TW516164B

TW516164B - Self-light emitting device and electrical appliance using the same

Info

Publication number: TW516164B
Application number: TW090109073A
Authority: TW
Inventors: Hajime Kimura
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2000-04-21
Filing date: 2001-04-16
Publication date: 2003-01-01
Also published as: JP2017063058A; JP5352660B2; JP2013243151A; KR20010098770A; JP2012048260A; JP5957502B2; US9923171B2; JP2015028950A; US20140209881A1; US20010035713A1; KR100773826B1; JP2016076498A; JP2010245056A; US8686624B2; US7646143B2; US20100171424A1

Description

516164 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景： 1. 發明的領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是關於當由供應電流至EL元件而取得平面發光時’改進於EL (電冷光electro luminescence )的內部產生之光的取得效率之元件裝置結構。根據本發明之自發光裝置包括有機EL顯示與〇LED (有機發光二極體）。 2. 相關技藝的描述雖然自發光裝置發射之光被取得如平面發光進入空氣中，因爲位於自發光裝置與空氣間之基底爲平板狀，大量的光可以自基底的內部而取得，且它的取得效率是2 0 %至 50%。發明的節要經濟部智慧財產局員工消費合作社印製該發明已被製作以解決上述問題，且發明的目的是因而改進於發光元件產生之光的取得效率，尤其是在EL元件中，由形成不規格光散射體於基底的反面上。進一步，光散射體由触刻基底上之透通膜而形成，且間距的分處理（ minute processing of pitch )變得可能。本發明的另一目的是由形成分間距的光散射體提供具較高發光效率之自發光裝置。圖形的簡要描述圖1 A至1C是顯示本發明的光散射體的結構之圖。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 516164 A7 B7 五、發明説明（2) 圖2是光的折射的說明圖。圖3A至3D是本發明被使用作主動矩陣式TFT之圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖4A至4G是顯示光散射體的細節之圖。圖5A至5D是本發明被使用作主動矩陣式TFT之圖。

圖6A與6B是本發明被使用作反交錯主動矩陣式TFT 之圖。圖7A至7C是本發明被使用作被動矩陣式TFT之圖。圖8A至8C是本發明被使用作被動矩陣式TFT之圖。圖9A至9C是本發明被使用作前光之圖。圖10A至10C是本發明被使用作背光之圖。圖11A與11B是本發明被使用作前光與背光之圖。圖12A與12B是顯示EL元件與電流控制TFT的連接的結構之圖，且顯示EL元件與電流控制TFT的電流電壓特徵之圖。圖1 3是顯示EL元件與電流控制TFT的電流電壓特徵之圖。圖1 4是顯示電流控制TFT的閘壓與汲電流間之關係之經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖。圖15A至15F是顯示電器的範例之圖。圖16A與16B是顯示電器的範例之圖。主要元件對照表 101 基底

102 電流控制TFT 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） 516164 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製、發明説明（3) 103 像素電極 104 EL層 105 陰極 106 EL元件 107 部分的放大圖 108 光散射體 109 空氣 108a 光散射體 108b 光散射體 108c 光散射體 108d 光散射體 108e 光散射體 201 媒體1 202 媒體2 301 基底 302 光散射體 302a 光散射體 303 P-通道TFT 304 p-通道TFT 305 像素電極 3 06 像素電極 307 排 308 排 309 EL層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 6 - 516164 A7 B7 五、發明説明（4) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 311 陰極 312 被動膜 501 基底 502 η-通道TFT 503 η-通道TFT 504 像素電極 505 像素電極 506 排 507 排 508 EL層 510 陽極 511 被動膜 512 密封膜 513 密封基底 514 光散射體 601 基底 602 P-通道TFT 603 η-通道TFT 604 像素電極 605 排 60 6 EL層 607 陰極 608 被動膜 609 光散射體 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 516164 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製、發明説明（5) 610 密封膜 611 密封基底 701 基底 702 光散射體 703 陽極 704 分割牆 705 EL層 707 陰極 801 基底 802 陰極 803 分割牆 804 EL層 806 陽極 807 被動膜 808 密封膜 809 密封基底 810 光散射體 901 導光板 901a 導光板的側面 902 光源 902b 側面 903 反射器 904 光散射體 905 液晶面板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 8 _ 516164 A7 B7 五、發明説明（6) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1001 導光板 1001a 導光板的側面 1002 光源 1003 反射器 1004 光散射體 1005 液晶面板 110 EL元件 2601 端子 2602 接線 1701 實線 270 1 圖形 2702 圖形 2703 圖形 2705 操作點 2706 操作點 2704 操作點 2001 外殼 2002 支架 2003 顯示部分 2101 主機 2102 顯示部分 2103 聲音輸入部分 2104 操作開關 2105 電池 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ g _ 516164 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製、發明説明（7) 2106 影像接收部分 220 1 主機 2202 訊號纜線 2203 頭戴帶 2204 顯示部分 ( a ) 2205 光學系統 2206 顯示部分 ( b ) 230 1 主機 2302 記錄媒體 2303 操作開關 2304 顯示部分 ( a ) 2305 顯示部分 ( b ) 2401 主機 2402 照像機部分 2403 影像接收部分 2404 操作開關 2405 顯示部分 250 1 主機 2502 外殼 2503 顯示部分 2504 鍵盤 260 1 主機 2602 聲音輸出部分 2 6 03 聲音輸入部分 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 1〇 _ 516164 A7 B7 五、發明説明（8) 2604 顯示部分 2605 操作開關 2606 天線 2701 主機 2702 顯示部分 2703 操作開關 2704 操作開關經濟部智慧財產局員工消費合作社印製較佳實施例的詳細描述本發明中改進光的取得效率使用之組態將參考圖1 A至 1C而描述。圖1 A顯示本發明被使用作主動矩陣式自發光裝置之例子的範例。參考號101表示絕緣體製成的基底，且電流控制TFT 102於基底101上形成。電流控制TFT 102的汲極區域係電子相連至像素電極103。（像素電極103也可被連接至來源區域。）在此，像素電極103是陽極，且像素電極 103是透通導電膜形成的以致於光自EL元件106的像素電極103的內部射出。進一步，EL層104在像素電極103上形成，且陰極105 在EL層上形成。因此，形成了像素電極103，EL層104與陰極105組成的EL元件106。具前述組態之自發光裝置中，不均勻性被形成在基底 101的背面，也就是，在不形成TFT之旁邊之表面。部分的光散射體108由107表示，且部分的放大圖107被顯示。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) p 、言

