JP2002086084A - 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄方法及び基板洗浄装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一安定な基板洗浄を可能とし、同時に省資
源化、廃棄物低減化を可能とする。 【解決手段】 弗化アンモニウム水溶液や弗化アンモニ
ウム水溶液と弗化水素酸との混合液を洗浄液として基板
の洗浄を行う際に、洗浄液の使用時間の経過とともに洗
浄液に水、アンモニア、アンモニア水、弗化アンモニウ
ム水溶液から選ばれる少なくとも１種を追加補充する。
このとき、測定データに基づいて経過時間に応じた必要
補充量を算出し、これを制御する。あるいは、洗浄液中
の成分濃度を検出し、得られた結果に応じて追加補充す
るようにしても良い。
源化、廃棄物低減化を可能とする。 【解決手段】 弗化アンモニウム水溶液や弗化アンモニ
ウム水溶液と弗化水素酸との混合液を洗浄液として基板
の洗浄を行う際に、洗浄液の使用時間の経過とともに洗
浄液に水、アンモニア、アンモニア水、弗化アンモニウ
ム水溶液から選ばれる少なくとも１種を追加補充する。
このとき、測定データに基づいて経過時間に応じた必要
補充量を算出し、これを制御する。あるいは、洗浄液中
の成分濃度を検出し、得られた結果に応じて追加補充す
るようにしても良い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弗化アンモニウム
水溶液や弗化アンモニウム水溶液と弗化水素酸との混合
液を洗浄液として用いた基板洗浄方法及び基板洗浄装置
に関するものであり、洗浄の均一安定処理、並びに洗浄
液の使用量の削減を目的として開発された新規な基板洗
浄方法及び基板洗浄装置に関するものである。
水溶液や弗化アンモニウム水溶液と弗化水素酸との混合
液を洗浄液として用いた基板洗浄方法及び基板洗浄装置
に関するものであり、洗浄の均一安定処理、並びに洗浄
液の使用量の削減を目的として開発された新規な基板洗
浄方法及び基板洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】弗化アンモニウム水溶液（弗化水素酸とア
ンモニアとの任意混合液や界面活性剤を含有するもの等
も含む。）は、弗化水素酸等と混合することにより、半
導体（主にシリコン酸化膜）基板やガラス基板の洗浄や
エッチングを目的として、半導体やＬＣＤ製造工程で多
用されている。
ンモニアとの任意混合液や界面活性剤を含有するもの等
も含む。）は、弗化水素酸等と混合することにより、半
導体（主にシリコン酸化膜）基板やガラス基板の洗浄や
エッチングを目的として、半導体やＬＣＤ製造工程で多
用されている。
【０００３】これら分野では、製品の軽量化、小型化、
低消費電力化を目的として、より集積度の高い微細加工
技術が求められている。このため、弗化アンモニウム水
溶液や同水溶液と弗化水素酸との混合液による基板の洗
浄においても、より精度の高い処理が望まれている。
低消費電力化を目的として、より集積度の高い微細加工
技術が求められている。このため、弗化アンモニウム水
溶液や同水溶液と弗化水素酸との混合液による基板の洗
浄においても、より精度の高い処理が望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記洗浄や
エッチングにおいては、洗浄液中の薬品成分（ＮＨ
4Ｆ、ＨＦ）や水分が時間経過とともに変化（蒸発）す
るため、これによりシリコン酸化膜やガラス基板に対す
るエッチングレートが変化（増加）するという問題点を
有している。
エッチングにおいては、洗浄液中の薬品成分（ＮＨ
4Ｆ、ＨＦ）や水分が時間経過とともに変化（蒸発）す
るため、これによりシリコン酸化膜やガラス基板に対す
るエッチングレートが変化（増加）するという問題点を
有している。
