JPS60114579A - エッチング液の制御方法 - Google Patents
エッチング液の制御方法Info
- Publication number
- JPS60114579A JPS60114579A JP22063383A JP22063383A JPS60114579A JP S60114579 A JPS60114579 A JP S60114579A JP 22063383 A JP22063383 A JP 22063383A JP 22063383 A JP22063383 A JP 22063383A JP S60114579 A JPS60114579 A JP S60114579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration
- hydrofluoric acid
- value
- concn
- microcomputer
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ発明の利用分野ｊ
シリコンウェハのエツチング液の濃度を制御する方法に
係シ、特に、エツチング用希弗酸溶液の弗素イオン濃度
を扁精度に制御するようにし之エツチング液の制御方法
に関する。
係シ、特に、エツチング用希弗酸溶液の弗素イオン濃度
を扁精度に制御するようにし之エツチング液の制御方法
に関する。
〔発明の背景ｊ
従来、シリコンウェハのエツチング用希弗酸溶液は、作
業員が計量してθ「定の濃度に調合していた。このため
、所定の濃度に正確に調合するには高度の熟練を要し、
多大の労力を費して込た。また、＃度制御にへ為的な誤
差が入り易く、このためエツチング操作を施した製品の
品質のバラツキを生じるとｂう不具合が有った。
業員が計量してθ「定の濃度に調合していた。このため
、所定の濃度に正確に調合するには高度の熟練を要し、
多大の労力を費して込た。また、＃度制御にへ為的な誤
差が入り易く、このためエツチング操作を施した製品の
品質のバラツキを生じるとｂう不具合が有った。
〔発明の目的ｊ
本発明は、エツチング用希弗酸の濃ＩＷを容易に正確に
制御することができ、特に、マイクロコンピュータを用
いて自動制御を行なうに適した制御方法を提供しようと
するものである。
制御することができ、特に、マイクロコンピュータを用
いて自動制御を行なうに適した制御方法を提供しようと
するものである。
−〔発明の概要〕
次に、本発明の基本的原理についてＲ５？、明する。
希弗酸の導電率、及び、イオン電極法で測定される電極
電位は、それぞれ弗酸の濃度によって変化する。従って
、これらを計測することによって弗酸の濃度を検知する
ことができる。
電位は、それぞれ弗酸の濃度によって変化する。従って
、これらを計測することによって弗酸の濃度を検知する
ことができる。
しかし、上記の２方法妃はそれぞれ次記のような長短が
有る。
有る。
第１図は弗酸濃度と導電率との関係を示す図表である。
木図表忙よると、エツチング液中の電導率の変化を測定
すること釦よ多連続かつ迅速に弗酸濃度をめることがで
きる。ところが弗酸の場合、 ｊ’Ｆｎ度が悪すために
測定精度を向上させるには原理的に限界がある。従って
、電磁訪導作用を用いた本方法は設定濃度近辺に達した
か否かを連続的かつ迅速に判定する方法としては非常に
有効であるが、最終的に精密な濃度を検出するに適しな
り０ 第２図は弗素イオン濃度と電極電位との関係を表わした
図表である。本図表によると、弗素イオン選択電極を用
−たイオン電極法によりエツチング液中の弗素イオン濃
度を測定できる。この方法は、試料をポンプにて分取し
なければならないため迅速性忙中や劣るが１茜精度に弗
素イオン濃度を測定するには有効な方法である。
すること釦よ多連続かつ迅速に弗酸濃度をめることがで
きる。ところが弗酸の場合、 ｊ’Ｆｎ度が悪すために
測定精度を向上させるには原理的に限界がある。従って
、電磁訪導作用を用いた本方法は設定濃度近辺に達した
か否かを連続的かつ迅速に判定する方法としては非常に
有効であるが、最終的に精密な濃度を検出するに適しな
り０ 第２図は弗素イオン濃度と電極電位との関係を表わした
図表である。本図表によると、弗素イオン選択電極を用
−たイオン電極法によりエツチング液中の弗素イオン濃
度を測定できる。この方法は、試料をポンプにて分取し
なければならないため迅速性忙中や劣るが１茜精度に弗
素イオン濃度を測定するには有効な方法である。
本発明は、上記二つのｍ＋＋定方法の長所を生かし、そ
の短所を解消し得るように併用するものである。
の短所を解消し得るように併用するものである。
−Ｆ記の原理に基づｈて、弗酸濃度を容易忙且つ正確に
制御するため、本発明のエツチング液制御方法は連続的
に希弗酸溶液の導電率を測定して該溶液濃度の概要値を
め、この概要値を所定の濃度範囲ならしめるように制御