T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -11 _ 516164 A7 B7 五、發明説明（9) 由於形成光散射體108，避免自光散射體108至空氣 109之入射角度超過關鍵的角度是可能的。且避免光被完全地反射且被局限於光散射體中是可能的。因此，可以改進自EL元件1 06之光的取得效率。光散射體由鈾刻透通材料製成的透通膜形成。本發明中，透通膜是一可由可見光透通之膜。圖1 B所示之部分的放大圖1 07顯示已經穿過基底1 0 1 之光穿過光散射體108且被射入空氣109之狀態。圖1B所示之光散射體108a，108b，108c，108d與 108e分別地被形成點狀，且在本發明中這些稱爲光散射體 108 〇圖1C是形成光散射體108之基底的透視圖。本發明中，自EL元件106射出之光進入基底1〇1，且接著進入光散射體108。順便一提，如圖2所示，光的折射由入射光的角度（入射角）與媒體的折射率係數而決定。進一步，且遵循下列的表示式（Snell律）。也就是，在具折射率iu之媒體1 ( 201 )中，當光（入射光）以角度0 i進入具折射率n2之媒體2 ( 202 )時，它變成符合下列表示式之角度0 2的光（經折射的光） [表示式1] nisin θ 1 = ri2sin θ ι (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣 -訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -12- 516164 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1(| 順便一提，當折射光的角度Θ 2變成90時之入射角0 1 被稱爲關鍵角度。當至媒體2之入射角0 !變得大於關鍵角度時，光完全地被反射。也就是，光被局限於媒體1中。進一步，下面所示之表示式（Fresnell律）被建立在能量的反射性（R )與傳輸性（T )之間。 [表示式2] R= +θ2)} [表示式3]

T=l-R 也就是，基底101的反射率不同於光散射體1〇8的反射率，一反射元件被產生。因此，基底101的折射率與光散射體108的折射率相同是適當的。自表示式1至3，如圖1所示，當光自具1.45至1.60的折射率之光散射體108射出進入具1的折射率之空氣109，也就是，當光自具大折射率之媒體射出進入具小折射率之媒體時，反射性變大。當入射角變得大於關鍵角度時，光完全地被反射。也就是，光散射體108的組態被製成使入射角變小是適當的。自上，在本發明中，光折射層的組態被製成不均勻而使至空氣之入射角變小，且更多光被散射且變得容易取得本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂 516164 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（1) 而進入空氣中。本發明中，因爲由蝕刻形成之不規則的不均勻性變成光散射體1 08，有不需精密地使組態一致與製造容易之優點。雖然本發明可以被使用作多自發光裝置，尤其是在使用非常地容易遭受光的使用效率的影嚮之EL材料之EL元件，因爲由EL元件消耗之電子電源可以被減少且其壽命可以被延長，本發明是非常有效的。之後，將詳細地描述本發明的實施例。 [實施例1] 在此實施例中，將描述關於本發明被使用作傳送光至像素電極的該側之主動矩陣式自發光裝置之範例。首先，如圖3A所示，透通膜於基底30 1的背面上形成。如聚碳化物，丙烯酸樹脂，聚亞硫氨，聚醯胺或BCB (丁烯環苯），氧化銦，氧化錫，或氧化鋅之有機樹脂被使用，或上述材料的組合的化合物膜被使用作形成透通膜之透通材料。接下來，此透通膜被蝕刻，以致於形成如圖3A所示之光散射體302。該於此時形成之光散射體302將參考圖4A 而描述。圖4A顯示形成梯形之光散射體302。因爲在此使用之符號與圖3 A使用的相同，也許每次能做成對應性。圖4A顯示圖3A的顛倒的結構以致於基底的背面上形成之光散射體302係位於基底之下。其假設在自基底301所見之TFT旁邊之自EL元件射出之光以圖4A所示之入射角本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 14- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·