【０００５】これは、使用中に洗浄液中の弗酸成分の濃
度が時間経過とともに徐々に増加することによるもので
あるが、現状では、洗浄液の液交換を頻繁に行うことに
より、洗浄液中の各種成分濃度の変化に対する処置を講
じていた。
度が時間経過とともに徐々に増加することによるもので
あるが、現状では、洗浄液の液交換を頻繁に行うことに
より、洗浄液中の各種成分濃度の変化に対する処置を講
じていた。
【０００６】しかしながら、この対策では非常に多量の
該洗浄液を使用することになり［特に弗化アンモニウム
含有洗浄液は数十％（例えば４０重量％程度）の高濃度
の状態で使用されるため、通常数％程度の濃度で使用さ
れる他の洗浄液と比べて１回当たりの液交換で消費され
る薬品量は多くなる。］、これに伴い、弗化アンモニウ
ムや弗化水素酸の使用量（薬品経費）が増加することに
なる。
該洗浄液を使用することになり［特に弗化アンモニウム
含有洗浄液は数十％（例えば４０重量％程度）の高濃度
の状態で使用されるため、通常数％程度の濃度で使用さ
れる他の洗浄液と比べて１回当たりの液交換で消費され
る薬品量は多くなる。］、これに伴い、弗化アンモニウ
ムや弗化水素酸の使用量（薬品経費）が増加することに
なる。
【０００７】また、洗浄液が使用済みとなった場合、図
１０に示すような排水処理が必要となるが、この場合、
多量の資源（排水処理剤）が消費され、これに伴い多量
の廃棄物（排水と汚泥）を発生することになる（図１１
参照）。
１０に示すような排水処理が必要となるが、この場合、
多量の資源（排水処理剤）が消費され、これに伴い多量
の廃棄物（排水と汚泥）を発生することになる（図１１
参照）。
【０００８】図１０は、洗浄液の廃液処理工程を説明す
るものであり、洗浄槽８１から生じた廃液は、ｐＨ調整
槽８２に運ばれ、ここで例えば２０％水酸化カルシウム
液で中和される。次に、廃液は、凝沈槽８３に運ばれ、
硫酸アルミニウム等の薬品により凝沈し、続いて凝集槽
８４にてポリアクリルアミド系凝集剤等の高分子凝集剤
により凝集・沈殿し、その後は下水や汚泥となって排出
される。
るものであり、洗浄槽８１から生じた廃液は、ｐＨ調整
槽８２に運ばれ、ここで例えば２０％水酸化カルシウム
液で中和される。次に、廃液は、凝沈槽８３に運ばれ、
硫酸アルミニウム等の薬品により凝沈し、続いて凝集槽
８４にてポリアクリルアミド系凝集剤等の高分子凝集剤
により凝集・沈殿し、その後は下水や汚泥となって排出
される。
【０００９】前記処理工程では、図１１に示すように、
４０％弗化アンモニウム水溶液１ｋｇに対し、２０％水
酸化カルシウム２．０ｋｇ、８％硫酸アルミニウム０．
３ｋｇ、高分子凝集剤１．６ｋｇを必要とし、固形分７
０％汚泥２．６ｋｇ、下水排水２．３ｋｇが生じる。
４０％弗化アンモニウム水溶液１ｋｇに対し、２０％水
酸化カルシウム２．０ｋｇ、８％硫酸アルミニウム０．
３ｋｇ、高分子凝集剤１．６ｋｇを必要とし、固形分７
０％汚泥２．６ｋｇ、下水排水２．３ｋｇが生じる。
【００１０】近年、地球環境問題は世界的な関心事とな
ってきており、半導体やＬＣＤ等の基板製造時の環境負
荷が問題視されるようになってきた昨今、洗浄液に関し
ても単にコストダウンの目的だけではなく、省資源や廃
棄物の低減、環境浄化等の環境保全面での対応が社会的
に強く求められるようになってきている。
ってきており、半導体やＬＣＤ等の基板製造時の環境負
荷が問題視されるようになってきた昨今、洗浄液に関し
ても単にコストダウンの目的だけではなく、省資源や廃
棄物の低減、環境浄化等の環境保全面での対応が社会的
に強く求められるようになってきている。
【００１１】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、均一安定な基板洗浄が可能であ
り、省資源化、廃棄物低減化等を可能とする基板洗浄方
法、基板洗浄装置を提供することを目的とする。
提案されたものであり、均一安定な基板洗浄が可能であ
