KR101286594B1 - 광 추출이 고효율화된 유리기판 및 이의 제조방법 - Google Patents

광 추출이 고효율화된 유리기판 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광 추출이 고효율화된 유리기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 한 쌍의 전극과, 상기 전극 사이에 설치되는 적어도 한 층 이상의 유기층을 구비하며, 상기 유기층이 정공 주입층, 발광층 및 전자 주입층을 포함하는 유리기판의 제조 방법에 있어서, 유리기판 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 투명 전도층을 증착시, 수 nm 내지 수 μm 크기의 딤플이 생성되고, 상기 딤플을 마스킹(Masking) 박막으로 이용하는 단계; 상기 마스킹 박막을 플루오르(F) 이온을 포함한 불산 용액으로 에칭하여 평균 직경이 수 ~ 수백 nm 사이즈의 나노 딤플을 형성하는 단계; 상기 유리 기판 세정 후 나노 딤플이 형성된 면을 가지는 유리 기판 위에 고굴절률 소재를 이용한 평탄층을 코팅하는 단계; 및 상기 평탄층을 코팅한 유리 기판 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 수nm ~ 수 um 크기의 투명전극을 적층하는 단계를 포함한다.
따라서, 본 발명은 유리기판에 형성된 나노 사이즈의 나노 딤플로 인해 기존의 유리기판 표면에서 반사되던 광이 오목렌즈 또는 볼록렌즈의 구면과 같은 딤플 표면을 통해 굴절을 일으키면서 유리기판을 투과하게 되며, 유리기판이 얇아진 상태이므로 기존에 비해 유리기판 내에서 흡수되는 빛도 감소하여 전체적으로 광 투과율을 95 %이상으로 향상시킬 수 있다.

Description

광 추출이 고효율화된 유리기판 및 이의 제조방법{High Efficient Light Extracting Glass and the Manufacturing Method Thereof}
본 발명은 유기 전계 발광 표시장치에서 사용되는 광 추출이 고효율화된 유리기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 전계 발광 표시장치에서 사용되는 고효율의 광 추출이 높은 유리기판과 이러한 유리기판을 제작할 수 있는 광 추출이 고효율화된 유리기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
평판표시소자(FPD;Flat Panel Display Device) 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(LCD;Liquid Crystal Display Device)가 가장 주목받는 디스플레이 소자였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며 밝기, 콘트라스트(contrast), 시야각, 그리고 대면적화 등에 기술적 한계가 있기 때문에 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판디스플레이 소자에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.
새로운 평판디스플레이 중 하나인 유기 전계 발광 표시장치(OLED;Organic Electroluminescence Display Device)는 자발광이며, 광시야각, 콘트라스트, 응답속도 등이 우수하며 백라이트가 필요 없어 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다.
유기 전계 발광 표시장치를 비롯한 각종 디스플레이 제품에 사용되는 유리기판은 각종 구동 소자 등을 형성한 쪽과 빛이 투과되어 발광 면을 형성하는 쪽이 있으며, 그중 발광면을 형성하는 유리기판은 발광된 빛이 유리기판 밖으로 많이 빠져나올수록 유리하다.
선행기술자료로써, 특허등록 제10-1114916호(공고일자 2012년 2월 14일) 공보를 보면, 유기발광소자용 기판 및 그 제조 방법에 관한 기술내용이 공개되어 있다.
도 1은 종래 기술의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 유기층을 설명하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 전계 발광 표시장치는 유리기판(11) 위에, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 광투과성이 있는 양극(12)을 형성하고, 그 위에 유기층(13)을 적층한 후, 금속으로 이루어지는 음극(14)을 형성한다. 유기층(13)은 기본적으로는 정공 주입층(Hole Transport Layer: HTL)(13a), 발광층(Emitting Layer)(13b) 및 전자 주입층(Electron Transport Layer : ETL)(13c)을 적층한 것이다. 이러한 구성에 있어서, 음극(12) 및 양극(14)으로부터 각각 전자와 정공을 주입하고, 전자 주입층(13c) 및 정공 주입층(13a)을 통해 발광층(13b)에서 전자와 정공이 재결합되어 발광한다. 이 경우, 발광은 유리기판(11)측으로부터 꺼내지게 되어, 이른바 하면광(下面光) 페치(fetch) 구조가 된다
특히, 각 화소마다 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 가지는 능동 매트릭스(Active matrix) 방식으로 유기전계발광표시장치를 구동하게 되면, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비 전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가진다.