、1T 516164 Α7 Β7 五、發明説明（θ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 1進入光散射體302。在此，當基底301的折射率是nl，且光散射體302的折射率是n2時，如果建立nl>n2的關係，光以Θ 2的角度進入光散射體302。另一方面，如果如果建立η 1<η2的關係，光以Θ 2’的角度進入光散射體302。也就是，建立0 2> 0 2’的關係，且自具低折射率之媒體射出進入具高折射率之媒體之光的出射角變小。然而，在此，當光自光散射體302取得進入空氣中時，出射角變大，反射性也變高，且因爲光自具高折射率之媒體射出進入具低折射率之媒體因此出射變得困難。接著，如圖4A所示，在光散射體302a與絕緣體的基底間之角度 0 3與β 4被限制。本發明提供以垂直的方向之出射光的取得效率至取得效率爲最高之基底不被降低這樣的組態，且製成成型以致於角度0 3與0 4變成60度或更大。然而， β 3與04也許不需被形成爲相同的角度。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，爲了避免影像模糊，光散射體302a的間距被製成使接觸於基底之部分的長度W1變成像素間距的一半或更少。此外，爲了更容易取得光，梯形的長度W2越短越好。順便一提，最好是W2 = 0。進一步，爲了形成光散射體而使光散射體302的角度 0 3與0 4變成60度或更大，最好是透通膜的厚度Η被製成關於光散射體302的間距（W 1 )有Η $ W 1的關係。此外，在本發明中，不需由使用金屬模型或其類似或平化該表面以形成正確的組態，但分不均勻性僅需被形成本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 516164 A7 _ B7 五、發明説明（於光出射之旁邊之基底的背面上。以如上述之方式，光散射體302被形成於基底301的背面上。圖4B至4G顯示可被形成當作光散射體302之型樣。圖 4B顯示方形光散射體以間隔被設於基底的背面上之範例。圖4C顯示光散射體完全地覆蓋基底且在光散射體間沒有間隔之範例。圖4D顯示反栓狀光散射體被形成於基底的背面之範例，且圖4E顯示半球的光散射體被形成於基底的背面之範例。圖4F顯示橢圓的光散射體，且圖4G顯示區段之三角散射體被形成之範例。順便一提，圖4A至4G所示之光散射體也許被設成在光散射體間之間隔被緊固，或光散射體彼此重疊。在光散射體302被形成於基底301的背面上之後，p-通道TFT 303與304由已知的方法被形成於形成絕緣膜之基底 301的表面上。雖然平面TFT在此實施例中被例示，TFT結構沒有限制。也就是，反交錯式TFT也許被使用。接下來，電子連接至個別的P-通道TFT 303與304之像素電極305與306被形成。具大工作功能之材料被使用作像素電極305與306，因爲作用如EL元件的陽極。因此，在此實施例中，氧化導電膜（氧化銦，氧化錫，或氧化鋅，或這些的組合的化合物膜製的膜）被使用作可見光可透通之透明材料（或透通材料）。鎵也許被加至此氧化導體膜 (圖 3B ) 〇接下來，由樹脂膜形成排307與308以便圍繞像素電極本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣、ίτ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 516164 Α7 Β7 五、發明説明（14 305與306，且層309在其上形成。在此實施例中，由丙烯酸膜形成排307與308，且由旋轉塗層法形成EL層309。高分子有機材料的聚氟化物被使用作EL層309的材料。當然’染色性控制也許由加螢光材料至氟而製成（圖3C )。接下來，由使用光蔽材料形成陰極。在此實施例中，由蒸發鋁與鋰而形成合金膜至厚度300 nm，且由噴濺法在其上形成當作被動膜3 1 2之氮化矽膜。疊層碳膜也是有效的，尤其是其上之DLC (類鑽石碳）膜。以如上述之方式，具圖3D所示之結構之自發光裝置被完成。之後，EL元件以樹脂密封或EL元件被密封於密閉空間中以致於EL元件不接葡於外面的空氣。 [實施例2] 此實施例中，將描述本發明被應用至反射光於像素電極的旁邊之主動矩陣式自發光裝置之範例。首先，如圖5A 所示，n_通道TFT 502與503由已知的方法被形成於具絕緣膜於表面上之基底501上。此實施例中，雖然，平面TFT被例示，TFT沒有限制。也就是，反交錯式TFT也許被使用〇在此時，個別的η-通道TFT502與503，汲極接線被使用作像素電極504與505。在此實施例的例子中，因爲像素電極504與5 05必需反射光，具高反射性之金屬膜被使用作像素電極504與505。同時，它們也功用如EL元件的陰極，含具小工作功能之材料之金屬膜被使用。在此實施例中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -π - 516164 Α7 Β7 五、發明説明（1弓 ’含鋁與鋰之合金膜被使用（圖5A )。接下來，由樹脂膜形成排506與507以便圍繞像素電極 5 04與505的末端部分，且在其上形成EL層508。在此實施例中，由丙烯酸膜形成排506與507，且由蒸發法形成EL 層508。Alq3 (三8 quinolinolato錦複合物）被使用作EL 層508的材料。當然，染色性控制也許由加螢光材料至Alq3 而製成（圖5B )。接下來，氧化鎵被加至氧化鋅之氧化導電膜被形成至 300 nm的厚度，且進一步，氮化矽膜由噴濺法在其上形成作被動膜5 11。疊層碳膜也是有效的，尤其是其上之DLC (類鑽石碳）膜（圖5C )。接下來，如圖5D所示，有機樹脂製的密封膜被形成。此時，密封膜被形成以致於EL元件不接觸外部空氣。進一步，密封基底5 1 3被設在密封膜5 1 2上。此時，密封基底5 1 3被設以致於EL元件不接觸外部空氣以及該密封成型。接下來，透通膜被形成於密封基底上。如聚碳化物，丙烯酸樹脂，聚亞硫氨，聚醯胺或BCB (丁烯環苯）；氧化銦，氧化錫，或氧化鋅之有機樹脂被使用以形成一膜，或這些的組合的化合物膜被使用作形成透通膜之透通材料。爲了光散射體514的角度Θ 3與0 4變成60度或更大，最好是透通膜的厚度Η被製成關於光散射體的間距（W 1 )有 Η - W 1的關係。由蝕刻透通膜，如圖5Ε所示之光散射體 514被形成。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210><297公釐） .18- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 516164 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1$ 不需要老是設此實施例所示之有機樹脂製的密封膜’ 且EL元件也許被密封於密閉空間中。順便一提，因爲當它自具尚折射率之媒體出射進入具低折射率之媒體時’取得光變得困難，在此例子中，光散射體5 14被設於被動膜5 11 與該密閉空間間之介面，也就是，在被動膜5 11上，是適當的。以這樣獲得之自發光裝置，因爲較於正常的密封結構，光散射體被設於光的出射表面上，可以獲得較於習知的自發光裝置高的光的取得效率。由此，因爲驅動EL元件之電壓可以做得低，EL元件的壽命可以被延長。順便一提，此實施例的結構可以由具任何實施例1的結構之組合而實現。 [實施例3] 實施例1與2中，雖然本發明被應用至平面式TFT之範例已被描述，在此實施例中，本發明被使用作反交錯式 TFT之結構被顯示於圖6A與6B中。圖6A顯示光被傳送至像素電極的旁邊之主動矩陣式自發光裝置的結構，且圖6B顯示光被反射於像素電極的旁邊之主動矩陣式自發光裝置的結構。圖6A與6B中，參考號601表示基底；602，於圖6A 使用之P-通道TFT ;且603，於圖6B使用之η-通道TFT。在另一例子中，閘電極於基底60 1上形成，且來源區域，汲極區域與通道形成區域透過閘絕緣膜於閘電極上形成。本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

