A厚之二氧化矽膜3 0 4充作中間層絕 緣膜（圖3 B )。 光阻3 0 5形成光罩後，以下文之蝕刻劑蝕刻中間層 絕緣膜3 0 3和3 0 4及氧化層-3 0 2 ( 3 C )。以不同 蝕刻劑蝕刻該3 0 3和3 0 4膜以及該3 0 2層。 用於蝕刻中間層絕緣膜3 0 3和3 0 4之蝕刻劑是 LL1 0 : 1 (其係 Hashimoto Kasei Co., Ltd 所製， 含有表面活性劑）’。蝕刻時間爲5分鐘和4 5秒。 用於蝕刻氧化層3 0 2之蝕刻劑係一種由氫氟酸，氟 化銨和純水以3 : 2 : 1 5 0之體積比例（以蝕刻劑重量 %計，含有之氫氟酸和氟化銨分別爲0 . 9 6 8%和 〇 · 5 16%)混合之溶液。蝕刻時間時室溫（22 °C) 下2分鐘和3 3秒，且進行2 0%過度蝕刻。使用上述混 合比例之蝕刻劑蝕刻氧化層3 0 2。圖3 C中，爲了形成 一個與鋁閘極3 0 1接觸部分，利用濺鍍或蒸發法形成 5 0 0A厚之鈦膜3 0 6和8 0 0 0A厚主要由鋁製成並 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4規格（210X297公釐） . -14 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本萸) .裝. 訂 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（12 ) 含2%S i之膜3 0 7 ，然後用已知方法或所需方法蝕刻 製圖。 3 0 6膜和主要由鋁製成之3 0 7膜係以不同蝕刻劑 蝕刻。蝕刻3 〇 6鈦膜之蝕刻劑是一種由過氧化氫，氨和 純水以5 : 2 : 2體積比例混合，並加熱至4 0 °C之溶液 。蝕刻時間爲1 〇秒。 使用主要含磷酸，乙酸和硝酸之蝕刻劑蝕刻3 0 7膜 。更特別的是，一種含7 2%磷酸，2%乙酸，9至 10 %硝酸（分別爲體積％計），其它組份爲純水且加熱 至3 5°C之溶液。蝕刻時間爲3分鐘。 因此，圖3 D中，製得介於閘極3 0 1和鋁電路 3 0 7之較佳接觸部分。 . 具體化實例3 參照圖5A至5G7 ，8A至8E以及9A至9.B說 明一具體化實例。k具體化實例有關一種使用整體活性基 質電路（其具有圖7 ，圖5A至5G，以及8A至8E ; 其主要顯示介於閘驅動器和閘線之界面部分以及相素 THT部分）之液晶顯示器。圖7中，CMOS inverters爲緩衝器係該閘驅動器之最終階段。其不受限 於本實例：通常，閘線並不連於閘極，但是連於閘驅動器 最後部分TF T之來源/出口區。圚9 A顯示本具體化實 例之活性基質電路之一般構造。 製造本具體化實例monolithic活性基質電路方法參 本紙伕尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - -15 - ,-------------^------ir-----^-丨# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 A7 B7_____ 五、發明説明（13 ) 照圖5A至5 G以及8A至8 E說明之。爲降低該製法中 基質（Corning #1737 >100mmXl〇〇mm X 1 . 1mm厚）1 0 1之熱縮小作用，於7 1 〇°C熱回 溫4小時。該熱回溫使基質1 0 1縮小1 3 0 〇PPm。 利用濺鍍或電漿CVD法於含氧大氣下，於基質1 0 1上 形成厚1 0 0 0至3 0 0 0A之底氧化膜（爲二氧化矽膜 )1 0 2 〇 然後，以電漿CVD或LPCVD法形成3 0 0至 1 5 0 0A厚，以5 0 0至1 0 0 0A較佳之非晶相或結 晶矽膜。結晶矽膜可藉由形成非晶相矽膜，然後以雷射光 或相當之intense光照射（光學回溫）或以5 0 0 °C或 更高溫度進行長時間回溫製得。”