り、省資源化、廃棄物低減化等を可能とする基板洗浄方
法、基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の基板洗浄方法は、弗化アンモニウム水溶
液及び／又は弗化アンモニウム水溶液と弗化水素酸との
混合液を洗浄液として基板の洗浄を行う際に、上記洗浄
液の使用時間の経過とともに当該洗浄液に水、アンモニ
ア、アンモニア水、弗化アンモニウム水溶液から選ばれ
る少なくとも１種を追加補充することを特徴とするもの
である。
めに、本発明の基板洗浄方法は、弗化アンモニウム水溶
液及び／又は弗化アンモニウム水溶液と弗化水素酸との
混合液を洗浄液として基板の洗浄を行う際に、上記洗浄
液の使用時間の経過とともに当該洗浄液に水、アンモニ
ア、アンモニア水、弗化アンモニウム水溶液から選ばれ
る少なくとも１種を追加補充することを特徴とするもの
である。
【００１３】また、本発明の基板洗浄装置は、弗化アン
モニウム水溶液及び／又は弗化アンモニウム水溶液と弗
化水素酸との混合液を洗浄液として基板の洗浄を行う基
板洗浄装置において、上記洗浄液を収容する基板洗浄処
理槽と、上記基板洗浄処理槽に水、アンモニア、アンモ
ニア水、弗化アンモニウム水溶液から選ばれる少なくと
も１種を追加補充する補充手段を備えることを特徴とす
るものである。
モニウム水溶液及び／又は弗化アンモニウム水溶液と弗
化水素酸との混合液を洗浄液として基板の洗浄を行う基
板洗浄装置において、上記洗浄液を収容する基板洗浄処
理槽と、上記基板洗浄処理槽に水、アンモニア、アンモ
ニア水、弗化アンモニウム水溶液から選ばれる少なくと
も１種を追加補充する補充手段を備えることを特徴とす
るものである。
【００１４】弗化アンモニウム水溶液や、弗化アンモニ
ウム水溶液と弗化水素酸との混合液を洗浄液として基板
の洗浄やエッチングを行う際に、洗浄液の使用時間の経
過、もしくは、洗浄液中の各種薬品成分濃度に応じて
水、アンモニア、アンモニア水、弗化アンモニウム水溶
液から選ばれる少なくとも１種を追加補充することによ
り、基板の洗浄処理が均一安定化（エッチング量の均一
化）される。
ウム水溶液と弗化水素酸との混合液を洗浄液として基板
の洗浄やエッチングを行う際に、洗浄液の使用時間の経
過、もしくは、洗浄液中の各種薬品成分濃度に応じて
水、アンモニア、アンモニア水、弗化アンモニウム水溶
液から選ばれる少なくとも１種を追加補充することによ
り、基板の洗浄処理が均一安定化（エッチング量の均一
化）される。
【００１５】それとともに、洗浄液の液交換頻度の低減
が図られ洗浄液の使用量が削減され、さらには洗浄液を
排水処理するために必要とされる薬品の使用量の低減、
排水処理により排出される排水と汚泥の発生量の低減が
可能となる。
が図られ洗浄液の使用量が削減され、さらには洗浄液を
排水処理するために必要とされる薬品の使用量の低減、
排水処理により排出される排水と汚泥の発生量の低減が
可能となる。
【００１６】すなわち、本発明によれば、基板の洗浄処
理の均一安定化が達成され、洗浄液の使用量の低減や排
出量の低減が実現される。
理の均一安定化が達成され、洗浄液の使用量の低減や排
出量の低減が実現される。
【００１７】
【発明実施の形態】以下、本発明を適用した基板洗浄方
法や基板洗浄装置について、図面を参照しながら詳細に
説明する。
法や基板洗浄装置について、図面を参照しながら詳細に
説明する。
【００１８】本発明は、弗化アンモニウム水溶液、ある
いは弗化アンモニウム水溶液と弗化水素酸との混合液を
洗浄液とする基板洗浄（あるいはエッチング）におい
て、洗浄液の累積使用時間、洗浄液中の各種成分濃度に
応じて、洗浄液に水、アンモニア、アンモニア水、弗化
アンモニウム水溶液から選ばれる少なくとも１種を追加
補充するものである。
いは弗化アンモニウム水溶液と弗化水素酸との混合液を
洗浄液とする基板洗浄（あるいはエッチング）におい
て、洗浄液の累積使用時間、洗浄液中の各種成分濃度に