516164 Α7 Β7 五、發明説明（” 參考號604表示像素電極；且605，分割像素電極之排605 。EL層606於像素電極604上形成，且陰極607與被動膜 608於EL層606上形成。順便一提，因爲圖6 A顯示光被傳送至像素電極的旁邊之結構，光散射體609被設在基底601的背面。因爲圖6B 顯示光被反射於像素電極的旁邊之結構，光散射體於被動膜608上之密封基底611與密封膜610做的密封結構上形成〇因爲反交錯式TFT結構可以較平面式TFT更容易製造，可以減少遮罩的數目。進一步，因爲閘絕緣膜與通道形成區域可以被連續地形成，有可以不需被污染而形成介面之優點。此實施例的結構可以自由地與任何實施例1與實施例2 的結構組合且可被實現。 [實施例4] 在此實施例中，將描述本發明被應用至透過基底輻射光之被動矩陣式自發光裝置。如聚碳化物，丙烯酸樹脂，聚亞硫氨，聚醯胺或BCB (丁烯環苯）；氧化銦，氧化錫 ’或氧化鋅之有機樹脂被使用以形成一膜，或這些的組合的化合物膜被使用作形成透通膜之透通材料。爲了光散射體5 14的角度0 3與0 4變成60度或更大，最好是透通膜的厚度Η被製成關於光散射體的間距（W丨）有Η - W 1的關係。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 516164 A7 B7 __ 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由鈾刻此透通膜，形成圖7A所示之梯形光散射體702 。在蝕刻時，避免透通膜被超鈾刻以致於基底701被曝光於表面上是必需的。這是因爲如果基底被曝光於表面上’ 不能充分地達成由光散射體702之光的折射。接下來，圖7A所示之基底701被顛倒，且基底701的表面被製成上面。在絕緣膜於基底70 1的表面上形成之後，陽極703於絕緣膜上形成。在此實施例中，氧化銦與氧化錫的化合物做的氧化導電膜被使用作陽極703 (圖7B ) 〇此陽極703被形成像一與紙面平行之帶頻且它被建構像一與紙面垂直之線條。此結構與已知的被動矩陣式自發光裝置相同。接下來，分割牆704以用正確的角度與陽極703交叉而形成。此分割牆704被設置以分隔變成陰極之金屬膜。在此實施例中，兩層樹脂被使用，且它被處理以形成T狀。像此之結構可以在較低層的蝕刻率較較上層的鈾刻率之條件下實行蝕刻而獲得。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接下來，形成EL層705。在此實施例中，EL層705由蒸發法形成。低分子有機材料的Alq3 (三8 quinolinolato鋁複合物）被使用作EL層705的材料。當然，染色性控制也許由加螢光材料至A1Q3而執行。接下來，由蒸發鋁與鋰形成300 nm厚度之合金膜當作陰極.707。此時，陰極707沿著分割牆704而分隔，被形成像一以與紙面垂直之帶頻，且被建構像一線條。進一步， -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐了 516164 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 由噴墨法或印刷法在其上形成樹脂膜。疊層一碳膜也是有效的，尤其是其上之DLC (類鑽石碳）膜。由於如上述方式，具圖7C所示之結構之自發光裝置被完成。之後，EL元件以樹脂密封以致於EL元件不接觸於外部空氣。以這樣獲得之自發光裝置’因爲較於正常的密封結構，光散射體被設於光的出射表面上’可以獲得較於習知的自發光裝置高的光的取得效率。由此，因爲驅動EL元件之電壓可以做得低’ EL元件的壽命可以被延長。此實施例的結構可以自由地與任何實施例1至實施例3 的結構組合且可被實現。 [實施例5] 在此實施例中，將描述本發明被應用至關於基底向上輻射光之被動矩陣式自發光裝置。首先，陰極802於形成絕緣膜之基底801上形成。在此實施例中，具MgAg膜（由蒸發鎂與銀獲得之金屬膜）被疊層於鋁膜上之結構之電極被使用作陰極802 (圖8A )。此陰極802以平行紙面方向而形成帶頻狀，且以垂直紙面方向而建構成線條狀。接下來，分割牆803用正確的角度以與陰極802交叉而形成。分割牆803被設置以分隔變成陽極之氧化導電膜。在此實施例中，兩層樹脂被使用，且它被處理以形成T狀。像此之結構可以在較低層的鈾刻率較較上層的蝕刻率之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 22 516164 A7 __ 五、發明説明（2() 條件下實行蝕刻而獲得。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接下來’形成EL層804。在此實施例中，EL層8〇4由蒸發法形成。低为子有機材料的Aiq3 (三8 quinolinolato錦複合物）被使用作E L·層7 0 5的材料。當然，染色性控制也許由加螢光材料至A1 q 3而執行。接下來，由氧化銦與氧化鋅的化合物製成的氧化導電膜形成至300 nm厚度當作陽極8〇6。此時，陽極806沿著分割牆803而分隔，被形成像一以與紙面垂直之帶頻，且被建構像一線條。進一步，由噴墨法或印刷法在其上形成樹脂膜當作被動膜807。疊層一碳膜也是有效的，尤其是其上之DLC (類鑽石碳）膜。由於如上述方式，圖8B所示之結構被形成。之後，EL 元件以樹脂密封以致於EL元件不接觸於外部空氣。且密封膜8 08被形成。進一步，密封基底809被設於密封膜808上〇接下來，透通膜被形成於密封基底809上。如聚碳化物，丙烯酸樹脂，聚亞硫氨，聚醯胺或BCB (丁烯環苯）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ;氧化銦，氧化錫，或氧化鋅之有機樹脂被使用以形成一膜，或這些的組合的化合物膜被使用作形成透通膜之透通材料。爲了形成光散射體以致於光散射體8 1 0的角度β 3與 0 4變成60度或更大，最好是透通膜的厚度Η被製成關於光散射體的間距（W 1 )有H ^ W 1的關係。由蝕刻此透通膜，如圖8C所示之光散射體810被形成。如上述，由形成具分結構之光散射體8 1 0於光出射之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23 516164 A7 B7 五、發明説明（21) 表面上，取得自EL元件更有效地產生之光變得可能。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 不需要老是設此實施例所示之有機樹脂形成的密封膜，且EL元件也許被密封於密閉空間中。順便一提，因爲當它自具高折射率之媒體出射進入具低折射率之媒體時，取得光變得困難，在此例子中，光散射體被設於被動膜807 與該密閉空間間之介面，也就是，在被動膜807上，且密封基底809被設於密閉空閉之上。以這樣獲得之自發光裝置，因爲較於正常的密封結構，光散射體被設於光的出射表面上，可以獲得較於習知的自發光裝置高的光的取得效率。由此，因爲驅動EL元件之電壓可以做得較正常例子低，EL元件的壽命可以被延長。此實施例的結構可以自由地與任何實施例1至實施例4 的結構組合且可被實現。 [實施例6] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接下來，將描述本發明被使用作前光之範例。圖9A至 9C是顯示前光的結構之圖。圖9A與9B顯示前光的區段，且圖9C是導光板901的背面之透視圖。如圖9A所示，光源902被配置於導光板901的側面 901a。且反射器903被設於光源902的背後。光散射體904 被設成接觸於導光板90 1的較低面。導光板901是一四邊表面中較長邊短很多之短邊之透通材料製成的平面板。對可見光之當作導光板901的材料有80%的透通性，最好是85 %或更多，且折射率大於21/2，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） 516164 Α7 Β7 五、發明説明（2$ 對導光板901之90度的入射角的光可以在側面901a折射且可以被引導至導光板901的內部。在此實施例中，具在1.4 至1.7的範圍之折射率之材料被使用。如石英，玻璃，或塑膠可以被使用作這樣的透通材料。如甲基丙烯酸酯樹脂，聚碳化物，聚芳香族羥基，AS樹月旨（丙烯酸acrylotrile，苯乙烯聚合物），或MS樹脂（甲基甲基丙烯酸酯，苯乙烯聚合物）之材料可以被使用作單物質或混合物當作塑膠。接下來，光散射體904在透通膜於導光板901上形成之後由蝕刻而形成。如聚碳化物，丙烯酸樹脂，聚亞硫氨，聚醯胺或BCB (丁烯環苯）；氧化銦，氧化錫，或氧化鋅之有機樹脂被使用以形成一膜，或這些的組合的化合物膜被使用作形成透通膜之透通材料。最好是透通膜的厚度Η 被製成關於光散射體的間距（W 1 )有Η 2 W 1的關係。當如上述方式形成之前光被設在液晶面板（LCD) 905 與使用者之間時，可以獲得具光的高取得效率之液晶顯示器。在此實施例中，因爲液晶面板在由光散射體的旁邊反射光之後而被輻照，且可以做小至液晶面板之入射角。結果，因爲垂直地照明液晶面板的像素電極之光的元件變大，光可以有效地被使用。順便一提，圖9C是顯示當光散射體904以x-x’的方向切斷時獲得之梯形區段之圖。當梯形光散射體904的正確的角度被做成0 5與β 6，而想要這些角度大。如果0 5與本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25 516164 A7 B7 五、發明説明（2$ Θ 6被做大，以自前光至液晶面板之方向促進出射光的收集是可能的。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 順便一提，角度Θ 5與0 6被做成相同的角度是可能的，但也許彼此不同。此外，在此實施例中，透通膜被重新形成於導光板901 上，且光散射體904由蝕刻重新形成的透通膜而形成。然而，圖11A所示之結構也許由直接蝕刻導光板901的表面（液晶面板的旁邊）形成。 [實施例7] 接下來，將描述本發明被使用作背光之範例。圖10A 至1 0C是顯示背光的結構之圖。圖1 〇A顯示背光的區段，且圖10B是背光的透視圖。如圖10A所示，光源1002被配置於導光板1001的側面 1001a，且反射器1003被設在光源1002的背後。光散射體 1004被設置接觸於導光板1001的上表面。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製因此，在自光源1 002射出之光自導光板1001穿過光散射體1004之後，光輻照液晶面板（LCD) 1005。類似於前光的例子，冷陰極管或LED被使用作光源 1002，且沿著導光板1001的側面l〇〇la而配置。兩光源也許被提供以便沿著側面l〇〇2b彼此相對。此外，在此實施例中，在透通膜被重新形成於導光板 1001上之後，光散射體1004由蝕刻重新形成的透通膜而形成。然而，圖11B所示之結構也許由直接飩刻導光板1001 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 516164 Μ Β7 五、發明説明（24 它本身而形成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [實施例8] 在此實施例中，將描述關於將被驅動之電流控制TFT 之區域的電流電壓特徵之主題，在數位驅動中運作本發明的自發光裝置之例子。在EL元件中，如果經應用的電流被改變即使是輕微的改變時，流過EL元件之電流是以指數方式地大大地改變。自另一觀點，即使流過EL元件之電流被改變，應用至EL 元件之電壓的値不被改變很多。EL元件的亮度變高幾乎正比於流過EL元件之電流。因此，當EL元件的亮度由控制流過EL元件之電流的強度（電流値）而非由控制應用至EL 元件之電壓的強度（電壓値）而控制，TFT的特徵的影嚮低，且EL元件的亮度的控制容易。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製將參考圖12A與12B。圖12A僅顯示圖3所示之本發明的EL顯示的像素之EL元件110與電流控制TFT 108的部分結構。圖12B顯示圖12A所示之EL元件1 10與電流控制 TFT 108的電流電壓特徵。順便一提，圖12B所示之電流控制TFT 1 08的電流電壓特徵的圖形顯示流過關於來源區域與來源區域間之電壓VDS之電流控制TFT 108的汲極之電流的強度，且圖12B顯示多個電流控制TFT 108的閘電極與來源區域間之電壓VgS的値是彼此不同之圖形。如圖12A所示，應用於EL元件110的電流電極與像素電極間之電壓爲να，且應用於EL元件11 0的電流電極111 -27- 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） 516164 A7 _ B7 _ 五、發明説明（2弓 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 與連接至電源供應器線之端子2601間之電壓爲Vt。VT的値由電源供應器線的電位固定。此外，電流控制TFT 108的汲極區域與來源區域間之電壓爲Vds，且連接至電流控制TFT 108的閘電極之接線2602與來源區域間之電壓，也就是，電流控制TFT 1 08的來源區域與閘電極間之電壓爲VgS。