鴒回溫結晶之矽膜可再光 學回溫以加强其結晶度。如日本專利公告6 — 2 4 4 1 0 3和6 — 2 4 4 1 0 4揭示，促進矽結晶之觸 媒元素，諸如鎳可藉由熱回溫促進結晶作用。本具體化實 例中，熱回溫使該'基質1 0 1縮小1 0 p pm之其於之後 alignment程序中不會導致問題。 然後蝕刻該矽膜形成外圍驅動電路之T F T活性層 1 0 3和1 0 4 ，以及基質電路TFT活性層1 0 5。在 含氧大氣中濺鍍，於其上形成厚度爲5 0 0至2 0 0 0A 之二氧化矽閘絕緣膜。其可以電漿CVD形成。 本發明中，該閘絕緣膜只有充分耐髙電壓性較佳，因 爲電鍍作時時，於閘極和矽活性層之間施加髙電壓。使用 由電漿CVD製造之二氧化矽膜形成之閘絕緣膜時，最好 本紙張尺度逍用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）_ 一 · - 16 r--------^-I^------1T-----..-I0 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 經濟部中央揉準局員工消费合作社印製 五、 發明説明（14 ) 1 I 使 用 一矽烷 (S i Η 4 )和- 一氧化二氮（Ν 2 ：0 ) 或 氧 ( 1 1 0 2 )充作原料氣體（圖5Α) 1 1 在基質 表面 上以濺鍍方 式形 成厚度爲 2 0 0 0 A 至 y—ν 1 請 1 I 5 β m (以 2 0 0 0 至 6 0 0 0 A較佳） 之 鋁 膜 ( 含 先 Μ 1 I 讀 0 1至0 .5 重量％之钪 )° 蝕刻該鋁 膜 形 成 閘 極 或 閘 背 1 線 之 1 1 0 7 ， 1 0 8*109 (1 0 9 一） 和 1 1 0 ( 注 查 1 事 1 1 1 0 ^ ) ，以 及電鍍用之 電路 12 9° 閘 線 1 0 9 ( 項 再 1 1 0 9 ^ ) 設計 成與電鍍用 線路 1 2 9連 接 〇 外 圔 驅 動 電 填 寫 本 1 裝 路 之 聞極1 0 7 和1 0 8設 計成 與電鍍用 電 路 ( 電 力 供 應 頁 1 1 線 ) 1 2 9 不導 電絕緣。（ 圖5 B和8 A ) 1 1 將該基 質浸 於電解液中 ，產 生一道流 過 電 路 1 2 9 之 1 I 電 流 ，以電 銨閘 線 1 0 9 ( 1. σ· -9 —)和 閘 極 1 1 0 ( 訂 I 1 1 0 ^ ) 。該 電解液係以 水性 銨中和含 有 3 % 酒 石 酸 之 1 1 1 伸 乙 基乙二 醇溶 液製成。 1 1 I 電鍍作 用中 ，圖 9 Β， 電流 係將一個 具 有 電 力 供應 夾 1 9 諸 如鱷魚 嘴形 夾’之電路1 2 9 柄而供應 電 路 0 因 此 9 陽 線 1 極 氧 化膜1 1 1 和1 1 2於 電接 於電鍍用 電 路 1 2 9 之 閘 1 1 線 1 0 9 ( 1 0 9 / )和閘 極1 10(1 1 0 ) 之 上 層 1 | 和 側 邊表面 。供 給之電壓爲 1 2 0 V，陽 極 氧 化 膜 1 1 1 1 I 和 1 1 2之 厚度 是 1 7 0 0 Α 〇 1 I 本具體 化實 例中，以大 體上 爲中性之 溶 液 電 鍍 製 得 之 1 陽 極 氧化物 厚而 且硬，而且 具有 耐高電壓 性 9 該 電 壓 係 電 1 1 鍍 時 施加之 最大 電壓的7 0 %或 更高者。 該 陽 極 氧 化 物 種 1 1 類 稱 爲t障 礙型 陽極氧化物 歸( 圚5 C ) 0 1 1 本紙浪尺度適用中國國家梂隼（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） B7 B7 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印«. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 五、發明説明（15 ) 僅蝕刻介於閘線和電路1 2 9之間的障礙可形成光阻 ，且使用以3 : 2 : 1 0 0之體積比例混合氫氟酸，氟化 銨和純水（以蝕刻劑之重量％計，所含之氫氟酸和氟化銨 分別爲0. 968%和0. 516%)製成之蝕刻劑進行 分離蝕刻。蝕刻時間爲室溫（2 2 °C )下1 1小時，並進 行3 0 %之過度蝕刻。使用具上述混合比例之蝕刻劑，則 以顯微鏡觀察該基質時，於基質和氧化鋁表面不會發現沈 積物質。並以蝕刻形成之槽1 3 0將閘線和電路1 2 9彼 此分開。（圖8 B ) 使用閘極部分（閘極和環繞之陽極氧化膜）充作光罩 ，藉由離子植入將雜質植入個別TFT之島狀矽膜。亦即 ，當僅有島區1 0 3以光阻覆.蓋·偫，使用膦（p Η 3 )充 作植入氣體將磷植入島狀區，然後使用二硼烷（Β2Η6) 充作植入氣體，將硼植入島狀區1 0 4和1 0 5。磷和硼 的劑量分別爲4X1 014至4X1 015原子/cm2和1 至8X1 015原子’/cm2，因此，硼的劑量高於磷的劑 量。因此，製得N型區1 1 3和P型區1 1 4和1 1 5。 (圊 5 D ) 照射KvF激元雷射光（波長：248nm:脈衝寬 度：20nsec)，因此，植入雜質：活化之N型區 113和P型區114和115降低結晶度部分之結晶度 得到改善。該雷射能源寬度爲2 0 0至4 0 OmJ/ cm2，以 2 5 0 至 3 0 OmJ/cm2 更佳。1 1 3 至 1 1 5蓝之 Sheet resistancl 爲2 0 〇至8 0 0Ω/ 平 -18 - -----I----U--裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央橾隼局貝工消費合作社印製 五、 發明説明（16 ) 1 I 方 〇 1 1 以電 漿C V D 法 於整個表面 上 形 成5 0 0 A 厚 之 氮 化 1 1 矽 膜 和9 0 0 0 A 厚 之二氧化砂 膜 之 多層膜 充 作 中 間 層 絕 1 \ 請 1 1 緣 膜 1 1 6 ° 該 中 間 絕緣膜1 1 6 係 以L L 1 0 ： 1 之 蝕 先 閲 1 I 讀 I 刻 劑 (由 Has h i m 〇 t 0 Kas e i Co ) Lt d所製 ;含有表面活 背 面 1 之 1 性 劑 )蝕 刻。 蝕 刻 時 間爲5分鐘 又 4 5秒。 如 此 9 製 得 N 注 素 1 事 1 型 區 1 1 3和 P 型 區 1 1 4 與 1 1 5 之接觸 孔 1 1 7 至 項 真 \ 填 1 1 1 9 ° 同時 9 於 閘 極和閘線形 成 孔 1 2 0 〇 但 是 9 該 步 窝 本 裝 驟 接 觸孔 1 2 0 並 未 到達該閘線 9 因 爲陽極 氧 化 層 充 作 一 頁 1 1 種 障 礙而 且停 止 蝕 刻 0 (圖 5 E 和 8 C ) 1 1 於上 述方 法 形 成 之孔1 2 0 中 以 感光石 印 術 形 成 接 觸 1 I 孔 圖 形， 然後 使 用 同 上述分離蝕 •刻 使 用之蝕 刻 劑 飽 刻 製 得 訂 I 接 AcSH 觸 孔1 2 1 0 蝕 刻 時間爲2分 鐘 又 3 3秒 9 並 進 行 1 ! I 2 0 %過 度蝕 刻 0 ( 圖5 F和8 D ) 1 1 | 然後 ，以 測 鍍 法 依序製成5 0 0 至1 0 0 0 A 厚 之 鈦 1 膜 和 6 0 0 0 至 8 0 0 0 A厚之 鋁 膜 。該鋁 膜 含 2 % 之 坑 線 1 以 避 免產 生突 出 物 〇 該膜先以氨 過 氧 化氫（ ( 過 氧 化 氫 ) 1 1 • 氣 :水 ：5 : 2 : 2 )於 4 0 °c 下 蝕刻1 0 秒 然 後 於 1 I 3 5 。(：以 一種 鋁 混 合 酸（磷酸， 乙 酸 和硝酸 ) 蝕 刻 9 如 此 1 I 製 得 電極 一電 路 1 2 2 至 1 2 4 以 及 外圍驅 動 電 路 和 相 素 1 I T F T之 電極 1 2 6 。