応じて、洗浄液に水、アンモニア、アンモニア水、弗化
アンモニウム水溶液から選ばれる少なくとも１種を追加
補充するものである。
【００１９】図１は、弗化アンモニウムと弗化水素酸の
混合液に関して、時間経過と熱酸化膜に対するエッチン
グレートとの関係を示したものである。洗浄液の組成
は、ＮＨ4Ｆ（４０％）／ＨＦ（５０％）＝４００／１
であり、洗浄液の温度は２５℃、熱酸化膜はＳｉＯ2で
ある。
混合液に関して、時間経過と熱酸化膜に対するエッチン
グレートとの関係を示したものである。洗浄液の組成
は、ＮＨ4Ｆ（４０％）／ＨＦ（５０％）＝４００／１
であり、洗浄液の温度は２５℃、熱酸化膜はＳｉＯ2で
ある。
【００２０】この図１より、時間経過とともに熱酸化膜
に対するエッチングレートが大幅に増加していることが
わかる。
に対するエッチングレートが大幅に増加していることが
わかる。
【００２１】このように、上記洗浄液を用いた基板洗浄
においては、刻一刻とエッチングレートが変化している
ことになるが、このエッチングレートと経過時間との間
には非常に高い相関関係（比例関係）がある。これは、
洗浄液中の水分や薬品（ＮＨ 4Ｆ、ＨＦ）成分が時間経
過とともに変化（蒸発）していること、具体的には洗浄
液中の水分やアンモニア成分が一定の比率で蒸発してお
り、洗浄液中のＨＦ成分（熱酸化膜をエッチングに起因
する直接的な成分）濃度が一定比率で増加していること
を意味している。
においては、刻一刻とエッチングレートが変化している
ことになるが、このエッチングレートと経過時間との間
には非常に高い相関関係（比例関係）がある。これは、
洗浄液中の水分や薬品（ＮＨ 4Ｆ、ＨＦ）成分が時間経
過とともに変化（蒸発）していること、具体的には洗浄
液中の水分やアンモニア成分が一定の比率で蒸発してお
り、洗浄液中のＨＦ成分（熱酸化膜をエッチングに起因
する直接的な成分）濃度が一定比率で増加していること
を意味している。
【００２２】図２は、洗浄液中のＨＦ濃度の時間経過に
よる変化を示したものであるが、時間経過とともにＨＦ
の濃度は一定の比率で増加していることがわかる。
よる変化を示したものであるが、時間経過とともにＨＦ
の濃度は一定の比率で増加していることがわかる。
【００２３】以上のことより、弗化アンモニウム水溶液
や弗化水素酸混合液による基板の洗浄（エッチング）処
理には、洗浄液中のＨＦ濃度を均一且つ安定に維持する
ことが必要となるが、この際、洗浄液から蒸発し易い水
分を適時補充することが最も理に叶った方法であると言
える。
や弗化水素酸混合液による基板の洗浄（エッチング）処
理には、洗浄液中のＨＦ濃度を均一且つ安定に維持する
ことが必要となるが、この際、洗浄液から蒸発し易い水
分を適時補充することが最も理に叶った方法であると言
える。
【００２４】すなわち、時間経過に伴って水を追加補充
すれば、ＨＦ濃度の上昇が抑えられ、一定のエッチグレ
ートとすることができる。弗化アンモニウム水溶液を補
充した場合にも、ＨＦ濃度が下がり、同様の効果が期待
できる。
すれば、ＨＦ濃度の上昇が抑えられ、一定のエッチグレ
ートとすることができる。弗化アンモニウム水溶液を補
充した場合にも、ＨＦ濃度が下がり、同様の効果が期待
できる。
【００２５】一方、アンモニアを補充すると、ＨＦが中
和されて弗化アンモニウムとなり、その結果、洗浄液中
のＨＦ濃度が抑えられる。アンモニア水の場合には、希
釈による効果と中和による効果の両者が期待できる。
和されて弗化アンモニウムとなり、その結果、洗浄液中
のＨＦ濃度が抑えられる。アンモニア水の場合には、希
釈による効果と中和による効果の両者が期待できる。
【００２６】その結果、半導体や液晶等の基板の歩留り
の向上と、液交換頻度の低減が可能となり、洗浄液や排
水処理剤の省薬品化と、汚泥や排水の発生量の低減が可
能となる。
の向上と、液交換頻度の低減が可能となり、洗浄液や排
水処理剤の省薬品化と、汚泥や排水の発生量の低減が可