し１次いで該溶液の弗素イオン濃度ケ測定して該溶液濃
度の精密値をめ、この精密値を所定の濃度ならしめるよ
うに制御することを特徴とする。
制御するため、本発明のエツチング液制御方法は連続的
に希弗酸溶液の導電率を測定して該溶液濃度の概要値を
め、この概要値を所定の濃度範囲ならしめるように制御
し１次いで該溶液の弗素イオン濃度ケ測定して該溶液濃
度の精密値をめ、この精密値を所定の濃度ならしめるよ
うに制御することを特徴とする。
〔発明の実施例ｊ
次に、本発明の１実施例を第３図及び第４図について説
明する。
明する。
この実施例は１本発明方法を適用し、マイクロコンピュ
ータを用いて弗酸濃度を所定濃寒に希ｆ＜調合するよう
に構成したものである。
ータを用いて弗酸濃度を所定濃寒に希ｆ＜調合するよう
に構成したものである。
第３図は、本発明方法を使用して希弗酸濃度を制御する
ように構成した装置の１例を示す系統１８！２１である
。
ように構成した装置の１例を示す系統１８！２１である
。
１１−ｔエツチング槽で、エツチング液（希弗酸）２を
貯えていて、シリコンウニ／）３にエツチング処理を施
すように構成されている。
貯えていて、シリコンウニ／）３にエツチング処理を施
すように構成されている。
上記のエツチング液（希弗酸）２を、月ｆンブ５によっ
て循環攪拌するように配管（イ）力玉設けられていて、
該配管（イ）の中にフィルり４と、電磁濃度δ１６とが
介装接続されている。上記の電磁濃度計６は導電率を自
動開側して弗酸濃度を表わす電気信号（ロ）を出力する
構造であって、上記の信号出力（ロ）はインタフェイス
１７を介してマイクロコンピュータ１０に入力される。
て循環攪拌するように配管（イ）力玉設けられていて、
該配管（イ）の中にフィルり４と、電磁濃度δ１６とが
介装接続されている。上記の電磁濃度計６は導電率を自
動開側して弗酸濃度を表わす電気信号（ロ）を出力する
構造であって、上記の信号出力（ロ）はインタフェイス
１７を介してマイクロコンピュータ１０に入力される。
上記の循環配管（イ）に対して、電磁弁８を介して弗酸
タンク７が接続されている。上記の電磁弁ＩＩ電磁弁制
御部９を介してマイクロコンピュータ１０によって開閉
制御される構造である。
タンク７が接続されている。上記の電磁弁ＩＩ電磁弁制
御部９を介してマイクロコンピュータ１０によって開閉
制御される構造である。
前記の循環配管（イ）に対し、ポンプ１１を介して弗酸
濃度測定部１２が接続されている。この測定部１２は７
０−セル１３とイオン電極１４とを備えており、前記の
ポンプ１１が駆動されるとエツチング液（希弗酸）２の
１部が７０−セル１３にザングリングされ、イオン電極
１４を介してイオンメータ１５によシ弗素イオン濃度が
自動計測され、その信号出力（ハ）はインタフェイス１
７を介してマイクロコンピュータ１０に入力される。
濃度測定部１２が接続されている。この測定部１２は７
０−セル１３とイオン電極１４とを備えており、前記の
ポンプ１１が駆動されるとエツチング液（希弗酸）２の
１部が７０−セル１３にザングリングされ、イオン電極
１４を介してイオンメータ１５によシ弗素イオン濃度が
自動計測され、その信号出力（ハ）はインタフェイス１
７を介してマイクロコンピュータ１０に入力される。
１６はエツチング液の排出管である。
ポンプ１８は、純水タンク２０内の純水をエツチング槽
１内に汲み込む。該エツチング槽１内の水位は液面セン
サ１９で計測され、その出力（ｉ号（→はインタフェイ
ス１７を介してマイクロコンピュータ１０に入力される
。
１内に汲み込む。該エツチング槽１内の水位は液面セン
サ１９で計測され、その出力（ｉ号（→はインタフェイ
ス１７を介してマイクロコンピュータ１０に入力される
。
以上に説明した３個のポンプ！５，１１．１８はそれツ
レマイクロコンピュータ１０によってＯＮ、ＯＦ’Ｆ制
御される。
レマイクロコンピュータ１０によってＯＮ、ＯＦ’Ｆ制
御される。
第４図は前記マイクロコンピュータ１０のフローチャー
トである。次に、本フローチャートに基づいて、所定濃
度の希弗酸を本発明により自動的に調合する制御方法の
１例を説明する。
トである。次に、本フローチャートに基づいて、所定濃
度の希弗酸を本発明により自動的に調合する制御方法の
１例を説明する。
ステップＡでスタートすると、純水補給用ポンプ１８が
ＯＮされる（ステップＢ）。
ＯＮされる（ステップＢ）。
エツチング槽１内の水位は液面センサ１９で測定され（
ステップｃＬ エツチング槽内の水位力（所定値である
か歪かを判定（ステ・ノブＤ）される。
ステップｃＬ エツチング槽内の水位力（所定値である
か歪かを判定（ステ・ノブＤ）される。
所定水位になると純水補給用のポンプ１８が停止され（
ステップＥ）、エツチング液循環攪拌用のポンプ５がＯ
Ｎされ（ステップｒＬ次いで弗酸補給用電磁弁８が開か
れる（ステ・〕７°Ｇ）。