이때, 발광층(13b)에서 생성된 빛의 약 50%는 층 간의 웨이브가이드(waveguide) 형성으로 인해 측면으로 빠져나가 버리고 약 30%는 전반사를 통해 소멸된다. 따라서 내부에서 생성된 빛의 약 20%만이 실제 소자 밖으로 나올 수 있어 유기전계발광표시장치의 외부양자효율은 낮은 편이다.
이를 해결하기 위해 (즉, 소자 내부에 갇혀있는 빛을 밖으로 추출하기 위해) 소자 내부에 별도의 층을 삽입하는 기술들이 연구되고 있다. 저굴절율(Low refractive index)를 갖는 층을 투명 양극(anode) 전극과 유리기판 사이에 삽입함으로써 전반사로 인한 빛 손실을 줄일 수 있다. 이러한 효과는 미세 캐비티(microcavity) 층을 삽입하여 더 증대될 수 있으며, 빛을 산란(scattering) 하는 층을 삽입하여 비슷한 효과를 얻을 수 있다. 또한 소자 외부 즉, 유리기판에 별도의 필름(out coupling film) 또는 미세 렌즈 어레이 필름(microlens array film)을 부착하여 광 추출 효율을 높일 수 있다.
이러한 광추출 효율을 높이는 방법들은 고가의 공정이 되며 번거로운 노력을 요하며, 광 추출 효율, 즉, 광 투과율 또한 기대하는 만큼 향상되지 않고 있다.
본 발명은 발광체 소자에 의해 내부에서 발광된 빛을 고효율로 유리기판 외부로 추출함으로써 발광 휘도를 높일 수 있는 유리기판과 이를 제작하기 위한 광 추출이 고효율화된 유리기판 및 이의 제조방법을 제공한다.
실시예들 중에서, 광 추출이 고효율화된 유리기판의 제조방법은, 한 쌍의 전극과, 상기 전극 사이에 설치되는 적어도 한 층 이상의 유기층을 구비하며, 상기 유기층이 정공 주입층, 발광층 및 전자 주입층을 포함하는 유기 전계 발광 표시장치에서 사용되는 유리기판의 제조방법에 있어서,유리기판 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 투명 전도층을 증착시켜 수 nm 내지 수 μm 크기의 딤플이 생성되고, 상기 딤플을 마스킹(Masking) 박막으로 이용하는 단계; 상기 마스킹 박막을 플루오르(F) 이온을 포함한 불산 용액으로 에칭하여 평균 직경이 수 ~ 수백 nm 사이즈인 나노 딤플을 형성하는 단계; 상기 유리 기판 세정 후 나노 딤플이 형성된 면을 가지는 유리 기판 위에 고굴절률 소재를 이용한 평탄층을 코팅하는 단계; 및 상기 평탄층을 코팅한 유리 기판 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 수nm ~ 수 um 크기의 투명전극을 적층하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 투명 전도층은 투명 전도 산화물, 투명 전도 질화물, 투명 전도 산화 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 투명 전도 산화물은 ITO, ZnO, AZO, IZO, ATO, ZITO, Sn-O, In-O, Ga-O 중 어느 하나이고, 상기 투명 전도 질화물은 TiN, CrN, TaN, In-N 중 적어도 어느 하나이며, 상기 투명 전도 산화 질화물은 ITON, ZnON, O-In-N, IZON 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 고굴절률 소재는 1.5 ~ 2.5 정도의 굴절률(N)을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 평탄층을 코팅하는 단계는, 스핀 코팅(Spin coating), 슬롯 다이(Slot die) 코팅, 그라비아 프린팅(Gravure printing) 코팅, 그라비아 오프셋 프린팅(Gravure Off-set printin), 리버스 프린팅(Reverse printiog) 코팅, 리버스 오프셋 프린팅(Reverse Off-set printiog) 코팅 방식 중에서 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 한다.