能となる。
【００２７】図３は、本発明を適用した基板洗浄装置の
一構成例を示すものである。
一構成例を示すものである。
【００２８】この基板洗浄装置は、弗化アンモニウムと
弗化水素酸の混合液等の洗浄液を収容し、基板の洗浄処
理を行う基板処理槽１と、オーバーフローした洗浄液を
上記基板処理槽１へ循環する循環ポンプ２とを備えてな
るものであり、例えば被処理物である基板を基板キャリ
アに収容し、これを基板処理槽１内に浸漬することによ
り洗浄（エッチング）処理が行われる。
弗化水素酸の混合液等の洗浄液を収容し、基板の洗浄処
理を行う基板処理槽１と、オーバーフローした洗浄液を
上記基板処理槽１へ循環する循環ポンプ２とを備えてな
るものであり、例えば被処理物である基板を基板キャリ
アに収容し、これを基板処理槽１内に浸漬することによ
り洗浄（エッチング）処理が行われる。
【００２９】ここで特徴的なのは、上記基板処理槽１に
は、水を供給するための定量ポンプ３が設けられてお
り、制御部４により水の追加補充を制御していることで
ある。
は、水を供給するための定量ポンプ３が設けられてお
り、制御部４により水の追加補充を制御していることで
ある。
【００３０】上述のように、時間経過とともに洗浄液中
のＨＦ成分濃度が一定比率で増加し、熱酸化膜に対する
エッチングレートが大幅に増加している。
のＨＦ成分濃度が一定比率で増加し、熱酸化膜に対する
エッチングレートが大幅に増加している。
【００３１】そこで、この基板洗浄装置では、上記制御
部４により時間経過とともに基板処理槽１に定量ポンプ
３より水を追加補充し、ＨＦ濃度を一定にしてエッチン
グレートがほぼ一定になるように制御している。
部４により時間経過とともに基板処理槽１に定量ポンプ
３より水を追加補充し、ＨＦ濃度を一定にしてエッチン
グレートがほぼ一定になるように制御している。
【００３２】図４は、水の追加補充によるＨＦ濃度の変
化を示すものであり、時間の経過とともに上昇していく
ＨＦ濃度が、水の追加補充によって元の濃度に戻ること
が示されている。水の追加補充によるＨＦ濃度の制御
は、エッチングレートの制御につながり、図５に示すよ
うに、水の追加補充によってエッチングレートも低下し
ている。
化を示すものであり、時間の経過とともに上昇していく
ＨＦ濃度が、水の追加補充によって元の濃度に戻ること
が示されている。水の追加補充によるＨＦ濃度の制御
は、エッチングレートの制御につながり、図５に示すよ
うに、水の追加補充によってエッチングレートも低下し
ている。
【００３３】水分の補充量と補充タイミングについて
は、図１や図２に示したようなデータ取りを行い、時間
経過に伴い蒸発した水分を算出することから、最も適し
た補充量と補充タイミング条件を導くことができる。
は、図１や図２に示したようなデータ取りを行い、時間
経過に伴い蒸発した水分を算出することから、最も適し
た補充量と補充タイミング条件を導くことができる。
【００３４】図６は、水の追加補充によるエッチングレ
ートやＨＦ濃度の制御状態を示す図である。水を断続的
に追加補充することにより、エッチングレートやＨＦ濃
度は一定の範囲内に保たれている。
ートやＨＦ濃度の制御状態を示す図である。水を断続的
に追加補充することにより、エッチングレートやＨＦ濃
度は一定の範囲内に保たれている。
【００３５】なお、水分の補充条件としては、連続補充
でも断続補充のどちらでもあっても良い。常に一定の濃
度を保つためには、連続補充が好ましい。
でも断続補充のどちらでもあっても良い。常に一定の濃
度を保つためには、連続補充が好ましい。
【００３６】また、上記基板洗浄装置においては、測定
データに基づいて水の追加補充のタイミングを制御する
ようにしているが、図７に示すように、濃度測定機５を
設け、循環される洗浄液の濃度測定を行い、この濃度情
報に基づいてリアルタイムに水の追加補充を制御するこ
とも可能である。