電流控制TFT 108也許不是η-通道TFT就是p-通道TFT 〇電流控制TFT 108與EL元件110彼此串聯。因此，流過兩元件（電流控制TFT 108與EL元件110 )之電流的値是彼此相等的。因此，圖12A所示之電流控制TFT 108與 EL元件1 1 0在顯示兩元件的電流電壓特徵之圖形的交叉點 (操作點）被驅動。圖12B中，變成計數電極111的電位與該操作點之電位間之電壓。電壓Vds變成電流控制TFT 108的端子2601之電位與該操作點之電位間之電壓。也就是，Vt等於VeL·與Vds的和。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此，考慮改變V〇s的例子。如自圖12B所了解，當電流控制TFT 108的IVos-VthI變大時，換句話說，IVcsl變大，流過電流控制TFT 108之電流的値變大。順便一提，Vth是電流控制TFT 108的臨界電壓。因此，自圖12B所了解，當 IVcsl變大時，流過EL元件110之電流的値在操作點自然地變大。EL元件110的亮度變高正比於流過EL元件110之電流的値。當IV〇sl變大以致於流過EL元件110之電流的値變大時，Vu的値根據電流的値也變大。因爲Vt的強度由電源供 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 516164 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（26) 應器線的電位決定，當變大時，Vds由此變小。如圖12B所示，電流控制TFT的電流電壓特徵被分成關於Vos與Vds的値兩區域。IVos-VthIcIVds丨的區域是飽和區域，且IV(3S-VthI〉IVdS|的區域是線性區域。在飽和區域中，下列表示式4被建立。順便一提，Ids 是流過電流控制TFT 1 08的通道形成區域之電流的値。此外，冷=// C〇W/L，//是電流控制TFT 108的流動性，c◦是各單位區域之閘容量，且W/L是通道形成區域的通道寬度W 對通道長度L的比例。 [表示式4] I D S = ( VgS-Ith) 2/2 在線性區域中，下列表示式5被建立。 [表示式5] lDS=y8 { ( VgS-Ith) VdS-VdS2/2} 自表示式4所了解，在飽和區域中，電流値幾乎不由 Vds改變，但電流値僅由Vds決定。另一方面，如自表示式5所了解，在線性區域中，電流値由Vds與Vcs決定。當IVcsl做得大時，電流控制TFT已在線性區域操作。接著，VeL·也逐漸地變大。因此，Vds由 Vei/的增加而變小。在線性區域中，當VDS變小時，電流量 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 、11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 516164 A7 B7 五、發明説明（2力也變小。因此，即使IVcsl做得大，電流値變得難以增加。當|Vcs| = 〇〇時，電流値=Imax。也就是，即使IVcsl做得大，較 Imax大之電流不會流動。在此，當Vei^Vt時，Imax是流過 EL元件1 10之電流的値。像此，由控制IVcsl的強度，該操作點可以被置於飽和區域或線性區域。雖然所有電流控制TFT的特徵想要理想地彼此一致，實際上，臨界値Vth與流動性//在個別的電流控制TFT間經常是不同的。當個別的電流控制TFT的臨界値Vth與流動性 //是彼此不同時，如表示式4與5所了解，流過電流控制 TFT 108的通道形成區域之電流的値變不同，即使Vcs的値相同。圖13顯示臨界値Vth與流動性//脫離之電流控制TFT 的電流電壓特徵。實線1 70 1是理想電流電壓特徵的圖形，且實線2702與2703分別地表示臨界値Vth與流動性//變得不同於理想値之例子中之電流控制TFT的電流電壓特徵。假設電流電壓特徵的圖形2702與2703在飽和區域由相同的電流値△ L·自具理想特徵之電流電壓特徵的圖形2701脫離，電流電壓特徵的圖形2702的操作點2705是在飽和區域，且電流電壓特徵的圖形2703的操作點2706是在線性區域。在該例子中，當具理想特徵之電流電壓特徵的圖形270 1的操作點2704之電流値及操作點2705與操作點2706之電流値間之脫離分別做成△ 12與△ L·時，線性區域之操作點 2706是小於飽和區域之操作點2705。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 3〇 _ 516164 A7 B7 五、發明説明（2$ 因此，在本發明描述之數位系統的驅動方法被使用之例子中，當電流控制TFT與EL元件被驅動以致於操作點存在於線性區域中，由於電流控制TFT的特徵的脫離而實現抑制EL元件的不均勻亮度之階段性變化顯示是可能的。在習知的類比驅動的例子中，最好是驅動電流控制 TFT與EL元件而使操作點存在於電流値可以僅由IVcsl控制之飽和區域中。如上述操作的彙總分析，圖1 4顯示關於電流控制TFT 的閘壓IVwl之電流値的圖形。當IVcsl被做大且變成大於電流控制TFT的臨界電壓的絕對値IVthI時，電流控制TFT已進入導電狀態，且電流開始流動。在本發明中，此時之 IVcsl被稱爲發光啓動電壓。當|VCS|進一步做得大時，丨Vcs丨變成一^値（在此’暫時爲A)而使|\^。5-\^1'11丨=丨\^5丨被滿足，且飽和區域變成線性區域。進一步，當IVul做得大時，電流値變大且電流値變得飽和。該時刻，|VCS| = 〇〇。如自圖14所了解，在丨VcsISIVth丨的區域中，電流幾乎不流動。IVthI S IVcsl S A的區域是飽和區域，且電流値由 IVcsl改變。A S IVCS|的區域中是線性區域，且流過EL元件之電流由IVGS|與IVdsI改變。在由數位驅動操作本發明的自發光裝置之例子中，最好是使用IVcsl S IVthI的區域且A S IVCS丨的線性區域。順便一提，此實施例可以自由地與實施例1至3描述之自發光裝置組合。本了氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公慶） ~ - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 516164 A7 B7 五、發明説明（2$ [實施例9] 在本發明的自發光裝置的例子中，外部發光量效能可以由使用由自發光用之三件一組exciton之憐光之EL材料而顯著地改進。結果，可以減少EL元件的電源消耗，可以延長EL元件的壽命且可以減輕EL元件的重量。下列是外部發光量效能由使用三件一組exciton ( 丁. Tsutsui，C· Adachi，S· Saito，有機分子系統之光化學處理 ’ ed. K. Honda ( Elsevier Sci. Pub.,Tokyo，1991 ) P.437 )而改進之報告。由上述文章報告之EL料材（香豆素色素）的化學式展現如下。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂〇

(M.A.Baldo，D.F.〇Brien，Y.You，A.Shoustikov，S. Sibley，M.E. Thompson，S.R. Forrest，Nature 395 ( 1 998 )p.151) 由上述文章報告之EL料材（Pt複合物）的化學式展現如下。 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 32 - 516164 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（Μ (化學式2 )

(Μ.Α. Baldo , S. Lamansky，P.E. Burrows，M.E. Thompson，S.R. Forrest，Appl. Phys. Lett.,75 ( 1 999 )P.4 ) (丁. T s u t s u i，M · - J · Y a n g，Μ · Y a h i r ο，K. N a k a m u r a，T · Watanabe，T. Tsuji，Y. Fukuda，T. Wakimoto，S. Mayaguchi，】pn，Appl. Phys.，38 ( 12B ) ( 1 999 ) L1502 )由上述文章報告之EL料材（Ir複合物）的化學式展現如下。

(化學式3 )如上述，如果自三件一組之磷光可以被付諸實際使用，原則上它可實現如使用自單exci ton之磷光的例子之三至本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .-^衣·

、1T 516164 A7 B7 五、發明説明（31) 四倍之外部發光量效能。在實施例1至5所示之自發光裝置中，根據此實施例之結構可以用任何本發明的結構而執行且自由地製作。 [實施例10] 根據本發明形成之自發裝置是自發光式，所以比較液晶顯示裝置，它有極佳的可視特性且在可視的角度是寬廣的。因此，自發裝置可以被應用至各種電器之顯示部分。例如，爲了在大尺寸螢幕觀看TV節目或其類‘似，根據本發明之自發裝置可以被使用作具30吋或更大（以40寸或更大爲代表）的對角尺寸之EL顯示裝置的顯示部分（在該例子中裝備自發裝置之顯示器）。 EL顯示器包括所有被用作顯示資訊之顯示的種類，如個人電腦之顯示器，接收TV廣播節目之顯示器，廣告顯示之顯示器。而且，根據本發明之自發裝置可以被使用作其它各種電子裝置的顯示部分。當作本發明的其它電子裝備有：影像照像機；數位照像機；護目鏡式顯示器（頭戴顯示器）；汽車導航系統；聲音再生裝置（汽車聲音立體音響，聲音組等等）：筆記型個人電腦；遊戲設備；可攜資訊終端（如行動電腦，可攜電話，可攜遊戲機，或電子書）；且裝備記錄媒體之影像播放裝置（尤其是，設有顯示部分之裝置，其播放影像於如數位多功能磁碟播放機（DVD )之記錄媒體，且顯示該影像）。特別地，在可攜資訊終端的例子中，最好使用 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 34 - 516164 A7 B7 五、發明説明（3$ 自發裝置’因爲幾乎自傾斜方向觀看之可攜資訊終端經常需要有寬廣的視角。進一步’這些電子裝置可以裝配可對較低電子電源消耗控制對應於周圍亮度之亮度之光感應器。對周圍亮度自發裝置的亮度的對比最好是設定自100至丨50。圖15 A至 1 6B分別地顯示各種這樣的電子裝置的特定範例。圖15A顯示含外殼2001，支架2002，與顯示部分2003 之E L·顯不器。本發明可以被使用作顯示部分2 0 0 3。這樣的 EL顯示是自發裝置以致於不需要背光。因此，顯示部分可以被做得較液晶顯示器的薄。圖15B顯示影像照像機，且包含主機2101，顯示部分 2102，聲音輸入部分2103，操作開關2104，電池2105，與影像接收部分2 1 06。本發明的自發裝置可以被使用作顯示部分2 1 0 2 〇圖15C顯示頭戴式的EL顯示器的部分（右半部），其包括主機220 1，訊號纜線2202，頭戴帶2203，顯示部分 (a ) 2204，光學系統2205，顯示部分（b ) 2206，或其類似。本發明的電子裝置與驅動方法可應用至顯示部分（a )2204或顯示部分（b ) 2206。圖1 5D顯示裝備記錄媒體之影像播放裝置（尤其是’ DVD播放裝置），且包含主機230 1，記錄媒體（如DVD ) 23 02，操作開關2303，顯示部分（a ) 2304與顯示部分（ b ) 2305。顯示部分（a ) 2304主要地是使用作顯示影像資訊。本發明的自發裝置可以被使用作顯示部分（a ) 本紙張尺度通用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 516164 A7 B7 五、發明説明（3$ 2304與顯示部分（b ) 2305。要注意的是裝備記錄媒體之影像播放裝置包括如影像播放裝置與遊戲機之裝置。圖15E顯示可攜（行動）電腦，且包含主機2401，照像機部分2402，影像接收部分2403，操作開關2404，與顯示部分2405。本發明的自發裝置可以被使用作顯示部分 2405。圖15F是個人電腦，且包含主機2501，外殻2502，顯示部分2503，與鍵盤2504。本發明的自發裝置可以被應用至顯示部分2503。要注意的是如果有機EL材料的照明在未來增加，則使用本發明於以鏡片或其類似擴展與投影含輸出資訊之光之前置式或後置式投影機將變得可能。進一步，上述電子裝置經常顯示透過如網際網路與 CATV (有線電視）之電子通訊電路傳送之資訊，且特別地顯示移動影像的狀況正在增加。自發裝置是適於顯示移動圖像因爲EL材料可展示高反應速度。然而，如果像素間的輪廓變得不淸楚，整個移動圖像不能淸楚地被顯示。因爲根據本發明之自發裝置可以使像素間之輪廓淸楚，應用本發明的自發裝置至電子裝置的顯示部分有重大的優點。此外，因爲自發裝置節省電源於發光部分，最好是顯示資訊以便使發光部分儘可能小。所以，當使用自發裝置於顯示部分主要地作爲特性資訊時，如在可攜資訊終端，特別是可攜電話或聲音再生裝置，最好是驅動發光裝置以便由發光部分形成特性資訊同時不發光部分被設爲背景。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