다른 일 실시예에서, 상기 스퍼터링 방법을 구현하는 장치로 스퍼터링 장치(200)를 사용하며, 상기 스퍼터링 장치(200)는 유리기판(100)이 안착되는 히트 플레이트(210)와, 히트 플레이트(210)의 상부 공간에 설치되는 챔버(220)와, 히트 플레이트(210)의 하면 중앙에 설치되어 히트 플레이트(210)를 일정 방향으로 회전시키는 회전축(230)과, 챔버(220)의 상부에서 가스가 이동되는 가스 이동 통로(240)와, 가스 이동 통로(240)의 상부에 설치된 주입 가스관(250) 및 프로세스 가스관(260)과, 가스 이동 통로(240)의 끝단에 RF 전력(Power)을 사용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 공급장치(280) 및 챔버(220)의 하부에 부산물이 배출되는 배출관(270)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예들 중에서, 광 추출이 고효율화된 유리기판은, 한 쌍의 전극과, 상기 전극 사이에 설치되는 적어도 한 층 이상의 유기층을 구비하며, 상기 유기층이 정공 주입층, 발광층 및 전자 주입층을 포함하는 유기 전계 발광 표시장치에서 사용되는 유리기판에 있어서, 유리기판 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 투명 전도층을 증착시켜 수 nm 내지 수 μm 크기의 딤플이 생성되고, 상기 딤플을 마스킹(Masking) 박막으로 이용하는 단계; 상기 마스킹 박막을 플루오르(F) 이온을 포함한 불산 용액으로 에칭하여 평균 직경이 수 ~ 수백 nm 사이즈인 나노 딤플을 형성하는 단계; 상기 유리 기판 세정 후 나노 딤플이 형성된 면을 가지는 유리 기판 위에 고굴절률 소재를 이용한 평탄층을 코팅하는 단계; 및 상기 평탄층을 코팅한 유리 기판 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 수nm ~ 수 um 크기의 투명전극을 적층하는 단계를 거쳐 제조된다.
일 실시예에서, 상기 스퍼터링 방법을 구현하는 장치로 스퍼터링 장치(200)를 사용하며, 상기 스퍼터링 장치(200)는 유리기판(100)이 안착되는 히트 플레이트(210)와, 히트 플레이트(210)의 상부 공간에 설치되는 챔버(220)와, 히트 플레이트(210)의 하면 중앙에 설치되어 히트 플레이트(210)를 일정 방향으로 회전시키는 회전축(230)과, 챔버(220)의 상부에서 가스가 이동되는 가스 이동 통로(240)와, 가스 이동 통로(240)의 상부에 설치된 주입 가스관(250) 및 프로세스 가스관(260)과, 가스 이동 통로(240)의 끝단에 RF 전력(Power)을 사용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 공급장치(280) 및 챔버(220)의 하부에 부산물이 배출되는 배출관(270)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 투명 전도층은, 투명 전도 산화물, 투명 전도 질화물, 투명 전도 산화 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 투명 전도 산화물은 ITO, ZnO, AZO, IZO, ATO, ZITO, Sn-O, In-O, Ga-O 중 어느 하나이고, 상기 투명 전도 질화물은 TiN, CrN, TaN, In-N 중 적어도 어느 하나이며, 상기 투명 전도 산화 질화물은 ITON, ZnON, O-In-N, IZON 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 고굴절률 소재는 1.5 ~ 2.5 정도의 굴절률(N)을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 평탄층을 코팅하는 단계는, 스핀 코팅(Spin coating), 슬롯 다이(Slot die) 코팅, 그라비아 프린팅(Gravure printing) 코팅, 그라비아 오프셋 프린팅(Gravure Off-set printin), 리버스 프린팅(Reverse printiog) 코팅, 리버스 오프셋 프린팅(Reverse Off-set printiog) 코팅 방식 중에서 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 광 추출이 고효율화된 유리기판 및 이의 제조방법은 유리기판에 형성된 나노 사이즈의 나노 딤플로 인해 기존의 유리기판 표면에서 반사되던 광이 오목렌즈 또는 볼록렌즈의 구면과 같은 딤플 표면을 통해 굴절을 일으키면서 유리기판을 투과하게 되며, 유리기판이 얇아진 상태이므로 기존에 비해 유리기판 내에서 흡수되는 빛도 감소하여 전체적으로 광 투과율을 95 %이상으로 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
도 1은 종래 기술의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 유기층을 설명하는 단면도이다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 추출이 고효율화된 유리기판을 설명하는 단면도이다.