データに基づいて水の追加補充のタイミングを制御する
ようにしているが、図７に示すように、濃度測定機５を
設け、循環される洗浄液の濃度測定を行い、この濃度情
報に基づいてリアルタイムに水の追加補充を制御するこ
とも可能である。
【００３７】具体的には、上記濃度測定機５により、洗
浄液中の各成分（アンモニア、弗化水素酸、水分等）の
濃度を測定し、測定結果をコンピュータや中央監視盤等
により構成される制御部４に送信し、補充の要不要の判
断及び必要補充量を算出後、水供給ライン（定量ポンプ
３）に補充指示を送る。そして、指示通り補充されたか
否かを濃度測定機５による測定により確認する。
浄液中の各成分（アンモニア、弗化水素酸、水分等）の
濃度を測定し、測定結果をコンピュータや中央監視盤等
により構成される制御部４に送信し、補充の要不要の判
断及び必要補充量を算出後、水供給ライン（定量ポンプ
３）に補充指示を送る。そして、指示通り補充されたか
否かを濃度測定機５による測定により確認する。
【００３８】ここで、洗浄液中の構成成分の濃度を測定
する方法としては、所定の波長の吸光度や赤外・紫外吸
収スペクトル、屈折率、比重、透過率、電導率等の測定
を用いても良いし、カールフィシャーの水分濃度測定計
や液体（イオン）クロマトグラフィー等の測定機を用い
ても良い。
する方法としては、所定の波長の吸光度や赤外・紫外吸
収スペクトル、屈折率、比重、透過率、電導率等の測定
を用いても良いし、カールフィシャーの水分濃度測定計
や液体（イオン）クロマトグラフィー等の測定機を用い
ても良い。
【００３９】図８及び図９は、上記水を供給する定量ポ
ンプ３の代わりに、アンモニア水を供給するアンモニア
水貯留タンク６を設置したものである。
ンプ３の代わりに、アンモニア水を供給するアンモニア
水貯留タンク６を設置したものである。
【００４０】水の代わりにアンモニア水を追加補充する
ことによっても、効果的にＨＦ濃度がコントロールさ
れ、エッチングレートが一定に制御される。
ことによっても、効果的にＨＦ濃度がコントロールさ
れ、エッチングレートが一定に制御される。
【００４１】なお、アンモニアの供給には、アンモニア
水だけではなく、他の適当な水溶液を用いることもで
き、さらにはアンモニアガスであっても良い。あるい
は、弗化アンモニウム水溶液も使用可能であり、アンモ
ニアと弗化アンモニウムの併用等も可能である。
水だけではなく、他の適当な水溶液を用いることもで
き、さらにはアンモニアガスであっても良い。あるい
は、弗化アンモニウム水溶液も使用可能であり、アンモ
ニアと弗化アンモニウムの併用等も可能である。
【００４２】以上のように、各処理時点でのエッチング
レートや各種成分濃度から判断して水やアンモニア水、
弗化アンモニウム水溶液等を追加補充することで、洗浄
液によるエッチング処理を均一／安定化（すなわち、酸
化膜に対するエッチング量を一定に維持する。）が図
れ、従来のように洗浄液の液交換を頻繁に行う必要がな
くなる。これにより、洗浄液の長寿命化が図れることに
なり、液交換頻度の低減により洗浄液の消費量の低減
（省資源）と、洗浄液の排水処理に必要とされる排水処
理剤の低減（省資源）にも貢献できる。さらには、これ
ら薬品の使用量の低減から、排水処理時に発生する汚泥
や排水の排出量を低減（廃棄物発生量の低減）すること
にも貢献できることになる。
レートや各種成分濃度から判断して水やアンモニア水、
弗化アンモニウム水溶液等を追加補充することで、洗浄
液によるエッチング処理を均一／安定化（すなわち、酸
化膜に対するエッチング量を一定に維持する。）が図
れ、従来のように洗浄液の液交換を頻繁に行う必要がな
くなる。これにより、洗浄液の長寿命化が図れることに
なり、液交換頻度の低減により洗浄液の消費量の低減
（省資源）と、洗浄液の排水処理に必要とされる排水処
理剤の低減（省資源）にも貢献できる。さらには、これ
ら薬品の使用量の低減から、排水処理時に発生する汚泥