516164 A7 ______ B7 _ 五、發明説明（3# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖16A顯示可攜電話，且包含主機2601，聲音輸出部分2602，聲音輸入部分2603，顯示部分2604，操作開關 2605，與天線2606。本發明的自發裝置可以被使用作顯示部分2604。要注意的是由顯示白色特性於黑色背景，該顯示部分2604可抑制可攜電話的電源消耗。圖1 6B顯示聲音再生裝置，以具體的術語，裝配聲音裝備之汽車且包含主機270 1，顯示部分2702，與操作開關 2703與2704。本發明的自發裝置可以被使用作顯示部分 2702。進一步，汽車裝配式聲音立體音響被展示於此實施例中，但固定式聲音播放裝置也許被使用。要注意的是，由顯示白色特性於黑色背景，該顯示2704可以抑制電源消耗。對可攜聲音再生裝置是有效的。如上述，此發明的應用範圍極爲寬廣，且也許被使用作各種領域之電子裝置。進一步，此實施例的電子裝置也許由使用自發裝置自由地組合第一至第八實施例的結構而獲得。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製當本發明被實現以提供光散射體於絕緣體上，自發光元件之光的取得效率，尤其是在EL元件中可以被改進。進一步’當透通膜被鈾刻以形成光散射體時，間距的分處理變得可能。當分間距的光散射體以上述方式形成時，可以提供具高發光效率之自發光裝置。 37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐）