도 4는 도 2의 스퍼터링 방법을 이용하여 나노 딤플이 형성된 유리기판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 5는 도 4를 이용한 투명전도층 증착 상태를 설명하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 추출이 고효율화된 유리기판의 제조 방법 중 에칭 공정을 설명하는 도면이다.
본 발명에 관한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시예에 불과하므로, 본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 실시예는 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 본 발명의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 발명에서 제시된 목적 또는 효과는 특정 실시예가 이를 전부 포함하여야 한다거나 그러한 효과만을 포함하여야 한다는 의미는 아니므로, 본 발명의 권리범위는 이에 의하여 제한되는 것으로 이해되어서는 아니 될 것이다.
한편, 본 발명에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
"제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어"있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "포함하다"또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
각 단계들에 있어 식별부호(예를 들어, a, b, c 등)는 설명의 편의를 위하여 사용되는 것으로 식별부호는 각 단계들의 순서를 설명하는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 단계들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.
여기서 사용되는 모든 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미를 지니는 것으로 해석될 수 없다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 추출이 고효율화된 유리기판을 설명하는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 광 추출이 고효율화된 유리기판은 평탄층(110), 한 쌍의 양극 및 음극 전극(120, 130)과, 한 쌍의 전극(120, 130) 사이에 설치되는 적어도 한 층 이상의 유기층(140)을 구비하는데, 한 층 이상의 유기층(140)은 정공 주입층(141), 발광층(142) 및 전자 주입층(143)이 차례로 적층된 것이다.
평탄층(110)은 대략 1,5 ~ 2.5 정도의 굴절률(N)을 갖는 고굴절 재료를 이용하여 코팅할 수 있어 광추출율을 더욱 향상할 수 있다.
이때, 유리기판(100)의 위에 평균 직경이 수 ~ 수백 nm 사이즈인 나노 딤플(102)을 형성하고, 나노 딤플(102)이 형성된 유리기판(100)은 유리기판(100)의 경계면에서의 전반사를 제거하고 난반사를 일으키며, 딤플들의 오목한 형상은 오목렌즈 또는 볼록렌즈의 역할을 하여 발광체에서 발광 된 빛을 높은 효율로 유리기판 밖으로 추출할 수 있다.
도 4는 도 2의 스퍼터링 방법을 이용하여 나노 딤플이 형성된 유리기판의 제조 방법을 설명하는 도면이고, 도 5는 도 4를 이용한 투명전도층 증착 상태를 설명하는 도면이다.
도 4를 참조하면, 스퍼터링 방법을 구현하는 장치인 스퍼터링 장치(200)는 유리기판(100)이 안착되는 히트 플레이트(210)와, 히트 플레이트(210)의 상부 공간에 설치되는 챔버(220)와, 히트 플레이트(210)의 하면 중앙에 설치되어 히트 플레이트(210)를 일정 방향으로 회전시키는 회전축(230)과, 챔버(220)의 상부에서 가스가 이동되는 가스 이동 통로(240)와, 가스 이동 통로(240)의 상부에 설치된 주입 가스관(250) 및 프로세스 가스관(260)과, 가스 이동 통로(240)의 끝단에 RF 전력(Power)을 사용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 공급장치(280) 및 챔버(220)의 하부에 부산물이 배출되는 배출관(270)을 포함한다.
스퍼터링 장치(200)는 히트 플레이트(210)의 상부면에 안착된 유리기판(100)에 ITO, AZO 등을 증착하여 투명 전도층(101)을 형성하는데, 도 5의 (a)는 AZO의 투명 전도층(101)이 유리기판(100)이 증착된 상태를 도시한 것이고, 도 5의 (b)는 투명 전도층(101)의 각 AZO 사이즈를 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, 투명 전도층(101)은 스퍼터링 방법에 의한 증착시 수 nm 내지 수 μm 크기의 딤플(약 200~300nm)이 생성되고, 이 딤플을 마스킹(Masking) 박막으로 이용한다.
삭제
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 추출이 고효율화된 유리기판의 제조방법 중 에칭 공정을 설명하는 도면이다.
도 6을 참조하면, 스퍼터링 장치(200)를 이용하여 형성한 마스킹 박막은 플루오르(F) 이온을 포함한 불산 용액으로 에칭하여 평균 직경이 수 ~ 수백 nm 사이즈인 나노 딤플(102)을 형성한다.