製得之電 極 1 2 3可 ffrt 興 該 閘 線 1 1 1 0 9連 接。 ( 圖 8 E ) 1 1 蝕刻 一種 由 濺 鍍 形成，厚度 爲 5 0 0至 1 5 0 0 A 之 1 1 I T 0 ( 銅錫 氧 化 物 )膜製成一 種 相 素電極 1 2 7 〇 最 後 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 294831 B7 五、發明説明（17 ) ，以電漿CVD製成厚度1 0 0 0至3 0 0 0A之氮化砂 膜1 2 8充作鈍化膜。如此，可以稹合方法製得外圔邏輯 電路和活性基質電路。 具體化實例4 第4個具體化實例示有關一種液晶顯示器用之整體之 活性基質電路。圖6 A至6 G顯示本具體化實例之製造過 程。圖7、8A至8E，以及9A至9B可作爲本具體化 實例電路結構之參考。雖然該具體化實例於外圍電路中使 用CMS 0電路，但是圖6 A至6 G僅顯示NTFT充作 外圍電路之TFT以簡化該敘述。圖6 A至6 G，以個別 方法顯示左側之圓形邏輯電路和“右側之基質電路。 如第三具體化實例中，使用Corn i ng # 1 7 3 7玻 璃基質充作玻璃基質4 0 1。首先，如第三具體化實例， 該玻璃基質以7 1 0 °C熱回溫4小時。然後，以電漿 CVD法於該玻璃基質上形成2 0 0 0A厚之基質二氧化 矽膜4 0 2。使用一矽烷（S i H4)和一氧化二氮（ N2〇 )充作電漿CVD之原料氣體。該膜形成時之基質 溫度爲3 8 0至5 0 0 °C，例如4 3°C。該以此方式形成 之二氧化矽膜是一種蝕刻率相當低之硬膜。其係因爲使用 —氧化二碳爲原料氣體，所形成的膜是含1至1 0%氮之 氧氮化矽膜。於2 3 °C下，以與第三具體化實例分離蝕刻 用之蝕刻劑相同組成物之蝕刻劑進行蝕刻，蝕刻率2 0 0 至6 0 0A/分鐘是典型蝕刻率。 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） LH- I - ml 1--»-1 l·—— 1 -I- m n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -β 線 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 20 - 經濟部中央揉準局負工消费合作社印裝 A7 _B7_ 五、發明説明（18 ) 之後，以電漿CVD法形成5 Ο Ο A厚之非晶相矽膜 。於氧化大氣中5 5 0 °C進行熱回溫1小時，於該非晶相 矽膜表面形成一層非常薄之二氧化矽膜（估計爲4 0至 1 Ο 0A)。使用1至1 〇 〇 PPm乙酸鎳水溶液旋轉塗 覆於其上形成一層非常薄之乙酸膜。先於非晶相膜表面先 形成非常薄之二氧化矽膜原因係使該水溶液均勻地施加於 該非晶相矽膜表面。 於含氮大氣中，以5 5 0 °C進行熱回溫4小時。乙酸 鎳於大約4 0 0 °C時分解產生鎳。因爲該乙酸鎳薄膜與該 非晶相矽膜大致上緊密接觸，鎳於熱回溫時進行非晶相矽 膜中，並使其結晶，變成結晶矽區。 之後，該矽膜以Xeci?激··元雷射光（波長：308 nm)照射。該雷射之能源密度爲2 5 0至3 0 OmJ/ c m2。因此，該結晶矽膜之結晶度可得到進一步改善。 爲了降低雷射照射之應力應變，再次於5 5 0 °C進行 熱回溫4小時。’ 然後，蝕刻該矽膜形成島狀活性層4 0 3和4 0 4 ， 並以濺鍍於其上形成1 2 0 0A厚之二氧化矽膜4 0 5充 作絕緣膜。 於其上以測鍍形成4 0 0 0A厚之鋁膜（含〇. 2至 0. 3重量％之钪）。