Claims

516164 附件2a.第901仰073號專利申請案中文申請專利範圍修蘇本民國91年9月23日修正 D8 lt-feyn明A手^^月 2 日所#之 ifiiEi本有i-i旻實f内容是否准予修正。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍 1. 一種自發光裝置，包含：於絕緣體上形成之第一電極；於第一電極上形成之EL層；以及透過絕緣體於第一電極之對側形成之光散射體，其中該第一電極係電子連接至TFT。 2. 根據申請專利範圍第1項之自發光裝置，其中第一電極是陽極，且第二電極是陰極。 3. 根據申請專利範圍第1項之自發光裝置，其中第一電極包含半透明材料，且第二電極包含光蔽材料。- 4·一種自發光裝置，包含：於絕緣體上形成之第一電極；於第一電極上形成之EL層；於EL層上形成之第二電極；以及透過絕緣體於第一電極之對側形成之光散射體。 5. 根據申請專利範圍第4項之自發光裝置，其中第一電極是陽極’且第二電極是陰極。 6. 根據申請專利範圍第4項之自發光裝置電極包含材料，且第二電極包含光蔽材料。 7·根據申請專利範圍第1項之自發光裝置射體包含半透明材料。 8·根據申請專利範圍第4項之自發光裝置射體包含半透明材料。 I.根據申請專利範圍第丨項之自發光裝置其中第其中光散其中光散其中光散射體包自由聚碳化物、聚醯胺、BCB、氧化銦、與氧度 zy/ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁訂 •ΙΦ 516164 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍化錫組成之群組之一。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10.根據申請專利範圍第4項之自發光裝置，其中光散射體包含選自由聚碳化物、聚醯胺、BCB、氧化銦、與氧化錫組成之群組之一。 11 ·根據申請專利範圍第1項之自發光裝置，其中光散射體的厚度（Η )關於光散射體的間距（W1 )有Η - W1 的關係。 12.根據申請專利範圍第4項之自發光裝置，其中光散射體的厚度（Η )關於光散射體的間距（W1 )有Η 2 W1 的關係。 1 3 4根據申請專利範圍第1項之自發光裝置，其中像素間距至少是光散射體的間距的兩倍長。 14. 根據申請專利範圍第4項之自發光裝置，其中像素間距至少是光散射體的間距的兩倍長。 15. 根據申請專利範圍第1項之自發光裝置，其中光散射體與絕緣體間之角度不小於60°且小於180° 。 16. 根據申請專利範圍第4項之自發光裝置，其中光經濟部智慧財產局員工消費合作社印製散射體與絕緣體間之角度不小於60°且小於180° 。 17. 如申請專利範圍第1項之自發光裝置，其中該自發光裝置係被結合至由EL顯示器、視頻照相機以及電腦所構成群組中之一。 18. 如申請專利範圍第4項之自發光裝置，其中該自發光裝置係被結合至由EL顯示器、視頻照相機以及電腦所構成群組中之一。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -2- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 516164 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 19. 一種自發光裝置，包含：於絕緣體上形成之第一電極；於第一電極上形成之EL層；於EL層上形成之第二電極；以及於正對具低折射率之材料之表面上形成之光散射體。 20·根據申請專利範圍第19項之自發光裝置，其中第一電極是陽極，且第二電極是陰極。 21. 根據申請專利範圍第19項之自發光裝置，其中第一電極是陰極，且第二電極是陽極。 ' 22. 根據申請專利範圍第19項之自發光裝置，其中光散射體包含半透明材料。 23··根據申請專利範圍第19項之自發光裝置，其中光散射體包含選自由聚碳化物、聚醯胺、BCB、氧化銦與氧化錫組成之群組之一。 24.根據申請專利範圍第19項之自發光裝置，其中光散射體的厚度（Η )關於光散射體的間距（W1 )有Η - W1 的關係。 25·根據申請專利範圍第19項之自發光裝置，其中像素間距至少是光散射體的間距的兩倍長。 26·根據申請專利範圍第19項之自發光裝置，其中光散射體與絕緣體間之角度不小於6 0 °且小於1 8 0。。 2 7 ·如申請專利範圍第1 9項之自發光裝置，其中該自發光裝置係被結合至由EL顯示器、視頻照相機以及電腦所構成群組中之一。本紙張从適用中國國家標準（CNS ) Α4祕（210X297公釐 1 ~ -----„--.--------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -3- 516164 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 8.根據申請專利範圍第19項之自發光裝置，其中第一電極係電子連接至TFT。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 29.根據申請專利範圍第19項之自發光裝置，其中具低折射率之材料是空氣。 30· —種自發光裝置，包含：一基底 ; 一第一電極’形成在該基底之第一電極之上；一 E1層’形成在該第一基底之上；一第二電極，形成在該EL層之上；以及 · 一光散射體，形成在該基底之第二表面之上，該第二表面係與該第一表面對向。 1 31·如申請專利範圍第30項之自發光裝置，其中該第一電極係電連接至一薄膜電晶體。 3 2·如申請專利範圍第30項之自發光裝置，其中該第一電極係爲一陽極，而該第二電極係爲一陰極。 33·如申請專利範圍第30項之自發光裝置，其中該第一電極包含一透明材料，而該第二電極包含一光蔽材料。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 34·如申請專利範圍第30項之自發光裝置，其中該光散射體包含一透明材料。 35·如申請專利範圍第30項之自發光裝置，其中該光散射體包含選擇自聚碳化物、聚醯胺、BCB、氧化銦與氧化錫所組成的群組之一。 3 6·如申請專利範圍第30項之自發光裝置，其中該光散射體之厚度（Η )相對於光散射體之間距（W1 )具有Η 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -4 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 516164 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 -W1之關係。 37·如申請專利範圍第30項之自發光裝置，其中圖素間距係爲該光散射體之間距之至少兩倍長。 38·如申請專利範圍第30項之自發光裝置，其中介於該光散射體以及該第二表面之間的角度係不小於60°以及小於180° 。 39·如申請專利範圍第30項之自發光裝置，其中該自發光裝置係被結合至由EL顯示器、視頻照相機以及電腦所構成群組中之一。 · 40. —種自發光裝置，包含： ^基底；一第一電極，形成在該基底之第一電極之上；一 E1層，形成在該第一基底之上；一第二電極，形成在該EL層之上；以及一光散射體，形成在該基底之第二表面之上，該第二表面係與該第一表面對向，其中該光散射體之厚度（Η )相對於光散射體之間距 (W1)具有H2W1之關係。 41·如申請專利範圍第40項之自發光裝置，其中該第一電極係電連接至一薄膜電晶體。 42.如申請專利範圍第40項之自發光裝置，其中該第一電極係爲一陽極，而該第二電極係爲一陰極。 4 3 ·如申§靑專利$ε圍第4 0項之自發光裝置，其中該第一電極包含一透明材料，而該第二電極包含一光蔽材料。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）一一 ----- ------^------訂------Aw (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5- 516164 Α8 Β8 C8 D8 ^、申請專利範圍 44·如申請專利範圍第4〇項之自發光裝置，其中該光散射體包含一透明材f斗。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 45·如申請專利範圍第40項之自發光装置，其中該光散射體包含選擇自聚碳化物、聚醯胺、BC：B、氧化銦與氧化錫所組成的群組之一。 46.如申請專利範圍第40項之自發光裝置，其中圖素間距係爲該光散射體之間距之至少兩倍長。 4 7 ·如申請專利範圍第4 0項之自發光裝置，其中介於曰亥光政射體以及該第二表面之間的角度係不小於6〇。以及小於180° 。 4 8 ·如申請專利範圍第40項之自發光裝置，其中該自發光裝置係被結合至由EL顯示器、視頻照相機以及電腦所構成群組中之一。 49· 一種自發光裝置，包含：一基底；一第一電極，形成在該基底之第一電極之上；一 Ε1層，形成在該第一基底之上；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一第二電極，形成在該EL層之上；以及一光散射體，形成在該基底之第二表面之上，該第二表面係與該第一表面對向，其中，介於該光散射體以及該第二表面之間的角度係不小於60°以及小於180° 。 50.如申請專利範圍第49項之自發光裝置，其中該第一電極係電連接至一薄膜電晶體。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -6- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 516164 A8 B8 C8 ___ D8 穴、申請專利範圍 5 1.如申請專利範圍第49項之自發光裝置，其中該第一電極係爲一陽極，而該第二電極係爲一陰極。 52·如申請專利範圍第49項之自發光裝置，其中該第一電極包含一透明材料，而該第二電極包含一光蔽材料。 53·如申請專利範圍第49項之自發光裝置，其中該光散射體包含一透明材料。 54.如申請專利範圍第49項之自發光裝置，其中該光散射體包含選擇自聚碳化物、聚醯胺、BCB、氧化銦與氧化錫所組成的群組之一。 - 55·如申請專利範圍第49項之自發光裝置，其中該光散射體之厚度（Η )相對於光散射體之間距（wi )具有H ^ W 1之關係。 56.如申§靑專利範圍第49項之自發光裝置，其中圖素間距係爲該光散射體之間距之至少兩倍長。 5 7.如申§靑專利範圍第4 9項之自發光裝置，其中該自發光裝置係被結合至由EL顯示器、視頻照相機以及電腦所構成群組中之一。 58. —種自發光裝置，包含：一基底；一第一電極，形成在該基底之第一電極之上；一 E1層，形成在該第一基底之上；一第二電極，形成在該EL層之上；以及一光散射體，形成在該基底之第二表面之上。 59·如申請專利範圍第58項之自發光裝置，其中該第本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） -------------费------、耵------0 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 516164 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍一電極係電連接至一薄膜電晶體。 60·如申§靑專利範圍第58項之自發光裝置，其中該光散射體包含一透明材料。 61. 如申請專利範圍第58項之自發光裝置，其中該光散射體包含選擇自聚碳化物、聚醯胺、BCB、氧化銦與氧化錫所組成的群組之一。 62. 如申請專利範圍第58項之自發光裝置，其中該光散射體之厚度（Η )相對於光散射體之間距（wi )具有 Η 2 W1之關係。 · 63. 如申請專利範圍第58項之自發光裝置，其中圖素間距係爲該光散射體之間距之至少兩倍長。 ’ 64·如申請專利範圍第58項之自發光裝置，其中介於該光散射體以及該第二表面之間的角度係不小於6〇。以及小於1 8 0 ° 。 6 5 .如申g靑專利範圍第5 8項之自發光裝置，其中該自發光裝置係被結合至由EL顯示器、視頻照相機以及電腦所構成群組中之一。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ 8 _ 516164 附件1.第90109073號專利申請案中文圖式修正頁民國91年9月23日修正 2003 第15A圖 2102 2106 2104

! 15C 圖

2103 2204 2303 2305 2202 第15D圖 2303 2502 2401 2405 2403 2402

2404 第15E圖 2503 2504

2501 第15F圖