도 6의 (a)는 불산 용액으로 에칭시 5초 경과, (b)는 10초 경과, (c)는 15초 경과, (d)는 20초 경과, (e)는 25초 경과에 따른 마스킹 박막 상태를 각각 도시한 것이다.
이와 같이, 불산 에칭 조건에 따라 유리기판(100) 위에 나노 사이즈의 나노 딤플(102)이 무작위적으로 다수 생성되어, 유리기판(100)의 경계면에서의 전반사를 제거하고 난반사를 일으키며, 나노 딤플(102)의 오목한 형상은 오목렌즈 또는 볼록렌즈의 역할을 하여 고효율의 광 추출이 높은 유리기판(100)을 제작할 수 있다.
유리 기판(100) 세정 후 나노 딤플이 형성된 면을 가지는 유리 기판(100) 위에 고굴절률 소재를 이용하여 평탄층을 스핀 코팅(Spin coating), 슬롯 다이(Slot die) 코팅, 그라비아 프린팅(Gravure printing) 코팅, 그라비아 오프셋 프린팅(Gravure Off-set printin), 리버스 프린팅(Reverse printiog) 코팅, 리버스 오프셋 프린팅(Reverse Off-set printiog) 코팅 방식 중에서 적어도 어느 하나를 이용하여 평탄층(110)을 코팅한다.
평탄층(110)을 코팅한 유리 기판(100) 위에 스퍼터링 장치(200)을 이용하여 수nm ~ 수 um 크기의 투명전극(120, 130)을 적층한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 유리기판 101 : 투명 전도층
102 : 나노 딤플 110 : 평탄층
120, 130 : 양극 및 음극 140 : 유기층
141 : 전공 주입층 142 : 발광층
143 : 전자 주입층
200 : 스퍼터링 장치 210 : 히트 플레이트
220 : 챔버 230 : 회전축
240 : 가스 이동 통로 250 : 주입가스관
260 : 프로세스 가스관 270 : 배출관
280 : 플라즈마 공급장치

Claims (11)

  1. 한 쌍의 전극과, 상기 전극 사이에 설치되는 적어도 한 층 이상의 유기층을 구비하며, 상기 유기층이 정공 주입층, 발광층 및 전자 주입층을 포함하는 유기 전계 발광 표시장치에서 사용되는 유리기판의 제조방법에 있어서,
    유리기판 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 투명 전도층을 증착시켜 수 nm 내지 수 μm 크기의 딤플이 생성되고, 상기 딤플을 마스킹(Masking) 박막으로 이용하는 단계;
    상기 마스킹 박막을 플루오르(F) 이온을 포함한 불산 용액으로 에칭하여 평균 직경이 수 ~ 수백 nm 사이즈인 나노 딤플을 형성하는 단계;
    상기 유리 기판 세정 후 나노 딤플이 형성된 면을 가지는 유리 기판 위에 고굴절률 소재를 이용한 평탄층을 코팅하는 단계; 및
    상기 평탄층을 코팅한 유리 기판 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 수nm ~ 수 um 크기의 투명전극을 적층하는 단계를 포함하는 광 추출이 고효율화된 유리기판의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명 전도층은
    투명 전도 산화물, 투명 전도 질화물, 투명 전도 산화 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 추출이 고효율화된 유리기판의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 투명 전도 산화물은 ITO, ZnO, AZO, IZO, ATO, ZITO, Sn-O, In-O, Ga-O 중 어느 하나이고,
    상기 투명 전도 질화물은 TiN, CrN, TaN, In-N 중 적어도 어느 하나이며,
    상기 투명 전도 산화 질화물은 ITON, ZnON, O-In-N, IZON 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광 추출이 고효율화된 유리기판의 제조방법.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 평탄층을 코팅하는 단계는,
    스핀 코팅(Spin coating), 슬롯 다이(Slot die) 코팅, 그라비아 프린팅(Gravure printing) 코팅, 그라비아 오프셋 프린팅(Gravure Off-set printin), 리버스 프린팅(Reverse printiog) 코팅, 리버스 오프셋 프린팅(Reverse Off-set printiog) 코팅 방식 중에서 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 광 추출 효율이 고효율화된 유리기판의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스퍼터링 방법을 구현하는 장치로 스퍼터링 장치(200)를 사용하며,
    상기 스퍼터링 장치(200)는 유리기판(100)이 안착되는 히트 플레이트(210)와, 히트 플레이트(210)의 상부 공간에 설치되는 챔버(220)와, 히트 플레이트(210)의 하면 중앙에 설치되어 히트 플레이트(210)를 일정 방향으로 회전시키는 회전축(230)과, 챔버(220)의 상부에서 가스가 이동되는 가스 이동 통로(240)와, 가스 이동 통로(240)의 상부에 설치된 주입 가스관(250) 및 프로세스 가스관(260)과, 가스 이동 통로(240)의 끝단에 RF 전력(Power)을 사용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 공급장치(280) 및 챔버(220)의 하부에 부산물이 배출되는 배출관(270)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 추출이 고효율화된 유리기판의 제조방법.