ステップＥ）、エツチング液循環攪拌用のポンプ５がＯ
Ｎされ（ステップｒＬ次いで弗酸補給用電磁弁８が開か
れる（ステ・〕７°Ｇ）。
循環攪拌中のエツチング液の導電率が測定され（ステッ
プＨ）、導電率が所定の範囲内にあるか否かを判定（ス
テップエ）してエツチング液濃度の概略値が所定範囲内
に入ると弗酸補給用電磁弁８が閉じられる（ステップＪ
） 以上のように、エツチング液（希弗酸）の導電率を連続
的に測定してエツチング液の弗酸濃度が概略的に調合制
御される。
プＨ）、導電率が所定の範囲内にあるか否かを判定（ス
テップエ）してエツチング液濃度の概略値が所定範囲内
に入ると弗酸補給用電磁弁８が閉じられる（ステップＪ
） 以上のように、エツチング液（希弗酸）の導電率を連続
的に測定してエツチング液の弗酸濃度が概略的に調合制
御される。
次いで送液サンプリング用のポンプ１１がＯＮされる（
ステップＫ）。弗素イオン電極１４で電位を測定しくス
テップＬ ） １６１１１定電位に基づｂて弗素イオン
＃Ｉ及が精密に１）、定される（ステップＭ）。
ステップＫ）。弗素イオン電極１４で電位を測定しくス
テップＬ ） １６１１１定電位に基づｂて弗素イオン
＃Ｉ及が精密に１）、定される（ステップＭ）。
上記の精密な算定濃度が目標濃度範囲内であるか否かが
判定されるＣステップＮ）。
判定されるＣステップＮ）。
精密に算定した弗酸濃度が目標値から外れている場合、
濃度が低すぎれば電磁弁８を開すて弗酸を性別すべき時
間ｔが算定され、ａ度が高すぎればポンプ１８を作動さ
せて純水を性別すべき時間ｔ′が算定され（ステップＱ
、Ｒ）、実行される（ステップＳ）。このようにして、
弗酸イオン濃度が精密に調整されるとウニ・・を一定時
間工、ノチングしくステップＴ）、排液して１９イクル
を終了する（ステップＵ、Ｖ）。
濃度が低すぎれば電磁弁８を開すて弗酸を性別すべき時
間ｔが算定され、ａ度が高すぎればポンプ１８を作動さ
せて純水を性別すべき時間ｔ′が算定され（ステップＱ
、Ｒ）、実行される（ステップＳ）。このようにして、
弗酸イオン濃度が精密に調整されるとウニ・・を一定時
間工、ノチングしくステップＴ）、排液して１９イクル
を終了する（ステップＵ、Ｖ）。
〔発明の効果Ｊ
以上詳述したように、本発明の方法によれば。
エツチング用希弗酸の濃度を容易に、かつ正１に制御す
ることができ、特に、マイクロコンビｗ−タを用いて自
動制御するのに好適である。
ることができ、特に、マイクロコンビｗ−タを用いて自
動制御するのに好適である。
制御方法を実施するために構成した制御架ｊ４の１例の
系統図、第４図は上記制御装置σ）１例におけルマイク
ロコンピュータのフローチャートでアル。 １・・・エツチング槽、２・・・エツチング１ ３・・
・シリコンウエノ１．４・・・フィルタ、５・・・目ミ
ン７°、７・・−弗酸、８・・・電磁弁、１１・・・ポ
ンプ、１２・・・弗酸濃度測定部、１３・・・フローセ
ル、１４・・・イメーン電極、１６・・・排出０．１８
・・・ポンプ、１９・・・液面センサ。 ２０・・・純水タンク。 才１図 弗面麦濃度 （Ｗ勿） 才ｚ図 弗素イオシ儂度（ｗｔ〜 第３図
系統図、第４図は上記制御装置σ）１例におけルマイク
ロコンピュータのフローチャートでアル。 １・・・エツチング槽、２・・・エツチング１ ３・・
・シリコンウエノ１．４・・・フィルタ、５・・・目ミ
ン７°、７・・−弗酸、８・・・電磁弁、１１・・・ポ
ンプ、１２・・・弗酸濃度測定部、１３・・・フローセ
ル、１４・・・イメーン電極、１６・・・排出０．１８
・・・ポンプ、１９・・・液面センサ。 ２０・・・純水タンク。 才１図 弗面麦濃度 （Ｗ勿） 才ｚ図 弗素イオシ儂度（ｗｔ〜 第３図
Claims (1)
- エツチング用希弗酸溶液の濃度を制御する方法におりて
、連続的に希弗酸溶液の導電率を測定して該溶液濃度の
概要値をめてこの概要値を所定の′１１＃度範囲ならし
めるように制御し１次層で該溶液の弗素イオン濃度を６
１１１定して該溶液濃度のｎ！密値をめ、この精密値を
所定の濃度ならしめるように制御することを特徴とする
エツチング液の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22063383A JPS60114579A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | エッチング液の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22063383A JPS60114579A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | エッチング液の制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60114579A true