以水性氨中和含3 %酒石酸之伸乙 基乙二醇溶液製成一種電解液，於該電解液中，施加 1 0V電壓以陽極化該鋁膜表面，形成1 0 0至3 〇 〇A 厚之氧化鋁膜（圖未顯示）°該氧化鋁膜不只提供介於鋁 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---^--------^------、訂-----^Φ. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 21 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（19 ) 膜和光阻間之良好黏合性，且示有助於在隨後經由光阻壓 縮電路漏流陽極化過程中，於閘極側邊表面形成多孔陽極 氧化膜。 光阻係由旋轉塗覆形成（例如，由Tokyo ohka Kogyo Co·，Ltd 所製之 OFPR 8 0 0/3 0 c p ) 。藉由製圖和蝕刻形成蝕刻4 0 9和4 1 1以及閘線 4 1 0。外圍電路之閘極4 0 9與閘線4 1 0和基質電路 之閘極4 1 1不導電絕緣。用於蝕刻之光阻光罩4 0 6至 408留在其所在處。（圖6a) 多孔型電鍍係使一電流流經閘線4 1 0 (即，閘極 4 11)，光阻光罩4 0 6至4 0 8留在其所在處，因此 可分別於閘線4 1 0和閘極4、Γ'·1側邊表面形成多孔性陽 極氧化膜4 1 2和4 1 3。該電鍍作用可使用含2至 2 0%檸檬酸，草酸，磷酸，鉻酸，硫酸等之酸溶液，以 10至30V電壓施加於閘極411進行。 本具體化發明中，電鍍作用係於一種ΡΗ=0. 9至 1 . 0之草酸溶液（30°C)，施加10V電壓進行20 至4 0分鐘。該陽極氧化膜之厚度可以電鍍時間調整之。 使用上述酸溶液電鍍製成一多孔性陽極氧化物。該多孔陽 極氧化膜4 1 2和4 1 3之厚度是3 0 0 0至 10000A，例如，5000A (圖 6B) 光阻光罩去除後，以同第三具體化實例中之相同方法 使一電流流經閘線4 1 0進行屛障型電鍍作用，因此於該 閘線410和閘極411之上層和側邊表面形成屛障型陽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---_-------装------訂-----^--線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 22 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 ____ B7 五、發明説明（2〇 ) 極氧化膜4 1 4和4 1 5。（圖6C) 然後使用該多孔性陽極氧化膜412和413充作光 罩，以乾蝕刻法蝕刻該二氧化矽膜4 0 5，形成閘絕緣膜 4 1 7和4 1 8。該蝕刻法可爲電漿模式（各向同性蝕刻 )或反應離子蝕刻模式（各向異蝕刻）。然而重要的是， 不要因二氧化矽對矽之選擇率大而過度蝕刻該活性層。若 使用CF4充作蝕刻氣體，僅有二氧化矽膜4 0 5被蝕刻 而陽極氧化膜並未被蝕刻。留下位於多孔陽極氧化膜 4 1 2和4 1 3之二氧化矽膜4 1 7和4 1 8 ，即，未被 蝕刻（圖6 D )。 之後，使用磷酸，乙酸和硝酸（鋁混合酸）之混合溶 液，僅有多孔陽極氧化物膜4_ P-2和4 1 3被蝕刻。當鋁 混合酸蝕刻該多孔陽極氧化膜412和413時，其難以 蝕刻屛障型陽極氧化膜4 1 4和4 1 5。然而，當其蝕刻 鋁時，該圆形電路部分以光阻作爲光罩，以保護這些部分 之閘極。因此，與·第三具體化實例相較，其另外需要一個 感光石印步驟。但是，如第三具體化實例，本具體化實例 優點係其可提高圓形電路部分之積合度。 利用閘絕緣膜4 1 6和4 1 8 <可用離子植入將雜質 (磷和硼；雖然圖中僅表示該NMOS TFT，但實際 上進行硼之植入）植入活性層4 0 3和4 0 6。爲了植入 磷，首先，將以1 0至3 OKeV相當低之加速電壓植入 相當髙劑量5 X 1 0 14至5 X 1 0 15原子/ cm 2之磷離 子。