  7. 한 쌍의 전극과, 상기 전극 사이에 설치되는 적어도 한 층 이상의 유기층을 구비하며, 상기 유기층이 정공 주입층, 발광층 및 전자 주입층을 포함하는 유기 전계 발광 표시장치에서 사용되는 유리기판에 있어서,
    유리기판 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 투명 전도층을 증착시켜 수 nm 내지 수 μm 크기의 딤플이 생성되고, 상기 딤플을 마스킹(Masking) 박막으로 이용하는 단계;
    상기 마스킹 박막을 플루오르(F) 이온을 포함한 불산 용액으로 에칭하여 평균 직경이 수 ~ 수백 nm 사이즈인 나노 딤플을 형성하는 단계;
    상기 유리 기판 세정 후 나노 딤플이 형성된 면을 가지는 유리 기판 위에 고굴절률 소재를 이용한 평탄층을 코팅하는 단계; 및
    상기 평탄층을 코팅한 유리 기판 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 수nm ~ 수 um 크기의 투명전극을 적층하는 단계를 거쳐 제조된 광 추출이 고효율화된 유리기판.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 스퍼터링 방법을 구현하는 장치로 스퍼터링 장치(200)를 사용하며,
    상기 스퍼터링 장치(200)는 유리기판(100)이 안착되는 히트 플레이트(210)와, 히트 플레이트(210)의 상부 공간에 설치되는 챔버(220)와, 히트 플레이트(210)의 하면 중앙에 설치되어 히트 플레이트(210)를 일정 방향으로 회전시키는 회전축(230)과, 챔버(220)의 상부에서 가스가 이동되는 가스 이동 통로(240)와, 가스 이동 통로(240)의 상부에 설치된 주입 가스관(250) 및 프로세스 가스관(260)과, 가스 이동 통로(240)의 끝단에 RF 전력(Power)을 사용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 공급장치(280) 및 챔버(220)의 하부에 부산물이 배출되는 배출관(270)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 추출이 고효율화된 유리기판.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 투명 전도층은,
    투명 전도 산화물, 투명 전도 질화물, 투명 전도 산화 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
    상기 투명 전도 산화물은 ITO, ZnO, AZO, IZO, ATO, ZITO, Sn-O, In-O, Ga-O 중 어느 하나이고,
    상기 투명 전도 질화물은 TiN, CrN, TaN, In-N 중 적어도 어느 하나이며,
    상기 투명 전도 산화 질화물은 ITON, ZnON, O-In-N, IZON 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광 추출이 고효율화된 유리기판.
  10. 삭제
  11. 제7항에 있어서, 상기 평탄층을 코팅하는 단계는,
    스핀 코팅(Spin coating), 슬롯 다이(Slot die) 코팅, 그라비아 프린팅(Gravure printing) 코팅, 그라비아 오프셋 프린팅(Gravure Off-set printin), 리버스 프린팅(Reverse printiog) 코팅, 리버스 오프셋 프린팅(Reverse Off-set printiog) 코팅 방식 중에서 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 광 추출 효율이 고효율화된 유리기판.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20050050049A (ko) * 2005-03-22 2005-05-27 브이엔에프 이노베이션 주식회사 마이크로렌즈가 집적화된 유기전계발광소자 및 그 제조방법
JP2006059542A (ja) 2004-08-17 2006-03-02 Mitsubishi Rayon Co Ltd Ｅｌデバイス
JP2012048260A (ja) 2000-04-21 2012-03-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置
KR20120085377A (ko) * 2011-01-24 2012-08-01 노바테크인더스트리 주식회사 고효율 광 추출이 가능한 유리기판의 제조방법 및 제조시스템

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