や排水の排出量を低減（廃棄物発生量の低減）すること
にも貢献できることになる。
【００４３】以上のことより、本発明は単に基板処理の
均一／安定化を図るばかりではなく、省資源、廃棄物発
生量の低減等の面で地球環境保全にも貢献するものであ
る。
均一／安定化を図るばかりではなく、省資源、廃棄物発
生量の低減等の面で地球環境保全にも貢献するものであ
る。
【００４４】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の方法、装
置を用いることにより、弗化アンモニウム水溶液や同水
溶液と弗化水素酸との混合液により基板の洗浄を行う際
に、処理の均一安定化が図れるとともに、洗浄液の液交
換頻度の低減が可能となるため、薬品（洗浄液、排水処
理剤）の省資源化やこれに伴い発生する汚泥や排水の排
出量の大幅な低減が可能となる。
置を用いることにより、弗化アンモニウム水溶液や同水
溶液と弗化水素酸との混合液により基板の洗浄を行う際
に、処理の均一安定化が図れるとともに、洗浄液の液交
換頻度の低減が可能となるため、薬品（洗浄液、排水処
理剤）の省資源化やこれに伴い発生する汚泥や排水の排
出量の大幅な低減が可能となる。
【図１】洗浄液における経過時間とエッチングレートの
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図２】経過時間と洗浄液中のＨＦ濃度の関係を示す特
性図である。
性図である。
【図３】本発明を適用した基板洗浄装置の一例を示す模
式図である。
式図である。
【図４】水の追加補充によるＨＦ濃度の変化を示す特性
図である。
図である。
【図５】水の追加補充によるエッチングレートの変化を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図６】水の追加補充によるエッチングレートやＨＦ濃
度の制御状態を示す図である。
度の制御状態を示す図である。
【図７】本発明を適用した基板洗浄装置の他の例を示す
模式図である。
模式図である。
【図８】アンモニア水貯留タンクを設置した基板洗浄装
置の一例を示す模式図である。
置の一例を示す模式図である。
【図９】アンモニア水貯留タンクを設置した基板洗浄装
置の他の例を示す模式図である。
置の他の例を示す模式図である。
【図１０】洗浄液の廃液処理工程を説明するための図で
ある。
ある。
【図１１】洗浄液の廃液処理に必要な資源を示す図であ
る。
る。
１ 基板処理槽、２ 循環用ポンプ、３ 定量ポンプ、
４ 制御部、５ 濃度測定機、６ アンモニア水貯留タ
ンク
４ 制御部、５ 濃度測定機、６ アンモニア水貯留タ
ンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ (72)発明者 藤谷 吉宏 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB01 AB44 BB04 BB05 BB82 BB92 BB96 CB01 CD42 CD43 5F043 AA31 BB22 DD30 EE21 EE23 EE24
Claims (4)
- 【請求項１】 弗化アンモニウム水溶液及び／又は弗化
アンモニウム水溶液と弗化水素酸との混合液を洗浄液と
して基板の洗浄を行う際に、 上記洗浄液の使用時間の経過とともに当該洗浄液に水、
アンモニア、アンモニア水、弗化アンモニウム水溶液か
ら選ばれる少なくとも１種を追加補充することを特徴と
する基板洗浄方法。 - 【請求項２】 上記洗浄液中の成分濃度を検出し、得ら
れた結果に応じて洗浄液に水、アンモニア、アンモニア
水、弗化アンモニウム水溶液から選ばれる少なくとも１
種を追加補充することを特徴とする請求項１記載の基板
洗浄方法。 - 【請求項３】 弗化アンモニウム水溶液及び／又は弗化
アンモニウム水溶液と弗化水素酸との混合液を洗浄液と
して基板の洗浄を行う基板洗浄装置において、 上記洗浄液を収容する基板洗浄処理槽と、 上記基板洗浄処理槽に水、アンモニア、アンモニア水、