因爲加速電壓低使得離子植入淺，因此磷主要植入矽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ~ I L — I 裝 I I 訂— I I n 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央揉準局負工消費合作杜印製 五、 發明説明（21 ) 1 1 曝 露 在 外 之4 1 9 和 4 2 0 區 0 1 | 然 後 ，使 用 6 0 至 9 5 K e V 相 當 髙 之 加 速 電 壓 植 入 1 1 劑 量 相 當 低1 X 1 0 1 2 至 1 X 1 0 1 4 原 子 / C m 2之磷 1 請 1 | 因 爲 加 速 電壓 高 ， 離 子 植 入 得 深 9 磷 劑 可 植 入 由 閘 絕 緣 膜 先 閲 1 I 讀 1 4 1 8 覆 蓋之 4 2 1 區 〇 背 1 I 濃 度 之 1 因 此 ，以 高 濃 度 磷植 入 4 1 9 和 4 2 0 區 9 以 低 意 1 I 磷 植 入 4 2 1 區 0 亦 即 ’ 製 得 被 稱 爲 雙 重 出 □ 結 構 之 相 素 事 項 再 1 r I T F T 〇 可以 類 似 方 式 植 入 硼 0 植 入 之 後 9 爲 了 使 雜 質 活 填 寫 本 1 溫 頁 1 化 5 使 用 第二 具 體 化 實 例 中 之 相 同 方 式 進 行 雷 射 回 Ο ( '—✓ 1 圖 6 E ) I 1 之 後 ，以 電 漿 C V D 法 沈 稹 2 0 0 A 厚 之 二 氧 化 矽 膜 1 1 和 4 0 0 〇 A 厚 之 氮 化 矽 膜 的. 多‘-層 膜 4 2 2 充 作 第 — 中 間 訂 1 層 絕 緣 體 。以 具 有 與 第 三 具 體 化 實 例 中 分 離 用 蝕 刻 使 用 之 1 1 蝕 刻 劑 之 相同 組 成 物 之 蝕 刻 劑 蝕 刻 該 多 層 膜 4 2 2 9 形 成 I 1 接 觸 孔 4 2 3 至 4 2 7 0 ( 圖 6 ) 於 蝕 刻 時 該 基 質 表 面 並 1 未 發 現 沈 積物 質 0 ' 線 1 以 濺 鍍形 成 5 0 0 A 厚 之 鈦 膜 9 4 0 0 0 A 厚 之 鋁 膜 1 1 和 5 0 0 A厚 之 鈦 膜 之 三 層 金 屬 膜 9 然 後 蝕 刻 成 電 極 — 電 1 I 路 4 2 8 至4 3 1 〇 1 1 以 電 漿C V D 法 形 成 2 0 0 0 A 厚 之 二 氧 化 矽 膜 I 1 1 4 3 2 ( 爲第 二 中 間 物 絕 緣 膜 0 相 素 T F 丁 之 ( 出 □ ) 側 1 1 邊 電 極 4 3 1 之 接 觸 孔 形 成 後 ί 形 成 I T 0 製 成 之 相 素 電 1 1 極 4 3 3 。如 此 9 可 完 成 整 體 活 性 基 質 電 路 〇 ( 圖 6 G ) 1 1 1 1 本紙浪尺度逡用中國國家梯牟（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（22 ) 具體化窗例5 第五具體化實例亦有關液晶顯示器用之整體活性基質 電路。圖1 0A和1 OF，1 1A至1 1E分別爲本具體 化實例製程之斷面圖和俯視圖。圖1 0A至1 OF顯示左 側圓形邏輯電路和右側基質電路。 上述具體化實例中，玻璃基質5 0 1以7 1 0°C熱回 溫4小時，並於該玻璃基質5 0 1上形成2 0 0 0A厚之 底二氧化矽膜5 0 2，島狀結晶矽區5 0 3和5 0 4 ， 1 5 0 0A厚之二氧化矽膜（爲閘絕緣膜），和鋁製成之 閘極506，507和509，以及閘線508 (含 〇. 2重量％之钪）。如第四具體化實例中，於閘極 506，507和閘線50 8.上〜方表面形成1 0 0至 3 0 0A厚之氧化鋁膜（圖未顯示），以改善絕緣性能。 