JPS60114579A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16754026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22063383A Pending JPS60114579A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | エッチング液の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60114579A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4759817A (en) * | 1986-05-15 | 1988-07-26 | Seiichiro Aigo | Apparatus for etching semiconductor material |
| JPH0374845A (ja) * | 1989-08-16 | 1991-03-29 | Hitachi Ltd | 液中微粒子付着制御方法 |
| JPH0941158A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-10 | Asahi Denka Kogyo Kk | 酸化物エッチング製品の製造方法および装置 |
| WO2000079583A1 (en) * | 1999-06-17 | 2000-12-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for wet-etching semiconductor wafers |
| WO2001039262A1 (en) * | 1999-11-26 | 2001-05-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for wet-etching semiconductor wafers |
| EP1172844A2 (en) * | 2000-07-14 | 2002-01-16 | Sony Corporation | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
| DE10063600A1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Enstellen einer vorgegebenen HF-Konzentration in einem Reinigungsbad für Wafer |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP22063383A patent/JPS60114579A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4759817A (en) * | 1986-05-15 | 1988-07-26 | Seiichiro Aigo | Apparatus for etching semiconductor material |
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| WO2000079583A1 (en) * | 1999-06-17 | 2000-12-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for wet-etching semiconductor wafers |
| US7018482B1 (en) | 1999-06-17 | 2006-03-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing electronic devices, and apparatus for carrying out such a method |
| WO2001039262A1 (en) * | 1999-11-26 | 2001-05-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for wet-etching semiconductor wafers |
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| EP1172844A3 (en) * | 2000-07-14 | 2005-12-14 | Sony Corporation | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
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