弗化アンモニウム水溶液から選ばれる少なくとも１種を
追加補充する補充手段を備えることを特徴とする基板洗
浄装置。 - 【請求項４】 上記洗浄液中の成分濃度を検出する検出
手段を有し、この検出手段において得られた結果に応じ
て上記補充手段により上記基板洗浄処理槽に水、アンモ
ニア、アンモニア水、弗化アンモニウム水溶液から選ば
れる少なくとも１種が追加補充されることを特徴とする
請求項３記載の基板洗浄装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000240134A JP4590700B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-08-08 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
| TW090116257A TWI245334B (en) | 2000-07-14 | 2001-07-03 | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
| EP01116941A EP1172844A3 (en) | 2000-07-14 | 2001-07-11 | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
| US09/905,662 US20020046757A1 (en) | 2000-07-14 | 2001-07-13 | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
| KR1020010042362A KR100870255B1 (ko) | 2000-07-14 | 2001-07-13 | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 |
| US10/937,014 US7255749B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-09-09 | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000214974 | 2000-07-14 | ||
| JP2000-214974 | 2000-07-14 | ||
| JP2000240134A JP4590700B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-08-08 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002086084A true JP2002086084A (ja) | 2002-03-26 |
| JP4590700B2 JP4590700B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=26596094
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000240134A Expired - Fee Related JP4590700B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-08-08 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1172844A3 (ja) |
| JP (1) | JP4590700B2 (ja) |
| KR (1) | KR100870255B1 (ja) |
| TW (1) | TWI245334B (ja) |
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