如圖1 1 A所示，閘線5 0 8和閘極5 0 9互相Integral 並與電鍍線路5 2 5連接。（圖1 0A和1 1A) 然後，以已知感光石印法製成光阻光罩5 1 0。光罩 510不只用於植入N型雜質，亦可選擇性電鍍。因此， 形成光罩5 1 0以覆蓋與形成上層電路連接之閘線5 0 8 部分。（圖1 0 B ) 然後，如第三具體化實例，將-電流流經閘線5 0 8 (例如，電鍍用之電路5 2 5 )，進行屛障型電鍍作用， 因此，於閘線5 0 8和閘極5 0 9之上方和側邊表面形成 2 0 〇 0A厚，屛障型陽極氧化膜5 1 1和5 1 2。自然 在圔形邏辑電路之TFT閘極5 0 6和5 0 7上不會有陽 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ! 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 294831 A7 B7

經濟部中央橾準局負工消费合作杜印5L 五、 發明説明 [23 ) 1 I 極 氧 化 膜 形 成 0 ( 圖 1 0 C 和 1 1 B ) 1 1 然 後 ， 以 離 子 植 入 法 將 N 型雜 質 ( 磷 ) 植 入 活 性 層 1 1 5 0 3 和 5 0 4 9 並 將 光 罩 5 1 0 留 在 該 處 9 製 成 N 型 雜 1 請 1 I 質 區 5 1 3 和 5 1 4 〇 植 入 條 件和 第 三 具 體 化 實 例 中 相 同 先 Μ 1 I 讀 〇 ( 圖 1 0 D ) 背 1 I 雜 質 植 之 之 1 P 型 入 用 光 罩 5 1 5 形 成 後 以 離 子 植 入 亦 注 意 1 I 將 P 型 雜 質 ( 硼 ) 植 入 活 性 層 5 0 3 中 > 形 成 P 型 雜 質 區 事 項 再 1 I 5 1 6 0 植 入 條 件 和 第 三 具 體 化實 例 相 同 0 若 植 入 條 件 亦 4 窝 本 1 裝 設 定 硼 之 濃 度 低 於 磷 9 可 以 不 使用 光 罩 5 1 5 進 行 植 入 作 頁 '—^ 1 1 用 〇 ( 圖 1 0 E 和 1 1 C ) 1 1 使 用 電 漿 C V D 形 成 4 0 0 0 A 厚 之 氮 化 矽 膜 5 1 7 1 I 充 作 第 一 中 間 層 絕 緣 體 0 使 用 具嗜 與 第 三 具 體 化 實 例 中 分 訂 I 離 用 蝕 刻 之 蝕 刻 劑 相 同 之 組 成 物的 蝕 刻 劑 ， 濕 蝕 刻 該 氮 化 1 1 I 矽 膜 5 1 7 形 成 接觸 孔 〇 本 具體 化 實 例 中 J 因 爲 介 於 閘 1 1 線 5 0 8 和 上 層 電 路 之 間 接 觸 部分 不 存 在 陽 極 氧 化 膜 9 因 1 線 1 此 可 使 用 一 般 蝕 刻 ’法 和 蝕 刻 傺件。 該 基 質 表 面 並 未 發 現 沈 積 物 質 〇 1 1 以 測 鍍 法 沈 積 5 0 0 A 厚 鈦膜 4 0 0 0 A 厚 鋁 膜 和 1 | 5 0 0 A 厚 飲 膜 之 三 層 金 靥 膜 ，然 後 於 4 0 V 以 銨 過 氣 化 1 I 氫 ( ( '思 m 氧 化 氫 ) ： 氨 : 水 ： 5 ： 2 ： 2 ) 先 蝕 刻 9 然 後 1 1 I 於 3 5 °c 以 鋁 混 合 酸 ( 磷 酸 9 乙酸 和 氮 酸 ) 触 刻 9 形 成 電 1 1 I 極 — 電 路 5 1 8 至 5 2 2 0 1 1 以 電 漿 C V D 形 成 2 0 0 〇 A 厚 二 氧 化 矽 膜 5 2 3 充 1 1 作 中 間 層 絕 緣 體 〇 以 一 種 具 有 和第 三 具 體 化 實 例 中 用 於 分 1 1 本紙法尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 A7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 B7 五、發明説明（24 ) 離製圖所使用之蝕刻劑相同組成物之蝕刻劑蝕刻二氧化砂 膜5 2 3，製成相素TFT出口側邊電極之接觸孔後，形 成一個由ITO製成之相素電極5 2 4。如此，可完成一 種整體活性基質電路。（圖10 F和11 D) 爲了避免裝配液晶板時之靜電損害，該雷鍍電路 5 2 5和閘線5 0 8彼此連接，直到該活性基質電路與液 晶板連接爲止。該電鍍電路5 2 5和閘線5 0 8最後藉由 掃瞄時以雷射光（Nd : YAG雷射之第二調波）照射而 彼此熔融分離。使用雷射之原因係因爲機械裝置可能會導 致靜電。如此，可完成活性基質電路型之液晶板。 依本發明，可避免使用鉻酸（污染性物質），因爲充 作蝕刻劑（蝕刻材料）以蝕刻銘‘减主要由鋁製成之氧化物 之B HF主要係由氫氟酸和氟化銨組成。 上述蝕刻劑之組成物可調整，使氟化銨比例較低，因 此不會產生上述結晶之沈稹，且可進行介於氧化物和之間 的選擇性蝕刻。‘ 此外，於含有大量氧化鋁之玻璃基質上形成之鋁或主 要由鋁製成之氧化物可蝕刻之，且不會產生上述之結晶沈 稹。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210 X 2?7公釐） -----„--------^------1T------A (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -27 -

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 Α8 Β8 C8 D8 々、申請專利範圍 1 .—種去除於基質上電路形成之絕緣膜的蝕刻材料 ，其包括： —種至少含有分別爲〇 49至2. 0重量％和 2. 0至1. 9重量％之氫氟酸和氟化銨。 2. 如申請專利範圍第1項之材料，其中該水溶液包 含體稹比例爲η:η:1〇〇之氩氟酸，氟化銨和純水， 其中η爲0. 5至5。 3. 如申請專利範園第1項之材料，其中該水溶液含 有界面活性劑。 4. 一種蝕刻方法，其包括下列步驟： 於一種含有鋁之材料表面形成氧化鋁層； 製備一種触刻材料，其包·括”二種至少分別含有 0· 49至2. 0重量％和〇·19至2. 0重量％之氫 氟酸和氟化銨之水溶液；以及 使用該蝕刻材料蝕刻該氧化鋁層· 5 _如申請專柄範圍第4項之方法，其中該水溶液含 有體積比例爲η:η:1〇〇之氫氟酸，氟化銨以及純水 ，其中η爲〇. 5至5。 6.如申請專利範圍第4項之方法，其中該水溶液含 有界面活性劑。 7 _ —種去除基質上電路上形成之絕緣膜的蝕刻材料 ，其包括：一種含有重量比例爲X:Y: ( 1 〇 〇 _ X _ Υ )之氫氟酸，氟化敍和水之水溶液，其中X和Υ符合 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 一 _ 28 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) L Γ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 Υ<-2Χ+1〇 (0<χ<5 · 0<Υ<10)^1 關係式β 8.如申請專利範圔第7項之方法，其中該水溶液含 有界面活性劑* 9 種蝕刻方法，其包括下列步驟， 於含有氧化鋁基質上形成一種含鋁材料； 於該含鋁材料表面形成一氧化鋁層； 製備一種蝕刻材料，其包括一種至少分別含〇. 4、9 至2 . 0重量％ 和0_ 19至2. 0重量％之氫氟酸和氟化.銨之水溶 液；以及 ' 使用該蝕刻材料蝕刻該氧北5鋁。 1 0 _如申請專利範園第9之方法，其中該水溶液含 有界面活性劑。 11裝 i I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）戍4规格（210父297公釐} - -29 -